JPH07283253A - Method for manufacturing semiconductor device - Google Patents
Method for manufacturing semiconductor deviceInfo
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- JPH07283253A JPH07283253A JP6100822A JP10082294A JPH07283253A JP H07283253 A JPH07283253 A JP H07283253A JP 6100822 A JP6100822 A JP 6100822A JP 10082294 A JP10082294 A JP 10082294A JP H07283253 A JPH07283253 A JP H07283253A
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/50—Encapsulations or containers
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- Light Receiving Elements (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 枠の取り付け工程が不要であり、生産性の向
上を図ることができる半導体装置の製造方法を提供する
こと。
【構成】 基板上に半導体素子を搭載し、開口を有する
スクリーンをその開口内に上記半導体素子が納めた状態
で上記基板上に配置した後、その基板上から所定量の樹
脂封止材をスキージによって上記開口内に埋設し、スク
リーンを取り外すことで基板と半導体素子とを一体に封
止する半導体装置の製造方法であって、上記樹脂封止材
が、光透過性を有しかつスクリーンを取り外した後にそ
の開口と略同形の形状を維持して硬化する材料で構成さ
れるようにする。
(57) [Abstract] [Purpose] To provide a method for manufacturing a semiconductor device, which does not require a frame mounting step and can improve productivity. [Structure] A semiconductor element is mounted on a substrate, and a screen having an opening is placed on the substrate with the semiconductor element accommodated in the opening, and then a predetermined amount of a resin sealing material is squeegeeed from the substrate. A method of manufacturing a semiconductor device in which a substrate and a semiconductor element are integrally sealed by being embedded in the opening by removing the screen, wherein the resin encapsulant has optical transparency and the screen is removed. After that, it is made of a material that hardens while maintaining a shape substantially the same as the opening.
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、基板上に例えば発光素
子や受光素子などの半導体素子が一体に樹脂封止された
光学用の半導体装置の製造方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing an optical semiconductor device in which a semiconductor element such as a light emitting element or a light receiving element is integrally resin-sealed on a substrate.
【0002】[0002]
【従来の技術】一般に、基板と基板上に搭載された受光
素子などの半導体素子からなる光学用の半導体装置を製
造するにあたっては、それら基板と半導体素子を一体に
封止する樹脂封止材として光透過性の良好な熱硬化性樹
脂が使用される。2. Description of the Related Art Generally, when manufacturing an optical semiconductor device including a substrate and a semiconductor element such as a light receiving element mounted on the substrate, a resin sealing material for integrally sealing the substrate and the semiconductor element is used. A thermosetting resin having good light transmittance is used.
【0003】ところが、使用される従来の熱硬化性樹脂
は粘性が低かった。しかも粘性を高めるべくまたはスク
リーン印刷に適した流動特性であるチキソトロピー性を
付与すべくフィラーを高充填すると、満足する光透過性
などの要求特性が損なわれるという欠点を有していた。
このため従来において光学用の半導体装置を製造するに
は、樹脂の流れを防止するための枠などが必要であり、
またそれらを基板上に取り付ける工程が別途必要であっ
た。However, the conventional thermosetting resin used has a low viscosity. Moreover, when the filler is highly filled to increase the viscosity or to impart thixotropic property which is a flow property suitable for screen printing, there is a drawback that the required properties such as satisfactory light transmittance are impaired.
Therefore, in order to conventionally manufacture an optical semiconductor device, a frame or the like for preventing the flow of resin is required,
In addition, a step of attaching them on the substrate is required separately.
