JPH07249888A - 電磁波吸収シート - Google Patents
電磁波吸収シートInfo
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- JPH07249888A JPH07249888A JP6803894A JP6803894A JPH07249888A JP H07249888 A JPH07249888 A JP H07249888A JP 6803894 A JP6803894 A JP 6803894A JP 6803894 A JP6803894 A JP 6803894A JP H07249888 A JPH07249888 A JP H07249888A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 小型、軽量で数百ＭＨｚ以上の不要な電磁波
に対しても有効なシート状の電磁波吸収体を提供するこ
と。 【構成】 合金系磁性体２から構成され、前記合金系磁
性体が磁性体の膜面に平行な方向に一軸磁気異方性５を
有する電磁波吸収シート。
に対しても有効なシート状の電磁波吸収体を提供するこ
と。 【構成】 合金系磁性体２から構成され、前記合金系磁
性体が磁性体の膜面に平行な方向に一軸磁気異方性５を
有する電磁波吸収シート。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電磁波吸収シートに関
する。
する。
【０００２】
【従来の技術】近年、高速デジタル機器の普及に伴い、
これら機器から発生する不要電磁波が他の機器に妨害を
与える現象（電磁環境問題，ＥＭＣ問題）が新しい公害
としてとりあげられてきた。例えばデジタル通信装置の
ケーブルに重畳するコモンモードノイズ電流が原因で発
生する３０〜１０００ＭＨｚ不要電磁波は、テレビ等に
対する妨害波となることが問題視されている。上記３０
〜１０００ＭＨｚ不要電磁波に対する電磁波吸収体とし
て、従来はＭｎ−Ｚｎフェライト板が用いられ、これを
通信装置のキャビネット等に張り付けて使用した。電磁
波吸収体は磁性体の持つ磁気損失の性質を利用してお
り、磁性体としては比透磁率（μr ＝μr ′−ｊ
μr ″）が高く、抵抗性（μr ″＞μr′）であること
が要求される。Ｍｎ−Ｚｎフェライトにおける比透磁率
の周波数特性を図１０に示す。数ＭＨｚ以上でμr ″＞
μr ′を満たしているが、μr の絶対値が小さいため、
大きな電磁波吸収効果を得るためにはＭｎ−Ｚｎフェラ
イト板を大量に使用する必要があった。また、図１０に
見られるように、Ｍｎ−Ｚｎフェライトの比透磁率は高
周波帯域で非常に小さな値となるため、数百ＭＨｚ以上
では電磁波吸収体としての効果が激減した。即ち、従来
の電磁波吸収体では体積が大きい、重量が重い、数百Ｍ
Ｈｚ以上で有効でないという欠点があった。
これら機器から発生する不要電磁波が他の機器に妨害を
与える現象（電磁環境問題，ＥＭＣ問題）が新しい公害
としてとりあげられてきた。例えばデジタル通信装置の
ケーブルに重畳するコモンモードノイズ電流が原因で発
生する３０〜１０００ＭＨｚ不要電磁波は、テレビ等に
対する妨害波となることが問題視されている。上記３０
〜１０００ＭＨｚ不要電磁波に対する電磁波吸収体とし
て、従来はＭｎ−Ｚｎフェライト板が用いられ、これを
通信装置のキャビネット等に張り付けて使用した。電磁
波吸収体は磁性体の持つ磁気損失の性質を利用してお
り、磁性体としては比透磁率（μr ＝μr ′−ｊ
μr ″）が高く、抵抗性（μr ″＞μr′）であること
が要求される。Ｍｎ−Ｚｎフェライトにおける比透磁率
の周波数特性を図１０に示す。数ＭＨｚ以上でμr ″＞
μr ′を満たしているが、μr の絶対値が小さいため、
大きな電磁波吸収効果を得るためにはＭｎ−Ｚｎフェラ
イト板を大量に使用する必要があった。また、図１０に
見られるように、Ｍｎ−Ｚｎフェライトの比透磁率は高
周波帯域で非常に小さな値となるため、数百ＭＨｚ以上
では電磁波吸収体としての効果が激減した。即ち、従来
の電磁波吸収体では体積が大きい、重量が重い、数百Ｍ
Ｈｚ以上で有効でないという欠点があった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記の欠点を
改善するために提案されたもので、その目的は、従来の
電磁波吸収体において、体積、重量が大きく、数百ＭＨ
ｚ以上で有効でないという点を解決した、小型、軽量
で、数百ＭＨｚ以上の不要電磁波に対しても有効なシー
ト状電磁波吸収体を提供することにある。
改善するために提案されたもので、その目的は、従来の
電磁波吸収体において、体積、重量が大きく、数百ＭＨ
ｚ以上で有効でないという点を解決した、小型、軽量
で、数百ＭＨｚ以上の不要電磁波に対しても有効なシー
ト状電磁波吸収体を提供することにある。
【０００４】
（１） 上記の目的を達成するため本発明は１層の合金
系磁性体から構成され、前記合金系磁性体が、前記合金
系磁性体の膜面に平行な方向に、一軸磁気異方性を有す
ることを特徴とする電磁波吸収シートを発明の要旨とす
るものである。 （２） さらに本発明は非磁性絶縁体シート基板に接合
した合金系磁性体から構成され、かつ前記合金系磁性体
が、前記合金系磁性体の膜面に平行な方向に一軸磁気異
