JPH0725060A - 光プリントヘッドおよびその製造方法 - Google Patents

光プリントヘッドおよびその製造方法

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JPH0725060A
JPH0725060A JP15474193A JP15474193A JPH0725060A JP H0725060 A JPH0725060 A JP H0725060A JP 15474193 A JP15474193 A JP 15474193A JP 15474193 A JP15474193 A JP 15474193A JP H0725060 A JPH0725060 A JP H0725060A
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emitting diode
metal
plating layer
diode array
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JP15474193A
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Katsunori Moritoki
克典 守時
Masaki Muto
正樹 武藤
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 発光ダイオードアレイチップを透光性基板上
に配列実装する工程でのワイヤボンドをなくし、光プリ
ントヘッドの生産性および信頼性を高める。 【構成】 透光性基板２１の表面上に複数の回路用導電
体膜２２を配列する。複数の発光ダイオード２４を直線
状に集積した発光ダイオードアレイチップ２３の発光面
側に、発光ダイオード２４の電極端子用金属バンプ２６
を配列する。発光ダイオードアレイチップ２３は、その
発光面を基板２１の表面に向けたフェイスダウン姿勢で
ダイボンドされ、金属バンプ２６は導体膜２２の金属め
っき層２７に接する。金属バンプ２６は金属めっき層２
７よりも高いヤング率を有し、金属めっき層２７の層厚
は、金属バンプ２６の高さばらつき寸度よりも大きい。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子写真方式のプリン
タやディジタル複写機などに組み込まれて、一次元イメ
ージ情報の電気信号を一次元の光学画像に変換する光プ
リントヘッドおよびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ノンインパクトプリンタの書き込み手段
として好適な光プリントヘッドは、電子写真方式のプリ
ンタやディジタル複写機などに適用されている。電子写
真方式のプリンタには、１本の変調レーザ光を回転多面
鏡に当てて偏向させ、得られた偏向光を電子写真感光体
に照射させる方式のものや、発光ダイオードアレイから
輻射させた複数本の光をセルフォックレンズアレイで集
束し、電子写真感光体に照射させる方式のものなどがあ
る。後者は十分な光量を得ることができるのみならず並
列書き込みができ、かつ、光学系を小型に設計できるこ
とから、高速プリンタやパーソナルファクシミリなどに
適用されている。
【０００３】発光ダイオードアレイを用いた光プリント
ヘッドに付属させる光学系には、等倍光学レンズたる集
束性ロッドレンズアレイや、光ファイバアレイ基板（特
開昭５５−９８８７９号公報）などがあり、後者はプリ
ンタを小型に構成できて比較的安価でもある。
【０００４】従来の代表的な光プリントヘッドを図９お
よび図１０を参照して説明すると、絶縁基板１上に回路
導体膜２およびダイボンド用導電性樹脂層３を介してダ
イボンドされている複数個の発光ダイオードアレイチッ
プ４は、直線状に並んでいる。各発光ダイオードアレイ
チップ４は、単結晶半導体基板にモノリシックにつくり
込まれた複数の発光ダイオード５と、その電極端子６と
を有している。絶縁基板１上には駆動用ＩＣ７が、発光
ダイオードアレイチップ４と同様にダイボンドされてお
り、それぞれの電極端子６、８が金属ワイヤ９によって
相互にワイヤボンドされている。発光ダイオード５の出
