JPH07283668A - 高周波増幅器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 高利得及び高出力動作が可能な高周波増幅器
を得る。 【構成】 各入力伝送線路２４には、その湾曲部の外周
の一部から平面視外方に突出して２つの突出部４がそれ
ぞれ延設される。各突出部４は金ワイヤ６及びコンデン
サ５を介して接地される。コンデンサ５の容量は、Ｇａ
ＡｓＦＥＴチップ１に入力される高周波信号からみて無
視できるレベルの容量に設定される。金ワイヤ６及びコ
ンデンサ５とからなる補助手段を構成し、この補助手段
と突出部４とにより短絡終端線路１１を形成する。この
短絡終端線路１１の線路長を入力端子２に入力される高
周波信号の１／４波長より短くなるように設定する。 【効果】 入力伝送線路上における信号伝播経路の違い
によって生じる高周波信号の位相差を最小限に抑えて、
高利得及び高出力動作を行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、マイクロ波等の高周
波信号を増幅する高周波増幅器に関する。

【０００２】

【従来の技術】図１２は、従来の高周波増幅器の構成を
示す上面図である。同図に示すように、高周波増幅器は
入力端子２及び出力端子３を有し、基板１０上にＧａＡ
ｓＦＥＴチップ１、入力整合回路２０及び出力整合回路
３０が形成されている。

【０００３】入力整合回路２０において、基板１０上に
１つの入力整合基板２１と２つの入力整合基板２２とが
形成され、入力整合基板２１上に入力伝送線路２３が形
成され、各入力整合基板２２上に入力伝送線路２４がそ
れぞれ形成される。なお、入力整合基板２１は誘電率が
３８、厚みが０．１mmであり、入力整合基板２２は誘電
率３８、厚み０．１８mmである。

【０００４】入力伝送線路２３の先端部２３ａは金ワイ
ヤ１６を介して入力端子２に接続され、入力伝送線路２
３と各入力伝送線路２４とはそれぞれ金ワイヤ６により
電気的に接続される。そして、各入力伝送線路２４が金
ワイヤ６を介して２つのＧａＡｓＦＥＴチップ１それぞ
れの入力部に接続されることにより、合計４つのＧａＡ
ｓＦＥＴチップ１それぞれの入力部と電気的に接続され
る。

【０００５】一方、出力整合回路３０において、基板１
０上に２つの出力整合基板３１と１つの出力整合基板３
２が形成され、各出力整合基板３１上に出力伝送線路３
３がそれぞれ形成され、出力整合基板３２上に出力伝送
線路３４が形成される。なお、出力整合基板３１は誘電
率３８、厚み０．１８mmであり、出力整合基板３２はア
ルミナ基板であり、厚みは０．２mmである。

【０００６】各出力伝送線路３３は金ワイヤ６を介して
２つのＧａＡｓＦＥＴチップ１の出力部に接続されるこ
とにより、合計４つのＧａＡｓＦＥＴチップ１それぞれ
の出力部と電気的に接続される。各出力伝送線路３３と
出力伝送線路３４とは金ワイヤ６により電気的に接続さ
れる。そして、出力伝送線路３４の先端部３４ａが出力
端子３に接続される。

【０００７】各ＧａＡｓＦＥＴチップ１は、それぞれト
ータルゲート幅１８．９mmであり、入力端子２に付与さ
れるマイクロ波等の高周波信号を入力整合回路２０を介
して並列に入力し、出力整合回路３０により合成され
る。したがって、出力端子３から得られる信号は、４つ
のＧａＡｓＦＥＴチップ１それぞれの出力である高周波
増幅信号の合成信号となるため、さらに高出力な増幅信
号となる。

【０００８】入力整合回路２０及び出力整合回路３０
は、それぞれ線路長が高周波信号の１／４波長に設定さ
れる。ここで、入力端子２及び出力端子３それぞれの入
力及び出力インピーダンスは５０Ωであり、ＧａＡｓＦ
ＥＴチップ１の入力部及び出力部の入力及び出力インピ
ーダンスは１Ωである。

【０００９】したがって、入力伝送線路２３は線路幅を
比較的狭くほぼ一様に形成しながら両端を屈曲させて形
成するとともに、入力伝送線路２４は、入力端子２から
ＧａＡｓＦＥＴチップ１の入力部に向かう入力信号伝播
方向にかけて湾曲させながら平面形状を漸次拡開状に形
成して形成幅を比較的大きくとることにより、入力端子
２とＧａＡｓＦＥＴチップ１の入力部とのインピーダン
ス整合をとっている。そして、最大線路幅となる入力伝
送線路２４の端部領域と各ＧａＡｓＦＥＴチップ１の入
力部が金ワイヤ６を介して電気的に接続される。各Ｇａ
ＡｓＦＥＴチップ１はそれぞれ複数の入力部を有し、入
力伝送線路２４の外周近傍領域と接続される入力部や入
力伝送線路２４の内側領域と接続される入力部が存在す
る。

【００１０】同様に出力伝送線路３４は比較的狭くほぼ
一様に形成しながら両端を屈曲させて形成するととも
に、入力伝送線路３３は、出力端子３からＧａＡｓＦＥ
Ｔチップ１の出力部に向かう出力信号伝播逆方向にかけ
て平面形状を湾曲させながら漸次拡開状に形成して形成
幅を比較的広くとることにより、出力端子３とＧａＡｓ
ＦＥＴチップ１の出力部とのインピーダンス整合をとっ
ている。そして、最大線路幅となる出力伝送線路３３の
端部領域と各ＧａＡｓＦＥＴチップ１の出力部が金ワイ
ヤ６を介して電気的に接続される。各ＧａＡｓＦＥＴチ
ップ１はそれぞれ複数の出力部を有し、出力伝送線路３
３の外周近傍領域と接続される出力部や出力伝送線路３
３の内側領域と接続される出力部が存在する。

【００１１】なお、図１２に示すように、入力伝送線路
２４及び出力伝送線路３３をカーブ状に湾曲させるの
は、規定のパッケージ容量に収めるべく基板１０内に効
率的に形成するためである。なお、入力伝送線路２４及
び出力伝送線路３３をベンド状に屈曲させてもよい。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、入力伝
送線路２４の線路幅を広くとると、入力伝送線路２４の
外周近傍を流れる外周近傍高周波信号ＳＨ１（図１２参
照）と、入力伝送線路２４の内周近傍を流れる内周近傍
高周波信号ＳＨ２（図１２参照）との間に位相差が生じ
る危険性がある。

