JPH07249614A - プラズマエッチング方法及びその装置 - Google Patents
プラズマエッチング方法及びその装置Info
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- JPH07249614A JPH07249614A JP6682194A JP6682194A JPH07249614A JP H07249614 A JPH07249614 A JP H07249614A JP 6682194 A JP6682194 A JP 6682194A JP 6682194 A JP6682194 A JP 6682194A JP H07249614 A JPH07249614 A JP H07249614A
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】プラズマエッチング装置の構成を変えることな
く、エッチング特性の変更を図る。 【構成】プラズマ発生用コイル11に高周波電力を印加
してプラズマ15を発生させ、プラズマを利用してエッ
チングを行うプラズマエッチングに於いて、前記プラズ
マ発生用コイルに印加する高周波電力を周期的に変調さ
せることで、放電電流が時間的に変化し、電子温度が時
間的に変化するのでプラズマの励起種の割合が変化し、
エッチング特性が変わる。
く、エッチング特性の変更を図る。 【構成】プラズマ発生用コイル11に高周波電力を印加
してプラズマ15を発生させ、プラズマを利用してエッ
チングを行うプラズマエッチングに於いて、前記プラズ
マ発生用コイルに印加する高周波電力を周期的に変調さ
せることで、放電電流が時間的に変化し、電子温度が時
間的に変化するのでプラズマの励起種の割合が変化し、
エッチング特性が変わる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体製造装置の1つで
あり、プラズマを利用してウェーハ、ガラス基板等被処
理物のエッチングを行うプラズマ処理装置に関するもの
である。
あり、プラズマを利用してウェーハ、ガラス基板等被処
理物のエッチングを行うプラズマ処理装置に関するもの
である。
【0002】
【従来の技術】従来のプラズマ処理装置を図6、図7に
より説明する。
より説明する。
【0003】導電材料で且気密構造の真空容器1の上部
に、該真空容器1と同心に石英、セラミックス等の絶縁
材料から成る円筒2が気密に連設され、該円筒2の上端
は導電材料の蓋3で気密に閉塞され、前記真空容器1、
円筒2、蓋3で囲繞される空間は気密な真空室14を形
成している。
に、該真空容器1と同心に石英、セラミックス等の絶縁
材料から成る円筒2が気密に連設され、該円筒2の上端
は導電材料の蓋3で気密に閉塞され、前記真空容器1、
円筒2、蓋3で囲繞される空間は気密な真空室14を形
成している。
【0004】前記蓋3には前記真空室14に反応ガスを
導入するガス導入管4が連通され、前記真空容器1の底
面には排気管5が連通し、該排気管5には真空ポンプ6
が接続され、又、前記真空容器1の内部底部には絶縁材
7を介して平板電極8が設けられている。該平板電極8
はウェーハ、ガラス基板等の被処理基板16の載置台を
兼ねており、前記平板電極8には整合器9を介して電極
用高周波電源10が接続されている。
導入するガス導入管4が連通され、前記真空容器1の底
面には排気管5が連通し、該排気管5には真空ポンプ6
が接続され、又、前記真空容器1の内部底部には絶縁材
7を介して平板電極8が設けられている。該平板電極8
はウェーハ、ガラス基板等の被処理基板16の載置台を
兼ねており、前記平板電極8には整合器9を介して電極
用高周波電源10が接続されている。
【0005】前記円筒2の周囲に、プラズマ発生用コイ
ル11が巻設され、該プラズマ発生用コイル11の一端
に整合器12を介してコイル用高周波電源13を接続
し、前記プラズマ発生用コイル11の他端は前記コイル
用高周波電源13のリターン側に接続されている。而し
て、該コイル用高周波電源13により前記プラズマ発生
用コイル11に高周波電力を印加可能となっている。
ル11が巻設され、該プラズマ発生用コイル11の一端
に整合器12を介してコイル用高周波電源13を接続
し、前記プラズマ発生用コイル11の他端は前記コイル
用高周波電源13のリターン側に接続されている。而し
