JPH07270329A - ウエハ異物検査装置 - Google Patents
ウエハ異物検査装置Info
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- JPH07270329A JPH07270329A JP6084110A JP8411094A JPH07270329A JP H07270329 A JPH07270329 A JP H07270329A JP 6084110 A JP6084110 A JP 6084110A JP 8411094 A JP8411094 A JP 8411094A JP H07270329 A JPH07270329 A JP H07270329A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 検査するウエハの製造工程を自動的に判別し
て異物検査を行う異物検査装置を実現することにある。 【構成】 パターンデータを半導体製造工程別にそれぞ
れの工程のウエハから得てメモリに記憶しておき、パタ
ーンマッチグ処理により被検査ウエハのパターンとマッ
チングを採りそのウエハの半導体製造工程を自動的に判
定するもの。
て異物検査を行う異物検査装置を実現することにある。 【構成】 パターンデータを半導体製造工程別にそれぞ
れの工程のウエハから得てメモリに記憶しておき、パタ
ーンマッチグ処理により被検査ウエハのパターンとマッ
チングを採りそのウエハの半導体製造工程を自動的に判
定するもの。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ウエハ異物検査装置
に関し、詳しくは、検査するウエハの製造工程を自動的
に判別して異物検査を行うことができるようなウエハ異
物検査装置に関する。
に関し、詳しくは、検査するウエハの製造工程を自動的
に判別して異物検査を行うことができるようなウエハ異
物検査装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ウエハの異物検査を行う場合に、
ウエハの周辺部に記述されたロット番号等のコードを入
力することで、そのウエハがどの半導体製造工程のもの
かを識別している。異物検査結果は、この識別コードと
ともに管理されて、その製造工程の異物の発生原因を解
析したり、異物の発生を抑える等の対策が講じられる。
ウエハの周辺部に記述されたロット番号等のコードを入
力することで、そのウエハがどの半導体製造工程のもの
かを識別している。異物検査結果は、この識別コードと
ともに管理されて、その製造工程の異物の発生原因を解
析したり、異物の発生を抑える等の対策が講じられる。
【０００３】これとは別に、あるいはこのコードと組み
合わせられてウエハには、それ固有の識別コードが付与
されていることも多い。通常、この種のコードは、異物
検査装置にキー入力され、その後異物検査に入ることに
なるが、このような識別コードとは、別に、ロット番号
等は、ウエハを収納するカセットに間接的に付されてい
る場合も多いので、それがキー入力されることもある。
なお、前記のウエハ自体の識別コードを入力するには、
異物検査前にウエハ上に形成されている識別コードを、
装置に設けられている顕微鏡観測系で観察して確認する
ことが必要である。もちろん、この種の識別コードを異
物検査後に入力することでもよいが、それでは入力忘れ
が発生し易い。
合わせられてウエハには、それ固有の識別コードが付与
されていることも多い。通常、この種のコードは、異物
検査装置にキー入力され、その後異物検査に入ることに
なるが、このような識別コードとは、別に、ロット番号
等は、ウエハを収納するカセットに間接的に付されてい
る場合も多いので、それがキー入力されることもある。
なお、前記のウエハ自体の識別コードを入力するには、
異物検査前にウエハ上に形成されている識別コードを、
装置に設けられている顕微鏡観測系で観察して確認する
ことが必要である。もちろん、この種の識別コードを異
物検査後に入力することでもよいが、それでは入力忘れ
