JPH07287857A - 光ヘッド及び光半導体素子並びに光学式情報記録再生装置 - Google Patents
光ヘッド及び光半導体素子並びに光学式情報記録再生装置Info
- Publication number
- JPH07287857A JPH07287857A JP6077552A JP7755294A JPH07287857A JP H07287857 A JPH07287857 A JP H07287857A JP 6077552 A JP6077552 A JP 6077552A JP 7755294 A JP7755294 A JP 7755294A JP H07287857 A JPH07287857 A JP H07287857A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- preamplifier
- detecting means
- optical head
- output
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 442
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 144
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims abstract description 116
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims abstract description 56
- 230000001603 reducing effect Effects 0.000 claims description 135
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 94
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 25
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 27
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 24
- BGPVFRJUHWVFKM-UHFFFAOYSA-N N1=C2C=CC=CC2=[N+]([O-])C1(CC1)CCC21N=C1C=CC=CC1=[N+]2[O-] Chemical compound N1=C2C=CC=CC2=[N+]([O-])C1(CC1)CCC21N=C1C=CC=CC1=[N+]2[O-] BGPVFRJUHWVFKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 230000009471 action Effects 0.000 description 13
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 5
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 2
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 201000009310 astigmatism Diseases 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Optical Head (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】光ヘッドにおいて、レーザ雑音低減手段駆動時
の前置増幅器への高周波雑音の漏洩による、 前置増幅
器の出力ドリフトや発振等の問題を解決する。 【構成】信号検出手段及びレーザ出力検出手段と前置増
幅器との間に帯域制限手段を挿入し、不要な高周波成分
を除去した。
の前置増幅器への高周波雑音の漏洩による、 前置増幅
器の出力ドリフトや発振等の問題を解決する。 【構成】信号検出手段及びレーザ出力検出手段と前置増
幅器との間に帯域制限手段を挿入し、不要な高周波成分
を除去した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光学式記録再生装置の
光ヘッドの構造に関する。
光ヘッドの構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】図２６は、従来の一般的な光ヘッドの構
造を示す説明図である。本図において、光ヘッドはレー
ザ光を放射する半導体レーザダイオード５７、前記レー
ザ光を平行光に変換するコリメートレンズ５６、前記レ
ーザ光の進行方向を変換するプリズム５５、前記レーザ
光の進行方向をさらに変換して記録媒体方向に導くはね
上げミラー２０、前記レーザ光を収束光に変換して前記
記録媒体上に焦点を結ぶ対物レンズ１５、前記記録媒体
からの反射光を受光し前記対物レンズの位置誤差信号や
記録情報信号を取り出す信号検出手段２５、前記半導体
レーザダイオードの出射光の一部を受光し出力検出を行
うレーザ出力検出手段２６、前記対物レンズ１５の位置
を変化せしめ、前記記録媒体上の目的位置に焦点を結ぶ
様に制御するフォーカシングコイル１７及びトラッキン
グコイル１８及び磁石４、前記対物レンズを弾性的に支
持する支持ばね３及び支柱２より構成される。また、前
記半導体レーザダイオード５７はＣＡＮ構造を有してお
り、シールドケース７に密着して取付けられている。前
記シールドケース７の内部にはレーザ雑音低減手段５が
収められている。前記レーザ雑音低減手段５は高周波発
振器であり、レーザダイオード駆動電流に高周波電流を
重畳し、レーザ光の可干渉性を低下させることによりレ
ーザ雑音を低減させるものである。よって高いレベルの
高周波雑音を放射するが、本光ヘッドの構成では、前記
レーザ雑音低減手段５及び前記半導体レーザダイオード
５７は前記シールドケース７及び前記半導体レーザダイ
オード５７のＣＡＮにより電磁的に密封されており、ま
た光ヘッド内部の他の回路は前記レーザ雑音低減手段５
や前記高周波が流れる線から物理的に遠い位置に配置さ
れていたため、前記高周波雑音が検出系に漏洩したり、
それが原因となって他の問題を誘起するといった現象は
あまりみられなかった。
造を示す説明図である。本図において、光ヘッドはレー
ザ光を放射する半導体レーザダイオード５７、前記レー
ザ光を平行光に変換するコリメートレンズ５６、前記レ
ーザ光の進行方向を変換するプリズム５５、前記レーザ
光の進行方向をさらに変換して記録媒体方向に導くはね
上げミラー２０、前記レーザ光を収束光に変換して前記
記録媒体上に焦点を結ぶ対物レンズ１５、前記記録媒体
からの反射光を受光し前記対物レンズの位置誤差信号や
記録情報信号を取り出す信号検出手段２５、前記半導体
レーザダイオードの出射光の一部を受光し出力検出を行
うレーザ出力検出手段２６、前記対物レンズ１５の位置
を変化せしめ、前記記録媒体上の目的位置に焦点を結ぶ
様に制御するフォーカシングコイル１７及びトラッキン
グコイル１８及び磁石４、前記対物レンズを弾性的に支
持する支持ばね３及び支柱２より構成される。また、前
記半導体レーザダイオード５７はＣＡＮ構造を有してお
り、シールドケース７に密着して取付けられている。前
記シールドケース７の内部にはレーザ雑音低減手段５が
収められている。前記レーザ雑音低減手段５は高周波発
振器であり、レーザダイオード駆動電流に高周波電流を
重畳し、レーザ光の可干渉性を低下させることによりレ
ーザ雑音を低減させるものである。よって高いレベルの
高周波雑音を放射するが、本光ヘッドの構成では、前記
レーザ雑音低減手段５及び前記半導体レーザダイオード
５７は前記シールドケース７及び前記半導体レーザダイ
オード５７のＣＡＮにより電磁的に密封されており、ま
た光ヘッド内部の他の回路は前記レーザ雑音低減手段５
や前記高周波が流れる線から物理的に遠い位置に配置さ
れていたため、前記高周波雑音が検出系に漏洩したり、
それが原因となって他の問題を誘起するといった現象は
あまりみられなかった。
【０００３】ところで、近年図２７に示す様な、レーザ
光の発光素子と受光素子を一体化し、簡略化及び小型化
を実現した光ヘッドが提案されている。また、図２８及
び図２９は、図２７に示す光ヘッドの構成要素の１つで
あるレンズホルダ１及び光半導体素子２２の構成を示す
説明図である。さらに、図３０は図２７の光ヘッドの内
部回路を模式的に表す説明図である。以下、図に従って
本光ヘッドの構成を説明する。
光の発光素子と受光素子を一体化し、簡略化及び小型化
を実現した光ヘッドが提案されている。また、図２８及
び図２９は、図２７に示す光ヘッドの構成要素の１つで
あるレンズホルダ１及び光半導体素子２２の構成を示す
説明図である。さらに、図３０は図２７の光ヘッドの内
部回路を模式的に表す説明図である。以下、図に従って
本光ヘッドの構成を説明する。
【０００４】まず、図２７において、光ヘッドは、前記
レンズホルダ１、前記レンズホルダ１を弾性的に支持
し、自由に位置を変化せしめる支持ばね３、前記支持ば
ね３の固定端であって前記レンズホルダ１を間接的に支
持する支柱２、前記レンズホルダ１の周辺に磁界を発生
し、焦点位置制御を行う磁石４、高周波発振器であっ
て、レーザダイオード駆動電流に高周波を重畳し、レー
ザ光の可干渉性を低下させることによりレーザ雑音を低
減させるレーザ雑音低減手段５、前記レーザ雑音低減手
段５から発生する高周波を光ヘッド外部に漏洩させるこ
となく光ヘッド内部の回路と光ヘッド外部の回路を接続
する貫通コンデンサ６、前置増幅器１３、前記前置増幅
器１３を搭載した基板８、前記前置増幅器と前記レンズ
ホルダ１内部を接続する線１０、前記レーザ雑音低減手
段５と前記レンズホルダ１内部を接続する線１１、前記
レーザ雑音低減手段５と前記貫通コンデンサ６を接続す
る線１２、光ヘッド全体を磁性導電材で包み込み、電気
的且つ磁気的に光ヘッド外部と光ヘッド内部を遮断する
シールドケース７、前記シールドケース７にあけられた
開口部であって前記シールドケース７からレーザ光を取
り出すと同時に記録媒体からの反射光を前記レンズホル
ダ１に導く出射窓１６、前記レンズホルダ１内部で発せ
られるレーザ光の焦点を前記記録媒体上に結ぶための対
物レンズ１５、前記前置増幅器の出力を光ヘッド外部に
取り出すための出力線１４、前記出力線を前記シールド
ケース７から引き出すためのスリット１９より構成され
る。また、図には示されていないが、前記レンズホルダ
１の側面にはフォーカシングコイル及びトラッキングコ
イルが取付けられている。前記磁石４及び前記フォーカ
シングコイル及びトラッキングコイル及び前記支持ばね
３の働きにより、前記記録媒体上の目的の位置に前記レ
ーザ光の焦点が結ばれる様に前記レンズホルダ１の位置
が制御される。
レンズホルダ１、前記レンズホルダ１を弾性的に支持
し、自由に位置を変化せしめる支持ばね３、前記支持ば
ね３の固定端であって前記レンズホルダ１を間接的に支
持する支柱２、前記レンズホルダ１の周辺に磁界を発生
し、焦点位置制御を行う磁石４、高周波発振器であっ
て、レーザダイオード駆動電流に高周波を重畳し、レー
ザ光の可干渉性を低下させることによりレーザ雑音を低
減させるレーザ雑音低減手段５、前記レーザ雑音低減手
