JPH0728052B2 - 半導体発光素子およびその製造方法 - Google Patents
半導体発光素子およびその製造方法Info
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- JPH0728052B2 JPH0728052B2 JP1494086A JP1494086A JPH0728052B2 JP H0728052 B2 JPH0728052 B2 JP H0728052B2 JP 1494086 A JP1494086 A JP 1494086A JP 1494086 A JP1494086 A JP 1494086A JP H0728052 B2 JPH0728052 B2 JP H0728052B2
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- H10H20/823—Materials of the light-emitting regions comprising only Group II-VI materials, e.g. ZnO
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- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Led Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、II−VI族化合物半導体を用いた発光素子とそ
の製造方法に関する。
の製造方法に関する。
III−Ｖ族化合物半導体を用いた赤色から緑色までの発
光素子は量産化の時代に入り、表示素子として広く実用
されている。この様な状況下で、可視域で欠けている唯
一の発光色である青色発光素子に対する期待が一層高ま
っている。にも拘らず、これまでのIII−Ｖ族化合物半
導体発光素子と比肩し得る青色発光素子の製造技術は未
だ確立されていない。
光素子は量産化の時代に入り、表示素子として広く実用
されている。この様な状況下で、可視域で欠けている唯
一の発光色である青色発光素子に対する期待が一層高ま
っている。にも拘らず、これまでのIII−Ｖ族化合物半
導体発光素子と比肩し得る青色発光素子の製造技術は未
だ確立されていない。
青色発光素子を得るための第１の条件は、用いる半導体
の禁制帯幅Egが2.6eVを越えることである。この条件を
満たす半導体結晶としては、II−VI族化合物半導体であ
るZnS（Eg＝3.5eV）、ZnSe（Eg＝2.6eV）或いはこれら
の混晶がある。これらは直接遷移型であるため高い発光
効率が期待され、各所で精力的な研究が進められてい
る。これらのII−VI族化合物半導体単結晶は、有機金属
気相成長法（MOCVD法）や分子線エピタキシャル法（MBE
法）などにより、GaAsやGaPなどのIII−Ｖ族化合物半導
体基板上に得られている。これは、III−Ｖ族化合物半
導体では大型の単結晶基板の量産化技術が確立されてい
るが、II−VI族化合物半導体では未だ大型の単結晶基板
製造の技術が確立されていないためである。
の禁制帯幅Egが2.6eVを越えることである。この条件を
満たす半導体結晶としては、II−VI族化合物半導体であ
るZnS（Eg＝3.5eV）、ZnSe（Eg＝2.6eV）或いはこれら
の混晶がある。これらは直接遷移型であるため高い発光
効率が期待され、各所で精力的な研究が進められてい
る。これらのII−VI族化合物半導体単結晶は、有機金属
気相成長法（MOCVD法）や分子線エピタキシャル法（MBE
法）などにより、GaAsやGaPなどのIII−Ｖ族化合物半導
体基板上に得られている。これは、III−Ｖ族化合物半
導体では大型の単結晶基板の量産化技術が確立されてい
るが、II−VI族化合物半導体では未だ大型の単結晶基板
製造の技術が確立されていないためである。
ところが、III−Ｖ族化合物半導体基板上にII−VI族化