が発生し易い。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】異物検査の場合に、そ
の発生原因を解析するために、種々の工程における多数
のウエハが検査され、それぞれの製造工程の異物検査結
果を比較して原因追求が行われる。このような場合に
は、製造工程が異なるウエハが差し替えられて検査され
ることが多く、同時に別の工程のカセットが異物検査装
置にセットされたり、１つのカセットに異なる工程のウ
エハが混在する場合もある。
の発生原因を解析するために、種々の工程における多数
のウエハが検査され、それぞれの製造工程の異物検査結
果を比較して原因追求が行われる。このような場合に
は、製造工程が異なるウエハが差し替えられて検査され
ることが多く、同時に別の工程のカセットが異物検査装
置にセットされたり、１つのカセットに異なる工程のウ
エハが混在する場合もある。
【０００５】そこで、異物検査をする前の入力ミスによ
り製造工程と異物検査結果が一致しない状態が発生する
ことがある。このような場合には、検査結果とそれを適
用する半導体の製造工程とが相違し、判断を誤るという
問題がある。また、カセットに記述された正しいコード
をキー入力した場合にも所定の製造工程のカセットに誤
ったウエハが収納されていた場合に検査結果と製造工程
との関係に誤りが発生する。この発明の目的は、このよ
うな従来技術の問題点を解決するものであって、検査す
るウエハの製造工程を自動的に判別して異物検査を行う
異物検査装置を実現することにある。
り製造工程と異物検査結果が一致しない状態が発生する
ことがある。このような場合には、検査結果とそれを適
用する半導体の製造工程とが相違し、判断を誤るという
問題がある。また、カセットに記述された正しいコード
をキー入力した場合にも所定の製造工程のカセットに誤
ったウエハが収納されていた場合に検査結果と製造工程
との関係に誤りが発生する。この発明の目的は、このよ
うな従来技術の問題点を解決するものであって、検査す
るウエハの製造工程を自動的に判別して異物検査を行う
異物検査装置を実現することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するこの
発明の異物検査装置の構成は、ウエハの表面にレーザビ
ームを照射する光源と、被検体からの散乱光を受光する
二次元イメージセンサと、このイメージセンサからの出
力を所定の閾値で二値化する二値化回路と、この二値化
回路の出力を受光パターンデータとして受ける演算処理
装置と、あらかじめ半導体製造工程対応にウエハについ
て採取された受光パターンデータを半導体製造工程対応
にそれぞれ記憶するメモリとを備えていて、演算処理装
置が、検査対象となるウエハについての受光パターンデ
ータを得て、メモリに記憶された受光イメージデータと
パターンマッチングを行い、検査対象となるウエハの半
導体製造工程を判定するものである。
発明の異物検査装置の構成は、ウエハの表面にレーザビ
ームを照射する光源と、被検体からの散乱光を受光する
二次元イメージセンサと、このイメージセンサからの出
力を所定の閾値で二値化する二値化回路と、この二値化
回路の出力を受光パターンデータとして受ける演算処理
装置と、あらかじめ半導体製造工程対応にウエハについ
て採取された受光パターンデータを半導体製造工程対応
にそれぞれ記憶するメモリとを備えていて、演算処理装
置が、検査対象となるウエハについての受光パターンデ
ータを得て、メモリに記憶された受光イメージデータと
パターンマッチングを行い、検査対象となるウエハの半
導体製造工程を判定するものである。
【０００７】
【作用】このように、あらかじめ二次元イメージセンサ
によりウエハのパターンからの直接散乱光のイメージを
採取することにより、ウエハ上に形成されたパターンに
対応する受光パターンデータを得ることができる。この
パターンデータは、ウエハ上のパターンに対応している
ので、そのウエハが製造された工程に対応することにな
る。そこで、このパターンデータを半導体製造工程別に
それぞれの工程のウエハから得てメモリに記憶してお
き、パターンマッチグ処理により被検査ウエハのパター
