JPH07270730A - 光放射用光学処理装置 - Google Patents
光放射用光学処理装置Info
- Publication number
- JPH07270730A JPH07270730A JP7087719A JP8771995A JPH07270730A JP H07270730 A JPH07270730 A JP H07270730A JP 7087719 A JP7087719 A JP 7087719A JP 8771995 A JP8771995 A JP 8771995A JP H07270730 A JPH07270730 A JP H07270730A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical
- quantum well
- modulators
- modulator
- layers
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F3/00—Optical logic elements; Optical bistable devices
- G02F3/02—Optical bistable devices
- G02F3/028—Optical bistable devices based on self electro-optic effect devices [SEED]
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/015—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on semiconductor elements having potential barriers, e.g. having a PN or PIN junction
- G02F1/017—Structures with periodic or quasi periodic potential variation, e.g. superlattices, quantum wells
- G02F1/01708—Structures with periodic or quasi periodic potential variation, e.g. superlattices, quantum wells in an optical wavequide structure
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Biophysics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 光ガイドにおける非線形伝達関数を可能に
し、アナログ又はデジタル光信号を扱う装置を実現する
こと。 【構成】 可変ｄｃ電圧源により、一対の量子井戸変調
器にインピーダンスを介し逆バイアスを掛け、処理され
る光放射が変調器ガイドゾーンを含んだ層と平行に送ら
れる、光放射用光学処理装置。
し、アナログ又はデジタル光信号を扱う装置を実現する
こと。 【構成】 可変ｄｃ電圧源により、一対の量子井戸変調
器にインピーダンスを介し逆バイアスを掛け、処理され
る光放射が変調器ガイドゾーンを含んだ層と平行に送ら
れる、光放射用光学処理装置。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、情報搬送波としての光
放射を用いた遠隔通信に応用される光エレクトロニクス
の分野を扱っており、特に光放射用の光学処理装置に関
するものである。
放射を用いた遠隔通信に応用される光エレクトロニクス
の分野を扱っており、特に光放射用の光学処理装置に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】周知のように、光信号処理は光ファイバ
ー遠隔通信システムの開発においては重要な要素であ
る。というのは、それにより、現在電子式システムで得
られている複雑な機能が実現できるからである。この目
的のために、異なる伝達関数（機能）の実行可能な装置
が求められている。非線形伝達関数は特に興味深く、そ
れを実現するのは一層困難である。電子技術の分野では
既知である関数（機能）に類似のこれらの関数（機能）
により、閾値コンパレーター、振幅リミッター、パルス
成形器、発振器、メモリのような非常に重要な装置で光
信号を扱うことが出来るようになる。ＮＡＮＤ、ＮＯ
Ｒ、フリップフロップなどのような、組み合わされてシ
ーケンシャルな論理機能も同じように興味深い。伝送信
号用の光ウエーブガイドとして動作する装置でこれらの
機能を実現するのもまた非常に有益である。というの
は、光ファイバーのようなもう一つのガイドシステムか
ら来る光放射をこれらの装置に送る、又はこれらの装置
から受けるのは技術的にずっと易しいからである。更
に、光ウエーブガイドは特に、レーザー、光増幅器、電
気−光学変調器などと共通の平面に配置され、同一の基
板に集積されるのが好適である。いくつかの非線形伝達
関数を実現する既知の方法が、ＳＥＥＤ（自己電気光学
