JPH07253919A - 画像メモリ装置 - Google Patents
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- JPH07253919A JPH07253919A JP6042522A JP4252294A JPH07253919A JP H07253919 A JPH07253919 A JP H07253919A JP 6042522 A JP6042522 A JP 6042522A JP 4252294 A JP4252294 A JP 4252294A JP H07253919 A JPH07253919 A JP H07253919A
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- memory
- pixels
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 メモリ使用効率が高く、ハード量を削減可能
な画像メモリ装置を提供する。 【構成】 アドレス補正回路1が中心画素の入力座標4
1から周辺画素のメモリアドレス生成の補正を行い、ア
ドレス変換器11に出力すると、アドレス変換器11は
未使用領域を削減するアドレス変換を行う。複数画素を
同一アドレスに割り当てて構成したメモリA21〜24
は、メモリアドレスに該当するデータを、リード時はデ
ータバス81〜88に出力、ライト時はデータバス81
〜88から入力する。セレクタ31が、リードデータか
ら必要な周辺画素値を選択し、データ出力91〜96と
して出力する。
な画像メモリ装置を提供する。 【構成】 アドレス補正回路1が中心画素の入力座標4
1から周辺画素のメモリアドレス生成の補正を行い、ア
ドレス変換器11に出力すると、アドレス変換器11は
未使用領域を削減するアドレス変換を行う。複数画素を
同一アドレスに割り当てて構成したメモリA21〜24
は、メモリアドレスに該当するデータを、リード時はデ
ータバス81〜88に出力、ライト時はデータバス81
〜88から入力する。セレクタ31が、リードデータか
ら必要な周辺画素値を選択し、データ出力91〜96と
して出力する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、映像機器、画像処理装
置などに利用する画像メモリ装置に関する。
置などに利用する画像メモリ装置に関する。
【0002】
【従来の技術】映像機器や画像処理装置に適用されるハ
イビジョン画像回路では、ハイビジョン画像1フレーム
のサイズを持った画像メモリを備えて構成されている。
従来、このような画像メモリとして、図8に示すよう
に、ハイビジョン画像1フレーム200をラスタ順に1
画素ずつ順次記憶し、水平座標X、垂直座標Yで示され
るアドレスの周辺6画素を同時にランダム読みだしする
ものが実現されている。
イビジョン画像回路では、ハイビジョン画像1フレーム
のサイズを持った画像メモリを備えて構成されている。
従来、このような画像メモリとして、図8に示すよう
に、ハイビジョン画像1フレーム200をラスタ順に1
画素ずつ順次記憶し、水平座標X、垂直座標Yで示され
るアドレスの周辺6画素を同時にランダム読みだしする
ものが実現されている。
【0003】同図にあって、ハイビジョン画像1フレー
ム分のメモリとして要求されるサイズは、水平方向に1
920画素、垂直方向に1035ライン、1画素当たり
のビット数が10ビットである。また周辺6画素とは、
図9に示すように、リードアドレスの整数値が示す黒い
画素を中心とした、周囲の白い5画素201を含む6画
素として定義される。
ム分のメモリとして要求されるサイズは、水平方向に1
920画素、垂直方向に1035ライン、1画素当たり
のビット数が10ビットである。また周辺6画素とは、
図9に示すように、リードアドレスの整数値が示す黒い
画素を中心とした、周囲の白い5画素201を含む6画
素として定義される。
【0004】図10は従来の画像メモリ装置のブロック
構成を示している。同図において、101はアドレス補
正回路であり、アドレス入力151を入力とし、メモリ
アドレス161〜168を出力とする。111〜118
はメモリBであり、メモリアドレス161〜168、制
御信号171〜178を入力とし、データバス181〜
188を入出力とする。121はセレクタであり、アド
レス入力151、データバス181〜188を入力と
し、データ出力191〜196を出力とする。
構成を示している。同図において、101はアドレス補
正回路であり、アドレス入力151を入力とし、メモリ
アドレス161〜168を出力とする。111〜118
