JPH07278817A - 薄膜製造装置 - Google Patents
薄膜製造装置Info
- Publication number
- JPH07278817A JPH07278817A JP10231294A JP10231294A JPH07278817A JP H07278817 A JPH07278817 A JP H07278817A JP 10231294 A JP10231294 A JP 10231294A JP 10231294 A JP10231294 A JP 10231294A JP H07278817 A JPH07278817 A JP H07278817A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- raw material
- thin film
- film
- gas
- vaporized
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 33
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 56
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 36
- 239000006200 vaporizer Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 18
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 claims abstract description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 19
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 13
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 6
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 claims 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 23
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 18
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 abstract description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 2
- 239000011364 vaporized material Substances 0.000 abstract 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 11
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N titanium(IV) isopropoxide Chemical compound CC(C)O[Ti](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 238000000889 atomisation Methods 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- MRMOZBOQVYRSEM-UHFFFAOYSA-N tetraethyllead Chemical compound CC[Pb](CC)(CC)CC MRMOZBOQVYRSEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- NKZSPGSOXYXWQA-UHFFFAOYSA-N dioxido(oxo)titanium;lead(2+) Chemical compound [Pb+2].[O-][Ti]([O-])=O NKZSPGSOXYXWQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
- C23C16/4486—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by producing an aerosol and subsequent evaporation of the droplets or particles
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 膜の組成制御を容易に行うことが可能である
とともに、短時間に効率よく成膜を行うことが可能な薄
膜製造装置を提供する。 【構成】 超音波霧化器１により原料液体または原料を
含む溶液を霧化させ、これを気化器２において気化させ
た後、成膜室３に供給する。
とともに、短時間に効率よく成膜を行うことが可能な薄
膜製造装置を提供する。 【構成】 超音波霧化器１により原料液体または原料を