効果装置(Self Electrooptic Effect Device) ）と言わ
れる装置により与えられ、この装置は電子回路を介して
負の帰還がかけられた電気−光学変調器からなってい
る。この帰還が正なら、そのような装置は一定の波長に
おいてある間隔で加えられる逆電圧の関数として光吸収
の特徴を示し、その間隔においては電圧が増加するにつ
れ吸収が減少する。この条件により、装置を横切る光電
流が装置の光吸収の容量に影響を与え、そのことが今度
は光電流に影響を与える。このことにより、非線形伝達
関数を実現できる光学的双安定性が得られる。
ー遠隔通信システムの開発においては重要な要素であ
る。というのは、それにより、現在電子式システムで得
られている複雑な機能が実現できるからである。この目
的のために、異なる伝達関数（機能）の実行可能な装置
が求められている。非線形伝達関数は特に興味深く、そ
れを実現するのは一層困難である。電子技術の分野では
既知である関数（機能）に類似のこれらの関数（機能）
により、閾値コンパレーター、振幅リミッター、パルス
成形器、発振器、メモリのような非常に重要な装置で光
信号を扱うことが出来るようになる。ＮＡＮＤ、ＮＯ
Ｒ、フリップフロップなどのような、組み合わされてシ
ーケンシャルな論理機能も同じように興味深い。伝送信
号用の光ウエーブガイドとして動作する装置でこれらの
機能を実現するのもまた非常に有益である。というの
は、光ファイバーのようなもう一つのガイドシステムか
ら来る光放射をこれらの装置に送る、又はこれらの装置
から受けるのは技術的にずっと易しいからである。更
に、光ウエーブガイドは特に、レーザー、光増幅器、電
気−光学変調器などと共通の平面に配置され、同一の基
板に集積されるのが好適である。いくつかの非線形伝達
関数を実現する既知の方法が、ＳＥＥＤ（自己電気光学
効果装置(Self Electrooptic Effect Device) ）と言わ
れる装置により与えられ、この装置は電子回路を介して
負の帰還がかけられた電気−光学変調器からなってい
る。この帰還が正なら、そのような装置は一定の波長に
おいてある間隔で加えられる逆電圧の関数として光吸収
の特徴を示し、その間隔においては電圧が増加するにつ
れ吸収が減少する。この条件により、装置を横切る光電
流が装置の光吸収の容量に影響を与え、そのことが今度
は光電流に影響を与える。このことにより、非線形伝達
関数を実現できる光学的双安定性が得られる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】そのような装置は、論
文「量子井戸自己電気光学効果装置：光学電気的双安定
性と振動および自己線形化変調(The quantum well self
-electrooptic effect device: optoelectronic bistab
ility and oscillation, and self-linearized modulat
ion)」、ミラーら(D. A. B. Miller) 、ＩＥＥＥジャー
ナルオブカンタムエレクトロニクス(IEEE Journal of q
uantum electronics) 、第２１巻、１９８５年９月、１
４６２−１４７６頁に記載されている。そこで用いられ
ている電気−光学変調器はＰＩＮダイオードであり、そ
の能動部分は結合されてない一連の量子井戸を含んだヘ
テロ構造をしている。そのシステムはウエーブガイドの
形態を示さず、光信号に対する低い伝送性ゆえにウエー
ブガイド形態にて動作するように変更することも出来な
い。このことを解決するためには、極端に短いガイド
（２０μｍ）を実現することが必要であり、それは非常
に困難な技術的課題である。
文「量子井戸自己電気光学効果装置：光学電気的双安定
性と振動および自己線形化変調(The quantum well self
-electrooptic effect device: optoelectronic bistab
ility and oscillation, and self-linearized modulat
ion)」、ミラーら(D. A. B. Miller) 、ＩＥＥＥジャー
ナルオブカンタムエレクトロニクス(IEEE Journal of q
uantum electronics) 、第２１巻、１９８５年９月、１
４６２−１４７６頁に記載されている。そこで用いられ
ている電気−光学変調器はＰＩＮダイオードであり、そ
の能動部分は結合されてない一連の量子井戸を含んだヘ
テロ構造をしている。そのシステムはウエーブガイドの
形態を示さず、光信号に対する低い伝送性ゆえにウエー
ブガイド形態にて動作するように変更することも出来な
い。このことを解決するためには、極端に短いガイド
（２０μｍ）を実現することが必要であり、それは非常
に困難な技術的課題である。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明により与えられる
光放射用光学的処理装置により、光ウエーブガイド内で
上記関数（機能）が実現し、特に複雑な論理と処理機能
を実行するのに適した集積化光回路の製造が可能とな
り、光ファイバーの結合が容易になる。本発明の詳しい