【００１３】図１３は、入力伝送線路２４を通過する高
周波信号の周波数特性を示すグラフである。このグラフ
は３．７〜４．２ＧＨｚの高周波信号（マイクロ波）の
小信号（振幅が小さい信号）設計において、良好な結果
が得られたものである。同図において、実線が内周近傍
高周波信号ＳＨ２を示し、破線が外周近傍高周波信号Ｓ
Ｈ１を示す。

【００１４】同図に示すように、周波数が３．７ＧＨｚ
より大きくなるにつれて、内周近傍高周波信号ＳＨ２に
対して外周近傍高周波信号ＳＨ１の位相が徐々に大きく
遅れ、周波数が４．２ＧＨｚでは外周近傍高周波信号Ｓ
Ｈ１と内周近傍高周波信号ＳＨ２との間に位相差が１０
゜を上回ってしまう。

【００１５】外周近傍高周波信号ＳＨ１と内周近傍高周
波信号ＳＨ２との位相差が大きくなると、ＧａＡｓＦＥ
Ｔチップ１の複数の入力部それぞれに位相差を有する複
数の高周波信号がそれぞれ入力されることになるため、
ＧａＡｓＦＥＴチップ１内で均一に電力が増幅されず、
電力利得や出力電力の低下を招いていまう問題があっ
た。

【００１６】従来の高周波増幅器は以上のように構成さ
れており、インピーダンス整合をとる入力整合回路の入
力伝送線路の線路幅が比較的に大きく形成されるため、
増幅部の複数の入力部に位相の異なる複数の高周波信号
がそれぞれ入力されることにより、増幅部の電力増幅が
理想的に行われず、電力利得や出力電力が低下するとい
う問題点あった。

【００１７】この発明は上記問題点を解決するためにな
されたもので、高利得及び高出力動作が可能な高周波増
幅器を得ることを目的とする。

【００１８】

【課題を解決するための手段】この発明にかかる請求項
１記載の高周波増幅器は、所定の周波数の高周波信号を
受ける入力端子と、複数の入力部を有し、前記複数の入
力部に与えられた信号をそれぞれ増幅する増幅部と、前
記入力端子と前記増幅部の前記複数の入力部との間に電
気的に介挿され、前記入力端子側のインピーダンスと前
記増幅部側の入力インピーダンスとの整合をとる入力整
合回路とを備えており、前記入力整合回路は、前記入力
端子から前記入力部に至る入力信号伝播方向に漸次拡開
状の平面形状を有する入力伝送線路を備え、前記入力伝
送線路は、その外周の一部から外方に突出して形成され
る突出部を有し、前記突出部に電気的に接続され前記突
出部とともに、前記入力伝送線路の外周近傍を流れる前
記高周波信号に対し誘導性を発揮する誘導補助手段をさ
らに備えて構成される。

【００１９】望ましくは、請求項２記載の高周波増幅器
のように、前記誘導補助手段は、一端が前記突出部に電
気的に接続され他端が接地されて、前記突出部とともに
短絡終端線路を形成する補助線路を備え、前記補助線路
は前記高周波信号から無視できる容量のコンデンサを介
挿して含み、前記短絡終端線路の線路長を前記高周波信
号の１／４波長より短く設定してもよい。

【００２０】望ましくは、請求項３記載の高周波増幅器
のように、前記誘導補助手段は、一端が前記突出部に電
気的に接続され他端が開放されて、前記突出部とともに
開放終端線路を形成する補助線路を備え、前記開放終端
線路の線路長を前記高周波信号の１／４波長より長く１
／２波長よりも短く設定してもよい。

【００２１】さらに望ましくは、請求項４記載の高周波
増幅器のように、前記入力整合回路の前記入力伝送線路
と前記開放終端線路とを多層構造で形成してもよい。

【００２２】また、請求項５記載の高周波増幅器は、前
記増幅部は増幅した高周波増幅信号を出力する複数の出
力部をさらに有し、出力端子と、前記出力端子と前記増
幅部の前記複数の出力部との間に電気的に介挿され、前
記出力端子側のインピーダンスと前記増幅部側の出力イ
ンピーダンスとの整合をとる出力整合回路とをさらに備
え、前記出力整合回路は、前記出力端子から前記出力部
に至る出力信号伝播逆方向に漸次拡開状の平面形状を有
する出力伝送線路を備え、前記出力伝送線路は、その外
周の一部から外方に突出して形成される第２の突出部を
有し、前記第２の突出部に電気的に接続され前記突出部
とともに、前記高周波増幅信号に対し誘導性を発揮する
第２の誘導補助手段をさらに備えて構成される。

【００２３】望ましくは、請求項６記載の高周波増幅器
のように、前記第２の誘導補助手段は、一端が前記突出
部に電気的に接続され他端が接地されて、前記第２の突
出部とともに第２の短絡終端線路を形成する第２の補助
線路を備え、前記第２の補助線路は前記高周波増幅信号
から無視できる容量の第２のコンデンサを介挿して含
み、前記第２の短絡終端線路の線路長を前記高周波増幅
信号の１／４波長より短く設定してもよい。

【００２４】望ましくは、請求項７記載の高周波増幅器
のように、前記第２の誘導補助手段は、一端が前記第２
の突出部に電気的に接続され他端が開放されて、前記第
２の突出部とともに開放終端線路を形成する第２の補助
線路を備え、前記開放終端線路の線路長を前記高周波増
幅信号の１／４波長より長く１／２波長よりも短く設定
してもよい。

【００２５】さらに望ましくは、請求項８記載の高周波
増幅器のように、前記増幅部は、少なくとも１つの入力
部及び出力部をそれぞれ有する複数の増幅素子から構成
される。

【００２６】

【作用】この発明にかかる請求項１記載の高周波増幅器
の入力整合回路の入力伝送線路は、その外周の一部から
外方に突出して形成される突出部を有し、突出部に電気
的に接続される誘導補助手段を備えている。

【００２７】そして、突出部及び誘導補助手段により、
入力伝送線路の外周近傍を流れる高周波信号（以下、
「外周近傍高周波信号」と略す）に対し誘導性を発揮す
ることにより、外周近傍高周波信号の電界を変化させる
ことができる。

【００２８】また、請求項２記載の高周波増幅器は、上
記誘導補助手段として、一端が突出部に電気的に接続さ
れ他端が接地されて、突出部とともに短絡終端線路を形
成する補助線路を備え、補助線路は高周波信号から無視
できる容量のコンデンサを介挿して含み、短絡終端線路
の線路長を高周波信号の１／４波長より短く設定してい
る。