段５から発生する高周波を光ヘッド外部に漏洩させるこ
となく光ヘッド内部の回路と光ヘッド外部の回路を接続
する貫通コンデンサ６、前置増幅器１３、前記前置増幅
器１３を搭載した基板８、前記前置増幅器と前記レンズ
ホルダ１内部を接続する線１０、前記レーザ雑音低減手
段５と前記レンズホルダ１内部を接続する線１１、前記
レーザ雑音低減手段５と前記貫通コンデンサ６を接続す
る線１２、光ヘッド全体を磁性導電材で包み込み、電気
的且つ磁気的に光ヘッド外部と光ヘッド内部を遮断する
シールドケース７、前記シールドケース７にあけられた
開口部であって前記シールドケース７からレーザ光を取
り出すと同時に記録媒体からの反射光を前記レンズホル
ダ１に導く出射窓１６、前記レンズホルダ１内部で発せ
られるレーザ光の焦点を前記記録媒体上に結ぶための対
物レンズ１５、前記前置増幅器の出力を光ヘッド外部に
取り出すための出力線１４、前記出力線を前記シールド
ケース７から引き出すためのスリット１９より構成され
る。また、図には示されていないが、前記レンズホルダ
１の側面にはフォーカシングコイル及びトラッキングコ
イルが取付けられている。前記磁石４及び前記フォーカ
シングコイル及びトラッキングコイル及び前記支持ばね
３の働きにより、前記記録媒体上の目的の位置に前記レ
ーザ光の焦点が結ばれる様に前記レンズホルダ１の位置
が制御される。
【０００５】図２８は、図２７における前記レンズホル
ダ１の構造を示す説明図である。また、図２９は、図２
７における前記光半導体素子の構成を示す説明図であ
る。前記レンズホルダ１内部には、レーザチップ、光記
録媒体からの反射光を検出する信号検出手段、前記レー
ザチップからのレーザ光の出射光量を監視するレーザ出
力検出手段等を複合した光半導体素子が含まれている。
ダ１の構造を示す説明図である。また、図２９は、図２
７における前記光半導体素子の構成を示す説明図であ
る。前記レンズホルダ１内部には、レーザチップ、光記
録媒体からの反射光を検出する信号検出手段、前記レー
ザチップからのレーザ光の出射光量を監視するレーザ出
力検出手段等を複合した光半導体素子が含まれている。
【０００６】図２７及び図２８及び図２９において、前
記光半導体素子から発せられたレーザ光は、前述の様に
前記シールドケース７の前記出射窓を通って光ヘッド外
部の記録媒体上に焦点を結び、その反射光は再び前記出
射窓を通って前記レンズホルダ１内部の前記信号検出手
段に入射する。前記信号検出手段の出力は、前記前置増
幅器とレンズホルダ１内部を接続する線１０により、前
記前置増幅器１３に接続される。前記前置増幅器１３
は、前記信号検出手段からの電流出力を電圧に変換する
と共に、必要があればさらに複数の前記信号検出手段の
出力を演算して光ヘッド外部に送り出す。
記光半導体素子から発せられたレーザ光は、前述の様に
前記シールドケース７の前記出射窓を通って光ヘッド外
部の記録媒体上に焦点を結び、その反射光は再び前記出
射窓を通って前記レンズホルダ１内部の前記信号検出手
段に入射する。前記信号検出手段の出力は、前記前置増
幅器とレンズホルダ１内部を接続する線１０により、前
記前置増幅器１３に接続される。前記前置増幅器１３
は、前記信号検出手段からの電流出力を電圧に変換する
と共に、必要があればさらに複数の前記信号検出手段の
出力を演算して光ヘッド外部に送り出す。
【０００７】図３０は従来の光ヘッドの回路を示す説明
図である。図２７の光ヘッドでは、図に示した様に、前
記信号検出手段２５及び前記レーザ出力検出手段２６の
出力は、前記前置増幅器１３に接続される。ここで、前
置増幅器１３と前記信号検出手段２５、あるいは前記前
置増幅器１３とレーザ出力検出手段２６は帯域を制限さ
れる事なく、直接接続されていた。このため、前記信号
検出手段２５または前記レーザ出力検出手段２６の出力
や、その他の前記光半導体素子と前記前置増幅器１３を
接続するライン上の電流に万一高周波雑音が混入した場
合、それらはそのまま前記前置増幅器１３に入力されて
しまうという構成を有していた。
図である。図２７の光ヘッドでは、図に示した様に、前
記信号検出手段２５及び前記レーザ出力検出手段２６の
出力は、前記前置増幅器１３に接続される。ここで、前
置増幅器１３と前記信号検出手段２５、あるいは前記前
置増幅器１３とレーザ出力検出手段２６は帯域を制限さ
れる事なく、直接接続されていた。このため、前記信号
検出手段２５または前記レーザ出力検出手段２６の出力
や、その他の前記光半導体素子と前記前置増幅器１３を
接続するライン上の電流に万一高周波雑音が混入した場
合、それらはそのまま前記前置増幅器１３に入力されて
しまうという構成を有していた。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、図２７の前
記光ヘッド内部において、前記レーザチップにレーザダ
イオード駆動電流を供給する線、前記信号検出手段から
の出力を取り出す線、前記レーザ出力検出手段からの出
力を取り出す線等は互いに近接している。特に、図２９
示すような、レーザチップと信号検出手段またはレーザ
出力検出手段を同一基板上に一体化して構成した様な光
半導体素子では、前記レーザチップ及び前記信号検出手
段及び前記レーザ出力検出手段は近接していると同時
に、ウエハ上で絶縁膜を介して各検出手段のコモンに接
している。また、同じくウエハ上での配線の都合から、
レーザダイオード駆動電流を供給する線、前記信号検出
手段からの出力を取り出す線、前記レーザ出力検出手段
からの出力を取り出す線等が絶縁膜を介して互いに交差
する部分が生ずる。このため、前記レーザチップ及び前
記信号検出手段は容量性あるいは誘導性で結合してしま
うことは免れない。一方で、前記レーザ雑音低減手段
は、高周波発振器であり、レーザダイオード駆動電流に
高周波電流を重畳し、レーザ光の可干渉性を低下させる
ことによりレーザ雑音を低減させる働きを有する。その
ため、前記レーザチップ２３及び前記レーザチップにレ
ーザダイオード駆動電流を供給する線には、大きなレベ
ルの高周波電流が流れている。
記光ヘッド内部において、前記レーザチップにレーザダ
イオード駆動電流を供給する線、前記信号検出手段から
の出力を取り出す線、前記レーザ出力検出手段からの出
力を取り出す線等は互いに近接している。特に、図２９
示すような、レーザチップと信号検出手段またはレーザ
出力検出手段を同一基板上に一体化して構成した様な光
半導体素子では、前記レーザチップ及び前記信号検出手
段及び前記レーザ出力検出手段は近接していると同時
に、ウエハ上で絶縁膜を介して各検出手段のコモンに接
している。また、同じくウエハ上での配線の都合から、
レーザダイオード駆動電流を供給する線、前記信号検出
手段からの出力を取り出す線、前記レーザ出力検出手段
からの出力を取り出す線等が絶縁膜を介して互いに交差
する部分が生ずる。このため、前記レーザチップ及び前
記信号検出手段は容量性あるいは誘導性で結合してしま
うことは免れない。一方で、前記レーザ雑音低減手段
は、高周波発振器であり、レーザダイオード駆動電流に
高周波電流を重畳し、レーザ光の可干渉性を低下させる
ことによりレーザ雑音を低減させる働きを有する。その
ため、前記レーザチップ２３及び前記レーザチップにレ
ーザダイオード駆動電流を供給する線には、大きなレベ
ルの高周波電流が流れている。
【０００９】その結果、前記レーザチップ２３に印加さ
れる高周波が前記信号検出２５手段及び前記レーザ出力
検出手段２６に漏洩することになる。前記高周波電流
は、前記レーザチップにとってはレーザ雑音低減のため
に有用であるが、信号検出手段やレーザ出力検出手段に
漏洩した場合は雑音源として寄与するため、数々の問題
を引き起こす。
れる高周波が前記信号検出２５手段及び前記レーザ出力
検出手段２６に漏洩することになる。前記高周波電流
は、前記レーザチップにとってはレーザ雑音低減のため
に有用であるが、信号検出手段やレーザ出力検出手段に
漏洩した場合は雑音源として寄与するため、数々の問題
を引き起こす。
【００１０】まず、問題の１つは、レーザ雑音低減手段
を駆動した際に、前記信号検出手段２５の前記前置増幅
器１３後の出力がドリフトし、光ヘッドの正常な位置制
御ができなくなってしまうことである。
を駆動した際に、前記信号検出手段２５の前記前置増幅
器１３後の出力がドリフトし、光ヘッドの正常な位置制
御ができなくなってしまうことである。
【００１１】図３１及び図３２は、前記ドリフトが生ず
る様子を説明するための説明図である。前記信号検出手
段の出力をＶｉ、前記レーザ雑音低減手段から漏洩する
高周波雑音をｖｉとする。通常光ディスク装置では、書
き込み動作時はレーザ雑音は特に問題にならないため、
半導体レーザダイオードは直流電流で定電流駆動され
る。一方、読み出し動作時等では、信号検出に高いＳ／
Ｎ比が求められるため、光ヘッドに搭載されている前記
レーザ雑音低減手段５をＯＮし、前置増幅器１３レーザ
ダイオード駆動電流に高周波を重畳する。もし前記高周
波が前記信号検出手段の出力に漏洩したとすると、前記
前置増幅器には、前記Ｖｉにｖｉが重畳された電流が入
力される。前記信号検出手段の出力に含まれる雑音成分
が前記信号検出手段の出力に対して充分小さければ、前
記Ｖｉ＋ｖｉは前記前置増幅器の許容入力を越えること
はないので、前記前置増幅器は線形要素となり、波形が
歪むことなく出力される。さらに、一般に光ディスク装
置の信号処理回路においては、情報の読み出しに必要な
帯域のみを通過させる低域通過回路が挿入されている。
前記低域通過回路の帯域幅は前記レーザ雑音低減手段の
発振周波数に対して充分低い。また、そもそも前記前置
増幅器の出力帯域幅は前記レーザ雑音低減手段の発振周
波数に対し充分に低いため、前記レーザ雑音低減手段の
出力信号に対しては低域通過回路と同様の働きをする。
よって、本来前記レーザ雑音低減手段から発せられる高
周波が漏洩し、前記前置増幅器に入力されることがあっ
ても、前記低域通過回路または前記前置増幅器の帯域限
界により前記高周波は除去され、正常な値の前記信号検
出手段出力を得る事ができる（図２８）。この際、当然
ながら前記レーザ雑音低減手段のＯＮ／ＯＦＦで前記前
置増幅器の出力信号がドリフトすることはない。
る様子を説明するための説明図である。前記信号検出手
段の出力をＶｉ、前記レーザ雑音低減手段から漏洩する
高周波雑音をｖｉとする。通常光ディスク装置では、書
き込み動作時はレーザ雑音は特に問題にならないため、
半導体レーザダイオードは直流電流で定電流駆動され
る。一方、読み出し動作時等では、信号検出に高いＳ／
Ｎ比が求められるため、光ヘッドに搭載されている前記
レーザ雑音低減手段５をＯＮし、前置増幅器１３レーザ
ダイオード駆動電流に高周波を重畳する。もし前記高周
波が前記信号検出手段の出力に漏洩したとすると、前記
前置増幅器には、前記Ｖｉにｖｉが重畳された電流が入
力される。前記信号検出手段の出力に含まれる雑音成分
が前記信号検出手段の出力に対して充分小さければ、前
記Ｖｉ＋ｖｉは前記前置増幅器の許容入力を越えること
はないので、前記前置増幅器は線形要素となり、波形が
歪むことなく出力される。さらに、一般に光ディスク装
置の信号処理回路においては、情報の読み出しに必要な
帯域のみを通過させる低域通過回路が挿入されている。
前記低域通過回路の帯域幅は前記レーザ雑音低減手段の