含む溶液を霧化させ、これを気化器２において気化させ
た後、成膜室３に供給する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、薄膜製造装置に関
し、詳しくは、小型コンデンサや圧電素子、光学素子な
どに用いられる複数の構成元素からなる機能性セラミッ
ク薄膜を製造するための薄膜製造装置に関する。
し、詳しくは、小型コンデンサや圧電素子、光学素子な
どに用いられる複数の構成元素からなる機能性セラミッ
ク薄膜を製造するための薄膜製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子部品の小型化にともない、各
種電子回路に必須の回路素子を小型化することが必要に
なり、これにともなって、コンデンサや圧電素子、光学
素子などを構成する材料の薄膜化が強く望まれるように
なっている。
種電子回路に必須の回路素子を小型化することが必要に
なり、これにともなって、コンデンサや圧電素子、光学
素子などを構成する材料の薄膜化が強く望まれるように
なっている。
【０００３】従来、このような薄膜を形成する方法とし
ては、真空蒸着法やスパッタ法などの物理気相成長法
（ＰＶＤ）、あるいは光ＣＶＤ法やＭＯＣＶＤ法などの
化学気相成長法（ＣＶＤ）などが開発され、実用化され
ている。
ては、真空蒸着法やスパッタ法などの物理気相成長法
（ＰＶＤ）、あるいは光ＣＶＤ法やＭＯＣＶＤ法などの
化学気相成長法（ＣＶＤ）などが開発され、実用化され
ている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ＰＶＤ法の
一種であるスパッタ法は、あらかじめ所望の組成に調整
されたターゲットを用いることから、組成制御性には優
れているが、大面積上への成膜（析出、堆積）が困難で
あり、さらに、成膜速度が遅いという問題点がある。
一種であるスパッタ法は、あらかじめ所望の組成に調整
されたターゲットを用いることから、組成制御性には優
れているが、大面積上への成膜（析出、堆積）が困難で
あり、さらに、成膜速度が遅いという問題点がある。
【０００５】また、ＭＯＣＶＤ法は、大面積上への膜形
成が可能で、成膜速度が大きいという特徴を有している
が、多成分系の膜を形成する場合においては、組成制御
が容易ではなく、所望の組成を有する薄膜を形成するこ
とが困難であるという問題点がある。
成が可能で、成膜速度が大きいという特徴を有している
が、多成分系の膜を形成する場合においては、組成制御
が容易ではなく、所望の組成を有する薄膜を形成するこ
とが困難であるという問題点がある。
【０００６】この発明は、上記問題点を解決するもので
あり、膜の組成制御を容易に行うことが可能で、しかも
成膜速度の大きい薄膜製造装置を提供することを目的と
する。
あり、膜の組成制御を容易に行うことが可能で、しかも
成膜速度の大きい薄膜製造装置を提供することを目的と
する。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明の薄膜製造装置
は、多成分系の薄膜を製造するための装置であって、原
料液体または原料を含む溶液を霧化させる超音波霧化器
と、霧化した原料液体または原料を含む溶液を気化させ
る気化器と、前記気化器により気化させた原料を含有す
る気体から膜成分を基体上に析出、堆積させる反応器と
を具備することを特徴としている。
は、多成分系の薄膜を製造するための装置であって、原
料液体または原料を含む溶液を霧化させる超音波霧化器
と、霧化した原料液体または原料を含む溶液を気化させ
る気化器と、前記気化器により気化させた原料を含有す
る気体から膜成分を基体上に析出、堆積させる反応器と
を具備することを特徴としている。
【０００８】また、上記超音波霧化器を、薄膜の構成元
素の種類の数より１以上少ない数だけ具備することを特
徴としている。
素の種類の数より１以上少ない数だけ具備することを特
徴としている。
【０００９】
【作用】この発明の薄膜製造装置においては、超音波霧
化器により、原料液体（膜を構成する元素を含む液体化
合物など）または原料を含む溶液（膜を構成する元素を
含む化合物の溶液など）が霧化された後、気化器におい
て気化される。そして、反応器において、前記気化され
た原料を含む気体から膜成分が基体上に析出し、堆積す
ることにより所定の組成を有する薄膜が基体上に形成さ
れる。
化器により、原料液体（膜を構成する元素を含む液体化
合物など）または原料を含む溶液（膜を構成する元素を
含む化合物の溶液など）が霧化された後、気化器におい
て気化される。そして、反応器において、前記気化され
た原料を含む気体から膜成分が基体上に析出し、堆積す
ることにより所定の組成を有する薄膜が基体上に形成さ
れる。
【００１０】すなわち、この発明の薄膜製造装置を用い
ると、所望の組成に調整した原料液体または原料を含む
溶液を強制的に霧化した後、気化器において気化させる
ことが可能になるため、原料を迅速かつ確実に気化させ
て、短時間に効率よく、組成が一定で所望の膜厚を有す
る薄膜を形成することができるようになる。
ると、所望の組成に調整した原料液体または原料を含む
溶液を強制的に霧化した後、気化器において気化させる