【００２９】したがって、線路長が高周波信号の１／４
波長より短い短絡終端線路により、外周近傍高周波信号
に対し誘導性を発揮することにより、外周近傍高周波信
号の電界を変化させることができる。

【００３０】加えて、短絡終端線路中に介挿したキャパ
シタにより、増幅部の複数の入力部の直流成分が接地レ
ベルに設定されてしまう不具合を確実に回避することが
でき、増幅部の増幅動作に悪影響を与えることもない。

【００３１】また、請求項３記載の高周波増幅器は、上
記誘導補助手段として、一端が突出部に電気的に接続さ
れ他端が開放されて、突出部とともに開放終端線路を形
成する補助線路を備え、開放終端線路の線路長を高周波
信号の１／４波長より長く１／２波長よりも短く設定し
ている。

【００３２】したがって、線路長が高周波信号の１／４
波長より長く１／２波長よりも短い開放終端線路によ
り、外周近傍高周波信号に対し誘導性を発揮することに
より、外周近傍高周波信号の電界を変化させることがで
きる。

【００３３】さらに、請求項４記載の高周波増幅器は、
入力整合回路の入力伝送線路と開放終端線路とを多層構
造で形成することにより、集積度を損ねることなく開放
終端線路を形成することができる。

【００３４】この発明にかかる請求項５記載の高周波増
幅器の出力整合回路の出力伝送線路は、その外周の一部
から外方に突出して形成される第２の突出部を有し、第
２の突出部に電気的に接続される第２の誘導補助手段を
さらに備えている。

【００３５】そして、第２の突出部及び第２の誘導補助
手段により、出力伝送線路の外周近傍を流れる高周波増
幅信号（以下、「外周近傍高周波増幅信号」と略す）に
対し誘導性を発揮することにより、外周近傍高周波増幅
信号の電界を変化させることができる。

【００３６】また、請求項６記載の高周波増幅器は、上
記第２の誘導補助手段として、一端が第２の突出部に電
気的に接続され他端が接地されて、第２の突出部ととも
に第２の短絡終端線路を形成する第２の補助線路を備
え、第２の補助線路は高周波増幅信号から無視できる容
量の第２のコンデンサを介挿して含み、第２の短絡終端
線路の線路長を高周波増幅信号の１／４波長より短く設
定している。

【００３７】したがって、線路長が高周波増幅信号の１
／４波長より短い第２の短絡終端線路により、外周近傍
高周波増幅信号に対し誘導性を発揮することにより、外
周近傍高周波増幅信号の電界を変化させることができ
る。

【００３８】加えて、第２の短絡終端線路中に介挿した
第２のコンデンサにより、増幅部の複数の出力部の直流
成分が接地レベルに設定されてしまう不具合を確実に回
避することができ、高周波増幅信号に悪影響を与えるこ
ともない。

【００３９】また、請求項７記載の高周波増幅器は、上
記第２の誘導補助手段として、一端が第２の突出部に電
気的に接続され他端が開放されて、第２の突出部ととも
に第２の開放終端線路を形成する第２の補助線路を備
え、第２の開放終端線路の線路長を高周波増幅信号の１
／４波長より長く１／２波長よりも短く設定している。

【００４０】したがって、線路長が高周波増幅信号の１
／４波長より長く１／２波長よりも短い第２の開放終端
線路により、外周近傍高周波増幅信号に対し誘導性を発
揮することにより、外周近傍高周波増幅信号の電界を変
化させることができる。

【００４１】また、請求項８記載の高周波増幅器の増幅
部は、少なくとも１つの入力部及び出力部を有する複数
の増幅素子からなるため、複数の増幅素子それぞれの少
なくとも１つの出力部から出力される高周波増幅信号が
出力整合回路を介して出力端子上で合成されるため、よ
り高出力な高周波増幅信号を出力端子から得ることがで
きる。

【００４２】

【実施例】

＜第１の実施例＞図１はこの発明の第１の実施例である
高周波増幅器の構成を示す上面図であり、図２はそのＡ
−Ａ断面図である。これらの図に示すように、高周波増
幅器は入力端子２及び出力端子３を有し、接地レベルに
設定された金属性の基板１０上に増幅素子であるＧａＡ
ｓＦＥＴチップ１、入力整合回路２０及び出力整合回路
３０が形成されている。

【００４３】入力整合回路２０において、基板１０上に
下部電極２５を介して入力整合基板２１が形成され、２
つの下部電極２６を介してそれぞれ２つの入力整合基板
２２とが形成され、入力整合基板２１上に入力伝送線路
２３が形成され、各入力整合基板２２上に入力伝送線路
２４がそれぞれ形成される。なお、入力整合基板２１は
誘電率が３８、厚みが０．１mmであり、入力整合基板２
２は誘電率３８、厚み０．１８mmである。

【００４４】そして、従来同様、入力伝送線路２３は線
路幅を比較的狭くほぼ一様に形成しながら両端を屈曲さ
せて形成するとともに、入力伝送線路２４は、入力端子
２からＧａＡｓＦＥＴチップ１の入力部に向かう入力信
号伝播方向にかけて平面形状を湾曲させながら漸次拡開
状に形成して形成幅を比較的大きくとることにより、入
力端子２とＧａＡｓＦＥＴチップ１の入力部とのインピ
ーダンス整合をとっている。そして、入力伝送線路２４
のＧａＡｓＦＥＴチップ１側の最大線路幅をとる端部領
域と各ＧａＡｓＦＥＴチップ１の複数の入力部それぞれ
とが金ワイヤ６を介して電気的に接続される。各ＧａＡ
ｓＦＥＴチップ１はそれぞれ複数の入力部を有し、入力
伝送線路２４の外周近傍領域と接続される入力部や入力
伝送線路２４の内側領域と接続される入力部が存在す
る。

【００４５】各入力伝送線路２４には、その湾曲部の外
周の一部から平面視外方に突出して２つの突出部４がそ
れぞれ延設される。各突出部４はその外周方向に形成幅
Ｗ１、突出方向に形成長Ｌ１を有し、金ワイヤ６を介し
てコンデンサ５に接続される。コンデンサ５は、図２に
示すように、上部電極５１、下部電極５２及び誘電体５
３から構成されており、コンデンサ５の上部電極５１が
金ワイヤ６を介して突出部４と電気的に接続され、下部
電極５２が基板１０上に形成されることにより、コンデ
ンサ５は突出部４と接地レベルとの間に介挿される。そ
して、コンデンサ５の容量は、ＧａＡｓＦＥＴチップ１
に入力される高周波信号からみて無視できるレベルの容
量に設定される。

