JPH07249870A - セラミック基板の製造方法 - Google Patents
セラミック基板の製造方法Info
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- JPH07249870A JPH07249870A JP6038582A JP3858294A JPH07249870A JP H07249870 A JPH07249870 A JP H07249870A JP 6038582 A JP6038582 A JP 6038582A JP 3858294 A JP3858294 A JP 3858294A JP H07249870 A JPH07249870 A JP H07249870A
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Landscapes
- Porous Artificial Stone Or Porous Ceramic Products (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は絶縁特性ならびに寸法精度の良好な
セラミック基板、多層セラミック基板を製造することを
目的とする。 【構成】 本発明によるセラミック基板の製造方法は、
セラミック粉体もしくはガラスセラミック粉体と焼結助
剤を粉砕し、有機バインダを添加してグリーンシートを
成形する工程と；該グリーンシートを多孔質セラミック
より成るセッタに乗せて脱バインダ焼成を行なう工程と
からなる。又多層セラミック基板の製造方法は、上述の
グリーンシートを成形する工程と；該グリーンシートに
ヴィアホール２を形成（ｂ）した後、該ヴィアホールに
導体ペースト３を充填する（ｃ）とともに、該グリーン
シートの表面に回路導体４を形成（ｄ）したセラミック
基板を複数枚積層して圧着する（ｅ）工程と；該積層セ
ラミック基板を多孔質セラミック基板より成るセッタ５
ｂ上に乗せて脱バインダ焼成を行なう（ｆ）工程とから
成る。
セラミック基板、多層セラミック基板を製造することを
目的とする。 【構成】 本発明によるセラミック基板の製造方法は、
セラミック粉体もしくはガラスセラミック粉体と焼結助
剤を粉砕し、有機バインダを添加してグリーンシートを
成形する工程と；該グリーンシートを多孔質セラミック
より成るセッタに乗せて脱バインダ焼成を行なう工程と
からなる。又多層セラミック基板の製造方法は、上述の
グリーンシートを成形する工程と；該グリーンシートに
ヴィアホール２を形成（ｂ）した後、該ヴィアホールに
導体ペースト３を充填する（ｃ）とともに、該グリーン
シートの表面に回路導体４を形成（ｄ）したセラミック
基板を複数枚積層して圧着する（ｅ）工程と；該積層セ
ラミック基板を多孔質セラミック基板より成るセッタ５
ｂ上に乗せて脱バインダ焼成を行なう（ｆ）工程とから
成る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明はセラミック基板（多層
セラミック基板、多層ガラスセラミック基板を含む）の
製造方法に関するものである。
セラミック基板、多層ガラスセラミック基板を含む）の
製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図４は従来の多層セラミック基板の製造
方法の工程説明図である。同図において、１はセラミッ
ク粉体に焼結助剤を添加してボールミル等を用いて規定
の精度に粉砕し、有機バインダを添加して成形されたグ
リーンシートである。このグリーンシート１にパンチン
グ等によりヴィアホール２を形成し（図４（ｂ））、こ
のヴィアホール２に金属粉体を含む導体ペースト３を充
填する（図４（ｃ））。次にスクリーン印刷等により、
金属粉体を含む導体ペースト（導体ペーストとしての機
能は導体ペースト３と同じ）を回路導体４としてグリー
ンシート１の表面に形成する（図４（ｄ））。
方法の工程説明図である。同図において、１はセラミッ
ク粉体に焼結助剤を添加してボールミル等を用いて規定
の精度に粉砕し、有機バインダを添加して成形されたグ
リーンシートである。このグリーンシート１にパンチン
グ等によりヴィアホール２を形成し（図４（ｂ））、こ
のヴィアホール２に金属粉体を含む導体ペースト３を充
填する（図４（ｃ））。次にスクリーン印刷等により、
金属粉体を含む導体ペースト（導体ペーストとしての機
