JPH07245385A - 受光素子の画素分離方法と受光素子 - Google Patents
受光素子の画素分離方法と受光素子Info
- Publication number
- JPH07245385A JPH07245385A JP6036210A JP3621094A JPH07245385A JP H07245385 A JPH07245385 A JP H07245385A JP 6036210 A JP6036210 A JP 6036210A JP 3621094 A JP3621094 A JP 3621094A JP H07245385 A JPH07245385 A JP H07245385A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、光検知器の受光素子部分の画素分
離された各画素の共通電極の接続方法に関し、光検知素
子の画素分離された各画素の共通電極が容易に形成出来
る手法を得る。 【構成】 配列された複数の画素からなる多画素型受光
素子において、各画素１間の一部を残して、画素１間に
分離溝２を形成する。分離溝２により分離された前記各
画素１間の一部は、オーミック電極３がその上部に設け
られた接続領域４により分離された画素１を互いに接続
し、接続領域４の下部はエッチング除去される。
離された各画素の共通電極の接続方法に関し、光検知素
子の画素分離された各画素の共通電極が容易に形成出来
る手法を得る。 【構成】 配列された複数の画素からなる多画素型受光
素子において、各画素１間の一部を残して、画素１間に
分離溝２を形成する。分離溝２により分離された前記各
画素１間の一部は、オーミック電極３がその上部に設け
られた接続領域４により分離された画素１を互いに接続
し、接続領域４の下部はエッチング除去される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、本発明は、光検知素子
の画素分離に関し、特に画素分離された各画素の共通電
極の接続方法に関する。
の画素分離に関し、特に画素分離された各画素の共通電
極の接続方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３〜図４は従来例の説明図であり、従
来の検知素子の構造の概要を示す。図において、１は画
素、２は分離溝、３はオーミック電極、５は素子基板、
5aはＨｇＣｄＴｅ、７は絶縁基板、7aはＣｄＴｅ、12は
信号処理回路基板、13は受光素子、15はInバンプ、16は
電荷蓄積部、17は垂直読出線、18は垂直読出回路、19は
水平読出回路、20は出力アンプである。
来の検知素子の構造の概要を示す。図において、１は画
素、２は分離溝、３はオーミック電極、５は素子基板、
5aはＨｇＣｄＴｅ、７は絶縁基板、7aはＣｄＴｅ、12は
信号処理回路基板、13は受光素子、15はInバンプ、16は
電荷蓄積部、17は垂直読出線、18は垂直読出回路、19は
水平読出回路、20は出力アンプである。
【０００３】従来の検知素子10を図３（ａ）に示す。こ
れは、図３（ｃ）に示すようなSi基板上に形成された信
号処理回路の上にInバンプ15を介して、図３（ｂ）に示
すように多数の受光素子13が一次元または二次元に配列
された受光素子基板11を対向して設けたものである。
れは、図３（ｃ）に示すようなSi基板上に形成された信
号処理回路の上にInバンプ15を介して、図３（ｂ）に示
すように多数の受光素子13が一次元または二次元に配列
された受光素子基板11を対向して設けたものである。
【０００４】受光素子13は図４（ａ）に斜視図で、図４
（ｂ）に断面図で示すように、絶縁基板７上のＨｇＣｄ
Ｔｅ5aからなる素子基板５に分離溝２で分離された多数
の受光素子の画素１が二次元に並んでいる。
（ｂ）に断面図で示すように、絶縁基板７上のＨｇＣｄ
Ｔｅ5aからなる素子基板５に分離溝２で分離された多数
の受光素子の画素１が二次元に並んでいる。
【０００５】図４（ｂ）に示すように、分離溝２はＣｄ
Ｔｅ7aの底まで達し、絶縁基板７に食い込んでいる。分
離溝２の底辺の側面には各画素１の共通電極となるオー
ミック電極３が金（Ａｕ）で形成され、各画素の表面に
はＩｎバンプ15が形成されている。
Ｔｅ7aの底まで達し、絶縁基板７に食い込んでいる。分
離溝２の底辺の側面には各画素１の共通電極となるオー
ミック電極３が金（Ａｕ）で形成され、各画素の表面に
はＩｎバンプ15が形成されている。
【０００６】従来の技術では、このように、受光素子13
の各画素ごとに素子基板５を分離溝２により完全に分離
している。
の各画素ごとに素子基板５を分離溝２により完全に分離
している。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】そのため、分離溝内に
Ａｕのような金属を埋め込み、分離溝２内の側壁よりオ
ーミックコンタクトをとってオーミック電極３を形成す
ることは、大変困難であり、また、画素サイズの小型
化、多画素化に伴い、溝の巾はますます小さくなる傾向