て、該コイル用高周波電源13により前記プラズマ発生
用コイル11に高周波電力を印加可能となっている。
【0006】上記従来のプラズマ処理装置に於いて、前
記被処理基板16を前記平板電極8に載置し、前記真空
室14を前記真空ポンプ6で排気し、図示しない圧力制
御装置で所定の圧力に維持しつつ、前記真空室14に前
記ガス導入管4から反応性ガスを導入する。
記被処理基板16を前記平板電極8に載置し、前記真空
室14を前記真空ポンプ6で排気し、図示しない圧力制
御装置で所定の圧力に維持しつつ、前記真空室14に前
記ガス導入管4から反応性ガスを導入する。
【0007】前記コイル用高周波電源13は図5に示さ
れる様な定常サインカーブ波形を有する高周波電力を出
力する。前記プラズマ発生用コイル11にコイル用高周
波電源13が出力する高周波電力を前記整合器12を介
して印加すると、前記プラズマ発生用コイル11が形成
する高周波交番電界、磁界の作用により前記反応性ガス
が電離して前記真空室14にプラズマ15が生成され
る。
れる様な定常サインカーブ波形を有する高周波電力を出
力する。前記プラズマ発生用コイル11にコイル用高周
波電源13が出力する高周波電力を前記整合器12を介
して印加すると、前記プラズマ発生用コイル11が形成
する高周波交番電界、磁界の作用により前記反応性ガス
が電離して前記真空室14にプラズマ15が生成され
る。
【0008】同時に前記平板電極8に電極用高周波電源
10が出力する高周波電力を前記整合器9を介して供給
し、前記平板電極8とプラズマ15との間に直流バイア
ス電圧を生成したり、或はプラズマ15内のイオンを振
動させたり等して、前記被処理基板16に入射するイオ
ンのエネルギを制御する。
10が出力する高周波電力を前記整合器9を介して供給
し、前記平板電極8とプラズマ15との間に直流バイア
ス電圧を生成したり、或はプラズマ15内のイオンを振
動させたり等して、前記被処理基板16に入射するイオ
ンのエネルギを制御する。
【0009】前記コイル用高周波電源13、電極用高周
波電源10の周波数は処理する被処理基板16のエッチ
ング対象膜の種類、処理の仕様により適宜選択され、通
常コイル用高周波電源13の周波数は1MHz から20
0MHz の範囲に於いて選択され、前記電極用高周波電
源10の周波数は100KHz から40MHz の範囲に
於いて選択される。
波電源10の周波数は処理する被処理基板16のエッチ
ング対象膜の種類、処理の仕様により適宜選択され、通
常コイル用高周波電源13の周波数は1MHz から20
0MHz の範囲に於いて選択され、前記電極用高周波電
源10の周波数は100KHz から40MHz の範囲に
於いて選択される。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来のプラズ
マエッチング装置では、図5に示される様に、一定周波
数で且つ一定レベルの高周波電力を連続的にプラズマ発
生用コイル11に印加してプラズマを発生させている。
この為プラズマの電子温度はある範囲に於ける高周波電
力の大小に拘らず略一定となり、プラズマ中の励起種の
割合も殆ど一定となる。プラズマ中の励起種の割合が殆
ど一定となる為、エッチング速度等の性能を落とさずに
プロセスに適した励起種の割合を得るには、処理圧力や
反応室の構造等を変えることが必要となる。処理圧力、
反応室の構造の変更は、大掛かりな変更を伴い、コス
ト、時間を要するという問題があった。
マエッチング装置では、図5に示される様に、一定周波
数で且つ一定レベルの高周波電力を連続的にプラズマ発
生用コイル11に印加してプラズマを発生させている。
この為プラズマの電子温度はある範囲に於ける高周波電
力の大小に拘らず略一定となり、プラズマ中の励起種の
割合も殆ど一定となる。プラズマ中の励起種の割合が殆
ど一定となる為、エッチング速度等の性能を落とさずに
プロセスに適した励起種の割合を得るには、処理圧力や
反応室の構造等を変えることが必要となる。処理圧力、
反応室の構造の変更は、大掛かりな変更を伴い、コス
ト、時間を要するという問題があった。
【0011】本発明は斯かる実情に鑑み、プラズマ発生
用コイルに高周波電力を周期的に変調して印加し、プラ
ズマの電子温度を変えることにより励起種の割合を制御
して、所要のエッチング特性が得られるようにしたもの
