JPH07249567A - 露光装置 - Google Patents

露光装置

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JPH07249567A
JPH07249567A JP6065717A JP6571794A JPH07249567A JP H07249567 A JPH07249567 A JP H07249567A JP 6065717 A JP6065717 A JP 6065717A JP 6571794 A JP6571794 A JP 6571794A JP H07249567 A JPH07249567 A JP H07249567A
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JP
Japan
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substrate
reflecting mirror
fixed
mirror
light
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Application number
JP6065717A
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English (en)
Inventor
Masanori Kato
正紀 加藤
Kinya Kato
欣也 加藤
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Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
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Publication date
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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 マスクと基板との相対的な位置制御を正確に
行うことのできる露光装置を提供すること。 【構成】 本発明の露光装置では、第1位置検出手段
は、前記第1の基板と一体的に移動する第1移動反射鏡
と、所定位置に固定された第1固定反射鏡と、前記第1
移動反射鏡からの反射光と前記第1固定反射鏡からの反
射光との干渉光を受光するための第1受光手段とを備
え、第2位置検出手段は、前記第2の基板と一体的に移
動する第2移動反射鏡と、所定位置に固定された第2固
定反射鏡と、前記第2移動反射鏡からの反射光と前記第
2固定反射鏡からの反射光との干渉光を受光するための
第2受光手段とを備え、前記第1固定反射鏡および第2
固定反射鏡は一体的に形成された共通固定反射鏡からな
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は露光装置に関し、特に露
光装置におけるマスクおよび基板の位置検出に関する。
【0002】
【従来の技術】図3は、従来の露光装置の構成を概略的
に示す図である。図3において、マスク(たとえばレチ
クル)102上に形成されたパターンが投影光学系10
1を介して基板104上に転写される。基板104はス
テージ103上に載置され、ステージ103は基台10
5上においてX方向およびY方向に移動可能に支持され
ている。なお、ステージ104には、図示にようにX方
向に延びXZ平面に平行な反射面を備えた移動鏡112
a、およびY方向に延びYZ平面に平行な反射面を備え
た移動鏡112bが設けられている。
【0003】図示の露光装置はさらに、レーザヘッドの
ような光源110を備えている。光源110から射出し
たレーザ光はビームスプリッター111aを介して2つ
の光線に分割され、一方の光線は移動鏡112aに、他
方の光線は投影光学系101に固定された固定鏡113
aにそれぞれ入射する。移動鏡112aおよび固定鏡1
13aでそれぞれ反射した光はビームスプリッター11
1aで合成された後、受光素子114aに入射する。
【0004】また、光源110から射出したレーザ光
は、図示を省略したビームスプリッターで分割されても
う1つのビームスプリッター111bに入射する。ビー
ムスプリッター111bに入射した光は2つの光線に分
