JPH07254499A - マイクロ波プラズマ処理装置 - Google Patents
マイクロ波プラズマ処理装置Info
- Publication number
- JPH07254499A JPH07254499A JP6043514A JP4351494A JPH07254499A JP H07254499 A JPH07254499 A JP H07254499A JP 6043514 A JP6043514 A JP 6043514A JP 4351494 A JP4351494 A JP 4351494A JP H07254499 A JPH07254499 A JP H07254499A
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- JP
- Japan
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- microwave
- plasma
- magnetic field
- ozone
- vacuum
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- Pending
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- Plasma Technology (AREA)
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- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】基板処理中に生じる原子や分子の緩和または崩
壊時の発光、特に紫外域の波長の短い光を大気中に放出
させないことによりオゾン発生を防止する。 【構成】マグネトロン１，導波管２，紫外線遮断板３，
マイクロ波導入窓４，真空排気手段１０，ガス供給手段
及び電子サイクロトロン共鳴を引き起こすに必要な磁場
とから構成されている。
壊時の発光、特に紫外域の波長の短い光を大気中に放出
させないことによりオゾン発生を防止する。 【構成】マグネトロン１，導波管２，紫外線遮断板３，
マイクロ波導入窓４，真空排気手段１０，ガス供給手段
及び電子サイクロトロン共鳴を引き起こすに必要な磁場
とから構成されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はマイクロ波プラズマ処理
装置に係り、特にマイクロ波を用いてプラズマを生成
し、半導体素子基板等の試料にエッチング処理，成膜処
理等のプラズマ処理を施すのに好適なマイクロ波プラズ
マ処理装置に関する。
装置に係り、特にマイクロ波を用いてプラズマを生成
し、半導体素子基板等の試料にエッチング処理，成膜処
理等のプラズマ処理を施すのに好適なマイクロ波プラズ
マ処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のマイクロ波プラズマ処理装置は、
例えば特開平４−１３３３２２号公報に記載のように、
マイクロ波発生手段から発振されたマイイクロ波が導波
管を通り、マイクロ波導入窓を介して真空に保たれたプ
ラズマチャンバ内に導入され、プラズマチャンバを同軸
に包囲する励磁ソレノイドによりプラズマチャンバ内に
磁界を発生させ、マイクロ波との電子サイクロトロン共
鳴効果によりガス供給手段を介して挿入されたガスを高
効率でプラズマ化し、低真空で高密度のプラズマを生成
し処理の均一性，速度を向上させるようにしたものであ
る。
例えば特開平４−１３３３２２号公報に記載のように、
マイクロ波発生手段から発振されたマイイクロ波が導波
管を通り、マイクロ波導入窓を介して真空に保たれたプ
ラズマチャンバ内に導入され、プラズマチャンバを同軸
に包囲する励磁ソレノイドによりプラズマチャンバ内に
磁界を発生させ、マイクロ波との電子サイクロトロン共
鳴効果によりガス供給手段を介して挿入されたガスを高
効率でプラズマ化し、低真空で高密度のプラズマを生成
し処理の均一性，速度を向上させるようにしたものであ
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術は、基板
処理中に生じる原子や分子の緩和または崩壊時の発光、
特に紫外域の波長の短い光が、マイクロ波導入窓を通り
装置の外側の大気中に放出される。特に最近は、被処理
物の大口径化に伴ってマイクロ波パワーの増大化傾向に
あることと、ガス種によっては原子遷移により紫外域の
光が多量に放出され、オゾンの発生量が増加していると
いう問題があった。
処理中に生じる原子や分子の緩和または崩壊時の発光、
特に紫外域の波長の短い光が、マイクロ波導入窓を通り
