JPH07258630A - エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents

エレクトロルミネッセンス素子

Info

Publication number
JPH07258630A
JPH07258630A JP6076511A JP7651194A JPH07258630A JP H07258630 A JPH07258630 A JP H07258630A JP 6076511 A JP6076511 A JP 6076511A JP 7651194 A JP7651194 A JP 7651194A JP H07258630 A JPH07258630 A JP H07258630A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
emission
sulfur
emitting layer
light emitting
bond distance
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP6076511A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3590986B2 (ja
Inventor
Akira Kato
彰 加藤
Masayuki Katayama
片山　　雅之
Nobue Ito
信衛 伊藤
Tadashi Hattori
服部　　正
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Denso Corp
Original Assignee
NipponDenso Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NipponDenso Co Ltd filed Critical NipponDenso Co Ltd
Priority to JP07651194A priority Critical patent/JP3590986B2/ja
Publication of JPH07258630A publication Critical patent/JPH07258630A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3590986B2 publication Critical patent/JP3590986B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】フィルタ無しで赤色発光を呈する新規なEL素子
を提供すること。 【構成】発光中心としてMnを添加したMgIn2S4(硫化イン
ジウムマグネシウム）から成る発光層14においては、+2
価の価数を有する元素Ｘのまわりに４つのS(硫黄）が配
位する場合のX-S の結合距離が、Zn-Sの結合距離2.34Å
よりも短い母体材料を用いている。+2価の価数を有する
Mnは元素Ｘを置換するので、Mn-Sの結合距離は、ZnS:Mn
発光層中のMn-S結合距離よりも短くなる。すると、S(硫
黄）のつくる結晶場と+2価のMnとの相互作用が強くな
り、発光準位エネルギーが低下し、発光スペクトルのピ
ーク波長はCaS:Mn発光層やZnS:Mn発光層の発光ピーク波
長590nm より長波長側にシフトし、発光層はMnを発光中
心とする赤色を呈し、Sm等と比較して高い発光輝度を得
ることができる。従ってフィルタを介することなく赤色
発光を得ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば計器類の自発光
型のセグメント表示やマトリックス表示、あるいは各種
情報端末計器のディスプレイなどに使用されるエレクト
ロルミネッセンス(Electroluminescense) 素子( 以下EL
素子と称する) に関する。
【０００２】
【従来の技術】EL素子はZnS(硫化亜鉛）等の蛍光体に電
界を印加したときに発光する現象を利用したもので、自
発光型のディスプレイを構成するものとして従来より注
目されている。図７はEL素子の典型的な従来の断面構造
を示した模式図である。EL素子１０は、絶縁性基板であ
るガラス基板１上に、光学的に透明なITO 膜から成る第
一電極２、Ta2O5(五酸化タンタル）等から成る第一絶縁
層３、発光層４、第二絶縁層５及びITO 膜から成る第二