対象は、非線形伝達関数を有するように、可変ｄｃ電圧
源により、電気−光学変調器にインピーダンスを介して
逆バイアスを掛ける、光放射用光学処理装置であって、
前記電気−光学変調器が対を成した量子井戸変調器であ
り、該変調器は量子井戸と障壁層が交互に変わる一連の
層から成るガイドゾーンを含んでおり、処理される光放
射はそれらの層に平行に送られることを特徴とする該光
放射用光学処理装置である。
光放射用光学的処理装置により、光ウエーブガイド内で
上記関数（機能）が実現し、特に複雑な論理と処理機能
を実行するのに適した集積化光回路の製造が可能とな
り、光ファイバーの結合が容易になる。本発明の詳しい
対象は、非線形伝達関数を有するように、可変ｄｃ電圧
源により、電気−光学変調器にインピーダンスを介して
逆バイアスを掛ける、光放射用光学処理装置であって、
前記電気−光学変調器が対を成した量子井戸変調器であ
り、該変調器は量子井戸と障壁層が交互に変わる一連の
層から成るガイドゾーンを含んでおり、処理される光放
射はそれらの層に平行に送られることを特徴とする該光
放射用光学処理装置である。
【０００５】
【実施例】本願発明のこれらとその他の特徴は、非制限
的な例として与えられた、その好ましい実施例について
の以下の記述、および付属の図面により、よりよく説明
されるであろう。図１においては、対をなした量子井戸
変調器Ｍは、負荷インピーダンスＺを介して可変ｄｃ電
圧源Ｕにより逆バイアスがかけられている。装置に送ら
れた光ビームＦｉは、適当な光学的フォーカシングシス
テムＬ１によりガイドゾーンに入れられ、光学的システ
ムＬ２によりコリメートされた光ビームＦｏがそこから
取り出される。負荷インピーダンスＺは、電気的にＰＩ
Ｎダイオードに等価な、変調器Ｍの動作点を設定するの
に加えて、正帰還をももたらす。実際、動作波長におい
て、光放射吸収係数は減少し、それゆえ、逆方向印加電
圧が増加するにつれ、変調器を横切る光電流は減少す
る。光電流の減少は、負荷インピーダンスでの電圧降下
を減少させ、その結果、逆方向印加電圧の更なる増加を
引き起こす。所望の伝達関数Ｐｏ／Ｐｉ（光出力パワー
／光入力パワー）は、可変発生器Ｕにより印加される電
圧、及び負荷インピーダンスＺの値を変えることにより
選択することができる。二つのパラメータを両方同時、
もしくは、一つのみを変えることができる。
的な例として与えられた、その好ましい実施例について
の以下の記述、および付属の図面により、よりよく説明
されるであろう。図１においては、対をなした量子井戸
変調器Ｍは、負荷インピーダンスＺを介して可変ｄｃ電
圧源Ｕにより逆バイアスがかけられている。装置に送ら
れた光ビームＦｉは、適当な光学的フォーカシングシス
テムＬ１によりガイドゾーンに入れられ、光学的システ
ムＬ２によりコリメートされた光ビームＦｏがそこから
取り出される。負荷インピーダンスＺは、電気的にＰＩ
Ｎダイオードに等価な、変調器Ｍの動作点を設定するの
に加えて、正帰還をももたらす。実際、動作波長におい
て、光放射吸収係数は減少し、それゆえ、逆方向印加電
圧が増加するにつれ、変調器を横切る光電流は減少す
る。光電流の減少は、負荷インピーダンスでの電圧降下
を減少させ、その結果、逆方向印加電圧の更なる増加を
引き起こす。所望の伝達関数Ｐｏ／Ｐｉ（光出力パワー
／光入力パワー）は、可変発生器Ｕにより印加される電
圧、及び負荷インピーダンスＺの値を変えることにより
選択することができる。二つのパラメータを両方同時、
もしくは、一つのみを変えることができる。
【０００６】図２には、負荷インピーダンスとして１Ｍ
の抵抗値を有する抵抗を使用して得られた４つの伝達関
数が示されている。曲線Ａは、バイアス電圧が０Ｖの場
合で、線形な振る舞いを示している。曲線Ｂは、バイア
ス電圧が−５０Ｖの場合で、閾値パワーＰｔの光コンパ
レータの挙動を示している。この伝達関数を用いて実現
される、入力信号Ｓｉの光学的処理の例が、図３のタイ
ム図に示されており、その縦座標はパワーレベルを任意
単位にて表している。閾値Ｐｔの強度より下の信号は、
出力信号Ｓｏでは押さえられており、それゆえ、光バイ
ナリ信号の信号／ノイズ比が増加している。電圧のみを
変えることにより、いくつかの関数が実現できる。例え
ば、負荷インピーダンスＺとして単に誘導リアクタンス
を用い、−３５Ｖのバイアス電圧をかけると、光発振器
が得られる。この場合は、入力に連続した光信号を送る
ことにより、共振電気回路により設定される周波数で発
振する振幅を有する光信号が出力で得られる。この共振
電気回路はインダクタンスＺ、及び対をなした量子井戸
変調器Ｍの容量から構成されている。好ましくは図２に
おけるＣが、伝達関数として得られる。
の抵抗値を有する抵抗を使用して得られた４つの伝達関
数が示されている。曲線Ａは、バイアス電圧が０Ｖの場
合で、線形な振る舞いを示している。曲線Ｂは、バイア
ス電圧が−５０Ｖの場合で、閾値パワーＰｔの光コンパ
レータの挙動を示している。この伝達関数を用いて実現
される、入力信号Ｓｉの光学的処理の例が、図３のタイ
ム図に示されており、その縦座標はパワーレベルを任意
単位にて表している。閾値Ｐｔの強度より下の信号は、