はメモリBであり、メモリアドレス161〜168、制
御信号171〜178を入力とし、データバス181〜
188を入出力とする。121はセレクタであり、アド
レス入力151、データバス181〜188を入力と
し、データ出力191〜196を出力とする。
【0005】図11に従来例のメモリマップを示す。メ
モリのアドレス割付は2次元的に行なうものとし、水平
座標Xを下位アドレスに、垂直座標Yを上位アドレスに
割り当てる。
モリのアドレス割付は2次元的に行なうものとし、水平
座標Xを下位アドレスに、垂直座標Yを上位アドレスに
割り当てる。
【0006】ハッチング部分で示される202が、メモ
リの使用する有効画像領域である。垂直方向に1035
ラインあるため、垂直アドレスは2047まで必要とな
る。従って図中の白で示される203が、メモリの未使
用領域となる。
リの使用する有効画像領域である。垂直方向に1035
ラインあるため、垂直アドレスは2047まで必要とな
る。従って図中の白で示される203が、メモリの未使
用領域となる。
【0007】図12に、従来例のバンクの割り当てを示
す。これによれば、画像メモリを水平4画素x垂直2ラ
インの8画素単位のブロック204に区切り、各ブロッ
ク204の8画素に8バンクを割り当てている。そして
同一ブロック内の8画素には、同一メモリアドレスを割
り当てている。従って、(X、Y)座標で示される画素
データは、該当バンク番号のメモリの該当ブロックのア
ドレスに保持されることになる。
す。これによれば、画像メモリを水平4画素x垂直2ラ
インの8画素単位のブロック204に区切り、各ブロッ
ク204の8画素に8バンクを割り当てている。そして
同一ブロック内の8画素には、同一メモリアドレスを割
り当てている。従って、(X、Y)座標で示される画素
データは、該当バンク番号のメモリの該当ブロックのア
ドレスに保持されることになる。
【0008】ここでメモリのバンク1乃至8には、メモ
リB111乃至B118が、それぞれ割り当てられる。
これら8バンクの各メモリB111〜B118は、51
2Kワードx10ビットのメモリが必要であり、各メモ
リBは256Kワードx4ビットのSRAM6個で構成
されている。
リB111乃至B118が、それぞれ割り当てられる。
これら8バンクの各メモリB111〜B118は、51
2Kワードx10ビットのメモリが必要であり、各メモ
リBは256Kワードx4ビットのSRAM6個で構成
されている。
【0009】前記のような1画素当たり12ビットの構
成によれば、図11で明らかなように、2ビットが未使
用領域となる。
成によれば、図11で明らかなように、2ビットが未使
用領域となる。
【0010】次に前記の従来例の動作を、ライト時とリ
ード時に分けて説明する。まず、座標(X、Y)の画素
データを書き込む場合の動作を説明する。アドレス入力
151はX、Yで表現され、2進表現ではそれぞれ 数
1、数2で示される。
ード時に分けて説明する。まず、座標(X、Y)の画素
データを書き込む場合の動作を説明する。アドレス入力
151はX、Yで表現され、2進表現ではそれぞれ 数
1、数2で示される。
【0011】
【数1】
【0012】
【数2】
【0013】アドレス補正101は、アドレス入力15
1の数1、数2を受信し、Xアドレスについては各バン
ク毎に数3の値に基づいて、図13に示す値を加算して
数4に補正する。
1の数1、数2を受信し、Xアドレスについては各バン
ク毎に数3の値に基づいて、図13に示す値を加算して
数4に補正する。
【0014】
【数3】
【0015】
【数4】
【0016】さらに、Yアドレスについても数5の値に
基づいて、図14に示す値を加算して数6に補正し、各
バンク毎に数7をメモリアドレス161〜168として
出力するものである。
基づいて、図14に示す値を加算して数6に補正し、各
バンク毎に数7をメモリアドレス161〜168として
出力するものである。
【0017】
【数5】
【0018】
【数6】
【0019】
【数7】
【0020】メモリB111〜118では、数5、数3
から決まるバンク(8個のメモリBのいずれか)のデー
タバス(181〜188のいずれか)に、書き込む画像
データが与えられる。ここで該当するバンクの制御信号
(171〜178のいずれか)をライト状態にすること
により、メモリアドレス161〜168に示されるアド
レスに画像データが書き込まれる。
から決まるバンク(8個のメモリBのいずれか)のデー
タバス(181〜188のいずれか)に、書き込む画像
データが与えられる。ここで該当するバンクの制御信号
(171〜178のいずれか)をライト状態にすること
