JPH07263185A - Plasma processing apparatus and plasma processing method - Google Patents
Plasma processing apparatus and plasma processing methodInfo
- Publication number
- JPH07263185A JPH07263185A JP6053945A JP5394594A JPH07263185A JP H07263185 A JPH07263185 A JP H07263185A JP 6053945 A JP6053945 A JP 6053945A JP 5394594 A JP5394594 A JP 5394594A JP H07263185 A JPH07263185 A JP H07263185A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- frequency power
- coaxial
- plasma processing
- coaxial waveguide
- processing apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Plasma Technology (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体等の薄膜形成やエッチング工程に用い
られるプラズマ処理装置において、高密度、大面積でも
均一なプラズマ処理を実現する。
【構成】 略対向する少なくとも２つの高周波電力導入
口を有する矩形−同軸変換手段１６と、前記略対向する
少なくとも２つの高周波電力導入口に高周波電力を導入
する分岐手段１５とを備え、同軸導波管１８で高次モー
ドの発生が抑制され、同軸導波管１８の開放端におい
て、均一な高周波電力が放射され、均一なプラズマ処理
が可能となる。
(57) [Abstract] [Purpose] To realize uniform plasma processing in a high density and large area in a plasma processing apparatus used for forming a thin film of a semiconductor or the like and an etching process. A coaxial-waveguide is provided which includes a rectangular-coaxial conversion means 16 having at least two high-frequency power inlets that are substantially opposed to each other, and a branching means 15 that introduces high-frequency power to the at least two high-frequency power inlets that are substantially opposed to each other. Generation of higher-order modes is suppressed in the tube 18, uniform high-frequency power is radiated at the open end of the coaxial waveguide 18, and uniform plasma processing becomes possible.
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体や液晶パネル、
太陽電池等の薄膜形成工程、または微細なパターンを形
成するためのエッチング工程などに用いられるプラズマ
処理装置及びプラズマ処理方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to semiconductors, liquid crystal panels,
The present invention relates to a plasma processing apparatus and a plasma processing method used in a thin film forming step of a solar cell or the like or an etching step for forming a fine pattern.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、プラズマ処理装置は、高機能化と
その処理コストの低減のために、高速化、高品質化、大
面積処理化を実現する取り組みが盛んに行われている。
以下、従来のプラズマ処理装置を、マイクロ波マグネト
ロンスパッタ装置（特公平5-283365号公報）を例に挙げ
て説明する。2. Description of the Related Art In recent years, efforts have been actively made to realize high speed, high quality, and large area processing of plasma processing apparatuses in order to improve their functions and reduce their processing costs.
Hereinafter, a conventional plasma processing apparatus will be described by taking a microwave magnetron sputtering apparatus (Japanese Patent Publication No. 5-283365) as an example.
【０００３】図８は、従来のプラズマ処理装置における
反応室の断面図である。図８において、１はマグネトロ
ンで、矩形導波管２に接続され、矩形導波管２は同軸導
波管３に接続されている。矩形導波管２の内部にはリッ
ジ４、プランジャ５が設けられており、リッジ４と同軸
導波管３の中心導体３ａが接続されている。同軸導波管
３はテーパー状に拡大しており、終端の平坦部にはター
ゲット６が設置できるようになっている。ターゲット６
の下にはリング状の磁気ギャップを持った同心円の永久
磁石７が埋め込まれている。また、同軸導波管３の中心
導体３ａと外周導体３ｂとの間には真空封止し、かつ、
マイクロ波を透過する絶縁物としての石英窓が設けられ
ている。８は真空排気手段を有する真空保持可能な真空
容器でテフロン板により同軸導波管３と電気的に絶縁さ
れている。９は被処理基板、１０は被処理基板台、１１
はガス導入管である。FIG. 8 is a sectional view of a reaction chamber in a conventional plasma processing apparatus. In FIG. 8, 1 is a magnetron, which is connected to the rectangular waveguide 2, and the rectangular waveguide 2 is connected to the coaxial waveguide 3. A ridge 4 and a plunger 5 are provided inside the rectangular waveguide 2, and the ridge 4 and the center conductor 3 a of the coaxial waveguide 3 are connected to each other. The coaxial waveguide 3 is expanded in a tapered shape, and the target 6 can be installed on the flat portion at the end. Target 6
A concentric permanent magnet 7 having a ring-shaped magnetic gap is embedded underneath. A vacuum seal is provided between the central conductor 3a and the outer peripheral conductor 3b of the coaxial waveguide 3, and
A quartz window is provided as an insulator that transmits microwaves. Reference numeral 8 denotes a vacuum container having a vacuum evacuation means capable of holding a vacuum, and is electrically insulated from the coaxial waveguide 3 by a Teflon plate. 9 is a substrate to be processed, 10 is a substrate to be processed, 11
Is a gas introduction pipe.
【０００４】以上のような構成を有する従来のプラズマ
処理装置について、以下その動作を説明する。マグネト
ロン１から発振された２．４５ＧHzのマイクロ波は、矩
形導波管２中を矩形導波管伝播モード（ＴＥ10波）で伝
播し、リッジ４の作用により同軸導波管伝播モードに変
換され、同軸導波管３を伝播し、ターゲット６上に導か
れる。このときガス導入管１１からＡｒ等を2×10-2Tor
r程度導入し、プランジャ５を調整すれば、ターゲット
６上にプラズマが発生し、永久磁石７の作用により、マ
グネトロンモードの放電が維持される。そして、ガス圧
力を8×10-2Torr程度に低下させ、同軸導波管３に高周
波電源１２により、13.56MHz を印加すると、プラズマ
中のイオンがターゲット６の表面をたたき、ターゲット
６の粒子が放出され、被処理基板９上にターゲット６の
成分の薄膜を形成する。The operation of the conventional plasma processing apparatus having the above structure will be described below. The 2.45 GHz microwave oscillated from the magnetron 1 propagates in the rectangular waveguide 2 in the rectangular waveguide propagation mode (TE 10 wave) and is converted into the coaxial waveguide propagation mode by the action of the ridge 4. , Propagates through the coaxial waveguide 3 and is guided onto the target 6. At this time, 2 × 10 −2 Tor of Ar or the like is fed from the gas introduction pipe 11.
If about r is introduced and the plunger 5 is adjusted, plasma is generated on the target 6 and the magnetron mode discharge is maintained by the action of the permanent magnet 7. Then, when the gas pressure is reduced to about 8 × 10 -2 Torr and 13.56 MHz is applied to the coaxial waveguide 3 by the high frequency power source 12, the ions in the plasma hit the surface of the target 6 and particles of the target 6 are generated. The thin film of the component of the target 6 is formed on the substrate 9 to be processed.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の構成を有する従来のプラズマ処理装置では、マイク
ロ波の矩形導波管伝播モードから同軸導波管伝播モード
のモード変換において、高次モードであるＴＥ11波が発
生し、同軸導波管にＴＥＭ波とＴＥ11波が合成された電
界分布の偏ったモードのマイクロ波が伝播し、同軸導波
管の開端部においてマイクロ波が偏って放射され、その
ために不均一なプラズマが発生し、プラズマ処理の均一
性が悪くなり、大面積の基板に対しては適用できないと
いう問題点があった。However, in the conventional plasma processing apparatus having the above-mentioned conventional structure, the higher-order mode is used in the mode conversion from the rectangular waveguide propagation mode of microwaves to the coaxial waveguide propagation mode. A TE 11 wave is generated, and a microwave with a biased electric field distribution, which is a combination of the TEM wave and the TE 11 wave, propagates in the coaxial waveguide, and the microwave is radiated in a biased manner at the open end of the coaxial waveguide. Therefore, non-uniform plasma is generated, the uniformity of plasma processing is deteriorated, and there is a problem that it cannot be applied to a large-area substrate.
【０００６】本発明は、前記従来技術の課題を解決し、
高密度のプラズマで大面積の基板でも均一に処理するこ
とのできるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提
供することを目的とする。The present invention solves the above problems of the prior art,
An object of the present invention is to provide a plasma processing apparatus and a plasma processing method capable of uniformly processing a large-area substrate with high-density plasma.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係るプラズマ処理装置の第１の構成は、真
空排気手段とガス導入手段とを有する真空容器と、前記
真空容器内に設けられた被処理基板保持手段と、前記真
空容器に接続された同軸導波管と、前記同軸導波管を真
空封止する絶縁物とを備え、前記同軸導波管の前記真空
容器に接続された開放端より高周波電力を放射し、前記
ガス導入手段より導入されたガスをプラズマ化すること
により処理を行うプラズマ処理装置において、前記同軸
導波管の高周波電力を放射する開放端と反対側の終端に
接続され、略対向する少なくとも２つの高周波電力導入
口を有し、前記略対向する少なくとも２つの高周波電力
導入口より導入される高周波電力どうしを干渉させるこ
とにより、高周波電力の高次モード発生を抑制する矩形
−同軸変換手段と、前記矩形−同軸変換手段の略対向す
る少なくとも２つの高周波電力導入口のそれぞれに高周
波電力を導入する高周波電力導入手段とを備えたことを
特徴とする。In order to achieve the above object, a plasma processing apparatus according to a first aspect of the present invention is provided with a vacuum container having a vacuum evacuation means and a gas introduction means, and a vacuum container provided in the vacuum container. And a coaxial waveguide connected to the vacuum container, and an insulator for vacuum-sealing the coaxial waveguide, and connected to the vacuum container of the coaxial waveguide. In a plasma processing apparatus that performs processing by radiating high-frequency power from the open end and converting the gas introduced by the gas introduction means into plasma, a portion of the coaxial waveguide opposite to the open end radiating the high-frequency power. The high frequency power is connected to the terminal end and has at least two high frequency power inlets that are substantially opposed to each other. The rectangular-coaxial conversion means for suppressing the generation of higher-order modes, and the high-frequency power introduction means for introducing high-frequency power into each of at least two high-frequency power introduction ports that are substantially opposed to the rectangular-coaxial conversion means. Characterize.