力光は、集束性ロッドレンズアレイ１０を通じてとり出
され、焦点１１で結像する。１２はシャーシを示す。
【０００５】外部端子１３を通じて入力された情報信号
は、回路用導体膜２および金属ワイヤ９を通じて駆動用
ＩＣ７に伝達され、駆動用ＩＣ７はこの情報信号をシリ
アル・パラレル変換し、発光強度補正を行うなどして当
該発光ダイオードアレイチップ４の発光ダイオード５
に、再び金属ワイヤ９を通じて信号伝達する。発光ダイ
オードアレイチップ４は、伝達された信号電流に比例し
た輻射強度で当該発光ダイオード５を発光させる。
【０００６】このような光プリントヘッドを用いた光プ
リンタの構成を図１１に示す。感光体ドラム１４は、ア
ルミニウム等からなる円筒状導体上に有機光導電体（Ｏ
ＰＣ）やアモルファスシリコン感光体等の光伝導性材料
層を有し、矢印の方向に回転する。帯電器１５は感光体
ドラム１４の表面に数百Ｖの均一帯電を施す。光プリン
トヘッド１６は図９および図１０に示したもので、その
焦点が感光体ドラム１４の表面上に位置するように配置
されている。発光ダイオード５からロッドレンズアレイ
１０を通じて輻射された光信号は、感光体ドラム１４の
表面上に結像して一次元静電潜像を描く。この静電潜像
は現像器１７でトナー現像され、得られたトナー像は転
写器１８で転写紙１９に転写される。２０はクリーナを
示す。
【０００７】ここで、従来の光プリントヘッド１６の製
造方法を説明しておくと、まず、単結晶ＩＩＩ−Ｖ族半
導体基板（ウエハ）に、モノリシックに発光ダイオード
５およびその電極端子６をつくり込み、このウエハを発
光ダイオードアレイチップ４の単位に切断分離する。一
方、絶縁基板１の表面上の所定の回路用導体膜２上に導
電性樹脂層３を塗布形成し、その上に複数個の発光ダイ
オードアレイチップ４を直線状に並べる。これと同様
に、駆動用ＩＣ７も当該回路用導体膜２上に導電性樹脂
層３を介して載置する。その後、約１５０℃の温度下で
両樹脂層３、３を硬化させてダイボンドする。つぎに、
両電極端子６、８間に金線またはアルミニウム線を用い
たワイヤボンドを施し、完成した光プリントヘッド１６
を集束性ロッドレンズアレイ１０とともにシャーシ１２
に組み込む。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような構
成であると、個々の発光ダイオード５の電極端子６に対
して逐一ワイヤボンドを施す必要がある。一例として、
発光ダイオード解像度が４００ｄｐｉの光プリントヘッ
ド（Ａ４サイズ）においては、発光ダイオードアレイチ
ップ４側だけで３，４５６本、駆動用ＩＣ７側を含める
と約４，０００本の各ワイヤボンドが必要となる。この
ため、高速のワイヤボンダーを用いても３０分〜１時間
の時間をワイヤボンドに費やすことになり、これが生産
性および歩留まりの向上を阻む大きな要因になってい
た。
【０００９】また、絶縁基板１上に搭載された発光ダイ
オードアレイチップ４の高さが、ダイボンド用導電性樹
脂層３の層厚や位置によってばらつきやすく、これが、
集束性ロッドレンズアレイ１０の焦点位置を狂わせて、
発光出力や解像度に低下をきたすという課題もあった。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は上述した課題を
解決するために、複数の回路用導体膜を表面上に配列し
ている透光性基板と、直線状に並んだ複数の発光ダイオ
ードを集積して、各発光ダイオードの電極端子としての
金属バンプを発光面側の面上に配列している発光ダイオ
ードアレイチップとからなり、発光ダイオードアレイチ
ップはその発光面を透光性基板の表面に向けてダイボン
ドされ、前記金属バンプは前記回路用導体膜の金属めっ
き層に接し、前記金属バンプが前記金属めっき層に比べ
て高いヤング率を有していることを特徴とする光プリン
トヘッドが提供される。
【００１１】また、複数の回路用導体膜を表面上に配列
している透光性基板と、直線状に並んだ複数の発光ダイ
オードを集積して、各発光ダイオードの電極端子として
の金属バンプを発光面側の面上に配列している発光ダイ
オードアレイチップとからなり、発光ダイオードアレイ
チップはその発光面を透光性基板の表面に向けてダイボ
ンドされ、前記金属バンプは前記回路用導体膜上の少な