合物半導体層を成長させた場合、結晶成長時に一方の半
導体の構成元素が他方の半導体に拡散する、いわゆる相
互拡散現象が生じ、これが良好な発光特性を得る上で障
害になっていた。即ち、II族元素であるZnはIII−Ｖ族
化合物半導体中での拡散定数が大きく、また浅いアクセ
プタ準位を形成して電気的に活性に働く。またGaAsやGa
PなどのIII−Ｖ族化合物半導体のIII族構成元素であるG
aは、II−VI族化合物半導体中でドナーとして働き、Ｖ
族元素であるAsやＰはアクセプタとして働く。このため
に、III−Ｖ族化合物半導体とII−VI族化合物半導体の
界面付近に伝導型の反転や高抵抗層を生じるのである。
合物半導体層を成長させた場合、結晶成長時に一方の半
導体の構成元素が他方の半導体に拡散する、いわゆる相
互拡散現象が生じ、これが良好な発光特性を得る上で障
害になっていた。即ち、II族元素であるZnはIII−Ｖ族
化合物半導体中での拡散定数が大きく、また浅いアクセ
プタ準位を形成して電気的に活性に働く。またGaAsやGa
PなどのIII−Ｖ族化合物半導体のIII族構成元素であるG
aは、II−VI族化合物半導体中でドナーとして働き、Ｖ
族元素であるAsやＰはアクセプタとして働く。このため
に、III−Ｖ族化合物半導体とII−VI族化合物半導体の
界面付近に伝導型の反転や高抵抗層を生じるのである。
以上のことをより具体的に第５図を参照して説明する。
第５図は、ｎ型GaAs基板51に、MOCVD法によりｎ型ZnSe
層52,p型ZnSe層53を順次成長形成した発光素子を示して
いる。55はｎ側電極、55はｐ側電極である。この様な従
来法による発光素子では、ｎ型GaAs基板51のｎ型ZnSe層
52との界面部にｐ型反転層56が形成される。これは、結
晶成長時に高温の条件下で構成元素の相互拡散が生じる
が、特にZnはGaAs中で拡散定数が大きく、且つ浅いアク
セプタ準位を形成するためである。即ち、GaAs基板51に
拡散したZnの濃度がｎ型GaAs基板51中でドナー不純物と
なるSeおよび予め存在したドナー不純物濃度の総和を上
回ることにより、ｐ型反転層56が形成されることにな
る。
第５図は、ｎ型GaAs基板51に、MOCVD法によりｎ型ZnSe
層52,p型ZnSe層53を順次成長形成した発光素子を示して
いる。55はｎ側電極、55はｐ側電極である。この様な従
来法による発光素子では、ｎ型GaAs基板51のｎ型ZnSe層
52との界面部にｐ型反転層56が形成される。これは、結
晶成長時に高温の条件下で構成元素の相互拡散が生じる
が、特にZnはGaAs中で拡散定数が大きく、且つ浅いアク
セプタ準位を形成するためである。即ち、GaAs基板51に
拡散したZnの濃度がｎ型GaAs基板51中でドナー不純物と
なるSeおよび予め存在したドナー不純物濃度の総和を上
回ることにより、ｐ型反転層56が形成されることにな
る。
このようにｐ型反転層56が形成されると、この発光素子
はpnpn積層構造となる。従ってｐ側電極55が正、ｎ側電
極54が負となるようなバイアスを印加しても、ｎ型ZnSe
層52とｐ型反転層56間が逆バイアスになるため、発光部
となるｐ型ZnSe層53とｎ型ZnSe層52の接合部に十分な電
流を流すことができないのである。
はpnpn積層構造となる。従ってｐ側電極55が正、ｎ側電
極54が負となるようなバイアスを印加しても、ｎ型ZnSe
層52とｐ型反転層56間が逆バイアスになるため、発光部
となるｐ型ZnSe層53とｎ型ZnSe層52の接合部に十分な電
流を流すことができないのである。
本発明は上記した点に鑑みなされたもので、III−Ｖ族
化合物半導体とII−VI族化合物半導体の界面において反
転層や高抵抗層の発生がなく、従って良好な電流−電圧
特性が得られ、高い発光効率が得られるようにした半導
体発光素子およびその製造方法を提供することを目的と
する。
化合物半導体とII−VI族化合物半導体の界面において反
