JPH07283345A - 半導体装置、その製造方法及び樹脂封止物 - Google Patents

半導体装置、その製造方法及び樹脂封止物

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JPH07283345A
JPH07283345A JP9806394A JP9806394A JPH07283345A JP H07283345 A JPH07283345 A JP H07283345A JP 9806394 A JP9806394 A JP 9806394A JP 9806394 A JP9806394 A JP 9806394A JP H07283345 A JPH07283345 A JP H07283345A
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metal
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semiconductor
semiconductor device
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Tsuyoshi Nakamura
強 中村
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Origin Electric Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】非常に安価、放熱が良好で、小型，薄型の樹脂
封止によるセルタイプの半導体装置及び半導体装置を安
価に容易に量産できる製造方法を提供すること。 【構成】少なくとも一対の主電極を備える半導体素子を
これより大きな面積を有する単体の金属板の一方の主面
上に搭載して、一方の主電極をろう付けすると共に、前
記半導体素子の他方の主電極を金属ワイヤで前記金属板
の同一面にボンディングし、前記半導体素子と前記金属
ワイヤとを覆うように封止樹脂を前記金属板に形成し、
しかる後に前記単体の金属板を、前記半導体素子の搭載
された第１の部分と前記金属ワイヤのボンディングされ
た第２の部分とに分離し、前記金属板の前記第１の部分
と第２の部分が前記封止樹脂により一体的に結合された
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，金属板に固着された半
導体素子を樹脂封止してなる小型，軽量，薄型で表面実
装に適したセルタイプの半導体装置及びその製造方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】一般にコンバ−タ電源機器などは、ます
ます小形化が要求され、表面実装法によるオンボ−ド電
源（ＯＢＰ）などの開発が進められている。しかし、大
容量のコンバ−タを小形化のＯＢＰとするには、これら
に使用される一部の半導体部品は大き過ぎるために全体
を小形化できない欠点が生じている。特に比較的容量の
大きいショットキ−バリアダイオ−ド，バイポーラトラ
ンジスタ，ＭＯＳＦＥＴなどの半導体部品は，半導体素
子からの発熱が大きいので，金属製ヒ−トシンクと外部
リ−ドを同時にトランスファ−モ−ルドして放熱効果を
大ならしめている。しかしそのために部品が大きな形状
となってしまい，基板に搭載して全体を小形化にするこ
とが難しい。
【０００３】これらのショットキ−バリアダイオ−ド，
バイポーラトランジスタ，ＭＯＳＦＥＴなどの半導体部
品のベアチップである半導体素子をそのまま基板に搭載
し，ボンディングしてモ−ルドすることができれば小形
化には最適であるが，大容量の半導体素子の場合には熱
衝撃性，耐湿性などの信頼性が不充分で検討の余地があ
る。また，多くの回路部品が樹脂封止された表面実装部
品で，一部分がベアチップである場合には分けて搭載
し，異なる工程で処理する必要があり，高価な専用装置
が必要で製造工数が増大し，コストアップになるという
欠点がある。
【０００４】このように表面実装に使用する電子部品
は，品質面の向上はもとより，小型、薄型、軽量、低コ
ストなどが要求されている。一般にコンデンサ，抵抗，
コイル，トランス、ＩＣ，ダイオ−ド，トランジスタな
どの回路部品は基板に搭載され易い形状に設計されてお
り，回路部品を高速で自動挿入機械を用いて表面実装す
る製造方法へと移行している。この方法は基板の導電パ
ターンの所定位置にクリ−ムハンダを塗布し，そこへ回
路部品を搭載して仮接着し，リフロ−加熱処理などによ
りハンダ付けを行うものである。表面実装法において
は，回路部品を減圧で吸引し搭載するので必然的に形状
は軽量で，かつ表面がフラットであることが好ましく，
外装は品質保持のため，電気絶縁性の優れたエポキシ樹
脂などを用い，トランスファ−モ−ルド法などで量産さ
れる。
【０００５】図６により一般的なリード線タイプの表面
実装型半導体装置について説明すると，先端部分が平坦
面を形成するよう曲げられた一対のリード電極５０，５
１の一方の平坦面に半導体素子５２がハンダ付けされ，
その半導体素子５２は内部リード端子５３により他方の
リード電極５１に接続されており，リード電極５０，５
１の平坦部と半導体素子５２は封止樹脂５４で封止され