【0004】例えば、図4(a)、(b)に示したよう
にまず基板1上に略矩形状の枠2を接着剤で取り付け、
次いで枠2内の基板1上にIC3aやフォトダイオード
3bなどの半導体素子3をダイボンディングする。そし
てIC3aおよびフォトダイオード3bと基板1上の図
示しないボンディングパッドとをワイヤーボンディング
した後、枠2内に熱硬化性樹脂4をディスペンサーなど
で塗布して樹脂封止していた。For example, as shown in FIGS. 4 (a) and 4 (b), first, a substantially rectangular frame 2 is attached to a substrate 1 with an adhesive,
Next, the semiconductor element 3 such as the IC 3a and the photodiode 3b is die-bonded onto the substrate 1 in the frame 2. Then, after the IC 3a and the photodiode 3b are wire-bonded to a bonding pad (not shown) on the substrate 1, the thermosetting resin 4 is applied to the inside of the frame 2 with a dispenser or the like for resin sealing.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記した
方法では、基板1への枠2の接着が悪いと、枠2内に塗
布された粘性の低い熱硬化性樹脂4が枠2外へ漏れるこ
とがあった。また枠2の取り付けに使用する接着剤自体
が、ボンディングパッド上に拡がってワイヤーボンディ
ング性が低下するなど、枠2の取り付けに起因する不良
が発生していた。However, in the above method, if the frame 2 is not adhered well to the substrate 1, the thermosetting resin 4 having a low viscosity applied to the frame 2 may leak out of the frame 2. there were. Further, the adhesive itself used for mounting the frame 2 spreads on the bonding pad and the wire bonding property is deteriorated.
【0006】さらに、枠2の取り付けや枠2内への熱硬
化接着剤4の塗布など被処理物と1対1の作業となるた
め、タクトタイムが制限され生産性が悪いという問題も
生じていた。本発明は上記課題に鑑みてなされたもので
あり、枠の取り付け工程が不要であり、生産性の向上を
図ることができる半導体装置の製造方法を提供すること
を目的としている。Further, the work is carried out on a one-to-one basis with the object to be processed such as mounting the frame 2 and applying the thermosetting adhesive 4 into the frame 2, so that there is a problem that the tact time is limited and the productivity is poor. It was The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a method for manufacturing a semiconductor device that does not require a frame attaching step and can improve productivity.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に請求項1記載の発明は、基板上に半導体素子を搭載
し、開口を有するスクリーンをその開口内に前記半導体
素子が納めた状態で上記基板上に配置した後、基板上か
ら所定量の樹脂封止材をスキージによって上記開口内に
埋設し、このスクリーンを取り外すことで基板と半導体
素子とを一体に封止する半導体装置の製造方法であっ
て、上記樹脂封止材が、光透過性を有しかつ上記スクリ
ーンを取り外した後にその開口と略同形の形状を維持し
て硬化する材料で構成されるようにしたものである。In order to solve the above-mentioned problems, the invention according to claim 1 is a state in which a semiconductor element is mounted on a substrate, and a screen having an opening is accommodated in the opening. A method for manufacturing a semiconductor device in which a predetermined amount of resin sealing material is embedded in the opening with a squeegee from the substrate after the substrate is arranged, and the screen and the semiconductor element are integrally sealed by removing the screen. The resin encapsulant is made of a material that is light-transmissive and hardens while removing the screen and maintaining a shape substantially the same as the opening.
【0008】また請求項2記載の発明は、請求項1記載
の発明における樹脂封止材として、熱硬化性樹脂と硬化
剤とチキソトロピー性付与剤とを含んで構成されるもの
を用いるようにしたものである。さらに請求項3記載の
発明は、請求項2記載の発明における熱硬化性樹脂とし
て、エポキシ樹脂を用いるようにしたものである。また
請求項4記載の発明は、請求項2または請求項3記載の
発明における硬化剤として、放置状態における粘性の変
化が小さい材料を用いるようにしたものである。According to a second aspect of the present invention, as the resin encapsulating material in the first aspect of the invention, a resin sealing material containing a thermosetting resin, a curing agent and a thixotropic agent is used. It is a thing. Furthermore, the invention according to claim 3 is such that an epoxy resin is used as the thermosetting resin in the invention according to claim 2. Further, the invention according to claim 4 is such that, as the curing agent in the invention according to claim 2 or 3, a material having a small change in viscosity when left standing is used.
【0009】[0009]
【作用】本発明によれば、樹脂封止材をスクリーンの開
口に埋設した後そのスクリーンを取り外すと、前記樹脂
封止材は前記開口と略同形の形状を維持して硬化するこ
とから、前記樹脂封止材は所定のエリアに塗布される。According to the present invention, when the resin encapsulating material is embedded in the opening of the screen and then the screen is removed, the resin encapsulating material cures while maintaining a shape substantially the same as the opening. The resin sealing material is applied to a predetermined area.
