JPH0726378A - 成膜装置における被成膜基体保持装置 - Google Patents
成膜装置における被成膜基体保持装置Info
- Publication number
- JPH0726378A JPH0726378A JP17196493A JP17196493A JPH0726378A JP H0726378 A JPH0726378 A JP H0726378A JP 17196493 A JP17196493 A JP 17196493A JP 17196493 A JP17196493 A JP 17196493A JP H0726378 A JPH0726378 A JP H0726378A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film forming
- rotation
- film
- base body
- holding member
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 94
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 42
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 11
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000010408 film Substances 0.000 description 76
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 22
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 22
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 10
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 8
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 230000003685 thermal hair damage Effects 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000002305 electric material Substances 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- 238000011176 pooling Methods 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 成膜装置における被成膜基体保持装置であっ
て、複数の基体に同時成膜する場合において、それら基
体に形成される膜の膜厚を基体間において均一化でき、
しかも効率よく成膜できる構造簡単で安価に済む被成膜
基体保持装置を提供する。 【構成】 成膜用真空容器1内に配置され、主軸311
を中心に回転可能の主回転円盤31と、円盤311に回
転可能に且つ円盤311の回動に伴って主軸311の周
りに公転可能に支持された複数の基体保持部材32と、
円盤311の所定回転毎に各基体保持部材32を一定角
度自転させるための自転ガイド機構33とを備えた基体
保持装置3。
て、複数の基体に同時成膜する場合において、それら基
体に形成される膜の膜厚を基体間において均一化でき、
しかも効率よく成膜できる構造簡単で安価に済む被成膜
基体保持装置を提供する。 【構成】 成膜用真空容器1内に配置され、主軸311
を中心に回転可能の主回転円盤31と、円盤311に回
転可能に且つ円盤311の回動に伴って主軸311の周
りに公転可能に支持された複数の基体保持部材32と、
円盤311の所定回転毎に各基体保持部材32を一定角
度自転させるための自転ガイド機構33とを備えた基体
保持装置3。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は切削工具、金型、磁気ヘ
ッド或いは各種の摺動部材といった耐摩耗性能等が要求
される部品の基体に目的とする膜を形成したり、各種電
気、電子部品の基体上に配線用の前駆膜や半導体膜等を
形成するための成膜装置における被成膜基体の保持装置
に関する。
ッド或いは各種の摺動部材といった耐摩耗性能等が要求
される部品の基体に目的とする膜を形成したり、各種電
気、電子部品の基体上に配線用の前駆膜や半導体膜等を
形成するための成膜装置における被成膜基体の保持装置
に関する。
【0002】
【従来の技術】前述した成膜装置、中でも真空蒸着成
膜、スパッタリング成膜、これら手法とイオン照射アシ
ストを組み合わせた成膜等を行う物理的蒸着(PVD)
成膜装置においては、複数の被成膜基体に同時成膜を行
う場合、各基体への膜の付き回り性を改善すること、換
言すれば、各基体の膜厚を均一化することが大きい課題
となっている。
膜、スパッタリング成膜、これら手法とイオン照射アシ
ストを組み合わせた成膜等を行う物理的蒸着(PVD)
成膜装置においては、複数の被成膜基体に同時成膜を行
