JPH0724739A

JPH0724739A - 粉体噴射加工方法およびその装置

Info

Publication number: JPH0724739A
Application number: JP16792693A
Authority: JP
Inventors: Hirotaka Imayama; 寛隆今山; Masayasu Fujisawa; 政泰藤沢; Katsuya Fukazawa; 克也深沢; Takashi Suzuki; 高鈴木
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1993-07-07
Filing date: 1993-07-07
Publication date: 1995-01-27

Abstract

(57)【要約】【目的】ＭＲ素子を持つ薄膜磁気ヘッドのような帯電
耐圧の低い被加工物に対して、低コストで能率が高く、
しかも高精度で帯電現象を発生させない粉体噴射加工方
法およびその装置の提供。【構成】粉体供給装置と、粉体輸送配管および加工装
置における粉体との各接触部の材料を、前記粉体と同一
材質か、または同一材質によりコーティングする構成の
装置とし、粉体噴射ノズルより噴出される粉体を、該粉
体の電位を電気的に中和させた後、被加工物に噴射す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、被加工物の表面を微細
な粉体を使用して加工する粉体噴射加工方法およびその
装置に係わり、特に、薄膜磁気ヘッドのような帯電耐圧
の低い被加工物を、粉体の帯電を防止または除去して、
低コストで能率よく、しかも高精度に加工するのに好適
な粉体噴射加工方法およびその装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、薄膜磁気ヘッドを大量に製造する
ための方法は、スライダー材基板上に磁気回路の薄膜を
形成してから切断し、切断面を研磨した後にスライダー
レールを形成するというものであった。薄膜磁気ヘッド
の加工法としては、セラミックスからなる加工片の所定
表面上に、浮上面間に凹部を形成する際、該凹部以外の
部分を感光性樹脂膜で覆い、ショットブラスト法を採用
して面精度を損なうことなく加工するようにした磁気ヘ
ッドスライダーの製造方法（例えば、特開平２ー１２８
３８３号公報）が提案されている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】被加工物を粉体噴射加
工方法を用いて所定の形状に加工するには、例えば、粉
体供給装置の中で粉体を高圧流体に混合し、粉体輸送配
管を経て加工室内で被加工物に高速で噴射する方式が取
られる。この方法は、安価で、しかも加工能率が高いの
が特徴である。しかし、この場合、粉体は粉体輸送配管
との摩擦や周囲の電界などの影響を受けて帯電現象を起
こす。例えば、５０Ｐａの空気に平均粒径３μmのＳｉ
Ｃパウダを７ｇ／ｍｉｎの割合で混合し、加速してアル
ミナ系セラミックスに毎分４００ｍの速度で９０ｍｉｎ
噴射すると、前記アルミナ系セラミックスの帯電量は３
０００Ｖとなる。

【０００４】ところが、磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ
素子という）をもつ薄膜磁気ヘッドでは、ＭＲ素子の厚
さが数ｎｍであることにより、該ＭＲ素子に５Ｖ以上の
電圧がかかると、ＭＲ素子は損傷を受けて磁気記録読み
取り機能を果たさなくなるという問題点を有していた。

【０００５】本発明は上記従来技術の問題点に鑑み、前
記磁気ヘッドのような帯電耐圧の低い被加工物に対し
て、低コストで能率が高くしかも高精度で、帯電現象が
起きない粉体噴射加工方法およびその装置を提供するこ
とを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の粉体噴射加工方法は、粉体ホッパ内に微細
粉体を内蔵した粉体供給装置より、粉体輸送配管を介し
て前記粉体を加工装置に輸送し、送られた粉体を該加工
装置内に設けた粉体噴射ノズルにより被加工物に噴射
し、該被加工物の表面を所望の形状に加工する粉体噴射
加工方法において、前記粉体噴射ノズルより噴出される
粉体を、該粉体の電位を電気的に中和させた後、被加工
物に噴射する構成にしたものである。

【０００７】そして、前記粉体の電位の電気的中和を、
前記粉体噴射ノズルより噴出される粉体に、該粉体の噴
出方向と直交する方向より粉体と反対の電荷を有するイ
オンを衝突させ、粉体とイオンとの間の電子移動により
行われる構成にするとよい。

