JPH07276866A - Ｉｃメモリ装置ならびにその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 実装高さが低く、かつ容易に実装でき、薄い
ベアチップＩＣも実装可能なＩＣメモリ装置ならびにそ
の製造方法を提供することにある。 【構成】 導電パターン５を有するプリント配線基板１
と、そのプリント配線基板１上に固定されたベアチップ
ＩＣ４と、そのベアチップＩＣ４とプリント配線基板１
との間に配置された電気絶縁性の支持シート７と、その
支持シート７上に形成されてベアチップＩＣ４の電極部
４ｃとプリント配線基板１の端子部５ａとの間を電気的
に接続する導電薄膜１２とを備えたことを特徴とするも
のである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、例えばＩＣカードやＩ
Ｃラベルなどのメモリ装置に係り、特にその構造と製造
方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来のメモリカードでは、ベアチップＩ
Ｃと導電パターンの接続にワイヤーボンディング法、ま
たはＴＡＢやエリアＴＡＢテープにおける半田バンプに
よるボンディング法が用いられていた。

【０００３】図４０はワイヤーボンディング法によるベ
アチップＩＣ１００と導電パターン１０１の接続状態を
示す図で、プリント基板１０２の所定位置に凹部１０３
が形成され、その内側に接着剤層１０４を介してベアチ
ップＩＣ１００が固定されている。ベアチップＩＣ１０
０の電極部とプリント基板１０２上に形成された導電パ
ターン１０１の端子部とは金ワイヤー１０５を介して接
続されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところが、前記ワイヤ
ーボンディング法では金ワイヤー１０５の折曲げ部分１
０６があり、それが約１００μｍ以上突出しているた
め、実装高さを低くすることができない。また、ワイヤ
ーボンディング時にはベアチップＩＣ１００の電極部に
局部的なストレスがかかり、特にベアチップＩＣ１００
が薄くなったときに電極部へのストレスが顕著であるな
どの欠点を有している。

【０００５】前記半田バンプによるボンディング法で
は、電極部を加熱加圧するため位置精度が出にくく、実
用化されていない。

【０００６】本発明の目的は、このような従来技術の問
題点を解消し、実装高さが低く、かつ容易に実装でき、
薄いベアチップＩＣも実装可能なＩＣメモリ装置ならび
にその製造方法を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、第１の本発明は、導電パターンを有するプリント配
線基板と、そのプリント配線基板上に固定されたベアチ
ップＩＣと、そのベアチップＩＣとプリント配線基板と
の間に配置された電気絶縁性の支持シートと、その支持
シート上に形成されてベアチップＩＣの電極部とプリン
ト配線基板の端子部との間を電気的に接続する導電薄膜
とを備えたＩＣメモリ装置を構成することを特徴とする
ものである。

【０００８】上記目的を達成するため、第２の本発明
は、少なくともベアチップＩＣの電極部と対応する位置
に電極部側孔が形成された電気絶縁性の支持シートと、
電極部が前記電極部側孔と対応するように前記支持シー
トに固定されたベアチップＩＣと、その支持シート上に
形成され前記孔を通してベアチップＩＣの電極部と電気
的に接続された導電薄膜とを備えたことを特徴とするも
のである。

【０００９】上記目的を達成するため、第３の本発明
は、支持シートの少なくとも片面に所定の導電パターン
を形成し、加圧状態で厚さ方向に導電性を有する異方導
電性フィルムを介して前記導電パターン側にベアチップ
ＩＣを圧接した状態で支持シートにベアチップＩＣを固
定し、異方導電性フィルムの一部を介してベアチップＩ
Ｃの電極側と導電パターンの端子部側とを電気的に接続
したことを特徴とするものである。

【００１０】上記目的を達成するため、第４の本発明
は、少なくとも信号送受信用のコイル状導電パターンを
有するプリント配線基板と、 そのプリント配線基板上
に固定されたベアチップＩＣと、そのベアチップＩＣと
プリント配線基板との間に配置された電気絶縁性の支持
シートと、その支持シート上に形成されてベアチップＩ
Ｃの電極部とプリント配線基板の導電パターン端子部と
の間を電気的に接続する導電薄膜とを備えたことを特徴
とするものである。

【００１１】上記目的を達成するため、第５の本発明
は、少なくともベアチップＩＣの電極部と対応する位置
に孔が形成された電気絶縁性の支持シートと、電極部が
前記孔と対応するように前記支持薄膜に固定されたベア
チップＩＣと、その支持シート上に形成され前記孔を通
してベアチップＩＣの電極部と電気的に接続されて一部
に少なくとも信号送受信用のコイル部を形成した導電薄
膜とを備えたことを特徴とするものである。

【００１２】上記目的を達成するため、第６の本発明
は、少なくとも信号送受信用のコイル状導電パターンを
有するプリント配線基板と、そのプリント配線基板上に
固定されたベアチップＩＣと、そのベアチップＩＣとプ
リント配線基板との間に配置された電気絶縁性の支持シ
ートと、その支持シート上に形成されてベアチップＩＣ
の電極部とプリント配線基板の導電パターン端子部との
間を電気的に接続する導電薄膜と、前記支持シートの片
面に形成された粘着剤層とを備えたことを特徴とするも
のである。

【００１３】上記目的を達成するため、第７の本発明
は、少なくともベアチップＩＣの電極部と対応する位置
に孔が形成された電気絶縁性の支持シートと、電極部が
前記孔と対応するように前記支持薄膜に固定されたベア
チップＩＣと、その支持シート上に形成され前記孔を通
してベアチップＩＣの電極部と電気的に接続されて一部
に少なくとも信号送受信用のコイル部を形成した導電薄
膜と、前記支持シートの片面に形成された粘着剤層とを
備えたことを特徴とするものである。

【００１４】上記目的を達成するため、第８の本発明
は、導電パターンを有するプリント配線基板上にベアチ
ップＩＣを固定する工程と、レジスト膜を有する電気絶
縁性の支持シートを、前記ベアチップＩＣからプリント
配線基板の導電パターンの間にかけて固定する工程と、
前記レジスト膜の少なくともベアチップＩＣの電極部か
らプリント配線基板の端子部にかけて所定の形状に除去
する除去工程と、前記支持シートのベアチップＩＣの電
極部ならびにプリント配線基板の端子部と対応する位置
に、電極部側孔ならびに端子部側孔をそれぞれ形成する
工程と、その支持シートのレジスト膜が除去されている
表面に導電性コート膜を形成する工程とを含み、その導
電性コート膜の形成時に前記電極部側孔ならびに端子部
側孔から露呈している電極部ならびに端子部上にも導電
性コート膜を形成し、その導電性コート膜により電極部
と端子部とが電気的に接続されることを特徴とするもの
である。