【００４６】このように、コンデンサ５，突出部４間を
電気的に接続する金ワイヤ６及びコンデンサ５とからな
る補助手段を構成し、この補助手段と突出部４とにより
短絡終端線路１１を形成している。そして、この短絡終
端線路１１の線路長を入力端子２に入力される高周波信
号の１／４波長より短くなるように設定する。なお、短
絡終端線路１１の線路長とは、突出部４の形成長Ｌ１、
補助手段の線路長の合計長となる。

【００４７】入力伝送線路２３の先端部２３ａが金ワイ
ヤ１６を介して入力端子２に接続される。また、入力伝
送線路２３と各入力伝送線路２４とはそれぞれ金ワイヤ
６により電気的に接続される。そして、各入力伝送線路
２４が金ワイヤ６を介して２つのＧａＡｓＦＥＴチップ
１の複数の入力部にそれぞれ接続されることにより、入
力端子２が合計４つのＧａＡｓＦＥＴチップ１それぞれ
の入力部と電気的に接続される。

【００４８】一方、出力整合回路３０において、基板１
０上に２つの下部電極３５を介してそれぞれ２つの出力
整合基板３１が形成され、下部電極３６を介して出力整
合基板３２が形成され、各出力整合基板３１上に出力伝
送線路３３がそれぞれ形成され、出力整合基板３２上に
出力伝送線路３４が形成される。なお、出力整合基板３
１は誘電率３８、厚み０．１８mmであり、出力整合基板
３２はアルミナ基板であり、厚みは０．２mmである。

【００４９】そして、従来同様、出力伝送線路３４は比
較的狭くほぼ一様に形成しながら両端を屈曲させて形成
するとともに、入力伝送線路３３は、出力端子３からＧ
ａＡｓＦＥＴチップ１の出力部に向かう出力信号伝播逆
方向にかけて平面形状を湾曲させながら漸次拡開状に形
成して形成幅を比較的広くとることにより、出力端子３
とＧａＡｓＦＥＴチップ１の出力部とのインピーダンス
整合をとっている。そして、出力伝送線路３３のＧａＡ
ｓＦＥＴチップ１側の最大線路幅をとるる端部領域と各
ＧａＡｓＦＥＴチップ１の複数の出力部それぞれとが金
ワイヤ６を介して電気的に接続される。各ＧａＡｓＦＥ
Ｔチップ１はそれぞれ複数の出力部を有し、出力伝送線
路３３の外周近傍領域と接続される出力部や出力伝送線
路３３の内側領域と接続される出力部が存在する。

【００５０】各出力伝送線路３３は金ワイヤ６を介して
２つのＧａＡｓＦＥＴチップ１の出力部に接続されるこ
とにより、合計４つのＧａＡｓＦＥＴチップ１それぞれ
の出力部と電気的に接続される。各出力伝送線路３３と
出力伝送線路３４とは金ワイヤ６により電気的に接続さ
れる。そして、出力伝送線路３４の先端部３４ａが金ワ
イヤ１６を介して出力端子３に接続されることにより、
出力端子３が４つのＧａＡｓＦＥＴチップ１それぞれの
出力部と電気的に接続される。

【００５１】各ＧａＡｓＦＥＴチップ１は、それぞれト
ータルゲート幅１８．９mmであり、入力端子２に付与さ
れるマイクロ波等の高周波信号を入力整合回路２０を介
して並列に入力し、各ＧａＡｓＦＥＴチップ１から並列
に出力される高周波増幅信号が出力整合回路３０により
合成される。したがって、出力端子３から得られる信号
は、４つのＧａＡｓＦＥＴチップ１それぞれの出力であ
る高周波増幅信号の合成信号となるため、さらに高出力
な増幅信号となる。

【００５２】図３は、入力伝送線路２４を通過する高周
波信号の周波数特性を示すグラフである。このグラフは
３．７〜４．２ＧＨｚの高周波信号（マイクロ波）の小
信号（振幅の小さい信号）設計である。このときの入力
伝送線路２４の１つのＧａＡｓＦＥＴチップ１に対向す
る形成幅Ｗ２４と、突出部４の形成幅Ｗ１及び形成長Ｌ
１との比（Ｗ２４：Ｗ１：Ｌ１）は４：１：１である。
同図において、実線が内周近傍高周波信号ＳＨ２を示
し、破線が外周近傍高周波信号ＳＨ１を示す。

【００５３】同図に示すように、３．７〜４．２ＧＨｚ
の周波数帯域において、外周近傍高周波信号ＳＨ１と内
周近傍高周波信号ＳＨ２との最大位相差は１０゜以下に
抑えていることがわかる。つまり、突出部４の形成長Ｌ
１及び形成幅Ｗ１を適当な値に設定することにより、外
周近傍高周波信号ＳＨ１と内周近傍高周波信号ＳＨ２と
の位相差を小さくしていることがわかる。

【００５４】このように、外周近傍高周波信号ＳＨ１と
内周近傍高周波信号ＳＨ２との位相差が小さくなるの
は、線路長が高周波信号の１／４波長以下の短絡終端線
路を入力伝送線路２４の外周部に設けることにより、短
絡終端線路が外周近傍高周波信号ＳＨ１に対し誘導性を
発揮し、外周近傍高周波信号ＳＨ１の電界を変化させる
ことに起因する。

【００５５】その結果、第１の実施例の高周波増幅器
は、突出部４の形成長Ｌ１及び形成幅Ｗ１を適当に設定
して外周近傍高周波信号ＳＨ１と内周近傍高周波信号Ｓ
Ｈ２との位相差を最小限に抑えることにより、各ＧａＡ
ｓＦＥＴチップ１内で均一に電力を増幅させることがで
きるため、高利得及び高出力動作を行うことができる。

【００５６】また、ＧａＡｓＦＥＴチップ１の入力部を
短絡終端線路１１により単に接地してしまうと、ＧａＡ
ｓＦＥＴチップ１に印加する直流バイアスが短絡終端線
路１１により接地レベルに設定されてしまい、ＧａＡｓ
ＦＥＴチップ１が正確にバイアスされず正常に動作しな
い危険性がある。

【００５７】しかしながら、短絡終端線路１１内にコン
デンサ５を介挿することにより、ＧａＡｓＦＥＴチップ
１に印加する直流バイアスが短絡終端線路１１により接
地レベルに設定されてしまう不具合を確実に回避するこ
とができ、ＧａＡｓＦＥＴチップ１に正確に直流バイア
スをかけることができるため、ＧａＡｓＦＥＴチップ１
が正常に動作することができる。