ている。また，小形・薄型化や省力化，工程削減のた
め，ベアチップやフリップチップをセラミック基板の導
電パターン上にダイボンディング法などで直接搭載して
接着し、必要に応じて電極や配線パタ−ンをセラミック
基板の導電パターンにボンディングした後，絶縁性の良
好なエポキシ樹脂を滴下しコ−ティングする方法もあ
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし，従来の面実装
タイプの半導体装置の場合には、予め製作された別々の
一対のリード電極５０，５１の一方に半導体素子５２を
ハンダ付けし、内部リード端子５３により他方のリード
電極５１に接続しているために、量産化が難しいという
のが最大の欠点であり、また薄型化、小型化及び低価格
化し難いという欠点がある。また、図示しないが導電性
パターンを形成してなるセラミックのような絶縁基板を
用いる方法、あるいは絶縁被覆を施した金属板に導電性
パターンを形成してなる基板を用いる方法も提案されて
いるが、これらの場合には基板そのものが高価であるた
め、また製造方法がさほど簡略化できないためにコスト
の低減が難しいという欠点がある。
【０００７】本発明はこのような従来の半導体装置の問
題点を解決すると同時に、放熱が良好で経済性に優れた
表面実装型の半導体装置、その製造方法及びその樹脂成
形物を提供することを主目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】このような問題点を解決
するため，第１の発明では，第１の金属板の一方の主面
上に搭載され、一方の主電極が前記金属板にろう付けさ
れた半導体素子と、前記第１の金属板から分離されてい
る第２の金属板と、前記半導体素子の他方の主電極と前
記第２の金属板との間を接続する金属ワイヤと、前記半
導体素子及び前記金属ワイヤを覆い、かつ前記第１の金
属板と前記第２の金属板とを機械的に結合するようこれ
ら金属板間に跨がって形成された封止樹脂とからなるこ
とを特徴とする半導体装置を提供するものである。
【０００９】このような問題点を解決するため，第２の
発明では，前記半導体素子が複数の並列配置されたダイ
オードであり、前記第２の金属板は単一又は複数であ
り、複数の前記金属ワイヤが前記ダイオードのそれぞれ
を前記第２の金属板に接続することを特徴とする請求項
１に記載の半導体装置を提供するものである。
【００１０】このような問題点を解決するため，第３の
発明では，第１の金属板の一方の主面上に搭載され、同
極性又は逆極性に並置されて前記金属板にろう付けされ
た一対の第１の半導体素子と、第２の金属板の一方の主
面上に搭載され、同極性又は逆極性に並置されて前記金
属板にろう付けされた一対の第２の半導体素子と、前記
第１及び第２の金属板から分離されている第３、第４の
金属板と、前記第１と第２の半導体素子それぞれの一方
の素子を前記第３の金属板に接続する第１、第２の金属
ワイヤと、前記第１と第２の半導体素子それぞれの他方
の素子を前記第４の金属板に接続する第３、第４の金属
ワイヤと、前記第１と第２の半導体素子、前記第１乃至
第４の金属ワイヤを覆い、かつ前記第１乃至第４の金属
板を相互に機械的に結合するようこれら金属板間に跨が
って形成された封止樹脂と、からなることを特徴とする
半導体装置を提供するものである。
【００１１】このような問題点を解決するため，第４の
発明では，第１の金属板の一方の主面上に搭載され、一
方の主電極が前記金属板にろう付けされた半導体素子
と、前記第１の金属板から分離されている第２の金属板
と、前記第１、第２の金属板から分離されている第３の
金属板と、前記半導体素子の他方の主電極と前記第２の
金属板との間を接続する第１の金属ワイヤと、前記半導
体素子の制御電極と前記第３の金属板との間を接続する
第２の金属ワイヤと、前記半導体素子及び第１、第２の
金属ワイヤを覆い、かつ前記第１の金属板と前記第２の
金属板と前記第３の金属板とを機械的に結合するようこ
れら金属板間に跨がって形成された封止樹脂とからなる
ことを特徴とする半導体装置を提供するものである。
【００１２】このような問題点を解決するため，第５の
発明では，第１の金属板の一方の主面上に搭載され、一
方の主電極が前記金属板にろう付けされた第１、第２の
半導体素子と、前記第１の金属板から分離されている第
２の金属板と、前記第１、第２の金属板から分離されて
いる第３の金属板と、前記第１の半導体素子の他方の主
電極と前記第２の金属板との間を接続する第１の金属ワ
イヤと、前記第２の半導体素子の制御電極と前記第３の
金属板との間を接続する第２の金属ワイヤと、前記第１
の半導体素子の制御電極と前記第２の半導体素子の他方
の主電極との間を接続する第３の金属ワイヤと、前記第
１、第２の半導体素子及び第１乃至第３の金属ワイヤを
覆い、かつ前記第１乃至第３の金属板を互いに機械的に
結合するようこれら金属板間に跨がって形成された封止
樹脂とからなることを特徴とする半導体装置を提供する
ものである。
【００１３】このような問題点を解決するため，第６の
発明では，少なくとも前記金属板のいずれかに別の回路
素子を搭載して接続したことを特徴とする請求項１乃至
請求項５に記載の半導体装置を提供するものである。
【００１４】このような問題点を解決するため，第７の