発振周波数に対して充分低い。また、そもそも前記前置
増幅器の出力帯域幅は前記レーザ雑音低減手段の発振周
波数に対し充分に低いため、前記レーザ雑音低減手段の
出力信号に対しては低域通過回路と同様の働きをする。
よって、本来前記レーザ雑音低減手段から発せられる高
周波が漏洩し、前記前置増幅器に入力されることがあっ
ても、前記低域通過回路または前記前置増幅器の帯域限
界により前記高周波は除去され、正常な値の前記信号検
出手段出力を得る事ができる（図２８）。この際、当然
ながら前記レーザ雑音低減手段のＯＮ／ＯＦＦで前記前
置増幅器の出力信号がドリフトすることはない。
【００１２】しかし、前記高周波信号が前記前置増幅器
の許容入力レベルを越える大きさであったり、前記高周
波信号が前記前置増幅器に漏洩する過程に非線形または
方向性をもった要素が存在すると、高周波信号の波形に
歪みを生じ、直流電位Ｖｉに対し非対称性を生ずる。一
般に交流信号が前記低域通過回路を通過すると、その積
分値に相当する直流成分が発生する。交流成分ｖｉが直
流電位Ｖｉに対して正負対称の波形であれば、前記低域
通過回路を通過しても積分値は正側と負側で相殺される
ため直流成分は発生しないが、正負非対称であれば、相
殺されなかった積分値に相当する直流成分が発生し、前
記Ｖｉに重畳されることになる（図２９）。これは前記
前置増幅器の出力信号のドリフトとなって現れる。これ
により、従来の光ヘッドでは、レーザ雑音低減手段のＯ
Ｎ／ＯＦＦにより光ヘッドの位置誤差信号がドリフトす
るため、光ヘッドの正しい位置制御が困難になるという
問題点を有していた。
の許容入力レベルを越える大きさであったり、前記高周
波信号が前記前置増幅器に漏洩する過程に非線形または
方向性をもった要素が存在すると、高周波信号の波形に
歪みを生じ、直流電位Ｖｉに対し非対称性を生ずる。一
般に交流信号が前記低域通過回路を通過すると、その積
分値に相当する直流成分が発生する。交流成分ｖｉが直
流電位Ｖｉに対して正負対称の波形であれば、前記低域
通過回路を通過しても積分値は正側と負側で相殺される
ため直流成分は発生しないが、正負非対称であれば、相
殺されなかった積分値に相当する直流成分が発生し、前
記Ｖｉに重畳されることになる（図２９）。これは前記
前置増幅器の出力信号のドリフトとなって現れる。これ
により、従来の光ヘッドでは、レーザ雑音低減手段のＯ
Ｎ／ＯＦＦにより光ヘッドの位置誤差信号がドリフトす
るため、光ヘッドの正しい位置制御が困難になるという
問題点を有していた。
【００１３】次に、もう１つの問題は、やはりレーザ雑
音低減手段を駆動した際に、レーザ出力検出手段の前置
増幅器後の出力がドリフトすることである。これは、前
記の位置誤差信号のドリフトと同様の現象によるもので
ある。これにより、従来の光ヘッドでは、レーザ雑音低
減手段のＯＮ／ＯＦＦによりレーザ出力検出に誤差が生
じ、正確なレーザ出力制御が不可能になるという問題点
を有していた。
音低減手段を駆動した際に、レーザ出力検出手段の前置
増幅器後の出力がドリフトすることである。これは、前
記の位置誤差信号のドリフトと同様の現象によるもので
ある。これにより、従来の光ヘッドでは、レーザ雑音低
減手段のＯＮ／ＯＦＦによりレーザ出力検出に誤差が生
じ、正確なレーザ出力制御が不可能になるという問題点
を有していた。
【００１４】さらに、もう１つの問題は、やはりレーザ
雑音低減手段を駆動した際に、漏洩した高周波のために
前記前置増幅器の動作が不安定になり、場合によっては
前記前置増幅器の発振を誘起してしまうことである。前
記前置増幅器が発振して不要な周波数の信号が出力に乗
った場合、光ヘッドの位置制御が不安定になるばかり
か、光学式情報記録再生装置においては再生信号の品質
が低下し、情報の読みだしが不可能になったり、誤りを
生じたりするという問題点を有していた。
雑音低減手段を駆動した際に、漏洩した高周波のために
前記前置増幅器の動作が不安定になり、場合によっては
前記前置増幅器の発振を誘起してしまうことである。前
記前置増幅器が発振して不要な周波数の信号が出力に乗
った場合、光ヘッドの位置制御が不安定になるばかり
か、光学式情報記録再生装置においては再生信号の品質
が低下し、情報の読みだしが不可能になったり、誤りを
生じたりするという問題点を有していた。
【００１５】尚、前記の３つの問題にかかる現象は、図
２９で示した様な、前記レーザチップ２３と、前記信号
検出手段２５と、前記レーザ出力検出手段２６を一体化
した前記光半導体素子を用いた光ヘッドにおいて特に顕
著にみられるものである。なぜなら、高度に光ヘッドを
小型化することによって前記信号検出手段２５や前記レ
ーザ出力検出手段２６が前記レーザチップ２３及びその
周辺のラインに接近し、そこから高周波が漏洩しやすく
なるからである。しかし同時に、前記光半導体素子を用
いた光ヘッドの最大の利点は、小型で構造が簡略である
点である。よって、本問題点の解決なしには、こうした
小型光ヘッドの実現が不可能になる恐れがある。また、
前記ドリフトの量は、高周波発振器である前記レーザ雑
音低減手段の出力の大小に依存するが、レーザ雑音低減
効果を充分に得るために比較的大きな出力の前記レーザ
雑音低減手段を用いた光ヘッドの場合、前記ドリフト量
は非常に大きなものとなる。よって、本問題点は必ず克
服されなければならない重要な課題である。
２９で示した様な、前記レーザチップ２３と、前記信号
検出手段２５と、前記レーザ出力検出手段２６を一体化
した前記光半導体素子を用いた光ヘッドにおいて特に顕
著にみられるものである。なぜなら、高度に光ヘッドを
小型化することによって前記信号検出手段２５や前記レ
ーザ出力検出手段２６が前記レーザチップ２３及びその
周辺のラインに接近し、そこから高周波が漏洩しやすく
なるからである。しかし同時に、前記光半導体素子を用
いた光ヘッドの最大の利点は、小型で構造が簡略である
点である。よって、本問題点の解決なしには、こうした
小型光ヘッドの実現が不可能になる恐れがある。また、
前記ドリフトの量は、高周波発振器である前記レーザ雑
音低減手段の出力の大小に依存するが、レーザ雑音低減
効果を充分に得るために比較的大きな出力の前記レーザ
雑音低減手段を用いた光ヘッドの場合、前記ドリフト量
は非常に大きなものとなる。よって、本問題点は必ず克
服されなければならない重要な課題である。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明の光ヘッドは、 （１）レーザチップと、光記録媒体からの反射光を検出
する信号検出手段またはレーザチップから出射するレー
ザ光の光量を監視するレーザ出力検出手段またはその両
方と、前記信号検出手段または前記レーザ出力検出手段
またはその両方の出力を増幅する前置増幅器と、レーザ
ダイオード駆動電流に高周波を重畳し、レーザ光の可干
渉性を低下させることによりレーザ雑音を低減させるレ
ーザ雑音低減手段から成る光源ユニットにおいて、少な
くとも１つの前記検出手段と前置増幅器の間に帯域制限
手段が挿入されており、さらに前記帯域制限手段の通過
帯域の上限のカットオフ周波数は、前記レーザ雑音低減
手段の発振周波数より充分低く設定されていることを特
徴とする。
する信号検出手段またはレーザチップから出射するレー
ザ光の光量を監視するレーザ出力検出手段またはその両
方と、前記信号検出手段または前記レーザ出力検出手段
またはその両方の出力を増幅する前置増幅器と、レーザ
ダイオード駆動電流に高周波を重畳し、レーザ光の可干
渉性を低下させることによりレーザ雑音を低減させるレ
ーザ雑音低減手段から成る光源ユニットにおいて、少な
くとも１つの前記検出手段と前置増幅器の間に帯域制限
手段が挿入されており、さらに前記帯域制限手段の通過
帯域の上限のカットオフ周波数は、前記レーザ雑音低減
手段の発振周波数より充分低く設定されていることを特
徴とする。
【００１７】（２）第１項記載の光ヘッドにおいて、前
記信号検出手段と前記前置増幅器との間に帯域制限手段
が挿入されており、さらに前記帯域制限手段の通過帯域
の上限のカットオフ周波数は、信号帯域より充分高く、
かつ前記レーザ雑音低減手段の発振周波数より充分低く
設定されていることを特徴とする。
記信号検出手段と前記前置増幅器との間に帯域制限手段
が挿入されており、さらに前記帯域制限手段の通過帯域
の上限のカットオフ周波数は、信号帯域より充分高く、
かつ前記レーザ雑音低減手段の発振周波数より充分低く
設定されていることを特徴とする。
【００１８】（３）第２項記載の光ヘッドにおいて、前
記帯域制限手段は、前記レーザ雑音低減手段から漏洩す
る高周波を前記前置増幅器の許容入力レベルより小さい
レベルまで低減する特性を有することを特徴とする。
記帯域制限手段は、前記レーザ雑音低減手段から漏洩す
る高周波を前記前置増幅器の許容入力レベルより小さい
レベルまで低減する特性を有することを特徴とする。
【００１９】（４）第１項記載の光ヘッドにおいて、前
記レーザ出力検出手段と前記前置増幅器との間に帯域制
限手段が挿入されており、さらに前記帯域制限手段の通
過帯域の上限のカットオフ周波数は、前記レーザ出力を
制御する帯域より充分高く、かつ前記レーザ雑音低減手
段の発振周波数より充分低く設定されていることを特徴
とする。
記レーザ出力検出手段と前記前置増幅器との間に帯域制
限手段が挿入されており、さらに前記帯域制限手段の通
過帯域の上限のカットオフ周波数は、前記レーザ出力を
制御する帯域より充分高く、かつ前記レーザ雑音低減手
段の発振周波数より充分低く設定されていることを特徴
とする。
【００２０】（５）第４項記載の光ヘッドにおいて、前
記帯域制限手段は、前記レーザ雑音低減手段から漏洩す
る高周波を前記前置増幅器の許容入力レベルより小さい
レベルまで低減する特性を有することを特徴とする。
記帯域制限手段は、前記レーザ雑音低減手段から漏洩す
る高周波を前記前置増幅器の許容入力レベルより小さい
レベルまで低減する特性を有することを特徴とする。
【００２１】（６）第１項記載の光ヘッドにおいて、前
記信号検出手段または前記レーザ出力検出手段またはそ
の両方に供給されるバイアス電源と前記前置増幅器との
間に帯域制限手段が挿入されており、さらに前記帯域制
限手段の通過帯域の上限のカットオフ周波数は、前記レ
ーザ雑音低減手段の発振周波数より充分低く設定されて
いることを特徴とする。
記信号検出手段または前記レーザ出力検出手段またはそ
の両方に供給されるバイアス電源と前記前置増幅器との
間に帯域制限手段が挿入されており、さらに前記帯域制
限手段の通過帯域の上限のカットオフ周波数は、前記レ
ーザ雑音低減手段の発振周波数より充分低く設定されて
いることを特徴とする。
【００２２】（７）第６項記載の光ヘッドにおいて、前
記帯域制限手段は、前記レーザ雑音低減手段から漏洩す
る高周波を前記前置増幅器の許容入力レベルより小さい
レベルまで低減する特性を有することを特徴とする。
記帯域制限手段は、前記レーザ雑音低減手段から漏洩す
る高周波を前記前置増幅器の許容入力レベルより小さい
レベルまで低減する特性を有することを特徴とする。
【００２３】（８）第１項記載の光ヘッドにおいて、前
記信号検出手段または前記レーザ出力検出手段またはそ
の両方の接地端子と前記前置増幅器の接地端子との間に
帯域制限手段が挿入されており、さらに前記帯域制限手
段の通過帯域の上限のカットオフ周波数は、前記レーザ