ことが可能になるため、原料を迅速かつ確実に気化させ
て、短時間に効率よく、組成が一定で所望の膜厚を有す
る薄膜を形成することができるようになる。
【００１１】さらに、上記超音波霧化器を、薄膜の構成
元素の種類の数より１以上少ない数だけ設置した場合に
は、例えば、膜を構成する物質が酸化物で、酸素が酸素
ガス供給ラインから供給される場合、酸素以外の膜を構
成する元素を含む原料を、それぞれの超音波霧化器に供
給して霧化させた後、気化器で気化させて反応器に供給
することにより、各成分の供給量をそれぞれ制御して任
意の組成比の膜を容易に製造することが可能になる。
元素の種類の数より１以上少ない数だけ設置した場合に
は、例えば、膜を構成する物質が酸化物で、酸素が酸素
ガス供給ラインから供給される場合、酸素以外の膜を構
成する元素を含む原料を、それぞれの超音波霧化器に供
給して霧化させた後、気化器で気化させて反応器に供給
することにより、各成分の供給量をそれぞれ制御して任
意の組成比の膜を容易に製造することが可能になる。
【００１２】
【実施例】以下、この発明の実施例を示してその特徴と
するところをさらに詳しく説明する。
するところをさらに詳しく説明する。
【００１３】図１は、この発明の一実施例にかかる薄膜
製造装置の構成を示す図である。この薄膜製造装置は、
原料液体（膜を構成する元素を含む液体化合物など）ま
たは原料を含む溶液（膜を構成する元素を含む化合物の
溶液など）を霧化させる超音波霧化器１と、超音波霧化
器１により霧化された原料液体または原料を含む溶液を
気化させる気化器２と、気化器２で気化された原料を含
む気体から膜組成を基体（この実施例では基板）１８上
に析出、堆積させる反応器（成膜室）３を備えている。
製造装置の構成を示す図である。この薄膜製造装置は、
原料液体（膜を構成する元素を含む液体化合物など）ま
たは原料を含む溶液（膜を構成する元素を含む化合物の
溶液など）を霧化させる超音波霧化器１と、超音波霧化
器１により霧化された原料液体または原料を含む溶液を
気化させる気化器２と、気化器２で気化された原料を含
む気体から膜組成を基体（この実施例では基板）１８上
に析出、堆積させる反応器（成膜室）３を備えている。
【００１４】なお、超音波霧化器１は圧電素子の振動を
利用した超音波発生装置１５を備えている。また、霧化
された原料液体または原料を含む溶液を気化器２に供給
するための管１９には霧化原料導入バルブ１７が配設さ
れている。さらに、超音波霧化器１には、キャリアガス
であるＡｒガスを供給する管２０が接続されており、こ
の管２０には、マスフローコントローラ５、キャリアガ
ス導入バルブ１６が配設されている。
利用した超音波発生装置１５を備えている。また、霧化
された原料液体または原料を含む溶液を気化器２に供給
するための管１９には霧化原料導入バルブ１７が配設さ
れている。さらに、超音波霧化器１には、キャリアガス
であるＡｒガスを供給する管２０が接続されており、こ
の管２０には、マスフローコントローラ５、キャリアガ
ス導入バルブ１６が配設されている。
【００１５】さらに、気化原料をキャリアガスとともに
気化器２から反応器３に供給する原料ガス導入管１３に
は、原料ガス導入バルブ１１が配設されている。
気化器２から反応器３に供給する原料ガス導入管１３に
は、原料ガス導入バルブ１１が配設されている。
【００１６】また、反応器３には、酸素ガスを供給する
ための酸素ガス導入管１２が接続されており、この酸素
ガス導入管１２にはマスフローコントローラ４、酸素ガ
ス導入バルブ１０が配設されている。
ための酸素ガス導入管１２が接続されており、この酸素
ガス導入管１２にはマスフローコントローラ４、酸素ガ
ス導入バルブ１０が配設されている。
【００１７】そして、上記の気化原料を含むキャリアガ
ス（原料ガス）と酸素ガスは、反応器３内に挿入、配設
された原料ガス供給ノズル６において混合された後、反
応器３に供給される。
ス（原料ガス）と酸素ガスは、反応器３内に挿入、配設
された原料ガス供給ノズル６において混合された後、反
応器３に供給される。
【００１８】さらに、反応器３内には、基板１８を加熱
するための基板ヒータ８が配設されている。なお、原料
ガス供給ノズル６は、着脱式になっており、形成する膜
のパターンに応じて所望の形状のものと取り替えること
ができるように構成されている。
するための基板ヒータ８が配設されている。なお、原料
ガス供給ノズル６は、着脱式になっており、形成する膜
のパターンに応じて所望の形状のものと取り替えること
ができるように構成されている。
【００１９】また、反応器３は、ロータリーポンプ９に
より吸引して内部を減圧にできるとともに、圧力調整バ
ルブ７を用いて内部を所望の圧力に調整できるように構
成されている。
より吸引して内部を減圧にできるとともに、圧力調整バ
ルブ７を用いて内部を所望の圧力に調整できるように構
成されている。
【００２０】次に、上記のように構成された薄膜製造装
置を用いて薄膜を形成する方法について説明する。
置を用いて薄膜を形成する方法について説明する。
【００２１】まず、原料（例えば、チタン酸鉛（ＰｂＴ
ｉＯ3）の薄膜を製造する場合においては、Ｔｉ原料で