方性を有する電磁波吸収シートを、複数重ね合わせた構
成を成し、かつそれぞれの電磁波吸収シートにおける合
金系磁性体の一軸磁気異方性の方向が、互いに所望の角
度をなしてずれていることを特徴とする電磁波吸収シー
トを発明の要旨とするものである。 （３） さらに本発明は合金系磁性体と、非磁性絶縁体
とを交互に積層させた多層体から構成され、前記合金系
磁性体が、前記合金系磁性体の膜面に平行な方向に、一
軸磁気異方性を有することを特徴とする電磁波吸収シー
トを発明の要旨とするものである。 （４） 合金系磁性体の一軸磁気異方性の方向が、互い
に所望の角度をなしてずれていることを特徴とする
（３）記載の電磁波吸収シート。 （５） さらに本発明は基板上に第１の合金系磁性体が
堆積され、ついでその上に非磁性絶縁体が形成され、つ
いで前記非磁性絶縁体の上に第２の合金系磁性体が堆積
されてなる、少なくとも３層以上の多層シートにおい
て、前記それぞれの合金系磁性体は膜面に平行な方向に
一軸磁気異方性を有することを特徴とする電磁波吸収シ
ートを発明の要旨とするものである。 （６） それぞれの合金系磁性体の一軸磁気異方性の方
向が所望の角度を成してずれていることを特徴とする
（５）記載の電磁波吸収シート。 （７） さらに本発明は合金系磁性体の厚さが、前記合
金系磁性体の表皮深さの１０分の１から１０倍の厚さで
あることを特徴とする電磁波吸収シートを発明の要旨と
するものである。ここに所望の角度とは、一軸磁気異方
性の角度のずれのとり得る範囲は０度から９０度である
が、このうち１０度から９０度であることが実用上好ま
しい。１０度未満の場合には一軸磁気異方性のずれによ
る効果が少なく実用上好ましくない。さらに好ましい範
囲は４５度から９０度であり、この範囲においては一軸
磁気異方性のずれによる効果がより効果的に得られるも
のである。 （８） 合金系磁性体として、ＮｉＦｅ，ＣｏＺｒＮｂ
が用いられていることを特徴とする（１）あるいは
（３）あるいは（５）記載の電磁波吸収シート。 以上のように本発明は従来の電磁波吸収体とは、材料構
成などが異なる。
系磁性体から構成され、前記合金系磁性体が、前記合金
系磁性体の膜面に平行な方向に、一軸磁気異方性を有す
ることを特徴とする電磁波吸収シートを発明の要旨とす
るものである。 （２） さらに本発明は非磁性絶縁体シート基板に接合
した合金系磁性体から構成され、かつ前記合金系磁性体
が、前記合金系磁性体の膜面に平行な方向に一軸磁気異
方性を有する電磁波吸収シートを、複数重ね合わせた構
成を成し、かつそれぞれの電磁波吸収シートにおける合
金系磁性体の一軸磁気異方性の方向が、互いに所望の角
度をなしてずれていることを特徴とする電磁波吸収シー
トを発明の要旨とするものである。 （３） さらに本発明は合金系磁性体と、非磁性絶縁体
とを交互に積層させた多層体から構成され、前記合金系
磁性体が、前記合金系磁性体の膜面に平行な方向に、一
軸磁気異方性を有することを特徴とする電磁波吸収シー
トを発明の要旨とするものである。 （４） 合金系磁性体の一軸磁気異方性の方向が、互い
に所望の角度をなしてずれていることを特徴とする
（３）記載の電磁波吸収シート。 （５） さらに本発明は基板上に第１の合金系磁性体が
堆積され、ついでその上に非磁性絶縁体が形成され、つ
いで前記非磁性絶縁体の上に第２の合金系磁性体が堆積
されてなる、少なくとも３層以上の多層シートにおい
て、前記それぞれの合金系磁性体は膜面に平行な方向に
一軸磁気異方性を有することを特徴とする電磁波吸収シ
ートを発明の要旨とするものである。 （６） それぞれの合金系磁性体の一軸磁気異方性の方
向が所望の角度を成してずれていることを特徴とする
（５）記載の電磁波吸収シート。 （７） さらに本発明は合金系磁性体の厚さが、前記合
金系磁性体の表皮深さの１０分の１から１０倍の厚さで
あることを特徴とする電磁波吸収シートを発明の要旨と
するものである。ここに所望の角度とは、一軸磁気異方
性の角度のずれのとり得る範囲は０度から９０度である
が、このうち１０度から９０度であることが実用上好ま
しい。１０度未満の場合には一軸磁気異方性のずれによ
る効果が少なく実用上好ましくない。さらに好ましい範
囲は４５度から９０度であり、この範囲においては一軸
磁気異方性のずれによる効果がより効果的に得られるも
のである。 （８） 合金系磁性体として、ＮｉＦｅ，ＣｏＺｒＮｂ
が用いられていることを特徴とする（１）あるいは
（３）あるいは（５）記載の電磁波吸収シート。 以上のように本発明は従来の電磁波吸収体とは、材料構
成などが異なる。
【０００５】
【作用】本発明の電磁波吸収シートによれば、合金系磁
性体の厚さを表皮深さの１０分の１から１０倍の厚さに
設定することにより、大きな渦電流損失を発生すること
ができるため、シート状と小型、軽量であるにもかかわ
らず、渦電流損失に起因する大きな電磁波吸収効果を実
現できる。さらに、数百ＭＨｚ以上でも大きな比透磁率
を有するため、数百ＭＨｚ以上の不要電磁波に対しても
有効である。
性体の厚さを表皮深さの１０分の１から１０倍の厚さに
設定することにより、大きな渦電流損失を発生すること
ができるため、シート状と小型、軽量であるにもかかわ
らず、渦電流損失に起因する大きな電磁波吸収効果を実
現できる。さらに、数百ＭＨｚ以上でも大きな比透磁率
を有するため、数百ＭＨｚ以上の不要電磁波に対しても
