JPH07270732A

JPH07270732A - 光導波路型波長選択装置

Info

Publication number: JPH07270732A
Application number: JP6156394A
Authority: JP
Inventors: Takeshi Ogawa; 剛小川
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1994-03-30
Filing date: 1994-03-30
Publication date: 1995-10-20

Abstract

(57)【要約】【目的】簡潔な構成をによって確実に波長選択を行う
ことができ、中心波長を可変とする場合において、その
波長選択中心波長可変範囲が広域で、かつ光損傷が小さ
く光パワーの耐久性に優れた光導波路型波長選択装置を
提供する。【構成】第１および第２の端面２１および２２を有
し、第１の光導波部１と第２の光導波部２とからなる光
導波路３と、この光導波路３の伝搬方向に関してこの光
導波路３が周期的に屈折率擾乱を形成する周期的屈折率
擾乱構造部４とを有し、その第１の光導波部１が第２の
光導波部２の屈折率より大きな屈折率を有し、その少な
くとも一部が第２の光導波部２上に接して設けられた構
成とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光の波長依存性を有す
る波長選択装置に係わる。

【０００２】

【従来の技術】近年、光通信や光計測などの分野で、光
制御用の機能素子で光集積回路構成上の重要な要素の一
つとして光導波路型波長選択装置がある。

【０００３】この光導波路型波長選択装置として、例え
ば基板として電気光学係数が大きく低損失の光導波路が
容易に作成できるＬｉＮｂＯ₃（ＬＮ）を用い、グレー
ティングを構成した光導波路型波長選択装置がある。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】上述したように、光導
波路型波長選択素子として、波長選択帯域の狭い回折型
グレーティングを用いたものがあるが、例えば電気光学
効果などによる屈折率変調により中心波長を可変する場
合、その可変範囲は小さい。

【０００５】またＬＮを基板とする光導波路型機能デバ
イスで導波路としてＴｉ拡散導波路が良好な伝搬特性を
有し作製上容易であることから最も用いられるが、光損
傷が顕著であるという問題がある。

【０００６】本発明は、上述した実情に鑑みてなされた
発明であり、簡潔な構成によって確実に波長選択を行う
ことができ、中心波長を可変とする場合において、その
波長選択中心波長可変範囲が広域で、かつ光損傷が小さ
く光パワーの耐久性に優れた光導波路型波長選択装置を
提供する。

【０００７】

【課題を解決するための手段】第１の本発明は、図１に
その基本的構成の概略断面図を示すように、第１および
第２の端面２１および２２を有し、第１の光導波部１と
第２の光導波部２とからなる光導波路３と、この光導波
路３の伝搬方向に関してこの光導波路３が周期的に屈折
率擾乱を形成する周期的屈折率擾乱構造部４とを有する
構成とする。

【０００８】そして、その第１の光導波部１が第２の光
導波部２の屈折率より大きな屈折率を有し、その少なく
とも一部が第２の光導波部２上に接して設けられた構成
とする。

【０００９】第２の本発明は、その周期的屈折率擾乱構
造部４が第１の光導波部１と第２の光導波部２との界面
において周期的に屈折率変化する構成とするものであ
る。

【００１０】第３の本発明は、周期的屈折率擾乱構造部
４が第１の光導波部１の表面において周期的に屈折率が
変化する構成とする。

【００１１】第４の本発明は、基板１１上に、第１の光
導波部１と第２の光導波部２からなる光導波路３が、第
２の光導波部２を基板１１側に位置するように形成す
る。そして、その第２の光導波部２は、基板１１の屈折
率より大きな屈折率を有し、第１の光導波部１は、基板
１１および第２の光導波部２の各屈折率より大きな屈折
率を有し構成とする。そして、その周期的屈折率擾乱構
造部４を第２の光導波部２と基板１１との界面において
周期的に屈折率変化する構成とする。