により、メモリアドレス161〜168に示されるアド
レスに画像データが書き込まれる。
【0021】ついで、座標(X、Y)の周辺6画素をリ
ードするリード動作を説明する。ここで各バンクのアド
レスはX、Yの値により異なる場合がある。例えは中心
画素がバンク5にある場合は、バンク4、8のX方向の
アドレスは1減算されたものになる。中心画素がバンク
8にある場合は、バンク1、5のX方向のアドレスは1
加算したものになる。あるいは中心画素がバンク2にあ
る場合は、バンク5、6、7のY方向のアドレスは1減
算したものになる。
ードするリード動作を説明する。ここで各バンクのアド
レスはX、Yの値により異なる場合がある。例えは中心
画素がバンク5にある場合は、バンク4、8のX方向の
アドレスは1減算されたものになる。中心画素がバンク
8にある場合は、バンク1、5のX方向のアドレスは1
加算したものになる。あるいは中心画素がバンク2にあ
る場合は、バンク5、6、7のY方向のアドレスは1減
算したものになる。
【0022】アドレス補正101は、前記ライト時と同
様な動作をする。すなわちアドレス補正101は、アド
レス入力151から数1、数2を受信し、各バンク毎に
数3の値に基づいて図13に示す値を加算して数4を求
める。次に数5の値に基づいて図14に示す値を加算し
て数6を求め、各バンク毎に数7をメモリアドレス16
1〜168として出力する。
様な動作をする。すなわちアドレス補正101は、アド
レス入力151から数1、数2を受信し、各バンク毎に
数3の値に基づいて図13に示す値を加算して数4を求
める。次に数5の値に基づいて図14に示す値を加算し
て数6を求め、各バンク毎に数7をメモリアドレス16
1〜168として出力する。
【0023】メモリB111〜B118は、制御信号1
71〜178のリード状態とメモリアドレス161〜1
68により周辺の8画素をリードし、データバス181
〜188に出力する。セレクタ121はアドレス入力の
うち数5、数3により、8画素の中からリードしたい周
辺6画数素を選択し、データ出力191〜198に出力
する。
71〜178のリード状態とメモリアドレス161〜1
68により周辺の8画素をリードし、データバス181
〜188に出力する。セレクタ121はアドレス入力の
うち数5、数3により、8画素の中からリードしたい周
辺6画数素を選択し、データ出力191〜198に出力
する。
【0024】このように上記従来の画像メモリ装置で
は、画像を8バンクに分割し、各バンク毎にアドレス補
正をし、リードした8画素の中から6画素を選択するこ
とにより、周辺6画素を同時にリードするものである。
ここでメモリは256Kワードx4ビットのSRAMを
48個必要とする。
は、画像を8バンクに分割し、各バンク毎にアドレス補
正をし、リードした8画素の中から6画素を選択するこ
とにより、周辺6画素を同時にリードするものである。
ここでメモリは256Kワードx4ビットのSRAMを
48個必要とする。
【0025】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記の
従来の画像メモリ装置では、図11に示すようにアドレ
ス空間が有効に利用できないという問題があった。また
市販のメモリのビット幅は通常、4、8、16ビットで
あり、画素のビット幅である10ビットと一致しないた
め、メモリが効率的に使用できず、ハード量が増加して
しまうという問題点があった。
従来の画像メモリ装置では、図11に示すようにアドレ
ス空間が有効に利用できないという問題があった。また
市販のメモリのビット幅は通常、4、8、16ビットで
あり、画素のビット幅である10ビットと一致しないた
め、メモリが効率的に使用できず、ハード量が増加して
しまうという問題点があった。
【0026】本発明はこのような従来の問題を解決する
ため為されたものであり、メモリ使用効率の高い画像メ
モリ装置を提供することを目的とするものである。
ため為されたものであり、メモリ使用効率の高い画像メ
モリ装置を提供することを目的とするものである。
【0027】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の画像メモリ装置は、X、Yの2次元座標を
持つ画像情報を記憶する画像メモリであって、前記画像
情報のX、Y座標をアドレス変換器によりアドレス変換
した結果をメモリアドレスとして用いることを特徴とす
る。
め、本発明の画像メモリ装置は、X、Yの2次元座標を
持つ画像情報を記憶する画像メモリであって、前記画像
情報のX、Y座標をアドレス変換器によりアドレス変換
した結果をメモリアドレスとして用いることを特徴とす