有効である。
【０００６】
【実施例】次に本発明の実施例について説明する。図１
は本発明の電磁波吸収シートを示すもので、（ａ）は１
層の合金系磁性体２から構成されており、（ｂ）は合金
系磁性体２と非磁性絶縁体３とを交互に複数層積層させ
た多層構造体から構成され、いずれも同様の効果を得る
ことができる。なお、図１では電磁波吸収シートの保持
用として、非磁性絶縁体から成るシート基板４を使用し
ている。シート基板４がある場合、ない場合、いずれも
同様の効果を得ることができる。（ｃ）は（ｂ）図の部
分拡大図である。
は本発明の電磁波吸収シートを示すもので、（ａ）は１
層の合金系磁性体２から構成されており、（ｂ）は合金
系磁性体２と非磁性絶縁体３とを交互に複数層積層させ
た多層構造体から構成され、いずれも同様の効果を得る
ことができる。なお、図１では電磁波吸収シートの保持
用として、非磁性絶縁体から成るシート基板４を使用し
ている。シート基板４がある場合、ない場合、いずれも
同様の効果を得ることができる。（ｃ）は（ｂ）図の部
分拡大図である。
【０００７】合金系磁性体２は、図１に示すように膜面
内一軸磁気異方性５を有している。図２に膜面内一軸磁
気異方性を有する場合（ａ）と、有さない場合（ｂ）の
合金系磁性体の磁化曲線を示す。実線と破線はそれぞれ
直交する２方向に対する磁化曲線である。（ａ）の場合
には困難軸方向が実線、容易軸方向が破線に対応する。
ここでは合金系磁性体として、ＮｉＦｅ膜を用いた。
（ａ）ではヒステリシスの小さな優れた軟磁気特性が得
られているが、（ｂ）では大きなヒステリシスが現わ
れ、この場合大きな比透磁率は得られない。電磁波吸収
体の吸収効果は合金系磁性体の比透磁率と比例関係にあ
る。従って、大きな比透磁率が得られるという点で、合
金系磁性体に膜面内一軸磁気異方性を持たせることが効
果的とわかる。なお、周波数が数ＭＨｚ以上の高周波磁
界に対しては、困難軸方向の磁化過程のみが応答する。
従って、高周波の不要電磁波に対応できるという点で
も、（ａ）のように合金系磁性体に膜面内一軸磁気異方
性を持たすことが効果的といえる。
内一軸磁気異方性５を有している。図２に膜面内一軸磁
気異方性を有する場合（ａ）と、有さない場合（ｂ）の
合金系磁性体の磁化曲線を示す。実線と破線はそれぞれ
直交する２方向に対する磁化曲線である。（ａ）の場合
には困難軸方向が実線、容易軸方向が破線に対応する。
ここでは合金系磁性体として、ＮｉＦｅ膜を用いた。
（ａ）ではヒステリシスの小さな優れた軟磁気特性が得
られているが、（ｂ）では大きなヒステリシスが現わ
れ、この場合大きな比透磁率は得られない。電磁波吸収
体の吸収効果は合金系磁性体の比透磁率と比例関係にあ
る。従って、大きな比透磁率が得られるという点で、合
金系磁性体に膜面内一軸磁気異方性を持たせることが効
果的とわかる。なお、周波数が数ＭＨｚ以上の高周波磁
界に対しては、困難軸方向の磁化過程のみが応答する。
従って、高周波の不要電磁波に対応できるという点で
も、（ａ）のように合金系磁性体に膜面内一軸磁気異方
性を持たすことが効果的といえる。
【０００８】図３に合金系磁性体膜厚ｔm と比透磁率μ
r （：μr ′−ｊ・μr ″）の関係を示す。比透磁率は
困難軸方向での値である。合金系磁性体としてはＮｉＦ
ｅ膜およびＣｏＺｒＮｂ膜を使用した。図３でμr ′，
μr ″は静的比透磁率μr ′（０）で、またｔm は表皮
深さδで規格化した。δは合金系磁性体の電気抵抗
ρm ，μr ′（０），周波数ｆ，真空の透磁率μ0 を用
いて、 δ＝〔２ρm ／（２πｆ・μr ′（０）・μ0 ）〕1/2 （１） で表される。ＮｉＦｅ膜の場合、μr ′（０）＝３００
０，ρm ＝２０μΩｃｍ、またＣｏＺｒＮｂ膜の場合、
μr ′（０）＝３０００，ρm ＝１２０μΩｃｍであ
る。図３に示すようにμr ″はｔm ／δが０．１から１
０の範囲で、μr ″の最大値の１００分の１以上の値を
持つ。ｔm がδの１０分の１未満となった場合、および
ｔm がδの１０倍を超過した場合、本発明の電磁波吸収
シートによって、従来部品（Ｍｎ−Ｚｎフェライト板）
よりも大きな電磁波吸収効果を実現することができなく
なるため、実用上好ましくない。このことから、ｔm を
δの１０分の１から１０倍の厚さに設定することが効果
的であることがわかる。
r （：μr ′−ｊ・μr ″）の関係を示す。比透磁率は
困難軸方向での値である。合金系磁性体としてはＮｉＦ
ｅ膜およびＣｏＺｒＮｂ膜を使用した。図３でμr ′，
μr ″は静的比透磁率μr ′（０）で、またｔm は表皮
深さδで規格化した。δは合金系磁性体の電気抵抗
ρm ，μr ′（０），周波数ｆ，真空の透磁率μ0 を用
いて、 δ＝〔２ρm ／（２πｆ・μr ′（０）・μ0 ）〕1/2 （１） で表される。ＮｉＦｅ膜の場合、μr ′（０）＝３００
０，ρm ＝２０μΩｃｍ、またＣｏＺｒＮｂ膜の場合、
μr ′（０）＝３０００，ρm ＝１２０μΩｃｍであ
る。図３に示すようにμr ″はｔm ／δが０．１から１
０の範囲で、μr ″の最大値の１００分の１以上の値を
持つ。ｔm がδの１０分の１未満となった場合、および
ｔm がδの１０倍を超過した場合、本発明の電磁波吸収
シートによって、従来部品（Ｍｎ−Ｚｎフェライト板）
よりも大きな電磁波吸収効果を実現することができなく