転層や高抵抗層の発生がなく、従って良好な電流−電圧
特性が得られ、高い発光効率が得られるようにした半導
体発光素子およびその製造方法を提供することを目的と
する。
本発明にかかる発光素子は、ｐ型のIII−Ｖ族化合物半
導体基板上に直接、またはｐ型のIII−Ｖ族化合物半導
体層を介してｐ型のII−VI族化合物半導体層およびｎ型
のII−VI族化合物半導体層が順次積層形成されて構成さ
れていることを特徴とする。
導体基板上に直接、またはｐ型のIII−Ｖ族化合物半導
体層を介してｐ型のII−VI族化合物半導体層およびｎ型
のII−VI族化合物半導体層が順次積層形成されて構成さ
れていることを特徴とする。
本発明はまた、ｐ型のIII−Ｖ族化合物半導体基板上に
直接、またはｐ型のIII−Ｖ族化合物半導体層を介して
ｐ型のII−VI族化合物半導体層を成長形成し、続いてこ
の上にｎ型のII−VI族化合物半導体層を成長形成して発
光素子を製造することを特徴とする。
直接、またはｐ型のIII−Ｖ族化合物半導体層を介して
ｐ型のII−VI族化合物半導体層を成長形成し、続いてこ
の上にｎ型のII−VI族化合物半導体層を成長形成して発
光素子を製造することを特徴とする。
本発明によれば、III−Ｖ族化合物半導体とII−VI族化
合物半導体の間で構成元素の相互拡散が生じたとして
も、この接合部の両側は共にｐ型であって、II−VI族化
合物半導体層のII族構成元素はIII−Ｖ族化合物半導体
層内でアクセプタとなり、III−Ｖ族化合物半導体のＶ
族構成元素はII−VI族化合物半導体層内でアクセプタと
なるために、この界面部で伝導型の反転層や高抵抗層が
形成されることはない。またｐ型III−Ｖ族化合物半導
体基板のｐ型不純物として、この上に形成されるII−VI
族化合物半導体層のII族構成元素を用い、ｐ型II−VI族
化合物半導体層のｐ型不純物としてIII−Ｖ族族化合物
半導体基板のＶ族構成元素を用いれば、成長時の構成元
素の相互拡散はより効果的に抑制される。従って良好な
電流−電圧特性が得られ、高い発光効率を有する発光素
子が得られる。
合物半導体の間で構成元素の相互拡散が生じたとして
も、この接合部の両側は共にｐ型であって、II−VI族化
合物半導体層のII族構成元素はIII−Ｖ族化合物半導体
層内でアクセプタとなり、III−Ｖ族化合物半導体のＶ
族構成元素はII−VI族化合物半導体層内でアクセプタと
なるために、この界面部で伝導型の反転層や高抵抗層が
形成されることはない。またｐ型III−Ｖ族化合物半導
体基板のｐ型不純物として、この上に形成されるII−VI
族化合物半導体層のII族構成元素を用い、ｐ型II−VI族
化合物半導体層のｐ型不純物としてIII−Ｖ族族化合物
半導体基板のＶ族構成元素を用いれば、成長時の構成元
素の相互拡散はより効果的に抑制される。従って良好な
電流−電圧特性が得られ、高い発光効率を有する発光素
子が得られる。
また本発明の方法によれば、大型結晶基板の量産技術が
確立されているGaAs,GaPなどのIII−Ｖ族化合物半導体
基板を用いて、無用な反転層や高抵抗層を形成すること
なくII−VI族化合物半導体によるpn接合を形成すること
ができ、ZnS,ZnSeなどのII−VI族化合物半導体を用いた
高効率の青色発光素子を量産することができる。
確立されているGaAs,GaPなどのIII−Ｖ族化合物半導体
基板を用いて、無用な反転層や高抵抗層を形成すること
なくII−VI族化合物半導体によるpn接合を形成すること
ができ、ZnS,ZnSeなどのII−VI族化合物半導体を用いた
高効率の青色発光素子を量産することができる。
以下本発明の実施例を説明する。
第１図は一実施例の青色発光素子を示す。図において、
11はｐ型GaAs基板であり、この上に厚さ５μｍのｐ型Zn
Se層12、厚さ５μｍのｎ型ZnSe層13が順次積層形成され
ている。GaAs基板11の主要なｐ型不純物は、ZnSeのII族
構成元素であるZnであり、その濃度は例えば１×1018/c