う場合、各基体への膜の付き回り性を改善すること、換
言すれば、各基体の膜厚を均一化することが大きい課題
となっている。
【0003】このことをさらに説明するため、まず、こ
の種の成膜装置の1例を図4を参照して説明する。図4
の装置は真空蒸着による成膜装置を示し、成膜室となる
真空容器10内に蒸発源20が設置されている。被成膜
基体Sはホルダ30に取り付けられ、支持される。蒸発
源20には目的とする膜の構成元素を含む物質20aが
収納され、高周波加熱、電子ビーム加熱等により加熱さ
れ、蒸発し、蒸発粒子20bが基体Sの被成膜面に付着
し、それによって目的とする膜が形成される。
の種の成膜装置の1例を図4を参照して説明する。図4
の装置は真空蒸着による成膜装置を示し、成膜室となる
真空容器10内に蒸発源20が設置されている。被成膜
基体Sはホルダ30に取り付けられ、支持される。蒸発
源20には目的とする膜の構成元素を含む物質20aが
収納され、高周波加熱、電子ビーム加熱等により加熱さ
れ、蒸発し、蒸発粒子20bが基体Sの被成膜面に付着
し、それによって目的とする膜が形成される。
【0004】この成膜装置においては、蒸発粒子20b
は、一般には図示のとおり、COS n θの分布で基体S
に蒸着する。このため、図5に示すように、基体ホルダ
300に基体Sを複数設置して成膜する場合、蒸発源2
0の真上方に保持された基体Sと、蒸発源20より一定
角度離れた位置に保持された基体Sとでは、成膜される
膜厚が不均一になる傾向がある。
は、一般には図示のとおり、COS n θの分布で基体S
に蒸着する。このため、図5に示すように、基体ホルダ
300に基体Sを複数設置して成膜する場合、蒸発源2
0の真上方に保持された基体Sと、蒸発源20より一定
角度離れた位置に保持された基体Sとでは、成膜される
膜厚が不均一になる傾向がある。
【0005】このような問題を解決するため、これま
で、複数の基体Sを支持するホルダ300と蒸発源20
との距離を長く設定したり、各基体Sを一定中心周りに
公転させつつ自転させる自公転機構を有するホルダを採
用することが試みられている。
で、複数の基体Sを支持するホルダ300と蒸発源20
との距離を長く設定したり、各基体Sを一定中心周りに
公転させつつ自転させる自公転機構を有するホルダを採
用することが試みられている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、基体ホ
ルダと蒸発源との距離を長く設定すると、成膜速度が低
下し、生産性が劣る結果となってしまう。また、自公転
機構を採用する場合、それは通常複雑な機構となるの
で、装置コストが上昇するという問題がある。特に近年
盛んに試みられているイオン照射と真空蒸着を併用した
イオン蒸着薄膜形成法(以下「IVD法」という。)に
よる成膜にあっては、照射されるイオンビームの分布の
均一性と蒸発物質の蒸着分布の均一性の両方を確保する
ような機構の基体ホルダが要求されるが、その場合、真
空蒸着法のみによって膜が形成される場合に比べて、基
板ホルダの構造はより複雑になってしまう。さらに、基
体への熱的な損傷を低減するために、低温下での膜形成
が要求される場合、基体ホルダは水冷機構を備えている
ことが望ましいが、その場合は、より一層基体ホルダの
構造が複雑になるのが実状である。これらの結果、装置
コストが大幅に上昇する。
ルダと蒸発源との距離を長く設定すると、成膜速度が低
下し、生産性が劣る結果となってしまう。また、自公転
機構を採用する場合、それは通常複雑な機構となるの
で、装置コストが上昇するという問題がある。特に近年
盛んに試みられているイオン照射と真空蒸着を併用した
イオン蒸着薄膜形成法(以下「IVD法」という。)に
よる成膜にあっては、照射されるイオンビームの分布の
均一性と蒸発物質の蒸着分布の均一性の両方を確保する
ような機構の基体ホルダが要求されるが、その場合、真
空蒸着法のみによって膜が形成される場合に比べて、基
板ホルダの構造はより複雑になってしまう。さらに、基
体への熱的な損傷を低減するために、低温下での膜形成
が要求される場合、基体ホルダは水冷機構を備えている
ことが望ましいが、その場合は、より一層基体ホルダの
構造が複雑になるのが実状である。これらの結果、装置
コストが大幅に上昇する。
【0007】そこで本発明は、以上説明したように本発
明によると、成膜装置における被成膜基体保持装置であ
って、複数の基体に同時成膜する場合において、それら
基体に形成される膜の膜厚を基体間において均一化で
き、しかも効率よく成膜できる構造簡単で安価に済む被
成膜基体保持装置を提供することを課題とする。
明によると、成膜装置における被成膜基体保持装置であ
って、複数の基体に同時成膜する場合において、それら
基体に形成される膜の膜厚を基体間において均一化で
き、しかも効率よく成膜できる構造簡単で安価に済む被
成膜基体保持装置を提供することを課題とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決する本発
明の基体保持装置は、成膜装置における成膜室内に配置
され、主軸を中心に回転可能の主回転部材と、被成膜基
体を保持する部材であってそれぞれが前記主回転部材に
回転可能に且つ該主回転部材の回動に伴って前記主軸の