雑音低減手段の発振周波数より充分低く設定されている
ことを特徴とする。
記信号検出手段または前記レーザ出力検出手段またはそ
の両方の接地端子と前記前置増幅器の接地端子との間に
帯域制限手段が挿入されており、さらに前記帯域制限手
段の通過帯域の上限のカットオフ周波数は、前記レーザ
雑音低減手段の発振周波数より充分低く設定されている
ことを特徴とする。
【００２４】（９）第８項記載の光ヘッドにおいて、前
記帯域制限手段は、前記レーザ雑音低減手段から漏洩す
る高周波を前記前置増幅器の許容入力レベルより小さい
レベルまで低減する特性を有することを特徴とする。
記帯域制限手段は、前記レーザ雑音低減手段から漏洩す
る高周波を前記前置増幅器の許容入力レベルより小さい
レベルまで低減する特性を有することを特徴とする。
【００２５】（１０）第１項記載の光ヘッドにおいて、
前記帯域制限手段は、前記前置増幅器と、前記信号検出
手段または前記レーザ出力検出手段との間に挿入された
コイル部品であることを特徴とする。
前記帯域制限手段は、前記前置増幅器と、前記信号検出
手段または前記レーザ出力検出手段との間に挿入された
コイル部品であることを特徴とする。
【００２６】（１１）第１項記載の光ヘッドにおいて、
前記帯域制限手段は、前記前置増幅器と、前記信号検出
手段または前記レーザ出力検出手段を接続する信号線を
覆う様に設置された磁性体ブロックであることを特徴と
する請求項１記載の光ヘッド。
前記帯域制限手段は、前記前置増幅器と、前記信号検出
手段または前記レーザ出力検出手段を接続する信号線を
覆う様に設置された磁性体ブロックであることを特徴と
する請求項１記載の光ヘッド。
【００２７】（１２）第１項記載の光ヘッドにおいて、
前記帯域制限手段は、前記前置増幅器と前記信号検出手
段または前記レーザ出力検出手段を接続する信号線に塗
布された磁性体であることを特徴とする。
前記帯域制限手段は、前記前置増幅器と前記信号検出手
段または前記レーザ出力検出手段を接続する信号線に塗
布された磁性体であることを特徴とする。
【００２８】（１３）第１項記載の光ヘッドにおいて、
前記帯域制限手段は、前記前置増幅器と前記信号検出手
段または前記レーザ出力検出手段を接続する基板上の配
線パターンに特定の形状を施し、周波数特性をもたせた
ものであることを特徴とする。
前記帯域制限手段は、前記前置増幅器と前記信号検出手
段または前記レーザ出力検出手段を接続する基板上の配
線パターンに特定の形状を施し、周波数特性をもたせた
ものであることを特徴とする。
【００２９】（１４）レーザチップと、光記録媒体から
の反射光を検出する信号検出手段またはレーザチップか
ら出射するレーザ光の光量を監視するレーザ出力検出手
段またはその両方と、前記信号検出手段または前記レー
ザ出力検出手段またはその両方の出力を増幅する前置増
幅器と、レーザダイオード駆動電流に高周波を重畳し、
レーザ光の可干渉性を低下させることによりレーザ雑音
を低減させるレーザ雑音低減手段から成る光源ユニット
において、前記レーザチップと、前記信号検出手段また
は前記レーザ出力検出手段またはその両方が同一基板上
に構成されており、かつ少なくとも１つの前記各検出手
段と前置増幅器の間に帯域制限手段が挿入されており、
さらに前記帯域制限手段の通過帯域の上限のカットオフ
周波数は、前記レーザ雑音低減手段の発振周波数より充
分低く設定されていて、前記レーザ雑音低減手段から漏
洩する高周波を前記前置増幅器の許容入力レベルより小
さいレベルまで低減する特性を有することを特徴とす
る。
の反射光を検出する信号検出手段またはレーザチップか
ら出射するレーザ光の光量を監視するレーザ出力検出手
段またはその両方と、前記信号検出手段または前記レー
ザ出力検出手段またはその両方の出力を増幅する前置増
幅器と、レーザダイオード駆動電流に高周波を重畳し、
レーザ光の可干渉性を低下させることによりレーザ雑音
を低減させるレーザ雑音低減手段から成る光源ユニット
において、前記レーザチップと、前記信号検出手段また
は前記レーザ出力検出手段またはその両方が同一基板上
に構成されており、かつ少なくとも１つの前記各検出手
段と前置増幅器の間に帯域制限手段が挿入されており、
さらに前記帯域制限手段の通過帯域の上限のカットオフ
周波数は、前記レーザ雑音低減手段の発振周波数より充
分低く設定されていて、前記レーザ雑音低減手段から漏
洩する高周波を前記前置増幅器の許容入力レベルより小
さいレベルまで低減する特性を有することを特徴とす
る。
【００３０】（１５）レーザチップと、光記録媒体から
の反射光を検出する信号検出手段と、レーザチップから
出射するレーザ光の光量を監視するレーザ出力検出手段
と、前記信号検出手段及び前記レーザ出力検出手段の出
力を増幅する前置増幅器と、レーザダイオード駆動電流
に高周波を重畳し、レーザ光の可干渉性を低下させるこ
とによりレーザ雑音を低減させるレーザ雑音低減手段か
ら成る光源ユニットにおいて、前記レーザチップと、前
記信号検出手段と、前記レーザ出力検出手段が同一シリ
コンウエハ上に構成された光半導体素子を具備し、かつ
前記各検出手段と前置増幅器の間に各１個のコイル部品
が挿入されており、さらに前記コイル部品は、前記レー
ザ雑音低減手段から漏洩する高周波を前記前置増幅器の
許容入力レベルより小さいレベルまで低減する特性を有
することを特徴とする。
の反射光を検出する信号検出手段と、レーザチップから
出射するレーザ光の光量を監視するレーザ出力検出手段
と、前記信号検出手段及び前記レーザ出力検出手段の出
力を増幅する前置増幅器と、レーザダイオード駆動電流
に高周波を重畳し、レーザ光の可干渉性を低下させるこ
とによりレーザ雑音を低減させるレーザ雑音低減手段か
ら成る光源ユニットにおいて、前記レーザチップと、前
記信号検出手段と、前記レーザ出力検出手段が同一シリ
コンウエハ上に構成された光半導体素子を具備し、かつ
前記各検出手段と前置増幅器の間に各１個のコイル部品
が挿入されており、さらに前記コイル部品は、前記レー
ザ雑音低減手段から漏洩する高周波を前記前置増幅器の
許容入力レベルより小さいレベルまで低減する特性を有
することを特徴とする。
【００３１】また、本発明の光半導体素子は、 （１６）レーザチップと、光記録媒体からの反射光を検
出する信号検出手段またはレーザチップから出射するレ
ーザ光の光量を監視するレーザ出力検出手段またはその
両方と、前記信号検出手段または前記レーザ出力検出手
段またはその両方の出力を増幅する前置増幅器と、レー
ザダイオード駆動電流に高周波を重畳し、レーザ光の可
干渉性を低下させることによりレーザ雑音を低減させる
レーザ雑音低減手段から成る光源ユニットにおいて、前
記レーザチップと、前記信号検出手段または前記レーザ
出力検出手段またはその両方が同一基板上に構成されて
おり、かつ少なくとも１つの前記各検出手段と出力端子
の間に帯域制限手段が挿入されており、さらに前記帯域
制限手段の通過帯域の上限のカットオフ周波数は、前記
レーザ雑音低減手段の発振周波数より充分低く設定され
ていることを特徴とする。
出する信号検出手段またはレーザチップから出射するレ
ーザ光の光量を監視するレーザ出力検出手段またはその
両方と、前記信号検出手段または前記レーザ出力検出手
段またはその両方の出力を増幅する前置増幅器と、レー
ザダイオード駆動電流に高周波を重畳し、レーザ光の可
干渉性を低下させることによりレーザ雑音を低減させる
レーザ雑音低減手段から成る光源ユニットにおいて、前
記レーザチップと、前記信号検出手段または前記レーザ
出力検出手段またはその両方が同一基板上に構成されて
おり、かつ少なくとも１つの前記各検出手段と出力端子
の間に帯域制限手段が挿入されており、さらに前記帯域
制限手段の通過帯域の上限のカットオフ周波数は、前記
レーザ雑音低減手段の発振周波数より充分低く設定され
ていることを特徴とする。
【００３２】（１７）第１６項記載の光半導体素子にお
いて、前記信号検出手段と前記前置増幅器との間に帯域
制限手段が挿入されており、さらに前記帯域制限手段の
通過帯域の上限のカットオフ周波数は、信号帯域より充
分高く、かつ前記レーザ雑音低減手段の発振周波数より
充分低く設定されていることを特徴とする。
いて、前記信号検出手段と前記前置増幅器との間に帯域
制限手段が挿入されており、さらに前記帯域制限手段の
通過帯域の上限のカットオフ周波数は、信号帯域より充
分高く、かつ前記レーザ雑音低減手段の発振周波数より
充分低く設定されていることを特徴とする。
【００３３】（１８）第１７項記載の光半導体素子にお
いて、前記帯域制限手段は、前記レーザ雑音低減手段か
ら漏洩する高周波を前記前置増幅器の許容入力レベルよ
り小さいレベルまで低減する特性を有することを特徴と
する。
いて、前記帯域制限手段は、前記レーザ雑音低減手段か
ら漏洩する高周波を前記前置増幅器の許容入力レベルよ
り小さいレベルまで低減する特性を有することを特徴と
する。
【００３４】（１９）第１６項記載の光半導体素子にお
いて、前記レーザ出力検出手段と前記前置増幅器との間
に帯域制限手段が挿入されており、さらに前記帯域制限
手段の通過帯域の上限のカットオフ周波数は、前記レー
ザ出力を制御する帯域より充分高く、かつ前記レーザ雑
音低減手段の発振周波数より充分低く設定されているこ
とを特徴とする。
いて、前記レーザ出力検出手段と前記前置増幅器との間
に帯域制限手段が挿入されており、さらに前記帯域制限
手段の通過帯域の上限のカットオフ周波数は、前記レー
ザ出力を制御する帯域より充分高く、かつ前記レーザ雑
音低減手段の発振周波数より充分低く設定されているこ
とを特徴とする。
【００３５】（２０）第１９項記載の光半導体素子にお
いて、前記帯域制限手段は、前記レーザ雑音低減手段か
ら漏洩する高周波を前記前置増幅器の許容入力レベルよ
り小さいレベルまで低減する特性を有することを特徴と
する。
いて、前記帯域制限手段は、前記レーザ雑音低減手段か
ら漏洩する高周波を前記前置増幅器の許容入力レベルよ
り小さいレベルまで低減する特性を有することを特徴と
する。
【００３６】（２１）第１６項記載の光半導体素子にお
いて、前記信号検出手段または前記レーザ出力検出手段
またはその両方に供給されるバイアス電源と前記前置増
幅器との間に帯域制限手段が挿入されており、さらに前
記帯域制限手段の通過帯域の上限のカットオフ周波数
は、前記レーザ雑音低減手段の発振周波数より充分低く
設定されていることを特徴とする。
いて、前記信号検出手段または前記レーザ出力検出手段
またはその両方に供給されるバイアス電源と前記前置増
幅器との間に帯域制限手段が挿入されており、さらに前
記帯域制限手段の通過帯域の上限のカットオフ周波数
は、前記レーザ雑音低減手段の発振周波数より充分低く
設定されていることを特徴とする。
【００３７】（２２）第２１項記載の光半導体素子にお
いて、前記帯域制限手段は、前記レーザ雑音低減手段か
ら漏洩する高周波を前記前置増幅器の許容入力レベルよ
り小さいレベルまで低減する特性を有することを特徴と
する。
いて、前記帯域制限手段は、前記レーザ雑音低減手段か
ら漏洩する高周波を前記前置増幅器の許容入力レベルよ
り小さいレベルまで低減する特性を有することを特徴と
する。
【００３８】（２３）第１６項記載の光半導体素子にお
いて、前記信号検出手段または前記レーザ出力検出手段
またはその両方の接地端子と前記前置増幅器の接地端子
との間に帯域制限手段が挿入されており、さらに前記帯