る。
【0028】さらに、X、Yの2次元座標を持つ画像情
報を記憶する画像メモリであって、1つのバンクの1つ
のメモリアドレスに複数画素を割り当てたことを特徴と
するものである。
報を記憶する画像メモリであって、1つのバンクの1つ
のメモリアドレスに複数画素を割り当てたことを特徴と
するものである。
【0029】
【作用】従って、本発明によれば、アドレス変換器が画
像データのアドレス変換を行なってアドレスのビット幅
を減じ、この結果メモリの使用効率が改善される。
像データのアドレス変換を行なってアドレスのビット幅
を減じ、この結果メモリの使用効率が改善される。
【0030】また、1つのバンクの1つのメモリアドレ
スに複数画素を割り当てることにより、1つのバンクを
複数画素分のビット幅のメモリとする。これによって、
メモリのビット方向の使用効率が上がり、ハード量が削
減される。
スに複数画素を割り当てることにより、1つのバンクを
複数画素分のビット幅のメモリとする。これによって、
メモリのビット方向の使用効率が上がり、ハード量が削
減される。
【0031】
【実施例】以下、添付図面に基づいて、本発明に係る画
像メモリ装置の実施例を説明する。以下の説明におい
て、ハイビジョン画像フレームは前記の図8に準ずるも
のとする。すなわち、ラスタ順に1画素ずつ順次ライト
し、座標(X、Y)で示されるアドレスの周辺6画素を
同時にランダムリードするもので、1フレーム分のメモ
リサイズは、水平方向に1920画素、垂直方向に10
35ライン、1画素当たりのビット数が10ビットとす
る。
像メモリ装置の実施例を説明する。以下の説明におい
て、ハイビジョン画像フレームは前記の図8に準ずるも
のとする。すなわち、ラスタ順に1画素ずつ順次ライト
し、座標(X、Y)で示されるアドレスの周辺6画素を
同時にランダムリードするもので、1フレーム分のメモ
リサイズは、水平方向に1920画素、垂直方向に10
35ライン、1画素当たりのビット数が10ビットとす
る。
【0032】図1は本発明の一実施例の構成を示すもの
である。図において、1はアドレス補正回路であり、ア
ドレス入力41を入力とし、メモリアドレス51〜54
を出力とする。11はアドレス変換器であり、メモリア
ドレス51〜54を入力とし、アドレス変換後のメモリ
アドレス61〜64を出力する。21〜24はメモリA
であり、メモリアドレス61〜64、制御信号71〜7
4を入力とし、データバス81〜88を入出力とする。
31はセレクタであり、アドレス入力41、データバス
81〜88を入力とし、データ出力91〜96を出力と
する。
である。図において、1はアドレス補正回路であり、ア
ドレス入力41を入力とし、メモリアドレス51〜54
を出力とする。11はアドレス変換器であり、メモリア
ドレス51〜54を入力とし、アドレス変換後のメモリ
アドレス61〜64を出力する。21〜24はメモリA
であり、メモリアドレス61〜64、制御信号71〜7
4を入力とし、データバス81〜88を入出力とする。
31はセレクタであり、アドレス入力41、データバス
81〜88を入力とし、データ出力91〜96を出力と
する。
【0033】図2は、アドレス変換器11の機能説明図
である。また、図3は、アドレス変換後のメモリマップ
を示している。
である。また、図3は、アドレス変換後のメモリマップ
を示している。
【0034】図3に示すように、本発明のアドレス変換
では、垂直方向に1025ライン目以降の画素値を、水
平方向の1921画素以降のアドレス未使用領域に割り
当てる。すなわち、画像データが有効画像領域32とア
ドレス変換前の有効画像領域33から構成されている場
合、アドレス変換前の有効画像領域33を水平方向のア
ドレス未使用領域に割り当てるようアドレス変換し、ア
ドレス変換後の有効画像領域34を形成させる。これに
よって垂直方向の1025ライン以降のアドレスを削除
できるから、図4のようなメモリマップとなり、メモリ
未使用領域35は大幅に減少する。
では、垂直方向に1025ライン目以降の画素値を、水
平方向の1921画素以降のアドレス未使用領域に割り
当てる。すなわち、画像データが有効画像領域32とア
ドレス変換前の有効画像領域33から構成されている場
合、アドレス変換前の有効画像領域33を水平方向のア
ドレス未使用領域に割り当てるようアドレス変換し、ア
ドレス変換後の有効画像領域34を形成させる。これに
よって垂直方向の1025ライン以降のアドレスを削除
できるから、図4のようなメモリマップとなり、メモリ
未使用領域35は大幅に減少する。
【0035】次に、図5に本実施例におけるバンク割り
当てを示す。画像メモリは水平4画数素x垂直2ライン
