JPH07254622A - 半導体装置とその製造方法 - Google Patents
半導体装置とその製造方法Info
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- JPH07254622A JPH07254622A JP4864395A JP4864395A JPH07254622A JP H07254622 A JPH07254622 A JP H07254622A JP 4864395 A JP4864395 A JP 4864395A JP 4864395 A JP4864395 A JP 4864395A JP H07254622 A JPH07254622 A JP H07254622A
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 放熱板に形成した微小突起を金型に密着させ
ることにより、樹脂バリの発生を抑制する。 【構成】 放熱板１１は半導体チップ１３を固着する主
面側と、樹脂１４と同一平面を構成するように露出する
裏面とを有する。裏面の樹脂１４との境界に沿って、高
さ１０〜５０μの微細な突起１６を形成する。突起１６
モールド金型に密着させるようにして、樹脂封止を行
う。
ることにより、樹脂バリの発生を抑制する。 【構成】 放熱板１１は半導体チップ１３を固着する主
面側と、樹脂１４と同一平面を構成するように露出する
裏面とを有する。裏面の樹脂１４との境界に沿って、高
さ１０〜５０μの微細な突起１６を形成する。突起１６
モールド金型に密着させるようにして、樹脂封止を行
う。
Description
【０００１】
【産業状の利用分野】本発明は樹脂バリの発生を防止し
た放熱板付の樹脂封止型半導体装置とその製造方法に関
する。
た放熱板付の樹脂封止型半導体装置とその製造方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】図４に示すような放熱板（１）付の樹脂
封止型半導体装置は、半導体チップのダイボンド、ワイ
ヤボンドを終えたリードフレームを放熱板（１）の 裏
面がモールド金型に当接するように金型中に保持し、こ
の状態で金型が形成する空間内にエポキシ樹脂を注入す
ることにより樹脂（２）を加圧成型して製造されるが、
リードフレームの厚さのばらつき、リードフレームと金
型との間隙を抑制するスプリング等の機能の劣化、金型
の変型摩耗による間隙の発生等によって、リードフレー
ムの放熱板（１）上にエポキシ樹脂が固着した、いわゆ
る樹脂バリ（３）が発生する（特開昭６０−７７４４５
号）。
封止型半導体装置は、半導体チップのダイボンド、ワイ
ヤボンドを終えたリードフレームを放熱板（１）の 裏
面がモールド金型に当接するように金型中に保持し、こ
の状態で金型が形成する空間内にエポキシ樹脂を注入す
ることにより樹脂（２）を加圧成型して製造されるが、
リードフレームの厚さのばらつき、リードフレームと金
型との間隙を抑制するスプリング等の機能の劣化、金型
の変型摩耗による間隙の発生等によって、リードフレー
ムの放熱板（１）上にエポキシ樹脂が固着した、いわゆ
る樹脂バリ（３）が発生する（特開昭６０−７７４４５
号）。
【０００３】上記樹脂バリ（３）はその厚さが５〜２０
μ程度であるが、放熱板（１）からの放熱を著しく劣化
させる。このため半導体チップに発生する熱が蓄積して
電気的特性が変化したり、甚だしい場合には半導体装置
を破壊する。樹脂バリを除く方法としては、回転ブラシ
に衝接させて除去する方法、ホーニング等の機械的研摩
法、あるいは化学薬品処理を施したのちにブラッシング
等の機械的研摩法による方法等がある。一般にリードフ
レームは銅または銅合金を使用しており、表面めっきは
施してない。そのため金属の酸化膜上に固着した樹脂バ
リは密着強度が大きいため除去することは極めて困難で
ある。
μ程度であるが、放熱板（１）からの放熱を著しく劣化
させる。このため半導体チップに発生する熱が蓄積して
電気的特性が変化したり、甚だしい場合には半導体装置
を破壊する。樹脂バリを除く方法としては、回転ブラシ
に衝接させて除去する方法、ホーニング等の機械的研摩
法、あるいは化学薬品処理を施したのちにブラッシング
等の機械的研摩法による方法等がある。一般にリードフ
レームは銅または銅合金を使用しており、表面めっきは
施してない。そのため金属の酸化膜上に固着した樹脂バ
リは密着強度が大きいため除去することは極めて困難で
ある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この様に、従来の樹脂
封止型半導体装置は、放熱板（１）上に樹脂バリ（３）
が発生し易い欠点があった。また、樹脂バリ（３）の除
去工程を要する為工程が煩雑になる他、製品価格の上昇
を招く欠点があった。
封止型半導体装置は、放熱板（１）上に樹脂バリ（３）
が発生し易い欠点があった。また、樹脂バリ（３）の除
去工程を要する為工程が煩雑になる他、製品価格の上昇
を招く欠点があった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は上記従来の課題
に鑑み成されたもので、同一平面を形成する放熱（１
１）と樹脂（１４）との境界付近の放熱板（１１）に、
前記境界に沿って突起（１６）を形成する溝（１５）を
設けることにより、従来の欠点を解消した樹脂封止型半
導体装置を提供するものである。
に鑑み成されたもので、同一平面を形成する放熱（１
１）と樹脂（１４）との境界付近の放熱板（１１）に、
