JPH07283028A

JPH07283028A - 軟磁性薄膜、及び、それを用いた磁気ヘッド、磁気記録装置

Info

Publication number: JPH07283028A
Application number: JP7044594A
Authority: JP
Inventors: Fumiyoshi Kirino; 文良桐野; Yoshitsugu Koiso; 良嗣小礒; Moichi Otomo; 茂一大友; Hidetoshi Moriwaki; 英稔森脇
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1994-04-08
Filing date: 1994-04-08
Publication date: 1995-10-27

Abstract

(57)【要約】【構成】微結晶析出型の軟磁性薄膜と基板或いは表面層
を有する基板との界面近傍に結晶粒子成長を抑制する効
果がある制御層を設ける。【効果】結晶粒子の成長が抑制され、高耐熱性を有する
軟磁性薄膜が得られ、ＭＩＧ型ヘッドのガラスボンディ
ング等の高温での加工が可能になり、ヘッドの強度が増
す。また、磁性膜の耐食性が向上し、ヘッド寿命が改善
される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、軟磁気特性を有する磁
性薄膜にかかり、特に、高性能でしかも高信頼性を有す
る軟磁性薄膜及び磁性膜の構造、さらにはそれを用いて
作製した磁気ヘッド、及び、磁気記録装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年の高度情報化社会の進展にともな
い、小型でしかも高密度な記憶装置へのニーズが高まっ
ている。この中で、磁気記録装置は高密度記録，ダウン
サイジングへの研究が急速に進められている。記録した
微小磁区を安定に存在させ、高密度記録を実現するため
に、高保磁力を有する媒体とこの媒体に記録できる高性
能な磁気ヘッドが必要となる。高保磁力媒体を十分に磁
化して信号を記録するには、強い磁界が発生できる高飽
和磁束密度を有する磁気ヘッド材料が必要となる。

【０００３】現在、提案されている高飽和磁束密度を有
する材料は、Ｆｅ−Ｃ系やＦｅ−Ｎ系等が知られてい
る。これらの材料は成膜後に熱処理を行い、微結晶化す
ることにより軟磁気特性を発現させている。しかし、こ
れらの材料を磁気ヘッドに用い、特に、メタル・イン・
ギャップ（ＭＩＧ）型ヘッドを構成する場合、ヘッド作
製工程に熱処理過程を含むために、熱安定性の確保が必
要である。熱処理温度は、ヘッド作製工程の中でガラス
ボンディング時の温度で決定される。そのため、磁性膜
は一定温度以上の熱安定性を有していなければならな
い。

【０００４】また、Ｆｅ−Ｃ系やＦｅ−Ｎ系等の材料
は、Ｆｅを主体としているために、大気中の酸素や水と
反応して水酸化物や酸化物を生成し、磁気特性、特に、
保磁力や飽和磁束密度の変動を生じるために、磁気ヘッ
ドの性能が低下する場合があった。そこで、この材料を
用いた磁気ヘッドを実用化するのに当り、これら磁気特
性の変動を抑制することも課題であった。これらの課題
を解決するために、磁性元素以外に、耐食性を向上させ
るための元素を添加することが提案されている。その公
知な例として、特開平3−20444 号公報をあげることが
できる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】例えば、軟磁性膜を用
いてＭＩＧ型ヘッドを構成すると、ガラス等の接着剤を
用いたボンディング工程が含まれるため、磁性膜はこの
工程を経ても軟磁気特性の劣化が抑制されていること
が、実用上必要である。しかし、上記の公知例では、こ
の点の配慮が必ずしも十分になされていなかった。さら
に、Ｆｅ−Ｃ系やＦｅ−Ｎ系等に代表される鉄族−半金
属系の磁性材料は、この他に、耐食性が実用上十分な耐
性を有しておらず、磁気特性の確保と耐食性の確保の両
方を同時に満足しなければならない。

【０００６】上記の公知例は、添加元素の最適化を行う
ことにより、磁気特性と耐食性の向上を両立させようと
するものであった。しかし、耐食性を確保しようとする
と、磁気特性、特に、飽和磁束密度及び保磁力が劣化
し、磁気ヘッドの性能を低下させてしまう。その結果、
このヘッドを用いた磁気記録装置により磁気記録を行う
と、エラーやノイズを生じる場合があった。また、磁気
特性を確保しようとすると、環境中の水や酸素に対する
耐性が必ずしも十分ではなく、磁性膜の腐食により磁気
特性が変動するので、エラーやノイズを生じる場合があ
った。