周りに公転可能に支持された複数の基体保持部材と、前
記主回転部材の回動に伴って前記各基体保持部材を一定
角度自転させるための自転ガイド機構とを備えている。
明の基体保持装置は、成膜装置における成膜室内に配置
され、主軸を中心に回転可能の主回転部材と、被成膜基
体を保持する部材であってそれぞれが前記主回転部材に
回転可能に且つ該主回転部材の回動に伴って前記主軸の
周りに公転可能に支持された複数の基体保持部材と、前
記主回転部材の回動に伴って前記各基体保持部材を一定
角度自転させるための自転ガイド機構とを備えている。
【0009】前記自転ガイド機構としては、代表的に
は、 前記基体保持部材のうち予め定めた基体保持部材上の
自転用係合部と、前記基体保持部材の公転軌道に臨み、
該保持部材の公転に伴って前記自転用係合部に係合し、
それを有する基体保持部材を一定角度回動させつつその
通過を許す駆動部と、前記自転用係合部を有しない基体
保持部材を該自転用係合部を有する基体保持部材の回動
に連動せて一定角度自転させるための連動機構とを含ん
でいるもの、及び 前記各基体保持部材上の自転用係合部と、前記基体保
持部材の公転軌道に臨み、該保持部材の公転に伴って前
記自転用係合部に係合し、それを有する基体保持部材を
一定角度回動させつつその通過を許す駆動部とを含んで
いるものを挙げることができる。
は、 前記基体保持部材のうち予め定めた基体保持部材上の
自転用係合部と、前記基体保持部材の公転軌道に臨み、
該保持部材の公転に伴って前記自転用係合部に係合し、
それを有する基体保持部材を一定角度回動させつつその
通過を許す駆動部と、前記自転用係合部を有しない基体
保持部材を該自転用係合部を有する基体保持部材の回動
に連動せて一定角度自転させるための連動機構とを含ん
でいるもの、及び 前記各基体保持部材上の自転用係合部と、前記基体保
持部材の公転軌道に臨み、該保持部材の公転に伴って前
記自転用係合部に係合し、それを有する基体保持部材を
一定角度回動させつつその通過を許す駆動部とを含んで
いるものを挙げることができる。
【0010】前記に記載の自転ガイド機構の場合、自
転用係合部を有する基体保持部材の数は一つでもよい
し、それ以上でもよい。また、駆動部の数も、自転用係
合部を有する基体保持部材に対しそれぞれ設けられてい
てもよいし、自転用係合部を有する基体保持部材の全部
に共通に使用される一つの駆動部でもよいし、かかる保
持部材の一部に共通に使用される駆動部が設けられてい
てもよく、特に限定はない。また、基体保持部材間の連
動機構も、基体保持部材に設けたレバーやアーム、歯車
等が互いに係合連動するようにしたもの、その他簡素な
ものを採用すればよい。
転用係合部を有する基体保持部材の数は一つでもよい
し、それ以上でもよい。また、駆動部の数も、自転用係
合部を有する基体保持部材に対しそれぞれ設けられてい
てもよいし、自転用係合部を有する基体保持部材の全部
に共通に使用される一つの駆動部でもよいし、かかる保
持部材の一部に共通に使用される駆動部が設けられてい
てもよく、特に限定はない。また、基体保持部材間の連
動機構も、基体保持部材に設けたレバーやアーム、歯車
等が互いに係合連動するようにしたもの、その他簡素な
ものを採用すればよい。
【0011】前記、のいずれの自転ガイド機構にお
いても、自転用係合部とこれに対する駆動部の組み合わ
せとしては、基体保持部材に設けられたレバー、アーム
等の突出部材とこれに係合当接できる駆動用のレバー、
アーム、ブロック状部材等の組み合わせ、基体保持部材
の外周側面等とこれが転動接触できるガイドロッド、レ
ール等の部材の組み合わせ、基体保持部材に同心に設け
た歯車とこれが噛み合い回転できるラックの組み合わせ
など、適当なものを採用できる。
いても、自転用係合部とこれに対する駆動部の組み合わ
せとしては、基体保持部材に設けられたレバー、アーム
等の突出部材とこれに係合当接できる駆動用のレバー、
アーム、ブロック状部材等の組み合わせ、基体保持部材
の外周側面等とこれが転動接触できるガイドロッド、レ
ール等の部材の組み合わせ、基体保持部材に同心に設け
た歯車とこれが噛み合い回転できるラックの組み合わせ
など、適当なものを採用できる。
【0012】また、いずれにしても、前記主回転部材に
対しては、それ自身を冷却し、それによって基体保持部
材及びそれに支持される基体を冷却できる水冷機構を設
けてもよい。
対しては、それ自身を冷却し、それによって基体保持部
材及びそれに支持される基体を冷却できる水冷機構を設
けてもよい。
【0013】
【作用】本発明基体保持装置は、成膜装置の蒸発源等に
対し、膜生産が効率良く実施される距離乃至位置に配置
され、基体保持部材に被成膜基体が取り付けられる。成
膜処理中、主回転部材は別途準備される駆動部により例
えば定速回転し、それに伴って主回転部材に設けられた
基体保持部材及びそれに支持された基体が主回転部材の
主軸周りに公転する。また、各基体保持部材の公転に伴
い、自転ガイド機構が作用して、該保持部材及びそれに
支持された基体が一定角度ずつ自転する。
対し、膜生産が効率良く実施される距離乃至位置に配置
され、基体保持部材に被成膜基体が取り付けられる。成
膜処理中、主回転部材は別途準備される駆動部により例