あるチタンイソプロポキシドとＰｂ原料であるＰｂ（Ｄ
ＰＭ）2などのβ−ジケトン錯体を含む化合物溶液）を
超音波霧化器１に入れ、超音波発生装置１５を作動させ
て超音波を発生させることにより、超音波霧化器１の内
部の化合物溶液が霧化される。そして、霧化された化合
物溶液（霧化原料）が、マスフローコントローラ５によ
り所望の流量に調整されたキャリアガス（Ａｒガス）に
よって気化器２に導入される。
ｉＯ3）の薄膜を製造する場合においては、Ｔｉ原料で
あるチタンイソプロポキシドとＰｂ原料であるＰｂ（Ｄ
ＰＭ）2などのβ−ジケトン錯体を含む化合物溶液）を
超音波霧化器１に入れ、超音波発生装置１５を作動させ
て超音波を発生させることにより、超音波霧化器１の内
部の化合物溶液が霧化される。そして、霧化された化合
物溶液（霧化原料）が、マスフローコントローラ５によ
り所望の流量に調整されたキャリアガス（Ａｒガス）に
よって気化器２に導入される。
【００２２】気化器２は、ヒータ（図示せず）により霧
化原料を気化させるのに必要な温度にまで加熱されてお
り、導入された霧化原料は気化器２内で気化する。な
お、気化器２内の圧力は、原料ガス導入バルブ１１によ
り調整される。
化原料を気化させるのに必要な温度にまで加熱されてお
り、導入された霧化原料は気化器２内で気化する。な
お、気化器２内の圧力は、原料ガス導入バルブ１１によ
り調整される。
【００２３】そして、気化器２内で気化した気化原料を
含むキャリアガスは、気化原料が分解せず、かつ凝縮し
ない程度の温度に加熱された原料ガス導入管１３を経て
ガス混合器１４に導入される。
含むキャリアガスは、気化原料が分解せず、かつ凝縮し
ない程度の温度に加熱された原料ガス導入管１３を経て
ガス混合器１４に導入される。
【００２４】一方、気化原料を酸化させるための酸素ガ
スは、マスフローコントローラ４により所望の流量に調
整され、加熱された酸素ガス導入バルブ１０及び酸素ガ
ス導入管１２を経て原料ガス供給ノズル６に導入され
る。なお、原料ガス供給ノズル６は、気化原料が分解せ
ず、かつ凝縮しない程度の温度に加熱されている。
スは、マスフローコントローラ４により所望の流量に調
整され、加熱された酸素ガス導入バルブ１０及び酸素ガ
ス導入管１２を経て原料ガス供給ノズル６に導入され
る。なお、原料ガス供給ノズル６は、気化原料が分解せ
ず、かつ凝縮しない程度の温度に加熱されている。
【００２５】ガス混合器１４内に導入された原料ガス
は、原料ガス供給ノズル６を経て反応器３内に導入さ
れ、基板ヒータ８により加熱された基板１８上に供給さ
れることにより、基板１８上に所望の組成の薄膜が形成
される。
は、原料ガス供給ノズル６を経て反応器３内に導入さ
れ、基板ヒータ８により加熱された基板１８上に供給さ
れることにより、基板１８上に所望の組成の薄膜が形成
される。
【００２６】なお、上記実施例の薄膜製造装置におい
て、原料溶液（化合物溶液）の霧化量を調整する方法と
しては、例えばキャリアガスの流量で調整する方法及び
超音波のパワーを変化させる方法などがある。そして、
これらの方法は単独で用いてもよくまた組み合わせて用
いてもよい。
て、原料溶液（化合物溶液）の霧化量を調整する方法と
しては、例えばキャリアガスの流量で調整する方法及び
超音波のパワーを変化させる方法などがある。そして、
これらの方法は単独で用いてもよくまた組み合わせて用
いてもよい。
【００２７】また、霧（霧化原料）の粒径の調整は、超
音波発生装置の周波数を変化させて圧電素子の振動周波
数を変化させることにより行うことができる。
音波発生装置の周波数を変化させて圧電素子の振動周波
数を変化させることにより行うことができる。
【００２８】また、上記実施例では、原料として化合物
溶液を用い、これを超音波霧化器で霧化させた場合につ
いて説明したが、原料は化合物溶液に限られるものでは
なく、チタンイソプロポキシドや四エチル鉛などの液体
物質をそのまま用いることも可能である。
溶液を用い、これを超音波霧化器で霧化させた場合につ
いて説明したが、原料は化合物溶液に限られるものでは
なく、チタンイソプロポキシドや四エチル鉛などの液体
物質をそのまま用いることも可能である。
【００２９】なお、上記実施例では、一つの超音波霧化
器１を備えた薄膜製造装置について説明したが、複数の
超音波霧化器を設けることも可能であり、薄膜の構成元
素の種類の数より１以上少ない数だけ超音波霧化器を設
置した場合には、例えば、膜を構成する物質が酸化物
で、酸素が酸素ガス供給ラインから供給される場合、酸
素以外の膜を構成する元素を含む原料を、それぞれの超
音波霧化器に供給して霧化させた後、気化器で気化させ
て反応器に供給することにより、各成分の供給量をそれ
ぞれ制御して任意の組成比の膜を容易に製造することが
可能になる。
器１を備えた薄膜製造装置について説明したが、複数の
超音波霧化器を設けることも可能であり、薄膜の構成元
素の種類の数より１以上少ない数だけ超音波霧化器を設
置した場合には、例えば、膜を構成する物質が酸化物
で、酸素が酸素ガス供給ラインから供給される場合、酸
素以外の膜を構成する元素を含む原料を、それぞれの超
音波霧化器に供給して霧化させた後、気化器で気化させ