前記境界に沿って突起（１６）を形成する溝（１５）を
設けることにより、従来の欠点を解消した樹脂封止型半
導体装置を提供するものである。
【０００６】
【作用】本発明によれば、境界に沿って形成された突起
（１６）がモールド金型と当接し、接触面積が少いこと
からこの部分は高圧でモールド金型に圧接される。その
為、突起（１６）部分で樹脂（１４）の進行をくいとめ
ることができる。
（１６）がモールド金型と当接し、接触面積が少いこと
からこの部分は高圧でモールド金型に圧接される。その
為、突起（１６）部分で樹脂（１４）の進行をくいとめ
ることができる。
【０００７】
【実施例】以下に本発明の一実施例を図面を参照しなが
ら詳細に説明する。図１（ａ）（ｂ）（ｃ）は夫々本発
明の半導体装置を 示す裏面図、側面図およびＡＡ線断
面図であり、（１１）はリードフレームの放熱板、（１
２）は外部接続用のリード、（１３）は半導体チップ、
（１４）はモールド樹脂である。
ら詳細に説明する。図１（ａ）（ｂ）（ｃ）は夫々本発
明の半導体装置を 示す裏面図、側面図およびＡＡ線断
面図であり、（１１）はリードフレームの放熱板、（１
２）は外部接続用のリード、（１３）は半導体チップ、
（１４）はモールド樹脂である。
【０００８】放熱板（１１）の裏面側は、第１図（ａ）
に示すよう に樹脂（１４）が放熱板（１１）の裏面と
同一平面を成すように放熱板（１１）の側面を覆い、樹
脂（１４）と放熱板（１１）との境界部分には前記境界
に沿うようにして放熱板（１１）の端部から０．１〜
０．５ｍｍの位置に深さ０．０１〜０．３ｍｍの溝（１
５）が設けられる。
に示すよう に樹脂（１４）が放熱板（１１）の裏面と
同一平面を成すように放熱板（１１）の側面を覆い、樹
脂（１４）と放熱板（１１）との境界部分には前記境界
に沿うようにして放熱板（１１）の端部から０．１〜
０．５ｍｍの位置に深さ０．０１〜０．３ｍｍの溝（１
５）が設けられる。
【０００９】リードフレームは、素材が銅又は銅系合金
や、４−２アロイ等の鉄系合金から成る板状材料を打ち
抜き加工（スタンピング）することにより製造され、該
リードフレームの製造過程において、前記樹脂（１４）
と放熱板（１１）との境界部分に先端がくさび状の工具
でプレスすることによりＶ字状の溝（１５）を形成す
る。この加工は、研削等とは異り放熱板（１１）の素材
を除去しないので、Ｖ字型溝（１５）の脇には放熱板
（１１）の材料が盛り上がって高さ１０〜５０μｍの突
起（１６）を形成する。形成した突起（１６）は除去し
ないでそのまま半導体装置製造へと移行する。
や、４−２アロイ等の鉄系合金から成る板状材料を打ち
抜き加工（スタンピング）することにより製造され、該
リードフレームの製造過程において、前記樹脂（１４）
と放熱板（１１）との境界部分に先端がくさび状の工具
でプレスすることによりＶ字状の溝（１５）を形成す
る。この加工は、研削等とは異り放熱板（１１）の素材
を除去しないので、Ｖ字型溝（１５）の脇には放熱板
（１１）の材料が盛り上がって高さ１０〜５０μｍの突
起（１６）を形成する。形成した突起（１６）は除去し
ないでそのまま半導体装置製造へと移行する。
【００１０】半導体装置製造は、先ずリードフレームの
放熱板（１１）の主面に半導体チップ（１３）をダイボ
ンドし、半導体チップ（１１）表面の電極とリード（１
２）とを夫々ワイヤ（１７）でワイヤボンドした後、上
記リードフレームを図２に示す如く上金型（１８）と下
金型（１９）から成るモールド金型内に装入し、放熱板
（１１）の上部とリード（１２）とを上下金型（１８）
（１９）により所定圧力で挾持すると共に、上下金型
（１８）（１９）が形成する空間（２０）内にエポキシ
樹脂（１４）を装填、圧入することにより製造される。
放熱板（１１）の主面に半導体チップ（１３）をダイボ
ンドし、半導体チップ（１１）表面の電極とリード（１
２）とを夫々ワイヤ（１７）でワイヤボンドした後、上
記リードフレームを図２に示す如く上金型（１８）と下
金型（１９）から成るモールド金型内に装入し、放熱板
（１１）の上部とリード（１２）とを上下金型（１８）
（１９）により所定圧力で挾持すると共に、上下金型
（１８）（１９）が形成する空間（２０）内にエポキシ
樹脂（１４）を装填、圧入することにより製造される。
【００１１】上記モールド工程において、放熱板（１
１）の裏面は上下金型（１８）（１９）のどちらか一方
の平坦面に押し付けられた状態となるが、この時は図３
に示す如く放熱板（１１）の表面より突起（１６）の方
が先に当接するので、この部分で金型（１８）（１９）
との密着圧力が集中し、強固に金型（１８）（１９）と
密着することになる。場合によっては前記上下金型（１
８）（１９）の挾持圧力により突起（１６）が変形して
金型（１８）（１９）表面と密着する。
１）の裏面は上下金型（１８）（１９）のどちらか一方
の平坦面に押し付けられた状態となるが、この時は図３
に示す如く放熱板（１１）の表面より突起（１６）の方
が先に当接するので、この部分で金型（１８）（１９）
との密着圧力が集中し、強固に金型（１８）（１９）と
密着することになる。場合によっては前記上下金型（１
８）（１９）の挾持圧力により突起（１６）が変形して
金型（１８）（１９）表面と密着する。
【００１２】従って、突起（１６）部分で樹脂（１４）
の流れが止められ、放熱板（１１）裏面への樹脂バリの
形成を防止できる。また、上記溝（１５）と突起（１
６）は、樹脂バリが生じる全ての部分、例えば第１図
（ｂ）に示すように 放熱板（１１）の側面（１５ａ）