【００１２】第５の本発明は、周期的屈折率擾乱構造部
４が電極からの電界による周期的屈折率変化による構成
とする。

【００１３】第６の本発明は、第１および第２の光導波
部１および２をプロトン交換導波路構成とする。

【００１４】第７の本発明は、第１の光導波部１を誘電
体膜構成とし、第２の光導波部２をプロトン交換導波路
構成とする。

【００１５】第８の本発明は、第１および第２の光導波
部１および２を誘電体膜構成とする。

【００１６】第９の本発明は、第１の端面２１において
光導波路が第１の光導波部１のみであり、第２の端面２
２において光導波路が第２の光導波部２のみである構成
とする。

【００１７】第１０の本発明は、第１および第２の端面
２１および２２において光導波路が、第１の光導波部１
のみである構成とする。

【００１８】第１１の本発明は、第１および第２の端面
２１および２２において光導波路が第２の光導波部２の
みである構成とする。

【００１９】第１２の本発明は、基板１１がＬｉＴａ_X
Ｎｂ_1-XＯ₃（０≦ｘ≦１）である構成とする。

【００２０】

【作用】上述したように、本発明構成においては、屈折
率を異にする第１および第２の光導波部１および２の２
層の導波部によって０次および１次モード伝搬のマルチ
モード光導波路３を構成し、周期的屈折率擾乱構造部４
によるモード変換の波長依存性を用いて波長選択、例え
ば波長バンドパスフィルタあるいは波長バンドカットフ
ィルタを構成するこができるものである。

【００２１】本発明装置の作用（動作）を説明する。
今、例えば図１に示すように、屈折率ｎ_Sなる基板１１
上に、屈折率ｎ₁なる第１の光導波部１と屈折率ｎ₂ な
る第２の光導波部２の２層導波路によるＢ部と、第１の
光導波部１のみの導波路によるＡ部と、第２の光導波部
２のみの導波路によるＣ部で構成され、下記（数１）の
関係にある素子について考える。

【００２２】

【数１】ｎ₁＞ｎ₂ ＞ｎ_S ・・・・（１）

【００２３】また、Δｎ₁＝ｎ₁−ｎ_S、Δｎ₂ ＝ｎ₂
−ｎ_Sとする。

【００２４】このとき、このＢ部の２層導波路は深さ方
向に０次モードと１次モードとが導波モードとなるマル
チモード導波路とし、Ａ部とＣ部の単層導波路はシング
ルモード導波路とする。

【００２５】先ず、Ｂ部について説明すると、０次モー
ドと１次モードのそれぞれのモードフィールドは図１中
曲線ｂ₀と曲線ｂ₁示すようになる。

【００２６】１次モードのモードフィールドは屈折率の
異なる２層導波路のため深さ方向に非対称な分布とな
り、Δｎ₁がΔｎ₂ に比べ大きくなるほど、その非対称
性は顕著になる。

【００２７】そして、この導波路の光の進行方向に対
し、屈折率分布に周期的な擾乱が形成された周期的屈折
率擾乱構造部４、例えば図１に示すような第１の光導波
部１の深さが周期Λで周期的に変化して形成されること
によって周期的に屈折率が変化するグレーティングを形
成する。

【００２８】この時、この第１の光導波部１と第２の光
導波部２の界面での屈折率変調のグレーティングによ
り、０次モードと１次モードは周期Λに基ずく波長λ₀
で、位相整合を介して結合し、０次−１次モード間で大
きなパワー変換が生じる。

【００２９】位相整合するλ₀は、０次モードと１次モ
ードのそれぞれの実効屈折率をＮ₀とＮ₁とすると、下
記（数２）となる。

【００３０】

【数２】 λ₀＝（Ｎ₀−Ｎ₁）Λ ・・・・（２）

【００３１】また、モード間のパワー変換効率は、グレ
ーティングの深さ、０次モードと１次モードのグレーテ
ィング部分での電界の重なり程度に依存する。

【００３２】そこで、Ａ部導波路端面２１より光を入射
させると、Ａ−Ｂ部結合において、曲線ａで示すモード
フィールド分布の関係上、Ｂ部の０次モードと光は結合
する。