なるため、実用上好ましくない。このことから、ｔm を
δの１０分の１から１０倍の厚さに設定することが効果
的であることがわかる。
【０００９】非磁性絶縁体膜厚が薄いと、電気的絶縁破
壊が生じ、図３のような特性が得られない。図４に合金
系磁性体としてＮｉＦｅ膜を、非磁性絶縁体としてＳｉ
Ｏ2膜を用い、ＳｉＯ2 膜厚を変化させた場合の比透磁
率の周波数特性を示す。比透磁率は困難軸方向での値で
ある。ＮｉＦｅ膜厚はこの周波数帯域におけるＮｉＦｅ
膜の表皮深さ０．１６〜１．６μｍより十分薄い５０ｎ
ｍ（０．０５μｍ）に設定した。ＳｉＯ2 膜厚が５ｎｍ
では電気的絶縁不良により３０ＭＨｚ付近からμr ′の
減少、μr ″の増大が起きる。一方、ＳｉＯ2 膜厚が５
０ｎｍではＮｉＦｅ膜の強磁性共鳴周波数６５０ＭＨｚ
までμr ′一定となり、電気的絶縁はほぼ保たれ、さら
にＳｉＯ2 膜厚１００ｎｍでは絶縁効果はいっそう確実
となる。以上、非磁性絶縁体としてＳｉＯ2 膜を使用し
た場合、合金系磁性体間の電気的絶縁を保つには非磁性
絶縁体膜厚を５０ｎｍ以上とすることが効果的であるこ
とがわかる。なお、非磁性絶縁体膜厚の上限は実用上１
０ｍｍ以下とすることが好ましい。図２で示したよう
に、大きな比透磁率、すなわち大きな電磁波吸収効果を
実現し、また高周波の不要電磁波に対応するためには、
合金系磁性体２の膜面内に一軸磁気異方性を持たすこと
が効果的である。
壊が生じ、図３のような特性が得られない。図４に合金
系磁性体としてＮｉＦｅ膜を、非磁性絶縁体としてＳｉ
Ｏ2膜を用い、ＳｉＯ2 膜厚を変化させた場合の比透磁
率の周波数特性を示す。比透磁率は困難軸方向での値で
ある。ＮｉＦｅ膜厚はこの周波数帯域におけるＮｉＦｅ
膜の表皮深さ０．１６〜１．６μｍより十分薄い５０ｎ
ｍ（０．０５μｍ）に設定した。ＳｉＯ2 膜厚が５ｎｍ
では電気的絶縁不良により３０ＭＨｚ付近からμr ′の
減少、μr ″の増大が起きる。一方、ＳｉＯ2 膜厚が５
０ｎｍではＮｉＦｅ膜の強磁性共鳴周波数６５０ＭＨｚ
までμr ′一定となり、電気的絶縁はほぼ保たれ、さら
にＳｉＯ2 膜厚１００ｎｍでは絶縁効果はいっそう確実
となる。以上、非磁性絶縁体としてＳｉＯ2 膜を使用し
た場合、合金系磁性体間の電気的絶縁を保つには非磁性
絶縁体膜厚を５０ｎｍ以上とすることが効果的であるこ
とがわかる。なお、非磁性絶縁体膜厚の上限は実用上１
０ｍｍ以下とすることが好ましい。図２で示したよう
に、大きな比透磁率、すなわち大きな電磁波吸収効果を
実現し、また高周波の不要電磁波に対応するためには、
合金系磁性体２の膜面内に一軸磁気異方性を持たすこと
が効果的である。
【００１０】合金系磁性体２に膜面内一軸磁気異方性を
付与する方法としては、合金系磁性体の作製時に合金系
磁性体の膜面内方向に外部磁界を印加させる方法が挙げ
られる。合金系磁性体の膜面に外部磁界を印加させる方
法としては図５に示すように、例えば円筒状キャン９の
内部に配置した永久磁石７を利用する方法が挙げられ
る。この場合、外部磁界方向８の極性の向きはいずれの
方向でもよい。この方法で作製したＮｉＦｅ膜の磁化曲
線を図２（ａ）に示した。図２（ａ）では外部磁界方向
を容易軸とする明確な膜面内一軸磁気異方性が付与して
いるのがわかる。外部磁界を印加する手法としては、永
久磁石を用いる手法、電磁石を用いる手法が挙げられ、
いずれも同様の効果を得ることができる。
付与する方法としては、合金系磁性体の作製時に合金系
磁性体の膜面内方向に外部磁界を印加させる方法が挙げ
られる。合金系磁性体の膜面に外部磁界を印加させる方
法としては図５に示すように、例えば円筒状キャン９の
内部に配置した永久磁石７を利用する方法が挙げられ
る。この場合、外部磁界方向８の極性の向きはいずれの
方向でもよい。この方法で作製したＮｉＦｅ膜の磁化曲
線を図２（ａ）に示した。図２（ａ）では外部磁界方向
を容易軸とする明確な膜面内一軸磁気異方性が付与して
いるのがわかる。外部磁界を印加する手法としては、永
久磁石を用いる手法、電磁石を用いる手法が挙げられ、
いずれも同様の効果を得ることができる。
【００１１】その他の膜面内一軸磁気異方性付与法とし
て、合金系磁性体を外部磁界なしで作製した後、温度を
作製時以上に設定し、合金系磁性体の膜面内方向に外部
磁界を印加する方法が挙げられる。また、その他の膜面
内一軸磁気異方性付与法として、斜め堆積法が挙げられ
る。これは図１１に示すように合金系磁性体を基板１２
上に斜め方向１３から堆積させることにより、合金系磁
性体の結晶粒径を薄片状とし、形状磁気異方性により、
膜面内一軸磁気異方性を付与する方法である。これらい
ずれの方法によっても、同様の効果を得ることができ
る。
て、合金系磁性体を外部磁界なしで作製した後、温度を
作製時以上に設定し、合金系磁性体の膜面内方向に外部
磁界を印加する方法が挙げられる。また、その他の膜面
内一軸磁気異方性付与法として、斜め堆積法が挙げられ
る。これは図１１に示すように合金系磁性体を基板１２
上に斜め方向１３から堆積させることにより、合金系磁
性体の結晶粒径を薄片状とし、形状磁気異方性により、
膜面内一軸磁気異方性を付与する方法である。これらい
ずれの方法によっても、同様の効果を得ることができ
る。
【００１２】不要電磁波は電磁波吸収体に対して様々な
方向、角度で入射する。上記のように、図１の電磁波吸