発明では，前記金属板に一つ以上の孔又はプロジェクシ
ョンを備えたことを特徴とする請求項１乃至請求項６に
記載の半導体装置を提供するものである。
【００１５】このような問題点を解決するため，第８の
発明では，大面積の金属板の一方の主面上に搭載され、
一方の主電極が前記大面積の金属板にろう付けされた複
数の半導体素子と、複数の前記半導体素子の他方の主電
極を前記大面積の金属板の一方の主面にそれぞれ接続す
る複数の金属ワイヤと、それぞれの前記半導体素子及び
前記金属ワイヤを個別に覆うように前記大面積の金属板
上に形成された封止樹脂とを少なくとも備えたことを特
徴とする樹脂封止物を提供するものである。
【００１６】このような問題点を解決するため，第９の
発明では，前記半導体素子が２端子半導体素子、制御電
極を有する３端子半導体素子の一方又は双方からなるこ
とを特徴とする請求項７に記載の樹脂封止物を提供する
ものである。
【００１７】このような問題点を解決するため，第１０
の発明では，少なくとも一対の主電極を備える半導体素
子をこれより大きな面積を有する単体の金属板の一方の
主面上に搭載して、一方の主電極をろう付けすると共
に、前記半導体素子の他方の主電極を金属ワイヤで前記
金属板の同一面にボンディングし、前記半導体素子と前
記金属ワイヤとを覆うように封止樹脂を前記金属板に形
成し、しかる後に前記単体の金属板を、前記半導体素子
の搭載された第１の部分と前記金属ワイヤのボンディン
グされた第２の部分とに分離し、前記封止樹脂が前記金
属板の前記第１の部分と第２の部分とを一体的に結合す
ることを特徴とする半導体装置の製造方法を提供するも
のである。
【００１８】このような問題点を解決するため，第１１
の発明では，少なくとも一対の主電極を備える半導体素
子をこれより大きな面積を有する単体の金属板の一方の
主面上に搭載して、一方の主電極をろう付けすると共
に、前記半導体素子の他方の主電極を第１の金属ワイヤ
で、またその制御電極を第２の金属ワイヤで前記金属板
の同一面にボンディングし、前記半導体素子と前記第
１、第２の金属ワイヤとを覆うように封止樹脂を前記金
属板に形成し、しかる後に前記単体の金属板を、前記半
導体素子の搭載された第１の部分と前記第１の金属ワイ
ヤのボンディングされた第２の部分と前記第２の金属ワ
イヤのボンディングされた第３の部分とに分離し、前記
封止樹脂が前記金属板の前記第１の部分乃至第３の部分
を一体的に結合することを特徴とする半導体装置の製造
方法を提供するものである。
【００１９】このような問題点を解決するため，第１２
の発明では，少なくとも一対の主電極を備える半導体素
子複数個を大面積を有する単体の金属板の一方の主面上
に搭載して、各々の一方の主電極をろう付けすると共
に、前記半導体素子の他方の各主電極をそれぞれの金属
ワイヤで前記金属板の同一面にボンディングし、前記各
半導体素子と前記各金属ワイヤとを対として実質的に個
々に覆うように封止樹脂を前記金属板に形成し、しかる
後に前記単体の金属板を、前記各半導体素子の搭載され
た第１の部分と前記金属ワイヤのボンディングされた第
２の部分とに分離すると共に、他の前記半導体素子に関
連する部分からも分離して個別にし、前記封止樹脂が前
記各半導体素子の前記第１の部分と第２の部分とを一体
的に結合することを特徴とする半導体装置の製造方法を
提供するものである。
【００２０】このような問題点を解決するため，第１３
の発明では，少なくとも一対の主電極を備える半導体素
子をこれより大きな面積を有する単体の金属板の一方の
主面上に搭載して、一方の主電極をろう付けすると共
に、前記半導体素子の他方の主電極を第１の金属ワイヤ
で、またその制御電極を第２の金属ワイヤで前記金属板
の同一面にボンディングし、前記半導体素子と前記第
１、第２の金属ワイヤとを対として実質的に個々に覆う
ように封止樹脂を前記金属板に形成し、しかる後に前記
単体の金属板を、前記半導体素子の搭載された第１の部
分と前記第１の金属ワイヤのボンディングされた第２の
部分と前記第２の金属ワイヤのボンディングされた第３
の部分とに分離すると共に、他の前記半導体素子に関連
する部分からも分離して個別にし、前記封止樹脂が前記
それぞれの半導体素子に対応する前記金属板の前記第１
の部分乃至第３の部分を一体的に結合することを特徴と
する半導体装置の製造方法を提供するものである。
【００２１】このような問題点を解決するため，第１４
の発明では，一対の半導体素子２組を単体の金属板の一
方の主面上に同極性又は逆極性に離して並置してろう付
けし、前記一対の半導体素子２組の素子それぞれを対応
する第１乃至第４の金属ワイヤで前記金属板の一方の主
面にろう付けし、前記各半導体素子及び前記第１乃至第
４の金属ワイヤを覆うように封止樹脂を前記金属板に形
成し、しかる後に前記単体の金属板を、前記一方の一対
の半導体素子の搭載された第１の部分と、前記他方の一
対の半導体素子の搭載された第２の部分と、前記第１と
第２の金属ワイヤが前記半導体素子を前記金属板にボン
ディングする箇所を含む第３の部分と、前記第３と第４
の金属ワイヤが前記半導体素子を前記金属板にボンディ
ングする箇所を含む第４の部分とに分離し、前記封止樹
脂が前記金属板の第１乃至第４の部分を一体的に結合す