の8画素単位のブロック55に区切る。1つのブロック
55には、1つのメモリアドレスを割り当てる。そして
ブロック内の8画素に対し、4バンクを割り当てる。つ
まり、1つのブロック55は4バンク構成とする。この
とき1バンクの1アドレスに、2画素を割り当てる。こ
こで、バンク1、2、3、4に、図1に示したメモリA
21、22、23、34をそれぞれ割り当てる。
当てを示す。画像メモリは水平4画数素x垂直2ライン
の8画素単位のブロック55に区切る。1つのブロック
55には、1つのメモリアドレスを割り当てる。そして
ブロック内の8画素に対し、4バンクを割り当てる。つ
まり、1つのブロック55は4バンク構成とする。この
とき1バンクの1アドレスに、2画素を割り当てる。こ
こで、バンク1、2、3、4に、図1に示したメモリA
21、22、23、34をそれぞれ割り当てる。
【0036】前記のように構成した時、4バンクの各メ
モリA21〜24は、256Kワードx20ビットの容
量が必要となる。これは、各メモリAを例えば256K
ワードx4ビットのSRAM5個で構成することで実現
される。前記のように構成することによって、図4のよ
うに、ビット方向には2画素当たり20ビットが確保さ
れ、しかも未使用ビット分はない。
モリA21〜24は、256Kワードx20ビットの容
量が必要となる。これは、各メモリAを例えば256K
ワードx4ビットのSRAM5個で構成することで実現
される。前記のように構成することによって、図4のよ
うに、ビット方向には2画素当たり20ビットが確保さ
れ、しかも未使用ビット分はない。
【0037】次に上記実施例の動作を、ライト時、リー
ド時に分けて説明する。まずライト時の動作として、座
標(X、Y)の画数データをメモリに書き込む場合を説
明する。アドレス補正回路1は、アドレス入力41から
数1、数2を受信し、各バンク毎に数3の値に基づいて
図6に示す補正値を加算して、補正Xアドレス数4を求
める。ついで数5の値に基づき、図7に示す補正値を加
算して、補正Yアドレス数6を求め、各バンク毎に補正
アドレス数7をメモリアドレス51〜54として出力す
る。
ド時に分けて説明する。まずライト時の動作として、座
標(X、Y)の画数データをメモリに書き込む場合を説
明する。アドレス補正回路1は、アドレス入力41から
数1、数2を受信し、各バンク毎に数3の値に基づいて
図6に示す補正値を加算して、補正Xアドレス数4を求
める。ついで数5の値に基づき、図7に示す補正値を加
算して、補正Yアドレス数6を求め、各バンク毎に補正
アドレス数7をメモリアドレス51〜54として出力す
る。
【0038】アドレス変換器11では、入力されたメモ
リアドレス51〜54の各々に対し以下に示す変換を行
ない、アドレス変換後のメモリアドレスAdを61〜6
4として出力する。
リアドレス51〜54の各々に対し以下に示す変換を行
ない、アドレス変換後のメモリアドレスAdを61〜6
4として出力する。
【0039】すなわち、数8が満たされる場合には、ア
ドレス変換後のメモリアドレスAdを数9として出力
し、これに反して数10が満たされる場合には、アドレ
ス変換後のメモリアドレスAdを数11として出力す
る。
ドレス変換後のメモリアドレスAdを数9として出力
し、これに反して数10が満たされる場合には、アドレ
ス変換後のメモリアドレスAdを数11として出力す
る。
【0040】
【数8】
【0041】
【数9】
【0042】
【数10】
【0043】
【数11】
【0044】メモリA21〜24では、数12から決ま
るバンク(4個のメモリAのうちのいずれか)のデータ
バス(81〜82、83〜84、85〜86、87〜8
8のいずれか)に書き込む画像データが与えられ、その
バンクの制御信号(71〜74のいずれか)をライト状
態にすることにより、メモリアドレス61〜64に示さ
れるアドレスに画像データが書き込まれる。
るバンク(4個のメモリAのうちのいずれか)のデータ
バス(81〜82、83〜84、85〜86、87〜8
8のいずれか)に書き込む画像データが与えられ、その
バンクの制御信号(71〜74のいずれか)をライト状
態にすることにより、メモリアドレス61〜64に示さ
れるアドレスに画像データが書き込まれる。
【0045】
【数12】
【0046】つぎにリード動作として、座標(X、Y)
の周辺6画素を読み出す場合を説明する。ここで各バン
クのアドレスは、X、Yの値により異なる場合がある。
例えば中心画素がバンク3の左画素にある場合は、バン
ク2、4のX方向のアドレスは1減算されたものにな
る。中心画素がバンク4の右画素にある場合は、バンク
1、3のX方向のアドレスは1加算されたものになる。
