JPH0728367B2 - 読取り装置 - Google Patents
読取り装置Info
- Publication number
- JPH0728367B2 JPH0728367B2 JP61135195A JP13519586A JPH0728367B2 JP H0728367 B2 JPH0728367 B2 JP H0728367B2 JP 61135195 A JP61135195 A JP 61135195A JP 13519586 A JP13519586 A JP 13519586A JP H0728367 B2 JPH0728367 B2 JP H0728367B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- substrate
- reading device
- light source
- element array
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Facsimile Heads (AREA)
- Facsimile Scanning Arrangements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、例えばファクシミリ装置の小型化を目指した
もので、実質上原稿と寸法的に1:1に対応させた光電変
換素子アレイを配置して成る密着型イメージセンサなど
の読取り装置に関するものである。
もので、実質上原稿と寸法的に1:1に対応させた光電変
換素子アレイを配置して成る密着型イメージセンサなど
の読取り装置に関するものである。
近時、密着型イメージセンサの開発が活発化しており、
このセンサは原稿からの反射光を集束性ロッド・レンズ
・アレイを介して検知する型式や、このアレイを用いな
いでも優れた光量伝達率、小型化を達成した型式なども
開発されている。
このセンサは原稿からの反射光を集束性ロッド・レンズ
・アレイを介して検知する型式や、このアレイを用いな
いでも優れた光量伝達率、小型化を達成した型式なども
開発されている。
第２図は集束性ロッド・レン・アレイを用いない密着型
読取り系を示した概略図であり、原稿１と寸法的に実質
上1:1に対応させた光検知部２が原稿１に密着し、発光
ダイオード３が原稿１を投光し、その反射光を光検知部
２で受光する。
読取り系を示した概略図であり、原稿１と寸法的に実質
上1:1に対応させた光検知部２が原稿１に密着し、発光
ダイオード３が原稿１を投光し、その反射光を光検知部
２で受光する。
第３図及び第４図は光検知部２に相当する読取り装置で
あり、第４図は第３図中切断面線X-Xから見た断面図で
ある。
あり、第４図は第３図中切断面線X-Xから見た断面図で
ある。
即ち、ガラスなどから成る透光性基板４が金属フレーム
などで構成された基板支持体５に付設されており、基板
４上にはCr、Alなどを蒸着して共通電極6a,6b・・・が
形成され、共通電極6a、6b上にはアモルファスシリコン
などから成る光電変換部７が形成され、そして、この光
電変換部７上にはITOなどの透明材料から成る透明電極
８がスパッタリングまたは蒸着によって各々の光電変換
部７に形成される。更に、この透明電極８の一部を覆う
ようにCr、Alなどを蒸着させて引出し電極９が個別的に
接続され、最上部にはガラスなどから成る透明な保護層
10が形成され、また、共通電極6a、6b、光電変換部７及
び透明電極８には光通過孔11が形成される。基板支持体
５の背後には発光ダイオード３が配置され、保護層10の
上方には原稿１が配置されており、そして、発光ダイオ
ード３から投光される光は基板４、光通過孔11及び保護
層10を介して原稿１を照射し、その反射光は光通過孔11
付近の透明電極８を透過し、光電変換部７によって受光
される。また、光通過孔11は原稿１の幅方向（主走査方
向）、即ち、発光ダイオード３の軸線方向に沿って間隔
をあけて配置され、基板４上にはシフトレジスタなどの
駆動回路12が搭載される。
などで構成された基板支持体５に付設されており、基板
４上にはCr、Alなどを蒸着して共通電極6a,6b・・・が
形成され、共通電極6a、6b上にはアモルファスシリコン
などから成る光電変換部７が形成され、そして、この光
電変換部７上にはITOなどの透明材料から成る透明電極
８がスパッタリングまたは蒸着によって各々の光電変換
部７に形成される。更に、この透明電極８の一部を覆う
ようにCr、Alなどを蒸着させて引出し電極９が個別的に
接続され、最上部にはガラスなどから成る透明な保護層
10が形成され、また、共通電極6a、6b、光電変換部７及
び透明電極８には光通過孔11が形成される。基板支持体
５の背後には発光ダイオード３が配置され、保護層10の
上方には原稿１が配置されており、そして、発光ダイオ
ード３から投光される光は基板４、光通過孔11及び保護
層10を介して原稿１を照射し、その反射光は光通過孔11
付近の透明電極８を透過し、光電変換部７によって受光