割され、一方の光線は移動鏡112bに、他方の光線は
投影光学系101に固定された固定鏡113b(不図
示)にそれぞれ入射する。移動鏡112bおよび固定鏡
113bでそれぞれ反射した光はビームスプリッター1
11bで合成された後、受光素子114bに入射する。
【0005】このように、光源110、ビームスプリッ
ター111a、111b、移動鏡112a、112b、
固定鏡113a、113b、および受光素子114a、
114bは、レーザ干渉計を構成している。すなわち、
受光素子114aを介して、固定鏡113aからの反射
光と移動鏡112aからの反射光とによって生じる干渉
縞を観測することができる。また、受光素子114bを
介して、固定鏡113bからの反射光と移動鏡112b
からの反射光とによって生じる干渉縞を観測することが
できる。その結果、使用したレーザ光の波長と観測され
た干渉縞の変化とに基づいて、投影光学系101に対す
るステージ103(ひいては基板104)のX方向およ
びY方向に沿った相対的位置変化(移動距離)をそれぞ
れ計測することができる。
【0006】なお、ほぼ等倍の投影光学系に対してマス
クおよび基板をそれぞれ走査させながら投影露光を行
う、いわゆる走査型(スキャン型)露光装置において
は、マスクステージ側と基板ステージ側とにそれぞれ個
別に設けられた2つのレーザ干渉計を備えている。すな
わち、マスクの位置情報をマスクステージ側のレーザ干
渉計によって求め、基板の位置情報を基板ステージ側の
レーザ干渉計によって求め、これらの位置情報に基づい
てマスクおよび基板の走査速度を制御している。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】以上のように、従来の
露光装置、特に走査型露光装置では、マスクステージ側
と基板ステージ側とにレーザ干渉計がそれぞれ個別に設
けられていた。すなわち、所定の計測方向に着目する
と、マスクステージ側レーザ干渉計の固定鏡と基板ステ
ージ側レーザ干渉計の固定鏡とが投影光学系に個別に取
り付けられていた。
【0008】一般に、固定鏡が取り付けられている投影
光学系にスキャン露光またはステップ露光等の機械的な
移動に起因する振動が生じたり、固定鏡を投影光学系に
取り付けている取付け金物に温度差に起因する変形(伸
び等)が発生したりする。従来の露光装置では、2つの
固定鏡が同じ投影光学系に取り付けられていても互いに
異なる環境下で個別に固定されているので、上述の振
動、変形等により2つの固定鏡の間には計測方向に沿っ
て相対的位置ずれが発生してしまう。その結果、マスク
ステージ側の位置情報と基板ステージ側の位置情報との
間に相対的な誤差が発生してしまい、マスクと基板との
相対的な位置制御を正確に行うことができないという不
都合があった。
【0009】本発明は、前述の課題に鑑みてなされたも
のであり、マスクと基板との相対的な位置制御を正確に
行うことのできる露光装置を提供することを目的とす
る。
【0010】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明においては、第1の基板の位置情報を検出す
るための第1位置検出手段と、第2の基板の位置情報を
検出するための第2位置検出手段とを備え、投影光学系
を介して前記第1の基板上に形成されたパターンを前記
第2の基板上に投影露光する露光装置において、前記第
1位置検出手段は、前記第1の基板と一体的に移動する
第1移動反射鏡と、所定位置に固定された第1固定反射
鏡と、前記第1移動反射鏡からの反射光と前記第1固定
反射鏡からの反射光との干渉光を受光するための第1受
光手段とを備え、前記第2位置検出手段は、前記第2の
基板と一体的に移動する第2移動反射鏡と、所定位置に
固定された第2固定反射鏡と、前記第2移動反射鏡から
の反射光と前記第2固定反射鏡からの反射光との干渉光
を受光するための第2受光手段とを備え、前記第1固定
反射鏡および第2固定反射鏡は、一体的に形成された共
通固定反射鏡からなることを特徴とする露光装置を提供
する。
【0011】本発明の好ましい態様によれば、前記第1
固定反射鏡および第2固定反射鏡は、前記投影光学系に
取り付けられた共通固定反射鏡からなる。また、前記投
影光学系に対して前記第1の基板および前記第2の基板
をそれぞれ走査させながら、前記第1の基板上に形成さ
れたパターンを前記第2の基板上に投影露光し、前記投
影光学系は、前記第1の基板上に形成されたパターンの
