JPH0726862Y2 - 混成集積回路基板モジュール - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本考案は、親回路の上に子回路基板を搭載してなる混成
集積回路基板モジュールの改良に関する。

［従来の技術］ 従来の混成集積回路モジュールにおいて、親回路基板の
上に、いわゆるシングルインライン型の子回路基板を搭
載する場合について、第５図と第６図により説明する。
すなわち、第５図で示すように、子回路基板４の側辺に
沿って端子電極７、７…を設け、これにリード端子９、
９…を半田付けし、これらリード端子９、９…を前記子
回路基板４の側辺から一定の間隔で突設する。

一方、この子回路基板４を搭載する親回路基板１には、
前記リード端子９、９…の間隔に合わせて貫通孔８、８
…を穿孔すると共に、その壁面と開口部の周囲に導体膜
による半田付電極３、３…を形成する。そして、第６図
で示すように、前記貫通孔８、８…にリード端子９、９
…を挿入し、その周囲と貫通孔８、８…の壁面とに形成
されたスルーホール導体に、前記リード端子９、９を半
田付けする。

なお、第５図と第６図において、５は、子回路基板４上
に実装された電子部品を示す。

しかしながら、前記従来の混成集積回路基板モジュール
では、次のような問題点を有していた。すなわち、貫通
孔８、８…にリード端子９、９…を貫通して半田付けす
るため、親回路基板１の裏面も子回路基板４の実装によ
って占有されることになり、その分裏面の部品実装面積
が減殺され、高密度実装の障害となる。さらに、このよ
うな搭載手段では、親回路基板１の板面からの子回路基
板４の搭載高さが高くなり、混成集積回路基板モジュー
ルの小形化が図り難いといった問題があった。

こうした問題を解決するため、前記リード端子を用いず
に、子回路基板の側面または端面に印刷した端子電極を
親回路基板の表面に印刷した半田付電極に半田付けする
手段も提案されている。しかしこの場合、親回路基板１
の裏面を開放できるという利点が得られるが、子回路基
板４を親回路基板１に搭載したときに不安定であり、半
田付けの作業性が悪く、子回路基板の実装が容易でな
い。

そこで、例えば第４図に示すように、親回路基板１上に
貫通孔または凹部12を形成し、子回路基板４からこの貫
通孔または凹部12に対応して基板支持突起２、２を突設
し、この基板支持突起２、２を前記貫通孔または凹部12
に嵌合した混成集積回路基板モジュールも提案されてい
る。この混成集積回路基板モジュールでは、端子電極
６、６…と半田付電極３、３…との接続が、スルーホー
ル接続によらず、面接触させて半田付けする。

この混成集積回路基板モジュールでは、端子電極６、６
…と半田付電極３、３…との接続が、スルーホール接続
によらず、面接触させて半田付けするため、親回路基板
１の子回路基板４を搭載した裏面側を子回路基板４が占
有せず、親回路基板１の板面からの搭載高さも低く抑え
られる。しかも、子回路基板４から突設した基板支持突
起２、２を親回路基板１の貫通孔または凹部12に嵌合す
ることで、子回路基板４を親回路基板１上に搭載したと
きの自立性が得られ、その搭載と半田付けが容易に行え
る。

［考案が解決しようとする課題］ しかしながら、前記のようにして子回路基板４の基板支
持突起２、２を親回路基板１の貫通孔または凹部12の嵌
合して子回路基板４の親回路基板１上での自立を図る場
合、親回路基板１における貫通孔または凹部12と半田付
電極３、３…との位置精度、及び子回路基板４における
基板支持突起２、２と端子電極６、６…との位置精度が
きわめて重要になる。

すなわち、子回路基板４を親回路基板１上に搭載すると
き、親回路基板１と子回路基板４との位置決めは、前記
貫通孔または凹部12と基板支持突起２、２との嵌合によ
りなされる。従って、印刷位置のずれ等により、親回路
基板１における貫通孔または凹部12と半田付電極３、３
…との位置ずれがあったり、子回路基板４における基板
支持突起２、２と端子電極６、６…との位置ずれがあっ
た場合、親回路基板１上の半田付電極３、３…と子回路
基板４の端子電極６、６…とが互いにずれてしまうこと
になる。そのため、これら半田付電極３、３…と端子電
極６、６…との接続不良や短絡等が起こることになる。

