JPH07280512A - 積み重ねられた物体の位置検出装置 - Google Patents

積み重ねられた物体の位置検出装置

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JPH07280512A
JPH07280512A JP6256895A JP6256895A JPH07280512A JP H07280512 A JPH07280512 A JP H07280512A JP 6256895 A JP6256895 A JP 6256895A JP 6256895 A JP6256895 A JP 6256895A JP H07280512 A JPH07280512 A JP H07280512A
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detector
signal
light beam
light
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JP6256895A
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Christopher G Brickell
ガルヴィン ブリッケル クリストファー
Kenneth A Langland
アレン ラングランド ケネス
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Eaton Corp
Original Assignee
Eaton Corp
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Publication date
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/06—Apparatus for monitoring, sorting, marking, testing or measuring
    • H10P72/0606—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • H10P72/0608—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection of substrates stored in a container, a magazine, a carrier, a boat or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/06—Apparatus for monitoring, sorting, marking, testing or measuring
    • H10P72/0604—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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    • Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling

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  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ウェーハを検出するための光学的装置をホル
ダの一方の側に設けることにより配線を簡単にし据付け
を容易にする。 【構成】 ホルダ２２内の物体２０の位置はホルダの一
方の側に設けられたエミッタＬＡ，ＬＢからの１対の光
線４０，４２によって決められる。投射された光線はホ
ルダの他方の側の反射板３８により反射されホルダの一
方の側の検出器ＬＢ，ＬＡにより受けられる。物体が光
線を横切って移動するにつれて、コンピュータが検出器
からの信号を分析して物体の位置の正否を判別する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、複数の物体が保持装置
内に正確に位置しているかどうかを決定することに関
し、そして特に物体の位置を光学的に検査するための装
置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体の製造中、いくつかの処理段階の
各段階間においてシリコンウェーハはカセット内に保持
される。このカセットは一般的に、複数の水平なスロッ
トを備えたフレームで、その各々に１つのシリコンウェ
ーハが収められている。製造システム内の取扱い機構は
個々に、各ウェーハを処理するためにカセットから取り
出し、処理の後またカセットに戻す。