出力信号Ｓｏでは押さえられており、それゆえ、光バイ
ナリ信号の信号／ノイズ比が増加している。電圧のみを
変えることにより、いくつかの関数が実現できる。例え
ば、負荷インピーダンスＺとして単に誘導リアクタンス
を用い、−３５Ｖのバイアス電圧をかけると、光発振器
が得られる。この場合は、入力に連続した光信号を送る
ことにより、共振電気回路により設定される周波数で発
振する振幅を有する光信号が出力で得られる。この共振
電気回路はインダクタンスＺ、及び対をなした量子井戸
変調器Ｍの容量から構成されている。好ましくは図２に
おけるＣが、伝達関数として得られる。
【０００７】有利には、伝達関数Ｃの挙動は単調ではな
いので、周波数マルチプライヤーもまた実現できる。伝
達関数の単調でない部分、例えば増大する部分、減少す
る部分、及び再び増大する部分を含んだ領域において発
振する振幅を有する光信号を入力に送ることにより、入
力信号の周波数の二倍で発振する信号が出力で得られ
る。バイアス電圧−２０Ｖで得られる、図２のＤで示さ
れる挙動をする伝達関数を利用することも可能である。
この関数はヒステリシス領域を示し、その領域では、出
力パワーは入力パワーが増加しているか減少しているか
に依存して異なる値をとる。この場合、この装置により
伝送される信号強度は、入力信号強度だけてなく以前の
来歴にも依存する。従って、シーケンシャル論理装置を
実現するのに用いることができるメモリ機能がそこに存
在するのである。上記装置を実現するのに適した、対を
なした量子井戸変調器は、図４に示したのと類似の構造
をとることができる。変調器の性能は、従来からある一
連の層を有する構造を用いるのであるが、量子井戸を形
成する薄い層と障壁層を適当に決めることにより得ら
れ、量子井戸は量子力学的な見地からは結合されている
のである。対をなした量子井戸変調器の構造は特にその
層に平行に送られた光放射を操作するのに適している。
いので、周波数マルチプライヤーもまた実現できる。伝
達関数の単調でない部分、例えば増大する部分、減少す
る部分、及び再び増大する部分を含んだ領域において発
振する振幅を有する光信号を入力に送ることにより、入
力信号の周波数の二倍で発振する信号が出力で得られ
る。バイアス電圧−２０Ｖで得られる、図２のＤで示さ
れる挙動をする伝達関数を利用することも可能である。
この関数はヒステリシス領域を示し、その領域では、出
力パワーは入力パワーが増加しているか減少しているか
に依存して異なる値をとる。この場合、この装置により
伝送される信号強度は、入力信号強度だけてなく以前の
来歴にも依存する。従って、シーケンシャル論理装置を
実現するのに用いることができるメモリ機能がそこに存
在するのである。上記装置を実現するのに適した、対を
なした量子井戸変調器は、図４に示したのと類似の構造
をとることができる。変調器の性能は、従来からある一
連の層を有する構造を用いるのであるが、量子井戸を形
成する薄い層と障壁層を適当に決めることにより得ら
れ、量子井戸は量子力学的な見地からは結合されている
のである。対をなした量子井戸変調器の構造は特にその
層に平行に送られた光放射を操作するのに適している。
【０００８】図に示された単一層の厚さは、同じ尺度で
描かれてはいない。参照番号１は、バイアス電圧を印加
するための電圧源に接続できるようになっている金属層
を示す。参照番号２は、ｐ型ＩｎＧａＡｓ層を示し、そ
の厚さは約０．１μｍであり、接触層として働く。参照
番号３は、厚さが約２μｍのｐ型ＩｎＰ層を示す。参照
番号４と６は、これもＩｎＰからなり、厚さ０．１μｍ
の２つの真性層を示している。参照番号５は、一連の量
子井戸と障壁を示し、各々、ＩｎＧａＡｓ及びＩｎＰか
らなり、２から１００の量子井戸数を有する。装置内を
伝送する光は、この一連の層内に制限される。参照番号
７は、厚さが約２μｍのｎ型ＩｎＰ層を示す。参照番号
８は、ｎ型ＩｎＧａＡｓ層を示し、その厚さは約０．１
μｍであり、その機能はガイド層から洩れる光を吸収す
ることである。参照番号９は、ｎ型ＩｎＰ層を示し、そ
の厚さは約０．１μｍであり、通常は完全ではない商用
基板を覆うものである。参照番号１０は、ｎ型ＩｎＰ基
板を示す。
描かれてはいない。参照番号１は、バイアス電圧を印加
するための電圧源に接続できるようになっている金属層
を示す。参照番号２は、ｐ型ＩｎＧａＡｓ層を示し、そ
の厚さは約０．１μｍであり、接触層として働く。参照
番号３は、厚さが約２μｍのｐ型ＩｎＰ層を示す。参照
番号４と６は、これもＩｎＰからなり、厚さ０．１μｍ
の２つの真性層を示している。参照番号５は、一連の量
子井戸と障壁を示し、各々、ＩｎＧａＡｓ及びＩｎＰか
らなり、２から１００の量子井戸数を有する。装置内を
伝送する光は、この一連の層内に制限される。参照番号
７は、厚さが約２μｍのｎ型ＩｎＰ層を示す。参照番号
８は、ｎ型ＩｎＧａＡｓ層を示し、その厚さは約０．１
μｍであり、その機能はガイド層から洩れる光を吸収す
ることである。参照番号９は、ｎ型ＩｎＰ層を示し、そ
の厚さは約０．１μｍであり、通常は完全ではない商用
基板を覆うものである。参照番号１０は、ｎ型ＩｎＰ基
板を示す。