【００３３】ここでＢ部において、励起された０次モー
ドが、Ｂ部のグレーティングにより上記（数２）に基づ
く波長λ₀において、伝搬していく上で１次モードに変
換され、他の波長では変換されず０次モードのまま伝搬
する。

【００３４】ここで、グレーティングすなわち周期的屈
折率擾乱構造部４の深さは、Ａ−Ｂ結合部からＢ−Ｃ結
合部まで伝搬していく上で波長λ₀において最も変換効
率が大きくなるように設定する。すなわち、完全結合長
になる深さに選定する。

【００３５】Ｂ−Ｃ結合部においてＣ部への結合は、図
１中曲線ｃに示すモードフィールド分布の関係上、Ｂ部
で０次モードから変換された１次モードが結合し、０次
モードはほぼカットされる。また、１次モードとの結合
を向上するためには、１次モードのモードフィールド分
布の非対称性を大きくする事が必要であり、このためΔ
ｎ₁はΔｎ₂ より大きくとることが必要である。

【００３６】このようにして、Ａ部端面より入射された
光は、波長λ₀の光のみＣ部端面２２より出力される波
長フィルタすなわち波長選択を行うことできる。

【００３７】また、本発明構成によれば、波長選択帯域
の中心波長を可変構成とするときにおいて、その可変範
囲が広帯域な光導波路型波長選択装置が作製できる。

【００３８】また、例えばＬＮやＬｉＴａＯ₃（ＬＴ）
などを基板とした場合、光導波路をプロトン交換導波路
や、薄膜導波路とすることができるため、光導波路型波
長選択装置において光損傷が少なく光パワー耐久性の優
れた光導波路型波長選択装置が構成できる。

【００３９】

【実施例】本発明の実施例を、その一例の模式的斜視図
を示す図２を参照にして説明する。本発明は、第１およ
び第２の端面２１および２２を有し、第１の光導波部１
と第２の光導波部２とからなる光導波路３と、この光導
波路３の伝搬方向に関してこの光導波路３が周期的に屈
折率擾乱を形成する周期的屈折率擾乱構造部４とを有す
る構成とする。

【００４０】そして、その第１の光導波部１が第２の光
導波部２の屈折率より大きな屈折率を有し、その少なく
とも一部が第２の光導波部２上に接して設けられた構成
とする。

【００４１】基板１１は、ＬｉＴａ_xＮｂ_1-xＯ₃（０
≦ｘ≦１）においてｘ＝０とした、すなわちＬＮによる
例えば厚さ方向をｚ軸とするいわゆるＬＮのｚ基板によ
って構成し、第１および第２の光導波部１および２は、
それぞれＬＮ基板１１内のＬｉイオンとＨイオンを交換
して屈折率を大きくして導波路とするプロトン交換導波
路構成とすることができ、この場合第２の光導波部２は
プロトン交換の後高温アニールが施されたアニールプロ
トン交換導波路として、高温アニールによってその屈折
率が第１の光導波部に比して小さくされた構成とする。
また、第１の光導波部１はその深さを周期的に変化させ
て、グレーティングすなわち周期的屈折率擾乱構造部４
を構成している。

【００４２】上述したプロトン交換路による第１および
第２の光導波部１および２と、これらの界面に周期的屈
折率擾乱構造部４とを形成する方法の一例を図３を参照
して説明する。

【００４３】この場合、図３Ａに示すように、ＬＮのｚ
基板１１を用意し、その一主面の、最終的に第２の光導
波部２を形成する部分に開口４１Ｗを形成した例えばＴ
ａよりなるマスク層４１を形成する。そして、基板１１
を例えば２００℃のホット燐酸に浸漬し、マスク層４１
の開口４１Ｗを通じて選択的にプロトン交換がなされた
第２のプロトン交換部３２を形成し、その後例えば３５
０℃の高温アニールを大気中で行って、第２の光導波部
２を形成する。