【０００３】ウェーハは自動的に取扱われるので、全て
のウェーハがカセットのスロットに正確に配置されてい
るかを確認するためにカセットを検査する必要がある。
削られた平たい縁をもつ幾つかのウェーハの中には不正
確な位置や不均等な位置のために、そのスロットから外
れ落ちて、カセット内のすぐ下のウェーハの上に落ちて
しまうものもある。或いはウェーハの一方の側の位置が
間違っていたり、またはそのスロットから落ちている
が、対向する側はスロットに留まっていて、その結果カ
セット内でウェーハが傾斜していることもある。不正確
な位置に置かれているウェーハは、ウェーハの取扱い装
置によって損傷を受け、その結果他のウェーハに損傷を
与えることもあり得る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体のウェー
ハ処理装置は、カセット内において正しい位置にないウ
ェーハを検出するための光学システムを備えていた。一
般的にこの光学システムは、カセットの一方の側にこの
カセットを通って光線を透過させる光源と、そして反対
の側に光の透過に応答する検出器とを有していた。ウェ
ーハは光線をさえぎるので、ウェーハの存在を検出する
ことができる。カセットを通して複数本の光線を送るこ
うした一対のエミッタ・検出器の組合せを幾つか有して
いるシステムもあった。このような検出システムは、光
が通るようにその装置の両側にそれぞれ個別の窓を必要
としていたので、半導体処理装置に組み込むことが難し
かった。更に、処理装置の周囲において光源と検出器の
間に配線を巡らせなければならなかったので、当該の装
置の物理的な据付け条件によっては、これはしばしば困
難であった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】カセット内の半導体のウ
ェーハのようなホルダ内の物体の位置は、カセットを通
して異なる角度で２本の光線（赤外線または可視光線）
を投射する装置によって検査される。ホルダとこの装置
は互いに相対的に動かされ、その結果光線は物体によっ
てさえぎられる。光線を感知する光検出器によって生成
された信号は、ホルダ内の物体の相対的位置を示し、そ
して物体が正確な位置にあるかどうかを示す。本装置に
は、ホルダを通過する第１の光線を生成させるために、
ホルダの一方の側に第１のエミッタがある。ホルダの第
２の側に位置する反射板は、ホルダを通って第１の光線
を反射させ、そしてこの第１の光線はホルダから出て第
１の検出器に当たる。第１の検出器は第１のエミッタと
ホルダの同じ側に位置し、検出器に当たる光の強さを示
す第１の信号を生成する。
【０００６】ホルダ内の物体を第１の光線によって走査
するために、１つの機構が備えられている。たとえば、
この機構は第１のエミッタと第１の検出器に対してホル
ダを移動させる装置である。ホルダが移動すると、光線
は物体によって遮断され、そのために検出器より発せら
れる信号にはパルスが生じる。電子回路がこの検出器の
信号を受信して分析し、そしてホルダ内の物体の位置を
表示する。
【０００７】本装置の実施例においては、第２のエミッ
タと検出器の対が、第１の光線の経路とは異なる経路を
通ってホルダを通過して進む第２の光線を送り出し、か
つ検出する。２つの検出器よりの信号を分析することに
より、電子回路は、ホルダ内において物体が基準位置よ
り傾斜しているかどうかを決定することができる。
【０００８】本発明の一般的目的は、ホルダ内の物体の
位置を検出するためのシステムであって、その全ての能
動的構成部品はホルダの同じ側に位置しているシステム
を供することである。こうした構成部品の配置によっ
て、ホルダの周囲に配線を張り巡らす必要もなくなる。
【０００９】
【実施例】図１と図２は半導体のウェーハ処理システム
１２の取扱チャンバ１０を示すもので、このシステム１
２はドア１５のようなドアによってこの取扱チャンバ１
０に接続されている他のチャンバ１３と１４も有してい
る。様々なチャンバどうし間で半導体のウェーハを搬送
するために、ロボット装置１６が備えられている。
【００１０】取扱チャンバ１０内のカセット２２の中
に、複数のウェーハ２０が互いに平行に収納されてい
る。カセット２２は在来型の設計であり、そしてその内
側には対向する水平の溝２６と２７を備えた側壁を有し
ている。側壁内の対向する２つの溝の１対はそれぞれ、
１つのウェーハを収めるための１つのスロットを形成す
る。このカセットの前面２１と背面２３は開放されてお
り、ウェーハをこれらのスロットに挿入したり、スロッ
トから取り出したりすることができる。
【００１１】理想的には、円形のウェーハ２０はカセッ
トに収められるとき、カセット２２の対向する両側の側
壁２４と２５内の溝２６と２７に水平に滑り込ませられ
る。溝との係合によってウェーハ２０は水平の位置に保