にあり、電極コンタクト部の形成もより困難となる。
Ａｕのような金属を埋め込み、分離溝２内の側壁よりオ
ーミックコンタクトをとってオーミック電極３を形成す
ることは、大変困難であり、また、画素サイズの小型
化、多画素化に伴い、溝の巾はますます小さくなる傾向
にあり、電極コンタクト部の形成もより困難となる。
【０００８】本発明は、光検知素子の画素分離された各
画素の共通電極が容易に形成出来る手法を得ることを目
的とする。
画素の共通電極が容易に形成出来る手法を得ることを目
的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理説明
図である。図において、１は画素、２は分離溝、３はオ
ーミック電極、４は接続領域、５は素子基板、６は反応
ガス，5aはＨｇＣｄＴｅ、7aはＣｄＴｅである。
図である。図において、１は画素、２は分離溝、３はオ
ーミック電極、４は接続領域、５は素子基板、６は反応
ガス，5aはＨｇＣｄＴｅ、7aはＣｄＴｅである。
【００１０】画素分離された各画素は、画素のコーナー
（頂点）の接続領域４を介して連結されている。その表
面に共通電極を形成し、裏面はエッチング除去して空洞
とする。
（頂点）の接続領域４を介して連結されている。その表
面に共通電極を形成し、裏面はエッチング除去して空洞
とする。
【００１１】すなわち、本発明の目的は、少なくとも、
図１に示すように、配列された複数の画素からなる多画
素型光検知器において、各画素１間の一部（接続領域）
を残して、該画素１間に分離溝２を形成することによ
り、前記分離溝２により分離された各画素１間の一部
は、オーミック電極３がその上部に設けられ、分離され
た各画素１を互いに接続し、該接続領域４の下部はエッ
チング除去されることにより、また、図２（ｃ）に示す
ように、前記分離溝２の形成は、素子基板５に対する反
応ガス６のイオン入射方向を所定の角度に傾斜させて行
うことにより、前記素子基板５はＨｇＣｄＴｅ5aからな
ることにより、更に、図１に示すように、一次元または
二次元に配列された多画素型受光素子であって、各画素
１間の一部を残して該画素１間に分離溝２が形成され、
前記各画素１間の一部は接続領域４により各画素１が互
いに表面で接続され、且つその裏側はエッチング除去さ
れてなり、前記各画素１のオーミック電極３は、該各画
素１の表面と、該各画素１間の該分離溝２の周辺に設け
られていることにより達成される。
図１に示すように、配列された複数の画素からなる多画
素型光検知器において、各画素１間の一部（接続領域）
を残して、該画素１間に分離溝２を形成することによ
り、前記分離溝２により分離された各画素１間の一部
は、オーミック電極３がその上部に設けられ、分離され
た各画素１を互いに接続し、該接続領域４の下部はエッ
チング除去されることにより、また、図２（ｃ）に示す
ように、前記分離溝２の形成は、素子基板５に対する反
応ガス６のイオン入射方向を所定の角度に傾斜させて行
うことにより、前記素子基板５はＨｇＣｄＴｅ5aからな
ることにより、更に、図１に示すように、一次元または
二次元に配列された多画素型受光素子であって、各画素
１間の一部を残して該画素１間に分離溝２が形成され、
前記各画素１間の一部は接続領域４により各画素１が互
いに表面で接続され、且つその裏側はエッチング除去さ
れてなり、前記各画素１のオーミック電極３は、該各画
素１の表面と、該各画素１間の該分離溝２の周辺に設け
られていることにより達成される。
【００１２】
【作用】上記のように、本発明によれば、分離溝の底で
はなく、素子基板の表面となる各画素を連結した接続領
域上にオーミック電極を形成し、その下側をくり抜いた
分離溝により各画素を分離する構造であるため、受光素
子の分離された各画素の共通電極となるオーミッグ電極
を容易に、且つ確実に形成出来る。
はなく、素子基板の表面となる各画素を連結した接続領
域上にオーミック電極を形成し、その下側をくり抜いた
分離溝により各画素を分離する構造であるため、受光素
子の分離された各画素の共通電極となるオーミッグ電極
を容易に、且つ確実に形成出来る。
【００１３】
【実施例】図２は本発明の一実施例の説明図であり、製
造工程を示す。図において、１は画素、２は分離溝、３
はオーミック電極、４は接続領域、５は素子基板、5aは
ＨｇＣｄＴｅ、６は反応ガス、７は絶縁基板、7aはＣｄ
Ｔｅである。
造工程を示す。図において、１は画素、２は分離溝、３
はオーミック電極、４は接続領域、５は素子基板、5aは
ＨｇＣｄＴｅ、６は反応ガス、７は絶縁基板、7aはＣｄ
Ｔｅである。
【００１４】光検知器はＨｇＣｄＴｅ5aを素子基板５に
用いたダイオードアレイを例にとり、画素分離と各画素
の共通電極形成の工程のみを説明する。図２（ａ）に示
すように、４個の画素１の互いに隣接する場所、つまり
画素１の頂点の向かい合う場所に接続領域４を形成す
る。
用いたダイオードアレイを例にとり、画素分離と各画素
の共通電極形成の工程のみを説明する。図２（ａ）に示
すように、４個の画素１の互いに隣接する場所、つまり