装置の外側の大気中に放出される。特に最近は、被処理
物の大口径化に伴ってマイクロ波パワーの増大化傾向に
あることと、ガス種によっては原子遷移により紫外域の
光が多量に放出され、オゾンの発生量が増加していると
いう問題があった。
【０００４】本発明の目的は、紫外域の波長の短い光を
大気中に放出させないようにし、紫外線の放射により、
大気中の酸素がオゾン化することを防止するマイクロ波
プラズマ処理装置を提供することにある。
大気中に放出させないようにし、紫外線の放射により、
大気中の酸素がオゾン化することを防止するマイクロ波
プラズマ処理装置を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、マイクロ波を発生させる手段と、このマイクロ波を
伝達させる手段と、このマイクロ波伝達手段の外周から
磁場を印加し、石英製のマイクロ波導入窓よりマイクロ
波を導入してマイクロ波と磁界との相乗効果により電子
サイクロトロン共鳴を発生させ、ガス供給手段を介し挿
入されたガスをプラズマ化させることにより表面にエッ
チングが施され、または薄膜が形成される基板が配され
る真空容器及び真空排気手段などから構成されるマイク
ロ波プラズマ処理装置において、前記石英製のマイクロ
波導入窓上部に紫外線遮断手段を設置し、基板処理中に
生じる原子や分子の緩和または崩壊時の発光、特に紫外
域の波長の短い光を真空容器外（大気中）に放出しない
構成としたものである。
に、マイクロ波を発生させる手段と、このマイクロ波を
伝達させる手段と、このマイクロ波伝達手段の外周から
磁場を印加し、石英製のマイクロ波導入窓よりマイクロ
波を導入してマイクロ波と磁界との相乗効果により電子
サイクロトロン共鳴を発生させ、ガス供給手段を介し挿
入されたガスをプラズマ化させることにより表面にエッ
チングが施され、または薄膜が形成される基板が配され
る真空容器及び真空排気手段などから構成されるマイク
ロ波プラズマ処理装置において、前記石英製のマイクロ
波導入窓上部に紫外線遮断手段を設置し、基板処理中に
生じる原子や分子の緩和または崩壊時の発光、特に紫外
域の波長の短い光を真空容器外（大気中）に放出しない
構成としたものである。
【０００６】
【作用】石英製のマイクロ波導入窓上部に紫外線遮断手
段を設置することにより、基板処理中に生じる原子や分
子の緩和または崩壊時の発光、特に近紫外線（原子遷
移）の低い波長の光を真空容器外（大気中）に放出させ
ないことができ、それによりオゾンの発生を防止するこ
とができる。
段を設置することにより、基板処理中に生じる原子や分
子の緩和または崩壊時の発光、特に近紫外線（原子遷
移）の低い波長の光を真空容器外（大気中）に放出させ
ないことができ、それによりオゾンの発生を防止するこ
とができる。
【０００７】
【実施例】図１に本発明の一実施例を示す。
【０００８】図１は、本発明によるマイクロ波プラズマ
処理装置の一実施例の構成図を示し、以下プラズマ処理
としてエッチング処理に適用した場合について説明す
る。
処理装置の一実施例の構成図を示し、以下プラズマ処理
としてエッチング処理に適用した場合について説明す
る。
【０００９】マグネトロン（マイクロ波発生手段）１か
ら発生されたマイクロ波は導波管２を通り、紫外線遮断
板３，マイクロ波導入窓４を介して真空に保たれたプラ
ズマチャンバ内７に導入され、プラズマチャンバ７を同
軸に包囲する励磁ソレノイド５によりプラズマチャンバ
７内に磁界を発生させマイクロ波との電子サイクロトロ
ン共鳴効果を利用し、ガス供給手段６を介し挿入された
ガスをプラズマ化させることにより、表面にエッチング
が施される基板９が配される真空容器８と真空排気手段
１０から構成される。
ら発生されたマイクロ波は導波管２を通り、紫外線遮断
板３，マイクロ波導入窓４を介して真空に保たれたプラ
ズマチャンバ内７に導入され、プラズマチャンバ７を同
軸に包囲する励磁ソレノイド５によりプラズマチャンバ
７内に磁界を発生させマイクロ波との電子サイクロトロ
ン共鳴効果を利用し、ガス供給手段６を介し挿入された
ガスをプラズマ化させることにより、表面にエッチング
が施される基板９が配される真空容器８と真空排気手段
１０から構成される。
【００１０】上述のように、マイクロ波導入窓４上部に
紫外線遮断板３を設置したので、基板９処理中に生ずる
原子や分子の緩和または崩壊時の発光、特に近紫外線
（原子遷移）の低い波長の光を真空容器８外に放出する
ことはなく、それによりオゾンの発生を防止することが
できる。
紫外線遮断板３を設置したので、基板９処理中に生ずる
原子や分子の緩和または崩壊時の発光、特に近紫外線
（原子遷移）の低い波長の光を真空容器８外に放出する