くとも前記金属バンプに対向する位置に形成された金属
めっき層に接し、前記金属めっき層が前記金属バンプの
高さのばらつき寸度よりも大きく前記金属バンプの高さ
よりは小さい層厚を有していることを特徴とする光プリ
ントヘッドが提供される。
【００１２】さらに、発光ダイオードアレイチップの発
光面側の面上に配列された電極端子たる金属バンプを、
透光性基板の表面上に配列された回路用導体膜の金属め
っき層の所定位置に重ね合わせる工程と、発光ダイオー
ドアレイチップを透光性基板側へ加圧して仮固定をする
工程と、前記加圧を解く工程と、前記金属バンプと前記
回路用導体膜上の前記金属めっき層とを、前者の融点と
後者の融点との間の温度に加熱して本固定をする工程
と、発光ダイオードアレイチップと透光性基板との間隙
に透光性絶縁樹脂を注入する工程と、透光性絶縁樹脂を
硬化させる工程とを備えたことを特徴とする光プリント
ヘッドの製造方法が提供される。
【００１３】
【作用】本発明によると、発光ダイオードアレイチップ
が、その発光面を透光性基板の表面に向けたフェイスダ
ウン姿勢でダイボンドされ、発光ダイオードの電極端子
が透光性基板の表面上の回路用導体膜に直接に接して結
合される。このため、従来のワイヤボンドは不要とな
り、ワイヤボンドに相当する前記結合が、ダイボンドと
同時に達成され、しかも、複数箇所における前記結合が
一挙に達成される。
【００１４】また、前記結合は金属バンプを金属めっき
層に強く押し当てるかたちで達成されるので、ダイボン
ド用導電性樹脂層の層厚にばらつきがあっても、これを
ダイボンド時に均等化させることができる。
【００１５】さらに、金属バンプのヤング率を金属めっ
き層のヤング率よりも高く設定したり、金属めっき層の
層厚を金属バンプの高さばらつき寸度よりも大きく設定
したりすることによって、本固定の工程に先立って施さ
れる重要な仮固定を確実なものにすることができる。
【００１６】
【実施例】つぎに本発明の一実施例を図面の参照により
説明する。
【００１７】図１に示すように、透光性基板２１はその
表面上に複数の回路用導体膜２２を配列している。発光
ダイオードアレイチップ２３は、直線状に並んだ複数の
発光ダイオード２４をモノリシックに集積しており、各
発光ダイオード２４の電極リード部２５上に電極端子と
して設けられた金属バンプ２６が、発光面側の面上に配
列されている。発光ダイオードアレイチップ２３は、そ
の発光面が透光性基板２１の表面に向き合うフェイスダ
ウン姿勢でダイボンドされている。そして、金属バンプ
２６が回路用導体膜２２の金属めっき層２７に接してい
る。回路用導体膜２２はその全長のうち、金属バンプ２
６が当接する表面部分にのみ金属めっき層２７を有して
いる。また、透光性基板２１は、少なくとも光路となる
領域が透明であればよい。２８は透光性絶縁樹脂層、２
９は導電性樹脂層、３０はチップ裏面電極、３１は駆動
用ＩＣを示す。
【００１８】このように構成された光プリントヘッドは
図２に示すように、集束性ロッドレンズアレイ３２とと
もにシャーシ３３に組み込まれる。３４は外部端子、３
５は感光体ドラムを示す。
【００１９】外部端子３４に入力された情報信号電圧
は、回路用導体膜２２、金属めっき層２７および金属バ
ンプ２６を通じて駆動用ＩＣ３１に入力される。ここ
で、シフトレジスタによるパラレルシリアル変換や電圧
・電流変換など、発光ダイオードアレイチップ２３への
出力補正が行われる。そして、各発光ダイオード２４に
対する信号電流が、再び回路用導体膜２２を通じて発光
ダイオードアレイチップ２３の当該電極リード部２５に
入力され、それぞれの発光ダイオード２４は入力された
信号電流に応じた発光強度で光輻射する。
【００２０】このように構成された光プリントヘッドの
製造方法は以下のとおりである。まず、単結晶ＩＩＩ−
Ｖ属半導体基板（ウエハ）に、複数の発光ダイオード２
４とその電極リード部２５をつくり込む。本例では発光
波長６６０ｎｍおよび７４０ｎｍの発光ダイオードを１
６ｄｏｔ／ｍｍでつくり込んだ。つぎに、電極リード部
２５上に金属バンプ２６を形成する。金属バンプ２６は
金、インジュウムまたは半田等をめっき法で形成した
り、金線等の金属細線を熱エネルギーと超音波エネルギ
ーとで球状に融着させたものであってもよい。本例では