【０００８】また、前記粉体の電位の電気的中和を、前
記粉体噴射ノズルより噴出される粉体に、該粉体の噴出
方向と直交する方向より陰極の引出し電極を介して粉体
と反対の電荷を有する荷電粒子を衝突させ、粉体と荷電
粒子との間の電子移動により行われる構成にしてもよ
く、さらに、前記粉体の電位の電気的中和を、前記粉体
噴射ノズルの粉体出口部に設けた陰電極と、前記被加工
物を固着した接地された導体電極のワークテーブルとの
間に電界をかけ、粉体を該電界を通過させることにより
行われる構成にしてもよい。

【０００９】一方、本発明の粉体噴射加工装置は、粉体
ホッパ内に微細な粉体を内蔵した粉体供給装置と、前記
粉体を高圧ガスとともに輸送する粉体輸送配管と、送ら
れた粉体を粉体噴射ノズルを介してワークテーブルに固
着された被加工物に噴射し、該被加工物の表面を所望の
形状に加工する加工装置とを備えた粉体噴射加工装置に
おいて、前記粉体供給装置，粉体輸送配管および加工装
置における前記粉体との各接触部の材料を、前記粉体と
同一材質か、または同一材質によりコーティングする構
成にしたものである。

【００１０】そして、前記粉体との各接触部の材料を、
導電性材料とし、かつ導電性材料からなる各接触部が接
地処理された構成にするとよい。

【００１１】そして、前記加工装置を、前記粉体噴射ノ
ズルより噴出される粉体に、該粉体の噴出方向と直交す
る方向より粉体と反対の電荷を有するイオンを衝突させ
るイオン照射装置を備える構成にするとよい。

【００１２】また、前記加工装置を、前記粉体噴射ノズ
ルの粉体出口部に該出口部を挟んで粉体噴射方向と平行
に設けられた、陰極となる荷電粒子引出し電極および荷
電粒子引込み電極と、荷電される微粒子を搬送ガスによ
り前記粉体の噴出方向と直交する方向に搬送し、該搬送
された微粒子を前記荷電粒子引出し電極を介して前記粉
体噴射ノズルより噴出される粉体に衝突させる微粒子搬
送手段と、を備える構成にするとよい。

【００１３】また、前記加工装置を、前記粉体噴射ノズ
ルの粉体出口部に、粉体噴射方向と直交させて設けられ
た平板状の陰電極と、前記ワークテーブルを導体電極と
して接地し、前記陰電極との間に電界をかける電場発生
手段と、を備える構成にしてもよい。

【００１４】さらに、前記加工装置を、前記粉体噴射ノ
ズルの粉体出口部に、粉体噴射方向と直交させて設けら
れた陰電極となるコロナ電極と、前記ワークテーブルを
導体電極として接地し、前記コロナ電極との間にコロナ
放電を発生させるコロナ放電発生手段と、を備える構成
にしてもよい。

【００１５】そして、前記粉体との各接触部の導電性材
料を、メッシュ状に形成し、前記粉体が通過する複数の
装置内位置に取り付ける構成にすることが望ましい。

【００１６】

【作用】上記構成とすることにより、使用される粉体と
粉体噴射加工装置の各部との、いずれかが高い熱エネル
ギを有している場合を除き、両者間のフェルミ準位は等
しくなり、粉体の帯電を防止することが可能になり、ま
た、接触・摩擦によって発生する異物質間のフェルミ準
位の差による電子の移動を防止することが可能になる。

【００１７】そして、粉体噴射加工装置における粉体と
の各接触部分を、金属などの導体とするか、または粉体
の通過部分にメッシュ状の導体を取り付け、これを接地
する構成は、帯電した粉体およびこの部分との接触によ
って帯電した粉体の絶対電位を０にすべく電子の移動を
発生させ、帯電を起こした粉体の電荷を装置外部に逃が
して粉体の帯電を除去することが可能になる。特に、メ
ッシュ状の導体を取り付ける構成は、粉体と導体との接
触面積を増加させ、電子の移動を一層容易にさせる。

【００１８】また、粉体噴射ノズルの粉体出口部に設け
た陰電極と、接地された導体電極のワークテーブルとの
間に電界をかけることにより、粉体が該電界を通過する
際に帯電の除去がより効率的になる。例えば、平板電極
上に導体の球形粒子が置かれている場合、粒子の得る帯
電量ｑは、ｑ＝１.６５×４π・ε₀・ｒ²・Ｅ₀ で与えられる。ここで、Ｅ₀は粒子がないときの電極面
状の電界、ε₀は真空の誘電率、ｒは粒子の半径であ
る。もし電極の絶対電位が０である場合、当然粒子の絶
対電位は０になり、粉体が平板電極上に積もってもｑだ
け電荷の移動が発生する。

【００１９】また、帯電した粉体と反対の電荷を持つ荷
電粒子およびイオンを、粉体に衝突させることにより、
粉体とイオン、または粉体と荷電粒子相互間の電子移動
により粉体の電気的中和が行われ、浮遊粉体に対しても
より効率的に電気的中和を行うことが可能になる。

【００２０】

【実施例】本発明の第１の実施例を、図１および図２を
参照して説明する。図１は粉体噴射加工装置の全体構成
説明図、図２は図１に示す粉体輸送配管の具体例を示す
図である。

【００２１】図１に示すように、この装置は主として、
粉体３を内蔵した粉体供給装置１，粉体３を輸送する粉
体輸送配管５，粉体３により被加工物を加工する加工装
置６および使用済みの粉体３を吸い込む集塵装置１０か
ら構成されている。本実施例においては、噴射加工装置
内において粉体と接触する部分、すなわち、粉体供給装
置１，粉体輸送配管５および加工装置６は、すべて粉体
３と同一材質か、または同一材質がコーティングされた
構成になっている。以下にその構成を具体的に説明す
る。

【００２２】粉体供給装置１は、粉体ホッパ４内の粉体
３を、該粉体ホッパ４内に供給される高圧ガス２と混合
し、この混合された粉体３を粉体輸送配管５を介して加
工装置６内へ供給する装置である。粉体輸送配管５を通
過した粉体３は、加工装置６内において粉体噴射ノズル
７によりワークテーブル８に固定されている被加工物９
に向かって噴射される。

【００２３】ここで、本実施例で使用した粉体３は平均
粒径３μmのＳｉＣ粉であり、図１に示す粉体供給装置
１，粉体ホッパ４，粉体輸送配管５，加工装置６，粉体
噴射ノズル７およびワークテーブル８において、粉体３
が接触する可能性のある部位はすべてＳｉＣ製か、また
はＳｉＣによってコーティングされている。ＳｉＣで各
部分を構成する場合、各部品の製造方法にはさまざまな
方法があるが、例えば、ＳｉＣの焼結体から研削、切断
などの機械加工によって成型する方法が一般的である。
一方、コーティングの方法としては、例えば溶射による
方法、スパッタリングによる方法等がある。

【００２４】つぎに、粉体３の噴射方法の具体例を説明
する。高圧ガス２として５０Ｐａの高圧アルゴンガスを
使用し、毎分５０リットルを粉体供給装置１内に供給し
て、粉体供給装置１内に内蔵されている平均粒径３μm
のＳｉＣの粉体３と混合する。粉体供給装置１内から毎
分３ｇのＳｉＣの粉体３を、内径３．２ｍｍの粉体輸送
配管５に噴出させる。前記混合された粉体３は、内径
１．６ｍｍにしぼられた粉体噴射ノズル７より被加工物
９の表面へと噴射される。ここで被加工物９は、直径７
２．４ｍｍ，厚さ３ｍｍのアルミナ系セラミックスのウ
ェハで、表面にはシリコン系レジストマスクが所定の形
状にパターニングされている。また、粉体噴射ノズル７
の先端から被加工物９までの距離は１０ｍｍである。一
方、加工装置６内のワークテーブル８は、直径が２４０
ｍｍで、前記被加工物９を６枚取り付ける事ができ、毎
分１００回転で回転している。粉体噴射ノズル７はワー
クテーブル８の回転中心軸から半径１２０ｍｍと６０ｍ
ｍの間で、かつ被加工物９の加工面から１３ｍｍの距離
を、半径に反比例して毎分０．２ｍｍから０．４ｍｍの
間の速度で移動させた。

【００２５】この様にして加工した結果、１時間で１０
μmの加工深さを得る事ができ、被加工物９の帯電量を
３０００Ｖから５０Ｖに低減することができた。

【００２６】上記構成においては、粉体供給装置１，粉
体ホッパ４，粉体輸送配管５，加工装置６，粉体噴射ノ
ズル７およびワークテーブル８の粉体３と接触する部分
が、ＳｉＣ製か、またはＳｉＣによってコーティングさ
れているが、これら各部分を導電性物質で構成し、かつ
該各部分を接地処理する構成にしてもよい。例えば、粉
体輸送配管５にも銅のフレキシブルチューブを使用する
等、前記導電性物質を無酸素銅とし、そして、接地処理
を行い、前記と同様の加工を行った結果、被加工物９の
帯電量を２０Ｖにまで低減する事ができた。

【００２７】図２は上記粉体輸送配管５の具体例であ
る。粉体輸送配管５には、内径３．２ｍｍ，外径６．０
ｍｍ，長さ１５００ｍｍのウレタン製チューブを使用
し、該チューブの粉体供給装置１から粉体輸送配管５へ
の出口，粉体輸送配管５の中央部，粉体輸送配管５から
粉体噴射ノズル７への出口等の各部に、同図に示すよう
な形でＷ製の導電性メッシュ１１を挿入し、かつ該導電
性メッシュ１１を接地処理した例である。本例における
粉体輸送配管５を使用して前記と同様の加工を行った場
合、導電性メッシュ１１を通過する粉体３の帯電が除去
されることから、被加工物９の帯電量を１００Ｖにまで
低減することができた。

【００２８】第２の実施例本発明の第２の実施例を、図３ないし図６を参照して説
明する。図３は本発明の第２の実施例の粉体噴射加工装
置の加工装置で、該加工装置以外の部分は、前記図１に
示す第１の実施例と同じ構成である。図４は図３に示す
イオン照射装置を使用した加工装置の全体構成例を示す
図で、本構成例における被加工物は磁気ヘッドである。
図５は薄膜磁気ヘッドの加工状態を示す図、図６は図５
の加工精度を示す図である。

【００２９】図３において、１２は加工装置６内の粉体
噴射ノズル７の先端部に設けられているイオン照射装置
である。イオン照射装置１２は、イオン引き出し電極１
６，減速電極１７，接地電極１８などから構成されてお
り、イオン１４の進行方向は粉体３の噴射方向に対して
直角となるように設置されている。

【００３０】上記装置におけるイオン源ガス１３として
はアルゴンガスが使用され、イオン源プラズマ発生の方
法として２．４５ＧＨｚのマイクロ波１５によるＥＣＲ
共鳴を利用しているが、アーク放電による方法を用いて
もよい。減速電極１７および接地電極１８の径は小さく
てよく、この場合１０ｍｍである。ガス流量を１．０ｓ
ｃｃｍ，加速電圧９００Ｖ，減速電圧１２５Ｖとしたと
ころ、加速電流としては２５ｍＡであった。

【００３１】上記イオン照射装置１２を設けた場合の粉
体３の噴射は、前述の噴射方法と異なり、粉体噴射ノズ
ル７の先端からイオン照射装置１２内へ噴射され、該装
置内を通過した後、被加工物であるウエハ表面に噴射さ
れる。そしてこの場合、イオン照射装置１２の通過距離
は１０ｍｍであり、また、粉体噴射ノズル７の先端から
ウエハ表面までの距離は１３ｍｍである。なお、この時
の加工装置６内は、ロータリポンプおよびターボ分子ポ
ンプを用いて真空度１．０×１０~⁴Ｔｏｒｒ程度に保た
れている。この構成により被加工物９の帯電量を、イオ
ン照射装置１２を有しない前述の噴射方法よりさらに低
減させ、３０００Ｖから３Ｖに低減することができた。

【００３２】図４において、被加工物９はワークテーブ
ル８の下面側の外周部に固定されている。ワークテーブ
ル８は主軸２４に固着され、主軸２４はカップリングを
介してモーター２５の軸に接続されている。主軸２４は
軸受け２９に支持され、軸受け２９は軸受けホルダー３
０に支持されている。軸受けホルダー３０にはエアーホ
ース３１がとりつけられ、エアーホース３１より供給さ
れる高圧の空気は、軸受けホルダー３０内の隙間を通っ
て加工装置６の内部に流入する。加工装置６の側壁の一
部には集塵機用穴３２が設けられており、粉体（砥粒）
３が流入した空気とともにダクトを介して集塵機に吸い
込まれる。

【００３３】上記加工装置６内の粉体噴射ノズル７はリ
ニアモーター２６に固着され、被加工物９に対して平行
に移動可能になっている。同様に、クリーニングノズル
２７が被加工物９に対して平行移動可能にリニアモータ
ー２８に固着されている。そして、粉体噴射ノズル７お
よびクリーニングノズル２７は、リニアモーター２６お
よび２８に対して、角度を自由に設定できるように固着
されているとともに、ワークテーブル８までの距離をそ
れぞれ自由に設定できるようになっている。また、リニ
アモーター２６および２８の位置から粉体噴射ノズル７
およびクリーニングノズル２７の位置を検出し、それぞ
れリニアモーター２６および２８の速度、またはワーク
テーブル８の回転数に、コントローラー３３を介してフ
ィードバック制御するようになっている。

【００３４】本実施例においては、ワークテーブル８の
直径は２００ｍｍである。薄膜磁気ヘッドの素子を多数
個形成した直径８０ｍｍ、厚さ４ｍｍのアルミナ系セラ
ミックスの基板を半分に切断した後、ピッチ１．１ｍｍ
±３０μmに切断し、両切断面を鏡面研磨してできあが
った幅４ｍｍ、長さ３０ｍｍ、高さ１ｍｍのアルミナ系
セラミックスのブロックを、２０個製造した。このアル
ミナ系セラミックスには、図５（ａ）に示すように厚さ
１０μmのｓｕｓ３０４製の導電性マスクを導電性接着
剤によって接着するか、または、図５（ｂ）に示すよう
に高絶縁性のポリイミドマスクを接着してある。マスク
の位置決めは、ｓｕｓ３０４製の導電性マスクの場合、
接地したワークテーブルル８に接地し、浮上面側にパタ
ーニングした素子を基準にし、顕微鏡を用いて±１０μ
mの精度で接着した。一方、高絶縁性のポリイミドマス
クの場合は、ブロック位置合わせ治具に被加工物を１０
個ずつ位置決めして固定した後、マスク材となるポリイ
ミドをラミネートし、摂氏１３０度以下の温度でベーク
した。この後、露光液をコーティングし、露光、現像工
程を経てパターニングを完了した。

【００３５】このようにマスクを接着した被加工物９
を、ワークテーブル８の下面側の外周部に２０個固定
し、ワークテーブル８を６０ｒｐｍで回転させ、穴径
１．５ｍｍの粉体噴射ノズル７をワークテーブル８の最
外周から中心に向かって移動し、幅５５ｍｍの距離を往
復させた。このときの移動速度ｕは、次の式に従った。

【００３６】ｕ＝３０／ｒそして、粉体噴射ノズル７よりＧＣ砥粒の＃４０００
（平均径３μm）を、圧力５kg/cm²の空気と混合して４
０g/min噴射した。このとき、粉体噴射ノズル７とワー
クテーブル８とのなす角は１０°に、そして該両者間の
距離は２０ｍｍに設定されている。また、粉体輸送管
（ホース）の内径は５ｍｍで、これをノズルで１．５ｍ
ｍに絞っている。このとき前記マスクのエッヂに砥粒が
付着しないように、加工と同時にクリーニングノズル２
７からも５kg/cm²の空気を吹き付け、ワークテーブル８
の最外周から中心に向かって、速度１mm/secで５５ｍｍ
の幅を往復移動させる。この場合、クリーニングノズル
２７とワークテーブル８とのなす角度を２０°、該両者
間の距離を１０ｍｍに設定する。また、エア配管３１よ
り５kg/cm2の空気を、軸受けホルダー３０内の軸受け２
９等の隙間を介して加工装置６内に流入させる。加工装
置６内に流入する気体は、すべてミストを除去され、乾
燥したものが使用される。なお、空気だけでなく窒素ガ
スまたはアルゴンガスを使用することも可能である。

【００３７】上記状態にして１０ｍｉｎ加工した結果、
マスク寸法を正確に転写し、深さ８μｍ±０．６μｍの
加工深さを得ることができ、しかも加工後の洗浄をほと
んど必要としなかった。そして、加工後の帯電を測定し
たところ、２．０Ｖの低い値が得られた。

【００３８】この後、前記ブロックを個々のヘッドに切
断することにより、図６に示すように、レール幅２００
μｍ±４μｍ、加工深さ８μｍ±０．６μｍの高い形状
精度を有する薄膜磁気ヘッドを製造することができた。

【００３９】第３の実施例図７は本発明の第３の実施例の粉体噴射加工装置の加工
装置である。該加工装置は、前記図３に示す第２の実施
例のイオン照射装置に変えて荷電粒子製造装置を設ける
構成にしたもので、この加工装置以外の部分は、前記第
１または第２の実施例と同じである。

【００４０】図７において、１９は荷電粒子引出し電
極、２０は荷電粒子引込み電極、２１は微粒子搬送ガス
である。荷電粒子引出し電極１９および荷電粒子引込み
電極２０は、メッシュ形状あるいはグリッド形で、直径
１０ｍｍ，厚さ１ｍｍである。粉体噴射ノズル７より噴
射されて荷電される粉体３は、直径０．５μmのＭｇ微
粒子を用いた。ＳｉＣは陽に帯電しやすい事がわかって
いるので、荷電粒子引出し電極１９を陰極とした。一例
として印加電圧を９００Ｖとし、微粒子搬送ガス２１に
Ａｒガスを使用し、毎分０．５ｇの前記Ｍｇ微粒子の粉
体３を荷電粒子引出し電極１９に向けて搬送した。荷電
粒子は荷電粒子引出し電極１９より荷電粒子引込み電極
２０に向かって飛び出すが、その方向は粉体３の噴射方
向と垂直の方向である。

【００４１】本装置を使って加工した結果、被加工物９
の帯電量を、４Ｖに低減する事ができた。

【００４２】第４の実施例図８は本発明の第４の実施例の粉体噴射加工装置の加工
装置である。該加工装置は、前記図７に示す第３の実施
例の荷電粒子製造装置に変えて接地された導体電極およ
び電場発生装置を設ける構成にしたもので、この加工装
置以外の部分は、前記第２または第３の実施例と同じで
ある。

【００４３】図８において、２２は粉体噴射ノズル７の
出口に設けられたグリッド状の陰電極である。本実施例
においては、ワークテーブル８を接地された導体電極と
し、各電極の材質は無酸素銅である。陰電極２２とワー
クテーブル８との間に９００Ｖの電圧を印加する。粉体
３が陰電極２２を通過すると、陽に帯電していた粉体３
は電気的に中和され、被加工物９の帯電量は３Ｖにまで
低減された。

【００４４】第５の実施例図９は本発明の第５の実施例の粉体噴射加工装置の加工
装置である。該加工装置は、前記図８に示す第４の実施
例の導体電極および電場発生装置に変えてコロナ放電発
生装置を設ける構成にしたもので、この加工装置以外の
部分は、前記第２ないし第４の実施例と同じである。

【００４５】図９において、２３は粉体噴射ノズル７の
出口に設けられたコロナ電極である。コロナ電極２３
は、タンタルの径０．１ｍｍの細線からなり、電圧を１
００Ｖ印加して加熱される。ワークテーブル８を接地電
極とし、コロナ電極２３を陰電極とすると、コロナイオ
ンが電界によって加速され、陽に帯電した粉体３に付着
し、粉体３を電気的に中和して被加工物９の帯電量を、
前記第４の実施例と同様に低減させることが可能にな
る。

【００４６】

【発明の効果】以上説明したように本発明は、ＭＲ素子
を持つ薄膜磁気ヘッドのような帯電耐圧の低い被加工物
に対して、低コストで能率が高く、しかも高精度で帯電
現象が起きない粉体噴射加工を実現することができる効
果を奏する。。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例の粉体噴射加工装置の全
体構成説明図である。

【図２】図１に示す粉体輸送配管の具体例を示す図であ
る。

【図３】本発明の第２の実施例の粉体噴射加工装置の加
工装置の説明図である。

【図４】図３に示す加工装置の全体構成例を示す図であ
る。

【図５】薄膜磁気ヘッドの粉体噴射加工状態を示す図で
ある。

【図６】図５の加工精度を示す図である。

【図７】本発明の第３の実施例の粉体噴射加工装置の加
工装置の説明図である。

【図８】本発明の第４の実施例の粉体噴射加工装置の加
工装置の説明図である。

【図９】本発明の第５の実施例の粉体噴射加工装置の加
工装置の説明図である。

【符号の説明】

１…粉体供給装置、３…粉体、４…粉体ホッパ、５…粉
体輸送配管、６…加工装置、７…粉体噴射ノズル、８…
ワークテーブル、９…被加工物、１０…集塵装置、１１
…導電性メッシュ、１２…イオン照射装置、１６…イオ
ン引出し電極、１７…減速電極、１８…接地電極、１９
…荷電粒子引出し電極、２０…荷電粒子引込み電極、２
１…微粒子搬送ガス、２２…陰電極、２３…コロナ電
極、２４…主軸、２５…モータ、２６，２８…リニアモ
ータ、２７…クリーニングノズル、２９…軸受け、３０
…軸受けホルダー、３１…エア配管、３２…集塵機用
穴。

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｇ１１Ｂ 21/21 １０１Ｌ 9197−5Ｄ (72)発明者鈴木高神奈川県小田原市国府津2880番地株式会社日立製作所ストレージシステム事業部内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】粉体ホッパ内に微細粉体を内蔵した粉体
供給装置より、粉体輸送配管を介して前記粉体を加工装
置に輸送し、送られた粉体を該加工装置内に設けた粉体
噴射ノズルにより被加工物に噴射し、該被加工物の表面
を所望の形状に加工する粉体噴射加工方法において、前
記粉体噴射ノズルより噴出される粉体を、該粉体の電位
を電気的に中和させた後、被加工物に噴射することを特
徴とする粉体噴射加工方法。
【請求項２】前記粉体の電位の電気的中和が、前記粉
体噴射ノズルより噴出される粉体に、該粉体の噴出方向
と直交する方向より粉体と反対の電荷を有するイオンを
衝突させ、粉体とイオンとの間の電子移動により行われ
る請求項１記載の粉体噴射加工方法。
【請求項３】前記粉体の電位の電気的中和が、前記粉
体噴射ノズルより噴出される粉体に、該粉体の噴出方向
と直交する方向より陰極の引出し電極を介して粉体と反
対の電荷を有する荷電粒子を衝突させ、粉体と荷電粒子
との間の電子移動により行われる請求項１記載の粉体噴
射加工方法。
【請求項４】前記粉体の電位の電気的中和が、前記粉
体噴射ノズルの粉体出口部に設けた陰電極と、前記被加
工物を固着した接地された導体電極のワークテーブルと
の間に電界をかけ、粉体を該電界を通過させることによ
り行われる請求項１記載の粉体噴射加工方法。
【請求項５】粉体ホッパ内に微細な粉体を内蔵した粉
体供給装置と、前記粉体を高圧ガスとともに輸送する粉
体輸送配管と、送られた粉体を粉体噴射ノズルを介して
ワークテーブルに固着された被加工物に噴射し、該被加
工物の表面を所望の形状に加工する加工装置とを備えた
粉体噴射加工装置において、前記粉体供給装置，粉体輸
送配管および加工装置における前記粉体との各接触部の
材料を、前記粉体と同一材質か、または同一材質により
コーティングする構成にしたことを特徴とする粉体噴射
加工装置。
【請求項６】前記粉体との各接触部の材料が、導電性
材料からなり、かつ導電性材料からなる各接触部が接地
処理された構成からなる請求項５記載の粉体噴射加工装
置。
【請求項７】前記加工装置が、前記粉体噴射ノズルよ
り噴出される粉体に、該粉体の噴出方向と直交する方向
より粉体と反対の電荷を有するイオンを衝突させるイオ
ン照射装置を備えた構成からなる請求項５記載の粉体噴
射加工装置。
【請求項８】前記加工装置が、前記粉体噴射ノズルの
粉体出口部に該出口部を挟んで粉体噴射方向と平行に設
けられた、陰極となる荷電粒子引出し電極および荷電粒
子引込み電極と、荷電される微粒子を搬送ガスにより前
記粉体の噴出方向と直交する方向に搬送し、該搬送され
た微粒子を前記荷電粒子引出し電極を介して前記粉体噴
射ノズルより噴出される粉体に衝突させる微粒子搬送手
段と、を備えてなる請求項５記載の粉体噴射加工装置。
【請求項９】前記加工装置が、前記粉体噴射ノズルの
粉体出口部に、粉体噴射方向と直交させて設けられた平
板状の陰電極と、前記ワークテーブルを導体電極として
接地し、前記陰電極との間に電界をかける電場発生手段
と、を備えてなる請求項５記載の粉体噴射加工装置。
【請求項１０】前記加工装置が、前記粉体噴射ノズル
の粉体出口部に、粉体噴射方向と直交させて設けられた
陰電極となるコロナ電極と、前記ワークテーブルを導体
電極として接地し、前記コロナ電極との間にコロナ放電
を発生させるコロナ放電発生手段と、を備えてなる請求
項５記載の粉体噴射加工装置。
【請求項１１】前記粉体との各接触部の導電性材料
が、メッシュ状に形成され、前記粉体が通過する複数の
装置内位置に取り付けられてなる請求項６記載の粉体噴
射加工装置。