【０００７】本発明の目的は、高飽和磁束密度を有する
鉄族元素、特に、Ｆｅ或いはＣｏを主体とする軟磁気特
性を有する磁性膜において、熱安定性に優れ、しかも、
軟磁気特性及び耐食性に優れた磁性材料を提供すること
にある。本発明の第二の目的は、高飽和磁束密度を有す
る磁性材料を磁性膜に用いた高性能磁気ヘッドを提供す
ることにある。さらに、本発明の第三の目的は、この高
性能磁気ヘッドを用いた磁気記録装置を構成することに
より、記録密度の向上が図れ、高性能磁気記録装置を提
供することにある。本発明の第四の目的は、高飽和磁束
密度を有する鉄族元素を主体とする軟磁気特性を有する
磁性膜において、高信頼性及び高性能を有する軟磁性
膜、及びそれを用いた磁気ヘッド，磁気記録装置を提供
することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的を実現するため
に、結晶性を有する基板上に軟磁気特性を有する金属薄
膜を形成する場合において、その基板上に非晶質の薄膜
を一定の膜厚に形成した後に、その磁性薄膜の形成を行
う。ここで、この薄膜の膜厚が、３ｎｍ以上、５０ｎｍ
以下であることが好ましい。さらに重要なことは、その
磁性膜を形成した後の軟磁気特性を発現させるための熱
処理により、先に形成した非晶質薄膜がそれに続いて形
成する磁性薄膜と反応もしくは磁性薄膜中へ拡散しない
ことが好ましい。

【０００９】上記非晶質の薄膜は、スパッタにより形成
される磁性膜の結晶成長反応、特に磁性膜の両界面或い
はいずれか一方の界面に形成される柱状組織の成長反応
を抑制する効果を有する材料および膜厚であることが望
ましい。柱状組織が形成されると、軟磁気特性、特に、
保磁力が増大し、磁気ヘッド用の材料には適さなくな
る。これは、軟磁気特性、特に、保磁力特性の劣化が、
軟磁性薄膜の析出してくる微結晶サイズが一定サイズ以
上になっているために生じるからである。

【００１０】結晶性の基板上に形成する非晶質の薄膜と
しては、金属或いは合金であり、さらに優位には、金属
がＣｒ，Ａｌ，Ｎｉ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｃｏの
内より選ばれる少なくとも１種類の元素或いはその合金
を用いることが好ましい。合金として有効なのは、例え
ば、アモルファスのＣｏ−Ｔａ−Ｚｒ系，Ｃｏ−Ｎｂ−
Ｚｒ系がその一例である。上記基板上に形成する非晶質
の薄膜として、金属材料以外では、無機の化合物であ
り、さらに優位には、無機の化合物が窒化シリコン，酸
化シリコン，窒化アルミニウム，酸化クロム，窒化チタ
ン，窒化タンタル，酸化チタン，酸化タンタル，酸化ア
ルミニウムの内より選ばれる少なくとも１種類の化合物
を用いてもよい。特に、これらの材料の場合、磁性膜中
への拡散が起こりにくく、かつ、結晶核になるものが少
ないので、柱状組織が形成されにくい。

【００１１】軟磁気特性を有する金属薄膜の具体的な材
料として、Ｆｅ或いはＣｏに、Ｔａを５ａｔ％から２０
ａｔ％の濃度範囲で、Ｓｉ，Ｂ，Ｃ，Ｎの内から選ばれ
る少なくとも１種類の元素を１ａｔ％から２０ａｔ％の
濃度範囲で含む元素を主体として、この磁性膜にＡｌ，
Ｔｉ，Ｃｒ，Ｎｂ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｍｏ，Ｗ
の内から選ばれる少なくとも１種類の元素を１ａｔ％以
上、２０ａｔ％以下の濃度で添加した材料が好適であ
る。ここで、軟磁性膜に添加する元素として、炭素との
反応の自由エネルギが異なりかつＦｅへの固溶率が異な
る複数種類の元素を含む合金薄膜を加熱処理を行い微結
晶を析出させ、結晶粒界に炭素との反応の自由エネルギ
が大きく、しかもＦｅへの固溶率が小さい元素を析出さ
せ、炭素との反応の自由エネルギが小さくしかもＦｅへ
の固溶率が大きい方の元素をＦｅ微結晶相中に合金とし
て存在していることが好ましい。