である。
用コイルに高周波電力を周期的に変調して印加し、プラ
ズマの電子温度を変えることにより励起種の割合を制御
して、所要のエッチング特性が得られるようにしたもの
である。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明は、プラズマ発生
用コイルに高周波電力を印加してプラズマを発生させ、
プラズマを利用してエッチングを行うプラズマエッチン
グに於いて、前記プラズマ発生用コイルに印加する高周
波電力を周期的に変調することを特徴とするものであ
る。
用コイルに高周波電力を印加してプラズマを発生させ、
プラズマを利用してエッチングを行うプラズマエッチン
グに於いて、前記プラズマ発生用コイルに印加する高周
波電力を周期的に変調することを特徴とするものであ
る。
【0013】
【作用】高周波電力が周期的に変調されていることか
ら、放電電流が時間的に変化し、電子温度が時間的に変
化するので、プラズマの励起種の割合が変化し、エッチ
ング特性が変わる。
ら、放電電流が時間的に変化し、電子温度が時間的に変
化するので、プラズマの励起種の割合が変化し、エッチ
ング特性が変わる。
【0014】
【実施例】以下、図面を参照しつつ本発明の一実施例を
説明する。
説明する。
【0015】図1に於いて図6中で示したものと同一の
ものには同符号を付してある。
ものには同符号を付してある。
【0016】導電材料で且気密構造の真空容器1の上部
に、該真空容器1と同心に石英、セラミックス等の絶縁
材料から成る円筒2が気密に連設され、該円筒2の上端
は導電材料の蓋3で気密に閉塞され、前記真空容器1、
円筒2、蓋3で囲繞される空間は気密な真空室14を形
成している。
に、該真空容器1と同心に石英、セラミックス等の絶縁
材料から成る円筒2が気密に連設され、該円筒2の上端
は導電材料の蓋3で気密に閉塞され、前記真空容器1、
円筒2、蓋3で囲繞される空間は気密な真空室14を形
成している。
【0017】前記蓋3には前記真空室14に反応ガスを
導入するガス導入管4が連通され、前記真空容器1の底
面には排気管5が連通し、該排気管5には真空ポンプ6
が接続され、又、前記真空容器1の内部底部には絶縁材
(図示せず)を介して平板電極(図示せず)が設けられ
ている。該平板電極はウェーハ、ガラス基板等の被処理
基板の載置台を兼ねており、前記平板電極には整合器
(図示せず)を介して電極用高周波電源(図示せず)が
接続されている。
導入するガス導入管4が連通され、前記真空容器1の底
面には排気管5が連通し、該排気管5には真空ポンプ6
が接続され、又、前記真空容器1の内部底部には絶縁材
(図示せず)を介して平板電極(図示せず)が設けられ
ている。該平板電極はウェーハ、ガラス基板等の被処理
基板の載置台を兼ねており、前記平板電極には整合器
(図示せず)を介して電極用高周波電源(図示せず)が
接続されている。
【0018】前記円筒2の周囲に、プラズマ発生用コイ
ル11が巻設され、該プラズマ発生用コイル11の一端
に整合器19を介してコイル用高周波電源20を接続
し、前記プラズマ発生用コイル11の他端は前記コイル
用高周波電源20のリターン側に接続されている。該コ
イル用高周波電源20は後述する様に変調された高周波
電力を出力できる様な発振部を具備している。
ル11が巻設され、該プラズマ発生用コイル11の一端
に整合器19を介してコイル用高周波電源20を接続
し、前記プラズマ発生用コイル11の他端は前記コイル
用高周波電源20のリターン側に接続されている。該コ
イル用高周波電源20は後述する様に変調された高周波
電力を出力できる様な発振部を具備している。
【0019】図2はコイル用高周波電源20の発振部の
一例を示しており、該コイル用高周波電源20の発振部
は、主に基本波発生器21、該基本波発生器21に接続
された信号合成器22、該信号合成器22に接続された
増幅器23、前記信号合成器22に接続された変調波発
生器24から構成されている。
一例を示しており、該コイル用高周波電源20の発振部
は、主に基本波発生器21、該基本波発生器21に接続
された信号合成器22、該信号合成器22に接続された
増幅器23、前記信号合成器22に接続された変調波発
生器24から構成されている。
【0020】前記基本波発生器21から出力される定常
サインカーブ波形が前記信号合成器22に入力されると