域制限手段の通過帯域の上限のカットオフ周波数は、前
記レーザ雑音低減手段の発振周波数より充分低く設定さ
れていることを特徴とする。
いて、前記信号検出手段または前記レーザ出力検出手段
またはその両方の接地端子と前記前置増幅器の接地端子
との間に帯域制限手段が挿入されており、さらに前記帯
域制限手段の通過帯域の上限のカットオフ周波数は、前
記レーザ雑音低減手段の発振周波数より充分低く設定さ
れていることを特徴とする。
【００３９】（２４）第２３項記載の光半導体素子にお
いて、前記帯域制限手段は、前記レーザ雑音低減手段か
ら漏洩する高周波を前記前置増幅器の許容入力レベルよ
り小さいレベルまで低減する特性を有することを特徴と
する。
いて、前記帯域制限手段は、前記レーザ雑音低減手段か
ら漏洩する高周波を前記前置増幅器の許容入力レベルよ
り小さいレベルまで低減する特性を有することを特徴と
する。
【００４０】（２５）第１６項記載の光半導体素子にお
いて、前記帯域制限手段は、前記前置増幅器と、前記信
号検出手段または前記レーザ出力検出手段との間に挿入
されたコイル部品であることを特徴とする。
いて、前記帯域制限手段は、前記前置増幅器と、前記信
号検出手段または前記レーザ出力検出手段との間に挿入
されたコイル部品であることを特徴とする。
【００４１】（２６）第１６項記載の光半導体素子にお
いて、前記帯域制限手段は、前記前置増幅器と、前記信
号検出手段または前記レーザ出力検出手段を接続する信
号線を覆う様に設置された磁性体ブロックであることを
特徴とする。
いて、前記帯域制限手段は、前記前置増幅器と、前記信
号検出手段または前記レーザ出力検出手段を接続する信
号線を覆う様に設置された磁性体ブロックであることを
特徴とする。
【００４２】（２７）第１６項記載の光半導体素子にお
いて、前記帯域制限手段は、前記前置増幅器と前記信号
検出手段または前記レーザ出力検出手段を接続する信号
線に塗布された磁性体であることを特徴とする。
いて、前記帯域制限手段は、前記前置増幅器と前記信号
検出手段または前記レーザ出力検出手段を接続する信号
線に塗布された磁性体であることを特徴とする。
【００４３】（２８）第１６項記載の光半導体素子にお
いて、前記帯域制限手段は、前記前置増幅器と前記信号
検出手段または前記レーザ出力検出手段を接続する基板
上の配線パターンに特定の形状を施し、周波数特性をも
たせたものであることを特徴とする。
いて、前記帯域制限手段は、前記前置増幅器と前記信号
検出手段または前記レーザ出力検出手段を接続する基板
上の配線パターンに特定の形状を施し、周波数特性をも
たせたものであることを特徴とする。
【００４４】また、本発明の光学式情報記録再生装置
は、 （２９）第１項記載の光ヘッドを光源に用いたことを特
徴とする。
は、 （２９）第１項記載の光ヘッドを光源に用いたことを特
徴とする。
【００４５】（３０）第１５項記載の光ヘッドを光源に
用いたことを特徴とする。
用いたことを特徴とする。
【００４６】（３１）第１６項記載の光半導体素子を光
源に用いたことを特徴とする。
源に用いたことを特徴とする。
【００４７】
（実施例１）以下に、本発明の実施例を図面に基づいて
説明する。尚、図面上で内容の同じものについは同じ番
号で示してある。以下、図に従って本発明の光ヘッドの
作用を説明する。
説明する。尚、図面上で内容の同じものについは同じ番
号で示してある。以下、図に従って本発明の光ヘッドの
作用を説明する。
【００４８】図１は、本発明の一実施例に於ける光ヘッ
ドの構造を示す説明図である。光ヘッドは、レンズホル
ダ１、前記レンズホルダ１を弾性的に支持し、自由に位
置を変化せしめる支持ばね３、前記支持ばね３の固定端
であって前記レンズホルダ１を間接的に支持する支柱
２、前記レンズホルダ１の周辺に磁界を発生し、焦点位
置制御を行う磁石４、高周波発振器であって、レーザダ
イオード駆動電流に高周波を重畳し、レーザ光の可干渉
性を低下させることによりレーザ雑音を低減させるレー
ザ雑音低減手段５、前記レーザ雑音低減手段５から発生
する高周波を光ヘッド外部に漏洩させることなく光ヘッ
ド内部の回路と光ヘッド外部の回路を接続する貫通コン
デンサ６、前置増幅器１３、ローパスフィルタ９、前記
前置増幅器１３及び前記ローパスフィルタ９を搭載した
基板８、前記前置増幅器と前記レンズホルダ１内部を接
続する線１０、前記レーザ雑音低減手段５と前記レンズ
ホルダ１内部を接続する線１１、前記レーザ雑音低減手
段５と前記貫通コンデンサ６を接続する線１２、光ヘッ
ド全体を磁性導電材で包み込み、電気的且つ磁気的に光
ヘッド外部と光ヘッド内部を遮断するシールドケース
７、前記シールドケース７にあけられた開口部であって
前記シールドケース７からレーザ光を取り出すと同時に
記録媒体からの反射光を前記レンズホルダ１に導く出射
窓１６、前記レンズホルダ１内部で発せられるレーザ光
の焦点を前記記録媒体上に結ぶための対物レンズ１５、
前記前置増幅器の出力を光ヘッド外部に取り出すための
出力線１４、前記出力線を前記シールドケース７から引
き出すためのスリット１９より構成される。また、図に
は示されていないが、前記レンズホルダ１の側面にはフ
ォーカシングコイル及びトラッキングコイルが取付けら
れている。前記磁石４及び前記フォーカシングコイル及
びトラッキングコイル及び前記支持ばね３の働きによ
り、前記記録媒体上の目的の位置に前記レーザ光の焦点
が結ばれる様に前記レンズホルダ１の位置が制御され
る。
ドの構造を示す説明図である。光ヘッドは、レンズホル
ダ１、前記レンズホルダ１を弾性的に支持し、自由に位
置を変化せしめる支持ばね３、前記支持ばね３の固定端
であって前記レンズホルダ１を間接的に支持する支柱
２、前記レンズホルダ１の周辺に磁界を発生し、焦点位
置制御を行う磁石４、高周波発振器であって、レーザダ
イオード駆動電流に高周波を重畳し、レーザ光の可干渉
性を低下させることによりレーザ雑音を低減させるレー
ザ雑音低減手段５、前記レーザ雑音低減手段５から発生
する高周波を光ヘッド外部に漏洩させることなく光ヘッ
ド内部の回路と光ヘッド外部の回路を接続する貫通コン
デンサ６、前置増幅器１３、ローパスフィルタ９、前記
前置増幅器１３及び前記ローパスフィルタ９を搭載した
基板８、前記前置増幅器と前記レンズホルダ１内部を接
続する線１０、前記レーザ雑音低減手段５と前記レンズ
ホルダ１内部を接続する線１１、前記レーザ雑音低減手
段５と前記貫通コンデンサ６を接続する線１２、光ヘッ
ド全体を磁性導電材で包み込み、電気的且つ磁気的に光
ヘッド外部と光ヘッド内部を遮断するシールドケース
７、前記シールドケース７にあけられた開口部であって
前記シールドケース７からレーザ光を取り出すと同時に
記録媒体からの反射光を前記レンズホルダ１に導く出射
窓１６、前記レンズホルダ１内部で発せられるレーザ光
の焦点を前記記録媒体上に結ぶための対物レンズ１５、
前記前置増幅器の出力を光ヘッド外部に取り出すための
出力線１４、前記出力線を前記シールドケース７から引
き出すためのスリット１９より構成される。また、図に
は示されていないが、前記レンズホルダ１の側面にはフ
ォーカシングコイル及びトラッキングコイルが取付けら
れている。前記磁石４及び前記フォーカシングコイル及
びトラッキングコイル及び前記支持ばね３の働きによ
り、前記記録媒体上の目的の位置に前記レーザ光の焦点
が結ばれる様に前記レンズホルダ１の位置が制御され
る。
【００４９】後で図２に示す様に、前記レンズホルダ１
内部には、レーザチップ、光記録媒体からの反射光を検
出する信号検出手段、前記レーザチップからのレーザ光
の出射光量を監視するレーザ出力検出手段等を複合した
光半導体素子が含まれている。前記光半導体素子から発
せられたレーザ光は、前述の様に前記シールドケース７
の前記出射窓を通って光ヘッド外部の記録媒体上に焦点
を結び、その反射光は再び前記出射窓を通って前記レン
ズホルダ１内部の前記信号検出手段に入射する。前記信
号検出手段の出力は、前記前置増幅器とレンズホルダ１
内部を接続する線１０により、前記前置増幅器１３に接
続される。前記前置増幅器１３は、前記信号検出手段か
らの電流出力を電圧に変換すると共に、必要があればさ
らに複数の前記信号検出手段の出力を演算して光ヘッド
外部に送り出す。
内部には、レーザチップ、光記録媒体からの反射光を検
出する信号検出手段、前記レーザチップからのレーザ光
の出射光量を監視するレーザ出力検出手段等を複合した
光半導体素子が含まれている。前記光半導体素子から発
せられたレーザ光は、前述の様に前記シールドケース７
の前記出射窓を通って光ヘッド外部の記録媒体上に焦点
を結び、その反射光は再び前記出射窓を通って前記レン
ズホルダ１内部の前記信号検出手段に入射する。前記信
号検出手段の出力は、前記前置増幅器とレンズホルダ１
内部を接続する線１０により、前記前置増幅器１３に接
続される。前記前置増幅器１３は、前記信号検出手段か
らの電流出力を電圧に変換すると共に、必要があればさ
らに複数の前記信号検出手段の出力を演算して光ヘッド
外部に送り出す。
【００５０】前記前置増幅器１３の入力部には本発明に
かかるローパスフィルタ９が取り付けられている。図中
では、前記ローパスフィルタ９は小型のコイル部品を用
いている。ここで、前記ローパスフィルタ９のカットオ
フ周波数は、前記信号検出手段の信号帯域より充分高
く、かつ前記レーザ雑音低減手段の発振周波数より充分
低く設定されている。これにより前記ローパスフィルタ
は、前記レーザ雑音低減手段の発振周波数において、信
号帯域に対して１０ｄＢ以上の減衰率を有する。前記信
号検出手段の出力には、前記レーザ雑音低減手段５から
発生する不要な高周波成分が含まれている。しかし、本
実施例においては、前記高周波成分のほとんどは前記ロ
ーパスフィルタ９の働きで除去され、前記前置増幅器に
入力されることはない。一方、前記信号検出手段の本来
の出力は、前記ローパスフィルタ９を損失なく通過し、
前記前置増幅器１３に達することができるため、前記ロ
ーパスフィルタ９を搭載していなかった従来の光ヘッド
の性能を損なう事はない。この働きにより、レーザ雑音
低減手段をＯＮした場合に前記信号検出手段の前記前置
増幅器出力がドリフトし、光ヘッドの正しい制御が阻害
されるという従来の光ヘッドでの問題点を改善すること
ができる。尚、前記ローパスフィルタ９の動作について
は後で詳しく説明する。
かかるローパスフィルタ９が取り付けられている。図中
では、前記ローパスフィルタ９は小型のコイル部品を用
いている。ここで、前記ローパスフィルタ９のカットオ
フ周波数は、前記信号検出手段の信号帯域より充分高
く、かつ前記レーザ雑音低減手段の発振周波数より充分
低く設定されている。これにより前記ローパスフィルタ
は、前記レーザ雑音低減手段の発振周波数において、信
号帯域に対して１０ｄＢ以上の減衰率を有する。前記信
号検出手段の出力には、前記レーザ雑音低減手段５から
発生する不要な高周波成分が含まれている。しかし、本
実施例においては、前記高周波成分のほとんどは前記ロ
ーパスフィルタ９の働きで除去され、前記前置増幅器に
入力されることはない。一方、前記信号検出手段の本来
の出力は、前記ローパスフィルタ９を損失なく通過し、
前記前置増幅器１３に達することができるため、前記ロ
ーパスフィルタ９を搭載していなかった従来の光ヘッド
の性能を損なう事はない。この働きにより、レーザ雑音