持される。しかし、現実には、ウェーハはその縁に切欠
きがあり、そして偏平な縁でさえもウェーハがカセット
の溝に適切に係合する性能に悪影響を与える。たとえ
ば、図１に示されているようにウェーハ２０’はカセッ
ト内で傾斜している。カセット内にウェーハを配置する
ことに関しては、その他にも幾つかの問題がある。たと
えば、ある１つのスロットに多数のウェーハを挿入され
ることや、空のスロットが存在することもあり得る。ロ
ボット装置１６が正確にウェーハを取扱い、そしてこれ
らのウェーハの損傷を防ぐことができるように、上記の
ような状況が生じているかどうかを知ることが重要であ
る。
【００１２】カセット２２は台３０の上に設置されてお
り、この台は矢印３３に示されているように、駆動機構
３２によって取扱チャンバ１０内を垂直に移動させられ
る。ロボット装置１６のアーム１７で異なるウェーハ２
０を垂直に配置させるために、従来のウェーハ取扱処理
システムでも類似の駆動機構が用いられていた。
【００１３】さらに図１と２を参照すると、光学的検査
装置は、カセット２２を検査しそしてウェーハがスロッ
ト内に正確に位置しているかどうかを決定するために、
半導体のウェーハ処理システム１２の中に組み込まれて
いる。１対の窓３４と３６が取扱チャンバ１０の前面壁
に配置されている。レーザＬＡと光検出器ＤＢは第１の
窓３４の外側に位置している。もう一つ別のレーザＬＢ
と光検出器ＤＡは第２の窓３６の外側にある。これらの
レーザと光検出器は、取扱チャンバ１０の内側の後壁に
取り付けられている反射板３８に向けて照準されてい
る。光検出器ＤＡとＤＢは、反射板３８から返ってくる
光を感知するように、ある視界に焦点を合わせている。
この光検出器の視界は、ウェーハの厚より相当に広くな
っており、したがって光検出器の照準の精度は決定的に
重要なものではなくなる。また、ウェーハの取扱チャン
バ１０の後壁３７に適当な反射能があって反射板として
作用するならば、独立の反射板３８を除くことも可能で
ある。反射板３８は取扱チャンバ１０の対向する後壁３
７にある窓の外側に取付けることもできる。
【００１４】レーザＬＡは、図２に示されているよう
に、ウェーハ２０”の前面にあたる縁４１に集中される
赤外線または可視光線の第１の光線４０を送る。もし第
１の光線４０がウェーハに当たらなければ、この光線は
反射板３８によって反射され、そして光検出器ＤＡによ
り検出される。同様に、レーザＬＢは、ウェーハ２０”
の縁４１に集中される赤外線または可視光線の第２の光
線４２を送る。もしそれがウェーハに当たらなければ、
この光線４２はカセットを通過して反射板３８に到り、
そして反射されてカセットを通り再び光検出器ＤＢに戻
る。２つのレーザＬＡとＬＢはともに、ウェーハ２０の
縁４１に集中される光線を発生させる。本発明はまた、
ウェーハ２０の縁４１に集中される比較的に細い光線を
発生させる他の種類の光源を使用することもできる。
【００１５】第１と第２の光線４０と４２の経路は、カ
セット２２内のウェーハ２０の面に平行でかつウェーハ
の移動方向すなわち矢印３３の方向に直交する共通の水
平面上にある。光線の経路はまた、光線４０と４２がウ
ェーハ２０の縁４１に直角に当たらないように、円形の
ウェーハ２０の中央部を通らないようになっている。も
しウェーハ２０が、液晶表示装置に用いられている基板
のように透明ならば、ほとんどの光線はウェーハ２０の
前縁４１によって反射されるか、および／または屈折さ
れる。その結果、相当量の光線が透明なウェーハを通過
せず反射板３８に送られなくなり、ウェーハ内での屈折
と内部反射があることが分かる。
【００１６】各レーザと光検出器の対（ＬＡ−ＤＡとＬ
Ｂ−ＤＢ）どうしで交差結合が生じないようにするた
め、これらの対を時分割多重化して、どの瞬間でも１対
のみしか作動しないようにすることもできる。図３はレ
ーザと光検出器の動作を制御するための回路図を示して
いる。一般的にはダイオードタイプのレーザであるレー
ザＬＡとＬＢはそれぞれ、個別の電源５２と５４によっ
て駆動される。電源５２と５４よりの出力は変調器５６
からの信号により変調される。
【００１７】両光検出器ＤＡとＤＢはそれぞれ、前置増
幅器５８と６０により２対１の伝送制御装置６２に接続
される。この伝送制御装置６２は、同期検出器６６に適
用するため、前置増幅器５８または６０のいずれか１つ
からの出力信号を選択することによって、多重制御器６
４からの信号に応答する。多重制御器６４の信号はま
た、対応するレーザの電源５２または５４を選択して、
そのいずれかを作動させる。
【００１８】同期検出器６６はまた、活動状態のレーザ
ＬＡまたはＬＢから受けた光の量を示す線６８上のアナ
ログ出力信号を生成するため、変調器５６からの信号を
受信する。なお、上記の光は選択された光検出器ＤＡま