【０００８】また、前記第１の構成において、高周波電
力導入手段は、高周波電力発振手段と、前記高周波電力
発振手段により発振された高周波電力を分岐し矩形−同
軸変換手段の略対向する少なくとも２つの高周波電力導
入口に導入する高周波電力分岐手段とで構成されるのが
好ましい。In the first structure, the high-frequency power introducing means divides the high-frequency power oscillating means and the high-frequency power oscillating by the high-frequency power oscillating means into at least two rectangular-coaxial converting means which are substantially opposed to each other. It is preferably configured with high-frequency power branching means introduced into the high-frequency power inlet.
【０００９】もしくは、前記第１の構成において、高周
波電力導入手段は、矩形−同軸変換手段の略対向する少
なくとも２つの高周波電力導入口の１つ１つに対応する
少なくとも２つの高周波電力発振手段を有するのが好ま
しい。Alternatively, in the first configuration, the high-frequency power introducing means includes at least two high-frequency power oscillating means corresponding to each of the at least two high-frequency power introducing ports of the rectangular-coaxial converting means which are substantially opposed to each other. It is preferable to have.
【００１０】また、前記第１の構成において、矩形−同
軸変換手段は、両端が高周波電力導入口である矩形導波
管と、前記矩形導波管の内部に設けられ同軸導波管の中
心導体に接続された対称なテーパー形状のブロックから
構成されるのが好ましい。Further, in the first structure, the rectangular-coaxial conversion means comprises a rectangular waveguide having high-frequency power inlets at both ends, and a central conductor of the coaxial waveguide provided inside the rectangular waveguide. It is preferably composed of symmetrical taper-shaped blocks connected to each other.
【００１１】もしくは、前記第１の構成において、矩形
−同軸変換手段は、両端が高周波電力導入口であり、か
つ、同軸導波管の中心導体が内部の途中まで電界の方向
と平行に挿入された構造の矩形導波管で構成されるのが
好ましく、さらに、同軸導波管の中心導体は矩形−同軸
変換手段の矩形導波管の側面につきでた形状であるのが
好ましい。Alternatively, in the first configuration, the rectangular-to-coaxial conversion means has high-frequency power inlets at both ends, and the center conductor of the coaxial waveguide is inserted halfway inside to be parallel to the electric field direction. It is preferable that the central waveguide of the coaxial waveguide is formed in a rectangular waveguide having the above-mentioned structure.
【００１２】また、本発明に係るプラズマ処理装置の第
２の構成は、真空排気手段とガス導入手段とを有する真
空容器と、前記真空容器内に設けられた被処理基板保持
手段と、前記真空容器に接続された同軸導波管と、前記
同軸導波管を封止する絶縁物とを備え、前記同軸導波管
の前記真空容器に接続された開放端より高周波電力を放
射し、前記ガス導入手段より導入されたガスをプラズマ
化することにより処理を行うプラズマ処理装置であっ
て、前記同軸導波管に接続され、前記同軸導波管に高周
波電力を導入する少なくとも２つの同軸分岐管と、前記
少なくとも２つの同軸分岐管のそれぞれに高周波電力を
導入する高周波電力導入手段とを備えたものである。A second configuration of the plasma processing apparatus according to the present invention is a vacuum container having a vacuum evacuation unit and a gas introduction unit, a substrate holding unit provided in the vacuum container, and the vacuum chamber. A coaxial waveguide connected to the container, and an insulator for sealing the coaxial waveguide, radiating high-frequency power from the open end of the coaxial waveguide connected to the vacuum container, and the gas A plasma processing apparatus for performing a process by converting the gas introduced by the introducing means into plasma, and at least two coaxial branch pipes connected to the coaxial waveguide and introducing high-frequency power into the coaxial waveguide. , And a high-frequency power introduction means for introducing high-frequency power into each of the at least two coaxial branch pipes.
【００１３】また、前記第２の構成で、同軸導波管の中
心導体において、真空容器内の高周波電力放射部分にガ
スを導入する中心導体ガス導入手段を有するのが好まし
い。In the second structure, it is preferable that the central conductor of the coaxial waveguide has a central conductor gas introduction means for introducing gas into the high frequency power radiation portion in the vacuum container.
【００１４】また、本発明に係るプラズマ処理装置の第
３の構成は、真空排気手段とガス導入手段とを有する真
空容器と、前記真空容器内に設けられた被処理基板保持
手段と、前記真空容器に接続された同軸導波管と、前記
同軸導波管を封止する絶縁物とを備え、前記同軸導波管
の前記真空容器に接続された開放端より高周波電力を放
射し、前記ガス導入手段より導入されたガスをプラズマ
化することにより処理を行うプラズマ処理装置であっ
て、前記同軸導波管に接続され、高周波電力整合手段を
有する少なくとも２つの同軸分岐管と、前記同軸導波管
に高周波電力を導入する高周波電力導入手段とを備えた
ものである。A third configuration of the plasma processing apparatus according to the present invention is a vacuum container having a vacuum evacuation unit and a gas introduction unit, a substrate to be processed holding unit provided in the vacuum container, and the vacuum chamber. A coaxial waveguide connected to the container, and an insulator for sealing the coaxial waveguide, radiating high-frequency power from the open end of the coaxial waveguide connected to the vacuum container, and the gas What is claimed is: 1. A plasma processing apparatus for performing a process by converting a gas introduced from an introducing means into a plasma, wherein at least two coaxial branch pipes connected to the coaxial waveguide and having high-frequency power matching means, and the coaxial waveguide. And a high-frequency power introduction means for introducing high-frequency power into the tube.
【００１５】また、前記第３の構成においては、少なく
とも２つの同軸分岐管の少なくとも１つは中心導体にお
いて、真空容器内の高周波電力放射部分にガスを導入す
る中心導体ガス導入手段を有するのが好ましい。In the third configuration, at least one of the at least two coaxial branch pipes has a central conductor gas introducing means for introducing gas into the high frequency power radiating portion in the vacuum container in the central conductor. preferable.
【００１６】また、前記第１及び第２の構成において
は、同軸導波管を真空容器に向かうに従ってテーパー状
に拡大した構造であるのが好ましい。Further, in the first and second configurations, it is preferable that the coaxial waveguide has a structure in which it is expanded in a taper shape toward the vacuum container.
【００１７】また、前記第１及び第２の構成において
は、同軸導波管によって真空容器内に放射される高周波
電界内に磁界を形成する手段を有するのが好ましい。Further, in the first and second configurations, it is preferable to have means for forming a magnetic field in the high frequency electric field radiated into the vacuum vessel by the coaxial waveguide.
【００１８】また、本発明に係るプラズマ処理方法は、
真空排気手段を有する真空容器内にガスを導入し、高周
波電力によって前記ガスをプラズマ化し、前記真空容器
内に設けた被処理基板を処理するプラズマ処理方法であ
って、略対向する少なくとも２つの高周波電力導入口よ
り導入される高周波電力同志を干渉させることにより高
周波電力の高次モード発生を抑制する矩形−同軸変換手
段が接続された同軸導波管から前記高周波電力を放射す
ることにより発生するプラズマを用いて前記被処理基板
に処理を施すことを特徴とする。Further, the plasma processing method according to the present invention is
A plasma processing method, in which a gas is introduced into a vacuum container having a vacuum evacuation means, the gas is turned into plasma by high-frequency power, and a substrate to be processed provided in the vacuum container is processed. Plasma generated by radiating the high-frequency power from a coaxial waveguide connected to a rectangular-coaxial conversion means for suppressing generation of higher-order modes of the high-frequency power by interfering high-frequency powers introduced from the power inlet Is used to process the substrate to be processed.
【００１９】[0019]
【作用】本発明の第１の構成によれば、高周波電力の矩
形導波管伝播モードから同軸導波管伝播モードの変換の
際に、略対向する高周波電力導入口より導入される高周
波電力どうしが干渉することにより高次モードの発生が
抑制され、同軸導波管に均一なモードの高周波電力が伝
播するので、同軸導波管の終端において均一な高周波電
力が放射され、均一なプラズマが発生し、大面積の基板
でも均一に処理することができる。According to the first configuration of the present invention, when the rectangular waveguide propagation mode of the high frequency power is converted into the coaxial waveguide propagation mode, the high frequency powers introduced from the substantially opposite high frequency power introduction ports are connected to each other. The generation of higher-order modes is suppressed by the interference between the two, and the high-frequency power of a uniform mode propagates in the coaxial waveguide, so that the uniform high-frequency power is radiated at the end of the coaxial waveguide and a uniform plasma is generated. However, even a large-area substrate can be uniformly processed.
【００２０】また、前記第１の構成の高周波電力導入手
段を、高周波電力発振手段と、前記高周波発振手段によ
り発振された高周波電力を分岐し矩形−同軸変換手段の
略対向する少なくとも２つの高周波電力導入口に導入す
る高周波電力分岐手段とからなる構成とすれば、略対向
する少なくとも２つの高周波電力導入口にそれぞれ導入
される高周波電力は元は同じ高周波電力発振手段より発
振され、分配された高周波電力であることから、各高周
波電力どうしの位相の整合が容易となり、簡潔な高周波
電力の調整で、同軸導波管での高次モードの発生を抑制
し、均一なプラズマを発生させる。Further, the high-frequency power introducing means of the first structure is provided with at least two high-frequency power oscillating means and at least two high-frequency power diverging the high-frequency power oscillated by the high-frequency oscillating means which are substantially opposite to each other in the rectangular-coaxial converting means. With the configuration including the high-frequency power branching means introduced into the introduction port, the high-frequency power introduced into each of at least two high-frequency power introduction ports substantially opposite to each other is originally oscillated by the same high-frequency power oscillating means and distributed high frequency power. Since it is electric power, the phases of the respective high frequency powers can be easily matched, and the simple adjustment of the high frequency powers suppresses the generation of higher-order modes in the coaxial waveguide, thereby generating a uniform plasma.