ることを特徴とするブリッジ構成の半導体装置の製造方
法を提供するものである。
【００２２】このような問題点を解決するため，第１５
の発明では，前記単体の金属板の分離手段がエッチング
液であり、前記金属板の裏側に接着されたマスクを通し
てエッチングを行い、前記単体の金属板を分離すること
を特徴とする請求項１０乃至請求項１４のいずれかに記
載の半導体装置の製造方法を提供するものである。
【００２３】
【実施例】図１により本発明の一実施例について説明す
る。図１は面実装タイプのダイオードの１例を示すもの
で，１は銅又はコバー、あるいはモリブデンのような単
体の大面積の金属板であり、好ましくは封止樹脂との固
着性を高めるために一方の主面は粗面であるのが良い。
大面積金属板１の厚みは、機械的強度とエッチング速度
などの分離条件を考慮して０．１〜１ｍｍの範囲であ
る。大面積の金属板１の一方の主面に、ダイオードチッ
プである半導体素子２Ａ１〜２Ａｎ，２Ｂ１〜２Ｂｎ，
・・・・・・２Ｎ１〜２Ｎｎがマトリクス状に規則正し
く所定の間隔で載置され、ハンダのようなろう材３によ
りろう付けさる。このとき、半導体素子２Ａ１〜２Ａ
ｎ，２Ｂ１〜２Ｂｎ，・・・・・・２Ｎ１〜２Ｎｎは、
極性を一致させるために、一方の極性、例えばアノード
側がすべて大面積の金属板１にろう付けされるのが良
い。
【００２４】しかる後に半導体素子２Ａ１〜２Ａｎ，２
Ｂ１〜２Ｂｎ，・・・・・・２Ｎ１〜２Ｎｎを、それぞ
れの金属ワイヤ４で大面積の金属板１の一方の主面にお
ける比較的近傍の箇所にワイヤボンディングする。次に
図示していないが、各半導体素子２Ａ１〜２Ａｎ，２Ｂ
１〜２Ｂｎ，・・・・・・２Ｎ１〜２Ｎｎをポリイミド
ワニスなどのプリコート樹脂により通常のパッシベーシ
ョンを行う。後で詳述するが、大面積の金属板１の一方
の主面に、全ての半導体素子２及び金属ワイヤ４を封止
して個々の半導体装置となるようにエポキシ樹脂のよう
な封止樹脂５を形成する。
【００２５】しかる後に大面積の金属板１を、通常のマ
スキング技術を利用して、エッチング液で化学的エッチ
ングを行い、各半導体装置の金属板１ａ１と１Ａ１〜１
ａｎと１Ａｎ，１ｂ１と１Ｂ１〜１ｂｎと１Ｂｎ，１ｃ
１と１Ｃ１〜１ｃｎと１Ｃｎ、・・・・・・を個々に分
離する。このように大面積の金属板１を分離することに
より、個々の半導体装置を得ることができるが、このと
き金属板１ａ１と１Ａ１、・・・・１ａｎと１Ａｎ、・
・・・１ｂ１と１Ｂ１、・・・・１ｂｎと１Ｂｎ、・・
・・は封止樹脂５により機械的に結合されているのでバ
ラバラにならず、前述のような極性でろう付けされてい
れば、１Ａ１〜１Ａｎ、１Ｂ１〜１Ｂｎ、１Ｃ１〜１Ｃ
ｎ、・・・・・がアノード電極となり、１ａ１〜１ａ
ｎ、１ｂ１〜１ｂｎ、１ｃ１〜１ｃｎ、・・・・・がカ
ソード電極となる。
【００２６】次に樹脂封止について詳しく説明する。こ
の封止樹脂５としてはエポキシ樹脂，フェノ−ル樹脂，
ポリエステル樹脂，などの電気絶縁性樹脂が適してい
る。加熱により徐々に硬化する組成の熱硬化性樹脂も用
いることができ、硬化剤、触媒としては酸無水物，フェ
ノ−ル樹脂，芳香族アミン，イミダゾ−ルなどが使用で
きる。また顔料、充填剤、添加剤も特性保持のために使
用できる。充填剤は石英粉、アルミナなどが使用でき、
一般に６０% 程度以上含有するものが良い。金属板１と
の密着性，離型性，流れ性，低温硬化性，脱泡性，低チ
クソ性などの作業性を良くすること，低膨脹，含有不純
物イオンの低いこと、またエッチング液に侵されないこ
となども要求される。熱可塑性樹脂としてはＰＰＯや液
晶ポリマ−が使用できるが，溶融させて注入することが
必要である。
【００２７】次にエポキシ樹脂系封止樹脂の配合例の一
例を述べる。 エピクロン＃８５０（大日本インキ化学工業） １５部 チッソノックス＃２２１（日本チッソ） １０部 チッソノックス＃２２１（日本チッソ） １０部 反応性希釈剤ＧＡＮ（日本火薬） ５部 ヒユ−ズレックスＹ−６０（竜森） １３３部 エピクロン＃Ｂ−４１３６（大日本インキ化学工業） ２７部 １Ｂ２ＭＺ（四国化成） ０．５部 消泡剤（ＴＳＡー７５０（東芝シリコーン） ０．０１部 合計 １９０．５１部 このようにして得た配合品を攪拌機で良く混合し、真空
中で脱泡した。
【００２８】次にこのように処理された封止樹脂を用い
て、フラットな上面に格子状に切れ目の入った封止樹脂
の成型物の作成方法などについて述べる。上述のよう
に，必要に応じてポリイミドワニスなどのプリコ−ト樹
脂で半導体素子２などを覆った後，大面積の金属板１を
高さ５ミリの通常の枠状の上部鋳型部材と板状の下部鋳
型部材で支持し，封止樹脂が漏れないようにする。ここ
で鋳型部材は金属に限るものでなく，ゴムやプラスチッ
クなどの材料でも良い。また，離型性を良好にするため
に離型処理を行ったもの，或いはシリコーン樹脂の型を
用いると便利である。必要に応じて樹脂漏れのないよう
シールやパッキング処理も行い，必要な加圧力を与える
ための加圧機構も備える。
【００２９】第１図に示すような０．５ミリ厚の銅製の
大面積金属板１に複数の半導体素子２を搭載し、一方の
電極をろう付けすると共に、それぞれ他方の電極を大面
積金属板１の近辺の所定箇所にワイヤボンディングした
大面積の金属板１の周辺部を上部鋳型部材と下部鋳型部