【００４４】このアニール後またはアニール前にマスク
層４１を除去し、改めて基板１１上に最終的に周期的屈
折率擾乱構造部４を形成する部分において所定のピッチ
および幅をもって最終的に光伝搬方向となる方向を横切
って延長するスリット状の開口４２Ｗが平行に配列形成
された例えばＴａよりなるマスク層４２を被着形成す
る。

【００４５】そして、再び基板１１を例えば２００℃の
ホット燐酸に浸漬し、マスク層４２の開口４２Ｗを通じ
て選択的にプロトン交換がなされた平行配列されたスト
ライプ状のプロトン交換部３３を形成する。

【００４６】その後、図３Ｃに示すように、マスク層４
２を除去して基板１１の表面を例えば２００℃のホット
燐酸に浸漬して全面的に第１のプロトン交換部３１を形
成する。

【００４７】その後、図３Ｄに示すように、第１のプロ
トン交換部３１の第２のプロトン交換部３２上の端部を
エッチング除去する。このようにすると、基板１１に、
第２のプロトン交換３２によって形成された第２の光導
波部２と、これの上に、第１のプロトン交換部３１とス
トライプ状のプロトン交換部３３によって形成された第
１の光導波部１とが形成される。そして、このようにし
て形成された第１の光導波部１は、第２の光導波部２と
の界面においてその一部が、この第２の光導波部２に入
り込んだ深いストライプが平行に所定のピッチをもって
形成され、これによって周期的屈折率擾乱構造部４が構
成される。

【００４８】このように、プロトン交換によって形成さ
れた導波路は、ｚ軸方向にのみ屈折率が変化して光の閉
じ込め効果がある。図２で示す例では、基板１１上に光
導波（光伝搬）を行わせる方向に沿って周期的屈折率擾
乱構造部４上を横切ってストライプ状の例えばＳｉＯ₂
よりなる誘電体膜５を装荷し、装荷型３次元導波路を構
成するようにした場合である。このストライプ状の誘電
体膜５の形成は、例えば全面的にＳｉＯ₂をスパッタリ
ングして後、これをフォトリソグラフィによるパターン
エッチングすることによって形成できる。

【００４９】この構成による場合、前記（数１）の関係
が成り立っている。そして、この構成による光導波路３
の第１の光導波部１のみよりなる側の第１の端面２１を
光の入射端面とし、これとは反対側の第２の光導波部２
のみよりなる側の第２の端面２２を光の出射端面とす
る。

【００５０】この構成による本発明装置は、第１の端面
２１の第１の光導波部１のみを有する端面から光を入射
した場合、前記（数２）を満足する波長λ₀の光のみ
が、前述したように、第１および第２の光導波部が積層
部において、周期的屈折率擾乱構造部４によるモード間
位相整合により、モード変換して、第２の光導波部２の
みを有する第２の端面２２より出射される。すなわち、
波長バンドパスフィルター動作がなされる。

【００５１】上述の実施例では第１および第２の光導波
部１および２を、ともにプロトン交換導波路とした場合
であるが、図４にその模式的斜視図を示すように、第２
の光導波部２および周期的屈折率擾乱構造部４は図３Ａ
およびＢで説明したと同様の方法によるプロトン交換を
行ってＬＮ基板１１内に形成するものの、第１の光導波
部１は、基板１１上に被着形成した例えばＴａ₂ Ｏ₅に
よる第１の誘電体膜６による構成とすることもできる。
図４において、図２と対応する部分には同一符号を付し
て重複説明を省略する。

【００５２】また、本発明装置は、図５にその模式的斜
視図を示すように、第１および第２の光導波部１および
２をともに基板１１上に形成した第１および第２の誘電
体膜６および７によって構成することができる。