能は導体ペースト３と同じ）を回路導体４としてグリー
ンシート１の表面に形成する（図４（ｄ））。
【０００３】この状態のグリーンシート１を図４（ｅ）
に示すように複数枚積層し、温度及び圧力をかけて圧着
を行なう。続いて緻密質のセラミック耐火物の板５ｂ
（以下セッタという）の上に乗せ、グリーンシート１の
成形時に添加した有機バインダを除去するため、脱バイ
ンダ焼成を行ない（図４（ｆ））、多層セラミック基板
の製造を行なっていた。
に示すように複数枚積層し、温度及び圧力をかけて圧着
を行なう。続いて緻密質のセラミック耐火物の板５ｂ
（以下セッタという）の上に乗せ、グリーンシート１の
成形時に添加した有機バインダを除去するため、脱バイ
ンダ焼成を行ない（図４（ｆ））、多層セラミック基板
の製造を行なっていた。
【０００４】従来の工程においてはセッタ５ｂに緻密質
セラミックを用いていたが、これは現在用いられている
セラミックは緻密性のものであることから、セッタ５ｂ
として使用していた。
セラミックを用いていたが、これは現在用いられている
セラミックは緻密性のものであることから、セッタ５ｂ
として使用していた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】図４にて説明した脱バ
インダの工程においては、有機バインダの成分であるカ
ーボンはＣ＋Ｏ2 ＝ＣＯ2 の化学反応により二酸化炭素
として基板外部に放出される。この時、多層セラミック
基板６の解放面７からは二酸化炭素ＣＯ2 が放出される
が、セッタ５ｂには緻密質セラミックを用いているた
め、セッタ５ｂとの接触面８からは解放面７に比較して
放出が困難となる（図５（ａ））。
インダの工程においては、有機バインダの成分であるカ
ーボンはＣ＋Ｏ2 ＝ＣＯ2 の化学反応により二酸化炭素
として基板外部に放出される。この時、多層セラミック
基板６の解放面７からは二酸化炭素ＣＯ2 が放出される
が、セッタ５ｂには緻密質セラミックを用いているた
め、セッタ５ｂとの接触面８からは解放面７に比較して
放出が困難となる（図５（ａ））。
【０００６】この為、カーボンが多層セラミック基板内
に残留し、良好な絶縁性が得られなくなることがあると
ともに、図５（ｂ）に示す様に、二酸化炭素ＣＯ2 が多
層セラミック基板６のセッタ５ｂとの接触面８の間隙か
ら放出するので放出経路を確保しようとして多層セラミ
ック基板６が凹形に変形し、焼成後の基板寸法精度が悪
化するという課題があった。
に残留し、良好な絶縁性が得られなくなることがあると
ともに、図５（ｂ）に示す様に、二酸化炭素ＣＯ2 が多
層セラミック基板６のセッタ５ｂとの接触面８の間隙か
ら放出するので放出経路を確保しようとして多層セラミ
ック基板６が凹形に変形し、焼成後の基板寸法精度が悪
化するという課題があった。
【０００７】本発明は、上述の課題を解決した多層セラ
ミック基板の製造方法、さらにはセラミック基板、多層
ガラスセラミック基板の製造方法を提供するものであ
る。
ミック基板の製造方法、さらにはセラミック基板、多層
ガラスセラミック基板の製造方法を提供するものであ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は多層セラミック
基板の製造方法において、セラミック粉体もしくはガラ
スセラミック粉体と焼結助剤を粉砕し、有機バインダを
添加して成形したグリーンシートにヴィアホールを形成
し、導体ペーストを該ヴィアホールに充填するととも
に、回路導体を形成したセラミック基板を複数枚積層し
て圧着し、該積層セラミック基板を多孔質セラミックよ
り成るセッタ上に乗せて脱バインダ焼成を行なうように
したものである。
基板の製造方法において、セラミック粉体もしくはガラ
スセラミック粉体と焼結助剤を粉砕し、有機バインダを
添加して成形したグリーンシートにヴィアホールを形成
し、導体ペーストを該ヴィアホールに充填するととも
に、回路導体を形成したセラミック基板を複数枚積層し
て圧着し、該積層セラミック基板を多孔質セラミックよ
り成るセッタ上に乗せて脱バインダ焼成を行なうように
したものである。
【０００９】又本発明は前述した１枚のグリーンシート
を多孔質セラミックより成るセッタ上に乗せて脱バイン
ダ焼成を行なうようにしたセラミック基板の製造方法で
ある。
を多孔質セラミックより成るセッタ上に乗せて脱バイン
