JPH0727689Y2 - マイクロ波帯周波数変換装置 - Google Patents
マイクロ波帯周波数変換装置Info
- Publication number
- JPH0727689Y2 JPH0727689Y2 JP1986190899U JP19089986U JPH0727689Y2 JP H0727689 Y2 JPH0727689 Y2 JP H0727689Y2 JP 1986190899 U JP1986190899 U JP 1986190899U JP 19089986 U JP19089986 U JP 19089986U JP H0727689 Y2 JPH0727689 Y2 JP H0727689Y2
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- amplifier
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- Expired - Lifetime
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 12
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 9
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 9
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 4
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
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Landscapes
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Description
【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案はそのIF周波数帯がUHF帯以上の周波数であるマ
イクロ波帯周波数変換装置に関する。
イクロ波帯周波数変換装置に関する。
従来、この種のマイクロ波帯周波数変換装置では、周波
数変換の際に生じるIF出力側への局発幅射の抑圧方法と
して、出力端に低域通過瀘波器を挿入する、局部発
振周波数に対するIF側へのアイソレーションが充分とれ
るような回路構成の周波数混合器を選ぶ、各ユニット
間のシールドを徹底する等の方法が実施されてきた。
数変換の際に生じるIF出力側への局発幅射の抑圧方法と
して、出力端に低域通過瀘波器を挿入する、局部発
振周波数に対するIF側へのアイソレーションが充分とれ
るような回路構成の周波数混合器を選ぶ、各ユニット
間のシールドを徹底する等の方法が実施されてきた。
上述した従来の方法のうち、の方法では所要スペース
の増大やコストアップを招き、の方法では周波数混合
器の回路構成の複雑化により設計、開発に多大の時間を
要し、の方法では実装ケースの複雑化によるコストア
ップ等の欠点がある。
の増大やコストアップを招き、の方法では周波数混合
器の回路構成の複雑化により設計、開発に多大の時間を
要し、の方法では実装ケースの複雑化によるコストア
ップ等の欠点がある。
本考案のマイクロ波帯周波数変換装置は、高周波増幅器
と、前記高周波増幅器の出力を受けるイメージ阻止瀘波
器と、前記イメージ阻止瀘波器の出力をIF周波数に変換
する周波数混合器と、前記周波数混合器に局部発振信号
を供給する局部発振器と、前記周波数混合器によりIF周
波数に変換された信号を増幅するプリント基板上に構成
されたトランジスタ増幅回路よりなるIF増幅器と、前記
イメージ阻止瀘波器を除く各ユニットに電源を供給する
電源回路より構成され、前記IF増幅器を構成するトラン
ジスタ増幅回路のバイアス供給ラインとしてプリント基
板のパターンで形成された特性インピーダンスの充分高
い線路が負荷抵抗との間に配され、その先端部に高周波
特性の優れたバイパスコンデンサが接続されて、高周波
的には、等価的にマイクロストッリプライン構成の先端
短絡スタブと見なせるこの線路の線路長が前記IF周波数
帯の中心周波数の近傍の周波数にて1/4波長となり、か
つその高次の反共振周波数が前記局部発振器の発振周波
数に一致するような長さに選ばれている。
と、前記高周波増幅器の出力を受けるイメージ阻止瀘波
器と、前記イメージ阻止瀘波器の出力をIF周波数に変換
する周波数混合器と、前記周波数混合器に局部発振信号
を供給する局部発振器と、前記周波数混合器によりIF周
波数に変換された信号を増幅するプリント基板上に構成
されたトランジスタ増幅回路よりなるIF増幅器と、前記
イメージ阻止瀘波器を除く各ユニットに電源を供給する
電源回路より構成され、前記IF増幅器を構成するトラン
ジスタ増幅回路のバイアス供給ラインとしてプリント基