【００１５】上記目的を達成するため、第９の本発明
は、電気絶縁性の支持シートと、その上に形成された所
定のパターンを有する導電薄膜と、その導電薄膜ならび
に導電薄膜が形成されていない支持シートの表面を覆う
ように形成されたレジスト膜とからなる支持シート−導
電薄膜−レジスト膜の積層体を構成する工程と、導電パ
ターンを有するプリント配線基板上にベアチップＩＣを
固定する工程と、前記積層体のベアチップＩＣの電極部
ならびにプリント配線基板の端子部と対応する位置に、
電極部側孔ならびに端子部側孔を予めそれぞれ形成する
工程と、その積層体を前記ベアチップＩＣからプリント
配線基板の導電パターンの間にかけて固定する工程と、
前記レジスト膜上から前記電極部側孔ならびに端子部側
孔にかけて導電性コート膜を形成する工程と、そのレジ
スト膜ならびにレジスト膜上に形成されている導電性コ
ート膜の部分を除去する工程とを含み、前記導電薄膜と
前記電極部側孔ならびに端子部側孔に形成された導電性
コート膜により電極部と端子部とが電気的に接続される
ことを特徴とするものである。

【００１６】上記目的を達成するため、第１０の本発明
は、導電パターンを有するプリント配線基板上にベアチ
ップＩＣを固定する工程と、上に剥離シートを貼合わせ
た支持シートを前記ベアチップＩＣからプリント配線基
板の導電パターンの間にかけて固定する工程と、前記剥
離シートのうちの少なくともベアチップＩＣの電極部か
らプリント配線基板の端子部にかかる部分を所定の形状
に除去するとともに、支持シートのベアチップＩＣの電
極部ならびにプリント配線基板の端子部と対応する位置
に、電極部側孔ならびに端子部側孔をそれぞれ形成する
工程と、前記剥離シートの残り部分、支持シートの露呈
部分ならびに前記電極部側孔ならびに端子部側孔にかけ
て導電性コート膜を形成する工程と、前記剥離シートの
残り部分を支持シートから剥離する工程とを含み、その
剥離によって前記電極部側孔から支持シートならびに端
子部側孔にかけて残った導電性コート膜により電極部と
端子部とが電気的に接続されることを特徴とするもので
ある。

【００１７】上記目的を達成するため、第１１の本発明
は、導電パターンを有するプリント配線基板上にベアチ
ップＩＣを固定する工程と、金属支持薄板の両面にレジ
スト膜を形成して積層体を構成する工程と、前記下側レ
ジスト膜の前記ベアチップＩＣの電極部ならびにプリン
ト配線基板の端子部と対応する位置に、電極部側孔なら
びに端子部側孔をそれぞれ形成する工程と、前記上側レ
ジスト膜の前記電極部と端子部までの接続領域と対応す
る位置に開口を形成する工程と、前記金属支持薄板の前
記開口の周囲を上側レジスト膜よりも若干内側まで除去
する工程と、前記積層体を前記ベアチップＩＣからプリ
ント配線基板の導電パターンの間に配置し、前記下側レ
ジスト膜の電極部側孔をベアチップＩＣの電極部上に、
端子部側孔をプリント配線基板の端子部上に配置して固
定する工程と、前記上側レジスト膜の表面と、その上側
レジスト膜の開口から露呈している下側レジスト膜の表
面ならびに電極部側孔、端子部側孔にかけてそれぞれ導
電性コート膜を形成する工程とを含み、前記上側レジス
ト膜の開口から露呈している下側レジスト膜の表面なら
びに電極部側孔、端子部側孔にかけて形成された導電性
コート膜によって電極部と端子部とが電気的に接続さ
れ、前記上側レジスト膜の表面に形成された導電性コー
ト膜を静電防止シールド膜とすることを特徴とするもの
である。

【００１８】上記目的を達成するため、第１２の本発明
は、電気絶縁性の支持シートに少なくともベアチップＩ
Ｃの電極部と対応する位置に電極部側孔を形成する工程
と、ベアチップＩＣの電極部が前記電極部側孔と対応す
るように、前記支持シート上にベアチップＩＣを固定す
る工程と、その支持シート上ならびに前記電極部側孔内
に導電薄膜を形成する工程とを含み、その導電薄膜によ
って電極部と端子部とが電気的に接続されたことを特徴
とするものである。

【００１９】上記目的を達成するため、第１３の本発明
は、電気絶縁性の支持シートに導電パターンを形成する
工程と、異方導電性接着フィルムを介して前記導電パタ
ーン側にベアチップＩＣを圧接して、その異方導電性接
着フィルムによって前記支持シート上にベアチップＩＣ
を固定する工程とを含み、そのベアチップＩＣの電極部
が異方導電性接着フィルムを介して前記導電パターンの
端子部と電気的に接続されたことを特徴とするものであ
る。

【００２０】

【作用】前記第１の本発明は前述のように、ベアチップ
ＩＣの電極部とプリント配線基板の端子部とを支持シー
ト上に形成した導電薄膜で電気的に接続するため、従来
のワイヤボンディングによる接続に比較すると薄型化が
可能で、しかもベアチップＩＣの電極部でのストレスの
発生がなく、品質の安定したＩＣメモリ装置が提供でき
る。

【００２１】前記第２、３の本発明は前述のように、支
持シートにベアチップＩＣが支持されるからプリント配
線基板が不要となる。また支持シート上に形成された導
電薄膜によって所望の導電パターンが形成され、その導
電薄膜の一部がベアチップＩＣの電極部と電気的に接続
されるから、従来のワイヤボンディングによる接続に比
較すると薄型化が可能で、しかもベアチップＩＣの電極
部でのストレスの発生がなく、品質の安定したＩＣメモ
リ装置が提供できる。

【００２２】前記第４の本発明は前述のような構成にな
っており、前記第１の発明と同様に薄型化が可能で、し
かも品質の安定したＩＣカードが提供できる。

【００２３】前記第５の本発明は前述のような構成にな
っており、前記第２の発明と同様に薄型化が可能で、し
かも品質の安定したＩＣカードが提供できる。

【００２４】前記第６の本発明は前述のような構成にな
っており、前記第１の発明と同様に薄型化が可能で貼っ
ても目立たず、しかも品質の安定したＩＣラベルが提供
できる。