ダ焼成を行なうようにしたセラミック基板の製造方法で
ある。
【００１０】
【作用】積層セラミック基板ならびに単層のセラミック
基板を多孔質セラミックより成るセッタ上に乗せて脱バ
インダ焼成を行なうようにしたので、二酸化炭素ＣＯ2
が解放面７のみならずセッタ５ａとの接触面８からもセ
ッタ５ａを通過して放出されるので、変形も減少し、か
つ絶縁特性の良好な積層セラミック基板ならびにセラミ
ック基板が得られる。
基板を多孔質セラミックより成るセッタ上に乗せて脱バ
インダ焼成を行なうようにしたので、二酸化炭素ＣＯ2
が解放面７のみならずセッタ５ａとの接触面８からもセ
ッタ５ａを通過して放出されるので、変形も減少し、か
つ絶縁特性の良好な積層セラミック基板ならびにセラミ
ック基板が得られる。
【００１１】
【実施例】以下図面を参照して本発明の実施例を詳細に
説明する。図１は本発明による多層セラミック基板の製
造方法の工程説明図であり、（ａ）から（ｅ）までは図
４にて説明した工程と基本的には同じである（図１と図
４の同一記号は同じものを示す。）。同図において、セ
ラミック粉体に焼結助剤を添加してボールミル等を用い
て規定の精度に粉砕し、有機バインダを添加して成形
し、グリーンシート１を作成する（図１（ａ））。次に
パンチング等によりヴィアホール２を形成し（図１
（ｂ））、このヴィアホール２に金属粉体を含む導体ペ
ースト３を充填する（図１（ｃ））。
説明する。図１は本発明による多層セラミック基板の製
造方法の工程説明図であり、（ａ）から（ｅ）までは図
４にて説明した工程と基本的には同じである（図１と図
４の同一記号は同じものを示す。）。同図において、セ
ラミック粉体に焼結助剤を添加してボールミル等を用い
て規定の精度に粉砕し、有機バインダを添加して成形
し、グリーンシート１を作成する（図１（ａ））。次に
パンチング等によりヴィアホール２を形成し（図１
（ｂ））、このヴィアホール２に金属粉体を含む導体ペ
ースト３を充填する（図１（ｃ））。
【００１２】続いてスクリーン印刷等により、金属粉末
を含む導体ペースト４（導体ペーストとしての機能は導
体ペースト３と同じ）を回路導体４としてグリーンシー
ト１の表面に形成する（図１（ｄ））。このグリーンシ
ート１を図１（ｅ）に示す様に複数枚積層し、温度及び
圧力をかけて圧着を行なう。
を含む導体ペースト４（導体ペーストとしての機能は導
体ペースト３と同じ）を回路導体４としてグリーンシー
ト１の表面に形成する（図１（ｄ））。このグリーンシ
ート１を図１（ｅ）に示す様に複数枚積層し、温度及び
圧力をかけて圧着を行なう。
【００１３】図１（ｆ）はこの多層セラミック基板６の
脱バインダ焼成の工程を説明する図である。ここでセッ
タ５ａは図４に示した緻密質のセラミック耐火物より成
るセッタ５ｂと異なり、内部に細かい空洞を有する多孔
質セラミックより成る。この多孔質セラミックより成る
セッタ５ａの上に前述の多層セラミック基板６を乗せて
脱バインダ焼成を行なうと、図２に示すように脱バイン
ダ焼成の過程で発生した二酸化炭素ＣＯ2 は多層セラミ
ック基板６の解放面７から放出されるとともに、セッタ
５ａとの接触面８からも二酸化炭素がセッタ５ａを通過
して放出される。その結果、図５（ｂ）の場合と異な
り、絶縁特性（残留カーボン量）ならびに多層セラミッ
ク基板の変形（寸法精度）も改善されることとなる。
脱バインダ焼成の工程を説明する図である。ここでセッ
タ５ａは図４に示した緻密質のセラミック耐火物より成
るセッタ５ｂと異なり、内部に細かい空洞を有する多孔
質セラミックより成る。この多孔質セラミックより成る
セッタ５ａの上に前述の多層セラミック基板６を乗せて
脱バインダ焼成を行なうと、図２に示すように脱バイン
ダ焼成の過程で発生した二酸化炭素ＣＯ2 は多層セラミ
ック基板６の解放面７から放出されるとともに、セッタ
５ａとの接触面８からも二酸化炭素がセッタ５ａを通過
して放出される。その結果、図５（ｂ）の場合と異な
り、絶縁特性（残留カーボン量）ならびに多層セラミッ
ク基板の変形（寸法精度）も改善されることとなる。
【００１４】図３は、図４、図５にて説明した従来の工
程によって作られた多層セラミック基板と、図１、図２
にて説明した本願発明によって作られた多層セラミック
基板の絶縁特性と、寸法精度の相違を説明するものであ
る。ここで、気孔率０％とは従来の工程で用いたセッタ
５ｂを示し、本願の多孔質セッタ５ａについては気孔率