【００５８】＜第２の実施例＞図４はこの発明の第２の
実施例である高周波増幅器の構成を示す上面図であり、
図５はそのＢ−Ｂ断面図である。これらの図に示すよう
に、第１の実施例同様、各入力伝送線路２４には、その
湾曲部の外周の一部から平面視外方に突出して２つの突
出部４が延設される。各突出部４はその外周方向に形成
幅Ｗ１、突出方向に形成長Ｌ１を有し、金ワイヤ６を介
して補助線路７の一端にそれぞれ電気的に接続される。

【００５９】補助線路７は、入力伝送線路２３が形成さ
れない入力整合基板２１上の空き領域上に形成され、そ
の他端は開放される。そして、突出部４，補助線路７間
を結合する金ワイヤ６と補助線路７とにより補助手段を
構成し、この補助手段と突出部４とにより、開放終端線
路１２を形成している。そして、この開放終端線路１２
の線路長を入力端子２に入力される高周波信号の１／４
波長より長く１／２波長よりも短くなるように設定す
る。なお、開放終端線路１２の線路長とは、突出部４の
形成長Ｌ１と補助手段の線路長との合計長である。

【００６０】なお、入力伝送線路２３は入力伝送線路２
４に対して入力端子２側に形成されており、比較的高イ
ンピーダンスな線路で良く、その線路幅を細くしても支
障がないため、入力伝送線路２４に比べて大きな形成面
積を必要としない。したがって、入力整合基板２１上の
空き領域に開放終端線路の線路長が高周波信号の１／４
波長より長くなるような線路長の補助線路７を４個形成
することが十分可能である。

【００６１】なお、他の構成は、コンデンサ５が存在し
ない点を除き、第１の実施例の高周波増幅器と同様であ
るため、説明は省略する。

【００６２】このような構成の第２の実施例の高周波増
幅器は、線路長が高周波信号の１／４波長より長く１／
２波長よりも短い開放終端線路１２を入力伝送線路２４
の外周部に設けることにより、第１の実施例同様、開放
終端線路が外周近傍高周波信号ＳＨ１に対し誘導性を発
揮し、外周近傍高周波信号ＳＨ１の電界を変化させる。

【００６３】その結果、第２の実施例の高周波増幅器
は、突出部４の形成長Ｌ１及び形成幅Ｗ１を適当に設定
して外周近傍高周波信号ＳＨ１と内周近傍高周波信号Ｓ
Ｈ２との位相差を最小限に抑えることにより、各ＧａＡ
ｓＦＥＴチップ１内で均一に電力を増幅させることがで
きるため、高利得及び高出力動作を行うことができる。

【００６４】また、当然のことながら開放終端線路は接
地レベルに電気的に接続されていないため、ＧａＡｓＦ
ＥＴチップ１に印加する直流バイアスが開放終端線路に
より接地レベルに設定されてしまう不具合は全くない。
したがって、ＧａＡｓＦＥＴチップ１に正確に直流バイ
アスをかけることができるため、ＧａＡｓＦＥＴチップ
１が正常に動作することができる。

【００６５】以上の考察から、第２の実施例の高周波増
幅器と第１の実施例の高周波増幅器とを比べた場合、第
２の実施例の方がコンデンサ５を形成する必要がない
分、分品点数を少なくすることができ、工程数を減らせ
ることにより、製造コストを下げることができる利点が
ある。

【００６６】＜第３の実施例＞図６はこの発明の第３の
実施例である高周波増幅器の構成を示す上面図であり、
図７はそのＣ−Ｃ断面図である。これらの図に示すよう
に、第１及び第２の実施例同様、各入力伝送線路２４に
は、その湾曲部の外周の一部から平面視外方に突出して
２つの突出部４が延設される。各突出部４はその外周方
向に形成幅Ｗ１、突出方向に形成長Ｌ１を有し、金ワイ
ヤ６を介して補助線路７の一端にそれぞれ電気的に接続
される。

【００６７】一方、入力伝送線路２３の一部を含む入力
整合基板２１上に誘電体である補助基板２７が形成さ
れ、この補助基板２７上に補助線路７が形成される。つ
まり、下部電極２６、入力伝送線路２３及び補助線路７
はトリプレート状に構成される。そして、上部に補助基
板２７が形成されない入力伝送線路２３の他の一部が金
ワイヤ６を介して入力伝送線路２４と電気的に接続され
る。

【００６８】補助線路７の他端は開放されることによ
り、突出部４，補助線路７間を結合する金ワイヤ６及び
補助線路７から補助手段を構成し、この補助手段と突出
部４とにより、開放終端線路１２を形成している。そし
て、この開放終端線路１２の線路長を入力端子２に入力
される高周波信号の１／４波長より長く１／２波長より
短くなるように設定する。

【００６９】この際、補助基板２７上には補助線路７の
み形成することができるため、開放終端線路１２の線路
長が高周波信号の１／４波長より長くなる補助線路７を
４個形成することが簡単に行える。

【００７０】なお、他の構成は、第２の実施例の高周波
増幅器と同様であるため、説明は省略する。

【００７１】このような構成の第２の実施例の高周波増
幅器は、線路長が高周波信号の１／４波長より長く１／
２波長よりも短い開放終端線路１２を入力伝送線路２４
の外周部に設けることにより、第１及び第２の実施例同
様、開放終端線路１２が外周近傍高周波信号ＳＨ１に対
し誘導性を発揮し、外周近傍高周波信号ＳＨ１の電界を
変化させる。

【００７２】その結果、第３の実施例の高周波増幅器
は、突出部４の形成長Ｌ１及び形成幅Ｗ１を適当に設定
して外周近傍高周波信号ＳＨ１と内周近傍高周波信号Ｓ
Ｈ２との位相差を最小限に抑えることにより、各ＧａＡ
ｓＦＥＴチップ１内で均一に電力を増幅させることがで
きるため、高利得及び高出力動作を行うことができる。

【００７３】また、第２の実施例同様、ＧａＡｓＦＥＴ
チップ１に印加する直流バイアスが開放終端線路により
接地レベルに設定されてしまう不具合は全くなく、Ｇａ
ＡｓＦＥＴチップ１に正確に直流バイアスをかけること
ができるため、ＧａＡｓＦＥＴチップ１が正常に動作す
ることができる。