や、放熱板（１１）の半導体 チップ（１３）が搭載さ
れる面での境界部分（１５ｂ）、さらにはリード（１
２）表面部分（１５ｃ）に設けてもよい。
の流れが止められ、放熱板（１１）裏面への樹脂バリの
形成を防止できる。また、上記溝（１５）と突起（１
６）は、樹脂バリが生じる全ての部分、例えば第１図
（ｂ）に示すように 放熱板（１１）の側面（１５ａ）
や、放熱板（１１）の半導体 チップ（１３）が搭載さ
れる面での境界部分（１５ｂ）、さらにはリード（１
２）表面部分（１５ｃ）に設けてもよい。
【００１３】
【発明の効果】以上に説明した通り、本発明によれば溝
（１５）と溝（１５）が形成する突起（１６）が樹脂も
れを阻止するので、放熱板（１１）上への樹脂バリの発
生を防止できる。従って、バリ取り工程を不要にし安価
な半導体装置を提供できる。
（１５）と溝（１５）が形成する突起（１６）が樹脂も
れを阻止するので、放熱板（１１）上への樹脂バリの発
生を防止できる。従って、バリ取り工程を不要にし安価
な半導体装置を提供できる。
【図１】本発明を説明する為の（ａ）裏面図、（ｂ）側
面図、（ｃ）ＡＡ線断面図である。
面図、（ｃ）ＡＡ線断面図である。
【図２】本発明を説明する為の断面図である。
【図３】本発明を説明する為の裏面図である。
【図４】従来例を説明する為の裏面図である。
Claims (3)
- 【請求項１】 金属基板の主面に半導体チップを固着
し、前記金属基板の裏面が樹脂と同一平面を成して露出
するように樹脂封止した半導体装置において、 前記同一平面を成す金属基板と樹脂との境界付近の前記
金属基板表面に、前記金属基板と樹脂との境界に沿っ
て、モールド工程において金型表面に当接し金型圧力に
より金型表面と密接して塑性変形したバリ止め用の突起
を有することを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 前記突起は、前記金属基板に溝加工を施
しその結果前記溝の周囲に盛り上がった金属材料である
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。 - 【請求項３】 金属基板の主面に半導体チップを固着
し、前記金属基板の裏面が樹脂と同一平面を成して露出
するように樹脂封止する半導体装置の製造方法におい
て、 前記金属基板の裏面に前記樹脂との境界に沿うようにし
て微細な突起を有するリードフレームを準備する工程
と、 前記金属基板の裏面をモールド金型の表面に当接させる
ように設置し、金型圧力により前記金属基板の突起が組
成変形するように前記金型に密着させる工程と、 前記
モールド金型内に樹脂を注入して樹脂封止する工程と、
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7048643A JP2731123B2 (ja) | 1995-03-08 | 1995-03-08 | 半導体装置とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7048643A JP2731123B2 (ja) | 1995-03-08 | 1995-03-08 | 半導体装置とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07254622A true JPH07254622A (ja) | 1995-10-03 |
| JP2731123B2 JP2731123B2 (ja) | 1998-03-25 |
Family
ID=12809054
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7048643A Expired - Lifetime JP2731123B2 (ja) | 1995-03-08 | 1995-03-08 | 半導体装置とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2731123B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008177496A (ja) * | 2007-01-22 | 2008-07-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | リードフレーム、パッケージ部品、半導体装置およびそれらの製造方法 |
| JP2014140073A (ja) * | 2012-06-27 | 2014-07-31 | Dainippon Printing Co Ltd | リードフレームおよびその製造方法、樹脂付リードフレームおよびその製造方法、ならびにｌｅｄパッケージおよびその製造方法 |
| US8946746B2 (en) | 2008-12-25 | 2015-02-03 | Panasonic Corporation | Lead, wiring member, package part, metal part provided with resin and resin-sealed semiconductor device, and methods for producing same |
| JP2015041683A (ja) * | 2013-08-21 | 2015-03-02 | 大日本印刷株式会社 | 樹脂付リードフレームおよびその製造方法、ならびにｌｅｄパッケージおよびその製造方法 |