２８％、４２％、７１％の各々について実験値を示し
た。又絶縁特性は脱バインダ焼成後の多層セラミック基
板の残留カーボン量（ｐｐｍ）を示し、寸法精度の収縮
率ばらつき（％）は基板内の収縮率を複数箇所測定した
最大値と最小値の差である。又そり（μｍ）はセッタ５
ａと多層セラミック基板との間のそりによって生じた最
大の間隙を示す。
程によって作られた多層セラミック基板と、図１、図２
にて説明した本願発明によって作られた多層セラミック
基板の絶縁特性と、寸法精度の相違を説明するものであ
る。ここで、気孔率０％とは従来の工程で用いたセッタ
５ｂを示し、本願の多孔質セッタ５ａについては気孔率
２８％、４２％、７１％の各々について実験値を示し
た。又絶縁特性は脱バインダ焼成後の多層セラミック基
板の残留カーボン量（ｐｐｍ）を示し、寸法精度の収縮
率ばらつき（％）は基板内の収縮率を複数箇所測定した
最大値と最小値の差である。又そり（μｍ）はセッタ５
ａと多層セラミック基板との間のそりによって生じた最
大の間隙を示す。
【００１５】図３の測定結果より明らかな様に、セッタ
の気孔率を０％以上にすると絶縁特性、寸法精度とも改
善されることが分かる。気孔率２８％、４２％、７１％
と大きくすることによって絶縁特性、寸法精度とも徐々
に低下することも明らかである。
の気孔率を０％以上にすると絶縁特性、寸法精度とも改
善されることが分かる。気孔率２８％、４２％、７１％
と大きくすることによって絶縁特性、寸法精度とも徐々
に低下することも明らかである。
【００１６】以上の説明は多層セラミック基板の製造方
法についての説明であったが、本発明は単層のセラミッ
ク基板ならびに多層ガラスセラミック基板の製造方法に
も適用することができる。すなわち、図１（ａ）に示し
たグリーンシートにヴィアホール及び回路導体を形成し
ないセラミック基板をセッタ５ａに乗せて脱バインダ焼
成を行なってセラミック基板を製造する場合も、上述し
た場合と同じく絶縁特性ならびに寸法精度の改善が可能
となる。
法についての説明であったが、本発明は単層のセラミッ
ク基板ならびに多層ガラスセラミック基板の製造方法に
も適用することができる。すなわち、図１（ａ）に示し
たグリーンシートにヴィアホール及び回路導体を形成し
ないセラミック基板をセッタ５ａに乗せて脱バインダ焼
成を行なってセラミック基板を製造する場合も、上述し
た場合と同じく絶縁特性ならびに寸法精度の改善が可能
となる。
【００１７】又図１で説明した多層セラミック基板の製
造方法においては、セラミック粉体を用いていたが、セ
ラミック粉体の代りにガラスセラミック粉体を用い、図
１にて説明した同じ工程にて多層ガラスセラミック基板
を製造する場合も、同じく絶縁特性ならびに寸法精度の
改善が可能となる。
造方法においては、セラミック粉体を用いていたが、セ
ラミック粉体の代りにガラスセラミック粉体を用い、図
１にて説明した同じ工程にて多層ガラスセラミック基板
を製造する場合も、同じく絶縁特性ならびに寸法精度の
改善が可能となる。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によればセ
ッタ５ａとして多孔質のセラミックを用いて脱バインダ
焼成を行なったので、基板の解放面７側ならびにセッタ
５ａとの接触面側８からも二酸化炭素ＣＯ2 を放出する
ことができ、その結果残留カーボン量が少なくなって絶
縁特性が良くなるとともに、変形も小さくなって寸法精
度の良好なセラミック基板ならびに多層セラミック基板
を製造することができる。
ッタ５ａとして多孔質のセラミックを用いて脱バインダ
焼成を行なったので、基板の解放面７側ならびにセッタ
５ａとの接触面側８からも二酸化炭素ＣＯ2 を放出する
ことができ、その結果残留カーボン量が少なくなって絶
縁特性が良くなるとともに、変形も小さくなって寸法精
度の良好なセラミック基板ならびに多層セラミック基板
を製造することができる。
【図１】本発明による多層セラミック基板の製造方法の
工程説明図である。
工程説明図である。
【図２】本発明による多層セラミック基板の製造方法の
脱バインダ焼成の工程の説明図である。
脱バインダ焼成の工程の説明図である。
【図３】セッタ５ａの気孔率と絶縁特性・寸法精度との
関係の測定データを示す説明図である。
関係の測定データを示す説明図である。
【図４】従来の多層セラミック基板の製造方法の工程説
明図である。
明図である。