【００７４】したがって、第３の実施例の高周波増幅器
と第１の実施例の高周波増幅器とを比べた場合、第３の
実施例の方がコンデンサ５を形成する必要がない分、分
品点数を少なくすることができ、工程数を減らせること
により、製造コストを下げることができる利点がある。

【００７５】また、第３の実施例の高周波増幅器と第２
の実施例の高周波増幅器とを比較した場合、第３の実施
例の方が高周波信号の１／４波長以上の線路長の開放終
端線路１２を実現するための補助線路７を容易に形成す
ることができる利点がある。

【００７６】なお、図６及び図７の例では、補助線路７
を最上層に形成し、中間層に入力伝送線路２３を形成し
た例を示したあ、入力伝送線路２３を最上層に形成し、
中間層に補助線路７を形成するようにしてもよいのは勿
論である。

【００７７】＜第４の実施例＞図８はこの発明の第４の
実施例である高周波増幅器の構成を示す上面図であり、
図９はそのＤ−Ｄ断面図である。これらの図に示すよう
に、各出力伝送線路３３には、その湾曲部の外周の一部
から平面視外方に突出して２つの突出部４０がそれぞれ
延設される。各突出部４０はその外周方向に形成幅Ｗ
１、突出方向に形成長Ｌ１を有し、金ワイヤ６を介して
コンデンサ５に接続される。コンデンサ５は、図９に示
すように、上部電極５１、下部電極５２及び誘電体５３
から構成されており、コンデンサ５の上部電極５１が金
ワイヤ６を介して突出部４０と電気的に接続され、下部
電極５２が基板１０上に形成されることにより、コンデ
ンサ５は突出部４０と接地レベルとの間に介挿される。
そして、コンデンサ５の容量は、ＧａＡｓＦＥＴチップ
１から出力される高周波増幅信号からみて無視できるレ
ベルの容量に設定される。

【００７８】このように、コンデンサ５，突出部４０間
を電気的に接続する金ワイヤ６とコンデンサ５とから補
助手段を構成し、この補助手段と突出部４０とにより短
絡終端線路１３を形成している。そして、この短絡終端
線路１３の線路長を出力端子３から出力される高周波増
幅信号の１／４波長より短くなるように設定する。な
お、他の構成は第１の実施例の高周波増幅器と同様であ
るため、説明は省略する。

【００７９】このような構成の第４の実施例の高周波増
幅器は、線路長が高周波増幅信号の１／４波長以下の短
絡終端線路１３を出力伝送線路３３の外周部に設けるこ
とにより、出力伝送線路３３の外周近傍を流れるＧａＡ
ｓＦＥＴチップ１の高周波増幅信号である外周近傍高周
波増幅信号ＳＨ３に対し短絡終端線路１３が誘導性を発
揮し、外周近傍高周波増幅信号ＳＨ３の電界を変化させ
る。

【００８０】その結果、第４の実施例の高周波増幅器
は、高利得及び高出力動作が行える第１の実施例と同様
の効果に加え、突出部４０の形成長Ｌ２及び形成幅Ｗ２
を適当に設定して外周近傍高周波増幅信号ＳＨ３と内周
近傍高周波増幅信号ＳＨ４との位相差を最小限に抑える
ことにより、理想的な状態で合成した信号を出力端子３
に出力することができるのため、品質のよい出力信号を
出力端子３から出力することができる効果を奏する。

【００８１】また、ＧａＡｓＦＥＴチップ１の出力部を
短絡終端線路１３により単に接地してしまうと、ＧａＡ
ｓＦＥＴチップ１の出力部が短絡終端線路１３により接
地レベルに設定されてしまい、ＧａＡｓＦＥＴチップ１
から出力される高周波増幅信号に悪影響を与える危険性
がある。

【００８２】しかしながら、短絡終端線路１３内にコン
デンサ５を介挿することにより、ＧａＡｓＦＥＴチップ
１の出力が接地レベルに設定されてしまう不具合を確実
に回避することができるため、高周波増幅信号が悪影響
を受けることはない。

【００８３】なお、図８及び図９で示した構成では、入
力整合回路２０側の構成を第１の実施例と同様の構成に
したが、第２の実施例あるいは第３の実施例の入力整合
回路２０側の構成と同様の構成にしてもよい。この場
合、第２の実施例あるいは第３の実施例と同様の効果を
得ることができるのは勿論である。

【００８４】＜第５の実施例＞図１０はこの発明の第５
の実施例である高周波増幅器の構成を示す上面図であ
り、図１１はそのＥ−Ｅ断面図である。これらの図に示
すように、各出力伝送線路３３には、その湾曲部の外周
の一部から平面視外方に突出して２つの突出部４０がそ
れぞれ延設される。各突出部４０はその外周方向に形成
幅Ｗ２、突出方向に形成長Ｌ２を有し、金ワイヤ６を介
して補助線路４１の一端にそれぞれ電気的に接続され
る。

【００８５】補助線路４１は、出力伝送線路３４が形成
されない出力整合基板３２上の空き領域上に形成され、
その他端は開放される。そして、突出部４０，補助線路
４１間を結合する金ワイヤ１６と補助線路４１とから補
助手段を構成し、この補助手段と突出部４０とにより、
開放終端線路１４を形成している。そして、この開放終
端線路１４の線路長をＧａＡｓＦＥＴチップ１の出力部
から出力される高周波増幅信号の１／４波長より長く１
／２波長より短くなるように設定する。

【００８６】なお、出力伝送線路３４は出力伝送線路３
３に対し出力端子３側に形成されており、比較的高イン
ピーダンスな線路で良く、その線路幅を細くしても支障
がないため、大きな形成面積を必要としない。したがっ
て、出力整合基板３２上の空き領域に開放終端線路１４
の線路長が高周波増幅信号の１／４波長より長くなるよ
うな線路長の補助線路４１を４個形成することが十分可
能である。なお、他の構成は第２の実施例の高周波増幅
器と同様であるため、説明は省略する。

【００８７】このような構成の第５の実施例の高周波増
幅器は、線路長が高周波信号の１／４波長より長く１／
２波長よりも短い開放終端線路を出力伝送線路３３の外
周部に設けることにより、第４の実施例同様、開放終端
線路が外周近傍高周波増幅信号ＳＨ３に対し誘導性を発
揮し、外周近傍高周波増幅信号ＳＨ３の電界を変化させ
る。