そこで本考案は、前記問題点を解決し、親回路基板上の
半田付電極と子回路基板の端子電極との位置合わせが正
確に行える混成集積回路基板モジュールを提供すること
を目的とする。

［課題を解決するための手段］ すなわち、前記目的を達成するため、本考案による混成
集積回路基板モジュールは、子回路基板４を親回路基板
１に搭載し、子回路基板４に構成された回路と、親回路
基板１に構成された回路とを接続してなる混成集積回路
基板モジュールにおいて、子回路基板４の側面の下辺に
近い部分に端子電極６、６′を配列すると共に、一部の
端子電極６′に基板支持突起２、２を固着してその先端
を子回路基板４の下面から突出させ、親回路基板１上に
前記端子電極６、６′に各々対応させて半田付電極３、
３′を形成し、前記基板支持突起２、２を固着した子回
路基板４の端子電極６′と対応する半田付電極３′の位
置に貫通孔11、11または凹部を設け、この貫通孔11、11
または凹部に前記子回路基板４の基板支持突起２、２を
嵌合し、固着すると共に、前記子回路基板４の端子電極
６、６′を親回路基板１上の各々対応する半田付電極
３、３′に半田付けしてなることを特徴とするものであ
る。

［作用］ 前記本考案による混成集積回路基板モジュールでは、ス
ルーホールを用いずに、親回路基板１の片面に形成され
た半田付電極３、３′に、子回路基板４の側面の下辺に
近い部分に形成した端子電極６、６′が半田付されるた
め、親回路基板１の前記子回路基板４を搭載した裏面側
を子回路基板４が占有せず、親回路基板１の板面からの
搭載高さも低く抑えられる。しかも、子回路基板４は、
基板支持突起２、２を親回路基板１に設けられた貫通孔
11、11または凹部12、12に嵌合させるため、子回路基板
４が自立して親回路基板１上への搭載と半田付けが容易
に行えると共に、前記端子電極６、６′と半田付電極
３、３′との位置合わせも正確かつ確実に行える。

さらに、子回路基板４の基板支持突起２、２を一部の端
子電極６′に固着すると共に、この基板支持突起２、２
と対応する親回路基板１の半田付電極３′の位置に貫通
孔11、11または凹部を設けているので、親回路基板１の
貫通孔11、11または凹部に子回路基板４の基板支持突起
２、２を嵌合した場合、親回路基板１の半田付電極３、
３′と子回路基板４の端子電極６、６′が必然的に位置
合わせされる。すなわち、親回路基板１の一部の半田付
電極３′に形成された貫通孔11、11または凹部に子回路
基板４の一部の端子電極６′に固着された基板支持突起
２、２を嵌合するので、他の半田付電極３と端子電極６
も同じ位置で対応し、それらの位置ずれが起こり得な
い。

［実施例］ 次ぎに、図面を参照しながら、本考案の実施例について
詳細に説明する。

第１図で示すように、子回路基板４は、セラミック基板
の表面や内部に電気回路パターン（図示せず）を形成
し、これに電子部品５、５…を搭載することによって回
路が構成されている。この子回路基板４の側面の下辺に
近い部分から、下面にわたって端子電極６、６′が形成
されている。この端子電極６、６′は、回路パターンを
介して子回路基板４に構成された電気回路に接続されて
いる。

さらに、子回路基板４に、基板支持突起２、２が取り付
けられている。例えば、基板支持突起２、２としては、
半田付性の良好な銅やニッケル等の金属からなるリード
端子と同様のものが用いられ、第２図、第３図に示すよ
うに、この一端部を子回路基板４の両側面に形成された
端子電極６、６′のうち、両端の端子電極６′、６′の
みに半田10で導電固着している。なお、基板支持突起
２、２…の取付位置は、例えば子回路基板４の中央部で
あってもよく、その数も１つあるいは３つであっともよ
い。