収シートは困難軸方向に磁界成分を持つ不要電磁波に対
してのみ有効である。全ての方向、角度の不要電磁波に
対して有効とする方法として、図１において各合金系磁
性体２の一軸磁気異方性の方向を、互いに所望の角度を
成してずらして構成する方法が挙げられる。また、図６
に示すように、一軸磁気異方性を有する複数の電磁波吸
収シート１を、一軸磁気異方性の方向を互いに所望の角
度を成してずらして重ね合わせて構成しても同様の効果
を得ることができる。なお、合金系磁性体および非磁性
絶縁体の作製法としては、イオンビームスパッタ法、Ｒ
Ｆスパッタ法、マグネトロンスパッタ法、蒸着法などが
挙げられ、いずれも同様の効果を得ることができる。合
金系磁性体２としては、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉをベースとし
た磁性材料を、また非磁性絶縁体３および非磁性絶縁体
シート基板４としては、ＳｉＯ2 ，ＡｌＮ，Ａｌ
2 Ｏ3 ，ＢＮ，ＴｉＮ，ＳｉＣ，ポリエチレンナフタレ
ート（ＰＥＮ），ポリエチレンテレフタレート（ＰＥ
Ｔ），ポリイミド，カプトン，フォトレジストが使用で
き、いずれも同様の効果を得ることができる。合金系磁
性材料としては、上記の外に次のものも用いられる。Ｎ
ｉＦｅＭｏ，ＮｉＦｅＣｕ，ＮｉＦｅＣｒ，ＮｉＦｅＮ
ｂ，ＮｉＦｅＴｉ，ＮｉＦｅＳｉ，ＦｅＳｉ，ＦｅＣ，
ＦｅＮ，ＣｏＦｅ，ＦｅＳｉＡｌ，ＦｅＢ，ＦｅＢＳ
ｉ，ＣｏＢＳｉ，ＦｅＣｏＢＳｉ，ＦｅＣｏＮｉＢＳ
ｉ，ＣｏＸａ（Ｘａ：Ｙ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｔｉ，Ｎｂ，Ｍ
ｏ，Ｗ，Ｒｅ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｍｎ），ＣｏＸｂＸｃ（Ｘ
ｂ：Ｙ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｔｉ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｗ，Ｒｅ，Ｎ
ｉ，Ｆｅ，Ｍｎ、Ｘｃ：Ｙ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｔｉ，Ｎｂ，
Ｍｏ，Ｗ，Ｒｅ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｍｎ）など。
方向、角度で入射する。上記のように、図１の電磁波吸
収シートは困難軸方向に磁界成分を持つ不要電磁波に対
してのみ有効である。全ての方向、角度の不要電磁波に
対して有効とする方法として、図１において各合金系磁
性体２の一軸磁気異方性の方向を、互いに所望の角度を
成してずらして構成する方法が挙げられる。また、図６
に示すように、一軸磁気異方性を有する複数の電磁波吸
収シート１を、一軸磁気異方性の方向を互いに所望の角
度を成してずらして重ね合わせて構成しても同様の効果
を得ることができる。なお、合金系磁性体および非磁性
絶縁体の作製法としては、イオンビームスパッタ法、Ｒ
Ｆスパッタ法、マグネトロンスパッタ法、蒸着法などが
挙げられ、いずれも同様の効果を得ることができる。合
金系磁性体２としては、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉをベースとし
た磁性材料を、また非磁性絶縁体３および非磁性絶縁体
シート基板４としては、ＳｉＯ2 ，ＡｌＮ，Ａｌ
2 Ｏ3 ，ＢＮ，ＴｉＮ，ＳｉＣ，ポリエチレンナフタレ
ート（ＰＥＮ），ポリエチレンテレフタレート（ＰＥ
Ｔ），ポリイミド，カプトン，フォトレジストが使用で
き、いずれも同様の効果を得ることができる。合金系磁
性材料としては、上記の外に次のものも用いられる。Ｎ
ｉＦｅＭｏ，ＮｉＦｅＣｕ，ＮｉＦｅＣｒ，ＮｉＦｅＮ
ｂ，ＮｉＦｅＴｉ，ＮｉＦｅＳｉ，ＦｅＳｉ，ＦｅＣ，
ＦｅＮ，ＣｏＦｅ，ＦｅＳｉＡｌ，ＦｅＢ，ＦｅＢＳ
ｉ，ＣｏＢＳｉ，ＦｅＣｏＢＳｉ，ＦｅＣｏＮｉＢＳ
ｉ，ＣｏＸａ（Ｘａ：Ｙ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｔｉ，Ｎｂ，Ｍ
ｏ，Ｗ，Ｒｅ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｍｎ），ＣｏＸｂＸｃ（Ｘ
ｂ：Ｙ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｔｉ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｗ，Ｒｅ，Ｎ
ｉ，Ｆｅ，Ｍｎ、Ｘｃ：Ｙ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｔｉ，Ｎｂ，
Ｍｏ，Ｗ，Ｒｅ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｍｎ）など。
【００１３】具体的実施例を以下に示す。合金系磁性体
２にはＣｏＺｒＮｂを、非磁性絶縁体３にはＳｉＯ
2 を、非磁性絶縁体シート基板４には６μｍ厚のＰＥＴ
を使用し、イオンビームスパッタ法により作製した。ス
パッタ条件は、動作真空度Ａｒ１×１０-4Ｔｏｒｒ，加
速電圧１ｋＶ，基板温度は室温〜１６０℃とした。外部
磁界は永久磁石により印加した。堆積時のＣｏＺｒＮｂ
の膜面内一軸磁気異方性磁界は２０Ｏｅであったため、