低減手段をＯＮした場合に前記信号検出手段の前記前置
増幅器出力がドリフトし、光ヘッドの正しい制御が阻害
されるという従来の光ヘッドでの問題点を改善すること
ができる。尚、前記ローパスフィルタ９の動作について
は後で詳しく説明する。
【００５１】図２は、図１の実施例に於けるレンズホル
ダ１の構造を示す説明図である。また、図３は、図２に
おける前記レーザユニット１２の詳細を示す説明図であ
る。以下に、図２及び図３を用いて、本実施例における
前記レンズホルダ１及び前記光半導体素子２２の動作を
説明する。尚、図２は図２８と同一のものであり、図３
は図２９と同一のものである。
ダ１の構造を示す説明図である。また、図３は、図２に
おける前記レーザユニット１２の詳細を示す説明図であ
る。以下に、図２及び図３を用いて、本実施例における
前記レンズホルダ１及び前記光半導体素子２２の動作を
説明する。尚、図２は図２８と同一のものであり、図３
は図２９と同一のものである。
【００５２】前記レンズホルダ１は、光半導体素子２
２、回折手段２１、対物レンズ１５、はね上げミラー２
０、フォーカシングコイル１７、トラッキングコイル１
８より成る。また、前記光半導体素子２２は、レーザチ
ップ２３、反射面２４、記録媒体からの反射光から記録
情報や位置誤差信号を再生する信号検出手段及び前記レ
ーザチップ２３からの出射光量を検出するためのレーザ
出力検出手段２６を一体化して同一基板上に構成したウ
エハ２７、偏光板２８、前記レーザチップ２３及び前記
ウエハ２７を外部回路と接続するためのリード端子２９
より成る。前記レーザチップ２３より前記ウエハ２７の
面と平行な方向に出射されたレーザ光は、前記反射面２
４で９０゜進行方向を変えられ、前記ウエハ２７の法線
方向に放射される。その後前記レーザ光は、回折手段２
１を通過し、はね上げミラー２４によりさらに前記対物
レンズ１５の光軸方向に進行方向を変えられる。そし
て、前記対物レンズ１５に入射し、記録媒体上に焦点を
結ぶ。
２、回折手段２１、対物レンズ１５、はね上げミラー２
０、フォーカシングコイル１７、トラッキングコイル１
８より成る。また、前記光半導体素子２２は、レーザチ
ップ２３、反射面２４、記録媒体からの反射光から記録
情報や位置誤差信号を再生する信号検出手段及び前記レ
ーザチップ２３からの出射光量を検出するためのレーザ
出力検出手段２６を一体化して同一基板上に構成したウ
エハ２７、偏光板２８、前記レーザチップ２３及び前記
ウエハ２７を外部回路と接続するためのリード端子２９
より成る。前記レーザチップ２３より前記ウエハ２７の
面と平行な方向に出射されたレーザ光は、前記反射面２
４で９０゜進行方向を変えられ、前記ウエハ２７の法線
方向に放射される。その後前記レーザ光は、回折手段２
１を通過し、はね上げミラー２４によりさらに前記対物
レンズ１５の光軸方向に進行方向を変えられる。そし
て、前記対物レンズ１５に入射し、記録媒体上に焦点を
結ぶ。
【００５３】一方、記録媒体からの反射光は、前記対物
レンズ１５を通過後、はね上げミラー２０により前記回
折手段２１に導かれる。さらに、前記回折手段２１の働
きで、前記反射光は前記光半導体素子２２内部の前記信
号検出手段２５上に非点収差をもって集光される。前記
信号検出手段では、光エネルギーが電流に変換される。
最終的に、必要に応じて前記信号検出手段の出力を電気
的に演算することによって、フォーカスエラー信号及び
トラックエラー信号及び記録情報信号を生成することが
できる。
レンズ１５を通過後、はね上げミラー２０により前記回
折手段２１に導かれる。さらに、前記回折手段２１の働
きで、前記反射光は前記光半導体素子２２内部の前記信
号検出手段２５上に非点収差をもって集光される。前記
信号検出手段では、光エネルギーが電流に変換される。
最終的に、必要に応じて前記信号検出手段の出力を電気
的に演算することによって、フォーカスエラー信号及び
トラックエラー信号及び記録情報信号を生成することが
できる。
【００５４】また、図には示されていないが、前記光半
導体素子２２は、出射方向において透明封止部材で封止
されている。前記レーザチップ２３から放射されたレー
ザ光は、前記回折手段２１に達する前に前記透明封止部
材を通過しなければならない。その際、レーザ光の一部
がウエハ２７上に反射され、前記レーザ出力検出手段２
６ に入射する。前記レーザ出力検出手段に入射する光
量は、前記レーザチップ２３から放射される光量に比例
するため、前記レーザ出力検出手段２６の出力から前記
レーザチップ２３の出射光量をモニタすることができ
る。
導体素子２２は、出射方向において透明封止部材で封止
されている。前記レーザチップ２３から放射されたレー
ザ光は、前記回折手段２１に達する前に前記透明封止部
材を通過しなければならない。その際、レーザ光の一部
がウエハ２７上に反射され、前記レーザ出力検出手段２
６ に入射する。前記レーザ出力検出手段に入射する光
量は、前記レーザチップ２３から放射される光量に比例
するため、前記レーザ出力検出手段２６の出力から前記
レーザチップ２３の出射光量をモニタすることができ
る。
【００５５】前記レンズホルダ１の側面には、フォーカ
ス方向に前記レンズホルダ１を動かすためのフォーカシ
ングコイル１７及びトラック方向に前記レンズホルダ１
を動かすためのトラッキングコイル１８が取り付けてあ
る。前記レンズホルダ１を磁界中に置けば、前記フォー
カシングコイル１７及び前記トラッキングコイル１８に
駆動電流を流すことにより、前記レンズホルダ１の位置
を変化せしめることができる。即ち、記録媒体より情報
を検出する検出スポットのフォーカス位置制御及びトラ
ック位置制御を行う事ができる。これにより、光ヘッド
は、記録媒体上に常に最適なレーザ光のスポットを形成
し、またある時は前記スポットを記録媒体上の目的位置
に移動する機能を有する。
ス方向に前記レンズホルダ１を動かすためのフォーカシ
ングコイル１７及びトラック方向に前記レンズホルダ１
を動かすためのトラッキングコイル１８が取り付けてあ
る。前記レンズホルダ１を磁界中に置けば、前記フォー
カシングコイル１７及び前記トラッキングコイル１８に
駆動電流を流すことにより、前記レンズホルダ１の位置
を変化せしめることができる。即ち、記録媒体より情報
を検出する検出スポットのフォーカス位置制御及びトラ
ック位置制御を行う事ができる。これにより、光ヘッド
は、記録媒体上に常に最適なレーザ光のスポットを形成
し、またある時は前記スポットを記録媒体上の目的位置
に移動する機能を有する。
【００５６】図４は、本実施例にかかる光ヘッドの構成
を示すブロック図である。以下、光ヘッドの電気的な動
作について図に従って説明する。まず、貫通コンデンサ
６を通してレーザダイオード駆動電流３０が供給され
る。これは直流電流であるが、さらにレーザ雑音低減手
段５の出力である高周波電流が重畳されて、レーザチッ
プ２３に供給される。前記レーザチップ２３の光出力
は、大部分が記録媒体上に導かれるが、一部は直接レー
ザ出力検出手段２６に入射し、レーザ出力検出信号に変
換される。また、記録媒体からの反射光は、前記信号検
出手段に入射し、やはり電気信号に変換される。
を示すブロック図である。以下、光ヘッドの電気的な動
作について図に従って説明する。まず、貫通コンデンサ
６を通してレーザダイオード駆動電流３０が供給され
る。これは直流電流であるが、さらにレーザ雑音低減手
段５の出力である高周波電流が重畳されて、レーザチッ
プ２３に供給される。前記レーザチップ２３の光出力
は、大部分が記録媒体上に導かれるが、一部は直接レー
ザ出力検出手段２６に入射し、レーザ出力検出信号に変
換される。また、記録媒体からの反射光は、前記信号検
出手段に入射し、やはり電気信号に変換される。
【００５７】ところで、前記レーザチップ２３には、前
記レーザ雑音低減手段５の働きにより、大きなレベルの
高周波電流が流されている。ここで、光ヘッド内部で
は、前記レーザチップにレーザダイオード駆動電流を供
給する線、前記信号検出手段からの出力を取り出す線、
前記レーザ出力検出手段からの出力を取り出す線等は互
いに近接している。さらに、図３に示すような、レーザ
チップと信号検出手段またはレーザ出力検出手段を同一
基板上に一体化して構成した様な光半導体素子では、前
記レーザチップ及び前記信号検出手段及び前記レーザ出
力検出手段は近接していると同時に、ウエハ上で絶縁膜
を介して各検出手段のコモンに接している。また、同じ
くウエハ上での配線の都合から、レーザダイオード駆動
電流を供給する線、前記信号検出手段からの出力を取り
出す線、前記レーザ出力検出手段からの出力を取り出す
線等が絶縁膜を介して互いに交差する部分が生ずる。こ
のため、前記レーザチップ及び前記信号検出手段は容量
性あるいは誘導性で結合し、前記レーザチップに印加さ
れる高周波が前記信号検出手段に漏洩することは免れな
い。
記レーザ雑音低減手段５の働きにより、大きなレベルの
高周波電流が流されている。ここで、光ヘッド内部で
は、前記レーザチップにレーザダイオード駆動電流を供
給する線、前記信号検出手段からの出力を取り出す線、
前記レーザ出力検出手段からの出力を取り出す線等は互
いに近接している。さらに、図３に示すような、レーザ
チップと信号検出手段またはレーザ出力検出手段を同一
基板上に一体化して構成した様な光半導体素子では、前
記レーザチップ及び前記信号検出手段及び前記レーザ出
力検出手段は近接していると同時に、ウエハ上で絶縁膜
を介して各検出手段のコモンに接している。また、同じ
くウエハ上での配線の都合から、レーザダイオード駆動
電流を供給する線、前記信号検出手段からの出力を取り
出す線、前記レーザ出力検出手段からの出力を取り出す
線等が絶縁膜を介して互いに交差する部分が生ずる。こ
のため、前記レーザチップ及び前記信号検出手段は容量
性あるいは誘導性で結合し、前記レーザチップに印加さ
れる高周波が前記信号検出手段に漏洩することは免れな
い。
【００５８】前記高周波電流は、前記レーザチップにと
ってはレーザ雑音低減のために有用であるが、信号検出
手段やレーザ出力検出手段に漏洩した場合は雑音源とし
て寄与するため、数々の問題を引き起こす。即ち、レー
ザ雑音低減手段をＯＮした場合に光ヘッドの位置誤差信
号がドリフトし、光ヘッドの正しい制御が困難になって
しまうといった現象を招いてしまう。そこで、本実施例
では、ローパスフィルタ９を用いて前記高周波成分を除
去し、前記前置増幅器には前記信号検出手段の本来の出
力のみを入力する構成としている。
ってはレーザ雑音低減のために有用であるが、信号検出
手段やレーザ出力検出手段に漏洩した場合は雑音源とし
て寄与するため、数々の問題を引き起こす。即ち、レー
ザ雑音低減手段をＯＮした場合に光ヘッドの位置誤差信
号がドリフトし、光ヘッドの正しい制御が困難になって
しまうといった現象を招いてしまう。そこで、本実施例
では、ローパスフィルタ９を用いて前記高周波成分を除
去し、前記前置増幅器には前記信号検出手段の本来の出
力のみを入力する構成としている。
【００５９】図５は本発明にかかる光ヘッドの電気的回
路を具体的に表す説明図である。また、図６は、前記ロ
ーパスフィルタ９の周波数特性及びその効果を示す説明
図である。尚、本来前記信号検出手段２５及び前記ロー
パスフィルタ９及び前記前置増幅器１３よりなる一連の
回路は、光ヘッドの受光方式により複数系統存在する。