共に前記変調波発生器24から変調信号が入力され、前
記信号合成器22からは基本波が周期Ts 毎に変調され
た形で出力される。更に該信号合成器22からの高周波
出力は前記増幅器23により所定の電力値(波高値)に
増幅されて出力される。
サインカーブ波形が前記信号合成器22に入力されると
共に前記変調波発生器24から変調信号が入力され、前
記信号合成器22からは基本波が周期Ts 毎に変調され
た形で出力される。更に該信号合成器22からの高周波
出力は前記増幅器23により所定の電力値(波高値)に
増幅されて出力される。
【0021】前記信号合成器22からの変調波形の一例
として、図4(a)(b)(c)を示す。又、前記増幅
器23からの出力波形は図4(a)(b)(c)を増幅
した波形となる。尚、図4は出力波形の包絡線が台形状
(図4(a))、3角波状(図4(b))、矩形波状
(図4(c))を示したが、前記変調波発生器24から
の信号を操作することで、サインカーブ状、階段状の変
化を繰返すもの等、種々変更されることは言う迄もな
い。
として、図4(a)(b)(c)を示す。又、前記増幅
器23からの出力波形は図4(a)(b)(c)を増幅
した波形となる。尚、図4は出力波形の包絡線が台形状
(図4(a))、3角波状(図4(b))、矩形波状
(図4(c))を示したが、前記変調波発生器24から
の信号を操作することで、サインカーブ状、階段状の変
化を繰返すもの等、種々変更されることは言う迄もな
い。
【0022】以下、作動を説明する。
【0023】前記被処理基板16を前記平板電極8に載
置し、前記真空室14を前記真空ポンプ6で排気し、図
示しない圧力制御装置で所定の圧力に維持しつつ、前記
真空室14に前記ガス導入管4から反応性ガスを導入す
る。
置し、前記真空室14を前記真空ポンプ6で排気し、図
示しない圧力制御装置で所定の圧力に維持しつつ、前記
真空室14に前記ガス導入管4から反応性ガスを導入す
る。
【0024】前記プラズマ発生用コイル11にコイル用
高周波電源20が出力する高周波電力を前記整合器19
を介して印加すると、前記プラズマ発生用コイル11が
形成する高周波交番電界、磁界の作用により前記反応性
ガスが電離して前記真空室14にプラズマ15が生成さ
れる。
高周波電源20が出力する高周波電力を前記整合器19
を介して印加すると、前記プラズマ発生用コイル11が
形成する高周波交番電界、磁界の作用により前記反応性
ガスが電離して前記真空室14にプラズマ15が生成さ
れる。
【0025】上記した様に、プラズマ生成の為の高周波
電力は周期的に変調されている為、放電電流は時間的に
変化する。放電電流の増加期間では電子温度は上昇し、
放電電流の減少期間では電子温度は低下する。これはプ
ラズマの電子温度の変化の時定数がプラズマ密度の変化
の時定数よりも小さい為である。
電力は周期的に変調されている為、放電電流は時間的に
変化する。放電電流の増加期間では電子温度は上昇し、
放電電流の減少期間では電子温度は低下する。これはプ
ラズマの電子温度の変化の時定数がプラズマ密度の変化
の時定数よりも小さい為である。
【0026】電子温度の変化期間に電子温度以外のプラ
ズマパラメータが変化するが、この時励起種の割合も変
化する。結果としてウェーハ表面での化学反応も変わる
為、エッチング特性も変わる。
ズマパラメータが変化するが、この時励起種の割合も変
化する。結果としてウェーハ表面での化学反応も変わる
為、エッチング特性も変わる。
【0027】而して、増幅器23の高周波電力の出力波
形は、変調信号発生器24の出力波形を図4の(a)〜
(c)の例で示す様に変更して自在に変えることがで
き、所要のエッチング特性が得られる様に適宜変えて最
適化する。
形は、変調信号発生器24の出力波形を図4の(a)〜
(c)の例で示す様に変更して自在に変えることがで
き、所要のエッチング特性が得られる様に適宜変えて最
適化する。
【0028】同時に前記平板電極8に電極用高周波電源
10が出力する高周波電力を前記整合器9を介して供給
し、前記平板電極8とプラズマ15との間に直流バイア
ス電圧を生成したり、或はプラズマ15内のイオンを振
動させたり等して、前記被処理基板16に入射するイオ
ンのエネルギを制御する。
10が出力する高周波電力を前記整合器9を介して供給
し、前記平板電極8とプラズマ15との間に直流バイア