中間像を形成するための第1投影光学ユニットと、前記
中間像が形成される位置に設けられた視野絞り手段と、
前記中間像の像を前記第2基板上に形成するための第2
投影光学ユニットとを備え、前記共通固定鏡は前記視野
絞り手段に取り付けられているのが好ましい。
【0012】
【作用】以上のように、本発明では、マスクステージ側
と基板ステージ側とで共通の固定反射鏡を使用する。し
たがって、何らかの理由により共通の固定反射鏡が計測
方向に位置ずれすることがあったとしても、この固定反
射鏡の位置ずれによるマスクステージ側の位置情報の変
動の影響と基板ステージ側の位置情報の変動の影響とが
一致するので、マスクステージ側の位置情報と基板ステ
ージ側の位置情報との間に相対的な誤差が発生しない。
このように、固定反射鏡を共通にすることにより、すな
わち同じ環境下におかれた共通の固定反射鏡を用いるこ
とにより、マスクと基板との位置制御を正確に行うこと
が可能になる。
【0013】
【実施例】本発明の実施例を、添付図面に基づいて説明
する。図1は、本発明の第1実施例にかかる露光装置の
構成を概略的に示す図である。図示の装置は、投影露光
すべきパターンが形成されたマスク2を支持するマスク
ステージ1と、マスク2に形成されたパターンをプレー
ト6上に投影転写する等倍投影光学系(3、4、5)
と、プレート6を支持するプレートステージ7とを備え
ている。マスクステージ1およびプレートステージ7
は、図示を省略した駆動手段により、図中矢印方向(X
方向)に往復移動することができるように構成されてい
る。
【0014】なお、等倍投影光学系(3、4、5)は、
凹面鏡4と、凸面鏡5と、マスク2を介した光を凹面鏡
4に向けるとともに凹面鏡4からの光をプレート6に向
けるプリズム3とからなるオフナー型の投影光学系であ
る。したがって、マスク2のパターンの等倍倒立像(Y
方向に倒立)がプレート6上に形成される。図示の装置
はさらに、投影光学系に対するマスク2の位置情報を検
知するためのマスクステージ側干渉計と、投影光学系に
対するプレート6の位置情報を検知するためのプレート
ステージ側干渉計とを備えている。
【0015】マスクステージ側干渉計は、光源としての
レーザヘッド10を備えている。レーザヘッド10から
射出した直線偏光のレーザ光は、図示なきビームスプリ
ッターにより、走査方向(X方向)計測用の光と非走査
方向(Y方向)計測用の光とに分割され、不図示のミラ
ーを介した後、それぞれビームスプリッター11aおよ
び11bに入射する。
【0016】ビームスプリッター11aに入射した光は
X方向およびZ方向に分割され、λ/4板12aを介し
て円偏光となり、それぞれマスクステージ1に取り付け
られた移動鏡9および投影光学系のプリズム3に取り付
けられた固定鏡13aに入射する。なお、移動鏡9およ
び固定鏡13aは、ともにYZ平面に平行な反射面を有
する反射手段である。移動鏡9からの反射光および固定
鏡13aからの反射光は、再びλ/4板12aを介して
ビームスプリッター11aに入射する。これらの反射光
は、ビームスプリッター11aにて合成され、互いに干
渉して干渉光となり、受光手段であるレシーバ14aに
入射する。
【0017】一方、ビームスプリッター11bに入射し
た光はY方向およびZ方向に分割され、λ/4板12b
を介して円偏光となり、それぞれマスクステージ1上で
X方向に延びた移動鏡8および投影光学系のプリズム3
に取り付けられた固定鏡13b(不図示)に入射する。
なお、移動鏡8および固定鏡13bは、ともにXZ平面
に平行な反射面を有する反射手段である。移動鏡8から
の反射光および固定鏡13bからの反射光は、再びλ/
4板12bを介してビームスプリッター11bに入射す
る。これらの反射光は、ビームスプリッター11bにて
合成され、互いに干渉して干渉光となり、受光手段であ
るレシーバ14bに入射する。
【0018】このように、レーザヘッド10、ビームス
プリッター11a、λ/4板12a、移動鏡9、固定鏡
13aおよびレシーバ14aは、マスクステージ側の走
査方向干渉計を構成している。また、レーザヘッド1
0、ビームスプリッター11b、λ/4板12b、移動
鏡8、固定鏡13bおよびレシーバ14bは、マスクス
テージ側の非走査方向干渉計を構成している。
【0019】プレートステージ側干渉計は、光源として
のレーザヘッド10′を備えている。レーザヘッド1