【0010】[0010]
【実施例】以下、本発明に係る半導体装置の製造方法の
実施例を図面に基づいて説明する。図1は本発明の半導
体装置の製造方法の一例を示した工程図であり、図2は
この実施例によって製造された半導体装置の一例の断面
図である。本発明は、基板と基板上に搭載された半導体
素子とが一体に封止された光学用の半導体装置を製造す
る方法である。その特徴とするところは、スクリーン印
刷に適した優れた流動特性、つまりチキソトロピー性が
付与された光透過性の樹脂封止材を用い、封止をスクリ
ーン印刷によって行う点である。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of a method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a process diagram showing an example of a method for manufacturing a semiconductor device of the present invention, and FIG. 2 is a sectional view of an example of a semiconductor device manufactured by this embodiment. The present invention is a method for manufacturing an optical semiconductor device in which a substrate and a semiconductor element mounted on the substrate are integrally sealed. The feature is that a light-transmissive resin encapsulant having excellent flow characteristics suitable for screen printing, that is, thixotropic property is used, and encapsulation is performed by screen printing.
【0011】例えば図2に示したような、基板1と基板
1上に搭載されたIC3a、フォトダイオード3bから
なる半導体素子3とが上記した樹脂封止材6で一体に封
止された半導体装置を製造する場合には、まず基板1上
にIC3aおよびフォトダイオード3bを配置し、ダイ
ボンディングする。その後、基板1上に搭載されたIC
3aおよびフォトダイオード3bと基板1上の図示しな
いボンディングパッドとをワイヤーボンディングする。
そして、チキソトロピー性が付与された光透過性の樹脂
封止材6を基板1上にスクリーン印刷する。For example, as shown in FIG. 2, a semiconductor device in which a substrate 1 and a semiconductor element 3 composed of an IC 3a and a photodiode 3b mounted on the substrate 1 are integrally sealed with the resin sealing material 6 described above. In the case of manufacturing, the IC 3a and the photodiode 3b are first arranged on the substrate 1 and die-bonded. After that, the IC mounted on the substrate 1
3a and the photodiode 3b are wire-bonded to a bonding pad (not shown) on the substrate 1.
Then, a light-transmissive resin encapsulant 6 having thixotropic properties is screen-printed on the substrate 1.
【0012】ここで用いる樹脂封止材6は主に、熱硬化
性樹脂と硬化剤とチキソトロピー性付与剤とで構成され
る。上記熱硬化性樹脂としては、例えば光透過性と耐湿
性の良好なエポキシ樹脂が用いられる。The resin sealing material 6 used here is mainly composed of a thermosetting resin, a curing agent, and a thixotropic agent. As the thermosetting resin, for example, an epoxy resin having good light transmittance and moisture resistance is used.
【0013】エポキシ樹脂としては、例えばビスフェノ
ールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹
脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、脂肪族アルコ
ールのグリシジルエーテル、ノボラック型フェノール樹
脂のポリグリシジルエーテル、ポリグリシジル多官能フ
ェノール型エポキシ樹脂、ポリグリシジルアミン型エポ
キシ樹脂、キレート構造を有するエポキシ樹脂などが挙
げられる。これらエポキシ樹脂は、単独または2種類以
上を混合して用いられる。またエポキシ樹脂には、耐ヒ
ートサイクル性を向上させるために可撓性を有するエポ
キシ樹脂が配合される。Examples of the epoxy resin include bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, glycidyl ester type epoxy resin, glycidyl ether of aliphatic alcohol, polyglycidyl ether of novolac type phenol resin, polyglycidyl polyfunctional phenol type epoxy. Examples thereof include resins, polyglycidyl amine type epoxy resins, and epoxy resins having a chelate structure. These epoxy resins may be used alone or in combination of two or more. In addition, a flexible epoxy resin is blended with the epoxy resin in order to improve heat cycle resistance.