えば定速回転し、それに伴って主回転部材に設けられた
基体保持部材及びそれに支持された基体が主回転部材の
主軸周りに公転する。また、各基体保持部材の公転に伴
い、自転ガイド機構が作用して、該保持部材及びそれに
支持された基体が一定角度ずつ自転する。
【0014】かくして、複数の基体保持部材に支持され
た複数の基体に同時成膜が生産効率良くなされ、しかも
複数の基体間において、形成される膜の厚さが均一化さ
れる。特に本発明基体保持装置をIVD法による成膜装
置に用いると、各基体へのイオンビーム照射の均一性及
び蒸発物質の蒸着の均一性の双方を容易に確保できる。
た複数の基体に同時成膜が生産効率良くなされ、しかも
複数の基体間において、形成される膜の厚さが均一化さ
れる。特に本発明基体保持装置をIVD法による成膜装
置に用いると、各基体へのイオンビーム照射の均一性及
び蒸発物質の蒸着の均一性の双方を容易に確保できる。
【0015】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。図1は本発明の1実施例を採用したIVD法よる
成膜装置の概略構成を示している。図2は図1に示す基
体保持装置の底面図である。図1に示す成膜装置は、成
膜室としての真空容器1を備え、該容器1内には蒸発源
2及びその上方の本発明に係る被成膜基体Sの保持装置
3が設定されている。また、蒸発源2の側方にはイオン
源4が設置され、保持装置3に向けられている。容器1
には、さらに、その中を所定の成膜真空度とするめたの
排気装置5が接続されいてる。保持装置3は、主回転円
盤31、円盤31に支持された小円板の形態の複数の基
体保持部材32を備えている。
する。図1は本発明の1実施例を採用したIVD法よる
成膜装置の概略構成を示している。図2は図1に示す基
体保持装置の底面図である。図1に示す成膜装置は、成
膜室としての真空容器1を備え、該容器1内には蒸発源
2及びその上方の本発明に係る被成膜基体Sの保持装置
3が設定されている。また、蒸発源2の側方にはイオン
源4が設置され、保持装置3に向けられている。容器1
には、さらに、その中を所定の成膜真空度とするめたの
排気装置5が接続されいてる。保持装置3は、主回転円
盤31、円盤31に支持された小円板の形態の複数の基
体保持部材32を備えている。
【0016】主円盤31はその中心部が主軸311に固
定され、支持されており、主軸311は容器1の天井壁
11に設けた軸受部312に回転可能に支持されて容器
1外へ突出している。主軸311の該突出部は伝動機構
Tを介して所定回転数を与え得るモータMに連結されて
いる。また、主軸311と天井壁11との間には気密シ
ール用のオーリング12を嵌めてある。
定され、支持されており、主軸311は容器1の天井壁
11に設けた軸受部312に回転可能に支持されて容器
1外へ突出している。主軸311の該突出部は伝動機構
Tを介して所定回転数を与え得るモータMに連結されて
いる。また、主軸311と天井壁11との間には気密シ
ール用のオーリング12を嵌めてある。
【0017】各基体保持部材32は、その中心部が軸棒
321に固定、支持されている。該軸棒321は円盤3
1の周縁から円盤中心部へ向け形成した軸棒引っ掛け用
のフック形状凹所322の一番奥まった位置に昇降可能
に、且つ、回転可能に、さらに凹所322に沿って着脱
可能に通されている。各軸棒321は円盤31の上方へ
若干突出しており、上端にヘッド部材321aを有し、
この部材と円盤31上面との間にコイルスプリング32
3を介装してある。
321に固定、支持されている。該軸棒321は円盤3
1の周縁から円盤中心部へ向け形成した軸棒引っ掛け用
のフック形状凹所322の一番奥まった位置に昇降可能
に、且つ、回転可能に、さらに凹所322に沿って着脱
可能に通されている。各軸棒321は円盤31の上方へ
若干突出しており、上端にヘッド部材321aを有し、
この部材と円盤31上面との間にコイルスプリング32
3を介装してある。
【0018】かくして、各基体保持部材32は円盤31
の下面に取り外し可能に、等間隔で、且つ、円盤31の
回転に伴って主軸311の周りに公転するように支持さ
れている。また、各保持部材32は、その軸棒を321
を中心に自転可能に、且つ、コイルスプリング323の
作用で部材32上面が円盤31下面に摺動回転可能に接
している。
の下面に取り外し可能に、等間隔で、且つ、円盤31の
回転に伴って主軸311の周りに公転するように支持さ
れている。また、各保持部材32は、その軸棒を321
を中心に自転可能に、且つ、コイルスプリング323の
作用で部材32上面が円盤31下面に摺動回転可能に接
している。
【0019】なお、各基体保持部材32を円盤31に対
し着脱するための機構は、前記フック形状凹所322に
限定されるものではなく、他の形の凹所やさらに他の手
段によるものでもよい。また、主回転円盤31に対して
は水冷機構313を設けてある。水冷機構313は主軸
311内及び円盤31内を通る、図中破線で示す水通路
を含み、この水通路は図示しないロータリジョイントを
介して図示しない冷却水供給循環装置に接続される。
し着脱するための機構は、前記フック形状凹所322に
限定されるものではなく、他の形の凹所やさらに他の手
段によるものでもよい。また、主回転円盤31に対して