線径約２５μｍの金線を球状に融着した数μｍ〜５０μ
ｍの突起を金属バンプ用に形成した。こののち、ウエハ
を高精度ダイシング技術によって発光ダイオードアレイ
チップ２３の単位に切断分離する。
【００２１】一方、透光性基板２１の表面上に複数の回
路用導体膜２２を形成する。回路用導体膜２２は、金の
厚膜ペーストを印刷し硬化させたのち、フォトリソグラ
フ法によってパターニングし、エッチング加工を施して
所定のパターン膜に形成する。回路用導体膜２２のう
ち、発光ダイオードアレイチップ２３の電極リード部２
５に対向する部分に金属めっき層２７を形成する。本例
では、電解めっき法を適用して層厚約１μｍのニッケル
めっき層を形成したのち、層厚約１０μｍの半田めっき
層を形成した。
【００２２】つぎに、この発光ダイオードアレイチップ
２３を図３の（ａ）に示すように、透光性基板２１の所
定位置に配列する。なお、図３には１個の発光ダイオー
ドアレイチップ２６につき３個の金属バンプ２６が示さ
れているにすぎないが、実際には各発光ダイオードアレ
イチップ２３につき６４個の発光ダイオードが集積され
ているので、６４個の金属バンプ２６が存在する。
【００２３】つぎに図３の（ｂ）に示すように、加圧ツ
ール３７を用い、透光性基板２１の表面上に位置合わせ
されている発光ダイオードアレイチップ２３の裏面側か
ら鉛直方向に加圧する。この加圧によって金属バンプ２
６および金属めっき層２７が弾性変形を起こす。その後
にこの加圧を緩めるが、この工程によって発光ダイオー
ドアレイチップ２３が透光性基板２１の表面上に仮固定
される。
【００２４】金属バンプ２６のヤング率は、金属めっき
層２７のヤング率よりも大きく設定する。このような関
係に材料を選ぶことによって、金属めっき層２７が金属
バンプ２６よりも先に大きな弾性変形を起こし、金属バ
ンプ２６が金属めっき層２７内に埋め込まれる。これに
続いて金属バンプ２６が弾性変形を起こし、レベリング
されるので高さばらつきが是正される。このようなメカ
ニズムによって金属バンプ２６が金属めっき層２７に仮
固定される。
【００２５】金属めっき層２７の層厚を金属バンプ２６
の弾性変形後の高さばらつき寸度よりも大きく設定する
ことによって、すべての金属バンプ２６をすべての金属
めっき層２７に確実に埋入でき、十分な仮固定の効果を
得ることができる。
【００２６】金属めっき層２７の層厚は、金属バンプ２
６の弾性変形後の高さよりも小さく設定しておく。もし
も、金属めっき層２７の層厚が金属バンプ２６の高さと
同等以上であると、金属バンプ２６が金属めっき層２７
内に完全に埋まってしまい、発光ダイオードアレイチッ
プ２３に形成されている電極リード部２５に半田等のめ
っき層材料が接触する危険がある。電極リード部２５は
通常、アルミニウムを主成分とする金属からなるので、
半田に対して腐食しやすく信頼性を低下させる。そこ
で、半田等の金属めっき層２７の層厚を金属バンプ２６
の弾性変形後の高さよりも小さくすることによって、電
極リード部２５と金属めっき層２７との接触を避ける。
【００２７】本例では金からなる金属バンプ２６の加圧
後の高さばらつきを３μｍ未満に抑えることができたの
で、半田からなる金属めっき層２７の層厚は３μｍ〜３
０μｍが適当な値であった。とくに層厚を１０μｍ〜２
０μｍの範囲に選ぶと、仮固定での安定性および本固定
での信頼性の両面で好ましい結果が得られた。
【００２８】同様にして、第２および第３の発光ダイオ
ードアレイチップを順次に配列し、順次に加圧して光プ
リントヘッドの光記録幅に相当する個数の発光ダイオー
ドアレイチップ２３を配列する（図３のｃ）。本実施例
においては５４個のチップを直線上に配置してＡ４サイ
ズ１６ｄｏｔ／ｍｍの密着型光プリントヘッドを作製し
た。
【００２９】図３には発光ダイオードアレイチップ２３
のみを示したが、駆動用ＩＣ３１に対しても上述と同様
の金属バンプを形成する。そして、切断分割後の半導体
チップを所定位置に配列し、加圧によって仮固定する。
【００３０】つぎに、発光ダイオードアレイチップ２３
および駆動用ＩＣ３１が仮固定された透光性基板２１を
高温雰囲気中に置く。このとき、金属バンプ２６の融点
と金属めっき層２７の融点との間の温度に設定する。本