【００２１】また、前記第１の構成の高周波電力導入手
段を、矩形−同軸変換手段の略対向する少なくとも２つ
の高周波電力導入口の１つ１つに対応する少なくとも２
つの高周波電力発振手段を有する構成とすれば、複雑な
構成の分岐手段が不必要となり、簡潔な構成で同軸導波
管での高次モードの発生を抑制し、均一なプラズマを発
生させる。Further, at least two high-frequency power introducing means of the above-mentioned first structure correspond to at least two high-frequency power introducing ports of the rectangular-coaxial converting means which are substantially opposed to each other.
With the configuration having two high-frequency power oscillating means, the branching means having a complicated configuration is unnecessary, and the generation of higher-order modes in the coaxial waveguide is suppressed and the uniform plasma is generated with a simple configuration.
【００２２】また、前記第１の構成の矩形−同軸変換手
段を、矩形導波管と、前記矩形導波管の内部に設けられ
同軸導波管の中心導体に接続された対称なテーパー形状
のブロックとからなる構成とすれば、矩形導波管から同
軸導波管への特性インピーダンスの変化が緩やかにな
り、矩形−同軸変換手段での高周波電力の反射を抑制し
て、効率よく高周波電力が変換され、効率よく均一なプ
ラズマを発生する。Further, the rectangular-coaxial converting means of the first structure is a rectangular waveguide and a symmetrical taper shape which is provided inside the rectangular waveguide and is connected to the central conductor of the coaxial waveguide. With the configuration including the block, the change in the characteristic impedance from the rectangular waveguide to the coaxial waveguide becomes gentle, the reflection of the high frequency power in the rectangular-coaxial conversion means is suppressed, and the high frequency power is efficiently generated. It is converted and efficiently generates a uniform plasma.
【００２３】また、前記第１の構成の矩形−同軸変換手
段を、両端が高周波電力導入口であり、同軸導波管の中
心導体が内部の途中まで電界の方向と平行に挿入された
構造の矩形導波管で構成すれば、矩形−同軸変換手段は
矩形導波管のみで構成されるので、簡潔な構成で矩形−
同軸の変換を行い、均一なプラズマを発生できる。Further, the rectangular-coaxial conversion means of the first structure has a structure in which both ends are high-frequency power inlets and the center conductor of the coaxial waveguide is inserted halfway inside to be parallel to the direction of the electric field. If it is configured with a rectangular waveguide, the rectangular-coaxial conversion means is configured with only a rectangular waveguide, so that the rectangular-coaxial conversion means has a simple configuration.
Coaxial conversion can be performed and uniform plasma can be generated.
【００２４】また、同軸導波管の中心導体を矩形−同軸
変換手段の矩形導波管の側面につきでた形状とした構成
にすれば、矩形導波管の側面で同軸導波管の中心導体の
保持ができ、均一なプラズマを発生できるとともに、中
心導体の保持が容易になる。Further, if the central conductor of the coaxial waveguide is formed in such a shape as to extend along the side surface of the rectangular waveguide of the rectangular-coaxial conversion means, the central conductor of the coaxial waveguide is formed on the side surface of the rectangular waveguide. Can be held, uniform plasma can be generated, and the center conductor can be easily held.
【００２５】また、前記第２の構成によれば、分岐の存
在による整合の乱れの影響で高周波電力の高次モードが
発生するのを抑制し、分岐が存在する場合でも、同軸導
波管に均一なモードの高周波電力が伝播し、均一なプラ
ズマを発生させる。Further, according to the second configuration, it is possible to suppress the occurrence of a higher-order mode of high frequency power due to the influence of the matching disorder due to the existence of the branch, and even when the branch exists, the coaxial waveguide can be used. High-frequency power in a uniform mode propagates to generate a uniform plasma.
【００２６】また、前記第２の構成で、同軸導波管の中
心導体において、真空容器内の高周波電力放射部分にガ
スを導入する中心導体ガス導入手段を有する構成にすれ
ば、高周波が放射される部分に、効率よくガスを導入
し、効率よく均一なプラズマが発生する。Further, in the second configuration, if the central conductor of the coaxial waveguide has a central conductor gas introducing means for introducing gas into the high frequency power radiating portion in the vacuum container, high frequency radiation will be radiated. The gas is efficiently introduced into the portion where the plasma is uniformly generated.
【００２７】また、前記第３の構成によれば、高周波電
力整合手段により分岐の存在による整合の乱れの影響で
高周波電力の高次モードが発生するのを抑制し、分岐が
存在する場合でも、同軸導波管に均一なモードの高周波
電力が伝播し、均一なプラズマが発生する。Further, according to the third structure, the high-frequency power matching means suppresses the generation of the higher-order mode of the high-frequency power due to the influence of the disturbance of the matching due to the existence of the branch, and even when the branch exists, High-frequency power of a uniform mode propagates in the coaxial waveguide, and uniform plasma is generated.
【００２８】また、前記第３の構成の少なくとも２つの
同軸分岐管の少なくとも１つは中心導体において、真空
容器内の高周波電力放射部分にガスを導入する中心導体
ガス導入手段を有する構成にすれば、高周波が放射され
る部分に、効率よくガスを導入し、効率よく均一なプラ
ズマが発生する。If at least one of the at least two coaxial branch pipes of the third structure has a central conductor gas introducing means for introducing gas into the high frequency power radiating portion in the vacuum container in at least one of the central conductors. The gas is efficiently introduced into the part where the high frequency is radiated, and the uniform plasma is efficiently generated.
【００２９】また、前記第１、第２及び第３の構成にお
いて、同軸導波管を真空容器に向かうに従ってテーパー
状に拡大した構造によれば、高周波電力がテーパー状同
軸導波管部で拡大され、真空容器内の広い領域にわたっ
て放射する。Further, in the first, second and third configurations, according to the structure in which the coaxial waveguide is expanded in a tapered shape toward the vacuum container, the high frequency power is expanded in the tapered coaxial waveguide section. And radiates over a large area within the vacuum vessel.
【００３０】また、前記第１、第２及び第３の構成にお
いて、同軸導波管によって真空容器内に放射される高周
波電界内に磁界を形成する手段を有する構成によれば、
高周波電界が磁界形成手段によって形成される磁気ギャ
ップと相互作用し、プラズマ中の電子を捕獲、回転運動
させ、プラズマ密度が高まる。According to the first, second and third configurations, the coaxial waveguide has a means for forming a magnetic field in a high frequency electric field radiated into the vacuum vessel.
The high frequency electric field interacts with the magnetic gap formed by the magnetic field forming means, traps and rotates the electrons in the plasma, increasing the plasma density.
【００３１】また、本発明に係るプラズマ処理方法によ
れば、矩形−同軸変換手段が接続された同軸導波管から
前記高周波電力を放射することにより発生するプラズマ
を用いるので、均一な高周波電力が放射されて発生した
均一なプラズマが得られ、大面積の基板は均一に効率よ
く処理される。Further, according to the plasma processing method of the present invention, since the plasma generated by radiating the high frequency power from the coaxial waveguide to which the rectangular-coaxial conversion means is connected is used, uniform high frequency power can be obtained. A uniform plasma generated by being radiated is obtained, and a large-area substrate is uniformly and efficiently processed.
【００３２】[0032]
【実施例】以下、実施例を用いて本発明をさらに具体的
に説明する。EXAMPLES The present invention will be described in more detail below with reference to examples.
【００３３】（実施例１）図１は本発明に係るプラズマ
処理装置の実施例１における反応室の断面図である。図
１において、１３はマイクロ波発生装置であるマグネト
ロン、１４は反射波を分離吸収するアイソレータであ
る。１５はマイクロ波の矩形導波管（109mm×54.5mm）
による分岐手段であり、分岐路１５ａ、１５ｂ、分岐１
５ｃで構成されている。分岐１５ｃはＥ面Ｔ分岐の矩形
導波管であり、２つの出力には分岐路１５ａ、１５ｂが
それぞれ接続されている。分岐路１５ａ、１５ｂはＥコ
ーナーを持ち、導波路を曲げることにより分岐１５ｃと
矩形−同軸変換手段１６の両端を結んでいる。また、分
岐手段１６にはマイクロ波の整合をとるためのスリース
タブチューナ１７ａ、１７ｂ、１７ｃが設けられてい
る。(Embodiment 1) FIG. 1 is a sectional view of a reaction chamber in Embodiment 1 of the plasma processing apparatus according to the present invention. In FIG. 1, 13 is a magnetron that is a microwave generator, and 14 is an isolator that separates and absorbs reflected waves. 15 is a microwave rectangular waveguide (109 mm x 54.5 mm)
The branch means 15a, 15b, branch 1
5c. The branch 15c is an E-plane T-branch rectangular waveguide, and branch paths 15a and 15b are connected to the two outputs, respectively. The branch paths 15a and 15b have E corners and connect the branch 15c and both ends of the rectangular-coaxial conversion means 16 by bending the waveguide. The branching means 16 is provided with three stub tuners 17a, 17b, 17c for matching microwaves.