たはＤＢより検出されたものである。同期検出器６６の
出力信号は、多重制御器６４よりの信号に応答してサン
プルホールド回路７２よって作動される第１と第２のサ
ンプルホールド回路７０と７１に用いられる。第１のサ
ンプルホールド回路７０は、光検出器ＤＡによって検出
された光により生成された信号の水準を格納し、そして
第２のサンプルホールド回路７１は、光検出器ＤＢよっ
て感知された光を表す信号水準を格納する。２つのサン
プルホールド回路７０と７１よりの出力信号は出力Ａと
出力Ｂと呼ばれ、そしてこれらの出力信号は、カセット
２２内のウェーハ２０の配向を決定するために、たとえ
ば信号を分析するコンピュータ７４に接続される。
【００１９】カセット２２内のウェーハ２０を検査する
前に、台３０は、カセットを完全に上限まで上げるか、
または完全に下限まで下げるかするために、その行程の
一方の極限の端に配置されている。それから駆動装置３
２はこの台の行程の他方の端までゆっくりと台３０とカ
セット２２を移動させ始める。光線４０と４２に対し相
対的にカセット２２を移動させる駆動機構３２によっ
て、光線はカセット内のウェーハを走査することができ
る。またこの走査は、レーザと光検出器を移動させ、そ
してカセットを静止したままに保持しておくことによっ
ても行うことができる。
【００２０】この移動が行われている間、光学的回路５
０は生きている。またその代わりに、多重制御器６４が
２対のレーザ・光検出器ＬＡ−ＤＡおよびＬＢ−ＤＢの
各々を活動化させることもできる。たとえば、多重制御
器６４よりの制御信号のある１つの状態が、レーザの電
源５２と５４を始動させ、このようにしてレーザＬＡよ
りの変調された光線４０を生成する。ウェーハ２０が光
線４０を遮断しないと仮定すれば、この光線は反射板３
８により反射され、そして対応する光検出器ＤＡに当た
り、前置増幅器５８から出力信号を生成させる。伝送制
御装置６２は、前置増幅器５８からの出力信号を同期検
出器６６に連結することによって、多重制御器６４より
の信号に応答している。更に、同期検出器６６により生
成された信号の水準を格納するために、多重制御器６４
よりの信号は、サンプルホールド回路７２が第１のサン
プルホールド回路７０を再設定させるように作用する。
同時に、第２のサンプルホールド回路７１は前に格納さ
れた数値を保存したままに保ち、同期検出器６６よりの
信号出力によって影響されない。
【００２１】多重制御器６４よりの信号が状態を変化さ
せるとき、第２のレーザの電源５４はレーザＬＢのダイ
オードからの光線４２を生成するように生かされる。同
時に、伝送制御装置６２は前置増幅器５８よりの信号を
遮断して、光検出器ＤＢおよび前置増幅器６０よりの信
号を同期検出器６６に連結する。レーザの電源５２は多
重制御器の信号によって切られる。第２のサンプルホー
ルド回路７２は、光検出器ＤＢによって受信された光線
に相当する信号の水準を格納するため、第１のサンプル
ホールド回路７０を切り、そして第２のサンプルホール
ド回路７２を起動させることにより、多重制御信号にお
ける変化に応答する。
【００２２】カセット２２が垂直に動くと、ウェーハ２
０は光線４０と４２をさえぎり、反射板３８に影を投射
する。このようにして、ウェーハの存在は、光検出器Ｄ
ＡとＤＢによって受けられる光の損失によって検出され
る。光線はウェーハの前面の縁に集中されるので、焦点
がウェーハの縁に集まるとき、光の完全な損失が起こ
る。カセットの移動速度が、たとえばある一定の速度で
あって知られているならば、光の損失の持続時間はウェ
ーハの厚さの関数になる。たとえば、光の損失時間が長
いほど、ウェーハの厚さはより大きくなる。このように
してコンピュータは、カセット内の各ウェーハ２０の厚
さを測定することができる。またカセット２２は既知の
速度で移動させられているので、サンプルホールド回路
７０と７１よりの出力信号のタイミングによって、カセ
ットの移動の始動位置とカセットのスロットとに対する
相対的な各ウェーハの位置が表される。
【００２３】図４（Ａ）と４（Ｂ）を参照すると、光線
４０と４２を横切ってカセット２２が動くにつれて、サ
ンプルホールド回路７０と７１よりの信号出力Ａおよび
出力Ｂの水準は変化する。たとえば、この２つの信号に
同時に生じる比較的に幅の狭い２つのパルス８１と８２
は、ウェーハはカセット２２の溝の中で正しい関係位置
を占めていることを示している。
【００２４】比較的に幅の広いパルス８３と８４は、カ
セット２２内において前面から後面にかけて傾斜してい
るウェーハ（たとえばウェーハ２０’）か、または他の
ウェーハの上に乗っているウェーハを示す。レーザＬＡ
またはＬＢによって反射板に投射される映像と光検出器
ＤＡとＤＢの視界が充分に小さければ、ウェーハの前面