中心画素がバンク1の右画素にある場合は、バンク3、
4のY方向のアドレスは1減算されたものになる。
の周辺6画素を読み出す場合を説明する。ここで各バン
クのアドレスは、X、Yの値により異なる場合がある。
例えば中心画素がバンク3の左画素にある場合は、バン
ク2、4のX方向のアドレスは1減算されたものにな
る。中心画素がバンク4の右画素にある場合は、バンク
1、3のX方向のアドレスは1加算されたものになる。
中心画素がバンク1の右画素にある場合は、バンク3、
4のY方向のアドレスは1減算されたものになる。
【0047】アドレス補正回路1は、ライト時と同様な
動作をする。すなわち、アドレス補正回路1は、アドレ
ス入力41から数1、数2を受信し、各バンク毎に数3
の値に基づき図6に示す値を加算して数4を求める。さ
らに数5の値に基づき図7に示す値を加算して数6を求
め、各バンク毎に数7をメモリアドレス51〜54とし
て出力する。
動作をする。すなわち、アドレス補正回路1は、アドレ
ス入力41から数1、数2を受信し、各バンク毎に数3
の値に基づき図6に示す値を加算して数4を求める。さ
らに数5の値に基づき図7に示す値を加算して数6を求
め、各バンク毎に数7をメモリアドレス51〜54とし
て出力する。
【0048】アドレス変換器11では、ライト時と同様
にメモリアドレス51〜54の各々に対し以下の変換を
行ない、アドレス変換後のメモリアドレスAdを61〜
64として出力する。
にメモリアドレス51〜54の各々に対し以下の変換を
行ない、アドレス変換後のメモリアドレスAdを61〜
64として出力する。
【0049】すなわち、数13が満たされる場合には、
アドレス変換後のメモリアドレスAdを数14として出
力し、これに反して数15が満たされる場合には、アド
レス変換後のメモリアドレスAdを数16として出力す
る。
アドレス変換後のメモリアドレスAdを数14として出
力し、これに反して数15が満たされる場合には、アド
レス変換後のメモリアドレスAdを数16として出力す
る。
【0050】
【数13】
【0051】
【数14】
【0052】
【数15】
【0053】
【数16】
【0054】メモリA21〜24は、制御信号71〜7
8のリード状態とアドレス変換後のメモリアドレス61
〜68により周辺の8画数素をリードし、データバス8
1〜88に出力する。セレクタ31はアドレス入力数
5、数3により、8画素の中からリードしたい周辺6画
素を選択し、データ出力91〜98に出力する。
8のリード状態とアドレス変換後のメモリアドレス61
〜68により周辺の8画数素をリードし、データバス8
1〜88に出力する。セレクタ31はアドレス入力数
5、数3により、8画素の中からリードしたい周辺6画
素を選択し、データ出力91〜98に出力する。
【0055】このように上記実施例の画像メモリ装置で
は、アドレス変換11を設けることにより、メモリアド
レス51〜54が19ビットであったのをアドレス変換
後のメモリアドレス61〜64の18ビットにすること
ができ、アドレス空間を1ビット減らすことができ、メ
モリの使用効率の向上を図ることができる。
は、アドレス変換11を設けることにより、メモリアド
レス51〜54が19ビットであったのをアドレス変換
後のメモリアドレス61〜64の18ビットにすること
ができ、アドレス空間を1ビット減らすことができ、メ
モリの使用効率の向上を図ることができる。
【0056】さらに、上記実施例の画像メモリ装置で
は、メモリA21〜24において1つのバンクの1つの
メモリアドレスに複数画素を割り当てることにより、1
つのバンクを複数画素分のビット幅のメモリにすること
ができ、メモリのビット方向の使用効率が上がり、メモ
リの使用効率を向上させることができる。
は、メモリA21〜24において1つのバンクの1つの
メモリアドレスに複数画素を割り当てることにより、1
つのバンクを複数画素分のビット幅のメモリにすること
ができ、メモリのビット方向の使用効率が上がり、メモ
リの使用効率を向上させることができる。
【0057】以上により、従来例では48個あったメモ
リを、本実施例では20個に削減でき、またアドレス変
換用の選択器をハードで代替することで回路を削減でき
る。
リを、本実施例では20個に削減でき、またアドレス変
換用の選択器をハードで代替することで回路を削減でき
る。
【0058】
【発明の効果】本発明は上記実施例より明らかなよう
に、アドレス変換を設けることにより、メモリアドレス
空間を減らすことができ、メモリの使用効率の向上を図
ることができる。よってハード量を削減できるという効
果を有する。
に、アドレス変換を設けることにより、メモリアドレス