される。また、光通過孔11は原稿１の幅方向（主走査方
向）、即ち、発光ダイオード３の軸線方向に沿って間隔
をあけて配置され、基板４上にはシフトレジスタなどの
駆動回路12が搭載される。
また、第５図は前記発光ダイオード３を示す。即ち、LE
D搭載用基板13上に複数のLEDチップ14が所定の間隔をと
りながらライン状に配列されており、このLEDチップア
レイの上には円柱形状の棒状レンズ15がその円柱の中心
軸がLEDチップアレイと平行に成るようにレンズ支持部
材16によって設置される。この棒状レンズ15はLEDチッ
プ14の照射光を集光させることができるので、原稿１を
その焦点距離付近に位置させると原稿１に対する照度を
著しく高めることができる。
D搭載用基板13上に複数のLEDチップ14が所定の間隔をと
りながらライン状に配列されており、このLEDチップア
レイの上には円柱形状の棒状レンズ15がその円柱の中心
軸がLEDチップアレイと平行に成るようにレンズ支持部
材16によって設置される。この棒状レンズ15はLEDチッ
プ14の照射光を集光させることができるので、原稿１を
その焦点距離付近に位置させると原稿１に対する照度を
著しく高めることができる。
しかしながら、この読取り装置によれば、原稿１と棒状
レンズ15の間隔を棒状レンズ15のもつ焦点距離（通常約
6mm）の大きさにする必要があり、また、発光ダイオー
ド３の高さは約10mmあり、これにより、光検知部２及び
発光ダイオード３により構成された読取り装置の厚みを
最低約16mmの大きさにする必要があり、その結果、読取
り装置を更に一層小型化することが難しくなっている。
レンズ15の間隔を棒状レンズ15のもつ焦点距離（通常約
6mm）の大きさにする必要があり、また、発光ダイオー
ド３の高さは約10mmあり、これにより、光検知部２及び
発光ダイオード３により構成された読取り装置の厚みを
最低約16mmの大きさにする必要があり、その結果、読取
り装置を更に一層小型化することが難しくなっている。
従って本発明の目的は、LED光源の集光用レンズを用い
ないことによって小型化を達成した読取り装置を提供す
ることにある。
ないことによって小型化を達成した読取り装置を提供す
ることにある。
本発明の他の目的はLED光源の集光用レンズを不要とし
たことによって低コスト化を達成した読取り装置を提供
することにある。
たことによって低コスト化を達成した読取り装置を提供
することにある。
本発明の更に他の目的はLED光源の集光用レンズを不要
としても被検知体に対する光量伝達率を低下させないよ
うにした読取り装置を提供することにある。
としても被検知体に対する光量伝達率を低下させないよ
うにした読取り装置を提供することにある。
〔問題点を解決するための手段〕 本発明によれば、基板の第１板面上に光電変換素子アレ
イを形成し、該基板の第２板面側の該素子アレイと対応
する部位に光源を備え、この光源が第１板面側の被検知
体を投光し、その反射光を光電変換素子アレイが受光
し、この素子アレイから順次時系列に読取り信号が得ら
れるようにした読取り装置において、基板の第２板面側
に長尺状凹部を有する光源支持部材を備えてこの凹部内
に前記光源を配置すると共に、該凹部の内面に、この光
源の照射光を反射させ且つこの反射光が被検知体を投光
し得るようにした反射手段を形成したことを特徴とする
読取り装置が提供される。
イを形成し、該基板の第２板面側の該素子アレイと対応
する部位に光源を備え、この光源が第１板面側の被検知
体を投光し、その反射光を光電変換素子アレイが受光
し、この素子アレイから順次時系列に読取り信号が得ら
れるようにした読取り装置において、基板の第２板面側
に長尺状凹部を有する光源支持部材を備えてこの凹部内
に前記光源を配置すると共に、該凹部の内面に、この光
源の照射光を反射させ且つこの反射光が被検知体を投光
し得るようにした反射手段を形成したことを特徴とする
読取り装置が提供される。
次に本発明の実施例を第１図により説明する。
第１図は第２図にて示した光検知部に相当する読取り装
置であり、第３図の切断面線X-Xから見た第４図に代わ
る断面図である。尚、第１図中第４図と同一箇所には同
一符号が付してある。
置であり、第３図の切断面線X-Xから見た第４図に代わ
る断面図である。尚、第１図中第４図と同一箇所には同
一符号が付してある。
即ち、透光性基板４が金属フレームなどで構成された基
板支持体17に付設されており、基板４上には共通電極6
a、6b・・・、光電変換部７、透明電極８、引出し電極
９及び保護層10が順次形成される。基板支持体17には長
尺状の凹部８が受光素子アレイと実質上平行に形成され
ており、この凹部18の底面に複数のLEDチップ19が所定
の間隔（ピッチ）をとりながら主走査方向に配列されて
いる。この凹部18の内部側壁には反射率が著しく大きい
銀色テープ18aを貼り付けており、そして、この凹部18
の底面を基板支持体17に付設されたプリント基板20（こ
の基板20にはLEDチップ19を駆動するための配線パター