電極６を順次積層して形成されている。ITO(Indium Tin
Oxide) 膜は、In2O3(酸化インジウム) にSn（錫）を添
加した透明の導電膜で、低抵抗率であることから従来よ
り透明電極用として広く使用されている。発光層４とし
ては、例えばZnS を母体材料とし、発光中心としてMn
（マンガン）、Sm（サマリウム）、Tb（テルビウム）を
添加したものや、SrS(硫化ストロンチウム）を母体材料
とし、発光中心としてCe（セリウム）を添加したものが
使用される。EL素子の発光色は、ZnS 中の添加物の種類
によって決まり、例えば発光中心としてMnを添加した場
合には黄橙色、Smを添加した場合には赤色、Tbを添加し
た場合には緑色の発光が得られる。またSrS に発光中心
としてCeを添加した場合には、青緑色の発光色が得られ
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】赤色発光を呈するEL発
光層として、ZnS:Sm発光層が開発されているが十分な輝
度が得られるには至っていない。一方、従来カラーテレ
ビのブラウン管の赤色蛍光体として用いられてきたY
2O3:Eu(ユーロピウム付活酸化イットリウム）等の蛍光
体は、母体材料が必ずしも半導体でないため、EL発光層
に用いても効率よく発光するとは限らず実用化には至っ
ていない。赤色発光を呈し母体材料が半導体である蛍光
体として、ZnGa2S4:Mn（マンガン付活硫化ガリウム）が
特開昭55-147584 号公報にて、CdGa2S4:Mn（マンガン付
活硫化ガリウムカドミウム）が特公昭61-4433 号公報に
て開示されている。これらの母体材料の結晶系は正方晶
系である。ところがEL発光層としてZnGa2S4:Mn蛍光体を
作成したところ赤色発光を認めることはできなかった。
またCdGa2S4:Mn蛍光体にはCdが含まれているため工業
的、環境的見地からはあまり望ましい材料ではない。
【０００４】そのため結局、黄橙色発光ではあるが、大
きい輝度の得られるZnS:Mn発光層に赤色成分のみを透過
するフィルタを用いて赤色EL発光を得る方法が現在広く
用いられている。ところがフィルタが必要となることに
より、コストが増大する、視野角が減少する、EL表示器
の構成が複雑になる等の不具合が生ずる。
【０００５】本発明は、上記課題を解決するために成さ
れたものであり、その目的とするところは、Mnを発光中
心として用い、発光層の母体材料として適切な物質を選
択することによって、フィルタを介することなく、赤色
発光を呈する新規なEL素子を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に成された本発明によるEL素子は、その発光層がMnを付
活物質として添加した硫黄化合物であって、該硫黄化合
物の結晶系が斜方晶系または立方晶系のいづれか１つに
属し、該硫黄化合物の構成元素の内＋２価の価数を有す
る元素Ｘのまわりに６つのS(硫黄）が配位し、X-S の結
合距離が2.56Å以上2.75Å以下であること、あるいはそ
の発光層がMnを付活物質として硫黄化合物であって、該
硫黄化合物の結晶系が斜方晶系または立方晶系の何れか
１つに属し、該硫黄化合物の構成元素の内＋２価の価数
を有する元素Ｘのまわりに４つのS(硫黄）が配位し、X-
S の結合距離が2.15Å以上2.27Å以下であることを特徴
とする。
【０００７】
【作用及び発明の効果】本発明によるEL素子の発光層に
おいては、＋２価の価数を有する元素Ｘのまわりに６つ
のS(硫黄）が配位する場合のX-S の結合距離が、同じく
まわりに６つのS(硫黄）が配位するCa-Sの結合距離2.84
Åよりも短い母体材料を用いている。また＋２価の価数
を有する元素Ｘのまわりに４つのS(硫黄）が配位する場
合のX-Sの結合距離が、同じくまわりに４つのS(硫黄）
が配位するZn-Sの結合距離2.34Åよりも短い母体材料を
用いている。＋２価の価数を有するMnは元素Ｘを置換す
るので、本発明によるEL素子の発光層中のMn-Sの結合距
離は、CaS:Mn発光層中のMn-S結合距離、あるいはZnS:Mn
発光層中のMn-S結合距離よりも短くなる。すると、S(硫
黄）のつくる結晶場と＋２価のMnとの相互作用が強くな
り、それに伴って発光準位エネルギーが低下し、発光ス
ペクトルのピーク波長はCaS:Mn発光層やZnS:Mn発光層の
発光ピーク波長590nm より長波長側にシフトする。これ
は発光色が黄橙色から赤色にシフトすることに対応し、
