JPH0727089B2 - 光導波路レンズの製造方法 - Google Patents

光導波路レンズの製造方法

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JPH0727089B2
JPH0727089B2 JP60029597A JP2959785A JPH0727089B2 JP H0727089 B2 JPH0727089 B2 JP H0727089B2 JP 60029597 A JP60029597 A JP 60029597A JP 2959785 A JP2959785 A JP 2959785A JP H0727089 B2 JPH0727089 B2 JP H0727089B2
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和久 山本
数利 長野
孝夫 垣内
実 久保
澄江 石川
啓介 古賀
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    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B6/122Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
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    • G02B6/1245Geodesic lenses

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Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は光通信または光情報処理などに用いる光導波路
レンズの製造方法に関するものである。
従来の技術 集積光学系において光導波路レンズは集束光と平行光と
の変換またはフーリエ変換などの機能を持ち必要不可欠
な構成要素となっている。第3図に光導波路レンズの一
種であるルネブルクレンズの構成を示す(レーザ研究、
昭和55年7月号P636参照)。ここで1はSi基板、2はバ
ッファであるSiO2層、3は光導波層となるガラス層、
5′はSi3N4などで形成されている光導波路レンズであ
る。ガラス層3の屈折率はSiO2層2よりも大きく、さら
に光導波路レンズ5′の屈折率はガラス層3よりも大き
い。このため光導波路レンズ5′の中心軸近傍の波面の
伝達速度は周辺部に比べて遅くなり集束作用が生じる。
次に上述のルネブルクレンズによる光導波路レンズの製
造方法について図面を用いて説明を行う。第4図はその
製造方法を示した斜視図である。中心部分が盛り上った
おわん状の高屈折率部である光導波路レンズ5′を蒸着
により形成する。蒸発源と基板との距離が充分であれば
蒸発分子は基板に垂直に飛来する。この際、変形マスク
7を回転させながら蒸発することにより、中心部分が盛
り上ったおわん状の高屈折率部である光導波路レンズ
5′がガラス層3上に形成される。
発明が解決しようとする問題点 以上のように蒸着時にマスクを回転させることにより作
製される光導波路レンズは1回の蒸着により個の光導波
路レンズしか作成できなかった。さらに、蒸着では質の
良い膜の形成が困難で光導波路レンズ部で伝搬ロスを生
じていた。
問題点を解決するための手段 本発明の光導波路レンズの製造方法は以上の問題点を解
決するためになされたものであり、レーザ光を用いた光
CVD法により、前記レーザ光を基板に照射し、前記レー
ザ光のガウス分布形状に従って、前記基板上におわん状
の高屈折率部を形成するものである。
作用 光強度がガウス分布を持つレーザ光を用いて、このレー
ザによるCVD法で膜の堆積をガウス分布にし光導波路レ
ンズが簡単に製造できる。
実 施 例 本発明の光導波路レンズの製造方法の一実施例を第1図
に示す。第1図(a)で1はSi基板、2は熱酸化により
形成されたSiO2層、3はスパッタ蒸着により形成された
多成分を含んだガラス層、4はArFエキシマレーザ光で
あり、これらはNH3,SiH4ガス中に置かれている。NH3,Si
H4の各反応ガスはArFエキシマレーザ光4により光励起
されて 4NH3+3SiH4→Si3N4+12H2↑ という反応により第1図(b)のようにSi3N4層5が、
ガラス層3上に堆積されていく。この際ArFエキシマレ
ーザ4はガウス分布しているため堆積されるSi3N4層5
の膜厚もガウス分布を持つこととなる。
第2図は本発明の光導波路レンズの製造方法により製造
された光導波路レンズの斜視図である。ガラス層3の屈
折率は1.52,これに対してSiO2層の屈折率は1.47である
ので光はガラス層3中を伝搬可能となる。He−Neレーザ
光6(波長0.63μm)を平行光にしガラス層3中を伝搬
させた。このHe−Neレーザ光6のビーム幅は1mmであ
り、中心部厚み0.8μm,屈折率1.92のSi3N4層5を通過後
10μmまで集光された。光導波層であるガラス層3に対
して高屈折率部となっているSi3N4層5は光導波路レン
ズとして作用したのである。
なお本実施例では光導波層としてガラス,高屈折率部と
してSi3N4を使用したが、高屈折率部が光導波層よりも
高い屈折率を有する組み合せであれば良い。
発明の効果 以上述べたように本発明の光導波路レンズによれば、レ
ーザ光によるCVD法で簡単に光導波路レンズが製造可能
であり、量産性大である。さらにCVD法により膜が形成
されるため良質の伝搬ロスの少ない光導波路レンズが得
られる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の光導波路レンズの製造方法の一実施例
を示す工程図、第2図は本発明の光導波路レンズの一実
施例の斜視図、第3図は従来のルネブルクレンズによる
光導波路レンズの斜視図、第4図は従来の光導波路レン
ズの製造方法を示す斜視図である。 1……Si基板、2……SiO2層、3……ガラス層、4……
ArFエキシマレーザ光、5……Si3N4層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 久保 実 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 石川 澄江 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 古賀 啓介 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭56−113107(JP,A) 特開 昭57−132103(JP,A) 特開 昭57−163204(JP,A)

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】レーザ光を用いた光CVD法により、前記レ
    ーザ光を基板に照射し、前記レーザ光のガウス分布形状
    に従って、前記基板上におわん状の高屈折率部を形成す
    ることを特徴とする光導波路レンズの製造方法。
JP60029597A 1985-02-18 1985-02-18 光導波路レンズの製造方法 Expired - Lifetime JPH0727089B2 (ja)

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JPS57132103A (en) * 1981-02-09 1982-08-16 Nec Corp Production of optical waveguide path on glass substrate
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