【００２５】前記第７の本発明は前述のような構成にな
っており、前記第２の発明と同様に薄型化が可能で貼っ
ても目立たず、しかも品質の安定したＩＣラベルが提供
できる。

【００２６】前記第８ないし第１１の本発明は前述のよ
うに、ベアチップＩＣの電極部とプリント配線基板の端
子部とを支持シート上に形成した導電薄膜で電気的に接
続するため、従来のワイヤボンディングによる接続に比
較すると薄型化が可能で、しかもベアチップＩＣの電極
部でのストレスの発生がなく、品質の安定したＩＣメモ
リ装置の製造方法が提供できる。

【００２７】前記第１２、１３の発明は前述のように、
支持シートにベアチップＩＣが支持されるからプリント
配線基板が不要となる。また支持シート上に形成された
導電薄膜によって所望の導電パターンが形成され、その
導電薄膜の一部がベアチップＩＣの電極部と電気的に接
続されるから、従来のワイヤボンディングによる接続に
比較すると薄型化が可能で、しかもベアチップＩＣの電
極部でのストレスの発生がなく、品質の安定したＩＣメ
モリ装置の製造方法が提供できる。

【００２８】

【実施例】次に本発明の実施例を図とともに説明する。
図１ないし図７は第１実施例に係る製造方法を説明する
ための断面図である。

【００２９】図１に示すようにプリント配線基板１の所
定位置には凹部２が形成され、その内側には例えばエポ
キシ樹脂などからなる接着剤層３を介してベアチップＩ
Ｃ４が固定されている。図中の４ａはＳｉ基板、４ｂは
二酸化ケイ素層、４ｃはアルミニウム電極部、４ｄはア
ルミニウム電極部４ｃの表面に形成されている酸化アル
ミニウム膜である。５は前記プリント基板１の上に形成
された銅などからなる導電パターンである。

【００３０】図２に示すように、上面にフォトレジスト
膜６を形成したプラスチックフィルム７をベアチップＩ
Ｃ４から導電パターン５にかけて覆うように接着する。
前記支持シート７としては、例えばポリエチレンテレフ
タレート、ポリイミド、ポリアミド、ポリエチレン、ポ
リプロピレン、塩化ビニルなど各種のプラスチックシー
ト、ゴムシート、ガラス−エポキシ板などが使用でき
る。

【００３１】次に図３に示すように、ベアチップＩＣ４
の各電極部４ｃとそれと接続されるべき導電パターン５
の端子部５ａとの間にわたってそれぞれ開口８を有する
マスク９をフォトレジスト膜６上に配置し、露光１０し
て現像することにより、各電極部４ｃとそれと接続され
るべき端子部５ａとの間に対応するフォトレジスト膜６
を除去する。

【００３２】そして図４に示すように、支持シート７の
各電極部４ｃと端子部５ａと対応する位置に、例えばレ
ーザ光を照射して電極部側孔１１ａならびに端子部側孔
１１ｂを開け、引続き図５に示すように電極部４ｃの表
面に形成されている酸化アルミニウム膜４ｄを、例えば
ドライエッチングなどの方法で除去する。この除去後の
状態が図５に示されている。

【００３３】しかる後、露出している支持シート７の部
分から孔１１ａ，１１ｂを中心にして導電性被着膜１２
を一様に形成する。この導電性被着膜１２を形成するド
ライコーティングには化学蒸着（ＣＶＤ）と物理蒸着
（ＰＶＤ）とがあり、さらに物理蒸着（ＰＶＤ）には真
空蒸着、イオンプレーティング、スパッタリングなどの
方法がある。また蒸着物質としては、例えばＣｕ、Ｎ
ｉ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｗ、Ｍｏなどの各
種金属、あるいは金属化合物またはこれらの組合せなど
がある。この組合せの具体例を示せば、下地膜がＣｕ、
中間膜がＮｉ、最上膜がＡｕで構成されている。この導
電性被着膜１２の形成により、各電極部４ｃと端子部５
ａとが電気的に接続される。

【００３４】そして図７に示すように、残りのフォトレ
ジスト膜６とその上に形成されている導電性被着膜１２
を除去することにより、ＩＣモジュールを得ることがで
きる。本実施例の場合、前記支持シート７として３．５
μｍのものが、また、導電性被着膜１２の膜厚は２μｍ
であるから、ベアチップＩＣ４から突出する量は５．５
μｍで、従来のワイヤーボンディング法の場合の突出量
の１００μｍに較べると約１８分の１に減少している。

【００３５】なお、ベアチップＩＣ４の活性面（電極部
４ｃを有する面）とプリント配線基板１の回路形成面と
をほぼ同じ高さにすることにより、導電性被着膜１２の
形成量が少なくなるため、信頼性が向上し、また製造が
容易となるというメリットがある。

【００３６】図８ないし図１３は、本発明の第２実施例
を説明するための図である。この実施例の場合、図８に
示すように支持シート７の表面に予め導電薄膜１３をパ
ターンニングし、その上にフォトレジスト膜６を形成す
る。

【００３７】次に図９に示すように、導電薄膜１３の内
周部側と外周部側に相当する支持シート７と導電薄膜１
３とフォトレジスト膜６の部分に貫通した孔１１（１１
ａ，１１ｂ）を形成するとともに、フォトレジスト膜６
の孔１１の付近も一部削除する。これら孔１１の形成と
フォトレジスト膜６の一部削除は、例えばレーザ加工に
よってなされる。

【００３８】一方、図１０に示す如くプリント配線基板
１の所定位置には凹部２が形成され、その内側には接着
剤層３を介してベアチップＩＣ４が固定されている。

【００３９】次に前述の孔１１を形成した支持シート７
−フォトレジスト膜６−導電薄膜１３の積層体を図１１
に示すように、支持シート７を下にしてベアチップＩＣ
４から導電パターン５にかけて接着する。この接着時、
電極部側孔１１ａがベアチップＩＣ４の電極部４ｃと、
端子部側孔１１ｂが導電パターン５の端子部５ａと、そ
れぞれ対向するように位置決めされる。

【００４０】しかる後、電極部側孔１１ａから端子部側
孔１１ｂにかけイオンプレーティングなどで導電性被着
膜１２を一様に形成して、ベアチップＩＣ４の電極４ｃ
と導電パターン５の端子部５ａとを前記導電薄膜１３と
導電性被着膜１２で電気的に接続する。そして図１３に
示す如く、残りのフォトレジスト膜６とその上に形成さ
れている導電性被着膜１２を除去することにより、薄型
のＩＣモジュールが得られる。