材で挟んだ後，高さ３ミリの通常の上部鋳型部材および
下部鋳型部材にセットし，液状エポキシ系封止樹脂を鋳
型部材内全面に注入し，溢れさせ，その高さを３ミリと
した。次に７５８ｍｍＨｇで１０分間真空脱泡する。こ
こで言う真空とは封止樹脂中の空気が樹脂中から除去で
きる程度の減圧で、最低１００ｍｍＨｇ程度の真空度が
必要である。液状封止樹脂は常圧或いは真空中で注入さ
れる。勿論，未脱泡樹脂を注入した後に真空脱泡しても
構わない。この脱泡工程を行わないと，封止樹脂表面に
泡のあとが残ることが多い。
【００３０】そして通常の鋳型部材を水平に保ち，押さ
え部材（図示せず）で押さえ、封止樹脂を個々の部分に
分離する。押さえ部材の押さえ面には高さが３ミリ、幅
員が２ｍｍで、先端部に行くに従って若干幅の狭くなる
格子状の畦部が形成されているので、この押さえ部材で
封止樹脂を加圧することにより、押さえ部材の格子状の
畦部の上面が大面積の金属板１の面に接することにな
り、封止樹脂５は図１の一点鎖線で示すように個々に分
離される。このように押さえ部材で封止樹脂を加圧した
状態で、１６０℃の雰囲気で２時間程度加熱し硬化させ
る。このようにして得られた封止樹脂の高さが３ミリ
で、封止樹脂は実質的に個々に分離されている成型物は
撓みがない。ここで加熱硬化温度は，封止樹脂のタイプ
にもよるが，トランスファー成形においては鋳型部材温
度が１８０〜２５０℃で，時間は２〜１０分間の範囲が
量産性に適しており，また注型方法では温度が８０〜１
８０°Ｃで，時間は１０分〜２時間程度が適している。
なお，半導体装置，電源などの電子回路装置によって異
なるものの，封止樹脂５の厚さは１〜５ミリが一般的で
あり，かなり厚い場合には，大面積成形物の上面がたわ
むことがあり，電気特性に悪影響の生じる場合もあるの
で、封止樹脂５の厚さは大面積金属板１の材料、大き
さ、及び厚みを考慮して決める必要がある。なお、高さ
が３ミリ、幅員が２ｍｍで、先端部に行くに従って若干
幅の狭くなる格子状の畦部が形成された上部鋳型部材を
用いることにより、押さえ部材を削除できる。
【００３１】次に鋳型部材を外して、図２に示すような
樹脂封止物を得た後，銅製の大面積の金属板１の裏面に
耐酸性のホトレジストマスクを形成し、塩化第二鉄など
からなるエッチング液で大面積の金属板１の裏面から表
面に封止樹脂の存在しない部分のエッチングを行い、個
々の金属板１ａ１と１Ａ１、・・・・１ａｎと１Ａｎ、
・・・・１ｂ１と１Ｂ１、・・・・１ｂｎと１Ｂｎ、・
・・・に分離する。エッチング時間は大面積の金属板１
の厚みに依存し、そのエッチング幅はほぼ大面積の金属
板１の厚み程度となるので、少なくとも大面積の金属板
１の各ワイヤボンディングの位置は、各半導体素子２の
端から大面積の金属板１の厚みに等しい距離よりも離す
必要がある。ホトレジストマスクは一般的な方法で形成
できるので、説明を省略するが、このホトレジストマス
クは樹脂封止の前に形成しても良い。また、マスクはホ
トレジストマスクでなくとも良く、機械的剛性をもつ材
料からなるものでも良い。この場合には大面積の金属板
１の支持体としても利用することができるので、樹脂封
止の前に大面積の金属板１の裏面にマスクを接着させて
おくのが好ましい。このようにして得られた半導体置は
いずれも初期の電気特性を維持し，樹脂封止と大面積の
金属板１の分離による悪影響は見られなかった。以上の
実施例では熱硬化性樹脂を用いたが，紫外線硬化型樹
脂，電子線硬化型樹脂のような活性エネルギ線で硬化す
る活性エネルギ線硬化型樹脂を用いることもできる。
【００３２】次に図３によりダイオードアレイの一実施
例について説明する。前記実施例と同様に大面積の金属
板１の所定箇所にダイオードチップ又は発光ダイオード
チップである多数の半導体素子２Ａ〜２Ｎを１列に又は
複数列に一定間隔で搭載してろう付けし、各半導体素子
２Ａ〜２Ｎを大面積の金属板１の近辺の所定箇所にそれ
ぞれ金属ワイヤ４でワイヤボンディングする。しかる
後、前述と同様に封止樹脂で封止し、大面積の金属板１
にマスク６を接着させてエンチングし、金属板１Ａ〜１
Ｎ及び金属板１ａ〜１ｎに分離するが、前述したとおり
金属板１Ａ〜１Ｎ及び金属板１ａ〜１ｎは封止樹脂５に
より機械的に結合されており、ダイオードアレイを構成
する。この半導体装置において、半導体素子２Ａ〜２Ｎ
のアノード側が大面積の金属板１にろう付けされていれ
ば、金属板１Ａ〜１Ｎがアノード端子となり、金属板１
ａ〜１ｎがカソード端子となる。なお、この半導体装置
のバリエーションとして、金属板１ａ〜１ｎを分離せず
に単一の金属板とすれば、半導体ＯＲ装置が得られる。
【００３３】次に図４により半導体全波整流器の一実施
例について説明する。前記実施例と同様に大面積のお金
属板１の所定箇所にダイオードチップである多数の半導
体素子２をろう付けし、各半導体素子２を大面積の金属
板１の近辺の所定箇所にそれぞれ金属ワイヤ４でワイヤ
ボンディングする。しかる後、前述と同様に封止樹脂で
封止し、大面積の金属板１をエッチングで分離する。こ
の半導体装置では、一対の半導体素子２Ａ１と２Ａ１’
が金属板１Ａ１に、別の一対の半導体素子２ａ１と２ａ
１’が金属板１Ａ１’に搭載されるよう大面積の金属板
１を分離する。ここで、一対の半導体素子２Ａ１と２Ａ