従って本発明によるEL素子の発光層はMnを発光中心とす
る赤色を呈することになる。この発光層はMnを発光中心
として用いているため、Sm等と比較して高い発光輝度を
得ることができる。さらに通常、硫黄化合物は広いバン
ドギャップをもった半導体であるため、EL発光層の母体
材料として適切である。以上の如く、本発明のEL素子に
よれば、フィルタを介することなく赤色発光を得ること
ができる。
【０００８】
【実施例】
（第一実施例）以下、本発明を具体的な実施例に基づい
て説明する。図１は、本発明に係わる薄膜EL素子１００
の断面を示した模式断面図である。外形構造としては従
来の図７の構造のものと変わりない。なお図１のEL素子
１００においても矢印方向に光を取り出している。
【０００９】薄膜EL素子１００は、絶縁性基板であるガ
ラス基板１１上に順次、以下の薄膜が積層形成され、構
成される。すなわち、ガラス基板１１上に、光学的に透
明なZnO(酸化亜鉛）から成る第一透明電極（第一電極）
１２、光学的に透明なTa2O5(五酸化タンタル）から成る
第一絶縁層１３、発光中心としてMnを添加したMgIn2S
4(硫化インジウムマグネシウム）から成る発光層１４、
光学的に透明なTa2O5 から成る第二絶縁層１５、光学的
に透明なZnO から成る第二透明電極（第二電極）１６が
形成される。
【００１０】この薄膜EL素子１００の製造方法を以下に
述べる。 (1) 先ず、ガラス基板１１上に第一透明電極１２を成膜
した。蒸着材料としては、ZnO 粉末にGa2O3(酸化ガリウ
ム）を加えて混合し、ペレット状に成形したものを用
い、成膜装置としてはイオンプレーティング装置を用い
た。具体的には、上記ガラス基板１１の温度を一定に保
持したままイオンプレーティング装置内を真空に排気し
た。その後Ar（アルゴン）ガスを導入して圧力を一定に
保ち、成膜速度が 6〜18nm/minの範囲となるようビーム
電力及び高周波電力を調整した。 (2) 次に、上記第一透明電極１２上に、Ta2O5 から成る
第一絶縁層１３をスパッタ法により形成した。具体的に
は、上記ガラス基板１１の温度を一定に保持し、スパッ
タ装置内にArとO2（酸素）の混合ガスを導入し、１KWの
高周波電力で成膜を行った。 (3) 次に、上記第一絶縁層１３上に、MgIn2S4(硫化イン
ジウムマグネシウム）を母体材料とし、発光中心として
Mnを添加したMgIn2S4:Mn発光層１４を、スパッタ法によ
り形成した。具体的には、上記ガラス基板１１の温度を
50〜300 ℃で一定に保持し、スパッタ装置内にArガスを
導入し、スパッタターゲットとしてMgIn2S4:Mn粉末ター
ゲットあるいは焼結ターゲットを用い、200Wの高周波電
力で成膜を行った。ここでMgIn2S4:Mn発光層中のMn濃度
が0.1 〜1.0 at％の範囲となるようにスパッタターゲッ
トのMn仕込み量を調整した。その後 550℃以上の高温雰
囲気にて 4〜40時間の熱処理を施した。 (4) 次に、上記発光層１４上に、Ta2O5 から成る第二絶
縁層１５を上述の第一絶縁層１３と同様の方法で形成し
た。そして ZnO膜から成る第二透明電極１６を、上述の
第一透明電極１２と同様の方法により、第二絶縁層１５
上に形成した。
【００１１】各層の膜厚は、第一透明電極１２、第二透
明電極１６が300nm 、第一絶縁層１３、第二絶縁層１５
が400nm 、発光層１４が600nm である。なおこの各層の
膜厚はその中央の部分を基準として述べてある。
【００１２】上記成膜方法にて形成した発光層１４の母
体材料MgIn2S4(硫化インジウムマグネシウム）は、Ｘ線
回折データより、立方晶系に属し、逆スピネル構造を有
し、格子定数が10.7Åであることが確かめられた。また
この母体材料中で＋２価の価数を有する元素はMgである
が、そのまわりに６つのS(硫黄）が配位しておりMg-Sの
結合距離が〜2.68ÅであることがEXAFS(Extended X-ray
Absorption Fine Structure）法により確かめられた。
図２はMg（元素Ｘで示す）の周囲に６つのS(硫黄）が配
位している様子を示す。この結合距離は、同じように６
つのS(硫黄）が配位しているCaS:Mn発光層のCa-S結合距
離2.84Åに比べて短い。従って、S(硫黄）のつくる結晶
場と＋２価のMnとの相互作用が強くなり、発光スペクト
ルのピーク波長は590nm より長波長側にシフトし、〜65
0nm にピークをもつ赤色EL発光が得られる。図３にこの