は水冷機構313を設けてある。水冷機構313は主軸
311内及び円盤31内を通る、図中破線で示す水通路
を含み、この水通路は図示しないロータリジョイントを
介して図示しない冷却水供給循環装置に接続される。
【0020】円盤31は必要に応じ、冷却水の供給循環
にて冷却されてクーラとして、しかも基体保持部材32
に対し冷却容量の大きいクーラとして作用し、円盤31
下面に接する保持部材32及びそれに支持される被成膜
基体Sを成膜に適する温度に冷却できる。さらに、基体
保持部材32に対しては、自転ガイド機構33を設けて
ある。この機構33は、一つの保持部材32(32a)
の側周縁に、中心角にして90°間隔で4本突設した自
転用係合アーム331と、保持部材32の公転軌道に臨
む定位置に設置した駆動アーム332とを含んでいる。
また、他の基体保持部材32にはそれぞれその側周縁
に、中心角にして90°間隔で4本、係合レバー333
を突設してある。前記自転用係合アーム331とこれら
係合レバー333は、自転用係合アーム331を有する
保持部材32(32a)が駆動アーム332に到来し、
係合当接することで該保持部材が一定角度回動する毎
に、互いに係合連動して他の保持部材32も一定角度回
動させる連動機構Aを構成している。この連動機構Aも
自転ガイド機構33の一部を構成している。なお、各自
転用係合アーム331は駆動アーム332及び係合レバ
ー333より背高く形成されており、駆動アーム332
は、係合レバー333より高い位置にずらせて配置して
ある。そして、係合アーム331と駆動アーム332と
の係合はアーム331の上半部を用いて行われ、係合ア
ーム331と係合レバー333との係合はアーム331
の下半部を用いて行われ、かくして駆動アーム332と
係合レバー333との衝突を防止するようになってい
る。
にて冷却されてクーラとして、しかも基体保持部材32
に対し冷却容量の大きいクーラとして作用し、円盤31
下面に接する保持部材32及びそれに支持される被成膜
基体Sを成膜に適する温度に冷却できる。さらに、基体
保持部材32に対しては、自転ガイド機構33を設けて
ある。この機構33は、一つの保持部材32(32a)
の側周縁に、中心角にして90°間隔で4本突設した自
転用係合アーム331と、保持部材32の公転軌道に臨
む定位置に設置した駆動アーム332とを含んでいる。
また、他の基体保持部材32にはそれぞれその側周縁
に、中心角にして90°間隔で4本、係合レバー333
を突設してある。前記自転用係合アーム331とこれら
係合レバー333は、自転用係合アーム331を有する
保持部材32(32a)が駆動アーム332に到来し、
係合当接することで該保持部材が一定角度回動する毎
に、互いに係合連動して他の保持部材32も一定角度回
動させる連動機構Aを構成している。この連動機構Aも
自転ガイド機構33の一部を構成している。なお、各自
転用係合アーム331は駆動アーム332及び係合レバ
ー333より背高く形成されており、駆動アーム332
は、係合レバー333より高い位置にずらせて配置して
ある。そして、係合アーム331と駆動アーム332と
の係合はアーム331の上半部を用いて行われ、係合ア
ーム331と係合レバー333との係合はアーム331
の下半部を用いて行われ、かくして駆動アーム332と
係合レバー333との衝突を防止するようになってい
る。
【0021】この自転ガイド機構33によると、図2に
示すように、円盤31が下方から見て図中CCW方向に
回転されることにより、係合アーム331を有する基体
保持部材32aが定位置に固定の駆動アーム332に臨
む位置に到来する毎に該保持部材32a上の1本の自転
用係合アーム331が該駆動アーム332に当接係合
し、該アーム332に押されて一定角度回動し、これに
伴って保持部材32a本体及びそれに支持された基体S
も一定角度回動しつつ駆動アーム332から離れて公転
を続ける。さらに、連動機構Aの作用で、この基体保持
部材32aの回動に連動して他の基体保持部材32も一
定角度回動する。
示すように、円盤31が下方から見て図中CCW方向に
回転されることにより、係合アーム331を有する基体
保持部材32aが定位置に固定の駆動アーム332に臨
む位置に到来する毎に該保持部材32a上の1本の自転
用係合アーム331が該駆動アーム332に当接係合
し、該アーム332に押されて一定角度回動し、これに
伴って保持部材32a本体及びそれに支持された基体S
も一定角度回動しつつ駆動アーム332から離れて公転
を続ける。さらに、連動機構Aの作用で、この基体保持
部材32aの回動に連動して他の基体保持部材32も一
定角度回動する。
【0022】このようにして円盤31の回転に伴い、各
基体保持部材32は主軸311の周りに公転するととも
に、自転用係合アーム331を有する保持部材が駆動ア
ーム332に到来する毎に(本例では円盤31の1回転
毎に)一定角度ずつ自転する。以上説明した被成膜基体
保持装置によると、これが真空容器1内に、蒸発源2に
対し所望の、生産効率の良い成膜速度が得られる距離を
隔てて配置され、各基体保持部材32に被成膜基体Sが
取り付けられるとともに、保持部材32自体はその軸棒
321が主回転部材31の周縁からフック形状凹所32