【0014】また上記硬化剤としては、放置状態におけ
る粘性の変化が小さい材料が用いられる。つまり、室温
下で長時間安定であり、熱などを受けて急速に硬化する
ようなものが用いられる。As the above-mentioned curing agent, a material whose viscosity changes little when left standing is used. That is, a material that is stable at room temperature for a long time and that is rapidly cured by receiving heat is used.
【0015】例えば、粘性の経時変化の小さくかつ吸湿
の少ない酸無水物系のものが用いられる。または硬化前
の吸湿が少なく、空気中の水分や炭酸ガスとの結合が原
因の硬化不良が発生し難い第3級アミンや第4級アンモ
ニウム塩、芳香族アミンなどのアミン系の硬化剤も使用
可能である。その他に、ウレア化合物、エポキシ基重合
触媒型硬化剤、三フッ化ホウ素錯化合物なども用いるこ
とが可能である。この硬化剤と上記した熱硬化性樹脂と
の配合比は、例えば一般の熱硬化性樹脂の場合と同様と
することができる。For example, an acid anhydride system whose viscosity changes little with time and whose moisture absorption is low is used. Alternatively, amine-based curing agents such as tertiary amines, quaternary ammonium salts, and aromatic amines, which have little moisture absorption before curing and are unlikely to cause curing defects due to bonding with water in the air or carbon dioxide, are also used. It is possible. In addition, a urea compound, an epoxy group polymerization catalyst type curing agent, a boron trifluoride complex compound and the like can be used. The compounding ratio of this curing agent and the above-mentioned thermosetting resin can be the same as in the case of a general thermosetting resin, for example.
【0016】一方、樹脂封止材6にチキソトロピー性を
付与するチキソトロピー性付与剤としては、石英、炭酸
カルシウム、酸化チタン、窒化ホウ素などの無機質系、
芳香族ポリアミド製綿状物、ラウリン酸またはステアリ
ン酸の塩、ポリベンジリデンソルビトールおよびその誘
導体などが挙げられる。このチキソトロピー性付与剤
は、上記した熱硬化性樹脂のその光透過性を損なわない
程度に配合される。On the other hand, as a thixotropic agent for imparting thixotropy to the resin encapsulant 6, inorganic materials such as quartz, calcium carbonate, titanium oxide and boron nitride,
Aromatic polyamide cotton products, salts of lauric acid or stearic acid, polybenzylidene sorbitol and its derivatives, and the like. The thixotropy imparting agent is blended to such an extent that the light transmittance of the above-mentioned thermosetting resin is not impaired.
【0017】また樹脂封止材6には、その他に、短期間
なら室温でも保存可能なアミン類や、イミダゾール類な
どの硬化促進剤、印刷時にまき込まれた空気の脱泡を容
易にするための消泡剤などを添加することができる。硬
化促進剤を添加すると、印刷時の放置の制限がより少な
くて済むという効果がある。また消泡剤を添加すると、
酸無水物系の硬化剤を使用した場合に真空脱気で空気が
飽和し難く、特にチキソトロピー性を上げていくと顕著
となる。さらにフォトダイオード3bが赤外線受光用で
ある場合には、樹脂封止材6に可視光線および近赤外線
カットの染料が添加可能である。In addition, the resin encapsulant 6 is further provided with amines which can be stored at room temperature for a short period of time, curing accelerators such as imidazoles, and for facilitating defoaming of air blown during printing. Antifoaming agents and the like can be added. The addition of the curing accelerator has the effect that there is less restriction on leaving it during printing. If you add an antifoaming agent,
When an acid anhydride type curing agent is used, it is difficult for the air to be saturated by vacuum deaeration, and it becomes remarkable especially when the thixotropy is increased. Further, when the photodiode 3b is for receiving infrared rays, visible light and near-infrared cut dyes can be added to the resin sealing material 6.