しかし、ここでは簡略のため、代表して１系統のみ示し
てある。以下、図５及び図６を用いて前記ローパスフィ
ルタ９の動作について詳しく説明する。
路を具体的に表す説明図である。また、図６は、前記ロ
ーパスフィルタ９の周波数特性及びその効果を示す説明
図である。尚、本来前記信号検出手段２５及び前記ロー
パスフィルタ９及び前記前置増幅器１３よりなる一連の
回路は、光ヘッドの受光方式により複数系統存在する。
しかし、ここでは簡略のため、代表して１系統のみ示し
てある。以下、図５及び図６を用いて前記ローパスフィ
ルタ９の動作について詳しく説明する。
【００６０】まず、発光系の回路は、前記レーザ雑音低
減手段５及び前記レーザチップ２３より構成される。前
記レーザ雑音低減手段５は、高周波発振器４３及びコイ
ル４１及びコンデンサ４２より成る。前記高周波発振器
４３から発生した高周波は、前記コンデンサ４２を通過
し、前記レーザチップ２３に供給される。レーザダイオ
ード駆動電流３３は外部より供給されるが、前記コイル
４１及び貫通コンデンサ６の働きにより、前記高周波は
光ヘッド外部には漏洩しないように回路が構成されてい
る。前記レーザチップ２３には前記高周波発振器４３の
出力と前記レーザダイオード駆動電流３３が重畳された
電流が流れることになる。次に、検出系の回路は、前記
信号検出手段２５または前記レーザ出力検出手段２６で
あるフォトダイオード３８、前記ローパスフィルタ９、
前記前置増幅器１３より構成される。前記フォトダイオ
ード３８はレーザ光の入射により光量に比例した電流を
出力する。前記電流は前記ローパスフィルタ９を通過
し、前記前置増幅器１３で電流−電圧変換される。ここ
で問題となるのは、前記レーザチップ２３及び前記フォ
トダイオード３８が図３で示したように同一ウエハ上に
存在するため、前記レーザチップ２３及びその接続線と
前記フォトダイオード３８及びその接続線が構造上互い
に容量結合してしまうことである。前記容量を、図中で
は浮遊容量Ｃ１（３４）、浮遊容量Ｃ２（３５）として
示してある。また、光ヘッド内部において各線が接近す
るため、誘導性の結合も存在する。その結果、前記レー
ザ雑音低減手段５の高周波が前記前置増幅器１３の入力
部に漏洩し、出力のドリフト等の原因となる。本実施例
では、前記ローパスフィルタ９を挿入することにより、
前記前置増幅器１３の入力部に漏洩する前記高周波を除
去している。
減手段５及び前記レーザチップ２３より構成される。前
記レーザ雑音低減手段５は、高周波発振器４３及びコイ
ル４１及びコンデンサ４２より成る。前記高周波発振器
４３から発生した高周波は、前記コンデンサ４２を通過
し、前記レーザチップ２３に供給される。レーザダイオ
ード駆動電流３３は外部より供給されるが、前記コイル
４１及び貫通コンデンサ６の働きにより、前記高周波は
光ヘッド外部には漏洩しないように回路が構成されてい
る。前記レーザチップ２３には前記高周波発振器４３の
出力と前記レーザダイオード駆動電流３３が重畳された
電流が流れることになる。次に、検出系の回路は、前記
信号検出手段２５または前記レーザ出力検出手段２６で
あるフォトダイオード３８、前記ローパスフィルタ９、
前記前置増幅器１３より構成される。前記フォトダイオ
ード３８はレーザ光の入射により光量に比例した電流を
出力する。前記電流は前記ローパスフィルタ９を通過
し、前記前置増幅器１３で電流−電圧変換される。ここ
で問題となるのは、前記レーザチップ２３及び前記フォ
トダイオード３８が図３で示したように同一ウエハ上に
存在するため、前記レーザチップ２３及びその接続線と
前記フォトダイオード３８及びその接続線が構造上互い
に容量結合してしまうことである。前記容量を、図中で
は浮遊容量Ｃ１（３４）、浮遊容量Ｃ２（３５）として
示してある。また、光ヘッド内部において各線が接近す
るため、誘導性の結合も存在する。その結果、前記レー
ザ雑音低減手段５の高周波が前記前置増幅器１３の入力
部に漏洩し、出力のドリフト等の原因となる。本実施例
では、前記ローパスフィルタ９を挿入することにより、
前記前置増幅器１３の入力部に漏洩する前記高周波を除
去している。
【００６１】前記ローパスフィルタ９の周波数特性を図
６（ａ）に示す。前述の通り、前記ローパスフィルタ９
のカットオフ周波数は、前記信号検出手段の信号帯域よ
り充分高く、かつ前記レーザ雑音低減手段の発振周波数
より充分低く設定されている。これにより前記ローパス
フィルタは、前記信号検出手段の出力に含まれる不要な
高周波成分に対しては大きな損失を持ち、前記信号検出
手段２５の出力に対しては、ほとんど損失を持たないと
いう特性を有する。この作用により、前記高周波成分の
ほとんどは前記ローパスフィルタ９で除去され、前記前
置増幅器に入力されることはない。一方、前記信号検出
手段の本来の出力は、前記ローパスフィルタ９を損失な
く通過し、前記前置増幅器１３に達することができる。
前記ローパスフィルタ９の挿入により、従来の光ヘッド
での問題となっていた、レーザ雑音低減手段を駆動した
場合に前記信号検出手段の前記前置増幅器出力がドリフ
トし、光ヘッドの正しい制御が阻害されるという現象を
改善することができる。
６（ａ）に示す。前述の通り、前記ローパスフィルタ９
のカットオフ周波数は、前記信号検出手段の信号帯域よ
り充分高く、かつ前記レーザ雑音低減手段の発振周波数
より充分低く設定されている。これにより前記ローパス
フィルタは、前記信号検出手段の出力に含まれる不要な
高周波成分に対しては大きな損失を持ち、前記信号検出
手段２５の出力に対しては、ほとんど損失を持たないと
いう特性を有する。この作用により、前記高周波成分の
ほとんどは前記ローパスフィルタ９で除去され、前記前
置増幅器に入力されることはない。一方、前記信号検出
手段の本来の出力は、前記ローパスフィルタ９を損失な
く通過し、前記前置増幅器１３に達することができる。
前記ローパスフィルタ９の挿入により、従来の光ヘッド
での問題となっていた、レーザ雑音低減手段を駆動した
場合に前記信号検出手段の前記前置増幅器出力がドリフ
トし、光ヘッドの正しい制御が阻害されるという現象を
改善することができる。
【００６２】この点について、図６（ｂ）及び図６
（ｃ）を用いて詳しく説明する。まず、図６（ｂ）に基
づいて、前記ローパスフィルタを用いない場合について
説明する。前記信号検出手段の出力には、前述の様に高
周波ノイズが漏洩している。そのレベルは、前記光半導
体素子の構造により大きく異なるが、例えば振幅１０
［μＡ］の高周波ノイズが含まれているとする（１）。
ここで、正確には図示した高周波ノイズは、入力信号電
流により変調され複雑な波形となるが、簡単のため前記
入力信号電流はｉｉ（一定）としている。一方、近年光
ヘッドの低電力化に伴い、前記前置増幅器として単電源
低電圧駆動増幅器がしばしば用いられる。一般に前記増
幅器の許容入力電流範囲は、中点電位に対して負方向は
広いが、正方向では非常に狭い。仮に正方向の許容入力
電流を７［μＡ］とし、前記許容入力電流を越えると急
峻に波形が歪むとすると、前記信号検出手段の出力は、
前記前置増幅器の初段部において正方向の波形がクリッ
プされた形となる（２）。前記レーザ雑音低減手段の発
振周波数は、前記前置増幅器後段部あるいはその後の検
出系回路の帯域より充分高いため、最終的には積分され
て直流成分となる。従来の技術の項でも説明した通り、
中点電位に対して正負対称であれば、積分後は正負の成
分が打ち消し合うので、結局直流成分は発生しない。し
かし、図の様な正負非対称波形の場合、正負の成分が打
ち消し合いきれず、積分後にクリップされた面積の時間
平均に相当する直流成分が発生する。その電流値は、前
記の条件では約０．４６［μＡ］となり、前記信号検出
手段の前記前置増幅器出力がドリフトすることになる
（３）。一方で、本実施例における前記信号検出手段の
出力電流の振幅は２［μＡ］程度であるので、前記ドリ
フト電流は必要な信号電流の２３％に達する。その結
果、前記信号検出手段より合成される光ヘッド位置検出
信号が誤った値となり、位置制御に支障をきたす。ま
た、本実施例における前記レーザ出力検出手段の出力電
流は３０［μＡ／ｍＷ］程度であり、０．３［ｍＷ］出
射時には前記ドリフト電流はその約５％に相当する。こ
れは無視できないレーザ出力の誤差をもたらす。
（ｃ）を用いて詳しく説明する。まず、図６（ｂ）に基
づいて、前記ローパスフィルタを用いない場合について
説明する。前記信号検出手段の出力には、前述の様に高
周波ノイズが漏洩している。そのレベルは、前記光半導
体素子の構造により大きく異なるが、例えば振幅１０
［μＡ］の高周波ノイズが含まれているとする（１）。
ここで、正確には図示した高周波ノイズは、入力信号電
流により変調され複雑な波形となるが、簡単のため前記
入力信号電流はｉｉ（一定）としている。一方、近年光
ヘッドの低電力化に伴い、前記前置増幅器として単電源
低電圧駆動増幅器がしばしば用いられる。一般に前記増
幅器の許容入力電流範囲は、中点電位に対して負方向は
広いが、正方向では非常に狭い。仮に正方向の許容入力
電流を７［μＡ］とし、前記許容入力電流を越えると急
峻に波形が歪むとすると、前記信号検出手段の出力は、
前記前置増幅器の初段部において正方向の波形がクリッ
プされた形となる（２）。前記レーザ雑音低減手段の発
振周波数は、前記前置増幅器後段部あるいはその後の検
出系回路の帯域より充分高いため、最終的には積分され
て直流成分となる。従来の技術の項でも説明した通り、
中点電位に対して正負対称であれば、積分後は正負の成
分が打ち消し合うので、結局直流成分は発生しない。し
かし、図の様な正負非対称波形の場合、正負の成分が打
ち消し合いきれず、積分後にクリップされた面積の時間
平均に相当する直流成分が発生する。その電流値は、前
記の条件では約０．４６［μＡ］となり、前記信号検出
手段の前記前置増幅器出力がドリフトすることになる
（３）。一方で、本実施例における前記信号検出手段の
出力電流の振幅は２［μＡ］程度であるので、前記ドリ
フト電流は必要な信号電流の２３％に達する。その結
果、前記信号検出手段より合成される光ヘッド位置検出
信号が誤った値となり、位置制御に支障をきたす。ま
た、本実施例における前記レーザ出力検出手段の出力電
流は３０［μＡ／ｍＷ］程度であり、０．３［ｍＷ］出
射時には前記ドリフト電流はその約５％に相当する。こ
れは無視できないレーザ出力の誤差をもたらす。
【００６３】次に、図６（ｃ）に基づいて、前記ローパ
スフィルタを用いた場合について説明する。前記信号検
出手段の出力に、前記と同様に振幅１０［μＡ］の高周
波ノイズが含まれているとする（１）。ここで、前記ロ
ーパスフィルタとして、前記前置増幅器の許容入力を越
えないレベルまで前記高周波ノイズを減衰させる特性を
有するものを、前記信号検出手段と前記前置増幅器の間
に挿入する。例えば、前記レーザ雑音低減手段の発振周
波数において、１５［ｄＢ］の損失を持つフィルタであ
れば、前記高周波ノイズを約１．８［μＡ］にまで抑え
る事ができる。前記前置増幅器の許容入力電流が同じ７
［μＡ］とすれば、前記高周波ノイズの波形は歪むこと
はない（２）。即ち、その後検出系の回路で積分されて
も、中点電位に対して正負対称であるので、正負の成分
が打ち消し合い、直流成分は発生しない。以上の様にし
て、適切なローパスフィルタを前記信号検出手段と前記