【００４１】図１４ないし図１８は、本発明の第３実施
例を説明するための図である。この実施例の場合は図１
４に示すように、プリント配線基板１の所定位置には凹
部２が形成され、その内側には接着剤層３を介してベア
チップＩＣ４が固定されている。

【００４２】そして支持シート７の上に剥離シート１４
を貼った複合体を、図１５に示すように支持シート７を
下にしてベアチップＩＣ４から導電パターン５にかけて
接着する。つぎに図１６に示す如くベアチップＩＣ４の
電極４ｃと、導電パターン５の端子部５ａにそれぞれ対
向する部分の支持シート７と剥離シート１４にレーザ加
工により貫通した孔１１ａ，１１ｂを形成するととも
に、内周側の電極部側孔１１ａと外周側の端子部側孔１
１ｂとの間にある剥離シート１４を除去する。

【００４３】次いで図１７に示す如く、電極部側孔１１
ａから端子部側孔１１ｂにかけイオンプレーティングな
どで導電性被着膜１２を一様に形成して、ベアチップＩ
Ｃ４の電極部４ｃと導電パターン５の端子部５ａとを導
電性被着膜１２で電気的に接続する。そして図１８に示
すように、残りの剥離シート１４とその上に形成されて
いる導電性被着膜１２を除去することにより、薄型のＩ
Ｃモジュールが得られる。

【００４４】図１９ないし図２５は、本発明の第４実施
例を説明するための図である。この実施例の場合は図１
９ならびに図２０に示すように、例えばステンレス箔な
どの金属支持薄板１５の上下両面にフォトレジスト膜６
ａ、６ｂを一様に形成したシート状の複合体を使用す
る。

【００４５】そして上面フォトレジスト膜６ａと金属支
持薄板１５の、後述するベアチップＩＣ４の電極部４ｃ
と端子部５ａまでの接続領域と対向する部分に長方形の
開口１６を形成するとともに、下面フォトレジスト膜６
ｂの前記電極部４ｃと端子部５ａと対向する部分に孔１
１ａ，１１ｂが形成されている。

【００４６】このように開口１６と孔１１ａ，１１ｂを
形成した後、図２０に示すようにエッチングにより金属
支持薄板１５の開口１６の周囲を上面フォトレジスト膜
６ａよりも約１ｍｍ程度内側まで除去する。

【００４７】一方、図２１ならびに図２２に示す如くプ
リント配線基板１の所定位置に凹部２が形成され、その
内側には接着剤層３を介してベアチップＩＣ４が固定さ
れている。このベアチップＩＣ４の各電極部４ｃ上に
は、ボールバンプ１７がベアチップＩＣ４の上面より若
干突出するように形成されている。

【００４８】つぎに前記下面フォトレジスト膜６ｂ−金
属支持薄板１５−上面フォトレジスト膜６ａの積層体を
図２３ならびに図２４に示すように、下面フォトレジス
ト膜６ｂが下側になるようにしてベアチップＩＣ４から
導電パターン５上にかけて接着する。この接着時にボー
ルバンプ１７が、前記複合体の位置決め部として機能す
る。

【００４９】しかる後図２５に示すように、上面フォト
レジスト膜６ａ、金属支持薄板１５、下面フォトレジス
ト膜６ｂならびにボールバンプ１７にかけて導電性被着
膜１２が形成され、この導電性被着膜１２を介してベア
チップＩＣ４と導電パターン５が電気的に接続される。

【００５０】また上面フォトレジスト膜６ａの上に形成
された導電性被着膜１２ａをそのまま残すことにより、
静電気防止用シールドとして利用することができる。こ
の導電性被着膜１２ａと下面フォトレジスト膜６ｂ上に
形成された導電性被着膜１２とを確実に離すため、前述
のように金属支持薄板１５の開口１６付近が予めエッチ
ングで除去されている。

【００５１】なお、前述のように静電気防止用シールド
として導電性被着膜を形成することは、本発明の他の実
施例にも適用可能である。

【００５２】図２６ないし図３０は、本発明の第５実施
例を説明するための図である。

【００５３】前述の各実施例ではプリント配線基板１を
使用したが、この実施例ではプリント配線基板１を省略
している。

【００５４】すなわち図２６に示すようにベアチップＩ
Ｃ４を取り付けるための所定数の孔１１ならびにスルー
ホール１８などを形成したポリイミドやガラス−エポキ
シなどからなる支持シート（プラスチックシート）７を
使用し、その上下両面にフォトレジスト膜６ａ、６ｂを
形成して、露光し、現像することにより所望の部分を除
去したレジストパターンを得て、無電解メッキのための
前処理を施す（図２７参照）。

【００５５】つぎに図２８に示す如く、電極部４ｃ上に
ボールバンプ１７を形成したベアチップＩＣ４を準備し
て、そのボールバンプ１７を前記支持シート７の孔１１
に挿入して位置決めし、ベアチップＩＣ４を支持シート
７に接着する。

【００５６】ついで図２９に示すように、上下両面のフ
ォトレジスト膜６ａ、６ｂをそれぞれメッキ用マスク１
９で覆う。このマスク１９には所望の導電パターンに対
応する開口部２０が形成され、この開口部２０の形状は
前述のフォトレジスト膜６ａ、６ｂの除去された部分の
形状と同一である。なお、同図の斜線部分は、上側マス
ク１９で覆われた領域を示している。

【００５７】この状態で銅の無電解メッキを施すことに
より、図３０に示すように支持シート７の上下面に導電
性被着膜１２が形成される。この導電性被着膜１２の一
部は前記ボールバンプ１７と接触するとともに、導電性
被着膜１２の他の部分は例えばコイル状などの所望の導
電パターンを形成している。

【００５８】このようにベアチップＩＣ４と支持シート
７を接着剤で接着することによりモジュールの薄型化が
図れ、またベアチップＩＣ４と支持シート７間を密着す
ることができ、外部応力に強いＩＣモジュールを得るこ
とができる。

【００５９】この例では無電解銅メッキの場合について
説明したが、その他無電解ニッケルメッキ、無電解金メ
ッキ、あるいはこれらの組合せでもよい。また無電解メ
ッキの代わりに例えばパラジウム系や有機導電性ポリマ
ーのダイレクトプレイティングによって導電パターンを
形成することも可能である。

【００６０】なおこの実施例ではスルーホール１８を有
する配線例を示したが、支持シート７の上面にだけ配線
する場合には、支持シート７の上面にフォトレジスト膜
６ａを形成すればよい。