0′から射出した直線偏光のレーザ光は、図示なきビー
ムスプリッターにより、走査方向(X方向)計測用の光
と非走査方向(Y方向)計測用の光とに分割され、不図
示のミラーを介した後、それぞれビームスプリッター1
1a′および11b′に入射する。
【0020】ビームスプリッター11a′に入射した光
はX方向およびZ方向に分割され、λ/4板12a′を
介して円偏光となり、それぞれマスクステージ1に取り
付けられた移動鏡9′および投影光学系のプリズム3に
取り付けられた固定鏡13aに入射する。なお、移動鏡
9′は、YZ平面に平行な反射面を有する反射手段であ
る。移動鏡9′からの反射光および固定鏡13aからの
反射光は、再びλ/4板12a′を介してビームスプリ
ッター11a′に入射する。これらの反射光は、ビーム
スプリッター11a′にて合成され、互いに干渉して干
渉光となり、受光手段であるレシーバ14a′に入射す
る。
【0021】一方、ビームスプリッター11b′に入射
した光はY方向およびZ方向に分割され、λ/4板12
b′を介して円偏光となり、それぞれマスクステージ1
上でX方向に延びた移動鏡8′および投影光学系のプリ
ズム3に取り付けられた固定鏡13b(不図示)に入射
する。なお、移動鏡8′は、XZ平面に平行な反射面を
有する反射手段である。移動鏡8′からの反射光および
固定鏡13bからの反射光は、再びλ/4板12b′を
介してビームスプリッター11b′に入射する。これら
の反射光は、ビームスプリッター11b′にて合成さ
れ、互いに干渉して干渉光となり、受光手段であるレシ
ーバ14b′に入射する。
【0022】このように、レーザヘッド10′、ビーム
スプリッター11a′、λ/4板12a′、移動鏡
9′、固定鏡13aおよびレシーバ14a′は、プレー
トステージ側の走査方向干渉計を構成している。また、
レーザヘッド10′、ビームスプリッター11b′、λ
/4板12b′、移動鏡8′、固定鏡13bおよびレシ
ーバ14b′は、プレートステージ側の非走査方向干渉
計を構成している。
【0023】図示のように、第1実施例の露光装置で
は、マスクステージ側の走査方向干渉計とプレートステ
ージ側の走査方向干渉計との間で共通の固定鏡13aを
使用している。また、マスクステージ側の非走査方向干
渉計とプレートステージ側の非走査方向干渉計との間で
共通の固定鏡13bを使用している。なお、図1では、
マスクステージ側干渉計およびプレートステージ側干渉
計がそれぞれ個別のレーザヘッド10および10′を備
えているが、適当なビームスプリッターを付設して共通
の光源を利用するようにしてもよい。
【0024】こうして、各干渉計において、固定鏡(1
3a、13b)からの反射光と移動鏡(8、8′、9、
9′)からの反射光とによって生じる干渉光の強度変化
をレシーバ(14a、14a′、14b、14b′)を
介して検出することができる。その結果、検出される干
渉光の強度変化とレーザ光の波長とに基づいて、ビーム
スプリッター(11a、11a′、11b、11b′)
と固定鏡との光路長と、ビームスプリッターと移動鏡と
の光路長との差を算出することができる。これにより、
投影光学系に対するマスク2のX方向およびY方向に沿
った移動距離、および投影光学系に対するプレート6の
X方向およびY方向に沿った移動距離をそれぞれ計測す
ることができる。
【0025】以上の構成を有する第1実施例の露光装置
では、図示を省略した照明光学系によりマスク2をほぼ
均一に照明しながら、マスク2およびプレート6を走査
方向に沿って同じ向きに走査させることにより、マスク
2に形成されたパターンをプレート6のほぼ全域に亘り
転写する。
【0026】上述したように、投影光学系に対するマス
ク2の走査方向(X方向)に沿った移動距離および投影
光学系に対するプレート6の走査方向(X方向)に沿っ
た移動距離は、共通の固定鏡13aを用いたマスクステ
ージ側の走査方向干渉計およびプレートステージ側の走
査方向干渉計によってそれぞれ計測される。この場合、
共通固定鏡13aが何らかの理由により走査方向に位置
ずれしたとしても、共通固定鏡13aに対するマスク2
の位置変動の影響と共通固定鏡13aに対するプレート
6の位置変動の影響とが一致するので、マスク2とプレ
ート6との相対位置に関する誤差は発生しない。したが
って、マスク2とプレート6との相対位置を維持しなが
ら走査することが可能になる。
【0027】なお、非走査方向については、上述したよ