ンが形成される）の板面により成しており、この板面に
Al、Cu、Au等から成る高反射性の金属薄膜18bを形成す
る。尚、21はLEDチップ19が駆動するのに伴って発生す
る熱を放出するための放熱用金属板である。
板支持体17に付設されており、基板４上には共通電極6
a、6b・・・、光電変換部７、透明電極８、引出し電極
９及び保護層10が順次形成される。基板支持体17には長
尺状の凹部８が受光素子アレイと実質上平行に形成され
ており、この凹部18の底面に複数のLEDチップ19が所定
の間隔（ピッチ）をとりながら主走査方向に配列されて
いる。この凹部18の内部側壁には反射率が著しく大きい
銀色テープ18aを貼り付けており、そして、この凹部18
の底面を基板支持体17に付設されたプリント基板20（こ
の基板20にはLEDチップ19を駆動するための配線パター
ンが形成される）の板面により成しており、この板面に
Al、Cu、Au等から成る高反射性の金属薄膜18bを形成す
る。尚、21はLEDチップ19が駆動するのに伴って発生す
る熱を放出するための放熱用金属板である。
この読取り装置によれば、第２図にて示した光検知部２
及び発光ダイオード３が一体化しており、本発明者等の
実験によれば、LEDチップ19と原稿１との間隔を約6mm位
に設定すれば原稿１を十分な明るさで投光することがで
き、プリント基板20や放熱用金属板21の厚みを考慮して
もこの読取り装置の全体の厚みを約10mm以下に設定する
ことができる。
及び発光ダイオード３が一体化しており、本発明者等の
実験によれば、LEDチップ19と原稿１との間隔を約6mm位
に設定すれば原稿１を十分な明るさで投光することがで
き、プリント基板20や放熱用金属板21の厚みを考慮して
もこの読取り装置の全体の厚みを約10mm以下に設定する
ことができる。
更にこの読取り装置によれば、凹部18の全内周面及び底
面に高い反射率を有する銀色テープ18aや金属薄膜18bを
形成したためにLEDチップ19の照射光が凹部18によって
ほとんど吸収されなくなり、これにより、原稿１に対し
て無駄のない投光ができる。尚、LEDチップ19の投光波
長570mmに対する銀色テープ18a及び金属薄膜18bの反射
率はそれぞれ80％以上及び約90％であった。
面に高い反射率を有する銀色テープ18aや金属薄膜18bを
形成したためにLEDチップ19の照射光が凹部18によって
ほとんど吸収されなくなり、これにより、原稿１に対し
て無駄のない投光ができる。尚、LEDチップ19の投光波
長570mmに対する銀色テープ18a及び金属薄膜18bの反射
率はそれぞれ80％以上及び約90％であった。
また本実施例においては、投光性基板４上にCr、Alなど
を蒸着して共通電極6a、6b・・・を形成するに当って、
この共通電極6a・6bの一部に非蒸着部分をつくり、これ
を光通過孔11と成している。従って、この共通電極は光
通過孔11に対する通路になると共にこの通路以外の蒸着
金属層に投光された光は反射されて再び凹部18へ戻り、
この戻り光が凹部18内の反射手段によって反射され、こ
れにより、原稿１に対する光量伝達率が著しく高められ
る。
を蒸着して共通電極6a、6b・・・を形成するに当って、
この共通電極6a・6bの一部に非蒸着部分をつくり、これ
を光通過孔11と成している。従って、この共通電極は光
通過孔11に対する通路になると共にこの通路以外の蒸着
金属層に投光された光は反射されて再び凹部18へ戻り、
この戻り光が凹部18内の反射手段によって反射され、こ
れにより、原稿１に対する光量伝達率が著しく高められ
る。
本発明によれば、この反射手段を形成するに当ってそれ
がもつ反射率が所定の値以上にあることが望ましい。即
ち、本発明者等が種々の実験を繰り返し行った結果、通
常用いられる光源（波長は550〜660nmの範囲内にある）
であれば反射率60％以上あるのが望ましく、この範囲内
の反射率であれば、実用的な読取り信号強度が得られ、
好適な反射率は80％以上である。このように高い反射率
をもつ反射手段として、例えば基板支持体17をFeやAlな
どから成る金属フレームで作成した場合であれば、その
凹部の内面をバフ研磨、表面研削盤、サンドペーパー、
電解研磨等それ自体周知の方法によって研磨したり、或
いはその内面をメッキ処理すればよい。また、凹部内面
にAl、Ag、Au、Cu、Rhなどから成る蒸着金属層を形成し
たり、また、白い紙や布を張付けたり、或いは基板支持
体17自体を白色系プラスチックスにより製作することに
よって凹部内面をそのプラスチック白色面にしてもよ
い。
がもつ反射率が所定の値以上にあることが望ましい。即
ち、本発明者等が種々の実験を繰り返し行った結果、通
常用いられる光源（波長は550〜660nmの範囲内にある）
であれば反射率60％以上あるのが望ましく、この範囲内
の反射率であれば、実用的な読取り信号強度が得られ、
好適な反射率は80％以上である。このように高い反射率
をもつ反射手段として、例えば基板支持体17をFeやAlな