【０００９】最後に、参照番号１１は、バイアス電圧を
印加するための第２の電圧源に接続できるようになって
いる金属層を示す。その構造はＰＩＮ型（ｐドープ層、
真性層、及びｎドープ層）であることから分かるよう
に、動作するには、約１０４Ｖ／ｃｍの電場を発生する
のに適した逆バイアス電圧が要求される。ここに記載さ
れたことは非制限的な例として与えられているのは明ら
かである。変更と修正が請求の範囲を逸脱することなく
可能である。例えば、光学的システムＬ１及びＬ２を除
くことも出来るし、光放射をフォーカス機能のある端面
を有した光ファイバーによりフォーカスできる。負荷イ
ンピーダンスＺは、トランジスタやＦＥＴや演算増幅器
のような能動機器によっても実現できる。
印加するための第２の電圧源に接続できるようになって
いる金属層を示す。その構造はＰＩＮ型（ｐドープ層、
真性層、及びｎドープ層）であることから分かるよう
に、動作するには、約１０４Ｖ／ｃｍの電場を発生する
のに適した逆バイアス電圧が要求される。ここに記載さ
れたことは非制限的な例として与えられているのは明ら
かである。変更と修正が請求の範囲を逸脱することなく
可能である。例えば、光学的システムＬ１及びＬ２を除
くことも出来るし、光放射をフォーカス機能のある端面
を有した光ファイバーによりフォーカスできる。負荷イ
ンピーダンスＺは、トランジスタやＦＥＴや演算増幅器
のような能動機器によっても実現できる。
【図１】光放射用の光学的処理装置の機能図である。
【図２】幾つかの伝達関数が表されたデカルト図であ
る。
る。
【図３】光信号の処理を示すタイム図である。
【図４】結合量子井戸変調器の構造の断面図である。
Ｍ 量子井戸変調器 Ｚ 負荷インピーダンス Ｕ ｄｃ電圧源 Ｌ１ 光学システム Ｌ２ 光学システム Ｆｉ 入力光ビーム Ｆｏ 出力光ビーム Ｐｉ 光入力パワー Ｐｏ 光出力パワー Ｐｔ 閾値 １ 金属層 ２ ｐ型ＩｎＧａＡｓ層 ３ ｐ型ＩｎＰ層 ４ 真性ＩｎＰ層 ５ 量子井戸と障壁の一連の層 ６ 真性ＩｎＰ層 ７ ｎ型ＩｎＰ層 ８ ｎ型ＩｎＧａＡｓ層 ９ ｎ型ＩｎＰ層 １０ ｎ型ＩｎＰ基板 １１ 金属層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ハインツ−クリストフ・ナイツエルト イタリー国トリノ、ヴイア・プリンチピ・ ダカジヤ59 (72)発明者 ドメニコ・カムピ イタリー国トリノ、ヴイア・グアラ 114
Claims (1)
- 【請求項１】 非線形伝達関数を有するように、可変ｄ
ｃ電圧源（Ｕ）により、電気−光学変調器にインピーダ
ンス（Ｚ）を介して逆バイアスを掛ける、光放射用光学
処理装置であって、前記電気−光学変調器は対を成した
量子井戸変調器（Ｍ）であり、該変調器は量子井戸と障
壁層が交互に変わる一連の層（５）から成るガイドゾー
ンを含んでおり、処理される光放射はそれらの層に平行
に送られることを特徴とする該光放射用光学処理装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| IT94A000204 | 1994-03-22 | ||
| ITTO940204A IT1273064B (it) | 1994-03-22 | 1994-03-22 | Dispositivo per l'elaborazione ottica di radiazioni luminose |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07270730A true JPH07270730A (ja) | 1995-10-20 |
Family
ID=11412342
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7087719A Pending JPH07270730A (ja) | 1994-03-22 | 1995-03-22 | 光放射用光学処理装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5559323A (ja) |
| EP (1) | EP0674206A3 (ja) |
| JP (1) | JPH07270730A (ja) |
| CA (1) | CA2145037C (ja) |
| DE (1) | DE674206T1 (ja) |
| IT (1) | IT1273064B (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2758669B1 (fr) * | 1997-01-23 | 1999-02-19 | Alsthom Cge Alcatel | Procede de modulation et modulateur optique a semi conducteur |
| JP4056726B2 (ja) * | 2000-10-27 | 2008-03-05 | 松下電器産業株式会社 | 光信号伝送システム及びそれに用いる磁気光学変調器 |