| US9017822B2 (en) | 2006-03-03 | 2015-04-28 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Wiring member, resin-coated metal part and resin-sealed semiconductor device, and manufacturing method for the resin-coated metal part and the resin-sealed semiconductor device |
| JP2015115510A (ja) * | 2013-12-13 | 2015-06-22 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体モジュール |
| JPWO2023058437A1 (ja) * | 2021-10-08 | 2023-04-13 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102150263A (zh) | 2008-11-06 | 2011-08-10 | 松下电器产业株式会社 | 引线、布线部件、封装部件、带有树脂的金属部件和树脂封装半导体装置以及它们的制造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS639140A (ja) * | 1986-06-30 | 1988-01-14 | Mitsubishi Electric Corp | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
-
1995
- 1995-03-08 JP JP7048643A patent/JP2731123B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS639140A (ja) * | 1986-06-30 | 1988-01-14 | Mitsubishi Electric Corp | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9017822B2 (en) | 2006-03-03 | 2015-04-28 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Wiring member, resin-coated metal part and resin-sealed semiconductor device, and manufacturing method for the resin-coated metal part and the resin-sealed semiconductor device |
| JP2008177496A (ja) * | 2007-01-22 | 2008-07-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | リードフレーム、パッケージ部品、半導体装置およびそれらの製造方法 |
| US8946746B2 (en) | 2008-12-25 | 2015-02-03 | Panasonic Corporation | Lead, wiring member, package part, metal part provided with resin and resin-sealed semiconductor device, and methods for producing same |
| US9960325B2 (en) | 2008-12-25 | 2018-05-01 | Panasonic Corporation | Lead, wiring member, package part, metal part provided with resin and resin-sealed semiconductor device, and methods for producing same |
| JP2014140073A (ja) * | 2012-06-27 | 2014-07-31 | Dainippon Printing Co Ltd | リードフレームおよびその製造方法、樹脂付リードフレームおよびその製造方法、ならびにｌｅｄパッケージおよびその製造方法 |
| JP2015041683A (ja) * | 2013-08-21 | 2015-03-02 | 大日本印刷株式会社 | 樹脂付リードフレームおよびその製造方法、ならびにｌｅｄパッケージおよびその製造方法 |
| JP2015115510A (ja) * | 2013-12-13 | 2015-06-22 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体モジュール |
| JPWO2023058437A1 (ja) * | 2021-10-08 | 2023-04-13 | ||
| WO2023058437A1 (ja) * | 2021-10-08 | 2023-04-13 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置、電力変換装置、および、半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2731123B2 (ja) | 1998-03-25 |
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