2に沿ってその一番奥位置まで嵌められ、脱落しないよ
うに、且つ、主回転部材31に対し回転可能に配置され
る。
基体保持部材32は主軸311の周りに公転するととも
に、自転用係合アーム331を有する保持部材が駆動ア
ーム332に到来する毎に(本例では円盤31の1回転
毎に)一定角度ずつ自転する。以上説明した被成膜基体
保持装置によると、これが真空容器1内に、蒸発源2に
対し所望の、生産効率の良い成膜速度が得られる距離を
隔てて配置され、各基体保持部材32に被成膜基体Sが
取り付けられるとともに、保持部材32自体はその軸棒
321が主回転部材31の周縁からフック形状凹所32
2に沿ってその一番奥位置まで嵌められ、脱落しないよ
うに、且つ、主回転部材31に対し回転可能に配置され
る。
【0023】かくして成膜準備が整うと、真空容器1内
が排気装置5にて所定成膜真空度に維持されつつ、蒸発
源2から目的とする膜の構成元素を含む物質2aが気化
され、その粒子2bが各基体Sに蒸着せしめられる。ま
た、この蒸着と同時、交互又は該蒸着後に、イオン源4
から各基体へ向けイオンビーム4aが照射される。
が排気装置5にて所定成膜真空度に維持されつつ、蒸発
源2から目的とする膜の構成元素を含む物質2aが気化
され、その粒子2bが各基体Sに蒸着せしめられる。ま
た、この蒸着と同時、交互又は該蒸着後に、イオン源4
から各基体へ向けイオンビーム4aが照射される。
【0024】さらに、この成膜処理中、モータMの駆動
にて主回転部材31が主軸311を中心に回転し、この
1回転ごとに、各保持部材32及びそれに支持された基
体Sが一定角度ずつ自転する。このように、各基体Sが
自公転することで、各基体Sに対するイオンビーム照射
及び蒸発物質の蒸着が均一化され、基体間において膜厚
や膜質が均一化された所望特性の膜が各基体上に効率良
く形成される。
にて主回転部材31が主軸311を中心に回転し、この
1回転ごとに、各保持部材32及びそれに支持された基
体Sが一定角度ずつ自転する。このように、各基体Sが
自公転することで、各基体Sに対するイオンビーム照射
及び蒸発物質の蒸着が均一化され、基体間において膜厚
や膜質が均一化された所望特性の膜が各基体上に効率良
く形成される。
【0025】また、この基体保持装置によると、成膜処
理において、水冷機構313により主回転部材31を冷
却し、それを基体保持部材32に対する大面積クーラと
して作用せしめ、各基体保持部材32及びそれに支持さ
れた基体Sを効率良く冷却することができ、それによっ
て、基体の熱的損傷、基体の特性の劣化等を防止でき
る。また、このため、基体として用いることのできる材
質の幅が広がる。
理において、水冷機構313により主回転部材31を冷
却し、それを基体保持部材32に対する大面積クーラと
して作用せしめ、各基体保持部材32及びそれに支持さ
れた基体Sを効率良く冷却することができ、それによっ
て、基体の熱的損傷、基体の特性の劣化等を防止でき
る。また、このため、基体として用いることのできる材
質の幅が広がる。
【0026】また、以上説明した基体保持装置は、基体
の自公転機構が簡単な構造であり、水冷機構313も直
接的には主回転部材31に対し設けてあるので、複数基
板を冷却できる割にはその構造は簡素化でき、これらの
ことから安価に提供することができ、延いてはそれだけ
成膜コストを抑制できる。なお、本発明は前記実施例に
限定されるのものではなく、他にも種々の態様で実施で
きる。例えば、自転ガイド機構として図3に一部を示す
機構34のように、自転用係合部として各基体保持部材
32の外周側面341を利用し、自転用係合部を駆動す
る駆動部として該外周側面341が転動接触できる駆動
係合部材342を採用し、該部材342を保持部材32
の公転軌道に臨ませて90°間隔で配置し、これによっ
て、主回転円盤31が1/4回転する毎に各保持部材3
2及びそれに支持される基体Sが一定角度ずつ回動する
もの等も考えられる。
の自公転機構が簡単な構造であり、水冷機構313も直
接的には主回転部材31に対し設けてあるので、複数基
板を冷却できる割にはその構造は簡素化でき、これらの
ことから安価に提供することができ、延いてはそれだけ
成膜コストを抑制できる。なお、本発明は前記実施例に
限定されるのものではなく、他にも種々の態様で実施で
きる。例えば、自転ガイド機構として図3に一部を示す
機構34のように、自転用係合部として各基体保持部材
32の外周側面341を利用し、自転用係合部を駆動す
る駆動部として該外周側面341が転動接触できる駆動
係合部材342を採用し、該部材342を保持部材32
の公転軌道に臨ませて90°間隔で配置し、これによっ
て、主回転円盤31が1/4回転する毎に各保持部材3
2及びそれに支持される基体Sが一定角度ずつ回動する
もの等も考えられる。
【0027】また、本発明装置を用いることができる成
膜装置はIVD法によるものに限定されず、例えばクラ
スターイオン蒸着装置、スパッタリング装置、イオンプ
ーティング装置等にも用いることができる。次に図1に
示すタイプの成膜装置及び以上説明した自転ガイド機構
33を有する基体保持装置3による具体的な成膜例及び
比較例を説明する。 〔保持装置3による成膜例〕 主回転部材31:直径100mm、回転数120r.