| US6480316B1 (en) | 2001-06-15 | 2002-11-12 | Yotta Networks | System and method for reading data content out of optical data stream without altering the optical data stream |
| US6933583B2 (en) * | 2003-04-10 | 2005-08-23 | Northrop Grumman Corporation | In-phase RF drive of Mach-Zehnder modulator push-pull electrodes by using coupled quantum well optical active region |
| US7869094B2 (en) * | 2005-01-07 | 2011-01-11 | Mitcham Global Investments Ltd. | Selective dithering |
| TWI425626B (zh) * | 2010-06-17 | 2014-02-01 | 國立中央大學 | Series complex complex photodiode structure |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02262133A (ja) * | 1989-02-28 | 1990-10-24 | American Teleph & Telegr Co <Att> | 半導体デバイス |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4514624A (en) * | 1981-08-19 | 1985-04-30 | The Secretary Of State For Industry In Her Britannic Majesty's Government Of The United Kingdom Of Great Britain And Northern Ireland | Photon drag detectors |
| JP2928532B2 (ja) * | 1988-05-06 | 1999-08-03 | 株式会社日立製作所 | 量子干渉光素子 |
| JPH02136821A (ja) * | 1988-11-18 | 1990-05-25 | Fujitsu Ltd | 半導体光変調器 |
| EP0443332B1 (en) * | 1990-01-23 | 1995-08-23 | Nippon Telegraph and Telephone Corporation | Optical gate array |
| JPH03293622A (ja) * | 1990-04-12 | 1991-12-25 | Hitachi Ltd | 光変調器 |
| US5149957A (en) * | 1991-08-21 | 1992-09-22 | Hughes Aircraft Company | Semiconductor-to-metal optical switch for power limitation in the infrared |
| US5402259A (en) * | 1993-04-23 | 1995-03-28 | Trw Inc. | Linear electroabsorptive modulator and related method of analog modulation of an optical carrier |
-
1994
- 1994-03-22 IT ITTO940204A patent/IT1273064B/it active IP Right Grant
-
1995
- 1995-03-09 US US08/401,564 patent/US5559323A/en not_active Expired - Fee Related
- 1995-03-20 CA CA002145037A patent/CA2145037C/en not_active Expired - Fee Related
- 1995-03-21 DE DE0674206T patent/DE674206T1/de active Pending
- 1995-03-21 EP EP95104129A patent/EP0674206A3/en not_active Withdrawn
- 1995-03-22 JP JP7087719A patent/JPH07270730A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02262133A (ja) * | 1989-02-28 | 1990-10-24 | American Teleph & Telegr Co <Att> | 半導体デバイス |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| IT1273064B (it) | 1997-07-04 |
| ITTO940204A1 (it) | 1995-09-22 |
| DE674206T1 (de) | 1997-03-13 |