板のパターンで形成された特性インピーダンスの充分高
い線路が負荷抵抗との間に配され、その先端部に高周波
特性の優れたバイパスコンデンサが接続されて、高周波
的には、等価的にマイクロストッリプライン構成の先端
短絡スタブと見なせるこの線路の線路長が前記IF周波数
帯の中心周波数の近傍の周波数にて1/4波長となり、か
つその高次の反共振周波数が前記局部発振器の発振周波
数に一致するような長さに選ばれている。
このように、UHF帯以上のIF増幅回路に使用するトラン
ジスタへのバイアス供給ラインをプリント基板のパター
ンで形成し、そのラインの一端を高周波特性の優れたバ
イパスコンデンサで高周波的に短絡することにより、前
記ラインを等価的にマイクロストッリプライン構成の先
端短絡スタブと見なし、その線路長を使用周波数帯域の
特性に影響を与えない範囲で加減することにより、その
高次の反共振周波数を局発周波数に一致させIF出力側へ
の局発幅射が抑圧できる。
ジスタへのバイアス供給ラインをプリント基板のパター
ンで形成し、そのラインの一端を高周波特性の優れたバ
イパスコンデンサで高周波的に短絡することにより、前
記ラインを等価的にマイクロストッリプライン構成の先
端短絡スタブと見なし、その線路長を使用周波数帯域の
特性に影響を与えない範囲で加減することにより、その
高次の反共振周波数を局発周波数に一致させIF出力側へ
の局発幅射が抑圧できる。
次に、本考案の実施例について図面を参照して説明す
る。
る。
第１図は本考案のマイクロ波帯周波数変換装置の一実施
例の回路構成を示す図である。高周波増幅器１の出力は
イメージ阻止瀘波器２に加えられ、その出力は周波数混
合器３および局部発振器４によりIF周波数に変換されて
IF増幅器５で増幅される。また、電源回路６はイメージ
阻止瀘波器２を除く前記各ユニットへの電源を供給す
る。
例の回路構成を示す図である。高周波増幅器１の出力は
イメージ阻止瀘波器２に加えられ、その出力は周波数混
合器３および局部発振器４によりIF周波数に変換されて
IF増幅器５で増幅される。また、電源回路６はイメージ
阻止瀘波器２を除く前記各ユニットへの電源を供給す
る。
第２図は第１図に示した周波数変換装置の周波数配置を
示す図である。同図においてfSIG L,fSIG Hは入力信号の
低域および高域周波数、fLOは局部発振器４の発振周波
数、fIF L,fIF HはIF周波数の低域および高域周波数をそ
れぞれ示す。また、同図に併記されている数値は後述す
る試算で用いるGHZ単位の周波数を表わす。
示す図である。同図においてfSIG L,fSIG Hは入力信号の
低域および高域周波数、fLOは局部発振器４の発振周波
数、fIF L,fIF HはIF周波数の低域および高域周波数をそ
れぞれ示す。また、同図に併記されている数値は後述す
る試算で用いるGHZ単位の周波数を表わす。
第３図は第１図に示した周波数変換装置の中のIF増幅器
５を構成するトランジスタ増幅回路の一部を示したもの
で、電圧帰還バイアスを施したエミッタ接地一段増幅回
路である。この回路は、高周波増幅用トランジスタ51、
ベースバイアス供給用抵抗52、電源電圧VCCが加えら
れ、プリント基板上にパターンで形成されたバイアス供
給ライン53を介してトランジスタ51のコレクタに接続さ
れた負荷抵抗54、高周波に対し充分低いインピーダンス
の容量を持つバイパスコンデンサ55、それぞれ入出力の
直流阻止コンデンサ56,57で構成されている。なお、同
図では便宜上入出力整合回路や前記バイアス供給ライン
以外の各素子間の接続ラインは省略されている。
５を構成するトランジスタ増幅回路の一部を示したもの
で、電圧帰還バイアスを施したエミッタ接地一段増幅回
路である。この回路は、高周波増幅用トランジスタ51、
ベースバイアス供給用抵抗52、電源電圧VCCが加えら
れ、プリント基板上にパターンで形成されたバイアス供
給ライン53を介してトランジスタ51のコレクタに接続さ
れた負荷抵抗54、高周波に対し充分低いインピーダンス
の容量を持つバイパスコンデンサ55、それぞれ入出力の
直流阻止コンデンサ56,57で構成されている。なお、同
図では便宜上入出力整合回路や前記バイアス供給ライン
以外の各素子間の接続ラインは省略されている。
ここで、第３図に示すバイアス供給ライン53は、通常IF
周波帯への特性面での影響を避けるためにその特性イン
ピーダンスを充分高く選び、その線路長は、IF周波数の
中心周波数の1/4波長に相当する長さに選ぶのが一般的
である。
周波帯への特性面での影響を避けるためにその特性イン
ピーダンスを充分高く選び、その線路長は、IF周波数の
中心周波数の1/4波長に相当する長さに選ぶのが一般的
である。
一方、同図において、バイアス供給ライン53の一端に接
続されているバイパスコンデンサ55は高周波特性の優れ
たものを使用すれば、バイアス供給ライン53は等価的に