m3である。ｐ型ZnSe層12の主要なｐ型不順物は、GaAsの
Ｖ族構成元素であるAsであり、またｎ型ZnSe層13の主要
なｎ型不純物はAlである。GaAs基板11の裏面にはｐ側電
極としてAuZn電極14が形成され、ｎ型ZnSe層13の表面に
はｎ側電極としてInGa電極15が形成されている。
11はｐ型GaAs基板であり、この上に厚さ５μｍのｐ型Zn
Se層12、厚さ５μｍのｎ型ZnSe層13が順次積層形成され
ている。GaAs基板11の主要なｐ型不純物は、ZnSeのII族
構成元素であるZnであり、その濃度は例えば１×1018/c
m3である。ｐ型ZnSe層12の主要なｐ型不順物は、GaAsの
Ｖ族構成元素であるAsであり、またｎ型ZnSe層13の主要
なｎ型不純物はAlである。GaAs基板11の裏面にはｐ側電
極としてAuZn電極14が形成され、ｎ型ZnSe層13の表面に
はｎ側電極としてInGa電極15が形成されている。
第２図（ａ）〜（ｃ）はこの発光素子の製造工程を示
す。Znドープのｐ型GaAs基板11に、MOCVD法により先ず
ｐ型ZnSe層12を成長させる。原料ガスにはジメチル亜鉛
（DMZn）およびジメチル・セレン（DMSe）を用い、ｐ型
不純物原料としてアルシン（AsH3）を用いる。結晶成長
条件は、II族原料のモル供給量［DMZn］と、VI族原料の
モル供給量 ［DMSe］の比を、 ［DMSe］／［DMZn］＝２ とし、500℃,1気圧の条件下で行う。成長速度は約500Å
/minであり、この様な条件で厚さ５μｍのｐ型ZnSe層12
を形成する（ａ）。次に不純物原料を変えて、他は同様
の条件で厚さ５μｍのｎ型ZnSe層13を成長させる
（ｂ）。ｎ型不純物原料としては、トリエチルアルミニ
ウム（TEAl）を用いる。最後にGaAs基板11裏面にAuZn電
極14を形成し、ｎ型ZnSe層13の表面にInGa電極15を形成
して、発光素子を完成する（ｃ）。
す。Znドープのｐ型GaAs基板11に、MOCVD法により先ず
ｐ型ZnSe層12を成長させる。原料ガスにはジメチル亜鉛
（DMZn）およびジメチル・セレン（DMSe）を用い、ｐ型
不純物原料としてアルシン（AsH3）を用いる。結晶成長
条件は、II族原料のモル供給量［DMZn］と、VI族原料の
モル供給量 ［DMSe］の比を、 ［DMSe］／［DMZn］＝２ とし、500℃,1気圧の条件下で行う。成長速度は約500Å
/minであり、この様な条件で厚さ５μｍのｐ型ZnSe層12
を形成する（ａ）。次に不純物原料を変えて、他は同様
の条件で厚さ５μｍのｎ型ZnSe層13を成長させる
（ｂ）。ｎ型不純物原料としては、トリエチルアルミニ
ウム（TEAl）を用いる。最後にGaAs基板11裏面にAuZn電
極14を形成し、ｎ型ZnSe層13の表面にInGa電極15を形成
して、発光素子を完成する（ｃ）。
この様にして得られた発光素子は、pn接合の正常な電流
−電圧特性を示し、GaAs基板とZnSe層との界面部に反転
層等が生じていないことが確認された。またこの発光素
子は、良好な青色発光を示した。
−電圧特性を示し、GaAs基板とZnSe層との界面部に反転
層等が生じていないことが確認された。またこの発光素
子は、良好な青色発光を示した。
第３図は別の実施例の発光素子である。この実施例で
は、ｐ型GaAs基板31上にバッファ層としてｐ型GaAs層32
を成長させ、この上にｐ型ZnSe層33、ｎ型ZnSe層34を順
次成長させている。35はAuZn電極、36はInGa電極であ
る。
は、ｐ型GaAs基板31上にバッファ層としてｐ型GaAs層32
を成長させ、この上にｐ型ZnSe層33、ｎ型ZnSe層34を順
次成長させている。35はAuZn電極、36はInGa電極であ
る。
バッファ層としてのGaAs層32は、原料ガスとしてトリメ
チル・ガリウム（TMG）およびアルシン（AsH3）を用
い、ｐ型不純物原料としてジメチル亜鉛（DMZn）を用い