【００３４】矩形−同軸変換手段１６はマイクロ波の矩
形導波管（109mm×54.5mm）１６ａとテーパー形状のブ
ロックであるリッジ１６ｂで構成されており、その中心
部に中心導体１８ａ（外径24mm）、外周導体１８ｂ（内
径54mm）で構成される同軸導波管１８が接続されてい
る。また、リッジ１６ｂは、矩形導波管１６ａの内部に
設けられており、同軸導波管の中心導体１８ａが接続さ
れている。同軸導波管１８は終端において、４５度のテ
ーパー形状で拡大され、真空排気手段を有する真空保持
可能な真空容器１９に接続され、マイクロ波を透過する
絶縁物としての石英窓２０により真空封止されている。
同軸導波管の中心導体１８ａの拡大された終端部の内部
は空洞になっており、平坦部にはターゲット２１が設置
してある。The rectangular-coaxial conversion means 16 comprises a microwave rectangular waveguide (109 mm × 54.5 mm) 16a and a ridge 16b which is a tapered block, and a central conductor 18a (outer diameter 24 mm) at the center thereof. ) And a coaxial waveguide 18 constituted by an outer peripheral conductor 18b (inner diameter 54 mm). The ridge 16b is provided inside the rectangular waveguide 16a and is connected to the central conductor 18a of the coaxial waveguide. The coaxial waveguide 18 is expanded in a taper shape of 45 degrees at the terminal end, is connected to a vacuum container 19 capable of holding a vacuum having a vacuum evacuation means, and is vacuum-sealed by a quartz window 20 as an insulator that transmits microwaves. Has been done.
The inside of the enlarged end portion of the central conductor 18a of the coaxial waveguide is hollow, and the target 21 is installed on the flat portion.
【００３５】ターゲット２１は同軸導波管の中心導体１
８ａとはテフロン板２２で電気的に絶縁されたターゲッ
トホルダー２３により支持されており、ターゲットホル
ダー２３の内部にはターゲット２１の面上に磁場を発生
させるためのリング状の磁気ギャップを持った同心円の
永久磁石２４が内蔵されている。また、永久磁石２４と
ターゲット２１は水冷できるようになっており、同軸導
波管の中心導体１８ａの内部に水冷パイプ２５が通って
いる。また、この水冷パイプ２５に電位を印加すること
により、ターゲット２１の電位を変化させることができ
るようになっている。２６は被処理基板、２７は被処理
基板２６の加熱手段であるヒータ（図示せず）を有する
基板台、２８は真空容器１９内にガスを導入するための
ガス導入手段である。The target 21 is the central conductor 1 of the coaxial waveguide.
8a is supported by a target holder 23 that is electrically insulated by a Teflon plate 22, and inside the target holder 23 is a concentric circle having a ring-shaped magnetic gap for generating a magnetic field on the surface of the target 21. The permanent magnet 24 of FIG. The permanent magnet 24 and the target 21 can be water-cooled, and a water-cooling pipe 25 runs inside the central conductor 18a of the coaxial waveguide. Further, by applying a potential to the water cooling pipe 25, the potential of the target 21 can be changed. Reference numeral 26 is a substrate to be processed, 27 is a substrate table having a heater (not shown) which is a heating means of the substrate to be processed 26, and 28 is a gas introducing means for introducing a gas into the vacuum container 19.
【００３６】以上説明した構成は本発明に係るプラズマ
処理装置をマイクロ波マグネトロンスパッタ装置として
用いた場合の実施例であり、以下その動作を説明する。The configuration described above is an embodiment in which the plasma processing apparatus according to the present invention is used as a microwave magnetron sputtering apparatus, and its operation will be described below.
【００３７】マグネトロン１３から発振された２．４５
ＧHzのマイクロ波は矩形導波管中をTE10モードで伝播
し、分岐１５ｃにて均一に電力が分配され、分岐路１５
ａ、１５ｂを伝播し、矩形−同軸変換手段１６の矩形導
波管１６ａの両端より入力される。矩形−同軸変換手段
１６では、リッジ１６ｂの作用によって、マイクロ波は
矩形導波管伝播モードから同軸導波管伝播モードへと変
換される。リッジ１６ｂは矩形導波管１６ａと同軸導波
管１８の特性インピーダンスの違いを緩やかに繋ぎ、マ
イクロ波が矩形−同軸変換手段１６にて反射することな
く効率よく変換されるよう作用する。2.45 oscillated from the magnetron 13
The GHz microwave propagates in the TE 10 mode through the rectangular waveguide, and the power is evenly distributed by the branch 15c.
A is propagated through a and 15b, and is input from both ends of the rectangular waveguide 16a of the rectangular-coaxial conversion means 16. In the rectangular-coaxial conversion means 16, the microwave is converted from the rectangular waveguide propagation mode to the coaxial waveguide propagation mode by the action of the ridge 16b. The ridge 16b gently connects the difference in characteristic impedance between the rectangular waveguide 16a and the coaxial waveguide 18, and acts so that the microwave is efficiently converted without being reflected by the rectangular-coaxial conversion means 16.
【００３８】この変換では、リッジに対して２方向から
マイクロ波を導入することにより、分岐路１５ａ、１５
ｂで入力されるマイクロ波の位相をスリースタブチュー
ナ１７ａ、１７ｂで合わせ、スリースタブチューナ１７
ｃで整合をとれば、高次モードであるＴＥ10波は互いに
干渉し、打ち消し合う形になるので、発生することはな
く、矩形導波管のＴＥ10波はすべてＴＥＭ波に変換さ
れ、同軸導波管１８には均一なＴＥＭ波のみが伝播し、
同軸導波管１８の終端部において均一なマイクロ波が放
射される。したがって、ガス導入手段２８からアルゴン
ガス等を導入して、真空容器１９内のガス圧を2×10-2T
orrにすると、放射されたマイクロ波によって均一なプ
ラズマが発生する。In this conversion, microwaves are introduced into the ridge from two directions, whereby the branch paths 15a, 15
The microwave of the microwave input in b is matched by the three stub tuners 17a and 17b.
If the matching is done at c, the TE 10 waves that are higher-order modes will interfere with each other and cancel each other, so that they will not be generated and all the TE 10 waves of the rectangular waveguide will be converted to TEM waves and Only uniform TEM waves propagate in the waveguide 18,
A uniform microwave is radiated at the end of the coaxial waveguide 18. Therefore, by introducing argon gas or the like from the gas introducing means 28, the gas pressure in the vacuum container 19 is adjusted to 2 × 10 -2 T.
When set to orr, a uniform plasma is generated by the emitted microwaves.
【００３９】また、スリースタブチューナ１７ｃを調整
し、プラズマを、例えば３インチのSiO2ターゲット２１
の上に持ってくる。ターゲット２１上では同心円永久磁
石２４の作用によって100〜200ガウスの磁場が印加され
ており、リング上の磁気ギャップにプラズマが捕獲さ
れ、マグネトロンモードの放電が維持される。そして、
ガス圧を低下させ、例えば8×10-4Torrとし、高周波電
源２９によって、例えば１３．５６ＭHzを印加すると、
ターゲット２１上のプラズマ中のイオンがターゲット２
１の表面をたたき、ターゲット２１の粒子を放出する。
この粒子が被処理基板２６に飛来して、ターゲット２１
の成分の薄膜を形成する。こうして得られた薄膜は、均
一に放射されたマイクロ波による均一なプラズマの作用
により均一性の優れたものとなる。Further, by adjusting the three-stub tuner 17c, plasma is supplied to, for example, a 3-inch SiO 2 target 21.
Bring it on. A magnetic field of 100 to 200 Gauss is applied on the target 21 by the action of the concentric permanent magnets 24, plasma is captured in the magnetic gap on the ring, and the discharge in the magnetron mode is maintained. And
When the gas pressure is reduced to, for example, 8 × 10 −4 Torr, and the high frequency power source 29 applies 13.56 MHz, for example,
Ions in the plasma on the target 21 are targets 2
The surface of 1 is hit and the particles of the target 21 are emitted.
These particles fly to the substrate 26 to be processed, and the target 21
To form a thin film of the component. The thin film thus obtained has excellent uniformity due to the action of uniform plasma by the uniformly radiated microwaves.
【００４０】なお、実施例１では矩形−同軸変換手段１
６のリッジ１６ｂとして直線状テーパーブロックを用い
たが、図２のような曲線状テーパーブロック１６１を使
用しても同様な効果が得られる。また、図３のように中
心導体と外周導体に対してそれぞれテーパーブロック１
６２，１６３を設けることでも同様の効果を得ることが
できる。さらに、図４のように同軸導波管の中心導体１
８ａをＴ字型にした場合でも同様の効果を得ることがで
きる。In the first embodiment, the rectangular-coaxial conversion means 1
Although the linear taper block is used as the ridge 16b of No. 6, the similar effect can be obtained by using the curved taper block 161 as shown in FIG. In addition, as shown in FIG. 3, the tapered block 1 is provided for each of the center conductor and the outer conductor.
The same effect can be obtained by providing 62 and 163. Further, as shown in FIG. 4, the central conductor 1 of the coaxial waveguide
The same effect can be obtained even when 8a is T-shaped.
【００４１】また実施例１では、分岐手段としてＥ面Ｔ
分岐を用いたが、その他Ｈ面Ｔ分岐やＹ分岐など様々な
分岐手段が応用可能である。さらに、コーナーに関して
も、Ｅコーナーの他にもＨコーナーまたはＥベンド、Ｈ
ベンドなどあらゆる導波路の曲がりのための素子を使用
して経路を構成することが可能である。In the first embodiment, the E-plane T is used as the branching means.