１’が一方の極性、例えばアノード側が金属板１Ａ１に
ろう付けされるとき、別の一対の半導体素子２ａ１と２
ａ１’はカソード側が金属板１Ａ１’にろう付けされ
る。また、半導体素子２Ａ１と２ａ１のアノード側がそ
れぞれの金属板にろう付けされるとき、半導体素子２Ａ
１’と２ａ１’はカソード側がそれぞれの金属板にろう
付けされる。前者の場合には金属板１Ａ１がアノード端
子、金属板１Ａ１’がカソード端子、金属板１ａ１と１
ａ１’が交流側端子となり、後者の場合には金属板１ａ
１’がアノード端子、金属板１ａ１がカソード端子、金
属板１Ａ１と１Ａ１’とが交流側端子となる。
【００３４】次に図５によりＭＯＳＦＥＴの一実施例に
ついて説明する。製造方法は前述と同様であるので説明
を省略し、構成について説明する。ＭＯＳＦＥＴチップ
である半導体素子２は単一の大面積の金属板１から分離
された金属板１Ａ１上にろう付けされている。電流容量
の小さなＭＯＳＦＥＴデバイスの場合には、銅製の大面
積の金属板１上に直接半導体素子２のドレイン又はソー
ス電極をろう付けしても良いが、電流容量が大きい場合
には半導体と熱膨張係数が比較的近いモリブデン又はタ
ングステン板を大面積の金属板１上にろう付けし、その
上に半導体素子２をろう付けするのがよい。また、大面
積の金属板１としてモリブデン板を用いることも可能で
ある。ＭＯＳＦＥＴデバイスのソース又はドレイン電極
は金属ワイヤ４により金属板１ａ１に接続されており、
そのゲート電極は金属ワイヤ４’で金属板１ａ’１に接
続されている。各金属板にはその厚みと同程度以上の径
の孔Ｈが複数備えられており、これら孔Ｈ内に封止樹脂
が浸入することにより、各金属板と封止樹脂との間の固
着強度が向上される。これら孔に代えてプロジェクショ
ンを設けても同様な効果が得られる。また、半導体素子
２がバイポーラトランジスタ、静電誘導トランジスタ、
サイリスタ、あるいはＩＧＢＴなどでも同様に製造する
ことができる。
【００３５】なお、以上の実施例では半導体素子が単
体、あるいは同様な半導体素子を複数用いた複合的な半
導体装置について述べたが、トランジスタやサイリスタ
のような制御型の半導体素子同士、このような制御型の
半導体素子とダイオード、又は抵抗、セラミックコンデ
ンサなどを組み合わせた半導体装置も同様にして製造で
きる。例えば、ダーリントン接続タイプのトランジスタ
の場合、主トラジスタと増幅用トランジスタのコレクタ
電極が第１の金属板に搭載されてろう付けされ、主トラ
ジスタのエミッタ電極を第２の金属板にワイヤボンディ
ングし、増幅用トランジスタのベース電極が第３の金属
板にワイヤボンディングされ、そして主トラジスタのベ
ース電極と増幅用トランジスタのエミッタ電極がワイヤ
ボンデングされるか、又はこれらが第４の金属板にそれ
ぞれワイヤボンデングされているように、樹脂封止さ
れ、金属板が分離されることによりダーリントン接続タ
イプの面実装型トランジスタを得ることができる。ま
た、制御型の半導体素子とこの両端に逆並列されたダイ
オード、あるいは制御型の半導体素子とこの両端に接続
されたスナバ回路、制御型の半導体素子とこの制御端子
と一方の主電極間に接続された駆動回路又はその一部分
の回路素子など、種々のバリエーションも前述と同様に
して得られる。
【００３６】
【発明の効果】以上述べたように，この発明によれば高
価なセラミック基板に代えて安価な大面積の金属板に多
数の半導体素子を組み込み、所定のワイヤボンディング
を行い、さらに樹脂封止を行った後に、大面積の金属板
を個々に分離して個別の半導体装置を得ているので、非
常に安価、放熱が良好で、小型，薄型，軽量の樹脂封止
によるセルタイプの半導体装置を容易に量産することが
でき，実用上の効果は極めて大きい。
【図面の簡単な説明】
図１は，この発明の一実施例を示す図である。図２は，
この発明の一実施例を説明するための図である。図３
は，この発明の一実施例を示す図である。図４は，この
発明の一実施例を説明するための図である。図５は，こ
の発明の一実施例を示す図である。図６は，従来例を示
す図である。
【符号の説明】
１・・・大面積の金属板 １Ａ１〜１Ｎｎ・
・・金属板 １ａ１〜１ｎｎ・・・金属板 ２Ａ１〜２Ｎｎ・
・・半導体素子 ３・・・ろう材 ４・・・金属ワイ
ヤ ５・・・封止樹脂 ６・・・マスク
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成６年１０月１９日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施例を示す図である。
【図２】この発明の一実施例を説明するための図であ
る。
【図３】この発明の一実施例を示す図である。
【図４】この発明の一実施例を説明するための図であ
る。
【図５】この発明の一実施例を示す図である。
【図６】従来例を示す図である。
【符号の説明】 １・・・大面積の金属板 １Ａ１〜１Ｎ１・
・・金属板 １ａ１〜１ｎｎ・・・金属板 ２Ａ１〜２Ｎ１・
・・半導体素子 ３・・・ろう材 ４・・・金属ワイ
ヤ ５・・・封止樹脂 ６・・・マスク

Claims (15)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 第１の金属板の一方の主面上に搭載さ