から後面への傾斜がパルスの形状に影響を与えることが
できる。ウェーハがこのように傾斜しているならば、ウ
ェーハの前縁４１が光線に出入りするにつれて、パルス
の形状は比較的にゆっくりと変化することができる。し
たがって、パルスの立上り区間と立下り区間の相対的形
状より、ウェーハの傾斜を決定することができる。
【００２５】出力Ａおよび出力Ｂの信号において同時に
発生していない比較的に短い２つのパルス８５と８６、
または８７と８８は、ウェーハがカセット２２内で一方
の側壁２４から他方の側壁２５にかけて傾斜しているこ
とを示している。信号出力Ａおよび出力Ｂにおけるこれ
らの非同時のパルスの発生順序は、カセット内の傾斜の
方向を示している。
【００２６】上述のように、カセットの移動速度が知ら
れているので、ウェーハのスロットの位置は特定の間隔
で光線を通過する。したがって、ウェーハがカセット２
２の各スロット内に位置していれば、出力Ａおよび出力
Ｂにおいてパルスは特定の間隔で発生するはずである。
点線のパルス８９および９０によって示されているよう
に、コンピュータ７４が一つのパルスをこの特定の間隔
で検出できないならば、その時は、ウェーハがカセット
のそのスロット内に位置していないという、決定がなさ
れる。
【００２７】
【発明の効果】本光学的感知機構には、電気構成部品が
ウェーハの取扱い装置の同じ側に取り付けられており、
かつ一方の側から他方の側に配線を巡らせる必要がない
という、従来の技術を越える利点がある。
【００２８】更に、本発明のシステムのコンピュータ７
４は、出力Ａおよび出力Ｂの信号を分析し、そしてカセ
ットの各スロット内にウェーハが位置しているかどうか
決定することができる。また、所与のスロット内におけ
るウェーハが傾斜しているかどうか、そしてその傾斜の
配向も決定することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る半導体処理装置の縦断面図。
【図２】図１の２−２線にそって切断された横断面図。
【図３】図１の装置内の半導体のウェーハの位置を光学
的に検出するためのシステムのブロック略図。
【図４】図４（Ａ），（Ｂ）は図３の回路により生成さ
れた出力信号。
【符号の説明】
１０ 取扱チャンバ １２ 半導体ウェーハ処理システム １６ ロボット装置 ２０，２０’，２０’’ ウェーハ（物体） ２１ 前面 ２２ カセット（ホルダ） ２３ 背面 ２４ 側壁 ２５ 側壁 ２６，２７ 溝 ３２ 駆動機構 ３４，３６ 窓 ３７ 後壁 ３８ 反射板 ４０，４２ 光線 ４１ 前縁 ４３ 後縁 ５０ 光学的回路 ５２ レーザの電源 ５４ レーザの電源 ５６ 変調器 ５８，６０ 前置増幅器 ６２ 伝送制御装置 ６４ 多重制御器 ６６ 同期検出器 ７０ サンプルホールド回路 ７１ サンプルホールド回路 ７２ サンプルホールド回路 ７４ コンピュータ ８１，８２，８３，８４ 比較的幅の狭いパルス ８５，８６，８７，８８ 非同時のパルス ８９，９０ あるべきパルス ＬＡ 第１のレーザ（第１のエミッタ） ＬＢ 第２のレーザ（第２のエミッタ） ＤＡ 第１の検出器 ＤＢ 第２の検出器

Claims (20)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 第１と第２の対向する側面を有するホル
    ダ内にある複数の物体の位置を検出するためのシステム
    であって、前記システムが、前記ホルダを通過する方向
    に向けられた第１の投射光線を生成させるための、前記
    ホルダの第１の側面の側に配置された第１のエミッタ
    と、前記ホルダ内を通して少なくとも部分的に第１の投
    射光線を反射させて戻すための、前記ホルダの第２の側
    面の側に配置されている反射板と、前記ホルダの第１の
    側面の側に配置されて、前記反射板による反射の後の第
    １の投射光線を受け、そして前記受けた第１の投射光線
    の強さを示す第１の信号を生成する第１の検出器と、前
    記第１の投射光線で前記ホルダ内の複数の物体を走査す
    るための機構と、前記検出器よりの第１の信号を受信
    し、前記信号に応答して物体が前記ホルダ内で正しい位
    置にあるかどうかを表示する電子回路とを備えてなる積
    み重ねられた物体の位置検出システム。
  2. 【請求項２】 ホルダを通過する方向に向けられた第２
    の投射光線を生成するための、前記ホルダの第１の側面
    の側に配置されている第２のエミッタと、 前記ホルダの第１の側面の側に配置されて、反射板によ
    る反射の後の第２の投射光線を受け、この受けた第２の
    投射光線の強さを示す第２の信号を生成する第２の検出
    器とを更に含む請求項１記載の位置検出システム。