【0018】樹脂封止材6は、これら熱硬化性樹脂、硬
化剤、チキソトロピー性付与剤およびその他の添加剤が
一液化され、または二液化されて使用時に混合されるこ
とで、光透過性とチキソトロピー性とを備えている。す
なわち光透過性を有すると共に、印刷時には印刷に適し
た粘性を示し、印刷後は形状保持性が高く、長時間放置
しても流れない流動特性を有している。また耐湿性の良
い硬化特性を示し、ポットライフが長いという特徴も有
している。The resin encapsulant 6 is made light-transmissive by mixing these thermosetting resins, curing agents, thixotropy imparting agents and other additives in one liquid or two liquids at the time of use. It has thixotropic properties. That is, in addition to having optical transparency, it exhibits viscosity suitable for printing during printing, has high shape retention after printing, and has a flow characteristic that does not flow even when left for a long time. It also has the characteristics that it exhibits good curing characteristics with good moisture resistance and has a long pot life.
【0019】したがって、チキソトロピー性が付与され
た光透過性の樹脂封止材6を用いることによって、スク
リーン印刷による良好な封止が可能となる。このような
優れた特性を有する樹脂封止材6をスクリーン印刷する
際には、上記のごとくIC3aおよびフォトダイオード
3bのワイヤーボンディングを行った後、まずスクリー
ンを基板1上に配置する。Therefore, by using the light-transmissive resin encapsulating material 6 having the thixotropy property, it is possible to achieve good encapsulation by screen printing. When screen-printing the resin sealing material 6 having such excellent characteristics, the IC 3a and the photodiode 3b are wire-bonded as described above, and then the screen is first placed on the substrate 1.
【0020】図3はスクリーンを基板1上に配置した状
態を示した模式図である。図例のごとくスクリーン5
は、封止パターンに対応した開口5aを有しており、ス
クリーン5を基板1上に配置した状態ではその開口5a
内にIC3a、フォトダイオード3bからなる半導体素
子3が納められる状態に形成されている。FIG. 3 is a schematic view showing a state in which the screen is arranged on the substrate 1. Screen 5 as shown
Has an opening 5a corresponding to the sealing pattern, and when the screen 5 is placed on the substrate 1, the opening 5a is formed.
The semiconductor element 3 including the IC 3a and the photodiode 3b is formed so as to be housed therein.
【0021】また、例えば基板1と対向する面側でかつ
開口5a近傍には凹状の樹脂溜まり部5bが形成されて
おり、これによって印刷時に開口5aからまわり込んだ
樹脂封止材6の基板1への付着が防止されるようになっ
ている。さらにスクリーン5はその厚みtが、基板1と
半導体装置3とを封止する樹脂封止材6の高さdとほぼ
等しくなるように形成されており、例えば0.5mm以
上の厚みtに形成されている。Further, for example, a concave resin reservoir 5b is formed on the surface side facing the substrate 1 and in the vicinity of the opening 5a, whereby the substrate 1 of the resin encapsulant 6 that wraps around the opening 5a during printing. It is designed to be prevented from adhering to. Further, the screen 5 is formed so that its thickness t is substantially equal to the height d of the resin encapsulant 6 for encapsulating the substrate 1 and the semiconductor device 3, and is formed to a thickness t of 0.5 mm or more, for example. Has been done.
【0022】このようなスクリーン5を基板1上に配置
した後は、続いて樹脂封止材6をスクリーン5上に供給
し、スキージによって開口5a内に埋設する。つまり、
開口5aを通して樹脂封止材6を基板1上に塗布する。
その際、樹脂封止材6はスキージによって回転運動を受
けて粘性が低下し、流動性が増すため、基板1上に開口
5aに対応するパターンに塗布される。After arranging such a screen 5 on the substrate 1, the resin sealing material 6 is subsequently supplied onto the screen 5 and embedded in the opening 5a by a squeegee. That is,
The resin sealing material 6 is applied onto the substrate 1 through the opening 5a.
At this time, the resin sealing material 6 is rotated by the squeegee to lower its viscosity and increase its fluidity, so that it is applied on the substrate 1 in a pattern corresponding to the openings 5a.