マイクロストリップライン構成の先端短絡スタブと見な
すことができる。先端短絡スタブはその線路長が1/4波
長の奇数倍に相当する周波数では共振特性を示し、逆に
1/4波長の偶数倍（1/2波長の整数倍）に相当する周波数
では反共振特性を示す。本考案ではこの性質を利用して
先端短絡スタブの線路長をIF周波数帯ではIF周波数帯の
近傍で1/4波長に相当し、かつその高次の反共振周波数
が局部発振周波数に一致するように選んでIF出力側への
局発幅射の抑圧を図っている。
続されているバイパスコンデンサ55は高周波特性の優れ
たものを使用すれば、バイアス供給ライン53は等価的に
マイクロストリップライン構成の先端短絡スタブと見な
すことができる。先端短絡スタブはその線路長が1/4波
長の奇数倍に相当する周波数では共振特性を示し、逆に
1/4波長の偶数倍（1/2波長の整数倍）に相当する周波数
では反共振特性を示す。本考案ではこの性質を利用して
先端短絡スタブの線路長をIF周波数帯ではIF周波数帯の
近傍で1/4波長に相当し、かつその高次の反共振周波数
が局部発振周波数に一致するように選んでIF出力側への
局発幅射の抑圧を図っている。
第４図は第２図の周波数配置に対して本考案を実施した
場合の、理想的なマイクロストリップライン構成の先端
短絡スタブ単体の通過損失の周波数特性を示す。同図の
例では、高次の反共振周波数が局発周波数10.8GHZに一
致し、かつIF帯域（0.9〜1.4GHZ）の中心周波数の近傍
で1/4波長に相当する周波数として1.35GHZを選んでい
る。すなわち、４次の反共振周波数にて局発幅射の抑圧
を図っている。
場合の、理想的なマイクロストリップライン構成の先端
短絡スタブ単体の通過損失の周波数特性を示す。同図の
例では、高次の反共振周波数が局発周波数10.8GHZに一
致し、かつIF帯域（0.9〜1.4GHZ）の中心周波数の近傍
で1/4波長に相当する周波数として1.35GHZを選んでい
る。すなわち、４次の反共振周波数にて局発幅射の抑圧
を図っている。
第５図は上述の試算モデルを用いた場合のIF周波数帯域
内の反射特性を示す図である。同図よりわかるようにIF
周波数帯域内のVSWRは比較的低い値に抑えられている。
内の反射特性を示す図である。同図よりわかるようにIF
周波数帯域内のVSWRは比較的低い値に抑えられている。
なお、上述の試算では、先端短絡スタブの特性インピー
ダンスを150Ωに選び、またプリント基板の損失は考慮
していない。
ダンスを150Ωに選び、またプリント基板の損失は考慮
していない。
第６図は先端短絡スタブの1/4波長に相当する周波数と
高次の反共振周波数の関係を次数をパラメータとして表
わしたものである。
高次の反共振周波数の関係を次数をパラメータとして表
わしたものである。
なお、以上は、トランジスタ一段構成の増幅回路への実
施例であるが、多段構成の増幅回路の場合でも、上述の
実施例同様、各段について本考案を適用すれば、その効
果は相乗されて大きくなる。
施例であるが、多段構成の増幅回路の場合でも、上述の
実施例同様、各段について本考案を適用すれば、その効
果は相乗されて大きくなる。
以上説明したように本考案は、UHF帯以上のIF増幅回路
に使用するトランジスタへのバイアス供給ラインをプリ
ント基板のパターンで形成し、そのラインの一端を高周
波特性の優れたバイパスコンデンサで高周波的に短絡す
ることにより、前記ラインを等価的にマイクロストリッ
プライン構成の先端短絡スタブと見なし、その線路長を
使用周波数帯域の特性に影響を与えない範囲で加減する
ことにより、その高次の反共振周波数を局発周波数に一
致させIF出力側への局発幅射の抑圧に効果があり、これ
により、局発幅射抑圧回路や周波数混合器の分離特性の
軽減およびそれに伴う回路の小型化、設計開発時間の短
縮等に効果がある。
に使用するトランジスタへのバイアス供給ラインをプリ
ント基板のパターンで形成し、そのラインの一端を高周
波特性の優れたバイパスコンデンサで高周波的に短絡す
ることにより、前記ラインを等価的にマイクロストリッ
プライン構成の先端短絡スタブと見なし、その線路長を
使用周波数帯域の特性に影響を与えない範囲で加減する
ことにより、その高次の反共振周波数を局発周波数に一
致させIF出力側への局発幅射の抑圧に効果があり、これ
により、局発幅射抑圧回路や周波数混合器の分離特性の
軽減およびそれに伴う回路の小型化、設計開発時間の短
縮等に効果がある。
第１図は本考案のマイクロ波帯周波数変換装置の一実施
例の回路構成を示す図、第２図は第１図の回路の周波数
配置を示す図、第３図は第１図の回路のIF増幅器５を構
成するトランジスタ増幅回路の一部を示す図、第４図は
第３図のバイアス供給ライン53を理想的なマイクロスト
リップライン構成の先端短絡スタブと見なし、本考案を
適用した時の先端短絡スタブ単体の通過損失の試算結果
を示す図、第５図は上述の試算モデルのIF周波数帯域内