【００６１】図３１ないし図３４は、本発明の第６実施
例を説明するための図である。

【００６２】この実施例の場合、例えばガラス−エポキ
シ板やプラスチックシートなどからなる支持シート７の
片面またはスルーホールを介して両面には図３１に示す
ように導電パターン５が形成され、導電パターン５が形
成されていない表面にはフォトレジスト膜６が形成され
ている。

【００６３】この支持シート７の導電パターン形成面側
には、異方導電性接着フィルム６０を介してベアチップ
ＩＣ４が接着されている。この異方導電性接着フィルム
６０は図３３に示すように熱硬化性樹脂からなるベース
レジン６１中に所定の粒度分布を有する例えばカーボ
ン、銀、銅、銀などからなる導電性微粒子が均一に分散
されており、無加圧状態では導電性微粒子の殆どが独立
に分散したいるため、厚さ方向ならびに面内方向に電気
絶縁性を有している。この異方導電性接着フィルム６０
を局部的に厚さ方向に加圧すると、導電性微粒子が互い
に接触して加圧部分だけに厚さ方向に導電性を有し（接
続抵抗：約０．５Ω）、面内方向は電気絶縁性を保持す
る（絶縁抵抗：約１０¹⁰Ω）。

【００６４】本実施例の場合図３２、図３４に示すよう
にベアチップＩＣ４の電極部４ｃ上にはボールバンプ１
７が形成されて、そのボールバンプ１７の先端部がベア
チップＩＣ４の活性面（電極部４ｃが形成されている側
の面）から突出しているから、異方導電性接着フィルム
６０を介してベアチップＩＣ４を支持シート７側に圧接
すれば、ボールバンプ１７と接触する異方導電性接着フ
ィルム６０の部分が局部的に厚さ方向に加圧される。そ
してその部分で導電性が付与でき、ベアチップＩＣ４の
電極部４ｃと導電パターン５の端子部５ａが電気的に接
続される。

【００６５】またこのベアチップＩＣ４と支持シート７
との間に挟持された異方導電性接着フィルム６０を熱硬
化させることによって０．８ｋｇｆ／ｃｍ程度接着力が
得られるから、ベアチップＩＣ４を支持シート７にしっ
かりと固定できるとともに、ボールバンプ１７と導電パ
ターン５との間の異方導電性接着フィルム６０の圧縮状
態がそのまま保持できる。

【００６６】なおこの異方導電性接着フィルム６０の使
用可能温度範囲は−４０〜１００℃、使用可能電流は５
０ｍＡ／ｍｍ² 以下、使用可能電圧は５０Ｖ以下であ
る。

【００６７】以上の実施例１〜６ではベアチップＩＣを
内蔵したＩＣモジュールの製造方法について説明した
が、次の実施例からはそのＩＣモジュールの適用例につ
いて説明する。

【００６８】図３５ないし図３７は、前述のＩＣモジュ
ールをＩＣカードに適用した例を示す図で、図３５はＩ
Ｃカードの分解斜視図、図３６はＩＣカードの拡大断面
図、図３７はそのＩＣカードとリーダライタの回路構成
図である。

【００６９】前述の実施例１〜６で説明したようにベア
チップＩＣを内蔵し、表面に導電パターンからなるコイ
ル２１（実際には１個のコイルで給電とデータの送受信
を行う場合と、図３７で示すように複数のコイルを使用
する場合がある）を形成した薄板状のＩＣモジュール２
２と、ポリエチレンテレフタレートなどからなる上側保
護シート２３ａならびに下側保護シート２３ｂと、ホッ
トメルト接着剤層２４（図３６参照）との積層体からＩ
Ｃカード２５が構成されている。

【００７０】実施例１〜６に示すＩＣモジュールは、ワ
イヤボンディングを使用した場合に比べ薄型化が可能と
なるため、保護シートの厚さを十分にとることができ、
強度向上につながる。さらにチップの薄型化が進んだ場
合には、さらにその効果は増大することとなる。

【００７１】図３７に示すようにＩＣカード２５は、パ
ワーコイル２６、電源回路２７、パワーオン回路２８、
送信データコイル２９、データドライバ３０、変調回路
３１、受信データコイル３２、データレシーバ３３、復
調回路３４、タイミング再生回路３５、コントローラ３
６、メモリ３７などから構成されている。

【００７２】一方、このＩＣカード２５を装着するリー
ダライタ３８は、パワーコイル３９、ドライバ回路４
０、送信データコイル４１、データドライバ４２、変調
回路４３、受信データコイル４４、データレシーバ４
５、復調回路４６、タイミング補正回路４７、コントロ
ーラ４８などから構成されている。

【００７３】図に示すようにＩＣカード２５側のパワー
コイル２６、送信データコイル２９、受信データコイル
３２が、リーダライタ３８側のパワーコイル３９、送信
データコイル４１、受信データコイル４４とそれぞれ近
接して対向することにより、ＩＣカード２５とリーダラ
イタ３８の間で電磁的に電力の供給ならびに信号の授受
が行われる。

【００７４】この実施例のようにコイル２１（パワーコ
イル２６、送信データコイル２９、受信データコイル３
２）を形成したＩＣモジュール２２の表面を保護シート
２３で覆うことにより、コイル２１への塵埃類や油脂な
どの付着による汚れや損傷が有効に防止できる。

【００７５】図３８ならびに図３９は、前述のＩＣモジ
ュールの適用例を示す図で、図３８はＩＣラベルの拡大
断面図、図３９はそのＩＣラベルを貼着した製品の斜視
図である。

【００７６】前述の実施例１〜６で説明したようにベア
チップＩＣを内蔵し、表面に導電パターンからなるコイ
ルを形成したＩＣモジュール２２の上下両面に接着剤層
４９を介して、例えばポリエチレンテレフタレートなど
からなる保護シート２３を貼り付ける。そして一方の保
護シート２３の表面に粘着剤層５０を形成することによ
り、ＩＣラベル５１が構成される。（図３８参照）。

【００７７】Ｓｉ基板が無いかあるいはＳｉ基板が極め
て薄いベアチップＩＣを使用することにより、上下両面
に接着剤層４９を形成したＩＣモジュール２２を約１０
０μｍ、各保護シート２３を約１００μｍ、粘着剤層５
０を約１００μｍで構成することができるから、ＩＣラ
ベル５１の総厚は約４００μｍの極く薄いものとなり、
貼っても目立たず、曲面でも貼着が可能なフレキシブル
性を有している。