回転磁界中熱処理により、３Ｏｅまで小さくした。困難
軸方向のμr ′（０）は３０００，ρm は１２０μΩｃ
ｍであった。ＣｏＺｒＮｂ膜厚はδ／１０から１０δを
満たす２．０μｍに、ＳｉＯ2 膜厚は電気的絶縁を保ち
得る０．１μｍに設定した。回転磁界中熱処理は、例え
ば図７に示すように電気炉１０の中で、合金系磁性体の
膜面に平行に外部磁界１１を印加し、電磁波吸収シート
を合金系磁性体の膜面に垂直な方向を軸に回転させ、合
金系磁性体の一軸磁気異方性の方向と外部磁界の方向
が、時間の経過と共に変化するように設置して行う熱処
理法である。熱処理は窒素ガス雰囲気中で行い、熱処理
温度は３５０℃、熱処理時間は１時間、外部磁界の大き
さは１００Ｏｅ、回転速度は４ｒｐｍとした。
２にはＣｏＺｒＮｂを、非磁性絶縁体３にはＳｉＯ
2 を、非磁性絶縁体シート基板４には６μｍ厚のＰＥＴ
を使用し、イオンビームスパッタ法により作製した。ス
パッタ条件は、動作真空度Ａｒ１×１０-4Ｔｏｒｒ，加
速電圧１ｋＶ，基板温度は室温〜１６０℃とした。外部
磁界は永久磁石により印加した。堆積時のＣｏＺｒＮｂ
の膜面内一軸磁気異方性磁界は２０Ｏｅであったため、
回転磁界中熱処理により、３Ｏｅまで小さくした。困難
軸方向のμr ′（０）は３０００，ρm は１２０μΩｃ
ｍであった。ＣｏＺｒＮｂ膜厚はδ／１０から１０δを
満たす２．０μｍに、ＳｉＯ2 膜厚は電気的絶縁を保ち
得る０．１μｍに設定した。回転磁界中熱処理は、例え
ば図７に示すように電気炉１０の中で、合金系磁性体の
膜面に平行に外部磁界１１を印加し、電磁波吸収シート
を合金系磁性体の膜面に垂直な方向を軸に回転させ、合
金系磁性体の一軸磁気異方性の方向と外部磁界の方向
が、時間の経過と共に変化するように設置して行う熱処
理法である。熱処理は窒素ガス雰囲気中で行い、熱処理
温度は３５０℃、熱処理時間は１時間、外部磁界の大き
さは１００Ｏｅ、回転速度は４ｒｐｍとした。
【００１４】図８に困難軸方向の比透磁率の周波数依存
性を示す。１０ＭＨｚ以上でμr ″＞μr ′となり、ま
たμr ，μr ″値は図１０のＭｎ−Ｚｎフェライトに比
較し大幅に大きな値となる。さらに図から明らかなよう
に、数百ＭＨｚ以上においてもμr ″は大きな値を維持
するため、数百ＭＨｚ以上の不要電磁波に対しても、有
効であることがわかる。次に合金系磁性体２にＮｉＦｅ
を、非磁性絶縁体３にＳｉＯ2 を、非磁性絶縁体シート
基板４に６μｍ厚のＰＥＮを使用し、蒸着法により作製
した実施例を示す。基板温度は室温〜１６０℃とし、外
部磁界は電磁石により印加した。ＮｉＦｅの膜面内一軸
磁気異方性磁界は３Ｏｅ、困難軸方向のμr ′（０）は
３０００，ρm は２０μΩｃｍであった。ＮｉＦｅ膜厚
はδ／１０から１０δを満たす２０μｍに、ＳｉＯ2 膜
厚は電気的絶縁を保ち得る０．１μｍに設定した。図９
に困難軸方向の比透磁率の周波数依存性を示す。１０Ｍ
Ｈｚ以上でμr ″＞μr ′となり、またμr ，μr ″値
は図１０のＭｎ−Ｚｎフェライトに比較し大幅に大きな
値となる。さらに図から明らかなように、数百ＭＨｚ以
上においてもμr ″は大きな値を維持するため、数百Ｍ
Ｈｚ以上の不要電磁波に対しても、有効であることがわ
かる。
性を示す。１０ＭＨｚ以上でμr ″＞μr ′となり、ま
たμr ，μr ″値は図１０のＭｎ−Ｚｎフェライトに比
較し大幅に大きな値となる。さらに図から明らかなよう
に、数百ＭＨｚ以上においてもμr ″は大きな値を維持
するため、数百ＭＨｚ以上の不要電磁波に対しても、有
効であることがわかる。次に合金系磁性体２にＮｉＦｅ
を、非磁性絶縁体３にＳｉＯ2 を、非磁性絶縁体シート
基板４に６μｍ厚のＰＥＮを使用し、蒸着法により作製
した実施例を示す。基板温度は室温〜１６０℃とし、外
部磁界は電磁石により印加した。ＮｉＦｅの膜面内一軸
磁気異方性磁界は３Ｏｅ、困難軸方向のμr ′（０）は
３０００，ρm は２０μΩｃｍであった。ＮｉＦｅ膜厚
はδ／１０から１０δを満たす２０μｍに、ＳｉＯ2 膜
厚は電気的絶縁を保ち得る０．１μｍに設定した。図９
に困難軸方向の比透磁率の周波数依存性を示す。１０Ｍ
Ｈｚ以上でμr ″＞μr ′となり、またμr ，μr ″値
は図１０のＭｎ−Ｚｎフェライトに比較し大幅に大きな
値となる。さらに図から明らかなように、数百ＭＨｚ以
上においてもμr ″は大きな値を維持するため、数百Ｍ
Ｈｚ以上の不要電磁波に対しても、有効であることがわ
かる。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の電磁波吸
収シートによれば、シート状と小型、軽量であるにもか
かわらず、大きな効果を実現できる。さらに、数百ＭＨ
ｚ以上の不要電磁波に対しても有効である。さらに製造
は容易であり、また、一軸磁気異方性の方向を互いに所
望の角度を成してずらすことにより、様々な方向、角度
で入射する不要電磁波に対しても大きな電磁波吸収効果
を奏することができる。
収シートによれば、シート状と小型、軽量であるにもか
かわらず、大きな効果を実現できる。さらに、数百ＭＨ
ｚ以上の不要電磁波に対しても有効である。さらに製造
は容易であり、また、一軸磁気異方性の方向を互いに所
望の角度を成してずらすことにより、様々な方向、角度
で入射する不要電磁波に対しても大きな電磁波吸収効果