| EP0674206A2 (en) | 1995-09-27 |
| EP0674206A3 (en) | 1996-09-18 |
| CA2145037A1 (en) | 1995-09-23 |
| CA2145037C (en) | 1999-06-29 |
| US5559323A (en) | 1996-09-24 |
| ITTO940204A0 (it) | 1994-03-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5623359A (en) | Optical communication by injection-locking to a signal which modulates an optical carrier | |
| US5371388A (en) | Electron wave interference devices, methods for modulating an interference current and electron wave branching and/or combining devices and methods therefor | |
| US5748653A (en) | Vertical cavity surface emitting lasers with optical gain control (V-logic) | |
| US5005933A (en) | Non-linear optical device | |
| US7893854B2 (en) | Optical digital to analog converter | |
| US8970948B2 (en) | Method and system for operating semiconductor optical amplifiers | |
| CN117933321B (zh) | 具有归一化输出功率的可重新配置的全光激活函数 | |
| JPH0422254B2 (ja) | ||
| US5708671A (en) | Tunable gigihertz all-optical clock generator and method using same | |
| JPH02103021A (ja) | 量子井戸光デバイス | |
| JPH07270730A (ja) | 光放射用光学処理装置 | |
| US4817105A (en) | Integrated laser device with refractive index modulator | |
| US7064891B2 (en) | Optical wavelength converter with a semiconductor optical amplifier | |
| Miller | Novel optical modulators and bistable devices using the self-electro-optic effect in semiconductor quantum wells | |
| US5559628A (en) | Light pulse generator | |
| US6356382B1 (en) | Optical wavelength converter with active waveguide | |
| JP2762490B2 (ja) | 光素子 | |
| JPS58202581A (ja) | レ−ザダイオ−ド光制御装置 | |
| US6331990B1 (en) | Demodulating and amplifying systems of lasers with optical gain control (DAS-LOGiC) | |
| US20020159665A1 (en) | Optical emitter including a modulator comprising a plurality of modulator units | |
| US5920419A (en) | Quantum well electro-optical modulator | |
| US5247592A (en) | Semiconductor optical device and array of the same | |
| CA1315851C (en) | Optical communication by injection-locking to a signal which modulates an optical carrier | |
| Robert et al. | Control of the polarization state of a vertical cavity surface emitting laser using polarized feedback | |
| Wood et al. | Electroabsorption in InGaAs/InP multiple quantum wells at high optical intensities |