ンとマッチングを採りそのウエハの半導体製造工程を自
動的に判定する。
によりウエハのパターンからの直接散乱光のイメージを
採取することにより、ウエハ上に形成されたパターンに
対応する受光パターンデータを得ることができる。この
パターンデータは、ウエハ上のパターンに対応している
ので、そのウエハが製造された工程に対応することにな
る。そこで、このパターンデータを半導体製造工程別に
それぞれの工程のウエハから得てメモリに記憶してお
き、パターンマッチグ処理により被検査ウエハのパター
ンとマッチングを採りそのウエハの半導体製造工程を自
動的に判定する。
【０００８】これにより、特別に製造工程のコード等を
検査するウエハに併せてキー入力しなくても、そのウエ
ハの製造工程のデータを得ることができ、異物検査結果
と半導体製造工程とを対応させて管理することができ
る。その結果、検査結果と半導体工程とのずれが発生せ
ずに、正しい解析を行うことができる。
検査するウエハに併せてキー入力しなくても、そのウエ
ハの製造工程のデータを得ることができ、異物検査結果
と半導体製造工程とを対応させて管理することができ
る。その結果、検査結果と半導体工程とのずれが発生せ
ずに、正しい解析を行うことができる。
【０００９】
【実施例】図１は、この発明の一実施例における構成図
である。検査装置は、レーザ光源２、集光レンズ３、異
物検出部４と、パターンフィルタ部６と、ＭＰＵ７１、
メモリ７２およびプリンタ（ＰＲＴ）７３等よりなる演
算処理装置７と、駆動回路８１、ＸＹ移動機構８２およ
び載置テーブル８３よりなる走査部８とを備えている。
さらに、ここでは、散乱光パターン受像部５が設けられ
ている。散乱光パターン受像部５は、載置テーブル８３
に載置されたウエハ１と集光レンズ３との間の適当な位
置に設けられたミラー５１と、その反射方向に設けられ
た二次元イメージセンサとしてのＴＶカメラ５２、そし
て二値化回路５３とによりなる。
である。検査装置は、レーザ光源２、集光レンズ３、異
物検出部４と、パターンフィルタ部６と、ＭＰＵ７１、
メモリ７２およびプリンタ（ＰＲＴ）７３等よりなる演
算処理装置７と、駆動回路８１、ＸＹ移動機構８２およ
び載置テーブル８３よりなる走査部８とを備えている。
さらに、ここでは、散乱光パターン受像部５が設けられ
ている。散乱光パターン受像部５は、載置テーブル８３
に載置されたウエハ１と集光レンズ３との間の適当な位
置に設けられたミラー５１と、その反射方向に設けられ
た二次元イメージセンサとしてのＴＶカメラ５２、そし
て二値化回路５３とによりなる。
【００１０】これにより、ウエハ上に形成されたパター
ンからの散乱光をカメラ５２で受けて二値化してＭＰＵ
７１にデジタル化したデータとして送出する。ＣＰＵ７
１は、二値化された二次元のイメージパターンをメモリ
７２の所定の領域に記憶するとともに、後述するプログ
ラムを起動してパターンマッチングを行い、そのウエハ
の製造工程の判定を行う。なお、ミラー５１は、実線と
点線とにより示すように、集光レンズ３の光路から排除
できる構成になっていて、受光パターンデータを採取す
るときに、実線の光路の位置に挿入される。異物検査の
際には自動的にこの光路から退避して点線の位置に配置
される。なお、このミラー５１をハーフミラーとして常
時実線の位置に配置するようにしてもよい。
ンからの散乱光をカメラ５２で受けて二値化してＭＰＵ
７１にデジタル化したデータとして送出する。ＣＰＵ７
１は、二値化された二次元のイメージパターンをメモリ
７２の所定の領域に記憶するとともに、後述するプログ
ラムを起動してパターンマッチングを行い、そのウエハ
の製造工程の判定を行う。なお、ミラー５１は、実線と
点線とにより示すように、集光レンズ３の光路から排除
できる構成になっていて、受光パターンデータを採取す
るときに、実線の光路の位置に挿入される。異物検査の
際には自動的にこの光路から退避して点線の位置に配置
される。なお、このミラー５１をハーフミラーとして常
時実線の位置に配置するようにしてもよい。
【００１１】パターンフィルタ部６は、異物検査の際に
使用され、ＣＣＤセンサ４１の手前に形成されるフーリ