を奏することができる。
【図１】本発明の電磁波吸収シートの実施例を示す図
で、（ａ）は１層の合金系磁性体の場合、（ｂ）は合金
系磁性体と非磁性絶縁体とを交互に複数層積層させた場
合、（ｃ）は（ｂ）図の部分拡大図を示す。
で、（ａ）は１層の合金系磁性体の場合、（ｂ）は合金
系磁性体と非磁性絶縁体とを交互に複数層積層させた場
合、（ｃ）は（ｂ）図の部分拡大図を示す。
【図２】磁化曲線を示す図で、（ａ）は一軸磁気異方性
を有する場合、（ｂ）は有さない場合を示す。
を有する場合、（ｂ）は有さない場合を示す。
【図３】比透磁率の合金系磁性体膜厚依存性を示す図で
ある。
ある。
【図４】非磁性絶縁体膜厚を変化させた場合の比透磁率
の周波数依存性を示す図である。
の周波数依存性を示す図である。
【図５】合金系磁性体の膜面に外部磁界を印加させる方
法を示す。
法を示す。
【図６】本発明の電磁波吸収シートの実施例を示す図で
ある。
ある。
【図７】回転磁界中熱処理を行う方法を示す。
【図８】比透磁率の周波数依存性を示す図である。
【図９】比透磁率の周波数依存性を示す図である。
【図１０】従来の電磁波吸収体（Ｍｎ−Ｚｎフェライ
ト）における比透磁率の周波数依存性を示す図である。
ト）における比透磁率の周波数依存性を示す図である。
【図１１】原料粒子の斜め堆積方法を示す。
１ 電磁波吸収シート ２ 合金系磁性体 ３ 非磁性絶縁体 ４ 非磁性絶縁体シート基板 ５ 容易軸方向 ６ 非磁性絶縁体シート基板 ７ 永久磁石 ８ 外部磁界方向 ９ 円筒状キャン １０ 電気炉 １１ 外部磁界 １２ 基板 １３ 原料粒子の入射方向
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成６年６月３日
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１１
【補正方法】追加
【補正内容】
【図１１】
Claims (8)
- 【請求項１】 １層の合金系磁性体から構成され、前記
合金系磁性体が、前記合金系磁性体の膜面に平行な方向
に、一軸磁気異方性を有することを特徴とする電磁波吸
収シート。 - 【請求項２】 非磁性絶縁体シート基板に接合した合金
系磁性体から構成され、かつ前記合金系磁性体が、前記
合金系磁性体の膜面に平行な方向に一軸磁気異方性を有
する電磁波吸収シートを、複数重ね合わせた構成を成
し、かつそれぞれの電磁波吸収シートにおける合金系磁
性体の一軸磁気異方性の方向が、互いに所望の角度をな
してずれていることを特徴とする電磁波吸収シート - 【請求項３】 合金系磁性体と、非磁性絶縁体とを交互
に積層させた多層体から構成され、前記合金系磁性体
が、前記合金系磁性体の膜面に平行な方向に、一軸磁気
異方性を有することを特徴とする電磁波吸収シート。 - 【請求項４】 合金系磁性体の一軸磁気異方性の方向
が、互いに所望の角度をなしてずれていることを特徴と
する請求項３記載の電磁波吸収シート。 - 【請求項５】 基板上に第１の合金系磁性体が堆積さ
れ、ついでその上に非磁性絶縁体が形成され、ついで前
記非磁性絶縁体の上に第２の合金系磁性体が堆積されて
なる、少なくとも３層以上の多層シートにおいて、前記
それぞれの合金系磁性体は膜面に平行な方向に一軸磁気
異方性を有することを特徴とする電磁波吸収シート。 - 【請求項６】 それぞれの合金系磁性体の一軸磁気異方
性の方向が所望の角度を成してずれていることを特徴と
する請求項５記載の電磁波吸収シート。 - 【請求項７】 合金系磁性体の厚さが、前記合金系磁性
体の表皮深さの１０分の１から１０倍の厚さであること
を特徴とする請求項１あるいは３あるいは５記載の電磁
波吸収シート。ここに表皮深さδは、高周波電磁波が、
合金系磁性膜（合金系磁性層）に侵入し得る表面からの
深さであり、合金系磁性膜（層）の電気抵抗ρm ，周波
数ｆ，静的比透磁率μr ′（０），真空の透磁率μ0 を
用いて、 δ＝〔２ρm ／（２πｆ・μr ′（０）・μ0 ）〕1/2 で表される。 - 【請求項８】 合金系磁性体として、ＮｉＦｅ，ＣｏＺ
ｒＮｂが用いられていることを特徴とする請求項１ある
いは３あるいは５記載の電磁波吸収シート。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6803894A JPH07249888A (ja) | 1994-03-11 | 1994-03-11 | 電磁波吸収シート |
| US08/257,769 US5990417A (en) | 1993-06-07 | 1994-06-06 | Electromagnetic noise absorbing material and electromagnetic noise filter |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6803894A JPH07249888A (ja) | 1994-03-11 | 1994-03-11 | 電磁波吸収シート |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07249888A true JPH07249888A (ja) | 1995-09-26 |
Family
ID=13362234