ス電圧を生成したり、或はプラズマ15内のイオンを振
動させたり等して、前記被処理基板16に入射するイオ
ンのエネルギを制御する。
【0029】前記プラズマ発生用コイル11に印加する
周期的に変調した高周波電力の基本波の周波数は、前記
被処理物16の種類、処理の仕様により適宜選択され、
通常は1MHz 〜200MHz の範囲に於いて適切な値
が選択される。又、変調方法は対象とする被処理物、要
求されるプロセスの処理仕様に応じて、プラズマの電子
温度を制御して活性種の割合を適正にする為、適宜変更
して最適化する。
周期的に変調した高周波電力の基本波の周波数は、前記
被処理物16の種類、処理の仕様により適宜選択され、
通常は1MHz 〜200MHz の範囲に於いて適切な値
が選択される。又、変調方法は対象とする被処理物、要
求されるプロセスの処理仕様に応じて、プラズマの電子
温度を制御して活性種の割合を適正にする為、適宜変更
して最適化する。
【0030】而して、変調の仕方を、圧力や反応性ガス
の流量と同様にプラズマエッチングに於ける処理条件の
1つとして設定する。変調信号の周期は10μs以上に
おいて任意に設定するが、通常は100μs程度であ
る。
の流量と同様にプラズマエッチングに於ける処理条件の
1つとして設定する。変調信号の周期は10μs以上に
おいて任意に設定するが、通常は100μs程度であ
る。
【0031】又、前記平板電極に印加する高周波電力の
周波数も、前記被処理物の処理の仕様に応じて適切な値
が選択設定される。
周波数も、前記被処理物の処理の仕様に応じて適切な値
が選択設定される。
【0032】図3は高周波電源の別の例を示したもの
で、任意信号発生器25が出力する周期的に変調された
信号が高周波電力増幅器26に入力される。高周波電力
増幅器26は入力した変調信号を所定の増幅率で増幅し
て出力する。任意信号発生器25は必要な波形を任意に
設定できるので、1周期内に於いて、高周波の波高値の
みならず、周波数や波形も任意に変更できるので、変調
方法の範囲が広がる。
で、任意信号発生器25が出力する周期的に変調された
信号が高周波電力増幅器26に入力される。高周波電力
増幅器26は入力した変調信号を所定の増幅率で増幅し
て出力する。任意信号発生器25は必要な波形を任意に
設定できるので、1周期内に於いて、高周波の波高値の
みならず、周波数や波形も任意に変更できるので、変調
方法の範囲が広がる。
【0033】而して、該コイル用高周波電源20により
周期的に変調した高周波電力が前記プラズマ発生用コイ
ル11に印加可能となっている。
周期的に変調した高周波電力が前記プラズマ発生用コイ
ル11に印加可能となっている。
【0034】前記任意信号発生器25により直接変調波
を発生させる場合も、要求されるプロセスの処理仕様に
応じて変調波を最適化する。
を発生させる場合も、要求されるプロセスの処理仕様に
応じて変調波を最適化する。
【0035】尚、前記プラズマ発生用コイル11の巻数
は1巻以上任意の巻数を選択することが可能である。
又、前記プラズマ発生用コイル11は円筒2に巻付けた
状態で設けた例を示したが、本発明の高周波電力印加方
法は、コイルを前記蓋3に平行に設けた場合、或は反応
室1の側面に設けた場合や反応室1の内部に設けた場合
等、あらゆるコイル及びその設置方法に対して適用可能
である。
は1巻以上任意の巻数を選択することが可能である。
又、前記プラズマ発生用コイル11は円筒2に巻付けた
状態で設けた例を示したが、本発明の高周波電力印加方
法は、コイルを前記蓋3に平行に設けた場合、或は反応
室1の側面に設けた場合や反応室1の内部に設けた場合
等、あらゆるコイル及びその設置方法に対して適用可能
である。
【0036】
【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、プラズ
マエッチングのプロセスに於いて、高周波電力の電力波
形に変調を加えることによりプラズマの電子温度を変え
ることで活性種の割合を制御することができ、プラズマ
エッチングプロセスの適用範囲を広げることが可能とな
る等の優れた効果を発揮する。
マエッチングのプロセスに於いて、高周波電力の電力波
形に変調を加えることによりプラズマの電子温度を変え
ることで活性種の割合を制御することができ、プラズマ
エッチングプロセスの適用範囲を広げることが可能とな