Although branching is used, various branching means such as H-plane T branching and Y branching are also applicable. Furthermore, regarding corners, in addition to E corner, H corner or E bend, H
It is possible to construct the path by using elements for bending the waveguides such as bends.
【００４２】また、実施例１では、分岐路１５ａ、１５
ｂの経路長が等しくなるようにしたが、スリースタブチ
ューナ１７ａ、１７ｂによる位相の調整が可能であるの
で、経路差が存在しても問題はない。しかし、分岐１５
ｃがＥ面分岐であるため２つのポートの出力は互いに逆
位相で現れるため、マイクロ波の管内波長をΛとする
と、分岐路１５ａ、１５ｂの経路差を（ｎ＋１／２）Λ
とすれば、スリースタブチューナ１７ａ、１７ｂの調整
が容易となる効果が得られる。ただし、ｎは整数であ
る。なお、分岐としてＨ面Ｔ分岐を使用した場合には、
分岐後の出力が同位相となるため、経路差はｎΛが望ま
しい。Further, in the first embodiment, the branch paths 15a, 15
Although the path lengths of b are made equal, the phases can be adjusted by the three stub tuners 17a and 17b, so there is no problem even if there is a path difference. However, branch 15
Since c is an E-plane branch, the outputs of the two ports appear in opposite phases to each other. Therefore, letting the waveguide wavelength of the microwave be Λ, the path difference between the branch paths 15a and 15b is (n + 1/2) Λ.
Then, the effect of facilitating the adjustment of the three stub tuners 17a and 17b is obtained. However, n is an integer. If an H-plane T-branch is used as a branch,
Since the outputs after branching have the same phase, the path difference is preferably nΛ.
【００４３】また、実施例１では、３つのスタブチュー
ナ１７ａ、１７ｂ、１７ｃを設けたが、スタブチューナ
１７ｃを省略し、スタブチューナ１７ａ、１７ｂのみで
全体の整合および両分岐路の位相の整合を取ることが可
能である。また、スタブチューナ１７ａまたはスタブチ
ューナ１７ｂを省略することが可能であることはいうま
でもない。In the first embodiment, the three stub tuners 17a, 17b, 17c are provided, but the stub tuner 17c is omitted and only the stub tuners 17a, 17b are used for the overall matching and the phase matching of both branch paths. It is possible to take. It goes without saying that the stub tuner 17a or the stub tuner 17b can be omitted.
【００４４】また、実施例１では、２つのマイクロ波導
入口を有する矩形−同軸変換手段１６を用いたが、これ
に限られるわけではなく、３または４つの導入口を有す
る構造でも同様の効果が得られる。Further, although the rectangular-coaxial conversion means 16 having two microwave introduction ports is used in the first embodiment, the present invention is not limited to this, and a structure having three or four introduction ports has the same effect. can get.
【００４５】（実施例２）図５は本発明に係るプラズマ
処理装置の実施例２における反応室の断面図である。実
施例２では矩形−同軸変換手段の矩形導波管１６ａにお
いてリッジ１６ｂに対して対称な位置に２つのスリース
タブチューナ３０ａ、３０ｂ、２つのアイソレータ３１
ａ、３１ｂ、２つのマグネトロン（ともに周波数２．４
５ＧHz）３２ａ、３２ｂが設けられている。その他の構
造は上記実施例１と同様である。(Second Embodiment) FIG. 5 is a sectional view of a reaction chamber in a second embodiment of the plasma processing apparatus according to the present invention. In the second embodiment, in the rectangular waveguide 16a of the rectangular-coaxial conversion means, two three-stub tuners 30a and 30b and two isolators 31 are arranged at symmetrical positions with respect to the ridge 16b.
a, 31b, two magnetrons (both with a frequency of 2.4
5 GHz) 32a and 32b are provided. The other structure is similar to that of the first embodiment.
【００４６】プラズマ処理装置を以上のように構成すれ
ば、マグネトロン３２ａ、３２ｂで発振されたマイクロ
波は矩形導波管１６ａによりリッジ１６ｂの両側より導
入され、２つのスリースタブチューナ３０ａ、３０ｂ、
２つのアイソレータ３１ａ、３１ｂを調整すれば、実施
例１と同様の効果が得られ、同軸導波管１８に均一なＴ
ＥＭ波が伝播し、均一なプラズマ処理を施すことができ
る。If the plasma processing apparatus is configured as described above, the microwaves oscillated by the magnetrons 32a and 32b are introduced from both sides of the ridge 16b by the rectangular waveguide 16a, and two stub tuners 30a and 30b,
By adjusting the two isolators 31a and 31b, the same effect as that of the first embodiment can be obtained, and the uniform T
EM waves propagate and uniform plasma treatment can be performed.
【００４７】（実施例３）図６は本発明に係るプラズマ
処理装置の実施例３における反応室の断面図である。図
６において、３３ａ、３３ｂは同軸導波管１８にマイク
ロ波を導入するための第１の同軸分岐路、３４ａ、３４
ｂは同様に同軸導波管１８にマイクロ波を導入するため
の第２の同軸分岐路である。両分岐路の中心導体３３
ａ、３４ａの中心軸間の距離は31mmであり、２．４５Ｇ
Hzのマイクロ波の１／４波長の長さになっている。ま
た、両分岐路とも、スリースタブチューナ、アイソレー
ター、マイクロ波発生装置であるマグネトロン（図示せ
ず）が接続されている。３５はマイクロ波の反射板とし
てのプランジャである。その他の構成は上記実施例１と
同様である。(Third Embodiment) FIG. 6 is a sectional view of a reaction chamber in a third embodiment of the plasma processing apparatus according to the present invention. In FIG. 6, reference numerals 33a and 33b denote first coaxial branch paths for introducing microwaves into the coaxial waveguide 18, and 34a and 34b.
Similarly, b is a second coaxial branch path for introducing a microwave into the coaxial waveguide 18. Central conductor 33 of both branches
The distance between the central axes of a and 34a is 31mm, 2.45G
It is 1/4 wavelength of the microwave of Hz. Further, a stub tuner, an isolator, and a magnetron (not shown) that is a microwave generator are connected to both of the branch paths. Reference numeral 35 is a plunger as a microwave reflection plate. Other configurations are the same as those in the first embodiment.
【００４８】以上のような構成を有するプラズマ処理装
置について、以下その動作を説明する。マグネトロンに
より発振された２．４５ＧHzのマイクロ波は２つの分岐
路３３、３４より同軸導波管１８に導入される。両分岐
路に接続されたスリースタブチューナ及びプランジャ３
５を調整すれば、２つの分岐路によりマイクロ波を導入
することにより、両分岐路から導入されたマイクロ波ど
うしが干渉し、分岐による高次モードの発生を抑制する
ことができるので、同軸導波管１８に均一なＴＥＭ波が
伝播する。以下の動作は実施例１と同様である。The operation of the plasma processing apparatus having the above structure will be described below. The 2.45 GHz microwave oscillated by the magnetron is introduced into the coaxial waveguide 18 from the two branch paths 33 and 34. Three-stub tuner and plunger 3 connected to both branches
If 5 is adjusted, by introducing the microwaves through the two branch paths, the microwaves introduced from both the branch paths interfere with each other, and it is possible to suppress the generation of the higher-order mode due to the branching. A uniform TEM wave propagates in the wave tube 18. The subsequent operation is similar to that of the first embodiment.
【００４９】なお、２つの分岐路へのマイクロ波の導入
方法に関しては、実施例１と同様の分岐による方法、実
施例２と同様の少なくとも２つのマイクロ波発振源によ
る方法が適用可能である。Regarding the method of introducing the microwaves into the two branch paths, the method of branching similar to that of the first embodiment and the method of using at least two microwave oscillation sources similar to that of the second embodiment are applicable.
【００５０】（実施例４）図７は本発明に係るプラズマ
処理装置の実施例４における反応室の断面図である。図
７において、３６ａ、３６ｂは中心導体１８ａに冷却水
を導入するための第１の同軸分岐路であり、マイクロ波
の反射板としてのプランジャ３８を持つ。また、３７
ａ、３７ｂは同軸分岐路３６によるマイクロ波の高次モ
ードの発生を防ぐ第２の同軸分岐路であり、プランジャ
３９を持つ。両分岐路の中心導体３６ａ、３７ａの中心
軸間の距離は31mmであり、２．４５ＧHzのマイクロ波の
１／４波長の長さになっている。また、同軸導波管１８
には、スリースタブチューナ、アイソレーター、マイク
ロ波発生装置であるマグネトロン（図示せず）が接続さ
れている。その他の構成は上記実施例３と同様である。(Fourth Embodiment) FIG. 7 is a sectional view of a reaction chamber in a fourth embodiment of the plasma processing apparatus according to the present invention. In FIG. 7, reference numerals 36a and 36b are first coaxial branch paths for introducing cooling water into the central conductor 18a, and have a plunger 38 as a microwave reflection plate. In addition, 37
Reference numerals a and 37b are second coaxial branch paths that prevent the higher-order mode of microwaves from being generated by the coaxial branch path 36, and have a plunger 39. The distance between the central axes of the central conductors 36a and 37a of both branch paths is 31 mm, which is the length of ¼ wavelength of the microwave of 2.45 GHz. In addition, the coaxial waveguide 18
A three-stub tuner, an isolator, and a magnetron (not shown) that is a microwave generator are connected to the. The other structure is the same as that of the third embodiment.