どから成る金属フレームで作成した場合であれば、その
凹部の内面をバフ研磨、表面研削盤、サンドペーパー、
電解研磨等それ自体周知の方法によって研磨したり、或
いはその内面をメッキ処理すればよい。また、凹部内面
にAl、Ag、Au、Cu、Rhなどから成る蒸着金属層を形成し
たり、また、白い紙や布を張付けたり、或いは基板支持
体17自体を白色系プラスチックスにより製作することに
よって凹部内面をそのプラスチック白色面にしてもよ
い。
以上の通り、本発明の読取り装置によれば、LEDアレイ
がもつ棒状レンズ（集光用レンズ）を不要とし、またこ
のレンズを用いないでも被検知体に対する光量伝達率が
低下せず、これにより、小型化且つ低コスト化が達成さ
れると共に読取り信号強度のSN比が向上して優れた解像
度が得られる。
がもつ棒状レンズ（集光用レンズ）を不要とし、またこ
のレンズを用いないでも被検知体に対する光量伝達率が
低下せず、これにより、小型化且つ低コスト化が達成さ
れると共に読取り信号強度のSN比が向上して優れた解像
度が得られる。
尚、本発明は上記の実施例に限定されるものではなく、
本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の反射手段
を用いることができる。
本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の反射手段
を用いることができる。
第１図は本発明の読取り装置を示す断面図、第２図は読
取り装置に係る読取り系を示す概略図、第３図は従来の
読取り装置の斜視図、第４図は第３図中切断面線X-Xか
ら見た断面図、第５図は従来の読取り装置に用いられた
発光ダイオードを示す概略図である。 １……原稿、２……光検知部 ３……発光ダイオード ５、17……基板支持体 14、19……LEDチップ 15……棒状レンズ、18……凹部 18a……銀色テープ、18b……金属薄膜
取り装置に係る読取り系を示す概略図、第３図は従来の
読取り装置の斜視図、第４図は第３図中切断面線X-Xか
ら見た断面図、第５図は従来の読取り装置に用いられた
発光ダイオードを示す概略図である。 １……原稿、２……光検知部 ３……発光ダイオード ５、17……基板支持体 14、19……LEDチップ 15……棒状レンズ、18……凹部 18a……銀色テープ、18b……金属薄膜
Claims (1)
- 【請求項１】基板の第１板面上に光電変換素子アレイを
形成し、該基板の第２板面側の該素子アレイと対応する
部位に光源を備え、この光源が第１板面側の被検知体を
投光し、その反射光を光電変換素子アレイが受光し、こ
の素子アレイから順次時系列に読取り信号が得られるよ
うにした読取り装置において、基板の第２板面側に長尺
状凹部を有する光源支持部材を備えてこの凹部内に前記
光源を配置すると共に、該凹部の内面に、この光源の照
射光を反射させ且つこの反射光が被検知体を投光し得る
ようにした反射手段を形成したことを特徴とする読取り
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61135195A JPH0728367B2 (ja) | 1986-06-10 | 1986-06-10 | 読取り装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61135195A JPH0728367B2 (ja) | 1986-06-10 | 1986-06-10 | 読取り装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62291257A JPS62291257A (ja) | 1987-12-18 |
| JPH0728367B2 true JPH0728367B2 (ja) | 1995-03-29 |
Family
ID=15146066
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61135195A Expired - Lifetime JPH0728367B2 (ja) | 1986-06-10 | 1986-06-10 | 読取り装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0728367B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5636664B2 (ja) * | 2009-10-22 | 2014-12-10 | 富士ゼロックス株式会社 | 画像読取装置及び画像形成装置 |
-
1986
- 1986-06-10 JP JP61135195A patent/JPH0728367B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62291257A (ja) | 1987-12-18 |
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