EL素子の発光スペクトルを示す。またMgIn2S4 のバンド
ギャップは、正確な値はわからないものの、 3〜4 eVで
あり、その値はEL発光層の母体材料として適切である。
【００１３】この第一実施例のMgIn2S4(硫化インジウム
マグネシウム）なる母体材料は、別の副次的な長所を有
している。それはMnIn2S4(硫化インジウムマンガン）と
いう物質が存在し、これが立方晶系に属して逆スピネル
構造をもち、その格子定数が10.715±8 Åであることに
基づく。すなわち、MgIn2S4 とMnIn2S4 が同じ結晶構造
をもち、その格子定数が極めて近い値なので、MgIn2S4
中にMnを添加してもほとんど格子が歪まず、母体材料の
結晶性が非常に良い蛍光体を製造することができる。す
るとEL発光にとっては有害な非放射再結合中心の濃度が
著しく減少する。また発光層を走行するキャリアの散乱
も減少し、キャリアを高エネルギーに加速することも容
易になる。従って、ZnS 中に、Znとかなりイオン半径の
異なるSmを添加した場合に比べ、大きなEL発光輝度を得
ることができる。
【００１４】またMgIn2S4:Mn発光層１４を形成する際
に、有機金属気相成長（MOCVD ：Metal Organic Chemic
al Vapor Deposition ）法を用いることもできる。具体
的には、上記ガラス基板１１を 500℃の一定温度に保持
し、成膜室内を減圧雰囲気下にした後、Arキャリアガス
を用いてMg(C11H20O2)2 （ジピバロイルメタン化マグネ
シウム）を、同様にArキャリアガスを用いてIn(C2H5)3
（トリエチルインジウム）を、またArガスで希釈したH2
S(硫化水素）を成膜室に導入する。更に発光中心元素を
添加するために、Arキャリアガス中にMn(C5H5)2(CO)
3（トリカルボニルシクロペンタジエニルマンガン）を
蒸発させ、これを成膜室に供給する。そしてこれらの原
料ガスを反応及び熱分解させることによって、発光中心
としてMnを添加したMgIn2S4:Mn発光層１４を形成する。
【００１５】（第二実施例）本発明の第二実施例におい
ては、図１のEL素子１００のガラス基板１１上に順次、
ZnO(酸化亜鉛）から成る第一透明電極（第一電極）１
２、Ta2O5 から成る第一絶縁層１３を形成した後、発光
中心としてMnを添加したMgY2S4（硫化イットリウムマグ
ネシウム）から成る発光層１４を形成する。その後第二
絶縁層１５、第二透明電極１６を形成するのは第一実施
例と同様である。
【００１６】上記発光層１４は、上記ガラス基板１１の
温度を50〜300 ℃で一定に保持し、スパッタ装置内にAr
ガスを導入し、MgY2S4:Mn 粉末ターゲットあるいは焼結
ターゲットを用い、200Wの高周波電力でスパッタ成膜す
ることにより形成した。ここでMgY2S4発光層中のMn濃度
が0.1 〜1.0 at％の範囲となるようにスパッタターゲッ
トのMn仕込み量を調整した。その後550 ℃以上の高温雰
囲気にて 4〜40時間の熱処理を施した。
【００１７】上記成膜方法にて形成した発光層１４の母
体MgY2S4は、Ｘ線回折データより、斜方晶系に属し、格
子定数がａ＝12.60 Å、ｂ＝12.73 Å、ｃ＝3.77Åであ
ることが確かめられた。またこの母体材料中で、＋２価
の価数を有する元素はMgであるが、そのまわりに４つの
S(硫黄）が配位しており、Mg-Sの結合距離が〜2.15Åで
あることがEXAFS 法により確かめられた。この結合距離
は、同じように４つのS(硫黄）が配位しているZnS:Mn発
光層のZn-S結合距離2.34Åに比べて短い。従って、S(硫
黄）のつくる結晶場と＋２価のMnとの相互作用が強くな
り、発光スペクトルのピーク波長は590nm より長波長側
にシフトし、〜700nm にピークをもつ赤色EL発光が得ら
れる。
【００１８】この第二実施例の母体材料も、前述の第一
実施例におけるのと同様な副次的な長所を有している。
MnY2S4（硫化イットリウムマンガン）という物質が存在
し、これが斜方晶系の同じ空間群に属し、その格子定数
がａ＝12.62 Å、ｂ＝12.75Å、ｃ＝3.78Åと極めて近
い値をもつからである。
【００１９】（第三実施例）本発明の第三実施例におい
ては、図１のEL素子１００のガラス基板１１上に順次、
ZnO(酸化亜鉛）から成る第一透明電極（第一電極）１
２、Ta2O5 から成る第一絶縁層１３を形成した後、発光