【００１２】これらの軟磁性薄膜を熱処理することによ
りα−Ｆｅ相および／またはこのＦｅとの間で金属間化
合物、および／または金属の炭化物，窒化物、或いは硼
素化物の内から選ばれる少なくとも一つの化合物相から
なる微結晶薄膜を形成する。この場合、重要なのは、少
なくとも７００℃で熱処理した後の軟磁性薄膜の各相の
結晶粒径が、α−Ｆｅ相或いはＦｅとの間の金属間化合
物が１ｎｍ以上，２０ｎｍ以下であり、金属の炭化物，
窒化物、或いは硼素化物の内から選ばれる少なくとも一
つの化合物相が１ｎｍ以上，１０ｎｍ以下であることが
好ましい。さらに、結晶配向性の変化や微結晶化するこ
とが好ましく、α−Ｆｅ相が最大で１０ｎｍ，ＴａＣ層
が５ｎｍ以下であることがさらに好ましい。

【００１３】この軟磁性薄膜を磁気ヘッドの磁性膜とし
て用いることが好適である。さらに、その磁気ヘッド
が、メタル・イン・ギャップ型であることが最も好まし
い。さらに、この磁気ヘッドを用いて磁気記録装置を構
成することが好ましい。そして、この装置を用いて情報
の記録を行い、さらに好ましくは、その情報が画像情報
や音声情報であることが有効である。そして、記録は移
動する情報記録媒体へ先の磁気ヘッドを用いて磁気的性
質により情報を記録する。用いる移動する情報記録媒体
として、基板と平行方向或いは垂直方向に磁化容易軸を
有するいずれの磁気記録媒体を用いてもよい。

【００１４】

【作用】上記手段によれば、結晶性基板上に非晶質薄膜
を形成した後に磁性膜を作製することにより、磁性膜形
成時及び軟磁気特性を発現させるための熱処理を行うこ
とにともなう微結晶析出反応により形成される柱状組織
の生成あるいはその成長を抑制できる。これは、結晶性
基板上に非晶質薄膜を形成することにより、磁性膜形成
時（通常は、膜形成初期に結晶層が形成される）及びそ
の後の微結晶析出反応時に成膜する基板表面の結晶化の
核となる点の存在が著しく少ないので、柱状組織の発生
及び成長が抑制されることによる。これにより、結晶成
長反応が抑制できるので、磁性膜の耐熱性を向上させる
ことができる。このような作用は、結晶性基板上に非晶
質膜を形成すればよく、材料的には金属及び無機化合物
のいずれでも良く、特に、拡散しにくい無機化合物の方
が好適である。

【００１５】

【実施例】

（実施例１）本実施例は、軟磁性薄膜としてＦｅＴａＣ
ＣｒＮｂ合金膜を用いた例である。磁性膜の作製は、フ
ェライト単結晶基板上にＳｉ₃Ｎ₄膜を１０Å〜５００Å
と膜厚を変化させて形成した。それに引き続きＦｅＴａ
ＣＣｒＮｂ軟磁性薄膜を用いた。磁性膜の成膜にはスパ
ッタ法を用いて行った。スパッタのターゲットには、Ｆ
ｅ，Ｔａ，Ｃ，Ｎｂ，Ｃｒの各元素の粉体を熱間静圧プ
レス法（ＨＩＰ法）により成型したものを用いた。この
ターゲット中の不純物酸素濃度は４００ppm 以下であっ
た。ターゲットの組成はＦｅ₇₃Ｔａ₇Ｃ₈Ｃｒ₇Ｎｂ₅で、
薄膜化しても得られた膜の組成は、ターゲットとほとん
ど変わらなかった。その時の磁性膜の各特性は、飽和磁
束密度が１.５Ｔ，保磁力が０.２Ｏｅ，１ＭＨｚにおけ
る透磁率が３０００以上であり、かつ、磁歪定数が７×
１０^-7であった。基板上に、先の合金ターゲットを用
い、放電ガスにＡｒをそれぞれ用いてスパッタした。ス
パッタの条件は、放電ガス圧力：５ｍTorr，投入ＲＦ電
力：４００Ｗである。これらのスパッタ条件は、スパッ
タ装置等に依存したもので、これらの値に限定されるも
のではない。このようにして形成した磁性膜の膜厚は５
μｍである。