画素１の頂点の向かい合う場所に接続領域４を形成す
る。
【００１５】そして、接続領域４上と、二つの画素１に
挟まれた溝形成予定領域の溝の両脇にオーミック電極３
を形成する、尚、溝の両脇のオーミック電極は二つの線
巾に分かれた形状とする。
挟まれた溝形成予定領域の溝の両脇にオーミック電極３
を形成する、尚、溝の両脇のオーミック電極は二つの線
巾に分かれた形状とする。
【００１６】図２（ｂ）に示すように、Ａ−Ｂ方向に長
い画素１間の二つの線巾に分かれたオーミック電極３の
間の斜線で示した分離溝形成領域を開口するような分離
溝形成パターン２’をレジストにより形成する。
い画素１間の二つの線巾に分かれたオーミック電極３の
間の斜線で示した分離溝形成領域を開口するような分離
溝形成パターン２’をレジストにより形成する。
【００１７】次いで、図２（ｃ）に図２（ｂ）のＡ−Ｂ
ラインでカットした断面図で示すように、素子基板４を
Ａ−Ｂ軸方向に所定角度（θ）傾けて、例えばマイクロ
波プラズマエッチングを行う。エッチングガスは水素(H
2)＋アルゴン(Ar)系を用いる。そして、エッチングが下
地のＣｄＴｅ7aの層に達したら、逆方向に角度θだけ傾
けて、再度プラズマエッチングを行う。すると、Ａ−Ｂ
の断面を図２（ｃ）に示すように、ＨｇＣｄＴｅ5aは表
面の三角形の部分のみが残り、下部がエッチング除去さ
れた形状が実現できる。
ラインでカットした断面図で示すように、素子基板４を
Ａ−Ｂ軸方向に所定角度（θ）傾けて、例えばマイクロ
波プラズマエッチングを行う。エッチングガスは水素(H
2)＋アルゴン(Ar)系を用いる。そして、エッチングが下
地のＣｄＴｅ7aの層に達したら、逆方向に角度θだけ傾
けて、再度プラズマエッチングを行う。すると、Ａ−Ｂ
の断面を図２（ｃ）に示すように、ＨｇＣｄＴｅ5aは表
面の三角形の部分のみが残り、下部がエッチング除去さ
れた形状が実現できる。
【００１８】同様のエッチングをＣ−Ｄ方向にも繰り返
す。図２（ｄ）に図２（ｂ）のＡ’−Ｂ’ラインでカッ
トした断面図を示す。これにより、図１に示すように、
各ダイオードからなる画素が、各画素の頂点を介して接
続され、且つ、その下部はエッチング除去された構造の
光検知器の受光素子の部分が実現出来る。
す。図２（ｄ）に図２（ｂ）のＡ’−Ｂ’ラインでカッ
トした断面図を示す。これにより、図１に示すように、
各ダイオードからなる画素が、各画素の頂点を介して接
続され、且つ、その下部はエッチング除去された構造の
光検知器の受光素子の部分が実現出来る。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれぱ各
画素を分離できるとともに、ダイオードの共通電極も容
易に、且つ確実に形成できる。尚、共通電極は、各ダイ
オードが頂点で結合されているので、その抵抗が無視出
来る場合には、共通電極金属を形成する必要はない。
画素を分離できるとともに、ダイオードの共通電極も容
易に、且つ確実に形成できる。尚、共通電極は、各ダイ
オードが頂点で結合されているので、その抵抗が無視出
来る場合には、共通電極金属を形成する必要はない。
【００２０】また、基板がプラズマによる損傷を受けな
い場合には、分離溝の形成をアルゴンによるイオンミリ
ングやＲＩＥ（反応性イオンエッチング）により行って
も良い。
い場合には、分離溝の形成をアルゴンによるイオンミリ
ングやＲＩＥ（反応性イオンエッチング）により行って
も良い。
【００２１】更に、エッチングで残す部分は、各画素の
頂点だけではなく、隣接する二つの画素間に設けても良
い。
頂点だけではなく、隣接する二つの画素間に設けても良
い。
【図１】 本発明の原理説明図
【図２】 本発明の一実施例の説明図
【図３】 従来例の説明図（その１）
【図４】 従来例の説明図（その２）
１ 画素 ２ 分離溝 ３ オーミック電極 ４ 接続領域 ５ 素子基板 5a ＨｇＣｄＴｅ ６ 反応ガス ７ 絶縁基板 7a ＣｄＴｅ
Claims (6)
- 【請求項１】 配列された複数の画素からなる多画素型
受光素子において、各画素(1) 間の一部を残して、該画
素(1) 間に分離溝(2) を形成することを特徴とする受光
素子の画素分離方法。 - 【請求項２】 前記分離溝(2) により分離された各画素
(1) を、前記各画素(1) 間の一部において接続領域(4)
により各画素(1) を互いに表面で接続し、その裏側はエ
ッチング除去することを特徴とする請求項１記載の受光
素子の画素分離方法。 - 【請求項３】 前記各画素(1) はオーミック電極(3)
を、該画素(1) の表面と、該各画素(1) 間の該溝の周辺
に設けられていることを特徴とする請求項１または２記
載の受光素子の画素分離方法。 - 【請求項４】 前記分離溝(2) を素子基板(5) に対する
反応ガス(6) のイオン入射方向を所定の角度に傾斜させ
て形成することを特徴とする請求項１、２または３記載
の受光素子の画素分離方法。 - 【請求項５】 配列された複数の画素からなる多画素型
受光素子であって、素子基板(5) 上に形成された各画素