中心としてMnを添加したTiZr2S4(硫化ジルコニウムチタ
ン）から成る発光層１４を形成する。その後第二絶縁層
１５、第二透明電極１６を形成するのは第一実施例と同
様である。
【００２０】上記発光層１４は、上記ガラス基板１１の
温度を50〜300 ℃で一定に保持し、スパッタ装置内にAr
ガスを導入し、TiZr2S4:Mn粉末ターゲットあるいは焼結
ターゲットを用い、200Wの高周波電力でスパッタ成膜す
ることにより形成した。ここでTiZr2S4 発光層中のMn濃
度が0.1 〜1.0 at％の範囲となるようにスパッタターゲ
ットのMn仕込み量を調整した。その後 550℃以上の高温
雰囲気にて 4〜40時間の熱処理を施した。
【００２１】上記成膜方法にて形成した発光層１４の母
体TiZr2S4 は、Ｘ線回折データより、立方晶系に属し、
スピネル構造を有し、格子定数が10.26 Åであることが
確かめられた。またこの母体材料中で、＋２価の価数を
有する元素はTiであるが、そのまわりに４つのS(硫黄）
が配位しており、Ti-Sの結合距離が〜2.22Åであること
がEXAFS 法により確かめられた。図４はTi（元素Ｘで示
す）の周囲に４つのS(硫黄）が配位している様子を示
す。この結合距離は、同じように４つのS(硫黄）が配位
しているZnS:Mn発光層のZn-S結合距離2.34Åに比べて短
い。従って、S(硫黄）のつくる結晶場と＋２価のMnとの
相互作用が強くなり、発光スペクトルのピーク波長は59
0nm より長波長側にシフトし、〜650nm にピークをもつ
赤色EL発光が得られる。
【００２２】ここで、発光層１４の母体材料構成元素の
内、＋２価の価数を有する元素Ｘについて、X-S 結合距
離を請求項１および請求項２にある数値範囲に限定した
理由を述べる。まず、元素Ｘのまわりに６つのS(硫黄）
が配位している場合を説明する。このような母体材料と
してはMgS(硫化マグネシウム）、CaS 、SrS 、BaS(硫化
バリウム）、および本発明の第一実施例に示したMgIn2S
4 がある。これらにMnを添加したときの発光スペクトル
のピーク波長とX-S 結合距離との関係を図５に示す。赤
色発光が得られるときのピーク波長を620nm から700nm
とすると、この図より、X-S 結合距離として2.56Å以上
2.75Å以下が赤色発光を呈するために望ましい数値範囲
であることがわかる。
【００２３】次に、元素Ｘのまわりに４つのS(硫黄）が
配位している場合を説明する。このような母体材料とし
ては、ZnS 、本発明の第二実施例に示したMgY2S4、およ
び本発明の第三実施例に示したTiZr2S4 がある。これら
にMnを添加したときの発光スペクトルのピーク波長とX-
S 結合距離との関係を図６に示す。赤色発光が得られる
ときのピーク波長を620nm から700nm とすると、この図
よりX-S 結合距離として2.15Å以上2.27Å以下が赤色発
光を呈するために望ましい数値範囲であることがわか
る。
【００２４】以上のように、本発明の構成によってフィ
ルタを必要としない赤色発光のEL素子が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のEL素子の縦断面を示す図である。
【図２】本発明の第一実施例による発光層母体材料中で
元素ＸがS(硫黄）に配位されている様子を示す模式図で
ある。
【図３】本発明の第一実施例によるEL素子の発光スペク
トルを示す図である。
【図４】本発明の第三実施例による発光層母体材料中で
元素ＸがS(硫黄）に配位されている様子を示す模式図で
ある。
【図５】元素Ｘのまわりに６つのS(硫黄）が配位してい
る場合に、Ｘ−Ｓ結合距離と発光スペクトルピーク波長
との関係を示す図である。
【図６】元素Ｘのまわりに４つのS(硫黄）が配位してい
る場合に、Ｘ−Ｓ結合距離と発光スペクトルピーク波長
との関係を示す図である。
【図７】EL素子の縦断面を示す模式図である。
【符号の説明】
１０、１００ EL素子（エレクトロルミネッセンス素
子） １、１１ ガラス基板（絶縁性基板） ２、１２ 第一透明電極（第一電極） ３、１３ 第一絶縁層 ４、１４ 発光層 ５、１５ 第二絶縁層 ６、１６ 第二透明電極（第二電極）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 服部 正 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 日本電 装株式会社内