【００１６】この磁性膜を各種温度で熱処理したときの
保磁力の熱処理温度依存性を図１に示す。ここで、保磁
力の変化は、磁性膜の結晶粒サイズを反映しているから
である。５００℃から７００℃まで熱処理しても、この
ＦｅＴａＣＣｒＮｂ合金膜の保磁力は熱処理温度に依存
しないことがわかる。

【００１７】また、窒化シリコン膜の膜厚依存性を調べ
ると、図２に示すように、３０Å以上の膜厚では保磁力
はほぼ一定であり、５００Å以上の膜厚にすると、基板
から磁性膜が剥がれた。この結果から、有効な非晶質層
の膜厚は、３０Åから５００Åの間である。熱処理を行
うと、成膜直後の非晶質膜が結晶化することにより、軟
磁気特性が発現する。ここで、７００℃で熱処理した軟
磁性膜を透過型電子顕微鏡により膜構造を観察したとこ
ろ、Ｆｅ相の結晶サイズは８ｎｍから１６ｎｍの間で、
平均１０ｎｍであった。また、ＴａＣ相の結晶サイズは
４ｎｍから６nmの間であった。Ｘ線回折の結果から、格
子定数を求めたところＦｅ相はα−Ｆｅより大きいこと
から、ＦｅＣｒＮｂ合金，ＦｅＮｂ合金もしくはＦｅＣ
ｒ合金等の合金であると考えられ、固溶体を形成してい
ることがわかる。また、この磁性膜の断面構造を透過型
電子顕微鏡により観察したところ、結晶性基板上に磁性
膜を直接形成すると、柱状組織の部分が基板と磁性膜と
の界面に存在していた。これに対して、窒化シリコン層
を３０Å以上の膜厚で設けると柱状組織の層は存在して
いなかった。

【００１８】７００℃で熱処理した磁性膜を０.５規定
塩化ナトリウム水溶液中に５００時間浸漬させた。その
結果、目視観察では腐食の発生はまったく見られなかっ
た。また、５００時間浸漬した後、磁気特性を測定した
結果、成膜直後の特性となんら違いは見られなかった。
また、８０℃で９５％ＲＨ環境中へこの磁性膜を2000時
間以上放置したが、腐食の発生や磁気特性の変化は見ら
れなかった。このように、析出させた時の結晶粒のサイ
ズが大きいと、腐食を受けやすかった。このように、微
結晶析出反応を制御すること（結晶粒子サイズ或いはＦ
ｅ，ＴａＣの２層分離させること）により、高耐食性を
有する磁性膜を得ることができた。

【００１９】この膜を用いて、ＭＩＧ（メタルインギャ
ップ）型ヘッドを作製した。その斜視図を図３に示す。
磁気ヘッドの作製はこの軟磁性薄膜１を単結晶のフェラ
イト基板２上に窒化シリコン膜を５０Åを介して形成し
た。ギャップ部３は、先のフェライト基板２上に形成し
た軟磁性薄膜１上に、ＳｉＯ₂を２００ｎｍの膜厚に形
成した後にＣｒを１００ｎｍの膜厚に形成した。これを
窒素気流中にて６００℃で１時間熱処理し、同一形状の
ヘッド基板を低融点ガラス４によりボンディングした。
ここで、熱処理温度は、このガラスボンディング工程に
おける温度に支配される。基板と磁性膜の間に両者の接
着性の向上のための接合層を設けても良い。

【００２０】この磁気ヘッドを用いて、ＶＴＲ装置を作
製し、テープを走行させ画像情報を記録した。ハイビジ
ョンのディジタル情報を記録したところ、Ｓ／Ｎは４０
ｄＢであった。ここで、相対速度は３６ｍ／ｓ，データ
レートは４６.１Mbps ，トラック幅は４０μｍである。