ェ変換面の位置に設けた液晶フィルタ６１と、これに共
通パターンを設定するパターン発生回路６２により構成
される。検査位置や検査対象に応じてパターンからの散
乱光を遮断するパターンが液晶フィルタ６１により形成
される。そのパターンデータは、ＭＰＵ７１の制御の下
にパターン発生回路６２から送出される。
使用され、ＣＣＤセンサ４１の手前に形成されるフーリ
ェ変換面の位置に設けた液晶フィルタ６１と、これに共
通パターンを設定するパターン発生回路６２により構成
される。検査位置や検査対象に応じてパターンからの散
乱光を遮断するパターンが液晶フィルタ６１により形成
される。そのパターンデータは、ＭＰＵ７１の制御の下
にパターン発生回路６２から送出される。
【００１２】ここで、レーザ光源２の投射角ψは、異物
検査のときには、点線で示すように、ウエハの表面側か
らみて仰角が５゜程度の低い照射にされ、受光パターン
データを採取して製造工程の判定を行うこときには、仰
角が２０゜以上の高い投射角（≒６０゜）にされる。こ
れによりパターンからの散乱光を多く採取することがで
きる。
検査のときには、点線で示すように、ウエハの表面側か
らみて仰角が５゜程度の低い照射にされ、受光パターン
データを採取して製造工程の判定を行うこときには、仰
角が２０゜以上の高い投射角（≒６０゜）にされる。こ
れによりパターンからの散乱光を多く採取することがで
きる。
【００１３】メモリ７２には、受光パターン採取プログ
ラム７２a と、パターンマッチング判定プログラム７２
b 、異物検査プログラム７２c 、半導体工程対応に判定
基準となるパターンデータを記憶するパターンテーブル
７２d 等が記憶されている。受光パターン採取プログラ
ム７２a は、ＭＰＵ７１により実行されて、レーザ光源
２を実線の高照射状態に設定してミラー５１を実線の光
路の位置に挿入し、例えば、メモリセルの領域に対物レ
ンズ３を位置付けてＸＹ走査をしてウエハ１からの散乱
光をカメラ５２により採取して演算処理装置７に取込
む。そして、メモリ７２の所定の領域にこのパターンを
受光パターンデータとして記憶する処理を行う。
ラム７２a と、パターンマッチング判定プログラム７２
b 、異物検査プログラム７２c 、半導体工程対応に判定
基準となるパターンデータを記憶するパターンテーブル
７２d 等が記憶されている。受光パターン採取プログラ
ム７２a は、ＭＰＵ７１により実行されて、レーザ光源
２を実線の高照射状態に設定してミラー５１を実線の光
路の位置に挿入し、例えば、メモリセルの領域に対物レ
ンズ３を位置付けてＸＹ走査をしてウエハ１からの散乱
光をカメラ５２により採取して演算処理装置７に取込
む。そして、メモリ７２の所定の領域にこのパターンを
受光パターンデータとして記憶する処理を行う。
【００１４】パターンマッチング判定プログラム７２b
は、ＭＰＵ７１により実行されて、パターンテーブル７
２d のパターンデータを読込み、これとメモリ７２に記
憶された被検査ウエハの前記の受光パターンデータとの
パターンマッチング処理を行い、いちばん近いパターン
についての半導体製造工程を決定して、それをメモリ７
２の異物検査結果を記憶するテーブルの所定の領域に記
憶する。異物検査プログラム７２c は、ＭＰＵ７１によ
り実行されて、異物検査を行い、前記の半導体製造工程
が記憶されたテーブルの記憶位置に対応させる形で異物
検査結果をメモリ７２に記憶する。
は、ＭＰＵ７１により実行されて、パターンテーブル７
２d のパターンデータを読込み、これとメモリ７２に記
憶された被検査ウエハの前記の受光パターンデータとの
パターンマッチング処理を行い、いちばん近いパターン
についての半導体製造工程を決定して、それをメモリ７
２の異物検査結果を記憶するテーブルの所定の領域に記
憶する。異物検査プログラム７２c は、ＭＰＵ７１によ
り実行されて、異物検査を行い、前記の半導体製造工程
が記憶されたテーブルの記憶位置に対応させる形で異物
検査結果をメモリ７２に記憶する。
【００１５】図２は、図１の実施例に対する半導体製造
工程の判定処理のためのフローチャートで、異物検査の