て反応器に供給することにより、各成分の供給量をそれ
ぞれ制御して任意の組成比の膜を容易に製造することが
可能になる。
【００３０】なお、この発明は、上記実施例に限定され
るものではなく、成膜時の基体の温度や反応圧力などの
成膜条件、形成される膜の組成、使用する原料の種類、
膜が形成される基体及び形成される膜の具体的形状など
に関し発明の要旨の範囲内において、種々の応用、変形
を加えることが可能である。
るものではなく、成膜時の基体の温度や反応圧力などの
成膜条件、形成される膜の組成、使用する原料の種類、
膜が形成される基体及び形成される膜の具体的形状など
に関し発明の要旨の範囲内において、種々の応用、変形
を加えることが可能である。
【００３１】
【発明の効果】上述のように、この発明の薄膜製造装置
を用いることにより、所望の組成に調整した原料液体ま
たは原料を含む溶液を強制的に霧化した後、気化器にお
いて気化させることができるので、短時間に効率よく、
組成が一定で所望の膜厚を有する薄膜を基体上に形成す
ることができる。
を用いることにより、所望の組成に調整した原料液体ま
たは原料を含む溶液を強制的に霧化した後、気化器にお
いて気化させることができるので、短時間に効率よく、
組成が一定で所望の膜厚を有する薄膜を基体上に形成す
ることができる。
【００３２】さらに、上記超音波霧化器を、薄膜の構成
元素の種類の数より１以上少ない数だけ設置した場合に
は、例えば、膜を構成する物質が酸化物で、酸素が酸素
ガス供給ラインから供給される場合、酸素以外の膜を構
成する元素を含む原料を、それぞれの超音波霧化器に供
給して霧化させた後、気化器で気化させて反応器に供給
することにより、各成分の供給量をそれぞれ制御して任
意の組成比の膜を容易に形成することが可能になる。
元素の種類の数より１以上少ない数だけ設置した場合に
は、例えば、膜を構成する物質が酸化物で、酸素が酸素
ガス供給ラインから供給される場合、酸素以外の膜を構
成する元素を含む原料を、それぞれの超音波霧化器に供
給して霧化させた後、気化器で気化させて反応器に供給
することにより、各成分の供給量をそれぞれ制御して任
意の組成比の膜を容易に形成することが可能になる。
【図１】この発明の一実施例にかかる薄膜製造装置の構
成を示す図である。
成を示す図である。
１ 超音波霧化器 ２ 気化器 ３ 反応器（成膜室） ８ 基板ヒータ １４ ガス混合器 １５ 超音波発生装置 １８ 基板（基体）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 伴野 国三郎 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内
Claims (2)
- 【請求項１】 多成分系の薄膜を製造するための装置で
あって、 原料液体または原料を含む溶液を霧化させる超音波霧化
器と、 霧化した原料液体または原料を含む溶液を気化させる気
化器と、 前記気化器により気化させた原料を含有する気体から膜
成分を基体上に析出、堆積させる反応器とを具備するこ
とを特徴とする薄膜製造装置。 - 【請求項２】 上記超音波霧化器を、薄膜の構成元素の
種類の数より１以上少ない数だけ具備することを特徴と
する請求項１記載の薄膜製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10231294A JPH07278817A (ja) | 1994-04-14 | 1994-04-14 | 薄膜製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10231294A JPH07278817A (ja) | 1994-04-14 | 1994-04-14 | 薄膜製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07278817A true JPH07278817A (ja) | 1995-10-24 |
Family
ID=14324084
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10231294A Withdrawn JPH07278817A (ja) | 1994-04-14 | 1994-04-14 | 薄膜製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07278817A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007046155A (ja) * | 2005-07-14 | 2007-02-22 | Noda Screen:Kk | 成膜方法、および装置 |
| WO2013038484A1 (ja) * | 2011-09-13 | 2013-03-21 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | 酸化膜成膜方法および酸化膜成膜装置 |
-
1994