る等の優れた効果を発揮する。
【図1】本発明の一実施例を示す斜視図である。
【図2】該実施例に於ける発振部の一例を示すブロック
図である。
図である。
【図3】本実施例に於ける高周波電源の例を示す図であ
る。
る。
【図4】(a)(b)(c)は印加電力波形の例を示す
線図である。
線図である。
【図5】従来例に於ける印加電力波形を示す線図であ
る。
る。
【図6】従来例を示す斜視図である。
【図7】従来例を示す断面図である。
1 真空容器 2 円筒 3 蓋 4 ガス導入管 5 排気管 6 真空ポンプ 11 プラズマ発生用コイル 19 整合器 20 コイル用高周波電源
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鈴木 貞之 東京都中野区東中野三丁目14番20号 国際 電気株式会社内
Claims (10)
- 【請求項1】 プラズマ発生用コイルに高周波電力を印
加してプラズマを発生させ、プラズマを利用してエッチ
ングを行うプラズマエッチング方法に於いて、前記プラ
ズマ発生用コイルに印加する高周波電力を周期的に変調
することを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 【請求項2】 1周期内に於ける高周波電力の波高値の
変化の態様を変更して、プラズマの電子温度制御を行う
請求項1のプラズマエッチング方法。 - 【請求項3】 1周期内に於ける高周波電力の周波数を
変化させてプラズマの電子温度制御を行う請求項1のプ
ラズマエッチング方法。 - 【請求項4】 高周波電力の波形の一方の包絡線が台形
状である請求項2のプラズマエッチング方法。 - 【請求項5】 高周波電力の波形の一方の包絡線が矩形
波状である請求項2のプラズマエッチング方法。 - 【請求項6】 高周波電力の波形の一方の包絡線が3角
波状である請求項2のプラズマエッチング方法。 - 【請求項7】 高周波電力の波形の一方の包絡線がサイ
ンカーブ状である請求項2のプラズマエッチング方法。 - 【請求項8】 真空室と、真空室に設けらた被処理基板
載置台と、プラズマ発生用コイルと、該プラズマ発生用
コイルに接続されたコイル用高周波電源を具備し、前記
真空室に反応性ガスを導入可能とすると共に真空室を排
気可能としたプラズマエッチング装置に於いて、前記コ
イル用高周波電源が高周波電力を周期的に変調する発振
部を具備したことを特徴とするプラズマエッチング装
置。 - 【請求項9】 発振部が基本波発生器、信号合成器、増
幅器、変調波発生器を具備した請求項8のプラズマエッ
チング装置。 - 【請求項10】 発振部が任意信号発生器、高周波電力
増幅器を具備した請求項8のプラズマエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6682194A JPH07249614A (ja) | 1994-03-10 | 1994-03-10 | プラズマエッチング方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6682194A JPH07249614A (ja) | 1994-03-10 | 1994-03-10 | プラズマエッチング方法及びその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07249614A true JPH07249614A (ja) | 1995-09-26 |
Family
ID=13326904
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6682194A Pending JPH07249614A (ja) | 1994-03-10 | 1994-03-10 | プラズマエッチング方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07249614A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1994
- 1994-03-10 JP JP6682194A patent/JPH07249614A/ja active Pending
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