【0023】そして塗布後は、スクリーン5を基板1か
ら取り外す。塗布された樹脂封止材6は流動性が低下
し、粘性が高くなるため、スクリーン5を取り外しても
開口5aと略同形の形状を維持している。最後に樹脂封
止材6を所定の温度に加熱して硬化させることによっ
て、基板1と半導体素子3とが樹脂封止材6で一体に封
止された耐湿性の良い半導体装置が製造される。After coating, the screen 5 is removed from the substrate 1. Since the fluidity of the applied resin sealing material 6 is lowered and the viscosity thereof is increased, even if the screen 5 is removed, the shape of the opening 5a is kept substantially the same. Finally, the resin encapsulant 6 is heated to a predetermined temperature and cured to manufacture a semiconductor device having good moisture resistance in which the substrate 1 and the semiconductor element 3 are integrally encapsulated by the resin encapsulant 6. .
【0024】上記したように本実施例においては、チキ
ソトロピー性が付与された光透過性の樹脂封止材6を用
いることで、基板1上に枠を取り付けなくても塗布する
エリアを制御することができる。そのため、枠の取り付
け工程を削減することができ、かつ枠の取り付けに起因
する不良の発生を回避することができる。As described above, in this embodiment, by using the light-transmissive resin encapsulating material 6 having the thixotropy property, it is possible to control the area to be coated without mounting the frame on the substrate 1. You can Therefore, it is possible to reduce the frame mounting process and avoid occurrence of defects due to the frame mounting.
【0025】また、スクリーン印刷によって塗布するの
で、スクリーンの厚みtにより樹脂封止材6の塗布量を
制御することができ、従来のディスペンサによる塗布に
比べて塗布量のバラツキが少なくて済む。しかもスクリ
ーン印刷では、スクリーン5上に残ったポットライフの
長い樹脂封止材6を繰り返し使用できるので、従来のデ
ィスペンサ内における樹脂残りを含めて、樹脂封止材6
の使用量を30%程度節約することが可能である。さら
にスクリーン印刷機の位置決め精度により塗布位置を設
定できるので、従来に比べて狭いエリア、低い樹脂高さ
dでの封止を行うことができる。Further, since the application is carried out by screen printing, the application amount of the resin encapsulating material 6 can be controlled by the thickness t of the screen, and the variation in the application amount can be reduced as compared with the application by the conventional dispenser. Moreover, in the screen printing, the resin encapsulating material 6 having a long pot life remaining on the screen 5 can be repeatedly used. Therefore, the resin encapsulating material 6 including the resin residue in the conventional dispenser is included.
It is possible to save about 30% of the usage amount. Further, since the coating position can be set by the positioning accuracy of the screen printing machine, it is possible to perform sealing in a narrower area and a lower resin height d as compared with the conventional case.
【0026】したがって、品質の良い半導体装置を安定
して得ることができることになり、半導体装置の設計の
自由度も向上する。さらにスクリーン印刷によって封止
を行うので、一度の印刷で大量の半導体装置を製造する
ことができ、大幅なタクトタイムの短縮、ひいては生産
性の向上が可能となる。このように本実施例によれば、
チキソトロピー性が付与された光透過性の樹脂封止材6
を用いたスクリーン印刷によって封止を行うので、品質
の良い半導体装置を安定してかつ生産性良く製造するこ
とができる。Therefore, a high quality semiconductor device can be stably obtained, and the degree of freedom in designing the semiconductor device is also improved. Furthermore, since sealing is performed by screen printing, a large number of semiconductor devices can be manufactured by printing once, and it is possible to greatly reduce the takt time and improve productivity. Thus, according to this embodiment,
Light-transmissive resin encapsulant 6 with thixotropic properties 6
Since encapsulation is performed by screen printing using, it is possible to stably manufacture a semiconductor device with good quality and with high productivity.