【００５３】この場合、基板１１の１主面の、第２の光
導波部の形成部分をエッチングして凹部８を形成し、こ
の凹部内に基板１１の上記１主面とほぼ同一平面を形成
するように例えばＴａ₂ Ｏ₅よりなる第２の誘電体膜７
を形成し、この第２の誘電体膜７の表面を選択的にエッ
チングして最終的に周期的屈折率擾乱構造部４を構成す
る部分に、最終的に光の伝搬方向を横切る方向に延びる
ストライプ状の凹凸を平行に配列形成する。そして、こ
の凹凸部９を埋め込むように例えばＮｂ₂ Ｏ₅による第
１の誘電体膜６を、基板１１の第２の誘電体膜７上とそ
れ以外の凹部８が形成されない部分に差し渡って形成す
る。

【００５４】この構成では、第１の光導波部１を構成す
る第１の誘電体膜６が凹凸部９が形成された部分におい
て、その深さが変化することからここに屈折率が周期的
に変化する周期的屈折率擾乱構造部４が構成される。こ
の場合においても、図５において、図２と対応する部分
には同一符号を付して重複説明を省略する。

【００５５】上述した各例においては、第１および第２
の光導波部１および２の界面に周期的屈折率擾乱構造部
４を構成した場合であるが、この周期的屈折率擾乱構造
部４は、上述したように第１の光導波部１を伝搬させる
０次モードの界分布と、第２の光導波部２を伝搬させる
１次モードの界分布が重なり合う深さ位置で形成されれ
ば良いことから、この周期的屈折率擾乱構造部４の形成
位置は第１および第２の光導波部１および２の界面に限
られるものではなく、例えば上層の第１の光導波部１上
に形成することもできる。

【００５６】例えば図６に示すように、第１の光導波部
１上の第２の光導波部との積層部上に例えばアルミニウ
ムＡｌなどによる対の櫛歯状の金属電極１０Ａおよび１
０Ｂを配置し両者間に所定の例えば可変直流電圧Ｅを印
加する。

【００５７】この構成によれば、電極１０Ａおよび１０
Ｂによって横方向に電界を発生させモード伝搬方向に周
期的に屈折率を変調させグレーティングを発生させるこ
とができ、電圧Ｅの選定によってグレーティングの深さ
を調整選定することができて０次モードと１次モードの
結合を良好に設定することができる。この図６において
も、図２と対応する部分には同一符号を付して重複説明
を省略する。

【００５８】また、図７に示す例では、周期的屈折率擾
乱構造部４を第１の光導波部１の表面に形成した凹凸に
よって形成した場合であり、この場合においても同様に
モード間の位相整合を起こすことができる。この図７に
おいても、図２と対応する部分には同一符号を付して重
複説明を省略する。

【００５９】更に、周期的屈折率擾乱構造部４は、図８
に示すように、第２の光導波部２の基板１１側の面に形
成することもできる。この場合、例えば基板１１の表面
に凹凸をエッチング等によって形成し、これの上に第２
の光導波部２を形成してその深さを変化させることによ
って周期的屈折率擾乱構造部４を構成することができる
ものである。そして、この図８においても、図２と対応
する部分には同一符号を付して重複説明を省略する。

【００６０】そして、図４〜図８のいづれの構成におい
ても、図１および図２で説明したと同様に波長バンドパ
スフィルタ動作を行わしめることができる。

【００６１】上述の図１，図２，図４〜図８で説明した
構成では、波長バンドパスフィルタ動作を行う光導波型
波長選択装置であるが、波長バンドカットフィルタ動作
を行う光導波型波長選択装置を構成することもできる。

【００６２】この場合においては、図９あるいは図１０
に示すように、光導波路３を構成する第１の光導波部１
もしくは第２の光導波部２のいづれか一方を光導波路の
全長に渡って形成し、その光導波の途上の一部に他方の
第２の光導波部２もしくは第１の光導波部１と周期的屈
折率擾乱構造部４とを配置形成する。