    れ、一方の主電極が前記金属板にろう付けされた半導体
    素子と、 前記第１の金属板から分離されている第２の金属板と、 前記半導体素子の他方の主電極と前記第２の金属板との
    間を接続する金属ワイヤと、 前記半導体素子及び前記金属ワイヤを覆い、かつ前記第
    １の金属板と前記第２の金属板とを機械的に結合するよ
    うこれら金属板間に跨がって形成された封止樹脂と、か
    らなることを特徴とする半導体装置。
  2. 【請求項２】 前記半導体素子が複数の並列配置された
    ダイオードであり、前記第２の金属板は単一又は複数で
    あり、複数の前記金属ワイヤが前記ダイオードのそれぞ
    れを前記第２の金属板に接続することを特徴とする請求
    項１に記載の半導体装置。
  3. 【請求項３】 第１の金属板の一方の主面上に搭載さ
    れ、同極性又は逆極性に並置されて前記金属板にろう付
    けされた一対の第１の半導体素子と、第２の金属板の一
    方の主面上に搭載され、同極性又は逆極性に並置されて
    前記金属板にろう付けされた一対の第２の半導体素子
    と、 前記第１及び第２の金属板から分離されている第３、第
    ４の金属板と、 前記第１と第２の半導体素子それぞれの一方の素子を前
    記第３の金属板に接続する第１、第２の金属ワイヤと、 前記第１と第２の半導体素子それぞれの他方の素子を前
    記第４の金属板に接続する第３、第４の金属ワイヤと、 前記第１と第２の半導体素子、前記第１乃至第４の金属
    ワイヤを覆い、かつ前記第１乃至第４の金属板を相互に
    機械的に結合するようこれら金属板間に跨がって形成さ
    れた封止樹脂と、からなることを特徴とする半導体装
    置。
  4. 【請求項４】 第１の金属板の一方の主面上に搭載さ
    れ、一方の主電極が前記金属板にろう付けされた半導体
    素子と、 前記第１の金属板から分離されている第２の金属板と、 前記第１、第２の金属板から分離されている第３の金属
    板と、 前記半導体素子の他方の主電極と前記第２の金属板との
    間を接続する第１の金属ワイヤと、 前記半導体素子の制御電極と前記第３の金属板との間を
    接続する第２の金属ワイヤと、 前記半導体素子及び第１、第２の金属ワイヤを覆い、か
    つ前記第１の金属板と前記第２の金属板と前記第３の金
    属板とを機械的に結合するようこれら金属板間に跨がっ
    て形成された封止樹脂と、からなることを特徴とする半
    導体装置。
  5. 【請求項５】 第１の金属板の一方の主面上に搭載さ
    れ、一方の主電極が前記金属板にろう付けされた第１、
    第２の半導体素子と、 前記第１の金属板から分離されている第２の金属板と、 前記第１、第２の金属板から分離されている第３の金属
    板と、 前記第１の半導体素子の他方の主電極と前記第２の金属
    板との間を接続する第１の金属ワイヤと、 前記第２の半導体素子の制御電極と前記第３の金属板と
    の間を接続する第２の金属ワイヤと、 前記第１の半導体素子の制御電極と前記第２の半導体素
    子の他方の主電極との間を接続する第３の金属ワイヤ
    と、 前記第１、第２の半導体素子及び第１乃至第３の金属ワ
    イヤを覆い、かつ前記第１乃至第３の金属板を互いに機
    械的に結合するようこれら金属板間に跨がって形成され
    た封止樹脂と、からなることを特徴とする半導体装置。
  6. 【請求項６】 少なくとも前記金属板のいずれかに別の
    回路素子を搭載して接続したことを特徴とする請求項１
    乃至請求項５に記載の半導体装置。
  7. 【請求項７】 前記金属板に一つ以上の孔又はプロジェ
    クションを備えたことを特徴とする請求項１乃至請求項
    ６に記載の半導体装置。
  8. 【請求項８】 大面積の金属板の一方の主面上に搭載さ
    れ、一方の主電極が前記大面積の金属板にろう付けされ
    た複数の半導体素子と、 複数の前記半導体素子の他方の主電極を前記大面積の金
    属板の一方の主面にそれぞれ接続する複数の金属ワイヤ
    と、 それぞれの前記半導体素子及び前記金属ワイヤを個別に
    覆うように前記大面積の金属板上に形成された封止樹脂
    と、を少なくとも備えたことを特徴とする樹脂封止物。
  9. 【請求項９】 前記半導体素子が２端子半導体素子、制
    御電極を有する３端子半導体素子の一方又は双方からな
    ることを特徴とする請求項７に記載の樹脂封止物。
  10. 【請求項１０】 少なくとも一対の主電極を備える半導
    体素子をこれより大きな面積を有する単体の金属板の一
    方の主面上に搭載して、一方の主電極をろう付けすると
    共に、前記半導体素子の他方の主電極を金属ワイヤで前
    記金属板の同一面にボンディングし、 前記半導体素子と前記金属ワイヤとを覆うように封止樹
    脂を前記金属板に形成し、 しかる後に前記単体の金属板を、前記半導体素子の搭載
    された第１の部分と前記金属ワイヤのボンディングされ
    た第２の部分とに分離し、 前記封止樹脂が前記金属板の前記第１の部分と第２の部