ことはなく、それによりオゾンの発生を防止することが
できる。
【００１１】
【発明の効果】以上述べたように、この発明において
は、基板処理中に生じる原子や分子の緩和または崩壊時
の発光、特に紫外域の波長の短い光を真空容器外（大気
中）に放出しないことができ、それによりオゾン発生の
防止が可能である。
は、基板処理中に生じる原子や分子の緩和または崩壊時
の発光、特に紫外域の波長の短い光を真空容器外（大気
中）に放出しないことができ、それによりオゾン発生の
防止が可能である。
【図１】本発明の一実施例におけるプラズマエッチング
装置の構成図である。
装置の構成図である。
１…マグネトロン（マイクロ波発生手段)、２…導波管
（マイクロ波伝達手段）、３…紫外線遮断板、４…マイ
クロ波導入窓、５…励磁ソレノイド、６…ガス供給手
段、７…プラズマチャンバ、８…真空容器、９…基板、
１０…真空排気手段。
（マイクロ波伝達手段）、３…紫外線遮断板、４…マイ
クロ波導入窓、５…励磁ソレノイド、６…ガス供給手
段、７…プラズマチャンバ、８…真空容器、９…基板、
１０…真空排気手段。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ２３Ｆ 4/00 Ｇ 8417−4Ｋ Ｈ０１Ｌ 21/3065 21/31 (72)発明者 藤井 敬 山口県下松市大字東豊井794番地 株式会 社日立製作所笠戸工場内 (72)発明者 吉開 元彦 山口県下松市大字東豊井794番地 日立テ クノエンジニアリング株式会社笠戸事業所 内
Claims (1)
- 【請求項１】マイクロ波を発生させる手段と、このマイ
クロ波を伝達させる手段と、このマイクロ波伝達手段の
外周から磁場を印加し、石英製のマイクロ波導入窓より
マイクロ波を導入してマイクロ波と磁界との相乗効果に
より電子サイクロトロン共鳴を発生させ、ガス供給手段
を介し挿入されたガスをプラズマ化させることにより表
面にエッチングが施され、または薄膜が形成される基板
が配される真空容器及び真空排気手段などから構成され
るマイクロ波プラズマ処理装置において、前記石英製の
マイクロ波導入窓上部に紫外線遮断手段を設置したこと
を特徴とするマイクロ波プラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6043514A JPH07254499A (ja) | 1994-03-15 | 1994-03-15 | マイクロ波プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6043514A JPH07254499A (ja) | 1994-03-15 | 1994-03-15 | マイクロ波プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07254499A true JPH07254499A (ja) | 1995-10-03 |
Family
ID=12665852
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6043514A Pending JPH07254499A (ja) | 1994-03-15 | 1994-03-15 | マイクロ波プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07254499A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008121115A (ja) * | 2006-11-09 | 2008-05-29 | Applied Materials Inc | Ｐｅｃｖｄ放電処理において電磁放射線を制御するためのシステム及び方法 |
| JP5650837B2 (ja) * | 2011-03-31 | 2015-01-07 | キヤノンアネルバ株式会社 | 基板処理装置 |
-
1994
- 1994-03-15 JP JP6043514A patent/JPH07254499A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008121115A (ja) * | 2006-11-09 | 2008-05-29 | Applied Materials Inc | Ｐｅｃｖｄ放電処理において電磁放射線を制御するためのシステム及び方法 |
| JP5650837B2 (ja) * | 2011-03-31 | 2015-01-07 | キヤノンアネルバ株式会社 | 基板処理装置 |
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