【００２１】このヘッドの耐食性を０.５規定塩化ナト
リウム水溶液中への浸漬試験法、及び、高温高湿度環境
（６０℃、相対湿度：９５％）中での結露試験法により
評価した。まず、先のヘッドチップを０.５規定塩化ナ
トリウム水溶液中へ１０００時間浸漬させた。その後
に、このヘッドを再び装置にセットして記録再生特性を
測定した。その結果、浸漬前となんら記録再生特性に違
いは見られなかった。また、高温高湿度環境（６０℃、
相対湿度：９５％）中での結露試験法による評価は、先
のＭＩＧヘッドをペルチェ素子上に固定して１０℃に保
ち、これをペルチェ素子もろとも６０℃、相対湿度：９
５％環境中へ放置した。ヘッド全体に、結露が生じた。
この状態で２０００時間以上この環境中へ放置したが、
腐食の発生や記録や再生信号の劣化は見られなかった。
これまでＶＴＲ用の磁気ヘッドを例に説明してきたが、
本発明の効果は磁気ディスクやヘリカルスキャンを用い
た磁気テープ装置に対しても適用でき、装置等に左右さ
れるものではない。

【００２２】また、以上は、ＦｅＴａＣＮｂＣｒ合金膜
を磁性膜に用いた場合であるが、本発明の効果は、この
材料系に限ることなく、少なくともＣ以外に、Ｂ，Ｓ
ｉ，Ｎ等を用いた磁性膜を構成しても同様である。ま
た、熱安定性向上に加えて高性能な軟磁気特性を維持し
たまま磁性膜の耐食性向上を図ることができる。さら
に、添加する元素として、Ｎｂ，Ｃｒ以外にＡｌ，Ｔ
ｉ，Ｃｒ，Ｎｂ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｍｏ，Ｗの
内から選ばれる元素の１種類もしくは２種類を添加した
磁性膜においても同様の効果が得られる。ここで、Ｃ以
外のＢ，Ｎ，Ｓｉ等を用いた場合でも、Ｃと同様にそれ
ぞれの化合物（硼素化物，珪素化物、或いは窒化物等）
を形成している。これらの添加元素の作用は、結晶粒界
に化合物として析出したり、および／または金属間化合
物などの合金を形成することにより結晶粒の成長が抑制
されるためと考えられる。

【００２３】さらに、磁性膜をＣｒ，Ａｌ，Ｎｉ，Ｚ
ｒ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｃｏの内より選ばれる少なくと
も１種類の元素或いはその合金の膜を介して形成しても
良い。また、ＳｉＮｘ以外に非晶質の薄膜として、無機
の化合物であり、その無機の化合物として、酸化シリコ
ン，窒化アルミニウム，酸化クロム，窒化チタン，窒化
タンタル，酸化チタン，酸化タンタル，酸化アルミニウ
ムの内より選ばれる少なくとも１種類の化合物を用いて
も同様の効果が得られる。

【００２４】

【発明の効果】本発明によれば、微結晶析出型の軟磁性
薄膜において、磁性膜と基板或いは表面層を有する基板
との界面近傍に結晶粒子成長を抑制する効果がある制御
層を設けることにより、結晶粒子の成長が抑制される。
その結果、高耐熱性を有する軟磁性薄膜が得られ、ＭＩ
Ｇ型ヘッドの加工工程でも、ガラスボンディング等の高
温での加工が可能になり、ヘッドの強度が増すととも
に、高性能を有したままヘッドの信頼性向上をはかるこ
とができる。また、結晶粒子の成長の抑制，結晶配向性
の変化により、磁性膜の耐食性が向上し、ヘッド寿命が
改善される。