【００６３】この構成によれば、図９または図１０にお
いて、第１の端面２１から波長λ₀を含む光を、第１ま
たは第２の光導波部１または２に入射させると、周期的
屈折率擾乱構造部４と位相整合する波長λ₀に関して
は、第２または第１の光導波部２または１に結合するこ
とによって損失を生じることから、この波長λ₀をカッ
トした出力光を第２の端面２２から出射させることがで
きる。

【００６４】尚、この図９および図１０においても、そ
の周期的屈折率擾乱構造部４は、第１および第２の光導
波部１および２の界面に形成することもできるし、第１
の光導波部１の上面側あるいは第２の基板１１側に形成
することもできる。また、この周期的屈折率擾乱構造部
４は、前述したように電極の形成、凹凸部もしくはプロ
トン交換による第１または第２の光導波部１または２の
深さの周期的変化、あるいは屈折率の周期的変化によっ
て構成することができる。

【００６５】また上述した各例において、図１１に光の
伝搬方向を横切る面での断面図を示すように、第１およ
び第２光導波部１および２が積層された結合部上におい
て、例えば第１の光導波部１上に装荷された誘電体膜５
上とこれを挟んでその両側に対の電極２０Ａおよび２０
Ｂを被着形成し、これら電極２０Ａおよび２０Ｂ間に可
変直流電圧Ｅ_Bを印加する。このようにするときは、図
１１中実線曲線をもってその電気力線を模式的に示すよ
うに、深さ方向に電界を与えことができることから、印
加電圧Ｅ_Bの制御によって導波モードの実効屈折率を変
化させることができる。

【００６６】したがって、この場合電圧Ｅ_Bの制御によ
って０次モードと１次モードとの位相整合条件を実質的
に変化させることができることになり、これにより、周
期的屈折率擾乱構造部４による第１および第２の光導波
部１および２間で変換される波長λ₀をシフトすること
ができることになる。したがってこの構成を上述した波
長バンドパスフィルタ、波長バンドカットフィルタに適
用することによってその透過もしくはカットする中心波
長を可変できる周波数可変フィルタを構成することがで
きる。

【００６７】そして、この場合その深さ方向の僅かな屈
折率変化でも大きく波長λ₀のシフトを行うことができ
ることから、波長選択中心波長可変範囲は広域となる。

【００６８】また、上述の実施例では、誘電体膜５を装
荷する装荷型３次元導波路構成とした場合であるが、図
１２に示すように、第１の光導波部１や第２の光導波部
２を３次元化した埋め込み型３次元導波路としても上述
したと同様の作用を行わしめることができる。

【００６９】尚、図８〜図１２において、図１、図２、
図４〜図７と対応する部分には同一符号を付して重複説
明を省略する。

【００７０】また、上述の図４以下の実施例において
も、第１および第２の各光導波部１および２は、これを
プロトン交換導波路とすることもできるし、誘電体膜構
成とすることもできる。

【００７１】また、上述した例では、ＬＮによる基板１
１を用いた場合であるが、ＬＮに限られるものではな
く、ＬｉＴａＯ₃（ＬＴ：すなわち上述のＬｉＴａ_xＮ
ｂ_1-xＯ₃においてｘ＝１）基板によって同様に構成す
ることができる。

【００７２】

【発明の効果】上述したように、本発明構成において
は、屈折率を異にする第１および第２の光導波部１およ
び２の２層の導波部によって０次および１次モード伝搬
のマルチモード光導波路３を構成し、周期的屈折率擾乱
構造部４によるモード変換の波長依存性を用いて波長選
択を行うので、簡潔な構成で確実に波長選択を行う例え
ばバンドパスフィルタ、バンドカットフィルタを構成で
きる。

【００７３】また、上述したように波長選択帯域を可変
にする構成とするときは、その中心波長の可変範囲が広
帯域な光導波路型波長選択装置が作製できる。

【００７４】更に、例えばＬＮやＬｉＴａＯ₃ （ＬＴ）
などを基板とした光導波路型波長選択装置において光損
傷が少なく光パワー耐久性の優れた光導波路型波長選択
装置が構成できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明装置の基本的構成図である。