p.m 基体保持部材32:直径40mm、4個 等間隔配置 被成膜基体S:直径38mm、シリコン基板 蒸発源2:アルミニウムを電子ビーム加熱 主回転部材31と蒸発源2との距離:600mm、蒸発
源2は主軸311の真下位置 イオン源4:主回転部材31に立てた法線と照射するイ
オンビームのなす角度αが0°より大きい成膜条件によ
り1nm/secのAl蒸発速度で各基板に1μm蒸着
させる予定で成膜した。 〔比較例〕基体保持部材32を取り外し、それがあった
位置において、主回転部材31に直接基体Sを取り付
け、該部材を120r.p.mで回動させ、他は上記成
膜例と同条件とし、1nm/secの蒸発速度により1
μm蒸着させる予定で成膜した。
膜装置はIVD法によるものに限定されず、例えばクラ
スターイオン蒸着装置、スパッタリング装置、イオンプ
ーティング装置等にも用いることができる。次に図1に
示すタイプの成膜装置及び以上説明した自転ガイド機構
33を有する基体保持装置3による具体的な成膜例及び
比較例を説明する。 〔保持装置3による成膜例〕 主回転部材31:直径100mm、回転数120r.
p.m 基体保持部材32:直径40mm、4個 等間隔配置 被成膜基体S:直径38mm、シリコン基板 蒸発源2:アルミニウムを電子ビーム加熱 主回転部材31と蒸発源2との距離:600mm、蒸発
源2は主軸311の真下位置 イオン源4:主回転部材31に立てた法線と照射するイ
オンビームのなす角度αが0°より大きい成膜条件によ
り1nm/secのAl蒸発速度で各基板に1μm蒸着
させる予定で成膜した。 〔比較例〕基体保持部材32を取り外し、それがあった
位置において、主回転部材31に直接基体Sを取り付
け、該部材を120r.p.mで回動させ、他は上記成
膜例と同条件とし、1nm/secの蒸発速度により1
μm蒸着させる予定で成膜した。
【0028】本発明に係る成膜例と比較例によって得ら
れた膜の膜厚分布をエリプソメータによって測定したと
ころ、本発明に係る成膜例によるものは4枚の基板共に
±5%の均一性で成膜されていたが、比較例のものは4
枚の基板共に±15%の均一性しか得られなかった。
れた膜の膜厚分布をエリプソメータによって測定したと
ころ、本発明に係る成膜例によるものは4枚の基板共に
±5%の均一性で成膜されていたが、比較例のものは4
枚の基板共に±15%の均一性しか得られなかった。
【0029】
【発明の効果】以上説明したように本発明によると、成
膜装置における被成膜基体保持装置であって、複数の基
体に同時成膜する場合において、それら基体に形成され
る膜の膜厚を基体間において均一化でき、しかも効率よ
く成膜できる構造簡単で安価に済む被成膜基体保持装置
を提供することができる。
膜装置における被成膜基体保持装置であって、複数の基
体に同時成膜する場合において、それら基体に形成され
る膜の膜厚を基体間において均一化でき、しかも効率よ
く成膜できる構造簡単で安価に済む被成膜基体保持装置
を提供することができる。
【図1】本発明の1実施例基体保持装置を採用した成膜
装置の1例の概略構成を示す図である。
装置の1例の概略構成を示す図である。
【図2】図1に示す基体保持装置の底面図である。
【図3】本発明の他の実施例の一部の概略底面図であ
る。
る。
【図4】成膜装置の従来例の概略構成を示す図である。
【図5】図4に示す装置において複数基体へ同時成膜す
る例の説明図である。
る例の説明図である。
1 真空容器 11 容器1の天井壁 12 オーリング 2 蒸発源 2a 蒸発源物質 2b 蒸発粒子 3 基体保持装置 31 主回転円盤(主回転部材) 311 円盤31の主軸 312 軸受部 313 水冷機構 T 伝動機構 M モータ 32、32a 基体保持部材 321 部材32の軸棒 321a ヘッド部材 322 フック形状凹所 323 コイルスプリング 33 自転ガイド機構 331 自転用係合アーム(自転用係合部) 332 駆動アーム(駆動部) A 連動機構 333 係合レバー 34 他の自転ガイド機構 341 基体保持部材の外周側面(自転用係合部) 342 駆動係合部材(駆動部) 4 イオン源 4a イオンビーム 5 排気装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 緒方 潔 京都市右京区梅津高畝町47番地 日新電機 株式会社内
Claims (3)
- 【請求項1】 成膜装置における成膜室内に配置され、
主軸を中心に回転可能の主回転部材と、被成膜基体を保
持する部材であってそれぞれが前記主回転部材に回転可
能に且つ該主回転部材の回動に伴って前記主軸の周りに
公転可能に支持された複数の基体保持部材と、前記主回
転部材の回動に伴って前記各基体保持部材を一定角度自
転させるための自転ガイド機構とを備え、前記自転ガイ
ド機構は、前記基体保持部材のうち予め定めた基体保持
部材上の自転用係合部と、前記基体保持部材の公転軌道
に臨み、該保持部材の公転に伴って前記自転用係合部に
係合し、それを有する基体保持部材を一定角度回動させ
つつその通過を許す駆動部と、前記自転用係合部を有し
ない基体保持部材を該自転用係合部を有する基体保持部
材の回動に連動せて一定角度自転させるための連動機構
とを含んでいることを特徴とする成膜装置における被成
膜基体保持装置。 - 【請求項2】 成膜装置における成膜室内に配置され、
主軸を中心に回転可能の主回転部材と、被成膜基体を保
持する部材であってそれぞれが前記主回転部材に回転可
能に且つ該主回転部材の回動に伴って前記主軸の周りに
公転可能に支持された複数の基体保持部材と、前記主回
転部材の回動に伴って前記各基体保持部材を一定角度自
転させるための自転ガイド機構とを備え、前記自転ガイ
ド機構は、前記各基体保持部材上の自転用係合部と、前
記基体保持部材の公転軌道に臨み、該保持部材の公転に
伴って前記自転用係合部に係合し、それを有する基体保
持部材を一定角度回動させつつその通過を許す駆動部と
を含んでいることを特徴とする成膜装置における被成膜
基体保持装置。 - 【請求項3】 前記主回転部材に対し水冷機構が設けら
れている請求項1又は2記載の被成膜基体の保持装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17196493A JPH0726378A (ja) | 1993-07-13 | 1993-07-13 | 成膜装置における被成膜基体保持装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17196493A JPH0726378A (ja) | 1993-07-13 | 1993-07-13 | 成膜装置における被成膜基体保持装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0726378A true JPH0726378A (ja) | 1995-01-27 |