例では１８５℃〜２２０℃の温度に設定した。これによ
って、融点の低い半田めっき層のみが融解し、その表面
張力によって金バンプの表面上に吹上がり、理想的な半
田接続効果を得ることができた（図３のｄ）。
【００３１】つぎに、発光ダイオードアレイチップ２３
および駆動用ＩＣ３１と、透光性基板２１との各間隙に
透光性絶縁樹脂層２８を充填によって形成する。この材
料としては紫外線硬化型の透光性絶縁樹脂を用いる。そ
して、充填後に紫外線を透光性基板２１のチップ非装着
面から照射して硬化させる（図３のｅ）。
【００３２】本例では紫外線硬化樹脂を用いたが、熱硬
化型のものであってもよい。また、熱・紫外線併用型の
樹脂であってもよい。発光ダイオードアレイチップ２３
に対しては透光性絶縁樹脂を充填するが、駆動用ＩＣ３
１に対しては透光性のものである必要はない。
【００３３】こののち、発光ダイオードアレイチップ２
３の裏面電極３０と所定の回路用導体膜２２とを電気的
に接続するためのエポキシ系導電性樹脂層２９を形成す
る。
【００３４】エポキシ系導電性樹脂を塗布して１３０℃
〜１５０℃の温度下で約１時間硬化させる（図３の
ｆ）。
【００３５】以上のような構成および製造方法であるの
で、ダイボンド工程とワイヤボンド工程との２工程を設
定する必要がなくなり、電気的接続と機械的接続とが同
時に得られる。また、発光ダイオードアレイチップと駆
動用ＩＣとの間における多数箇所での電気的接続を一挙
に達成できるので、量産性に富んだ信頼性の高い光プリ
ントヘッドを得ることができる。 発光ダイオードアレ
イチップを駆動させる集積回路を発光ダイオードアレイ
チップと同時に仮固定、本硬化、透光性絶縁樹脂充填、
透光性絶縁樹脂硬化、導電性樹脂塗布、導電性樹脂硬化
させることが可能であり、これによって更に生産性を向
上させることができる。
【００３６】図４に示す実施例の光プリントヘッドで
は、光ファイバアレイ基板３８を用いている。３９は光
ファイバ束を示す。光ファイバアレイ基板３８は図５な
いし図７に示すような構造になっている。４０はベース
ガラスを示す。光ファイバ束３９を構成する光ファイバ
は、開口数（ＮＡ）に相当する入射角より大きな角度の
光を除去するために、図７に示すようにコア４１の周囲
に屈折率の小さなクラッド４２を有し、その周囲に光吸
収体層４３を有している。コア径が１２、開口数が０．
９の光ファイバを用いた。各コア４１には約２μｍの厚
さのクラッド４２と、約２μｍの厚さの光吸収体層４３
が被覆されている。この様な光ファイバを複数本まとめ
て光ファイバ束３９を形成し、光ファイバとほぼ同等の
熱膨脹係数を有する２枚のベースガラス４０、４０間に
光ファイバ束３９を挟んで配列し、加熱・加圧して溶融
し一体化する。このため、当初は円形であった光ファイ
バ束は変形し、五角形あるいは六角形のような断面形状
になる。これを適度な厚さに切り出し、光ファイバの露
出端面を光学的に鏡面に研磨して光ファイバアレイ基板
３８を得る。この光ファイバアレイ基板上に前記実施例
におけると同様に回路用導体膜２２を形成する。このと
き、発光ダイオードアレイチップ２３の発光ダイオード
２４が光ファイバ束３９の端面に対向し得るように形成
する。金属めっき層および金属バンプの形成は前述した
実施例と同様に行う。
【００３７】このように構成された光プリントヘッドの
動作は前述した実施例のものと基本的に同様である。発
光ダイオードから輻射された光は、光ファイバの端面か
ら入射する。ファイバの開口数に対応した角度より小さ
い角度で入射した光だけがファイバのコア内部で完全反
射を繰り返して、ファイバの他端から出射される。
【００３８】図８に示すように、光ファイバアレイ基板
３８の光ファイバの他端は感光体ドラム３５に近接して
配置されており、感光体ドラム３５の所定位置に光を照
射する。なお、開口数に対応した角度より大きい角度で
入射した光は、各光ファイバの光吸収体層４３で吸収さ
れる。
【００３９】ここで感光体ドラム３５を、透光性ベルト
に透明電極を形成したのち、感光体を塗布した感光体ベ
ルトを用いることができる。この場合、光ファイバアレ
イ基板３５を感光体ベルトの感光体が塗布されていない
面に密着させることができ、このように構成すると、解
像度等の面で有利である。