たMOCVD法により成長させる。成長条件は、700℃,1気圧
の条件下で、III族原料のモル供給量 ［TMG］とＶ族原料のモル供給量［AsH3］比を、 ［AsH3］／［TMG］＝20 となるように保つ。ｐ型ZnSe層33およびｎ型ZnSe層34の
成長法は先の実施例と同様である。
チル・ガリウム（TMG）およびアルシン（AsH3）を用
い、ｐ型不純物原料としてジメチル亜鉛（DMZn）を用い
たMOCVD法により成長させる。成長条件は、700℃,1気圧
の条件下で、III族原料のモル供給量 ［TMG］とＶ族原料のモル供給量［AsH3］比を、 ［AsH3］／［TMG］＝20 となるように保つ。ｐ型ZnSe層33およびｎ型ZnSe層34の
成長法は先の実施例と同様である。
この実施例によっても先の実施例と同様に優れた発光特
性を示す素子が得られた。
性を示す素子が得られた。
以上では、II−VI族化合物半導体としてZnSeを用いた
が、同じく広い禁制帯幅を持つZnSを用いることもでき
る。特にこれらの混晶であるZnSxSe1-xを用いれば、そ
の組成比を異ならせて素子内部に適当なヘテロ接合を形
成して、より発光効率の高い素子を得ることができる。
が、同じく広い禁制帯幅を持つZnSを用いることもでき
る。特にこれらの混晶であるZnSxSe1-xを用いれば、そ
の組成比を異ならせて素子内部に適当なヘテロ接合を形
成して、より発光効率の高い素子を得ることができる。
第４図はその様な実施例の発光素子を示す。この実施例
では、ｐ型GaAs基板41に厚さ５μｍのｐ型ZnS0.1Se0.9
層42、厚さ１μｍのｐ型ZnSe層43、厚さ５μｍのｎ型Zn
S0.1Se0.9層44が順次積層形成されている。結晶成長は
先の実施例と同様の条件のMOCVD法より行われる。その
際、Ｓの原料にはジエチル・イオウ（DES）が用いられ
る。ｐ型電極,n側電極としてそれぞれAuZn電極45,InGa
電極46が形成されている。
では、ｐ型GaAs基板41に厚さ５μｍのｐ型ZnS0.1Se0.9
層42、厚さ１μｍのｐ型ZnSe層43、厚さ５μｍのｎ型Zn
S0.1Se0.9層44が順次積層形成されている。結晶成長は
先の実施例と同様の条件のMOCVD法より行われる。その
際、Ｓの原料にはジエチル・イオウ（DES）が用いられ
る。ｐ型電極,n側電極としてそれぞれAuZn電極45,InGa
電極46が形成されている。
この素子構造において、ｐ型ZnSe層43の禁制帯幅は2.7e
Vであり、これを挟むZnSSe層42,44の禁制帯幅は2.8eVで
ある。従って両者の禁制帯幅の差により生じるポテンシ
ャル障壁によってｐ型ZnSe層43には電子および正孔が有
効に閉じこめられ、効率のよい放射性再結合が生じる。
このためこの発光素子は良好な電流−電圧特性と、高効
率の青色発光を示す。ｎ型層部分を同様にZnSとZnSSeと
の積層構造とすることも有効である。
Vであり、これを挟むZnSSe層42,44の禁制帯幅は2.8eVで
ある。従って両者の禁制帯幅の差により生じるポテンシ
ャル障壁によってｐ型ZnSe層43には電子および正孔が有
効に閉じこめられ、効率のよい放射性再結合が生じる。
このためこの発光素子は良好な電流−電圧特性と、高効
率の青色発光を示す。ｎ型層部分を同様にZnSとZnSSeと
の積層構造とすることも有効である。
本発明は上記各実施例に限られるものではない。例え
ば、II−VI族化合物半導体層として上記実施例で挙げた
ZnSxSe1-x系の他に、ZnTe,CdS,CdSe,HgTe等或いはこれ
らの混晶系を用いることができる。またIII−Ｖ族化合
物半導体基板としてGaAsの他に、GaP,InPなどを用いる
ことができる。II−VI族化合物半導体層の成長法として
も、MOCVD法に限らず、他の気相成長法やMBE法或いは液
相成長法を利用することが可能である。
ば、II−VI族化合物半導体層として上記実施例で挙げた
ZnSxSe1-x系の他に、ZnTe,CdS,CdSe,HgTe等或いはこれ