【００５１】以上のような構成を有するプラズマ処理装
置について、以下その動作を説明する。マグネトロンに
より発振された２．４５ＧHzのマイクロ波は、ＴＥＭ波
として同軸導波管１８を伝播する。スリースタブチュー
ナおよびプランジャ３８、３９を調整すれば、２つの分
岐路の作用により、同軸分岐路での整合の乱れによる高
次モードの発生を抑制することができるので、同軸導波
管１８の分岐以降にも均一なＴＥＭ波が伝播し、以下は
実施例１と同様の動作により、同様の効果が得られる。The operation of the plasma processing apparatus having the above structure will be described below. The 2.45 GHz microwave oscillated by the magnetron propagates through the coaxial waveguide 18 as a TEM wave. By adjusting the three stub tuners and the plungers 38 and 39, the action of the two branch paths can suppress the generation of higher-order modes due to the disturbance of the matching in the coaxial branch paths. A uniform TEM wave is propagated thereafter, and the same operation as that of the first embodiment is performed below, and the same effect is obtained.
【００５２】ところで、上記実施例３，４では、両分岐
路の中心導体の中心軸管距離をマイクロ波の１／４波長
としたが、必ずしもこれに限定されるわけではなく、λ
をマイクロ波の波長、ｎを整数とすれば、ｎλ／４を満
たせば良い。By the way, in the above-mentioned Examples 3 and 4, the central axis tube distance of the central conductors of both branch paths was set to ¼ wavelength of the microwave, but it is not necessarily limited to this and λ
Is the wavelength of the microwave and n is an integer, nλ / 4 may be satisfied.
【００５３】なお、上記実施例１、２、３及び４におい
ては、プラズマ処理装置をマイクロ波マグネトロンスパ
ッタ装置として用いた場合を例に挙げて説明している
が、必ずしもこの用途に限定されるものではなく、プラ
ズマＣＶＤ装置やエッチング装置として用いることが可
能であり、同様に均一なプラズマによる大面積の基板処
理が可能である。In the first, second, third and fourth embodiments, the case where the plasma processing apparatus is used as the microwave magnetron sputtering apparatus is described as an example, but the present invention is not necessarily limited to this application. Instead, it can be used as a plasma CVD apparatus or an etching apparatus, and similarly, a large area substrate can be processed by uniform plasma.
【００５４】[0054]
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係るプラ
ズマ処理装置の第１の構成によれば、高周波電力の矩形
導波管伝播モードから同軸導波管伝播モードの変換の際
に、略対向する高周波電力導入口より導入される高周波
電力どうしが干渉することにより高次モードの発生が抑
制され、同軸導波管に均一なモードの高周波電力が伝播
するので、同軸導波管の終端において均一な高周波電力
が放射され、均一なプラズマを発生させることができ、
スパッタ装置、ＣＶＤ装置またはエッチング装置等に応
用することにより、大面積で均一な成膜またはエッチン
グ処理等が可能となる。As described above, according to the first configuration of the plasma processing apparatus of the present invention, the conversion from the rectangular waveguide propagation mode of the high frequency power to the coaxial waveguide propagation mode is substantially omitted. The high-frequency power introduced from the opposing high-frequency power inlets interferes with each other to suppress the generation of higher-order modes, and the high-frequency power of a uniform mode propagates to the coaxial waveguide. A uniform high frequency power is radiated and a uniform plasma can be generated.
By applying it to a sputtering device, a CVD device, an etching device, or the like, it is possible to perform uniform film formation or etching treatment in a large area.
【００５５】また、前記第１の構成の高周波電力導入手
段を、高周波電力発振手段と、前記高周波発振手段によ
り発振された高周波電力を分岐し矩形−同軸変換手段の
略対向する少なくとも２つの高周波電力導入口に導入す
る高周波電力分岐手段とで構成すれば、略対向する少な
くとも２つの高周波電力導入口にそれぞれ導入される高
周波電力どうしの位相の整合が容易となるので、簡潔な
高周波電力の調整で、同軸導波管での高次モードの発生
を抑制し、容易に均一なプラズマを発生させることがで
き、均一なプラズマ処理が可能であるとともに、高周波
電力導入にともなう調整が容易なプラズマ処理装置とす
ることができる。Further, the high-frequency power introducing means of the first structure is composed of high-frequency power oscillating means and at least two high-frequency power oscillating means for branching the high-frequency power oscillating by the high-frequency oscillating means, which are substantially opposite to each other. If it is configured with the high-frequency power branching means to be introduced into the introduction port, it becomes easy to match the phases of the high-frequency powers introduced into at least two high-frequency power introduction ports that are substantially opposed to each other, so that simple high-frequency power adjustment is possible. , A plasma processing apparatus that suppresses the generation of higher-order modes in the coaxial waveguide, can easily generate uniform plasma, can perform uniform plasma processing, and can be easily adjusted with the introduction of high-frequency power. Can be
【００５６】また、前記第１の構成の高周波電力導入手
段を、矩形−同軸変換手段の略対向する少なくとも２つ
の高周波電力導入口の１つ１つに対応する少なくとも２
つの高周波電力発振手段を有する構成とすれば、複雑な
構成の分岐手段が不必要となるので、簡潔な構成で同軸
導波管での高次モードの発生を抑制し、均一なプラズマ
を発生させることができ、均一なプラズマ処理が可能で
あるとともに、簡潔な構成のプラズマ処理装置とするこ
とができる。Further, at least two high-frequency power introducing means of the above-mentioned first structure correspond to at least two high-frequency power introducing ports of the rectangular-coaxial converting means which are substantially opposed to each other.
With a structure having two high-frequency power oscillating means, since a branching means having a complicated structure is unnecessary, generation of higher-order modes in the coaxial waveguide can be suppressed and uniform plasma can be generated with a simple structure. In addition to being capable of performing uniform plasma processing, a plasma processing apparatus having a simple configuration can be provided.
【００５７】また、前記第１の構成の矩形−同軸変換手
段を、両端が高周波電力導入口である矩形導波管と、前
記矩形導波管の内部に設けられ同軸導波管の中心導体に
接続された対称なテーパー形状のブロックとからなる構
成とすれば、矩形−同軸変換手段での高周波電力の反射
を抑制できるので、効率よく均一なプラズマを発生で
き、均一なプラズマ処理に加えて、プラズマ処理速度の
向上を達成でき、成膜レート等を向上できる。Further, the rectangular-coaxial conversion means of the first structure is connected to a rectangular waveguide whose both ends are high-frequency power inlets and a central conductor of the coaxial waveguide provided inside the rectangular waveguide. If the structure is composed of connected symmetrical taper-shaped blocks, it is possible to suppress the reflection of the high-frequency power in the rectangular-coaxial conversion means, it is possible to efficiently generate a uniform plasma, in addition to a uniform plasma treatment, The plasma processing rate can be improved, and the film forming rate and the like can be improved.
【００５８】また、前記第１の構成の矩形−同軸変換手
段を、両端が高周波電力導入口であり、かつ、同軸導波
管の中心導体が内部の途中まで電界の方向と平行に挿入
された構造の矩形導波管で構成すれば、矩形−同軸変換
手段は矩形導波管のみで構成されることとなり、簡潔な
構成で矩形−同軸の変換を行い、均一なプラズマを発生
でき、均一なプラズマ処理に加えて、簡潔な構成のプラ
ズマ処理装置とすることができる。また、同軸導波管の
中心導体は矩形−同軸変換手段の矩形導波管の側面につ
きでた形状とすれば、矩形導波管の側面で同軸導波管の
中心導体の保持ができるので、中心導体の保持が容易に
なり、均一なプラズマ処理に加えて、さらに簡潔な構成
のプラズマ処理装置とすることができる。In addition, the rectangular-coaxial conversion means of the first structure has high-frequency power inlets at both ends, and the center conductor of the coaxial waveguide is inserted halfway inside in parallel with the direction of the electric field. If the structure is composed of the rectangular waveguide, the rectangular-coaxial conversion means is composed of only the rectangular waveguide, and the rectangular-coaxial conversion can be performed with a simple structure to generate a uniform plasma and generate a uniform plasma. In addition to the plasma processing, the plasma processing apparatus can have a simple structure. Further, if the center conductor of the coaxial waveguide is shaped so as to conform to the side surface of the rectangular waveguide of the rectangular-coaxial conversion means, the center conductor of the coaxial waveguide can be held by the side surface of the rectangular waveguide, The center conductor is easily held, and in addition to uniform plasma processing, a plasma processing apparatus having a simpler configuration can be provided.
【００５９】また、前記第２の構成によれば、同軸導波
管に接続され、前記同軸導波管に高周波電力を導入する
少なくとも２つの同軸分岐管を備えることにより、分岐
の存在による整合の乱れの影響で高周波電力の高次モー
ドが発生するのを抑制することができるので、分岐が存
在する場合でも、同軸導波管に均一なモードの高周波電
力が伝播し、均一なプラズマを発生させることができ、
均一なプラズマ処理に加えて、中心導体にガス導入手段
や冷却水路を設けることができる。Further, according to the second configuration, by providing at least two coaxial branch pipes which are connected to the coaxial waveguide and introduce high-frequency power into the coaxial waveguide, the matching due to the existence of the branch can be achieved. Since it is possible to suppress the generation of higher-order modes of high-frequency power due to the influence of turbulence, even if there is a branch, the high-frequency power of a uniform mode propagates in the coaxial waveguide to generate a uniform plasma. It is possible,
In addition to uniform plasma treatment, the central conductor can be provided with gas introduction means and cooling water channels.