【００４０】このようにして得られた光プリントヘッド
では、従来のセルフォックレンズアレイを用いた光プリ
ントヘッドと同一の発光ダイオードを用いて記録体を照
明したとき、約４〜８倍の光信号を得ることができた。
【００４１】
【発明の効果】以上のように本発明によると、発光ダイ
オードアレイチップの電極端子から駆動用ＩＣに通じる
電気的接続にワイヤボンドを要しないので、光プリント
ヘッドの生産性、信頼性および歩留まりをともに大幅に
向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例における光プリントヘッドの
断面図。
【図２】本発明の一実施例における光プリントヘッドを
適用したプリンタの要部の断面図。
【図３】本発明の一実施例における光プリントヘッドの
製造工程図。
【図４】本発明の他の実施例における光プリントヘッド
の側面図。
【図５】光ファイバアレイ基板の説明図。
【図６】光ファイバアレイ基板の説明図。
【図７】光ファイバアレイ基板の説明図。
【図８】本発明の他の実施例における光プリントヘッド
を適用したブリンタの要部の断面図。
【図９】従来の光プリントヘッドの横断面図。
【図１０】従来の光プリントヘッドの縦断面図。
【図１１】光プリンタの構成図。
【符号の説明】
２１ 透光性基板 ２２ 回路用導体膜 ２３ 発光ダイオードアレイチップ ２４ 発光ダイオード ２５ 電極リード部 ２６ 金属バンプ ２７ 金属めっき層

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 複数の回路用導体膜を表面上に配列して
    いる透光性基板と、 直線状に並んだ複数の発光ダイオードを集積して、各発
    光ダイオードの電極端子としての金属バンプを発光面側
    の面上に配列している発光ダイオードアレイチップとか
    らなり、 発光ダイオードアレイチップはその発光面を透光性基板
    の表面に向けてダイボンドされ、前記金属バンプは前記
    回路用導体膜上の少なくとも前記金属バンプに対向する
    位置に形成された金属めっき層に接し、前記金属バンプ
    が前記金属めっき層に比べて高いヤング率を有している
    ことを特徴とする光プリントヘッド。
  2. 【請求項２】 複数の回路用導体膜を表面上に配列して
    いる透光性基板と、 直線状に並んだ複数の発光ダイオードを集積して、各発
    光ダイオードの電極端子としての金属バンプを発光面側
    の面上に配列している発光ダイオードアレイチップとか
    らなり、 発光ダイオードアレイチップはその発光面を透光性基板
    の表面に向けてダイボンドされ、前記金属バンプは前記
    回路用導体膜上の少なくとも前記金属バンプに対向する
    位置に形成された金属めっき層に接し、前記金属めっき
    層が前記金属バンプの高さばらつき寸度よりも大きく前
    記金属バンプの高さよりは小さい層厚を有していること
    を特徴とする光プリントヘッド。
  3. 【請求項３】 金属バンプが金からなり、金属めっき層
    が半田からなることを特徴とする請求項１または請求項
    ２記載の光プリントヘッド。
  4. 【請求項４】 金属バンプが非共晶半田からなり、金属
    めっき層が共晶半田からなることを特徴とする請求項１
    または請求項２記載の光プリントヘッド。
  5. 【請求項５】 発光ダイオードアレイチップの発光面側
    の面上に配列された電極端子たる金属バンプを、透光性
    基板の表面上に配列された回路用導体膜の金属めっき層
    の所定位置に重ね合わせる工程と、 発光ダイオードアレイチップを透光性基板側へ加圧して
    仮固定をする工程と、 前記加圧を解く工程と、 前記金属バンプと前記回路用導体膜上の前記金属めっき
    層とを、前者の融点と後者の融点との間の温度に加熱し
    て本固定をする工程と、 発光ダイオードアレイチップと透光性基板との間隙に透
    光性絶縁樹脂を注入する工程と、 透光性絶縁樹脂を硬化させる工程とを備えたことを特徴
    とする光プリントヘッドの製造方法。
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