【0027】[0027]
【発明の効果】以上説明したように本発明の半導体装置
の製造方法においては、スクリーンを取り外した後はそ
のスクリーンの開口と略同形の形状を維持して硬化する
光透過性の樹脂封止材を用いるので、枠の取り付け工程
を削減することができ、かつ枠の取り付けに起因する不
良の発生を回避することができる。またスクリーン印刷
によって塗布するので、狭いエリア、低い樹脂高さでの
封止を行うことができる。さらにスクリーン印刷による
封止によって、一度の印刷で大量の半導体装置を製造す
ることができ、大幅なタクトタイムの短縮、ひいては生
産性の向上が可能となる。したがって本発明によれば、
品質の良い半導体装置を安定してかつ生産性良く製造す
ることができ、さらには設計の自由度の向上も図ること
が可能となる。As described above, in the method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention, after the screen is removed, the light-transmissive resin encapsulant that cures while maintaining a shape substantially the same as the opening of the screen. Therefore, it is possible to reduce the number of steps for mounting the frame, and it is possible to avoid the occurrence of defects due to the mounting of the frame. Moreover, since the application is performed by screen printing, sealing can be performed in a narrow area and a low resin height. Further, the screen printing encapsulation enables a large number of semiconductor devices to be manufactured by one printing, which can significantly reduce the takt time and improve the productivity. Therefore, according to the present invention,
A high-quality semiconductor device can be manufactured stably and with high productivity, and further, the degree of freedom in design can be improved.
【図1】本発明方法の一例の工程図である。FIG. 1 is a process drawing of an example of the method of the present invention.
【図2】製造された半導体装置の一例の断面図である。FIG. 2 is a sectional view of an example of a manufactured semiconductor device.
【図3】スクリーンを配置した状態の模式図である。FIG. 3 is a schematic view of a state in which a screen is arranged.
【図4】従来の半導体装置の一例を示した説明図であ
る。FIG. 4 is an explanatory diagram showing an example of a conventional semiconductor device.
1 基板 3 半導体素子 5 スクリーン 5a 開口 6 樹脂封止材 1 substrate 3 semiconductor element 5 screen 5a opening 6 resin sealing material
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 25/04 25/18 31/10 33/00 N ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code Office reference number FI technical display location H01L 25/04 25/18 31/10 33/00 N
Claims (4)
するスクリーンをその開口内に前記半導体素子が納めた
状態で前記基板上に配置した後、該基板上から所定量の
樹脂封止材をスキージによって前記開口内に埋設し、前
記スクリーンを取り外すことで前記基板と前記半導体素
子とを一体に封止する半導体装置の製造方法であって、 前記樹脂封止材は、光透過性を有しかつ前記スクリーン
を取り外した後に前記開口と略同形の形状を維持して硬
化する材料で構成されることを特徴とする半導体装置の
製造方法。1. A semiconductor element is mounted on a substrate, and a screen having an opening is arranged on the substrate with the semiconductor element accommodated in the opening, and then a predetermined amount of resin sealing material is applied from the substrate. Embedded in the opening with a squeegee and removing the screen to integrally seal the substrate and the semiconductor element, wherein the resin encapsulant has a light-transmitting property. And a method of manufacturing a semiconductor device, which is made of a material that cures while maintaining a shape substantially the same as the opening after removing the screen.
剤とチキソトロピー性付与剤とを含んで構成されること
を特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。2. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the resin encapsulant contains a thermosetting resin, a curing agent, and a thixotropic agent.
なることを特徴とする請求項2記載の半導体装置の製造
方法。3. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 2, wherein the thermosetting resin is an epoxy resin.
変化が小さい材料からなることを特徴とする請求項2ま
たは請求項3記載の半導体装置の製造方法。4. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 2, wherein the curing agent is made of a material that has a small change in viscosity when left standing.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6100822A JPH07283253A (en) | 1994-04-13 | 1994-04-13 | Method for manufacturing semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6100822A JPH07283253A (en) | 1994-04-13 | 1994-04-13 | Method for manufacturing semiconductor device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07283253A true JPH07283253A (en) | 1995-10-27 |
Family
ID=14284033
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6100822A Pending JPH07283253A (en) | 1994-04-13 | 1994-04-13 | Method for manufacturing semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07283253A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005101651A (en) * | 1999-07-23 | 2005-04-14 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Wavelength conversion injection molding material |
| JP2007324630A (en) * | 2007-09-10 | 2007-12-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor light emitting device |
-
1994
- 1994-04-13 JP JP6100822A patent/JPH07283253A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005101651A (en) * | 1999-07-23 | 2005-04-14 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Wavelength conversion injection molding material |
| JP2007324630A (en) * | 2007-09-10 | 2007-12-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor light emitting device |
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