【図面の簡単な説明】

【図１】熱処理温度と保磁力との関係を示す特性図。

【図２】非晶質層の厚さと保磁力との関係を示す特性
図。

【図３】メタルインギャップ型磁気ヘッドの構造を示す
斜視図。

【符号の説明】

１…軟磁性薄膜、２…フェライト基板、３…ギャップ
部、４…低融点ガラス部。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者森脇英稔東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地株式会社日立製作所中央研究所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】結晶性の基板上に非晶質薄膜を形成した後
に、熱処理を行うことにより軟磁気特性が発現する磁性
薄膜の形成を行い、優位には、前記非晶質薄膜の膜厚が
３nm以上５０ｎｍ以下であることを特徴とする軟磁性薄
膜。
【請求項２】結晶性の基板上に非晶質薄膜を形成した後
に、熱処理を行うことにより軟磁気特性が発現する磁性
薄膜の形成により、熱処理による前記磁性薄膜の結晶成
長反応を制御したことを特徴とする軟磁性薄膜の製造方
法。
【請求項３】請求項２に記載の制御する結晶成長反応と
して、柱状組織の形成を抑制した軟磁性薄膜の製造方
法。
【請求項４】請求項１記載の基板上に形成する非晶質の
薄膜として、金属或いは合金であり、さらに優位には、
前記金属がＣｒ，Ａｌ，Ｎｉ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｎ
ｂ，Ｃｏの内より選ばれる少なくとも１種類の元素或い
はその合金からなる非晶質薄膜を用いた軟磁性薄膜。
【請求項５】請求項１記載の基板上に形成する非晶質の
薄膜として、無機の化合物であり、さらに優位には、前
記無機の化合物が窒化シリコン，酸化シリコン，窒化ア
ルミニウム，酸化クロム，窒化チタン，窒化タンタル，
酸化チタン，酸化タンタル，酸化アルミニウムの内より
選ばれる少なくとも１種類の化合物からなる非晶質薄膜
を用いた軟磁性薄膜。
【請求項６】請求項１記載の結晶性基板上に形成する非
晶質の薄膜の元素が、それに引き続き形成する熱処理を
行うことにより軟磁気特性が発現する磁性薄膜中へ拡散
しない軟磁性薄膜。
【請求項７】請求項１記載の少なくとも熱処理を行うこ
とにより軟磁気特性が発現する磁性膜として、Ｆｅ或い
はＣｏに、Ｔａを５ａｔ％から２０ａｔ％の濃度範囲
で、Ｓｉ，Ｂ，Ｃ，Ｎの内から選ばれる少なくとも１種
類の元素を１ａｔ％から２０ａｔ％の濃度範囲で含む元
素を主体として、前記磁性膜にＡｌ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｎ
ｂ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｍｏ，Ｗの内から選ばれ
る少なくとも１種類の元素を１ａｔ％以上で、２０ａｔ
％以下の濃度で添加した軟磁性薄膜。
【請求項８】請求項７に記載の前記軟磁性膜に添加する
元素として、炭素との反応の自由エネルギが異なりＦｅ
への固溶率が異なる複数種類の元素を含む合金薄膜を加
熱処理を行い微結晶を析出させ、結晶粒界に炭素との反
応の自由エネルギが大きく、Ｆｅへの固溶率が小さい元
素を析出させ、炭素との反応の自由エネルギが小さくＦ
ｅへの固溶率が大きい方の元素をＦｅ微結晶相中に合金
として存在している軟磁性薄膜。
【請求項９】請求項１，２，３，４，５，６，７または
８に記載の軟磁性薄膜を７００℃以上に加熱しても磁性
膜の有する軟磁気特性の劣化、特に保磁力の劣化が抑制
される軟磁性薄膜。
【請求項１０】請求項１，２，３，４，５，６，７，８
または９に記載の磁性膜の形成に先立って作製する非晶
質層の膜厚が、３ｎｍ以上、３０ｎｍ以下である軟磁性
薄膜。
【請求項１１】請求項１，２，３，４，５，６，７，
８，９または１０に記載の軟磁性薄膜において、少なく
とも７００℃で熱処理しても、磁性膜の基板側の界面お
よび／またはその反対側の界面近傍に柱状の組織を有す
る部分の膜厚が少なくとも磁性膜の膜厚の５％以下であ
る軟磁性薄膜。
【請求項１２】請求項１，２，３，４，５，６，７，
８，９，１０または１１に記載の軟磁性薄膜を用いた磁
気ヘッド。
【請求項１３】請求項１２に記載の磁気ヘッドが、メタ
ル・イン・ギャップ型である磁気ヘッド。
【請求項１４】請求項１２または１３に記載の磁気ヘッ
ドを用いた磁気記録装置。
【請求項１５】請求項１２または１３に記載の磁気ヘッ
ドを用いて磁気的性質により情報を記録した磁気記録装
置。
【請求項１６】請求項１４または１５において、移動す
る情報記録媒体が基板と平行方向或いは垂直方向に磁化
容易軸を有する磁気記録媒体である磁気記録装置。