うに投影光学系により像が倒立する。換言すれば、マス
ク2が投影光学系に対してY方向の正の向きに移動する
と、マスク2に形成されたパターンの像はプレート6上
においてY方向の負の向きに移動する。したがって、マ
スク2と投影光学系との間に相対移動がないにもかかわ
らず共通固定鏡13aの取付け金物の変形に起因して共
通固定鏡13bが非走査方向に位置ずれした場合には、
プレート6を投影光学系に対して相対移動させる必要が
ない。一方、マスク2と投影光学系との間に相対移動が
あった場合には、投影光学系に対してマスク2とは逆の
向きにプレート6を相対移動させる必要がある。
【0028】しかしながら、上述の構成では、共通固定
鏡13bの非走査方向位置ずれがマスク2と投影光学系
との間の相対移動に起因するのか、あるいは共通固定鏡
13aの取付け金物の変形に起因するのかを判別するこ
とができない。このように、非走査方向については、共
通固定鏡13bに対するマスク2の位置変動の影響と共
通固定鏡13bに対するプレート6の位置変動の影響と
が必ずしも一致しないので、図1に示す非走査方向干渉
計の検出データに基づいて、単純にマスク2とプレート
6との相対位置を制御することはできない。ここで、図
1において、移動鏡8′をプレート6を挟んでY方向に
沿って反対側に設ければ、上記の問題を解決することが
できる。このとき、反対側に設けられた移動鏡8′の反
射面は、XZ平面に平行となる。そして、ビームスプリ
ッター11b′からの光をこの反射面に導き、且つ反射
面での反射光を再びビームスプリッター11b′に戻す
ように光路を構成すればよい。
【0029】図2は、本発明の第2実施例にかかる露光
装置の構成を概略的に示す図である。第2実施例の装置
は、第1実施例の装置と基本的には同様の構成を有する
が、投影光学系の構成および共通固定鏡の取付け位置が
第1実施例とは基本的に相違する。したがって、第1実
施例との相違点に着目して第2実施例の説明を行う。な
お、第2実施例の露光装置の動作については、第1実施
例の露光装置の動作と基本的に同じであり、重複する説
明を省略する。
【0030】図2の投影光学系は、2つの反射鏡4、5
および1つのプリズム3からなる第1投影光学ユニット
と、2つの反射鏡4′、5′および1つのプリズム3′
からなる第2投影光学ユニットとを備えている。このよ
うに、各投影光学ユニットは、第1実施例のオフナー型
の投影光学系と同じ構成を有する。したがって、マスク
2のパターンの等倍正立正像がプレート6上に形成され
る。なお、第1投影光学ユニットを介してマスク2のパ
ターンの中間像が形成される位置には、視野絞り15が
設けられている。そして、この視野絞り15に固定鏡1
3aおよび13bが取り付けられている。
【0031】このように、第2実施例の露光装置では、
マスク2のパターンの等倍正立正像がプレート6上に形
成される。したがって、走査方向についても非走査方向
についても、共通固定鏡13に対するマスク2の位置変
動の影響と共通固定鏡13bに対するプレート6の位置
変動の影響とが一致する。このため、走査方向干渉計お
よび非走査方向干渉計に基づいて、マスク2とプレート
6との相対位置をX方向にもY方向にも制御することが
できる。また、本実施例では、視野絞り15に対するマ
スク2およびプレート6の位置情報に基づいて、マスク
1およびプレート6の相対速度を制御することができ
る。その結果、走査領域の全体に亘り露光光量を一定に
保つことが可能になる。
【0032】なお、上述の実施例においては、シングル
パス方式の干渉計を例示したが、精度を向上させるため
にいわゆるダブルパス方式に構成することもできる。ま
た、上述の実施例においては、マスク側から入射する光
と基板側から入射する光とが共通固定鏡上においてでき
るだけ近接するようにすれば、共通固定鏡の傾斜の影響
を受け難くなるので好ましい。さらに、上述の実施例で
はオフナー型の投影光学系を例にとって本発明を説明し
たが、ダイソン型の投影光学系あるいは他の適当な投影
光学系を用いた露光装置にも本発明を適用することがで
きる。
【0033】
【効果】以上説明したように、本発明では、マスクステ
ージ側と基板ステージ側とで共通の固定反射鏡を使用す
ることによって、マスクと基板との相対位置を正確に制
御することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施例にかかる露光装置の構成を