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6803894A Pending JPH07249888A (ja) | 1993-06-07 | 1994-03-11 | 電磁波吸収シート |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07249888A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0945916A3 (en) * | 1998-03-23 | 2000-06-07 | Fuji Polymer Industries Co,, Ltd. | Electromagnetic wave absorbing thermoconductive silicone gel molded sheet and method for producing the same |
| JP2007250938A (ja) * | 2006-03-17 | 2007-09-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Ｉｃチップ実装モジュール及びｉｃチップ実装方法 |
| JP2018195660A (ja) * | 2017-05-16 | 2018-12-06 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
| KR20200087710A (ko) * | 2019-01-11 | 2020-07-21 | 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 | 전자파 감쇠체 및 전자 장치 |
| KR20210120904A (ko) * | 2020-03-26 | 2021-10-07 | 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 | 전자파 감쇠체, 전자 장치, 성막 장치 및 성막 방법 |
-
1994
- 1994-03-11 JP JP6803894A patent/JPH07249888A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0945916A3 (en) * | 1998-03-23 | 2000-06-07 | Fuji Polymer Industries Co,, Ltd. | Electromagnetic wave absorbing thermoconductive silicone gel molded sheet and method for producing the same |
| US6284363B1 (en) | 1998-03-23 | 2001-09-04 | Fuji Polymer Industries Co., Ltd. | Electromagnetic wave absorbing thermoconductive silicone gel molded sheet and method for producing the same |
| US6521150B1 (en) | 1998-03-23 | 2003-02-18 | Fuji Polymer Industries Co., Ltd. | Method for producing an electromagnetic wave absorbing thermoconductive silicone gel molded sheet |
| JP2007250938A (ja) * | 2006-03-17 | 2007-09-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Ｉｃチップ実装モジュール及びｉｃチップ実装方法 |
| JP2018195660A (ja) * | 2017-05-16 | 2018-12-06 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
| KR20200087710A (ko) * | 2019-01-11 | 2020-07-21 | 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 | 전자파 감쇠체 및 전자 장치 |
| JP2020113650A (ja) * | 2019-01-11 | 2020-07-27 | 株式会社東芝 | 電磁波減衰体及び電子装置 |
| US11011474B2 (en) | 2019-01-11 | 2021-05-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Electromagnetic wave attenuator and electronic device |
| KR20210120904A (ko) * | 2020-03-26 | 2021-10-07 | 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 | 전자파 감쇠체, 전자 장치, 성막 장치 및 성막 방법 |
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