らの混晶系を用いることができる。またIII−Ｖ族化合
物半導体基板としてGaAsの他に、GaP,InPなどを用いる
ことができる。II−VI族化合物半導体層の成長法として
も、MOCVD法に限らず、他の気相成長法やMBE法或いは液
相成長法を利用することが可能である。
その他、本発明はその趣旨を逸脱しない範囲で種々変形
して実施することができる。
して実施することができる。
第１図は本発明の一実施例の発光素子を示す図、第２図
（ａ）〜（ｃ）はその製造工程を説明するための図、第
３図および第４図は他の実施例の発光素子を示す図、第
５図は従来の発光素子を示す図である。 11,31,41……ｐ型GaAs基板、32……ｐ型GaAs層、12,33,
43……ｐ型ZnSe層、13,34,……ｎ型ZnSe層、42……ｐ型
ZnSSe層、44……ｎ型ZnSSe層、14,35,45……AuZn電極、
15,36,46……InGa電極。
（ａ）〜（ｃ）はその製造工程を説明するための図、第
３図および第４図は他の実施例の発光素子を示す図、第
５図は従来の発光素子を示す図である。 11,31,41……ｐ型GaAs基板、32……ｐ型GaAs層、12,33,
43……ｐ型ZnSe層、13,34,……ｎ型ZnSe層、42……ｐ型
ZnSSe層、44……ｎ型ZnSSe層、14,35,45……AuZn電極、
15,36,46……InGa電極。
Claims (11)
- 【請求項１】ｐ型のIII−Ｖ族化合物半導体基板上に直
接、またはｐ型のIII−Ｖ族化合物半導体層を介して、
ｐ型のII−VI族化合物半導体層およびｎ型のII−VI族化
合物半導体層が順次積層されて構成されていることを特
徴とする半導体発光素子。 - 【請求項２】前記ｐ型のIII−Ｖ族化合物半導体基板ま
たはその上のｐ型のIII−Ｖ族化合物半導体層の主要な
アクセプタ不純物は、これに接する前記ｐ型のII−VI族
化合物半導体層のII族元素である特許請求の範囲第１項
記載の半導体発光素子。 - 【請求項３】前記ｐ型のII−VI族化合物半導体層の主要
なアクセプタ不純物は、これに接する前記ｐ型のIII−
Ｖ族化合物半導体基板またはこの上のIII−Ｖ族化合物
半導体層のＶ族元素である特許請求の範囲第１項記載の
半導体発光素子。 - 【請求項４】前記ｐ型のIII−Ｖ族化合物半導体基板ま
たはこの上のｐ型のIII−Ｖ族化合物半導体層がGaAsで
あり、前記ｐ型のII−VI族化合物半導体層およびｎ型の
II−VI族化合物半導体層がZnSxSe1-x（０≦ｘ≦１）で
ある特許請求の範囲第１項記載の半導体発光素子。 - 【請求項５】前記ｐ型のII−VI族化合物半導体層はZnSS
e層とZnSe層の積層構造からなり、前記ｎ型のII−VI族
化合物半導体層がZnSSeからなる特許請求の範囲第１項
記載の半導体発光素子。 - 【請求項６】ｐ型のIII−Ｖ族化合物半導体基板に直
接、またはｐ型のIII−Ｖ族化合物半導体層を成長形成
した後、ｐ型のII−VI族化合物半導体層およびｎ型のII
−VI族化合物半導体層を順次成長形成することを特徴と
する半導体発光素子の製造方法。 - 【請求項７】前記ｐ型のIII−Ｖ族化合物半導体基板ま
たはその上のｐ型のIII−Ｖ族化合物半導体層の主要な
アクセプタ不純物は、これに接する前記ｐ型のII−VI族
化合物半導体層のII族元素である特許請求の範囲第６項
記載の半導体発光素子の製造方法。 - 【請求項８】前記ｐ型のII−VI族化合物半導体層の主要
なアクセプタ不純物は、これに接する前記ｐ型のIII−
Ｖ族化合物半導体基板またはこの上のIII−Ｖ族化合物
半導体層のＶ族元素である特許請求の範囲第６項記載の
半導体発光素子の製造方法。 - 【請求項９】前記ｐ型のIII−Ｖ族化合物半導体基板ま
たはこの上のｐ型のIII−Ｖ族化合物半導体層がGaAsで
あり、前記ｐ型のII−VI族化合物半導体層およびｎ型の
II−VI族化合物半導体層がZnSxSe1-x（０≦ｘ≦１）で