【図５】従来の多層セラミック基板の製造方法の課題を
説明する図面である。
説明する図面である。
１ グリーンシート ２ ヴィアホール ３ 導体ペースト ４ 回路導体 ５ａ 多孔質セラミックより成るセッタ ５ｂ 従来における緻密質セラミックより成るセッタ ６ 多層セラミック基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０５Ｋ 1/03 Ｂ 7011−4Ｅ
Claims (2)
- 【請求項１】 セラミック基板の製造方法において、
（１）セラミック粉体と焼結助剤を粉砕し、有機バイン
ダを添加してグリーンシートを成形する工程と、（２）
該グリーンシートを多孔質セラミックより成るセッタ上
に乗せて脱バインダ焼成を行なう工程と、からなること
を特徴とするセラミック基板の製造方法。 - 【請求項２】 多層セラミック基板の製造方法におい
て、（１）セラミック粉体と焼結助剤を粉砕し、有機バ
インダを添加してグリーンシートを成形する工程と、
（２）前記グリーンシートにヴィアホールを形成した
後、ヴィアホールに導体ペーストを充填するとともに、
前記グリーンシートの表面に回路導体を形成したセラミ
ック基板を複数枚積層して圧着する工程と、（３）該圧
着された積層セラミック基板を多孔質セラミックより成
るセッタ上に乗せて脱バインダ焼成を行なう工程と、か
ら成ることを特徴とする多層セラミック基板の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6038582A JPH07249870A (ja) | 1994-03-09 | 1994-03-09 | セラミック基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6038582A JPH07249870A (ja) | 1994-03-09 | 1994-03-09 | セラミック基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07249870A true JPH07249870A (ja) | 1995-09-26 |
Family
ID=12529293
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6038582A Pending JPH07249870A (ja) | 1994-03-09 | 1994-03-09 | セラミック基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07249870A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2398539A (en) * | 2003-02-18 | 2004-08-25 | Howmet Res Corp | Manufacturing a ceramic setter |
| CN120261296A (zh) * | 2025-04-07 | 2025-07-04 | 江苏富乐华功率半导体研究院有限公司 | 一种基于amb工艺的双层陶瓷基板的制备方法 |
-
1994
- 1994-03-09 JP JP6038582A patent/JPH07249870A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2398539A (en) * | 2003-02-18 | 2004-08-25 | Howmet Res Corp | Manufacturing a ceramic setter |
| GB2398539B (en) * | 2003-02-18 | 2006-05-17 | Howmet Res Corp | Method for making ceramic setter |
| CN120261296A (zh) * | 2025-04-07 | 2025-07-04 | 江苏富乐华功率半导体研究院有限公司 | 一种基于amb工艺的双层陶瓷基板的制备方法 |
| CN120261296B (zh) * | 2025-04-07 | 2025-11-18 | 江苏富乐华功率半导体研究院有限公司 | 一种基于amb工艺的双层陶瓷基板的制备方法 |
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