(1) 間の一部を残して該画素(1) 間に分離溝(2) が形成
され、前記各画素(1) 間の一部は接続領域(4) 表面にて
各画素(1) が互いに電気的に接続され、且つその裏側は
エッチング除去されてなり、前記各画素(1) のオーミッ
ク電極(3) は、該各画素(1) の表面と、該各画素(1) 間
の該分離溝(2) の周辺に設けられていることを特徴とす
る受光素子。 - 【請求項６】 前記多画素型受光素子の素子基板(5) が
ＨｇＣｄＴｅ(5a)からなることを特徴とする請求項５記
載の受光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6036210A JPH07245385A (ja) | 1994-03-08 | 1994-03-08 | 受光素子の画素分離方法と受光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6036210A JPH07245385A (ja) | 1994-03-08 | 1994-03-08 | 受光素子の画素分離方法と受光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07245385A true JPH07245385A (ja) | 1995-09-19 |
Family
ID=12463397
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6036210A Withdrawn JPH07245385A (ja) | 1994-03-08 | 1994-03-08 | 受光素子の画素分離方法と受光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07245385A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013111637A1 (ja) * | 2012-01-23 | 2013-08-01 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、及び、固体撮像装置の製造方法、電子機器 |
| CN107851648A (zh) * | 2015-07-16 | 2018-03-27 | 索尼半导体解决方案公司 | 固态摄像元件、制造方法和电子装置 |
| JP2018114042A (ja) * | 2017-01-17 | 2018-07-26 | 株式会社日立製作所 | 超音波探触子、超音波診断装置、半導体センサ |
| JP2025096322A (ja) * | 2014-04-23 | 2025-06-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 撮像装置及び電子機器 |
-
1994
- 1994-03-08 JP JP6036210A patent/JPH07245385A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013111637A1 (ja) * | 2012-01-23 | 2013-08-01 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、及び、固体撮像装置の製造方法、電子機器 |
| CN104137263A (zh) * | 2012-01-23 | 2014-11-05 | 索尼公司 | 固态图像拾取单元、制造固态图像拾取单元的方法以及电子设备 |
| US9893101B2 (en) | 2012-01-23 | 2018-02-13 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Solid-state image pickup unit, method of manufacturing solid-state image pickup unit, and electronic apparatus |
| JP2025096322A (ja) * | 2014-04-23 | 2025-06-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 撮像装置及び電子機器 |
| CN107851648A (zh) * | 2015-07-16 | 2018-03-27 | 索尼半导体解决方案公司 | 固态摄像元件、制造方法和电子装置 |
| CN107851648B (zh) * | 2015-07-16 | 2022-08-16 | 索尼半导体解决方案公司 | 固态摄像元件、制造方法和电子装置 |
| JP2018114042A (ja) * | 2017-01-17 | 2018-07-26 | 株式会社日立製作所 | 超音波探触子、超音波診断装置、半導体センサ |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20010508 |