際にはこの処理が異物検査に先行して行われる。まず、
準備工程により各半導体製造工程のサンプルウエハのメ
モリ領域について受光パターンパターンを求め、それを
その半導体製造工程のコードとともにパターンテーブル
７２d に記憶してテーブルを形成する。これは、被検査
ウエハと同一のメモリチップを有するサンプルウエハ１
を各半導体の製造工程に対応して選定し、走査部８の載
置テーブル８３にセットする。ＭＰＵ７１が受光パタ
ーン採取プログラム７２a を実行して、前記のウエハに
対して光源２よりレーザビームＬを高角度で投射し、Ｍ
ＰＵ７１の制御により、ＸＹ移動機構８２によりウエハ
上をＸまたはＹ方向に移動してある１チップのメモリセ
ルの領域を受像位置に選択して停止させる。
工程の判定処理のためのフローチャートで、異物検査の
際にはこの処理が異物検査に先行して行われる。まず、
準備工程により各半導体製造工程のサンプルウエハのメ
モリ領域について受光パターンパターンを求め、それを
その半導体製造工程のコードとともにパターンテーブル
７２d に記憶してテーブルを形成する。これは、被検査
ウエハと同一のメモリチップを有するサンプルウエハ１
を各半導体の製造工程に対応して選定し、走査部８の載
置テーブル８３にセットする。ＭＰＵ７１が受光パタ
ーン採取プログラム７２a を実行して、前記のウエハに
対して光源２よりレーザビームＬを高角度で投射し、Ｍ
ＰＵ７１の制御により、ＸＹ移動機構８２によりウエハ
上をＸまたはＹ方向に移動してある１チップのメモリセ
ルの領域を受像位置に選択して停止させる。
【００１６】ここで、メモリセル領域をＸＹ走査してそ
の受光パターンをＴＶカメラで受像してそのパターンデ
ータをメモリ７２に記憶する。同じ製造工程のサンプ
ルウエハのｎ個のチップの各メモリパターンについて同
様に受光パターンデータを受像して記憶し、これが終了
すると、ＭＰＵ７１の処理により各受光パターンデー
タに共通する共通パターンＰc を抽出してこれを半導体
製造工程のコードとともにパターンテーブル７２d に記
憶する。このような処理を各半導体製造工程ごとに行
う。なお、以上の準備処理は、パターンテーブル７２d
に製造工程判定のためのパターンデータと製造工程のテ
ーブルを作成するためのものであるので、他の同様な装
置により測定されてこのテーブルを得て、それを異物検
査装置のメモリに記憶するようにしてもよい。
の受光パターンをＴＶカメラで受像してそのパターンデ
ータをメモリ７２に記憶する。同じ製造工程のサンプ
ルウエハのｎ個のチップの各メモリパターンについて同
様に受光パターンデータを受像して記憶し、これが終了
すると、ＭＰＵ７１の処理により各受光パターンデー
タに共通する共通パターンＰc を抽出してこれを半導体
製造工程のコードとともにパターンテーブル７２d に記
憶する。このような処理を各半導体製造工程ごとに行
う。なお、以上の準備処理は、パターンテーブル７２d
に製造工程判定のためのパターンデータと製造工程のテ
ーブルを作成するためのものであるので、他の同様な装
置により測定されてこのテーブルを得て、それを異物検
査装置のメモリに記憶するようにしてもよい。
【００１７】次に異物検査工程においては、まず、ＭＰ
Ｕ７１が受光パターン採取プログラム７２a を実行し
て、メモリ７２に被検査ウエハの受光パターンデータを
採取してメモリ７２に記憶する。次に、ＭＰＵ７１が
パターンマッチング判定プログラム７２b を実行して、
パターンテーブル７２d より共通パターンＰc のデータ
を順次読出してパターンマッチング処理を行い、一致す
るパターンあるいは最も近似するパターンを抽出する。
その結果、得られたパターンについての半導体製造工程
のコードを異物検査結果を記憶するテーブルの製造工程
のコードを記憶する領域に記憶する。次に、検査開始
のキー入力待ちのループに入り、検査開始のキーが入
力された時点で、通常の異物検査に入り、検査結果を検
査結果を記憶するテーブルの製造工程のコードに対応さ
せるように結果を記憶する。
Ｕ７１が受光パターン採取プログラム７２a を実行し
て、メモリ７２に被検査ウエハの受光パターンデータを