親回路基板１は、セラミックや樹脂製の基板の表面や内
部に回路パターン（図示せず）を形成してなるもので、
ここには、前記のような子回路基板４や他の電子部品が
搭載される。この親回路基板１の上には、前記子回路基
板４の側面の下辺に近い部分に形成された端子電極６、
６′の間隔に合わせて、半田付電極３、３′が形成され
ている。この半田付電極３、３′は、親回路基板１の表
面に回路パターンを形成するのと同時に、導電ペースト
の印刷、焼付け、或は金属膜の形成、エッチング等の工
程を経て形成される。また、前記子回路基板４の基板支
持突起２、２が固着された端子電極６′、６′に対応す
る半田付電極３′、３′に貫通孔11、11が設けられ、そ
の周面と開口部の周囲とに導体膜が形成されている。

第２図で示すように、水平に保持された親回路基板１の
上に子回路基板４を載せて、その基板支持突起２、２を
親回路基板１の貫通孔11、11に嵌合すると共に、その端
子電極６、６′が形成された側の下辺を親回路基板１の
板面にほぼ面接触させる。この状態では、前記基板支持
突起２、２と貫通孔11、11との嵌合により、端子電極
６、６′と半田付電極３、３′との位置が各々一致する
よう位置合わせさられる。そして、第３図で示すよう
に、同端子電極６、６′と半田付電極３、３′とを半田
10で導電固着すると共に、前記基板支持突起２、２…も
半田付電極３′、３′に半田10で固着する。これによ
り、最も端の端子電極６′、６′が前記基板支持突起
２、２…を介して半田付電極３′、３′に半田付けさ
れ、他の端子電極６、６…は、直接半田付電極３、３…
に半田付けされる。

なお、子回路基板４の基板支持突起２、２を嵌合する親
回路基板１の貫通孔11、11は、同基板１の裏面側に貫通
しない凹部に代えることもできるのはもちろんである。

［考案の効果］ 以上説明した通り、本考案では、親回路基板１に子回路
基板４の端子電極６、６′の数だけ貫通孔を明けずに、
その上に子回路基板４を面実装することができると同時
に、子回路基板４の親回路基板１上での自立により、子
回路基板４の搭載及び半田付けが容易となる。さらに、
親回路基板１の半田付電極３、３′と子回路基板４の端
子電極６、６′とが確実に位置合わせされる。これによ
り、混成集積回路基板モジュールの高密度実装化、小形
化が容易に図れるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本考案の実施例である子回路基板を搭載する
前の混成集積回路基板モジュールの斜視図、第２図は、
本考案の実施例である子回路基板を搭載した状態の混成
集積回路基板モジュールの斜視図、第３図は、子回路基
板の端子電極を親回路基板上の半田付電極に半田付けし
た状態の要部縦断面図、第４図は、従来例の子回路基板
を搭載する前の混成集積回路基板モジュールを示す斜視
図、第５図は、従来例を示す子回路基板を搭載する前の
混成集積回路基板モジュールの斜視図、第６図は、他の
従来例を示す子回路基板を搭載した状態の混成集積回路
基板モジュールの斜視図である。 １…親回路基板、２…基板支持突起、３、３′…半田付
電極、４…子回路基板、６、６′…端子電極

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】子回路基板（４）を親回路基板（１）に搭
   載し、子回路基板（４）に構成された回路と、親回路基
   板（１）に構成された回路とを接続してなる混成集積回
   路基板モジュールにおいて、子回路基板（４）の側面の
   下辺に近い部分に端子電極（６）、（６）′を配列する
   と共に、一部の端子電極（６′）に基板支持突起
   （２）、（２）を固着してその先端を子回路基板（４）
   の下面から突出させ、親回路基板（１）上に前記端子電
   極（６）、（６′）に各々対応させて半田付電極
   （３）、（３′）を形成し、前記基板支持突起（２）、
   （２）を固着した子回路基板（４）の端子電極（６′）
   と対応する半田付電極（３′）の位置に貫通孔（11）、
   （11）または凹部を設け、この貫通孔（11）、（11）ま
   たは凹部に前記子回路基板（４）の基板支持突起
   （２）、（２）を嵌合し、固着すると共に、前記子回路
   基板（４）の端子電極（６）、（６′）を親回路基板
   （１）上の各々対応する半田付電極（３）、（３′）に
   半田付けしてなることを特徴とする混成集積回路基板モ
   ジュール。