  3. 【請求項３】 第１と第２のエミッタが赤外線スペクト
    ルと可視光線スペクトルから選択されたある波長の光線
    を生成する請求項２記載の位置検出システム。
  4. 【請求項４】 第１と第２のエミッタが、第１と第２の
    投射光線がホルダ内で同一平面上の経路を進むように、
    配置されている請求項２記載の位置検出システム。
  5. 【請求項５】 物体を走査するための機構が、第１と第
    ２の投射光線の経路によって形成される平面に直交する
    方向にホルダを移動させる請求項４記載の位置検出シス
    テム。
  6. 【請求項６】 第１のエミッタと第２のエミッタとを交
    互に作動させ、第１の信号と第２の信号を交互に受信す
    る多重回路が、電子回路に含まれている請求項２記載の
    位置検出システム。
  7. 【請求項７】 第１と第２の投射光線を生成するため、
    第１のエミッタと第２のエミッタとを交互に作動させる
    制御信号を生成する多重回路が電子回路に含まれている
    請求項２記載の位置検出システム。
  8. 【請求項８】 電子回路には更に、第１と第２の投射光
    線を変調するための、第１と第２のエミッタに連結され
    る変調器と、第１と第２の信号を受信し、かつ制御入力
    における信号に応答していずれか１つの入力を出力に交
    互に接続させる２つの入力を有する伝送制御装置と、２
    つの入力を出力に交互に接続するため、前記伝送制御装
    置の制御入力に接続される制御信号を生成する多重制御
    器と、前記伝送制御装置および前記変調器の出力に接続
    され、かつ出力端子を有している同期検出器と、前記同
    期検出器の前記出力端子に接続され、かつ前記多重制御
    器よりの制御信号によって制御されている第１と第２の
    サンプルホールド回路であって、第１の前記サンプルホ
    ールド回路は、第１の前記検出器よりの第１の信号によ
    って生成される前記同期検出器からの信号の水準を格納
    し、そして第２の前記サンプルホールド回路は、第２の
    前記検出器よりの第２の信号によって生成される前記同
    期検出器からの他の信号の水準を格納する第１と第２の
    サンプルホールド回路とが含まれている請求項２記載の
    位置検出システム。
  9. 【請求項９】 電子回路には更に、第１と第２のサンプ
    ルホールド回路に接続され、かつホルダ内の複数の物体
    の位置を表示するために第１と第２の前記サンプルホー
    ルド回路に格納されている信号の水準を分析するコンピ
    ュータが含まれている請求項８記載の位置検出システ
    ム。
  10. 【請求項１０】 電子回路にはまた、第１の信号に応答
    してウェーハの厚さを測定するための手段が含まれてい
    る請求項１記載の位置検出システム。
  11. 【請求項１１】 第１と第２の対向する側面を有するホ
    ルダ内にある複数の半導体のウェーハの位置を検出する
    ための装置であって、前記ホルダの第１の側面の側に位
    置する反射板と、前記ホルダの第１の側面の側に位置し
    ている第１のエミッタであって、前記エミッタが前記反
    射板に前記ホルダを通して送られる第１の光線を生成
    し、この第１の光線は前記反射板によりまた前記ホルダ
    を通して送り返されるようになっている第１のエミッタ
    と、前記ホルダの第２の側に位置している第２のエミッ
    タであって、前記エミッタが前記反射板に前記ホルダを
    通して送られる第２の光線を生成し、この第２の光線は
    前記反射板によりまた前記ホルダを通して送り返される
    ようになっている第２のエミッタと、前記ホルダの第２
    の側面の側に配置されている第１の検出器であって、前
    記反射板による反射の後に第１の光線を受け、そして前
    記第１の検出器に当たる光線の強さを示す第１の信号を
    生成する第１の検出器と、前記ホルダの第２の側面の側
    に配置されている第２の検出器であって、前記反射板に
    よる反射の後に第１の光線を受け、そして前記第２の検
    出器に当たる光線の強さを示す第２の信号を生成する第
    ２の検出器と、第１と第２の経路に垂直な方向に前記ホ
    ルダを移動させるための機構と、前記第１と第２の検出
    器に接続され、かつ第１と第２の信号に応答して半導体
    のウェーハが前記ホルダ内で正しい位置にあるかどうか
    を表示する電子回路とが含まれる、前記ホルダ内の複数
    の半導体のウェーハの位置を検出する位置検出装置。
  12. 【請求項１２】 ホルダが移動するとき、第１と第２の
    光線のとちらも半導体のウェーハの中心と交叉しない請