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】第一電極、第一絶縁層、発光層、第二絶縁
    層及び第二電極を、少なくとも光取り出し側の材料を光
    学的に透明なものにて順次積層したエレクトロルミネッ
    センス素子において、 前記発光層がMn（マンガン）を付活物質として添加した
    硫黄化合物であって、該硫黄化合物の結晶系が斜方晶系
    または立方晶系の何れか一つに属し、 該硫黄化合物の構成元素の内、＋２価の価数を有する元
    素Ｘのまわりに６つのＳ（硫黄）が配位し、Ｘ−Ｓの結
    合距離が2.56Å以上2.75Å以下であることを特徴とする
    エレクトロルミネッセンス素子。
  2. 【請求項２】第一電極、第一絶縁層、発光層、第二絶縁
    層及び第二電極を、少なくとも光取り出し側の材料を光
    学的に透明なものにて順次積層したエレクトロルミネッ
    センス素子において、 前記発光層がMn（マンガン）を付活物質として添加した
    硫黄化合物であって、該硫黄化合物の結晶系が斜方晶系
    または立方晶系の何れか一つに属し、 該硫黄化合物の構成元素の内、＋２価の価数を有する元
    素Ｘのまわりに４つのＳ（硫黄）が配位し、Ｘ−Ｓの結
    合距離が2.15Å以上2.27Å以下であることを特徴とする
    エレクトロルミネッセンス素子。
  3. 【請求項３】前記硫黄化合物が、MgIn2S4(硫化インジウ
    ムマグネシウム) であることを特徴とする請求項１に記
    載のエレクトロルミネッセンス素子。
  4. 【請求項４】前記硫黄化合物が、MgY2S4（硫黄イットリ
    ウムマグネシウム) またはTiZr2S4(硫化ジルコニウムチ
    タン) であることを特徴とする請求項２に記載のエレク
    トロルミネッセンス素子。
JP07651194A 1994-03-22 1994-03-22 エレクトロルミネッセンス素子 Expired - Lifetime JP3590986B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP07651194A JP3590986B2 (ja) 1994-03-22 1994-03-22 エレクトロルミネッセンス素子