- 1994-04-14 JP JP10231294A patent/JPH07278817A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007046155A (ja) * | 2005-07-14 | 2007-02-22 | Noda Screen:Kk | 成膜方法、および装置 |
| WO2013038484A1 (ja) * | 2011-09-13 | 2013-03-21 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | 酸化膜成膜方法および酸化膜成膜装置 |
| TWI474872B (zh) * | 2011-09-13 | 2015-03-01 | Toshiba Mitsubishi Elec Inc | 氧化膜成膜方法及氧化膜成膜裝置 |
| US10016785B2 (en) | 2011-09-13 | 2018-07-10 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial Systems Corporation | Oxide film deposition method and oxide film deposition device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3462852B2 (ja) | 化学気相成長法によって薄膜を製造する方法と装置 | |
| US6110531A (en) | Method and apparatus for preparing integrated circuit thin films by chemical vapor deposition | |
| US5835677A (en) | Liquid vaporizer system and method | |
| US5759923A (en) | Method and apparatus for fabricating silicon dioxide and silicon glass layers in integrated circuits | |
| US20030116091A1 (en) | Chemical vapor deposition vaporizer | |
| KR101054595B1 (ko) | 기화기 및 성막 장치 | |
| WO2005068682A2 (en) | High-performance vaporizer for liquid-precursor and multi-liquid-precursor vaporization in semiconductor thin film deposition | |
| GB2345298A (en) | Liquid delivery system for chemical vapour deposition method | |
| US6396387B1 (en) | Resistors for electronic packaging | |
| Astié et al. | Direct liquid injection chemical vapor deposition | |
| US20030021595A1 (en) | Apparatus and method for vaporizing a liquid chemical | |
| US20060070575A1 (en) | Solution-vaporization type CVD apparatus | |
| JP2002217181A (ja) | 半導体原料供給用気化器 | |
| JP3567831B2 (ja) | 気化装置 | |
| JPH07278817A (ja) | 薄膜製造装置 | |
| WO1998055668A1 (en) | Method and apparatus for vapor generation and film deposition | |
| JP4841338B2 (ja) | 成膜方法、および装置 | |
| JP2005072196A (ja) | 薄膜成膜装置 | |
| JP2005217104A (ja) | キャパシタとその製造方法、及び半導体装置 | |
| EP0828012A1 (en) | Method for vaporizing liquid feed and vaporizer therefor | |
| Solayappan et al. | Conformal LSMCD deposition of SrBi2 (Ta1-xNbx) 2O9 | |
| JP3532066B2 (ja) | 液体原料の蒸着方法および装置 | |
| CN1250823A (zh) | 薄膜制备的喷雾热分解方法 | |
| US6803074B2 (en) | Method of producing complex oxide thin-film and production apparatus | |
| KR100425672B1 (ko) | 복합산화물박막제조용화학기상증착장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20010703 |