空間を減らすことができ、メモリの使用効率の向上を図
ることができる。よってハード量を削減できるという効
果を有する。
【0059】また本発明は、1つのバンクの1つのメモ
リアドレスに複数画素を割り当てることにより、メモリ
のビット方向の使用効率が上がり、メモリの使用効率を
向上させることができる。よってハード量を削減できる
という効果を有する。
リアドレスに複数画素を割り当てることにより、メモリ
のビット方向の使用効率が上がり、メモリの使用効率を
向上させることができる。よってハード量を削減できる
という効果を有する。
【図1】本発明に係る画像メモリ装置のブロック構成図
【図2】図1のアドレス変換器の機能説明図
【図3】本発明のアドレス変換方法の説明図
【図4】本発明のメモリマップ
【図5】本発明のバンク割当の説明図
【図6】本発明のアドレス補正で使用するXアドレス加
算値の例を示す図
算値の例を示す図
【図7】本発明のアドレス補正で使用するYアドレス加
算値の例を示す図
算値の例を示す図
【図8】ハイビジョン画像1フレームの画像データサイ
ズ及び周辺画素の説明図
ズ及び周辺画素の説明図
【図9】周辺画素の説明図
【図10】従来の画像メモリ装置のブロック構成図
【図11】従来の画像メモリ装置のメモリマップ
【図12】従来の画像メモリ装置のバンク割当の説明図
【図13】従来の画像メモリ装置のXアドレスの補正加
算値を示す図
算値を示す図
【図14】従来の画像メモリ装置のYアドレスの補正加
算値を示す図
算値を示す図
1 アドレス補正 11 アドレス変換 21〜24 メモリA 31 セレクタ 41 アドレス入力 51〜54 メモリアドレス 61〜64 アドレス変換後のメモリアドレス 71 制御信号1 72 制御信号2 73 制御信号3 74 制御信号4 81 データバス1 82 データバス2 83 データバス3 84 データバス4 85 データバス5 86 データバス6 87 データバス7 88 データバス8 91 データ出力1 92 データ出力2 93 データ出力3 94 データ出力4 95 データ出力5 96 データ出力6
Claims (2)
- 【請求項1】 X、Yの2次元座標を持つ画像情報を記
憶する画像メモリであって、前記画像情報のX、Y座標
をアドレス変換器によりアドレス変換した結果をメモリ
アドレスとして用いることを特徴とする画像メモリ装
置。 - 【請求項2】 X、Yの2次元座標を持つ画像情報を記
憶する画像メモリであって、1つのバンクの1つのメモ
リアドレスに複数画素を割り当てたことを特徴とする画
像メモリ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6042522A JPH07253919A (ja) | 1994-03-14 | 1994-03-14 | 画像メモリ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6042522A JPH07253919A (ja) | 1994-03-14 | 1994-03-14 | 画像メモリ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07253919A true JPH07253919A (ja) | 1995-10-03 |
Family
ID=12638422
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6042522A Pending JPH07253919A (ja) | 1994-03-14 | 1994-03-14 | 画像メモリ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07253919A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009048753A (ja) * | 2007-07-23 | 2009-03-05 | Nec Electronics Corp | 半導体記憶装置及びデータの格納方法 |
-
1994
- 1994-03-14 JP JP6042522A patent/JPH07253919A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009048753A (ja) * | 2007-07-23 | 2009-03-05 | Nec Electronics Corp | 半導体記憶装置及びデータの格納方法 |
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