採取してメモリ７２に記憶する。次に、ＭＰＵ７１が
パターンマッチング判定プログラム７２b を実行して、
パターンテーブル７２d より共通パターンＰc のデータ
を順次読出してパターンマッチング処理を行い、一致す
るパターンあるいは最も近似するパターンを抽出する。
その結果、得られたパターンについての半導体製造工程
のコードを異物検査結果を記憶するテーブルの製造工程
のコードを記憶する領域に記憶する。次に、検査開始
のキー入力待ちのループに入り、検査開始のキーが入
力された時点で、通常の異物検査に入り、検査結果を検
査結果を記憶するテーブルの製造工程のコードに対応さ
せるように結果を記憶する。
【００１８】また、以上は、共通の受光パターンの抽出
を例としているが、共通パターンに限らず、受光パター
ンの論理和となるようなすべてのパターンについての論
理和パターンをその製造工程の判定基準パターンとして
採用してもよい。さらに、ある製造工程における複数の
ウエハ上の複数領域での受光パターンを得てこれをそれ
ぞれの領域のパターンデータとして記憶し、被検査ウエ
ハのおいても同様な複数の領域で複数のパターンを得て
判定するようにしてもよい。
を例としているが、共通パターンに限らず、受光パター
ンの論理和となるようなすべてのパターンについての論
理和パターンをその製造工程の判定基準パターンとして
採用してもよい。さらに、ある製造工程における複数の
ウエハ上の複数領域での受光パターンを得てこれをそれ
ぞれの領域のパターンデータとして記憶し、被検査ウエ
ハのおいても同様な複数の領域で複数のパターンを得て
判定するようにしてもよい。
【００１９】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、この発
明の異物検出装置にあっては、パターンデータを半導体
製造工程別にそれぞれの工程のウエハから得てメモリに
記憶しておき、パターンマッチグ処理により被検査ウエ
ハのパターンとマッチングを採ることによりそのウエハ
の半導体製造工程を自動的に判定するようにしているの
で、特別に製造工程のコード等を検査するウエハに併せ
てキー入力しなくても、そのウエハの製造工程のデータ
を得ることができ、異物検査結果と半導体製造工程とを
対応させて管理することができる。その結果、検査結果
と半導体工程とのずれが発生せずに、正しい解析を行う
ことができる。
明の異物検出装置にあっては、パターンデータを半導体
製造工程別にそれぞれの工程のウエハから得てメモリに
記憶しておき、パターンマッチグ処理により被検査ウエ
ハのパターンとマッチングを採ることによりそのウエハ
の半導体製造工程を自動的に判定するようにしているの
で、特別に製造工程のコード等を検査するウエハに併せ
てキー入力しなくても、そのウエハの製造工程のデータ
を得ることができ、異物検査結果と半導体製造工程とを
対応させて管理することができる。その結果、検査結果
と半導体工程とのずれが発生せずに、正しい解析を行う
ことができる。
【図１】図１は、この発明を適用したウエハ異物検査装
置のブロック図である。
置のブロック図である。
【図２】図２は、その製造工程の判定処理を説明するた
めのフローチャートである。
めのフローチャートである。
１…ウエハ（サンプルウエハまたは被検査ウエハ）、２
…光源、３…集光レンズ、４…散乱光パターン受像部異
物検出部、４１…ＣＣＤセンサ、４２…異物検出回路、
５１…ミラー、５２…ＴＶカメラ、５３…二値化回路、
７…演算処理装置、７１…ＭＰＵ、７２…メモリ、８…
走査部、８１…駆動回路、８２…ＸＹ移動機構、８３…
載置テーブル。
…光源、３…集光レンズ、４…散乱光パターン受像部異
物検出部、４１…ＣＣＤセンサ、４２…異物検出回路、
５１…ミラー、５２…ＴＶカメラ、５３…二値化回路、
７…演算処理装置、７１…ＭＰＵ、７２…メモリ、８…
走査部、８１…駆動回路、８２…ＸＹ移動機構、８３…
載置テーブル。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０６Ｔ 1/00 5/00 Ｇ０６Ｆ 15/68 ３２０ Ｚ
Claims (3)