ある特許請求の範囲第６項記載の半導体発光素子の製造
方法。 - 【請求項１０】前記ｐ型のII−VI族化合物半導体層はZn
SSe層からなり、前記ｎ型のII−VI族化合物半導体層がZ
nSeとZnSSeとの積層構造からなる特許請求の範囲第６項
記載の半導体発光素子の製造方法。 - 【請求項１１】前記ｐ型のII−VI族化合物半導体層およ
びｎ型のII−VI族化合物半導体層をMOCVD法により成長
形成する特許請求の範囲第６項記載の半導体発光素子の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1494086A JPH0728052B2 (ja) | 1986-01-27 | 1986-01-27 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1494086A JPH0728052B2 (ja) | 1986-01-27 | 1986-01-27 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62172766A JPS62172766A (ja) | 1987-07-29 |
| JPH0728052B2 true JPH0728052B2 (ja) | 1995-03-29 |
Family
ID=11874954
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1494086A Expired - Lifetime JPH0728052B2 (ja) | 1986-01-27 | 1986-01-27 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0728052B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6482575A (en) * | 1987-09-25 | 1989-03-28 | Inkiyubeetaa Japan Kk | Blue-light emitting element and manufacture thereof |
| JP2656276B2 (ja) * | 1988-01-22 | 1997-09-24 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子 |
| US5248631A (en) * | 1990-08-24 | 1993-09-28 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Doping of iib-via semiconductors during molecular beam epitaxy using neutral free radicals |
| US5213998A (en) * | 1991-05-15 | 1993-05-25 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Method for making an ohmic contact for p-type group II-VI compound semiconductors |
| SG46466A1 (en) * | 1991-05-15 | 1998-02-20 | Minnesota Mining & Mfg | Blue-green laser diode |
-
1986
- 1986-01-27 JP JP1494086A patent/JPH0728052B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62172766A (ja) | 1987-07-29 |
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