の反射特性を、また第６図は先端短絡スタブの1/4波長
に相当する周波数と高次の反共振周波数の関係を次数を
パラメータとして表した図である。 １……高周波増幅器、２……イメージ阻止瀘波器、３…
…周波数混合器、４……局部発振器、５……IF増幅器、
51……高周波増幅用トランジスタ、52……ベースバイア
ス供給用抵抗、53……バイアス供給ライン、54……負荷
抵抗、55……バイパスコンデンサ、56……入力直流阻止
コンデンサ、57……出力直流阻止コンデンサ、６……電
源回路。
例の回路構成を示す図、第２図は第１図の回路の周波数
配置を示す図、第３図は第１図の回路のIF増幅器５を構
成するトランジスタ増幅回路の一部を示す図、第４図は
第３図のバイアス供給ライン53を理想的なマイクロスト
リップライン構成の先端短絡スタブと見なし、本考案を
適用した時の先端短絡スタブ単体の通過損失の試算結果
を示す図、第５図は上述の試算モデルのIF周波数帯域内
の反射特性を、また第６図は先端短絡スタブの1/4波長
に相当する周波数と高次の反共振周波数の関係を次数を
パラメータとして表した図である。 １……高周波増幅器、２……イメージ阻止瀘波器、３…
…周波数混合器、４……局部発振器、５……IF増幅器、
51……高周波増幅用トランジスタ、52……ベースバイア
ス供給用抵抗、53……バイアス供給ライン、54……負荷
抵抗、55……バイパスコンデンサ、56……入力直流阻止
コンデンサ、57……出力直流阻止コンデンサ、６……電
源回路。
Claims (1)
- 【請求項１】高周波増幅器と、前記高周波増幅器の出力
を受けるイメージ阻止瀘波器と、前記イメージ阻止瀘波
器の出力をIF信号に変換する周波数混合器と、前記周波
数混合器に局部発信信号を供給する局部発振器と、前記
周波数混合器によりIF周波数に変換された信号を増幅す
るプリント基板上に構成されたトランジスタ増幅回路よ
りなるIF増幅器と、前記イメージ阻止瀘波器を除く各ユ
ニットに電源を供給する電源回路より構成されるマイク
ロ波帯周波数変換装置において、 前記IF増幅器を構成するトランジスタ増幅回路のバイア
ス供給ラインとしてプリント基板のパターンで形成され
た特性インピーダンスの充分高い線路が負荷抵抗との間
に配され、その先端部に高周波特性の優れたバイパスコ
ンデンサが接続されて、高周波的には、等価的にマイク
ロストリップライン構成の先端短絡スタブと見なせるこ
の線路の線路長が、前記IF周波数帯の中心周波数の近傍
の周波数にて1/4波長となり、かつその偶数次の反共振
周波数が前記局部発振器の発振周波数に一致するような
長さに選ばれていることを特徴とするマイクロ波帯周波
数変換装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986190899U JPH0727689Y2 (ja) | 1986-12-10 | 1986-12-10 | マイクロ波帯周波数変換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986190899U JPH0727689Y2 (ja) | 1986-12-10 | 1986-12-10 | マイクロ波帯周波数変換装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6395314U JPS6395314U (ja) | 1988-06-20 |
| JPH0727689Y2 true JPH0727689Y2 (ja) | 1995-06-21 |
Family
ID=31144541
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1986190899U Expired - Lifetime JPH0727689Y2 (ja) | 1986-12-10 | 1986-12-10 | マイクロ波帯周波数変換装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0727689Y2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60109310A (ja) * | 1983-11-18 | 1985-06-14 | Oki Electric Ind Co Ltd | 電力増幅回路 |
| JPS6139606A (ja) * | 1984-07-30 | 1986-02-25 | Nec Corp | バイアス回路 |
-
1986
- 1986-12-10 JP JP1986190899U patent/JPH0727689Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6395314U (ja) | 1988-06-20 |
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