- 【請求項１】ウエハの表面にレーザビームを照射する光
源と、 前記被検体からの散乱光を受光する二次元イメージセン
サと、 このイメージセンサからの出力を所定の閾値で二値化す
る二値化回路と、 この二値化回路の出力を受光パターンデータとして受け
る演算処理装置と、 あらかじめ半導体製造工程対応に前記ウエハについて採
取された前記受光パターンデータを前記半導体製造工程
対応にそれぞれ記憶するメモリと、 を備え、前記演算処理装置は、検査対象となるウエハに
ついての前記受光パターンデータを得て、前記メモリに
記憶された前記受光パターンデータとパターンマッチン
グを行い、前記検査対象となるウエハの半導体製造工程
を判定することを特徴とするウエハ異物検査装置。 - 【請求項２】前記メモリに記憶された前記受光パターン
データは、ウエハについて所定の領域がＸＹ走査されて
採取されたものであり、前記検査対象となるウエハもＸ
Ｙ走査機構により前記所定の領域に対応する領域につい
てＸＹ走査が行われて前記受光パターンデータが採取さ
れ、前記判定の結果得られた半導体製造工程の情報が異
物検査の結果と対応して管理される請求項１記載のウエ
ハ異物検査装置。 - 【請求項３】前記メモリに記憶された前記受光パターン
データは、他の同様な装置によりウエハについて所定の
領域がＸＹ走査されて採取されたものであり、前記レー
ザビームは、前記ウエハの表面側からみ２０゜以上の高
い投射角で照射される請求項２記載のウエハ異物検査装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6084110A JPH07270329A (ja) | 1994-03-30 | 1994-03-30 | ウエハ異物検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6084110A JPH07270329A (ja) | 1994-03-30 | 1994-03-30 | ウエハ異物検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07270329A true JPH07270329A (ja) | 1995-10-20 |
Family
ID=13821391
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6084110A Pending JPH07270329A (ja) | 1994-03-30 | 1994-03-30 | ウエハ異物検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07270329A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016221671A (ja) * | 2015-06-02 | 2016-12-28 | 株式会社リコー | 作業指示システム、画像処理装置、情報処理方法及びプログラム |
| US11490053B2 (en) | 2015-06-02 | 2022-11-01 | Ricoh Company, Ltd. | Work instruction system and image processing apparatus |
-
1994
- 1994-03-30 JP JP6084110A patent/JPH07270329A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016221671A (ja) * | 2015-06-02 | 2016-12-28 | 株式会社リコー | 作業指示システム、画像処理装置、情報処理方法及びプログラム |
| US11490053B2 (en) | 2015-06-02 | 2022-11-01 | Ricoh Company, Ltd. | Work instruction system and image processing apparatus |
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