【００７８】図３９は例えばテレビジョン受像機などの
各種製品５２の適所にＩＣラベル５１を貼着した状態を
示す図で、このＩＣラベル５１には製品５２に関する情
報（例えば各種構成部品の材料記号、ロット番号や製造
ロット番号、各種検査結果、価格などの各種情報）が記
憶されており、製品５２に故障などのトラブルが生じた
時にＩＣラベル５１に記憶されている情報を基にトラブ
ルの原因究明などに役立たせる。

【００７９】

【発明の効果】前記第１の本発明は前述のように、ベア
チップＩＣの電極部とプリント配線基板の端子部とを支
持シート上に形成した導電薄膜で電気的に接続するた
め、従来のワイヤボンディングによる接続に比較すると
薄型化が可能で、しかもベアチップＩＣの電極部でのス
トレスの発生がなく、品質の安定したＩＣメモリ装置が
提供できる。

【００８０】前記第２、３の本発明は前述のように、支
持シートにベアチップＩＣが支持されるからプリント配
線基板が不要となる。また支持シート上に形成された導
電薄膜によって所望の導電パターンが形成され、その導
電薄膜の一部がベアチップＩＣの電極部と電気的に接続
されるから、従来のワイヤボンディングによる接続に比
較すると薄型化が可能で、しかもベアチップＩＣの電極
部でのストレスの発生がなく、品質の安定したＩＣメモ
リ装置が提供できる。

【００８１】前記第４の本発明は前述のような構成にな
っており、前記第１の発明と同様に薄型化が可能で、し
かも品質の安定したＩＣカードが提供できる。

【００８２】前記第５の本発明は前述のような構成にな
っており、前記第２の発明と同様に薄型化が可能で、し
かも品質の安定したＩＣカードが提供できる。

【００８３】前記第６の本発明は前述のような構成にな
っており、前記第１の発明と同様に薄型化が可能で貼っ
ても目立たず、しかも品質の安定したＩＣラベルが提供
できる。

【００８４】前記第７の本発明は前述のような構成にな
っており、前記第２の発明と同様に薄型化が可能で貼っ
ても目立たず、しかも品質の安定したＩＣラベルが提供
できる。

【００８５】前記第８ないし第１１の本発明は前述のよ
うに、ベアチップＩＣの電極部とプリント配線基板の端
子部とを支持シート上に形成した導電薄膜で電気的に接
続するため、従来のワイヤボンディングによる接続に比
較すると薄型化が可能で、しかもベアチップＩＣの電極
部でのストレスの発生がなく、品質の安定したＩＣメモ
リ装置の製造方法が提供できる。

【００８６】前記第１２、１３の発明は前述のように、
支持シートにベアチップＩＣが支持されるからプリント
配線基板が不要となる。また支持シート上に形成された
導電薄膜によって所望の導電パターンが形成され、その
導電薄膜の一部がベアチップＩＣの電極部と電気的に接
続されるから、従来のワイヤボンディングによる接続に
比較すると薄型化が可能で、しかもベアチップＩＣの電
極部でのストレスの発生がなく、品質の安定したＩＣメ
モリ装置の製造方法が提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例に係るＩＣモジュールの製
造工程を説明するための断面図である。