Family
ID=15933028
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17196493A Withdrawn JPH0726378A (ja) | 1993-07-13 | 1993-07-13 | 成膜装置における被成膜基体保持装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0726378A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6616816B2 (en) | 2000-08-01 | 2003-09-09 | Anelva Corporation | Substrate processing device and method |
| WO2009011730A1 (en) * | 2007-07-19 | 2009-01-22 | Sunpower Corporation | Cluster tool with a linear source |
| WO2019210135A1 (en) * | 2018-04-28 | 2019-10-31 | Applied Materials, Inc. | In-situ wafer rotation for carousel processing chambers |
| KR102257211B1 (ko) | 2020-04-14 | 2021-05-26 | 가부시키가이샤 메이유우 | 치간 브러시 |
-
1993
- 1993-07-13 JP JP17196493A patent/JPH0726378A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6616816B2 (en) | 2000-08-01 | 2003-09-09 | Anelva Corporation | Substrate processing device and method |
| WO2009011730A1 (en) * | 2007-07-19 | 2009-01-22 | Sunpower Corporation | Cluster tool with a linear source |
| WO2019210135A1 (en) * | 2018-04-28 | 2019-10-31 | Applied Materials, Inc. | In-situ wafer rotation for carousel processing chambers |
| US11798825B2 (en) | 2018-04-28 | 2023-10-24 | Applied Materials, Inc. | In-situ wafer rotation for carousel processing chambers |
| KR102257211B1 (ko) | 2020-04-14 | 2021-05-26 | 가부시키가이샤 메이유우 | 치간 브러시 |
| US11185398B2 (en) | 2020-04-14 | 2021-11-30 | Meilleur Co. Ltd | Interdental brush |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4284033A (en) | Means to orbit and rotate target wafers supported on planet member | |
| JPH031378B2 (ja) | ||
| US6224718B1 (en) | Target assembly for ion beam sputter deposition with multiple paddles each having targets on both sides | |
| JP4437290B2 (ja) | スパッタ装置 | |
| KR20180049057A (ko) | 진공처리장치 및 진공처리기판 제조방법 | |
| JPS59208069A (ja) | 多くの物質を蒸着させるための放射加熱部を有する蒸発装置 | |
| US4010710A (en) | Apparatus for coating substrates | |
| WO2007066511A1 (ja) | 成膜装置及び成膜方法 | |
| JP4167833B2 (ja) | 成膜装置、酸化物薄膜成膜用基板及びその製造方法 | |
| JPS6335709B2 (ja) | ||
| JP2601358B2 (ja) | スパッタリング方法 | |
| JP3056222B2 (ja) | スパッタ装置およびスパッタ方法 | |
| JP4138938B2 (ja) | 多層膜形成用スパッタ装置及びその使用方法 | |
| JPS6396268A (ja) | スパツタ装置 | |
| JP2771695B2 (ja) | 高硬度被膜の形成方法 | |
| JPH03232964A (ja) | スパッタリング装置 | |
| JPH05166236A (ja) | 光磁気記録媒体製造装置 | |
| JP2003138373A (ja) | スパッタリング装置及びスパッタリング方法 | |
| JP2825822B2 (ja) | 蒸着膜形成装置、蒸着膜形成方法及びこれらにより形成された基板 | |
| JPH0686872A (ja) | 電気かみそりの内刃の製造方法 | |
| JP3071164B2 (ja) | 刃物の製造方法 | |
| JP2601357B2 (ja) | スパッタリング方法 | |
| JP2004253504A (ja) | 真空蒸着装置及び真空蒸着方法 | |
| JPH01319673A (ja) | レーザビームスパッタ法 | |
| JP3299769B2 (ja) | 超電導体の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20001003 |