【図２】本発明装置の一例の概略斜視図である。

【図３】本発明装置の一例の製造工程図である。Ａは一
工程における断面図である。Ｂは一工程における断面図
である。Ｃは一工程における断面図である。Ｄは一工程
における断面図である。

【図４】本発明装置の一例の概略斜視図である。

【図５】本発明装置の一例の概略斜視図である。

【図６】本発明装置の一例の概略斜視図である。

【図７】本発明装置の一例の概略斜視図である。

【図８】本発明装置の一例の概略斜視図である。

【図９】本発明装置の一例の概略断面図である。

【図１０】本発明装置の一例の概略断面図である。

【図１１】本発明装置の一例の概略断面図である。

【図１２】本発明装置の一例の概略断面図である。

【符号の説明】

１１基板１第１の光導波部２第２の光導波部３光導波路４周期的屈折率擾乱構造部

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】第１および第２の端面を有し、第１の光
導波部と第２の光導波部とからなる光導波路と、該光導波路の伝搬方向に対し該光導波路が周期的に屈折
率擾乱を形成する周期的屈折率擾乱構造部とを有し、前記第１の光導波部は、前記第２の光導波部の屈折率よ
り大きな屈折率を有し、少なくとも一部が前記第２の光
導波部に接する構成としたことを特徴とする光導波路型
波長選択装置。
【請求項２】前記周期的屈折率擾乱構造部が第１の光
導波部と第２の光導波部との界面において周期的に屈折
率変化する構成としたことを特徴とする請求項１に記載
の光導波路型波長選択装置。
【請求項３】前記周期的屈折率擾乱構造部が前記第１
の光導波部の表面において周期的に屈折率が変化する構
成としたことを特徴とする請求項１に記載の光導波路型
波長選択装置。
【請求項４】基板上に、前記第１の光導波部と第２の
光導波部とからなる光導波路が、前記第２の光導波部を
前記基板側に位置するように形成され、前記第２の光導波部は、前記基板の屈折率より大きな屈
折率を有し、前記第１の光導波部は、前記基板および前記第２の光導
波部の各屈折率より大きな屈折率を有し、前記周期的屈折率擾乱構造部が前記第２の光導波部と基
板との界面において周期的に屈折率変化する構成とした
ことを特徴とする請求項１に記載の光導波路型波長選択
装置。
【請求項５】前記周期的屈折率擾乱構造部が電極から
の電界によって周期的に屈折率変化する構成としたこと
を特徴とする請求項１に記載の光導波路型波長選択装
置。
【請求項６】前記第１および第２の光導波部がプロト
ン交換導波路であることを特徴とする請求項１、２、
３、４または５に記載の光導波路型波長選択装置。
【請求項７】前記第１の光導波部が誘電体膜であり、
前記第２の光導波部がプロトン交換導波路であることを
特徴とする請求項１、２、３、４または５に記載の光導
波路型波長選択装置。
【請求項８】前記第１および第２の光導波部が誘電体
膜であることを特徴とする請求項１、２、３、４または
５に記載の光導波路型波長選択装置。
【請求項９】前記第１の端面において前記光導波路が
前記第１の光導波部のみであり、前記第２の端面におい
て前記光導波路が第２の光導波部のみであることを特徴
とする請求項１、２、３、４、５、６、７または８に記
載の光導波路型波長選択装置。
【請求項１０】前記第１および第２の端面において光
導波路が、前記第１の光導波部のみであることを特徴と
する請求項１、２、３、４、５、６、７または８に記載
の光導波路型波長選択装置。
【請求項１１】前記第１および第２の端面において光
導波路が第２の光導波部のみであることを特徴とする請
求項１、２、３、４、５、６、７または８に記載の光導
波路型波長選択装置。
【請求項１２】前記基板がＬｉＴａ_XＮｂ_1-xＯ
₃（０≦ｘ≦１）であることを特徴とする請求項４、
６、７、８、９、１０または１１に記載の光導波路型波
長選択装置。