【図２】本発明の第１実施例に係るＩＣモジュールの製
造工程を説明するための断面図である。

【図３】本発明の第１実施例に係るＩＣモジュールの製
造工程を説明するための断面図である。

【図４】本発明の第１実施例に係るＩＣモジュールの製
造工程を説明するための断面図である。

【図５】本発明の第１実施例に係るＩＣモジュールの製
造工程を説明するための断面図である。

【図６】本発明の第１実施例に係るＩＣモジュールの製
造工程を説明するための断面図である。

【図７】本発明の第１実施例に係るＩＣモジュールの製
造工程を説明するための断面図である。

【図８】本発明の第２実施例に係るＩＣモジュールの製
造工程を説明するための断面図である。

【図９】本発明の第２実施例に係るＩＣモジュールの製
造工程を説明するための断面図である。

【図１０】本発明の第２実施例に係るＩＣモジュールの
製造工程を説明するための断面図である。

【図１１】本発明の第２実施例に係るＩＣモジュールの
製造工程を説明するための断面図である。

【図１２】本発明の第２実施例に係るＩＣモジュールの
製造工程を説明するための断面図である。

【図１３】本発明の第２実施例に係るＩＣモジュールの
製造工程を説明するための断面図である。

【図１４】本発明の第３実施例に係るＩＣモジュールの
製造工程を説明するための断面図である。

【図１５】本発明の第３実施例に係るＩＣモジュールの
製造工程を説明するための断面図である。

【図１６】本発明の第３実施例に係るＩＣモジュールの
製造工程を説明するための断面図である。

【図１７】本発明の第３実施例に係るＩＣモジュールの
製造工程を説明するための断面図である。

【図１８】本発明の第３実施例に係るＩＣモジュールの
製造工程を説明するための断面図である。

【図１９】本発明の第４実施例に係るＩＣモジュールの
製造工程を説明するための平面図である。

【図２０】図１９のＡ−Ａ線上の断面図である。

【図２１】本発明の第４実施例に係るＩＣモジュールの
製造工程を説明するための平面図である。

【図２２】図２１のＢ−Ｂ線上の断面図である。

【図２３】本発明の第４実施例に係るＩＣモジュールの
製造工程を説明するための平面図である。

【図２４】図２３のＣ−Ｃ線上の断面図である。

【図２５】本発明の第４実施例に係るＩＣモジュールの
製造工程を説明するための断面図である。

【図２６】本発明の第５実施例に係るＩＣモジュールの
製造工程を説明するための断面図である。

【図２７】本発明の第５実施例に係るＩＣモジュールの
製造工程を説明するための断面図である。

【図２８】本発明の第５実施例に係るＩＣモジュールの
製造工程を説明するための断面図である。

【図２９】本発明の第５実施例に係るＩＣモジュールの
製造工程を説明するための平面図である。

【図３０】本発明の第５実施例に係るＩＣモジュールの
製造工程を説明するための断面図である。

【図３１】本発明の第６実施例に係るＩＣモジュールの
製造工程を説明するための断面図である。

【図３２】本発明の第６実施例に係るＩＣモジュールの
製造工程を説明するための断面図である。

【図３３】その第６実施例で用いる異方導電性接着フィ
ルムの無加圧状態での拡大断面図である。

【図３４】本発明の第６実施例に係るＩＣモジュールの
断面図である。

【図３５】本発明のＩＣモジュールを使用したＩＣカー
ドの分解斜視図である。

【図３６】そのＩＣカードの拡大断面図である。

【図３７】そのＩＣカードとリーダライタの回路構成図
である。

【図３８】本発明のＩＣモジュールを使用したＩＣラベ
ルの拡大断面図である。

【図３９】そのＩＣラベルを貼着した製品の斜視図であ
る。

【図４０】従来のＩＣモジュールの拡大断面図である。

【符号の説明】

１ プリント配線基板 ２ 凹部 ３ 接着剤層 ４ ベアチップＩＣ ４ｃ 電極部 ５ 導電パターン ５ａ 端子部 ６ フォトレジスト膜 ７ 支持シート １１ 孔 １２ 導電性被着膜 １３ 導電薄膜 １４ 剥離シート １５ 金属支持板 １７ ボールバンプ １８ スルーホール ２１ コイル ２２ ＩＣモジュール ２３ 保護シート ２４ ホットメルト接着剤層 ２５ ＩＣカード ２６ パワーコイル ２９ 送信データコイル ３２ 受信データコイル ４９ 接着剤層 ５０ 粘着剤層 ５１ ＩＣラベル ５２ 製品 ６０ 異方導電性接着フィルム ６１ ベースレジン ６２ 導電性微粒子