    求項１１記載の位置検出装置。
  13. 【請求項１３】 第１と第２の光線がホルダを通る同一
    平面の経路を進むように、第１と第２のエミッタは配置
    されている請求項１１記載の位置検出装置。
  14. 【請求項１４】 第１と第２の光線がホルダ内の半導体
    のウェーハが位置している面に平行な共通面を進むよう
    に、第１と第２のエミッタが配置されている請求項１１
    記載の位置検出装置。
  15. 【請求項１５】 第１と第２の光線が、半導体のウェー
    ハの縁に焦点を合わされている請求項１１記載の位置検
    出装置。
  16. 【請求項１６】 電子回路に、第１と第２の光線を変調
    するため、第１と第２のエミッタに連結される変調器
    と、第１と第２の信号を受信し、かつ制御入力において
    受信した信号に応答して２つの入力の中の１つを選択し
    て１つの出力に接続するための２つの入力を有する伝送
    制御装置と、２つの入力を出力に交互に接続するため、
    前記伝送制御装置の制御入力に接続される制御信号を生
    成する多重制御器と、前記伝送制御装置および前記変調
    器の出力に接続され、かつ出力端子を有している同期検
    出器と、前記同期検出器の前記出力端子に接続され、か
    つ前記多重制御器よりの制御信号によって制御されてい
    る第１と第２のサンプルホールド回路であって、第１の
    前記サンプルホールド回路は、第１の検出器よりの第１
    の信号によって生成される前記同期検出器からの信号の
    水準を格納し、そして第２のサンプルホールド回路は、
    第２の検出器よりの第２の信号によって生成される前記
    同期検出器からの他の信号の水準を格納する第１と第２
    のサンプルホールド回路と前記第１と第２のサンプルホ
    ールド回路に接続され、かつホルダ内の複数の半導体の
    ウェーハの位置を表示するために、格納されている信号
    の水準を分析するコンピュータが含まれている請求項１
    １記載の位置検出装置。
  17. 【請求項１７】 第１と第２の対向する側面を有するホ
    ルダ内にある複数の物体の位置を検出するための位置検
    出方法であって、ホルダを通して第１の光線を第１の側
    から第２の側に送る段階と、第２の側面側から第１の側
    面側に前記ホルダを通して第１の光線を反射させて戻す
    段階と、前記ホルダであるカセットの第１の側面側から
    出現する第１の光線の強さを検出する段階と、第１の側
    面側から第２の側面側に前記ホルダを通して第２の光線
    を送る段階と、前記第２の側面側から第１の側面側に前
    記ホルダを通して第２の光線を反射させて戻す段階と、
    前記カセットの第１の側面側から出現する第１の光線の
    強さを検出する段階と、第１と第２の光線で前記ホルダ
    を走査する段階と、前記ホルダが走査されるときに第１
    と第２の光線の強さの変化により、前記ホルダ内の各物
    体の位置を決定する段階とからなる複数の物体の位置を
    検出する位置検出方法。
  18. 【請求項１８】 第１と第２の光線の経路が、共通の面
    にある請求項１７記載の位置検出方法。
  19. 【請求項１９】 ホルダ内の複数の物体の位置を検出す
    るための位置検出システムであって、前記システムが、 ホルダ内に向けられている第１の投射光線を生成させる
    ために、前記ホルダの一方の側に配置されている第１の
    エミッタと、 前記ホルダの前記一方の側に配置されている第１の検出
    器であって、前記ホルダを通る反射後に第１の投射光線
    を受け、そして前記検出器に当たる投射光線の強さを示
    す第１の信号を生成する第１の検出器と、 第１の投射光線で前記ホルダ内の複数の物体を走査する
    ための機構と、 前記検出器よりの第１の信号を受信し、そしてこの信号
    に応答して物体が前記ホルダ内で正しい位置にあるかど
    うかを表示する電子回路とを有する、複数の物体の位置
    を検出するための位置検出システム。
  20. 【請求項２０】 ホルダに向けられている第２の投射光
    線を生成するため、前記ホルダの一方の側に配置されて
    いる第２のエミッタと、そして前記ホルダの第１の側に
    配置されている第２の検出器であって、前記ホルダを通
    る反射の後の第２の投射光線を受け、前記第２の検出器
    に当たる投射光線の強さを示す第２の信号を生成する第
    ２の検出器とを更に含む請求項１記載の位置検出システ
    ム。
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