    分とを一体的に結合することを特徴とする半導体装置の
    製造方法。
  11. 【請求項１１】 少なくとも一対の主電極を備える半導
    体素子をこれより大きな面積を有する単体の金属板の一
    方の主面上に搭載して、一方の主電極をろう付けすると
    共に、前記半導体素子の他方の主電極を第１の金属ワイ
    ヤで、またその制御電極を第２の金属ワイヤで前記金属
    板の同一面にボンディングし、 前記半導体素子と前記第１、第２の金属ワイヤとを覆う
    ように封止樹脂を前記金属板に形成し、 しかる後に前記単体の金属板を、前記半導体素子の搭載
    された第１の部分と前記第１の金属ワイヤのボンディン
    グされた第２の部分と前記第２の金属ワイヤのボンディ
    ングされた第３の部分とに分離し、 前記封止樹脂が前記金属板の前記第１の部分乃至第３の
    部分を一体的に結合することを特徴とする半導体装置の
    製造方法。
  12. 【請求項１２】 少なくとも一対の主電極を備える半導
    体素子複数個を大面積を有する単体の金属板の一方の主
    面上に搭載して、各々の一方の主電極をろう付けすると
    共に、前記半導体素子の他方の各主電極をそれぞれの金
    属ワイヤで前記金属板の同一面にボンディングし、 前記各半導体素子と前記各金属ワイヤとを対として実質
    的に個々に覆うように封止樹脂を前記金属板に形成し、 しかる後に前記単体の金属板を、前記各半導体素子の搭
    載された第１の部分と前記金属ワイヤのボンディングさ
    れた第２の部分とに分離すると共に、他の前記半導体素
    子に関連する部分からも分離して個別にし、 前記封止樹脂が前記各半導体素子の前記第１の部分と第
    ２の部分とを一体的に結合することを特徴とする半導体
    装置の製造方法。
  13. 【請求項１３】 少なくとも一対の主電極を備える半導
    体素子をこれより大きな面積を有する単体の金属板の一
    方の主面上に搭載して、一方の主電極をろう付けすると
    共に、前記半導体素子の他方の主電極を第１の金属ワイ
    ヤで、またその制御電極を第２の金属ワイヤで前記金属
    板の同一面にボンディングし、 前記半導体素子と前記第１、第２の金属ワイヤとを対と
    して実質的に個々に覆うように封止樹脂を前記金属板に
    形成し、 しかる後に前記単体の金属板を、前記半導体素子の搭載
    された第１の部分と前記第１の金属ワイヤのボンディン
    グされた第２の部分と前記第２の金属ワイヤのボンディ
    ングされた第３の部分とに分離すると共に、他の前記半
    導体素子に関連する部分からも分離して個別にし、 前記封止樹脂が前記それぞれの半導体素子に対応する前
    記金属板の前記第１の部分乃至第３の部分を一体的に結
    合することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  14. 【請求項１４】 一対の半導体素子２組を単体の金属板
    の一方の主面上に同極性又は逆極性に離して並置してろ
    う付けし、 前記一対の半導体素子２組の素子それぞれを対応する第
    １乃至第４の金属ワイヤで前記金属板の一方の主面にろ
    う付けし、 前記各半導体素子及び前記第１乃至第４の金属ワイヤを
    覆うように封止樹脂を前記金属板に形成し、 しかる後に前記単体の金属板を、前記一方の一対の半導
    体素子の搭載された第１の部分と、前記他方の一対の半
    導体素子の搭載された第２の部分と、前記第１と第２の
    金属ワイヤが前記半導体素子を前記金属板にボンディン
    グする箇所を含む第３の部分と、前記第３と第４の金属
    ワイヤが前記半導体素子を前記金属板にボンディングす
    る箇所を含む第４の部分とに分離し、前記封止樹脂が前
    記金属板の第１乃至第４の部分を一体的に結合すること
    を特徴とするブリッジ構成の半導体装置の製造方法。
  15. 【請求項１５】 前記単体の金属板の分離手段がエッチ
    ング液であり、前記金属板の裏側に接着されたマスクを
    通してエッチングを行い、前記単体の金属板を分離する
    ことを特徴とする請求項１０乃至請求項１４のいずれか
    に記載の半導体装置の製造方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100307725B1 (ko) * 1997-08-28 2002-05-13 로버트 에이치. 씨. 챠오 집적회로모듈의제조방법
EP1187204A3 (en) * 2000-09-04 2004-05-06 Sanyo Electric Co., Ltd. Circuit device and method of manufacturing the same

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100307725B1 (ko) * 1997-08-28 2002-05-13 로버트 에이치. 씨. 챠오 집적회로모듈의제조방법
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