【００８８】その結果、第５の実施例の高周波増幅器
は、高利得及び高出力動作が行える第２の実施例と同様
の効果に加え、突出部４０の形成長Ｌ２及び形成幅Ｗ２
を適当に設定して外周近傍高周波増幅信号ＳＨ３と内周
近傍高周波増幅信号ＳＨ４との位相差を最小限に抑える
ことにより、理想的な状態で合成した信号を出力端子３
に出力することができるのため、高利得な出力信号を出
力端子３から出力することができる効果を奏する。

【００８９】なお、図１０及び図１１で示した構成で
は、入力整合回路２０側の構成を第２の実施例と同様の
構成にしたが、第１の実施例あるいは第３の実施例の入
力整合回路２０側の構成と同様の構成にしてもよい。こ
の場合、第１の実施例あるいは第３の実施例と同様の効
果を得ることができるのは勿論である。

【００９０】

【発明の効果】この発明にかかる請求項１記載の高周波
増幅器の入力整合回路の入力伝送線路は、その外周の一
部から外方に突出して形成される突出部を有し、突出部
に電気的に接続される誘導補助手段を備えている。

【００９１】そして、突出部及び誘導補助手段により、
入力伝送線路の外周近傍を流れる高周波信号（以下、
「外周近傍高周波信号」と略す）に対し誘導性を発揮す
ることにより、外周近傍高周波信号の電界を変化させる
ことができる。

【００９２】その結果、請求項１記載の高周波増幅器
は、位相が遅れる傾向にある外周近傍高周波信号の位相
を進めることにより、入力伝送線路上における信号伝播
経路の違いによって生じる高周波信号の位相差を最小限
に抑えながら、増幅部の複数の入力部それぞれに入力す
ることができるため、高利得及び高出力動作を行うこと
ができる。

【００９３】また、請求項２記載の高周波増幅器は、上
記誘導補助手段として、一端が突出部に電気的に接続さ
れ他端が接地されて、突出部とともに短絡終端線路を形
成する補助線路を備え、補助線路は高周波信号から無視
できる容量のコンデンサを介挿して含み、短絡終端線路
の線路長を高周波信号の１／４波長より短く設定してい
る。

【００９４】したがって、線路長が高周波信号の１／４
波長より短い短絡終端線路により、外周近傍高周波信号
に対し誘導性を発揮することにより、外周近傍高周波信
号の電界を変化させることができる。

【００９５】その結果、請求項２記載の高周波増幅器
は、位相が遅れる傾向にある外周近傍高周波信号の位相
を進めることにより、入力伝送線路上における信号伝播
経路の違いによって生じる高周波信号の位相差を最小限
に抑えながら、増幅部の複数の入力部それぞれに入力す
ることができるため、高利得及び高出力動作を行うこと
ができる。

【００９６】加えて、短絡終端線路中に介挿したキャパ
シタにより、増幅部の複数の入力部の直流成分が接地レ
ベルに設定されてしまう不具合を確実に回避することが
でき、増幅部の増幅動作に悪影響を与えることもない。

【００９７】また、請求項３記載の高周波増幅器は、上
記誘導補助手段として、一端が突出部に電気的に接続さ
れ他端が開放されて、突出部とともに開放終端線路を形
成する補助線路を備え、開放終端線路の線路長を高周波
信号の１／４波長より長く１／２波長よりも短く設定し
ている。

【００９８】したがって、線路長が高周波信号の１／４
波長より長く１／２波長よりも短い開放終端線路によ
り、外周近傍高周波信号に対し誘導性を発揮することに
より、外周近傍高周波信号の電界を変化させることがで
きる。

【００９９】その結果、請求項３記載の高周波増幅器
は、位相が遅れる傾向にある外周近傍高周波信号の位相
を進めることにより、入力伝送線路上における信号伝播
経路の違いによって生じる高周波信号の位相差を最小限
に抑えながら、増幅部の複数の入力部それぞれに入力す
ることができるため、高利得及び高出力動作を行うこと
ができる。

【０１００】さらに、請求項４記載の高周波増幅器は、
入力整合回路の入力伝送線路と開放終端線路とを多層構
造で形成することにより、集積度を損ねることなく開放
終端線路を形成することができる。

【０１０１】この発明にかかる請求項５記載の高周波増
幅器の出力整合回路の出力伝送線路は、その外周の一部
から外方に突出して形成される第２の突出部を有し、第
２の突出部に電気的に接続される第２の誘導補助手段を
さらに備えている。

【０１０２】そして、第２の突出部及び第２の誘導補助
手段により、出力伝送線路の外周近傍を流れる高周波増
幅信号（以下、「外周近傍高周波増幅信号」と略す）に
対し誘導性を発揮することにより、外周近傍高周波増幅
信号の電界を変化させることができる。

【０１０３】その結果、請求項５記載の高周波増幅器
は、位相が遅れる傾向にある外周近傍高周波増幅信号の
位相を進めることにより、出力伝送線路上における信号
伝播経路の違いによって生じる高周波増幅信号の位相差
を最小限に抑えながら、出力端子に合成出力することが
できるため、高利得及び高出力動作を行うことができ
る。

【０１０４】また、請求項６記載の高周波増幅器は、上
記第２の誘導補助手段として、一端が第２の突出部に電
気的に接続され他端が接地されて、第２の突出部ととも
に第２の短絡終端線路を形成する第２の補助線路を備
え、第２の補助線路は高周波増幅信号から無視できる容
量の第２のコンデンサを介挿して含み、第２の短絡終端
線路の線路長を高周波増幅信号の１／４波長より短く設
定している。

【０１０５】したがって、線路長が高周波増幅信号の１
／４波長より短い第２の短絡終端線路により、外周近傍
高周波増幅信号に対し誘導性を発揮することにより、外
周近傍高周波増幅信号の電界を変化させることができ
る。

【０１０６】その結果、請求項６記載の高周波増幅器
は、位相が遅れる傾向にある外周近傍高周波増幅信号の
位相を進めることにより、出力伝送線路上における信号
伝播経路の違いによって生じる高周波増幅信号の位相差
を最小限に抑えながら、出力端子に合成出力することが
できるため、高利得及び高出力動作を行うことができ
る。

【０１０７】加えて、第２の短絡終端線路中に介挿した
第２のコンデンサにより、増幅部の複数の出力部の直流
成分が接地レベルに設定されてしまう不具合を確実に回
避することができ、高周波増幅信号に悪影響を与えるこ
ともない。

【０１０８】また、請求項７記載の高周波増幅器は、上
記第２の誘導補助手段として、一端が第２の突出部に電
気的に接続され他端が開放されて、第２の突出部ととも
に第２の開放終端線路を形成する第２の補助線路を備
え、第２の開放終端線路の線路長を高周波増幅信号の１
／４波長より長く１／２波長よりも短く設定している。