【００６０】また、前記第２の構成の同軸導波管の中心
導体において、真空容器内の高周波電力放射部分にガス
を導入する中心導体ガス導入手段を有する構成とすれ
ば、高周波が放射される部分に、効率よくガスを導入す
ることができるので、効率よく均一なプラズマを発生さ
せることができ、均一なプラズマ処理に加えて、プラズ
マ処理速度の向上を達成できる。Further, if the central conductor of the coaxial waveguide of the second structure has a central conductor gas introducing means for introducing gas into the high frequency power radiating portion in the vacuum container, a high frequency is radiated. Since the gas can be efficiently introduced into the portion, uniform plasma can be efficiently generated, and in addition to uniform plasma treatment, improvement of the plasma treatment rate can be achieved.
【００６１】また、前記第３の構成によれば、同軸導波
管に接続され、高周波電力整合手段を有する少なくとも
２つの同軸分岐管を備えることにより、第２の構成と同
様の効果が得られる。According to the third structure, the same effect as the second structure can be obtained by including at least two coaxial branch pipes connected to the coaxial waveguide and having the high frequency power matching means. .
【００６２】また、前記第３の構成の、少なくとも２つ
の同軸分岐管の少なくとも１つは中心導体において、真
空容器内の高周波電力放射部分にガスを導入する中心導
体ガス導入手段を有する構成によれば、高周波が放射さ
れる部分に、効率よくガスを導入することができるの
で、効率よく均一なプラズマを発生させることができ、
均一なプラズマ処理に加えて、プラズマ処理速度の向上
を達成できる。Further, according to the third structure, at least one of the at least two coaxial branch pipes has a central conductor gas introducing means for introducing gas into a high frequency power radiating portion in the vacuum container in the central conductor. For example, since the gas can be efficiently introduced into the portion where the high frequency is radiated, it is possible to efficiently generate a uniform plasma,
In addition to uniform plasma treatment, improved plasma treatment rates can be achieved.
【００６３】また、前記第１及び第２の構成において、
同軸導波管を真空容器に向かうに従ってテーパー状に拡
大した構造とすれば、高周波電力を真空容器内の広い領
域にわたって放射させることができるので、さらに大面
積に均一なプラズマ処理を施すことができる。In the first and second configurations,
If the coaxial waveguide has a structure that expands in a taper shape toward the vacuum container, high-frequency power can be radiated over a wide area in the vacuum container, so that it is possible to perform uniform plasma treatment on a larger area. .
【００６４】また、前記第１及び第２の構成において、
同軸導波管によって真空容器内に放射される高周波電界
内に磁界を形成する手段を有する構成によれば、プラズ
マ密度を高めることができるので、均一なプラズマ処理
に加えて、処理速度の向上を達成できる。In the first and second configurations,
According to the configuration having the means for forming the magnetic field in the high-frequency electric field radiated into the vacuum container by the coaxial waveguide, the plasma density can be increased, so that the processing speed can be improved in addition to the uniform plasma processing. Can be achieved.
【００６５】また、本発明に係るプラズマ処理方法によ
れば、均一な高周波電力が放射されて発生した均一なプ
ラズマが得られるので、大面積の基板を均一に効率よく
処理することができ、成膜やエッチング等のプロセス処
理に応用することにより、大面積で均一な成膜またはエ
ッチング処理等が可能となる。Further, according to the plasma processing method of the present invention, since uniform plasma generated by radiating uniform high frequency power can be obtained, a large area substrate can be uniformly and efficiently processed. By applying it to process treatments such as film and etching, it becomes possible to perform uniform film formation or etching treatment in a large area.
【図１】本発明の実施例１におけるプラズマ処理装置の
反応室の断面図FIG. 1 is a sectional view of a reaction chamber of a plasma processing apparatus according to a first embodiment of the present invention.
【図２】同プラズマ処理装置の他の矩形−同軸変換手段
の一例を示す断面図FIG. 2 is a sectional view showing an example of another rectangular-coaxial conversion means of the plasma processing apparatus.
【図３】同プラズマ処理装置の他の矩形−同軸変換手段
の他の例を示す断面図FIG. 3 is a sectional view showing another example of another rectangular-coaxial conversion means of the plasma processing apparatus.
【図４】同プラズマ処理装置の他の矩形−同軸変換手段
のさらに他の例を示す断面図FIG. 4 is a sectional view showing still another example of another rectangular-coaxial conversion means of the plasma processing apparatus.
【図５】本発明の実施例２におけるプラズマ処理装置の
反応室の断面図FIG. 5 is a sectional view of a reaction chamber of a plasma processing apparatus according to a second embodiment of the present invention.
【図６】本発明の実施例３におけるプラズマ処理装置の
反応室の断面図FIG. 6 is a sectional view of a reaction chamber of a plasma processing apparatus according to a third embodiment of the present invention.
【図７】本発明の実施例４におけるプラズマ処理装置の
反応室の断面図FIG. 7 is a sectional view of a reaction chamber of a plasma processing apparatus according to a fourth embodiment of the present invention.
【図８】従来のプラズマ処理装置における反応室の断面
図FIG. 8 is a sectional view of a reaction chamber in a conventional plasma processing apparatus.
１３ マグネトロン １４ アイソレータ １５ 分岐手段 １６ 矩形−同軸変換手段 １７ スリースタブチューナ １８ 同軸導波管 １９ 真空容器 ２０ 石英窓 ２１ ターゲット ２２ テフロン板 ２３ ターゲットホルダー ２４ 永久磁石 ２５ 水冷パイプ ２６ 被処理基板 ２７ 基板台 ２８ ガス導入手段 ２９ 高周波電源 ３０ スリースタブチューナ ３１ アイソレータ ３２ マイクロ波発振源 ３３ 第１の同軸分岐路 ３４ 第２の同軸分岐路 ３５ プランジャ ３６ 第１の同軸分岐路 ３７ 第２の同軸分岐路 ３８ プランジャ ３９ プランジャ 13 magnetron 14 isolator 15 branching means 16 rectangular-coaxial conversion means 17 three-stub tuner 18 coaxial waveguide 19 vacuum vessel 20 quartz window 21 target 22 Teflon plate 23 target holder 24 permanent magnet 25 water-cooled pipe 26 processed substrate 27 substrate table 28 Gas introduction means 29 High-frequency power source 30 Three-stub tuner 31 Isolator 32 Microwave oscillation source 33 First coaxial branch path 34 Second coaxial branch path 35 Plunger 36 First coaxial branch path 37 Second coaxial branch path 38 Plunger 39 Plunger
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ２３Ｆ 4/00 Ｄ 8417−4Ｋ Ｈ０１Ｌ 21/205 21/3065 21/31 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification number Office reference number FI technical display location C23F 4/00 D 8417-4K H01L 21/205 21/3065 21/31
Claims (13)
空容器と、前記真空容器内に設けられた被処理基板保持
手段と、前記真空容器に接続された同軸導波管と、前記
同軸導波管を真空封止する絶縁物とを備え、前記同軸導
波管の前記真空容器に接続された開放端より高周波電力
を放射し、前記ガス導入手段より導入されたガスをプラ
ズマ化するプラズマ処理装置であって、前記同軸導波管
の高周波電力を放射する開放端と反対側の終端に接続さ
れ、略対向する少なくとも２つの高周波電力導入口を有
し、前記略対向する少なくとも２つの高周波電力導入口
より導入される高周波電力どうしを干渉させることによ
り、高周波電力の高次モード発生を抑制する矩形−同軸
変換手段と、前記矩形−同軸変換手段の略対向する少な
くとも２つの高周波電力導入口のそれぞれに高周波電力
を導入する高周波電力導入手段とを備えたことを特徴と
するプラズマ処理装置。1. A vacuum container having a vacuum evacuation unit and a gas introduction unit, a target substrate holding unit provided in the vacuum container, a coaxial waveguide connected to the vacuum container, and the coaxial waveguide. A plasma treatment for radiating high-frequency power from an open end of the coaxial waveguide connected to the vacuum container and converting the gas introduced by the gas introducing means into plasma. A device, which is connected to an end of the coaxial waveguide that is opposite to an open end that radiates high-frequency power, has at least two high-frequency power inlets that substantially oppose each other, and at least two high-frequency power that substantially opposes each other. Rectangular-coaxial conversion means for suppressing generation of higher-order modes of high-frequency power by interfering high-frequency powers introduced from the introduction port, and at least two high-frequency antennas substantially opposed to the rectangular-coaxial conversion means. Plasma processing apparatus is characterized in that a high-frequency power supply means for introducing a high frequency power to the respective power inlet.
段と、前記高周波電力発振手段により発振された高周波
電力を分岐し矩形−同軸変換手段の略対向する少なくと
も２つの高周波電力導入口に導入する高周波電力分岐手
段とで構成される請求項１記載のプラズマ処理装置。2. The high frequency power introducing means branches the high frequency power oscillating means and the high frequency power oscillated by the high frequency power oscillating means into at least two high frequency power introducing ports of the rectangular-coaxial converting means which are substantially opposed to each other. The plasma processing apparatus according to claim 1, wherein the plasma processing apparatus comprises a high frequency power branching unit.
段の略対向する少なくとも２つの高周波電力導入口の１
つ１つに対応する少なくとも２つの高周波電力発振手段
を有することを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理
装置。3. The high-frequency power introducing means is one of at least two high-frequency power introducing ports of the rectangular-coaxial converting means which are substantially opposed to each other.
2. The plasma processing apparatus according to claim 1, further comprising at least two high frequency power oscillation means corresponding to each one.
導入口である矩形導波管と、前記矩形導波管の内部に設
けられ同軸導波管の中心導体に接続された略対称なテー
パー形状のブロックから構成される請求項１、２または
３のいずれかに記載のプラズマ処理装置。4. The rectangular-coaxial conversion means is substantially symmetrical with a rectangular waveguide whose both ends are high-frequency power inlets, and which is provided inside the rectangular waveguide and connected to a central conductor of the coaxial waveguide. The plasma processing apparatus according to claim 1, wherein the plasma processing apparatus is composed of a tapered block.