Claims (20)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 導電パターンを有するプリント配線基板
   と、そのプリント配線基板上に固定されたベアチップＩ
   Ｃと、そのベアチップＩＣとプリント配線基板との間に
   固定された電気絶縁性の支持シートと、その支持シート
   上に形成されてベアチップＩＣの電極部とプリント配線
   基板の端子部との間を電気的に接続する導電薄膜とを備
   えたことを特徴とするＩＣメモリ装置。
2. 【請求項２】 請求項１記載において、前記支持シート
   の電極部ならびに端子部と対応する位置にそれぞれ孔を
   設け、その支持シート上に形成される導電薄膜の一部を
   前記孔を通して電極部上ならびに端子部上を覆うように
   形成することにより、前記電極部と端子部とを導電薄膜
   で電気的に接続したことを特徴とするＩＣメモリ装置。
3. 【請求項３】 請求項１記載において、前記支持シート
   の電極部ならびに端子部と対応する位置にそれぞれ孔を
   設け、その支持シート上の少なくとも電極部側孔と端子
   部側孔との間に導電薄膜を形成し、この支持シートをベ
   アチップＩＣとプリント配線基板との間に配置して、前
   記電極部側孔内と端子部側孔内に前記導電薄膜と接触す
   るように導電コート膜を形成することにより、前記電極
   部と端子部とを電気的に接続したことを特徴とするＩＣ
   メモリ装置。
4. 【請求項４】 請求項１記載において、前記支持シート
   上に前記導電薄膜とは接触しない静電気防止用シールド
   導電薄膜を形成したことを特徴とするＩＣメモリ装置。
5. 【請求項５】 請求項１記載において、前記ベアチップ
   ＩＣの電極部上にボールバンプを突出せしめ、前記支持
   シートの電極部ならびに端子部と対応する位置にそれぞ
   れ孔を形成し、その電極部側孔にボールバンプを挿入す
   ることにより、ベアチップＩＣならびにプリント配線基
   板に対する支持シートの位置決めを行うことを特徴とす
   るＩＣメモリ装置。
6. 【請求項６】 少なくともベアチップＩＣの電極部と対
   応する位置に電極部側孔が形成された電気絶縁性の支持
   シートと、電極部が前記電極部側孔と対応するように前
   記支持シートに固定されたベアチップＩＣと、その支持
   シート上に形成され前記孔を通してベアチップＩＣの電
   極部と電気的に接続された導電薄膜とを備えたことを特
   徴とするＩＣメモリ装置。
7. 【請求項７】 請求項６記載において、前記ベアチップ
   ＩＣの電極部上にボールバンプを突出せしめ、前記支持
   シートの電極部と対応する位置に電極部側孔を形成し、
   その電極部側孔にボールバンプを挿入することにより、
   支持シートに対するベアチップＩＣの位置決めを行うこ
   とを特徴とするＩＣメモリ装置。
8. 【請求項８】 支持シートの少なくとも片面に所定の導
   電パターンを形成し、加圧状態で厚さ方向に導電性を有
   する異方導電性フィルムを介して前記導電パターン側に
   ベアチップＩＣを圧接した状態で支持シートにベアチッ
   プＩＣを固定し、異方導電性フィルムの一部を介してベ
   アチップＩＣの電極側と導電パターンの端子部側とを電
   気的に接続したことを特徴とするＩＣメモリ装置。
9. 【請求項９】 請求項８記載において、前記異方導電性
   フィルムが熱硬化性でかつ接着性を有していることを特
   徴とするＩＣメモリ装置。
10. 【請求項１０】 請求項８記載において、前記ベアチッ
    プＩＣの電極部上にボールバンプが突設されていること
    を特徴とするＩＣメモリ装置。
11. 【請求項１１】 少なくとも信号送受信用のコイル状
    導電パターンを有するプリント配線基板と、そのプリン
    ト配線基板上に固定されたベアチップＩＣと、そのベア
    チップＩＣとプリント配線基板との間に配置された電気
    絶縁性の支持シートと、その支持シート上に形成されて
    ベアチップＩＣの電極部とプリント配線基板の導電パタ
    ーン端子部との間を電気的に接続する導電薄膜とを備え
    たことを特徴とするＩＣカード。
12. 【請求項１２】 少なくともベアチップＩＣの電極部と
    対応する位置に孔が形成された電気絶縁性の支持シート
    と、電極部が前記孔と対応するように前記支持薄膜に固
    定されたベアチップＩＣと、その支持シート上に形成さ
    れ前記孔を通してベアチップＩＣの電極部と電気的に接
    続されて一部に少なくとも信号送受信用のコイル部を形
    成した導電薄膜とを備えたことを特徴とするＩＣカー
    ド。
13. 【請求項１３】 少なくとも信号送受信用のコイル状導
    電パターンを有するプリント配線基板と、そのプリント
    配線基板上に固定されたベアチップＩＣと、そのベアチ
    ップＩＣとプリント配線基板との間に配置された電気絶
    縁性の支持シートと、その支持シート上に形成されてベ
    アチップＩＣの電極部とプリント配線基板の導電パター
    ン端子部との間を電気的に接続する導電薄膜と、前記支
    持シートの片面に形成された粘着剤層とを備えたことを
    特徴とするＩＣラベル。
14. 【請求項１４】 少なくともベアチップＩＣの電極部と
    対応する位置に孔が形成された電気絶縁性の支持シート
    と、電極部が前記孔と対応するように前記支持薄膜に固
    定されたベアチップＩＣと、その支持シート上に形成さ
    れ前記孔を通してベアチップＩＣの電極部と電気的に接
    続されて一部に少なくとも信号送受信用のコイル部を形
    成した導電薄膜と、前記支持シートの片面に形成された
    粘着剤層とを備えたことを特徴とするＩＣラベル。
15. 【請求項１５】 導電パターンを有するプリント配線基
    板上にベアチップＩＣを固定する工程と、 レジスト膜を有する電気絶縁性の支持シートを、前記ベ
    アチップＩＣからプリント配線基板の導電パターンの間
    にかけて固定する工程と、 前記レジスト膜の少なくともベアチップＩＣの電極部か
    らプリント配線基板の端子部にかけて所定の形状に除去
    する除去工程と、 前記支持シートのベアチップＩＣの電極部ならびにプリ
    ント配線基板の端子部と対応する位置に、電極部側孔な
    らびに端子部側孔をそれぞれ形成する工程と、その支持
    シートのレジスト膜が除去されている表面に導電性コー
    ト膜を形成する工程とを含み、 その導電性コート膜の形成時に前記電極部側孔ならびに
    端子部側孔から露呈している電極部ならびに端子部上に
    も導電性コート膜を形成し、その導電性コート膜により
    電極部と端子部とが電気的に接続されることを特徴とす
    るＩＣメモリ装置の製造方法。
16. 【請求項１６】 電気絶縁性の支持シートと、その上に
    形成された所定のパターンを有する導電薄膜と、その導
    電薄膜ならびに導電薄膜が形成されていない支持シート
    の表面を覆うように形成されたレジスト膜とからなる支
    持シート−導電薄膜−レジスト膜の積層体を構成する工
    程と、 導電パターンを有するプリント配線基板上にベアチップ
    ＩＣを固定する工程と、 前記積層体のベアチップＩＣの電極部ならびにプリント
    配線基板の端子部と対応する位置に、電極部側孔ならび
    に端子部側孔を予めそれぞれ形成する工程と、 その積層体を前記ベアチップＩＣからプリント配線基板
    の導電パターンの間にかけて固定する工程と、 前記レジスト膜上から前記電極部側孔ならびに端子部側
    孔にかけて導電性コート膜を形成する工程と、 そのレジスト膜ならびにレジスト膜上に形成されている
    導電性コート膜の部分を除去する工程とを含み、 前記導電薄膜と前記電極部側孔ならびに端子部側孔に形
    成された導電性コート膜により電極部と端子部とが電気
    的に接続されることを特徴とするＩＣメモリ装置の製造
    方法。
17. 【請求項１７】 導電パターンを有するプリント配線基
    板上にベアチップＩＣを固定する工程と、 上に剥離シートを貼合わせた支持シートを前記ベアチッ
    プＩＣからプリント配線基板の導電パターンの間にかけ
    て固定する工程と、 前記剥離シートのうちの少なくともベアチップＩＣの電
    極部からプリント配線基板の端子部にかかる部分を所定
    の形状に除去するとともに、支持シートのベアチップＩ
    Ｃの電極部ならびにプリント配線基板の端子部と対応す
    る位置に、電極部側孔ならびに端子部側孔をそれぞれ形
    成する工程と、 前記剥離シートの残り部分、支持シートの露呈部分なら
    びに前記電極部側孔ならびに端子部側孔にかけて導電性
    コート膜を形成する工程と、 前記剥離シートの残り部分を支持シートから剥離する工
    程とを含み、 その剥離によって前記電極部側孔から支持シートならび
    に端子部側孔にかけて残った導電性コート膜により電極
    部と端子部とが電気的に接続されることを特徴とするＩ
    Ｃメモリ装置の製造方法。
18. 【請求項１８】 導電パターンを有するプリント配線基
    板上にベアチップＩＣを固定する工程と、 金属支持薄板の両面にレジスト膜を形成して積層体を構
    成する工程と、 前記下側レジスト膜の前記ベアチップＩＣの電極部なら
    びにプリント配線基板の端子部と対応する位置に、電極
    部側孔ならびに端子部側孔をそれぞれ形成する工程と、 前記上側レジスト膜の前記電極部と端子部までの接続領
    域と対応する位置に開口を形成する工程と、 前記金属支持薄板の前記開口の周囲を上側レジスト膜よ
    りも若干内側まで除去する工程と、 前記積層体を前記ベアチップＩＣからプリント配線基板
    の導電パターンの間に配置し、前記下側レジスト膜の電
    極部側孔をベアチップＩＣの電極部上に、端子部側孔を
    プリント配線基板の端子部上に配置して固定する工程
    と、 前記上側レジスト膜の表面と、その上側レジスト膜の開
    口から露呈している下側レジスト膜の表面ならびに電極
    部側孔、端子部側孔にかけてそれぞれ導電性コート膜を
    形成する工程とを含み、 前記上側レジスト膜の開口から露呈している下側レジス
    ト膜の表面ならびに電極部側孔、端子部側孔にかけて形
    成された導電性コート膜によって電極部と端子部とが電
    気的に接続され、 前記上側レジスト膜の表面に形成された導電性コート膜
    を静電防止シールド膜とすることを特徴とするＩＣメモ
    リ装置の製造方法。
19. 【請求項１９】 電気絶縁性の支持シートに少なくとも
    ベアチップＩＣの電極部と対応する位置に電極部側孔を
    形成する工程と、 ベアチップＩＣの電極部が前記電極部側孔と対応するよ
    うに、前記支持シート上にベアチップＩＣを固定する工
    程と、 その支持シート上ならびに前記電極部側孔内に導電薄膜
    を形成する工程とを含み、 その導電薄膜によって電極部と端子部とが電気的に接続
    されたことを特徴とするＩＣメモリ装置の製造方法。
20. 【請求項２０】 電気絶縁性の支持シートに導電パター
    ンを形成する工程と、 異方導電性接着フィルムを介して前記導電パターン側に
    ベアチップＩＣを圧接して、その異方導電性接着フィル
    ムによって前記支持シート上にベアチップＩＣを固定す
    る工程とを含み、 そのベアチップＩＣの電極部が異方導電性接着フィルム
    を介して前記導電パターンの端子部と電気的に接続され
    たことを特徴とするＩＣメモリ装置の製造方法。