【０１０９】したがって、線路長が高周波増幅信号の１
／４波長より長く１／２波長よりも短い第２の開放終端
線路により、外周近傍高周波増幅信号に対し誘導性を発
揮することにより、外周近傍高周波増幅信号の電界を変
化させることができる。

【０１１０】その結果、請求項７記載の高周波増幅器
は、位相が遅れる傾向にある外周近傍高周波増幅信号の
位相を進めることにより、出力伝送線路上における信号
伝播経路の違いによって生じる高周波増幅信号の位相差
を最小限に抑えながら、出力端子に合成出力することが
できるため、高利得及び高出力動作を行うことができ
る。

【０１１１】また、請求項８記載の高周波増幅器の増幅
部は、少なくとも１つの入力部及び出力部を有する複数
の増幅素子からなるため、複数の増幅素子それぞれの少
なくとも１つの出力部から出力される高周波増幅信号が
出力整合回路を介して出力端子上で合成されるため、よ
り高出力な高周波増幅信号を出力端子から得ることがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 この発明の第１の実施例である高周波増幅器
の構成を示す上面図である。

【図２】 図１のＡ−Ａ断面図である。

【図３】 第１の実施例の効果を示すグラフである。

【図４】 この発明の第２の実施例である高周波増幅器
の構成を示す上面図である。

【図５】 図４のＢ−Ｂ断面図である。

【図６】 この発明の第３の実施例である高周波増幅器
の構成を示す上面図である。

【図７】 図６のＣ−Ｃ断面図である。

【図８】 この発明の第４の実施例である高周波増幅器
の構成を示す上面図である。

【図９】 図８のＤ−Ｄ断面図である。

【図１０】 この発明の第５の実施例である高周波増幅
器の構成を示す上面図である。

【図１１】 図１０のＤ−Ｄ断面図である。

【図１２】 従来の高周波増幅器の構成を示す上面図で
ある。

【図１３】 従来の高周波増幅器の問題点を指摘したグ
ラフである。

【符号の説明】

１ ＧａＡｓＦＥＴチップ、４ 突出部、５ コンデン
サ、６ 金ワイヤ、７ 補助線路、１１ 短絡終端線
路、１２ 開放終端線路、１３ 短絡終端線路、１４
開放終端線路、２０ 入力整合回路、２３ 入力伝送線
路、２４ 入力伝送線路、３０ 出力整合回路、３３
出力伝送線路、３４ 出力伝送線路。

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 所定の周波数の高周波信号を受ける入力
   端子と、 複数の入力部を有し、前記複数の入力部に与えられた信
   号をそれぞれ増幅する増幅部と、 前記入力端子と前記増幅部の前記複数の入力部との間に
   電気的に介挿され、前記入力端子側のインピーダンスと
   前記増幅部側の入力インピーダンスとの整合をとる入力
   整合回路とを備えた高周波増幅器において、 前記入力整合回路は、前記入力端子から前記入力部に至
   る入力信号伝播方向に漸次拡開状の平面形状を有する入
   力伝送線路を備え、前記入力伝送線路は、その外周の一
   部から外方に突出して形成される突出部を有し、 前記突出部に電気的に接続され前記突出部とともに、前
   記入力伝送線路の外周近傍を流れる前記高周波信号に対
   し誘導性を発揮する誘導補助手段をさらに備えたことを
   特徴とする高周波増幅器。
2. 【請求項２】 前記誘導補助手段は、一端が前記突出部
   に電気的に接続され他端が接地されて、前記突出部とと
   もに短絡終端線路を形成する補助線路を備え、前記補助
   線路は前記高周波信号から無視できる容量のコンデンサ
   を介挿して含み、 前記短絡終端線路の線路長を前記高周波信号の１／４波
   長より短く設定したことを特徴とする請求項１記載の高
   周波増幅器。
3. 【請求項３】 前記誘導補助手段は、一端が前記突出部
   に電気的に接続され他端が開放されて、前記突出部とと
   もに開放終端線路を形成する補助線路を備え、 前記開放終端線路の線路長を前記高周波信号の１／４波
   長より長く１／２波長よりも短く設定したことを特徴と
   する請求項１記載の高周波増幅器。
4. 【請求項４】 前記入力整合回路の前記入力伝送線路と
   前記開放終端線路とを多層構造で形成したことを特徴す
   る請求項３記載の高周波増幅器。
5. 【請求項５】 前記増幅部は増幅した高周波増幅信号を
   出力する複数の出力部をさらに有し、 出力端子と、 前記出力端子と前記増幅部の前記複数の出力部との間に
   電気的に介挿され、前記出力端子側のインピーダンスと
   前記増幅部側の出力インピーダンスとの整合をとる出力
   整合回路とをさらに備え、 前記出力整合回路は、前記出力端子から前記出力部に至
   る出力信号伝播逆方向に漸次拡開状の平面形状を有する
   出力伝送線路を備え、前記出力伝送線路は、その外周の
   一部から外方に突出して形成される第２の突出部を有
   し、 前記第２の突出部に電気的に接続され前記突出部ととも
   に、前記高周波増幅信号に対し誘導性を発揮する第２の
   誘導補助手段をさらに備えたことを特徴とする請求項１
   記載の高周波増幅器。
6. 【請求項６】 前記第２の誘導補助手段は、一端が前記
   突出部に電気的に接続され他端が接地されて、前記第２
   の突出部とともに第２の短絡終端線路を形成する第２の
   補助線路を備え、前記第２の補助線路は前記高周波増幅
   信号から無視できる容量の第２のコンデンサを介挿して
   含み、 前記第２の短絡終端線路の線路長を前記高周波増幅信号
   の１／４波長より短く設定したことを特徴とする請求項
   ５記載の高周波増幅器。
7. 【請求項７】 前記第２の誘導補助手段は、一端が前記
   第２の突出部に電気的に接続され他端が開放されて、前
   記第２の突出部とともに開放終端線路を形成する第２の
   補助線路を備え、 前記開放終端線路の線路長を前記高周波増幅信号の１／
   ４波長より長く１／２波長よりも短く設定したことを特
   徴とする請求項５記載の高周波増幅器。
8. 【請求項８】 前記増幅部は、少なくとも１つの入力部
   及び出力部をそれぞれ有する複数の増幅素子からなるこ
   とを特徴とする請求項５ないし請求項７のいずれか１項
   に記載の高周波増幅器。