導入口であり、かつ、同軸導波管の中心導体が内部の途
中まで電界の方向と平行に挿入された構造の矩形導波管
で構成される請求項１、２または３のいずれかに記載の
プラズマ処理装置。5. The rectangular-coaxial conversion means has a structure in which both ends are high-frequency power inlets, and a central conductor of the coaxial waveguide is inserted halfway inside to be parallel to the electric field direction. The plasma processing apparatus of claim 1, 2 or 3, wherein the plasma processing apparatus comprises:
段の矩形導波管の側面につきでた形状である請求項５記
載のプラズマ処理装置。6. The plasma processing apparatus according to claim 5, wherein the central conductor of the coaxial waveguide has a shape extending from the side surface of the rectangular waveguide of the rectangular-coaxial conversion means.
空容器と、前記真空容器内に設けられた被処理基板保持
手段と、前記真空容器に接続された同軸導波管と、前記
同軸導波管を封止する絶縁物とを備え、前記同軸導波管
の前記真空容器に接続された開放端より高周波電力を放
射し、前記ガス導入手段より導入されたガスをプラズマ
化することにより処理を行うプラズマ処理装置であっ
て、前記同軸導波管に接続され、前記同軸導波管に高周
波電力を導入する少なくとも２つの同軸分岐管と、前記
少なくとも２つの同軸分岐管のそれぞれに高周波電力を
導入する高周波電力導入手段とを備えたプラズマ処理装
置。7. A vacuum container having a vacuum evacuation means and a gas introduction means, a substrate holding means provided in the vacuum container, a coaxial waveguide connected to the vacuum container, and the coaxial waveguide. An insulating material that seals the wave tube, radiates high-frequency power from the open end of the coaxial waveguide connected to the vacuum container, and treats the gas introduced by the gas introducing means into plasma. And a high-frequency power is supplied to each of the at least two coaxial branch pipes connected to the coaxial waveguide and introducing high-frequency power into the coaxial waveguide. A plasma processing apparatus comprising: a high-frequency power introduction means for introducing.
内の高周波電力放射部分にガスを導入する中心導体ガス
導入手段を有する請求項７記載のプラズマ処理装置。8. The plasma processing apparatus according to claim 7, further comprising a central conductor gas introducing means for introducing a gas into a high frequency power radiating portion in the vacuum container in the central conductor of the coaxial waveguide.
空容器と、前記真空容器内に設けられた被処理基板保持
手段と、前記真空容器に接続された同軸導波管と、前記
同軸導波管を封止する絶縁物とを備え、前記同軸導波管
の前記真空容器に接続された開放端より高周波電力を放
射し、前記ガス導入手段より導入されたガスをプラズマ
化することにより処理を行うプラズマ処理装置であっ
て、前記同軸導波管に接続され、高周波電力整合手段を
有する少なくとも２つの同軸分岐管と、前記同軸導波管
に高周波電力を導入する高周波電力導入手段とを備えた
プラズマ処理装置。9. A vacuum vessel having a vacuum evacuation means and a gas introduction means, a substrate holding means provided in the vacuum vessel, a coaxial waveguide connected to the vacuum vessel, and the coaxial waveguide. An insulating material that seals the wave tube, radiates high-frequency power from the open end of the coaxial waveguide connected to the vacuum container, and treats the gas introduced by the gas introducing means into plasma. And a high-frequency power introducing means for introducing high-frequency power into the coaxial waveguide, the plasma processing apparatus including at least two coaxial branch tubes connected to the coaxial waveguide and having high-frequency power matching means. Plasma processing equipment.
も１つは中心導体において、真空容器内の高周波電力放
射部分にガスを導入する中心導体ガス導入手段を有する
請求項９記載のプラズマ処理装置。10. A plasma processing apparatus according to claim 9, wherein at least one of the at least two coaxial branch pipes has a central conductor gas introducing means for introducing a gas into a high frequency power radiating portion in the vacuum container in the central conductor.
テーパー状に拡大した請求項１、２、３、７または９の
いずれかに記載のプラズマ処理装置。11. The plasma processing apparatus according to claim 1, wherein the coaxial waveguide is enlarged in a taper shape toward the vacuum container.
れる高周波電界内に磁界を形成する手段を有する請求項
１、２、３、７または９のいずれかに記載のプラズマ処
理装置。12. A plasma processing apparatus according to claim 1, further comprising means for forming a magnetic field in a high frequency electric field radiated into the vacuum chamber by the coaxial waveguide.
を導入し、高周波電力によって前記ガスをプラズマ化
し、前記真空容器内に設けた被処理基板を処理するプラ
ズマ処理方法であって、略対向する少なくとも２つの高
周波電力導入口より高周波電力を導入し、導入された高
周波電力同志を干渉させることにより高周波電力の高次
モード発生を抑制する矩形−同軸変換手段が接続された
同軸導波管から前記高周波電力を放射することにより発
生するプラズマを用いて前記被処理基板に処理を施すこ
とを特徴とするプラズマ処理方法。13. A plasma processing method in which a gas is introduced into a vacuum container having a vacuum evacuation means, the gas is turned into plasma by high-frequency power, and a substrate to be processed provided in the vacuum container is processed. From the coaxial waveguide to which the rectangular-coaxial conversion means is connected, which introduces high-frequency power from at least two high-frequency power introduction ports and interferes the introduced high-frequency power with each other to suppress generation of higher-order modes of the high-frequency power. A plasma processing method, wherein the substrate to be processed is processed using plasma generated by radiating the high-frequency power.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05394594A JP3156492B2 (en) | 1994-03-24 | 1994-03-24 | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
| US08/404,971 US5611864A (en) | 1994-03-24 | 1995-03-16 | Microwave plasma processing apparatus and processing method using the same |
| KR1019950006479A KR0174070B1 (en) | 1994-03-24 | 1995-03-23 | Microwave Plasma Processing Apparatus And Method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05394594A JP3156492B2 (en) | 1994-03-24 | 1994-03-24 | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07263185A true JPH07263185A (en) | 1995-10-13 |
| JP3156492B2 JP3156492B2 (en) | 2001-04-16 |
Family
ID=12956871
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05394594A Expired - Fee Related JP3156492B2 (en) | 1994-03-24 | 1994-03-24 | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3156492B2 (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001307898A (en) * | 2000-04-18 | 2001-11-02 | Daihen Corp | Plasma generating device |
| JP2001308066A (en) * | 2000-04-21 | 2001-11-02 | Shibaura Mechatronics Corp | Plasma processing equipment |
| JP2014506378A (en) * | 2010-12-23 | 2014-03-13 | エレメント シックス リミテッド | Microwave power transmission system for plasma reactor |
| JP2022527863A (en) * | 2019-04-05 | 2022-06-06 | パイロウェーブ・インコーポレイテッド | Internally cooled impedance tuner for microwave pyrolysis system |
-
1994
- 1994-03-24 JP JP05394594A patent/JP3156492B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001307898A (en) * | 2000-04-18 | 2001-11-02 | Daihen Corp | Plasma generating device |
| JP2001308066A (en) * | 2000-04-21 | 2001-11-02 | Shibaura Mechatronics Corp | Plasma processing equipment |
| JP2014506378A (en) * | 2010-12-23 | 2014-03-13 | エレメント シックス リミテッド | Microwave power transmission system for plasma reactor |
| US9142389B2 (en) | 2010-12-23 | 2015-09-22 | Element Six Technologies Limited | Microwave power delivery system for plasma reactors |
| JP2022527863A (en) * | 2019-04-05 | 2022-06-06 | パイロウェーブ・インコーポレイテッド | Internally cooled impedance tuner for microwave pyrolysis system |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3156492B2 (en) | 2001-04-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6158383A (en) | Plasma processing method and apparatus | |
| JP3217274B2 (en) | Surface wave plasma processing equipment | |
| US20080105650A1 (en) | Plasma processing device and plasma processing method | |
| JP2002093788A (en) | Plasma processing equipment | |
| US5173641A (en) | Plasma generating apparatus | |
| KR0174070B1 (en) | Microwave Plasma Processing Apparatus And Method | |
| JPH09289099A (en) | Plasma processing method and apparatus | |
| JP4678905B2 (en) | Plasma processing equipment | |
| JPH01184923A (en) | Plasma processor optimum for etching, ashing, film formation and the like | |
| JP3156492B2 (en) | Plasma processing apparatus and plasma processing method | |
| JPH07135093A (en) | Plasma processing apparatus and processing method | |
| JP3021117B2 (en) | Electron cyclotron resonance plasma CDV system | |
| JPH0368771A (en) | Microwave plasma processing equipment | |
| JP3732287B2 (en) | Plasma processing equipment | |
| JP3337266B2 (en) | Scientific deposition equipment for electron cyclotron resonance plasma | |
| JPH01134926A (en) | Plasma producing source and plasma processor using the same | |
| JP3491190B2 (en) | Plasma processing equipment | |
| JPH10298786A (en) | Surface treatment equipment | |
| JPH0331480A (en) | Plasma treating device by microwave | |
| JP2001118698A (en) | Method and apparatus for generating surface wave excited plasma | |
| JPH06101442B2 (en) | ECR plasma reactor | |
| JPH08236448A (en) | Sputtering apparatus and sputtering method | |
| JP2613313B2 (en) | Microwave plasma processing equipment | |
| JP2001156004A (en) | Plasma processing equipment | |
| JP2548785B2 (en) | Electron cyclotron resonance plasma chemical vapor deposition equipment |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |