JPH07263301A - ブランキングアパーチャアレイ方式電子ビーム露光装置 - Google Patents

ブランキングアパーチャアレイ方式電子ビーム露光装置

Info

Publication number
JPH07263301A
JPH07263301A JP6047523A JP4752394A JPH07263301A JP H07263301 A JPH07263301 A JP H07263301A JP 6047523 A JP6047523 A JP 6047523A JP 4752394 A JP4752394 A JP 4752394A JP H07263301 A JPH07263301 A JP H07263301A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electron beam
exposure apparatus
beam exposure
aperture array
main body
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP6047523A
Other languages
English (en)
Inventor
Tomohiko Abe
智彦 阿部
Hiroshi Yasuda
洋 安田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP6047523A priority Critical patent/JPH07263301A/ja
Priority to US08/404,830 priority patent/US5528048A/en
Publication of JPH07263301A publication Critical patent/JPH07263301A/ja
Priority to US08/610,190 priority patent/US5614725A/en
Priority to US08/745,632 priority patent/US5977548A/en
Priority to US09/022,881 priority patent/US5920077A/en
Priority to US09/283,974 priority patent/US6118129A/en
Priority to US09/588,644 priority patent/US6486479B1/en
Priority to US10/238,759 priority patent/US6646275B2/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Electron Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明は電子ビーム露光装置本体を複数設け
た構成のブランキングアパーチャアレイ方式電子ビーム
露光装置に関し、設備規模の小型化を実現することを目
的とする。 【構成】 4つの電子ビーム露光装置本体21-1〜21
-4を、その間隔A,Bを形成するICチップの縦、横の
寸法の整数倍に定めて配置する。各露光装置本体21-1
〜21-4のブランキングアパーチャアレイ52-1を制御
するブランキングアパーチャアレイを制御部23を単一
設け、且つ各露光装置本体21-1〜21-4のサブ偏向器
54-1を制御すると共にブランキングアパーチャアレイ
制御部23を制御する主制御部22を単一設けて構成す
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はブランキングアパーチャ
アレイ(以下BAAという)方式の電子ビーム露光装置
に関する。
【0002】この種の露光装置は、スループットが大き
くて、しかも規模が小さくて設備費が安価であることが
望ましい。
【0003】また、ウエハは将来的には、12inと大径
化すると考えられる。従って、露光装置は、ウエハの大
径化に適した構成が望ましい。
【0004】
【従来の技術】図6は、特開昭64−20619号に示
されている従来のBAA方式の電子ビーム露光装置10
を示す。
【0005】三つの筒状の電子ビーム露光装置本体11
-1,11-2,11-3が、一のウエハ12に対向する配置
で設けてある。13-1,13-2,13-3は夫々BAAで
ある。
【0006】第1の装置本体11-1に関して、主制御部
14-1及びBAA制御部15-1が設けてある。同じく、
第2の装置本体11-2,第3の装置本体11-3に関し
て、主制御部14-2,14-3及びBAA制御部15-2
15-3が設けてある。
【0007】16は外部記憶装置であり、露光データが
記憶されている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】従来のBAA方式の電
子ビーム露光装置10は、一のウエハ12に対して三個
所の露光を並行して行うため、一の電子ビーム露光装置
を設けた構造に比べて、高いスループットを達成するこ
とができるけれども、個々の装置本体11-1,11-2
11-3毎に、主制御部14-1〜14-3及びBAA制御部
15-1〜15-3を別々に設けた構成であるため、設備が
大規模になって、製造コストが高価となってしまう。
【0009】そこで、本発明は、上記課題を解決したブ
ランキングアパーチャアレイ方式電子ビーム露光装置を
提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】請求項の発明は、鏡筒
と、該鏡筒内に設けてあり、電子ビームの束を形成する
ブランキングアパーチャアレイと、該鏡筒内に設けてあ
り、該ブランキングアパーチャアレイを通過した電子ビ
ーム束を偏向させる偏向手段とを有してなり、間隔を、
形成すべきICチップの縦、横の長さ寸法の整数倍の寸
法に定めて配設された複数の電子ビーム露光装置本体
と、同じ点滅データを送り出して、各電子ビーム露光装
置本体のブランキングアパーチャアレイの動作を制御す
る単一のブランキングアパーチャアレイ制御部と、各電
子ビーム露光装置本体の偏向手段の動作を制御すると共
に、上記単一のブランキングアパーチャアレイの制御部
を制御する単一の主制御部とを有する構成としたもので
ある。
【0011】請求項2の発明は、各電子ビーム露光装置
本体のブランキングアパーチャアレイの動作のタイミン
グずれを検出する検出手段と、上記単一の主制御部と各
電子ビーム露光装置本体の各偏向手段との間に設けてあ
り、上記検出手段の検出されたタイミングのずれに応じ
て、上記偏向手段への偏向信号の供給のタイミングを調
整する遅延手段とを更に有する構成としたことものであ
る。
【0012】請求項3の発明は、気密空間を有する中空
の基台と、該基台の内部に配してあり、ウェハが載置さ
れるウェハ用ステージ装置と、該基台の上面に設けてあ
り、上記電子ビーム露光装置本体の夫々を別々に移動可
能に支持する電子ビーム露光装置本体用ステージ装置
と、該電子ビーム露光装置本体用ステージ装置を動作さ
せて、移動させた後における、電子ビーム露光装置本体
の位置を求める手段とを更に有する構成としたものであ
る。
【0013】請求項4の発明は、請求項3の位置を求め
る手段は、上記基台に固定して配されたレーザ測長器
と、該レーザ測長器によって求めた距離に基づいて、上
記位置を算出する演算手段とを有する構成としたことを
特徴とするブランキングアパーチャアレイ方式電子ビー
ム露光装置。
【0014】
【作用】請求項1の電子ビーム露光装置本体の間隔を、
形成すべきICチップの長さ寸法の整数倍の寸法に定め
た構成は、ブランキングアパーチャアレイ制御部及び主
制御部を全部の電子ビーム露光装置本体について共通と
しうるように作用する。
【0015】ブランキングアパーチャアレイ制御部及び
主制御部を夫々共通とした構成は、設備の規模を小さく
するように作用する。
【0016】請求項2のタイミングずれ検出手段及び遅
延手段を設けた構成は、全部の電子ビーム露光装置が各
ICチップ上の同じ位置を同じタイミングで露光するよ
うに作用する。
【0017】請求項3の露光装置本体用ステージ装置を
設けた構成は、露光装置本体の位置を変更することを可
能とするように作用する。
【0018】請求項4の演算手段を設けた構成は、レー
ザ測長器を動かさなくてもよいように作用する。
【0019】
【実施例】
〔全体の概略構成〕図1は本発明の第1実施例になるB
AA方式の電子ビーム露光装置20を示す。
【0020】BAA方式の電子ビーム露光とは、単一の
電子ビームを整形して複数の電子ビーム要素よりなる電
子ビームパターンを形成し、ウエハ上に所定露光パター
ンを、前記電子ビームパターンを構成する複数の電子ビ
ーム要素の照射により、所定のピッチで配列した露光ド
ットの集合として描画する露光方法をいう。
【0021】装置20は、第1乃至第4の4つの筒状の
電子ビーム露光装置本体21-1〜21-4,各装置本体2
-1〜21-4に共通である一の主制御部22と、同じく
各装置本体21-1〜21-4に共通である一のBAA制御
部23と、露光データが記憶されている外部記憶装置2
4とを有する。
【0022】後述するように、電子ビーム露光装置本体
21-1〜21-4の間隔A,Bを形成するICチップの
縦、横の寸法の整数倍の寸法に定めている関係上、主制
御部22及びBAA制御部23は一つとなっている。
【0023】各電子ビーム露光装置本体21-1〜21-4
毎に、BAA系のAMP25-1〜25-4,偏向系のAM
P26-1〜26-4,遅延回路27-1〜27-4が設けてあ
る。
【0024】また、装置20は、ステージ駆動回路28
及びBAAの動作タイミングずれ検出回路29を更に有
する。 〔電子ビーム露光装置本体及びこれと関連する部分の構
造〕図2に併せて示すように、40は、中空の直方体状
の基台であり、気密の空間41を有する。
【0025】図3に併せて示すように、基台40の気密
空間41内に、ウエハが載置されるウエハ用ステージ装
置42が設けてある。
【0026】ウエハ用ステージ装置42は、X,Y方向
に移動可能である矩形板状のステージ43と、ステージ
駆動回路28の出力に応じて動作され、ステージ43を
動かす駆動機構(図示せず)とを有する。
【0027】ステージ43は鏡面状の側面43a,43
bを有する。
【0028】基台40のX方向に沿う側面40aに、二
つのレーザ測長器YA ,YB が、距離LX の間隔を離し
て、取り付けられている。
【0029】基台40のY方向に沿う側面40bに、同
じく、二つのレーザ測長器XA ,X B が、距離Ly の間
隔を離して取り付けてある。
【0030】レーザ測長器YA ,YB ,XA ,XB は夫
々距離Ya1,Yb1,Xa1,Xb1を測定する。この測定デ
ータは、図1に示すように主制御部22へ送られる。
【0031】l1 ,l2 ,l3 ,l4 は夫々レーザ測長
器YA ,YB ,XA ,XB の光軸である第1の電子ビー
ム露光装置本体21-1は、図3に示すように鏡筒50-1
内に、その頂部から順次、電子銃51-1,BAA5
-1,アパーチャ絞り53-1,サブ偏向器54-1,メイ
ン偏向器55-1,及び二次電子検出器56-1とを有す
る。
【0032】BAA52-1は、電子ビームを通過させる
多数の開口60と、各開口60に臨んで設けてあり、B
AA制御部23からの点滅データを供給されて、電子ビ
ームを独立に偏向させる電極61とを有し、多数本の電
子ビームよりなる束を形成する。
【0033】アパーチャ絞り53-1は、BAA52を偏
向されずに透過した電子ビームを通過させ、BAA52
-1を通過するときに偏向された電子ビームは遮蔽する。
【0034】サブ偏向器54-1及びメイン偏向器55-1
は、夫々サブデフ走査回路62及びメインデフ走査回路
63よりの出力に基づいて、電子ビームを偏向させてウ
エハ上をラスタ走査させる。
【0035】二次電子検出器56は、リング形状を有
し、ステージ43の真ぐ真上に位置しており、電子ビー
ムをウエハを照射したときにウエハから発生した二次電
子を検出する。
【0036】電子ビーム露光装置本体21-2,21-3
21-4も、上記の装置本体21-1と同じ構成であり、対
応する部分には、添字2,3,4を付した同一符号を付
す。
【0037】第1の装置本体21-1の鏡筒50-1は、そ
の中心を、図2中、点65を原点とする座標系におい
て、線l1 とl2 との交点、即ち座標(Xa,Ya)の
点Pに一致させて、基台40の上面40cに固定してあ
る。
【0038】第2の装置本体21-2の鏡筒50-2は、基
台40の上面40c上に設けてある。電子ビーム露光装
置本体用ステージXステージ装置70-2上に取り付けて
ある。
【0039】ステージ装置70-2は、矢印71で示すよ
うに、第2の装置本体21-2をX方向に移動しうる。
【0040】ステージ装置70-2は、基準位置より距離
(図4中、Dx )を読み取りうる機能を有する。
【0041】図3に示すように、基台40の上面40c
のうち、ステージ装置70-2の内側は開口72となって
いる。
【0042】鏡筒50-2の周囲と基台40の上面40c
との間に、蛇腹状の真空シール21 -2が設けてある。
【0043】ステージ装置70-2及び鏡筒50-2は、図
4に示すように、ステージ装置70 -2が基準位置とされ
たときに、鏡筒50-2の中心が、線l2 とl3 との交
点、即ち、座標(Xa+Lx,Yb)の点Qに一致する
ように設けてある。
【0044】図1及び図4に示すように、第4の装置本
体21-4の鏡筒50-4は、矢印74で示すようY方向に
移動し得、且つ基準位置からの距離(図4中、Dy )を
読み取り得る機能を備えたYステージ装置(図示せず)
上に設けてある。
【0045】鏡筒50-4は、上記のステージ装置(図示
せず)が基準位置に位置しているときに、鏡筒50-4
中心が、線l1 とl4 との交点、即ち、座標(Xb,X
a+Ly)の点Sに一致するように設けてある。
【0046】第3の装置本体21-3の鏡筒50-3は、矢
印75で示すようにX方向及び矢印76で示すようにY
方向に移動し得、且つ基準位置からの距離(図 中、D
x1,Dy1)を読み取る機能を備えたXYステージ装置
(図示せず)上に設けてある。
【0047】鏡筒50-3は、上記のXYステージ装置
(図示せず)が基準位置に位置しているときに、鏡筒5
-3の中心が、線l2 とl4 との交点、即ち座標(Xb
+Lx,Yb+Ly)の点Rに一致するように設けてあ
る。 〔主制御部22の構成〕主制御部22は、記憶装置24
b,接続されているCPU80と、CPU80によって
制御され、サブデフ走査回路62とメインデフ走査回路
63の両方を制御する露光制御回路81とを有する。
【0048】サブデフ走査回路62は、同じ偏向信号
を、4つのライン82-1〜82-4に同時に出力する。 〔BAA制御部23の構成〕BAA制御部23は、記憶
装置24から露光データを供給されるバッファメモリ9
0と、バッファメモリ90からの露光データを供給され
て、これをBAA52の個々の開口の点滅データに変換
するデータ展開回路91と、変換された点滅データを記
憶するキャンバスメモリ92と、キャンバスメモリ92
に記憶された点滅データを並べ換えるデータ並べ換え回
路93と、並べ換えられた点滅データを送り出すデータ
出力回路94とを有する。
【0049】データ出力回路94は、同じ点滅データ
を、4つのライン95-1〜95-4に同時に出力する。
【0050】キャンバスメモリ92は、例えば16MD
RAMが400個よりなる大規模なものである。 〔露光動作〕次に、上記構成の電子ビーム露光装置20
の動作について、説明する。
【0051】例えば、図4に示すように、縦×横がa×
bのサイズのICチップ100を形成する場合について
説明する。
【0052】動作は、 電子ビーム露光装置本体の位置調整と、 露光 とに大別される。
【0053】 電子ビーム露光装置本体の位置調整 位置調整前、第1の電子ビーム露光装置本体21-1は図
4中、実線で示す基準位置、第2,第3,第4の装置本
体21-2,21-3,21-4は、二点鎖線で示す基準位置
に位置している。
【0054】ステージ装置70-2を操作し、第2の装置
本体21-1をX1 方向にDx移動させて、実線で示すよ
うにその位置に固定する。
【0055】第4の装置本体21-4のステージ装置(図
示せず)を操作し、第4の装置本体21-4をY1 方向に
Dy移動させて、実線で示すように、その位置に固定す
る。
【0056】第3の装置本体21-3のステージ装置(図
示せず)を操作し、第3の装置本体21-3をX1 方向に
x1移動させ、且つY1 方向にDy1移動させて、実線で
示すようにその位置に固定する。
【0057】各ステージ装置70-2等の操作に伴って、
装置本体21-2,21-3,21-4の基準位置からの移動
量の情報が主制御部22内のCPU80に供給され、後
述するように減衰されて、その時々における装置本体2
-2,21-3,21-4の中心点Q1 ,R1 ,S1 の座標
が求められる。
【0058】上記移動量Dx ,Dy ,Dx1,Dy1を適宜
定めることによって、第1の装置本体21-1と第4の装
置本体21-4との間の間隔A,及び第2の装置本体21
-2と第3の装置本体21-3との間の間隔Aを共に、上記
ICチップ100の縦寸法aの丁度5倍に調整する。
【0059】また、第1の装置本体21-1第2の装置本
体21-2との間の間隔B,第4の装置本体21-4と第3
の装置本体21-3との間の間隔Bを、共に上記ICチッ
プ100の横寸法bの丁度4倍に調整する。
【0060】 露光 i 例えば、径が12inであり、レジスト膜を有するウ
エハ101を、ステージ43上に固定する。
【0061】ii 主制御部22及びBAA制御部23を
動作させる。
【0062】これによりステージ駆動回路28を介して
ステージ装置42が、Y方向とX方向に交互に駆動さ
れ、ステージ43が図4中、符号102で示すジグザグ
軌跡を描いて移動する。
【0063】これにより、第3の装置本体21-3は、ウ
エハ101の中心を原点とした場合にウエハ101のう
ち第1の象限の部分を、線103で示すようにジグザグ
状に相対的に走査する。
【0064】第1の装置本体21-1,第2の装置本体2
-2,第4の装置本体21-4は、夫々ウエハ101の第
3象限の部分、第4象限の部分ジグザグ状に相対的に走
査する。
【0065】ウエハ101の各装置本体21-1〜21-4
の真下の位置の情報が、主制御部22に供給される。
【0066】また、図1に示すように、BAA制御部2
3から同時に4つのライン95-1〜95-4に、同一の点
滅データが出力される。
【0067】各点滅データは、夫々AMP25-1〜25
-4により増幅された後、各露光装置本体21-1〜21-4
のBAA52-1等に加えられる。
【0068】また主制御部22から同時に4つのライン
82-1〜82-4に、同一の偏向信号が出力される。
【0069】各偏向信号は夫々AMP26-1〜26-4
より増幅された後、各露光装置本体21-1〜21-4のサ
ブ偏向器54-1等に加えられる。
【0070】これにより、各露光装置本体21-1〜21
-4においては、電子ビームが同じ形状の束に整形され、
同じくラスタ走査される。
【0071】従って、ウエハ101の露光は、形成され
るICチップ群のうち、4つのICチップについて、同
じ場所を同様に露光されつつ進行し、各露光装置本体2
-1〜21-4が、ウエハ101の4分の一の範囲の露光
を終了した時点で完了する。
【0072】従って、12inのウエハ101の露光時間
は、一の露光装置本体を使用して6inのウエハを露光す
るのに要する時間と同じであり、約30枚/時間のスル
ープットが得られる。
【0073】なお、別のサイズのICチップを製造する
露光は、電子ビーム装置本体の間隔をICチップの縦、
横寸法の整数倍となるように調整し直して、この後は、
上記と同様に行う。
【0074】また、ステージ装置70-2等は、X,Y方
向に、±15mmの可動範囲を有している。このため、小
さいICチップから大きいICチップまで対応可能であ
る。
【0075】装置20は、更に、以下に述べる特徴を有
する。 〔サブ偏向の補正〕BAA制御部23から各露光装置本
体21-1〜21-4の各BAA52-1等までの電線の長さ
の差異等に起因して、各露光装置本体21-1〜21-4
各BAA52-1〜52-4のオンオフ動作のタイミングが
ずれる場合がある。この状態で、各露光装置本体21-1
〜21-4のサブ偏向器54-1〜54-4が同じタイミング
で動作すると、各露光装置本体21-1〜21-4の露光状
況に差が生じ、各露光装置本体21-1〜21-4によって
形成される露光パターンに微差が生じ、同じウエハから
切り出されたICチップの中で特性にバラツキが生じて
しまう。
【0076】そこで、本実施例においては、図1中、検
出回路29及び遅延回路27-1〜27-4を有する構成と
してある。
【0077】検出回路29は、各露光装置本体21-1
21-4の各二次電子検出器56-1〜56-4より送り出さ
れてくる4つの信号について最も早い信号に対する時間
差を検出し、この時間差に応じた信号を出力する。
【0078】この時間差に対応した信号が遅延回路27
-1〜27-4に加えられ、各遅延回路27-1〜27-4の遅
延時間が上記時間差に応じて調整される。
【0079】これにより、偏向信号の各露光装置本体2
-1〜21-4の各サブ偏向器に加えられるタイミングが
補正される。
【0080】この結果、各露光装置本体21-1〜21-4
において、時間的にずれがあっても、同一の点滅データ
に対して、電子ビーム束が同じように偏向されることと
なり、各露光装置本体21-1〜21-4は、厳密に同じパ
ターンを露光する。
【0081】従って、露光装置本体21-1〜21-4毎の
ICチップの特性のバラツキは無くなる。 〔電子ビーム露光装置本体21-1〜21-4の位置座標の
求め方〕図5中、第1の電子ビーム露光装置本体21-1
の中心Pの座標(X1 ,Y1 )は、 X1 =Xa Y1 =Ya で表わされる。
【0082】第2の電子ビーム露光装置本体21-2の中
心Qの座標(X2 ,Y2 )は、次式を演算することによ
り求まる。
【0083】X2 =Xa+Lx+Dx Y2 =Yb+Dx(Yb−Ya)/Lx 第3の電子ビーム露光装置本体21-3の中心R1 の座標
(X3 ,Y3 )は、次式を演算することにより求まる。
【0084】 X3 =Xb+Lx+Dx+Dy(Xb−Xa)/Ly Y3 =Yb+Ly+Dy+Dx(Yb−Ya)/Lx 第4の電子ビーム露光装置本体21-4の中心S1 の座標
(X4 ,Y4 )は、次式を演算する。
【0085】X4 =Xb+Dy(Xb−Xa)/Ly Y4 =Ya+Ly+Dy 上記演算は、主制御部22内で行われる。
【0086】このようにして、レーザ測長器XA
B ,YA ,YB は動かさずに、移動させた電子ビーム
露光装置本体の位置が求められる。 〔変形例〕電子ビーム露光装置本体を4つに限らず、2
つ、6つ又は9つ設けた構成としうる。
【0087】
【発明の効果】以上説明したように、請求項1の発明に
よれば、ブランキングアパーチャアレイ制御部及び主制
御部を、複数の電子ビーム露光装置本体の全部に対し
て、共通に使用する構成であるため、各電子ビーム露光
装置本体毎にブランキングアパーチャアレイ制御部及び
主制御部を設けた構成に比べて、設備を相当に小規模化
出来、これによって、装置の製造コストを安価とし得
る。即ち、大径のウエハにおいても高いスループットを
確保できる設備を、規模を特別に大きくせずに実現出来
る。
【0088】請求項2の発明によれば、全部の電子ビー
ム露光装置が各ICチップ上同じ位置を同じタイミング
で露光しつつ露光を行うことが出来、然して、各装置本
体間における露光精度のバラツキを無くすことが出来、
ウエハ全体について同じ品質で露光出来る。
【0089】請求項3の発明によれば、ICチップのサ
イズが変わっても、露光装置本体用ステージ装置を操作
することによって、これに対応することが出来る。即
ち、形成するICチップの種類が変わってその縦、横の
寸法が今まで露光を行っていたICチップのものとは変
わった場合であっても、露光装置本体用ステージ装置を
操作するだけで、露光を行うことが出来る。
【0090】請求項4の発明によれば、レーザ測長器
は、その精度維持上動かせないという状況の下におい
て、移動させた電子ビーム露光装置本体の位置を求める
ことが出来、請求項3の発明の効果と同様の効果を有す
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施例になるBAA方式の電子ビ
ーム露光装置の概略構成図である。
【図2】図1中、中空基台に関する部分の構造を示す図
である。
【図3】図1中、主制御部、BAA制御部、第1の電子
ビーム露光装置本体の構成を示す図である。
【図4】図1の装置の動作を説明する図である。
【図5】各電子ビーム露光装置本体を動かした後の中心
座標の求め方を説明する図である。
【図6】従来のBAA方式の電子ビーム露光装置を示す
図である。
【符号の説明】
20 BAA方式の電子ビーム露光装置 21-1〜21-4 電子ビーム露光装置本体 22 主制御部 23 BAA制御部 24 外部記憶装置 25-1〜25-4 AMP 28 ステージ駆動回路 29 BAAの動作タイミングずれ検出回路 40 中空の基台 40a,40b 側板 40c 上板 41 気密の空間 42 ウエハ用ステージ装置 43 ステージ 43a,43b 側板 XA ,YA ,XB ,YB レーザ側長器 50 鏡筒 51 電子銃 52 BAA 53 アパーチャ絞り 54 サブ偏向器 55 メイン偏向器 56 二次電子検出器 60 開口 61 電極 62 サブデフ走査回路 63 メインデフ走査回路 65 点(原点) 70-2 電子ビーム露光装置本体用Xステージ装置 72 開口 73 真空シール 80 CPU 81 露光制御回路 82-1 ライン 90 バッファメモリ 91 データ展開回路 92 キャンバスメモリ 93 データ並べ換え回路 94 データ出力回路 95 ライン 100 ICチップ 101 ウエハ 102 移動軌跡 103 走査軌跡

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 鏡筒(50-1)と、該鏡筒内に設けてあ
    り、電子ビームの束を形成するブランキングアパーチャ
    アレイ(52-1)と、該鏡筒内に設けてあり、該ブラン
    キングアパーチャアレイを通過した電子ビーム束を偏向
    させる偏向手段(54-1,55-1)とを有してなり、間
    隔を、形成すべきICチップの縦、横の長さ寸法の整数
    倍の寸法に定めて配設された複数の電子ビーム露光装置
    本体(21-1〜21-4)と、 同じ点滅データを送り出して、各電子ビーム露光装置本
    体のブランキングアパーチャアレイの動作を制御する単
    一のブランキングアパーチャアレイ制御部(23)と、 各電子ビーム露光装置本体の偏向手段の動作を制御する
    と共に、上記単一のブランキングアパーチャアレイ制御
    部を制御する単一の主制御部(22)とを有する構成と
    したことを特徴とするブランキングアパーチャアレイ方
    式電子ビーム露光装置。
  2. 【請求項2】 各電子ビーム露光装置本体のブランキン
    グアパーチャアレイの動作のタイミングずれを検出する
    検出手段(56,29)と、 上記単一の主制御部と各電子ビーム露光装置本体の各偏
    向手段との間に設けてあり、上記検出手段の検出された
    タイミングのずれに応じて、上記偏向手段への偏向信号
    の供給のタイミングを調整する遅延手段(27-1〜27
    -4)とを更に有する構成としたことを特徴とする請求項
    1記載のブランキングアパーチャアレイ方式電子ビーム
    露光装置。
  3. 【請求項3】 気密空間を有する中空の基台(40)
    と、 該基台の内部に配してあり、ウエハが載置されるウエハ
    用ステージ装置(42)と、 該基台の上面に設けてあり、上記電子ビーム露光装置本
    体の夫々を別々に移動可能に支持する電子ビーム露光装
    置本体用ステージ装置(70-2)と、 該電子ビーム露光装置本体用ステージ装置を動作させ
    て、移動させた後における、電子ビーム露光装置本体の
    位置を求める手段(XA ,XB ,YA ,YB )とを更に
    有する請求項1記載のブランキングアパーチャアレイ方
    式電子ビーム露光装置。
  4. 【請求項4】 請求項3の位置を求める手段は、 上記基台に固定して配されたレーザ測長器(XA
    B ,YA ,YB )と、 該レーザ測長器によって求めた距離に基づいて、上記位
    置を算出する演算手段(22)とを有する構成としたこ
    とを特徴とするブランキングアパーチャアレイ方式電子
    ビーム露光装置。
JP6047523A 1994-03-15 1994-03-17 ブランキングアパーチャアレイ方式電子ビーム露光装置 Pending JPH07263301A (ja)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6047523A JPH07263301A (ja) 1994-03-17 1994-03-17 ブランキングアパーチャアレイ方式電子ビーム露光装置
US08/404,830 US5528048A (en) 1994-03-15 1995-03-15 Charged particle beam exposure system and method
US08/610,190 US5614725A (en) 1994-03-15 1996-03-04 Charged particle beam exposure system and method
US08/745,632 US5977548A (en) 1994-03-15 1996-11-08 Charged particle beam exposure system and method
US09/022,881 US5920077A (en) 1994-03-15 1998-02-12 Charged particle beam exposure system
US09/283,974 US6118129A (en) 1994-03-15 1999-04-01 Method and system for exposing an exposure pattern on an object by a charged particle beam which is shaped into a plurality of beam elements
US09/588,644 US6486479B1 (en) 1994-03-15 2000-06-07 Charged particle beam exposure system and method
US10/238,759 US6646275B2 (en) 1994-03-15 2002-09-11 Charged particle beam exposure system and method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6047523A JPH07263301A (ja) 1994-03-17 1994-03-17 ブランキングアパーチャアレイ方式電子ビーム露光装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH07263301A true JPH07263301A (ja) 1995-10-13

Family

ID=12777486

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6047523A Pending JPH07263301A (ja) 1994-03-15 1994-03-17 ブランキングアパーチャアレイ方式電子ビーム露光装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH07263301A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999059183A1 (en) * 1998-05-11 1999-11-18 Advantest Corporation Electron beam exposure method and electron beam exposure apparatus
JP2002110534A (ja) * 2000-10-03 2002-04-12 Advantest Corp 半導体素子製造システム、電子ビーム露光装置
JP2009054944A (ja) * 2007-08-29 2009-03-12 Nuflare Technology Inc 描画データの作成方法及び荷電粒子ビーム描画装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999059183A1 (en) * 1998-05-11 1999-11-18 Advantest Corporation Electron beam exposure method and electron beam exposure apparatus
US6218060B1 (en) 1998-05-11 2001-04-17 Advantest Corporation Electron beam exposure method and electron beam exposure apparatus
JP2002110534A (ja) * 2000-10-03 2002-04-12 Advantest Corp 半導体素子製造システム、電子ビーム露光装置
JP2009054944A (ja) * 2007-08-29 2009-03-12 Nuflare Technology Inc 描画データの作成方法及び荷電粒子ビーム描画装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6184526B1 (en) Apparatus and method for inspecting predetermined region on surface of specimen using electron beam
US7425703B2 (en) Electron beam apparatus, a device manufacturing method using the same apparatus, a pattern evaluation method, a device manufacturing method using the same method, and a resist pattern or processed wafer evaluation method
US6323499B1 (en) Electron beam exposure apparatus and method, and device manufacturing method
US6472672B1 (en) Electron beam exposure apparatus and its control method
US4694178A (en) Multiple channel electron beam optical column lithography system and method of operation
US5369282A (en) Electron beam exposure method and system for exposing a pattern on a substrate with an improved accuracy and throughput
US6265719B1 (en) Inspection method and apparatus using electron beam
US6121625A (en) Charged particle beam lithography apparatus for forming pattern on semi-conductor
US6777697B2 (en) Charged-particle beam exposure apparatus and device manufacturing method using the same
JP2017107959A (ja) マルチ荷電粒子ビーム装置及びマルチ荷電粒子ビーム像の形状調整方法
JP2019114377A (ja) マルチビーム画像取得装置及びマルチビーム画像取得方法
JPH09320931A (ja) 結像特性計測方法及び該方法を使用する転写装置
KR20230043720A (ko) 멀티 전자 빔 화상 취득 장치, 멀티 전자 빔 검사 장치, 및 멀티 전자 빔 화상 취득 방법
JPH07263301A (ja) ブランキングアパーチャアレイ方式電子ビーム露光装置
US20130344443A1 (en) Lithography apparatus, and method of manufacture of product
US20030089863A1 (en) Beam-calibration methods for charged-particle-beam microlithography systems
JP4183454B2 (ja) 電子ビーム描画装置
JPH09330870A (ja) 電子ビーム露光装置及びその露光方法
JP2004134503A (ja) 電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法
JP2002093359A (ja) 電子ビーム画像生成装置
JPH08227840A (ja) 荷電粒子線描画装置における調整方法および描画方法
JP2000357647A (ja) 荷電粒子ビーム露光装置
JPH10199469A (ja) 電子ビーム照明装置及び該装置を備えた電子ビーム露光装置
US20220254596A1 (en) Electron gun and electron beam irradiation device
TW202314768A (zh) 多電子束檢查裝置、多極子陣列的控制方法以及多電子束檢查方法

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20021001