概略的に示す図である。
【図2】本発明の第2実施例にかかる露光装置の構成を
概略的に示す図である。
【図3】従来の露光装置の構成を示す図である。
【符号の説明】
1 マスクステージ 2 マスク 3 プリズム 4、5 反射鏡 6 プレート 7 プレートステージ 8、9 移動鏡 10 レーザヘッド 11 ビームスプリッター 12 λ/4板 13 固定鏡 14 レシーバ 15 視野絞り

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 第1の基板の位置情報を検出するための
    第1位置検出手段と、第2の基板の位置情報を検出する
    ための第2位置検出手段とを備え、投影光学系を介して
    前記第1の基板上に形成されたパターンを前記第2の基
    板上に投影露光する露光装置において、 前記第1位置検出手段は、前記第1の基板と一体的に移
    動する第1移動反射鏡と、所定位置に固定された第1固
    定反射鏡と、前記第1移動反射鏡からの反射光と前記第
    1固定反射鏡からの反射光との干渉光を受光するための
    第1受光手段とを備え、 前記第2位置検出手段は、前記第2の基板と一体的に移
    動する第2移動反射鏡と、所定位置に固定された第2固
    定反射鏡と、前記第2移動反射鏡からの反射光と前記第
    2固定反射鏡からの反射光との干渉光を受光するための
    第2受光手段とを備え、 前記第1固定反射鏡および第2固定反射鏡は、一体的に
    形成された共通固定反射鏡からなることを特徴とする露
    光装置。
  2. 【請求項2】 前記第1固定反射鏡および第2固定反射
    鏡は、前記投影光学系に取り付けられた共通固定反射鏡
    からなることを特徴とする請求項1に記載の露光装置。
  3. 【請求項3】 前記投影光学系に対して前記第1の基板
    および前記第2の基板をそれぞれ走査させながら、前記
    第1の基板上に形成されたパターンを前記第2の基板上
    に投影露光することを特徴とする請求項1または2に記
    載の露光装置。
  4. 【請求項4】 前記投影光学系は、前記第1の基板上に
    形成されたパターンのほぼ等倍の正立正像を前記第2の
    基板上に形成する光学系であることを特徴とする請求項
    3に記載の露光装置。
  5. 【請求項5】 前記投影光学系は、前記第1の基板上に
    形成されたパターンの中間像を形成するための第1投影
    光学ユニットと、前記中間像が形成される位置に設けら
    れた視野絞り手段と、前記中間像の像を前記第2基板上
    に形成するための第2投影光学ユニットとを備え、 前記共通固定鏡は前記視野絞り手段に取り付けられてい
    ることを特徴とする請求項4に記載の露光装置。
  6. 【請求項6】 前記第1位置検出手段が検出した前記第
    1の基板の位置情報および前記第2位置検出手段が検出
    した前記第2の基板の位置情報に基づいて、前記第1の
    基板および前記第2の基板のうち少なくとも一方の基板
    の移動を制御するための制御手段を備えていることを特
    徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の露光装
    置。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005012169A (ja) * 2003-05-22 2005-01-13 Canon Inc 露光装置及びデバイス製造方法
KR100492278B1 (ko) * 1996-07-05 2005-08-31 가부시키가이샤 니콘 투영노광장치
JP2011029672A (ja) * 2003-05-22 2011-02-10 Canon Inc 露光方法、露光装置及びデバイス製造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100492278B1 (ko) * 1996-07-05 2005-08-31 가부시키가이샤 니콘 투영노광장치
JP2005012169A (ja) * 2003-05-22 2005-01-13 Canon Inc 露光装置及びデバイス製造方法
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