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP07651194A JP3590986B2 (ja) 1994-03-22 1994-03-22 エレクトロルミネッセンス素子

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH07258630A true JPH07258630A (ja) 1995-10-09
JP3590986B2 JP3590986B2 (ja) 2004-11-17

Family

ID=13607294

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP07651194A Expired - Lifetime JP3590986B2 (ja) 1994-03-22 1994-03-22 エレクトロルミネッセンス素子

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3590986B2 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6939482B2 (en) 2002-09-20 2005-09-06 Tdk Corporation Phosphor thin film, manufacturing method of the same, and electroluminescent panel
US6939189B2 (en) 1999-05-14 2005-09-06 Ifire Technology Corp. Method of forming a patterned phosphor structure for an electroluminescent laminate

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6939189B2 (en) 1999-05-14 2005-09-06 Ifire Technology Corp. Method of forming a patterned phosphor structure for an electroluminescent laminate
US7427422B2 (en) 1999-05-14 2008-09-23 Ifire Technology Corp. Method of forming a thick film dielectric layer in an electroluminescent laminate
US7586256B2 (en) 1999-05-14 2009-09-08 Ifire Ip Corporation Combined substrate and dielectric layer component for use in an electroluminescent laminate
US6939482B2 (en) 2002-09-20 2005-09-06 Tdk Corporation Phosphor thin film, manufacturing method of the same, and electroluminescent panel

Also Published As

Publication number Publication date
JP3590986B2 (ja) 2004-11-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2605555B2 (ja) 無機薄膜ｅｌ素子
US5747929A (en) Electroluminescence element and method for fabricating same
JP2795194B2 (ja) エレクトロルミネッセンス素子とその製造方法
US5656888A (en) Oxygen-doped thiogallate phosphor
US6043602A (en) Alternating current thin film electroluminescent device having blue light emitting alkaline earth phosphor
US6284394B1 (en) Organic electroluminescent device
US6072198A (en) Electroluminescent alkaline-earth sulfide phosphor thin films with multiple coactivator dopants
US5612591A (en) Electroluminescent device
US5029320A (en) Thin film electroluminescence device with Zn concentration gradient
CN100420350C (zh) 无机电致发光元件及其制造方法
JP3590986B2 (ja) エレクトロルミネッセンス素子
CA2282193A1 (en) Electroluminescent phosphor thin films
US5667607A (en) Process for fabricating electroluminescent device
JP5192854B2 (ja) 蛍光体及びこれを用いた表示パネル
JP3016323B2 (ja) エレクトロルミネッセンス素子
JPH088064A (ja) エレクトロルミネッセンス素子 および 多色発光エレクトロルミネッセンス素子
JP2828019B2 (ja) エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
JP2605570B2 (ja) 無機薄膜ｅｌ素子
JP5283166B2 (ja) 衝突励起型ｅｌ用蛍光体、衝突励起型ｅｌ用蛍光体薄膜の製造方法、薄膜ｅｌ素子、薄膜ｅｌディスプレイ及び薄膜ｅｌランプ
JP2739803B2 (ja) 無機薄膜ｅｌ素子
JP3599356B2 (ja) エレクトロルミネッセンス素子
JPH07122363A (ja) エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JPS63218194A (ja) 薄膜ｅｌ素子
JPS6298597A (ja) 薄膜ｅｌ素子
JPS63995A (ja) 薄膜発光層材料

Legal Events

Date Code Title Description
TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20040803

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20040816

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100903

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110903

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110903

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120903

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120903

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130903

Year of fee payment: 9

EXPY Cancellation because of completion of term