前置増幅器の間に挿入することにより、前記レーザ雑音
低減手段駆動時の出力ドリフトを防止する事ができる
（３）。
スフィルタを用いた場合について説明する。前記信号検
出手段の出力に、前記と同様に振幅１０［μＡ］の高周
波ノイズが含まれているとする（１）。ここで、前記ロ
ーパスフィルタとして、前記前置増幅器の許容入力を越
えないレベルまで前記高周波ノイズを減衰させる特性を
有するものを、前記信号検出手段と前記前置増幅器の間
に挿入する。例えば、前記レーザ雑音低減手段の発振周
波数において、１５［ｄＢ］の損失を持つフィルタであ
れば、前記高周波ノイズを約１．８［μＡ］にまで抑え
る事ができる。前記前置増幅器の許容入力電流が同じ７
［μＡ］とすれば、前記高周波ノイズの波形は歪むこと
はない（２）。即ち、その後検出系の回路で積分されて
も、中点電位に対して正負対称であるので、正負の成分
が打ち消し合い、直流成分は発生しない。以上の様にし
て、適切なローパスフィルタを前記信号検出手段と前記
前置増幅器の間に挿入することにより、前記レーザ雑音
低減手段駆動時の出力ドリフトを防止する事ができる
（３）。
【００６４】図７（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は具
体的な前記ローパスフィルタ９の実施例を示している。
図７（ａ）は、単一のコイル部品による１次のフィルタ
であり、簡略かつローコストな前記ローパスフィルタ９
を形成することができる。また、本実施例におけるよう
な小型光ヘッドにおいては、部品スペースをあまり必要
としないことは大きな利点である。図７（ｂ）は、各１
個のコイルとコンデンサから成る２次のフィルタであ
る。この場合、図７（ｂ）の実施例よりさらに減衰比が
大きいフィルタを形成することができる。図７（ｃ）
は、１個のコイルと２個のコンデンサから成る３次のフ
ィルタである。この場合、図７（ａ）の実施例よりさら
に急峻な特性のフィルタを形成することができる。図７
（ｄ）は、２個のコイルと１個のコンデンサから成る３
次のフィルタである。この場合、図７（ｃ）の実施例と
同等の急峻さを持つ特性のフィルタを形成することがで
きる一方、前記前置増幅器１３側からみたインピーダン
スが大きくなるので、アンプノイズの増大を招く恐れが
ない。
体的な前記ローパスフィルタ９の実施例を示している。
図７（ａ）は、単一のコイル部品による１次のフィルタ
であり、簡略かつローコストな前記ローパスフィルタ９
を形成することができる。また、本実施例におけるよう
な小型光ヘッドにおいては、部品スペースをあまり必要
としないことは大きな利点である。図７（ｂ）は、各１
個のコイルとコンデンサから成る２次のフィルタであ
る。この場合、図７（ｂ）の実施例よりさらに減衰比が
大きいフィルタを形成することができる。図７（ｃ）
は、１個のコイルと２個のコンデンサから成る３次のフ
ィルタである。この場合、図７（ａ）の実施例よりさら
に急峻な特性のフィルタを形成することができる。図７
（ｄ）は、２個のコイルと１個のコンデンサから成る３
次のフィルタである。この場合、図７（ｃ）の実施例と
同等の急峻さを持つ特性のフィルタを形成することがで
きる一方、前記前置増幅器１３側からみたインピーダン
スが大きくなるので、アンプノイズの増大を招く恐れが
ない。
【００６５】以上述べた様に、本実施例では前記レーザ
雑音低減手段５からの高周波の漏洩による前記の問題の
発生が防止されるため、前記光半導体素子の特性を生か
した小型で構造が簡略な光ヘッドの実現が可能になる。
また、レーザ雑音低減効果を充分に得るために比較的大
きな出力の前記レーザ雑音低減手段を光ヘッドに用いて
も、前記ドリフト量は非常に小さなものとなるため、従
来の性能を損なうことなく低雑音の光ヘッドを提供する
ことが出来る。
雑音低減手段５からの高周波の漏洩による前記の問題の
発生が防止されるため、前記光半導体素子の特性を生か
した小型で構造が簡略な光ヘッドの実現が可能になる。
また、レーザ雑音低減効果を充分に得るために比較的大
きな出力の前記レーザ雑音低減手段を光ヘッドに用いて
も、前記ドリフト量は非常に小さなものとなるため、従
来の性能を損なうことなく低雑音の光ヘッドを提供する
ことが出来る。
【００６６】（実施例２）図８は、本発明の一実施例に
於ける光ヘッドの構造を示す説明図である。本実施例の
光ヘッドは、レンズホルダ１、前記レンズホルダ１を弾
性的に支持し、自由に位置を変化せしめる支持ばね３、
前記支持ばね３の固定端であって前記レンズホルダ１を
間接的に支持する支柱２、前記レンズホルダ１の周辺に
磁界を発生し、焦点位置制御を行う磁石４、高周波発振
器であって、レーザダイオード駆動電流に高周波を重畳
し、レーザ光の可干渉性を低下させることによりレーザ
雑音を低減させるレーザ雑音低減手段５、前記レーザ雑
音低減手段５から発生する高周波を光ヘッド外部に漏洩
させることなく光ヘッド内部の回路と光ヘッド外部の回
路を接続する貫通コンデンサ６、前置増幅器１３、ロー
パスフィルタ９、前記前置増幅器１３及び前記ローパス
フィルタ９を搭載した基板８、前記前置増幅器と前記レ
ンズホルダ１内部を接続する線１０、前記レーザ雑音低
減手段５と前記レンズホルダ１内部を接続する線１１、
前記レーザ雑音低減手段５と前記貫通コンデンサ６を接
続する線１２、光ヘッド全体を磁性導電材で包み込み、
電気的且つ磁気的に光ヘッド外部と光ヘッド内部を遮断
するシールドケース７、前記シールドケース７にあけら
れた開口部であって前記シールドケース７からレーザ光
を取り出すと同時に記録媒体からの反射光を前記レンズ
ホルダ１に導く出射窓１６、前記レンズホルダ１内部で
発せられるレーザ光の焦点を前記記録媒体上に結ぶため
の対物レンズ１５、前記前置増幅器の出力を光ヘッド外
部に取り出すための出力線１４、前記出力線を前記シー
ルドケース７から引き出すためのスリット１９より構成
される。また、図には示されていないが、前記レンズホ
ルダ１の側面にはフォーカシングコイル及びトラッキン
グコイルが取付けられている。前記磁石４及び前記フォ
ーカシングコイル及びトラッキングコイル及び前記支持
ばね３の働きにより、前記記録媒体上の目的の位置に前
記レーザ光の焦点結ばれる様に前記レンズホルダ１の位
置が制御される。
於ける光ヘッドの構造を示す説明図である。本実施例の
光ヘッドは、レンズホルダ１、前記レンズホルダ１を弾
性的に支持し、自由に位置を変化せしめる支持ばね３、
前記支持ばね３の固定端であって前記レンズホルダ１を
間接的に支持する支柱２、前記レンズホルダ１の周辺に
磁界を発生し、焦点位置制御を行う磁石４、高周波発振
器であって、レーザダイオード駆動電流に高周波を重畳
し、レーザ光の可干渉性を低下させることによりレーザ
雑音を低減させるレーザ雑音低減手段５、前記レーザ雑
音低減手段５から発生する高周波を光ヘッド外部に漏洩
させることなく光ヘッド内部の回路と光ヘッド外部の回
路を接続する貫通コンデンサ６、前置増幅器１３、ロー
パスフィルタ９、前記前置増幅器１３及び前記ローパス
フィルタ９を搭載した基板８、前記前置増幅器と前記レ
ンズホルダ１内部を接続する線１０、前記レーザ雑音低
減手段５と前記レンズホルダ１内部を接続する線１１、
前記レーザ雑音低減手段５と前記貫通コンデンサ６を接
続する線１２、光ヘッド全体を磁性導電材で包み込み、
電気的且つ磁気的に光ヘッド外部と光ヘッド内部を遮断
するシールドケース７、前記シールドケース７にあけら
れた開口部であって前記シールドケース７からレーザ光
を取り出すと同時に記録媒体からの反射光を前記レンズ
ホルダ１に導く出射窓１６、前記レンズホルダ１内部で
発せられるレーザ光の焦点を前記記録媒体上に結ぶため
の対物レンズ１５、前記前置増幅器の出力を光ヘッド外
部に取り出すための出力線１４、前記出力線を前記シー
ルドケース７から引き出すためのスリット１９より構成
される。また、図には示されていないが、前記レンズホ
ルダ１の側面にはフォーカシングコイル及びトラッキン
グコイルが取付けられている。前記磁石４及び前記フォ
ーカシングコイル及びトラッキングコイル及び前記支持
ばね３の働きにより、前記記録媒体上の目的の位置に前
記レーザ光の焦点結ばれる様に前記レンズホルダ１の位
置が制御される。
【００６７】図８には示されていないが、前記レンズホ
ルダ１内部には、レーザチップ、光記録媒体からの反射
光を検出する信号検出手段、前記レーザチップからのレ
ーザ光の出射光量を監視するレーザ出力検出手段等を複
合した光半導体素子が含まれている。
ルダ１内部には、レーザチップ、光記録媒体からの反射
光を検出する信号検出手段、前記レーザチップからのレ
ーザ光の出射光量を監視するレーザ出力検出手段等を複
合した光半導体素子が含まれている。
【００６８】前記光半導体素子から発せられたレーザ光
の一部は、前記光半導体素子内部で反射して前記レーザ
出力検出手段２６に入射する。前記レーザ出力検出手段
２６の出力は、前記前置増幅器とレンズホルダ１内部を
接続する線１０により、前記前置増幅器１３に接続され
る。前記前置増幅器１３は、前記レーザ出力検出手段２
６からの電流出力を電圧に変換すると共に、必要があれ
ばさらに増幅して光ヘッド外部に送り出す。
の一部は、前記光半導体素子内部で反射して前記レーザ
出力検出手段２６に入射する。前記レーザ出力検出手段
２６の出力は、前記前置増幅器とレンズホルダ１内部を
接続する線１０により、前記前置増幅器１３に接続され
る。前記前置増幅器１３は、前記レーザ出力検出手段２
６からの電流出力を電圧に変換すると共に、必要があれ
ばさらに増幅して光ヘッド外部に送り出す。
【００６９】前記前置増幅器１３の入力部には本発明に
かかるローパスフィルタ９が取り付けられている。ここ
で、前記ローパスフィルタ９のカットオフ周波数は、レ
ーザ出力の制御帯域より充分高く、かつ前記レーザ雑音
低減手段の発振周波数より充分低く設定されている。前
記レーザ出力検出手段２６の出力には、前記レーザ雑音
低減手段５から発生する不要な高周波成分が含まれてい
る。しかし、本実施例においては、前記高周波成分のほ
とんどは前記ローパスフィルタ９の働きで除去され、前
記前置増幅器に入力されることはない。一方、前記レー
ザ出力検出手段２６の本来の出力は、前記ローパスフィ
ルタ９を損失なく通過し、前記前置増幅器１３に達する
ことができるため、前記ローパスフィルタ９を搭載して
いなかった従来の光ヘッドの性能を損なう事はない。
かかるローパスフィルタ９が取り付けられている。ここ
で、前記ローパスフィルタ９のカットオフ周波数は、レ
ーザ出力の制御帯域より充分高く、かつ前記レーザ雑音
低減手段の発振周波数より充分低く設定されている。前
記レーザ出力検出手段２６の出力には、前記レーザ雑音
低減手段５から発生する不要な高周波成分が含まれてい
る。しかし、本実施例においては、前記高周波成分のほ
とんどは前記ローパスフィルタ９の働きで除去され、前
記前置増幅器に入力されることはない。一方、前記レー
ザ出力検出手段２６の本来の出力は、前記ローパスフィ
ルタ９を損失なく通過し、前記前置増幅器１３に達する
ことができるため、前記ローパスフィルタ９を搭載して
いなかった従来の光ヘッドの性能を損なう事はない。
【００７０】この点について、再び図６（ｂ）及び図６
（ｃ）を用いて説明する。まず、図６（ｂ）に基づい
て、前記ローパスフィルタを用いない場合について説明
する。前記レーザ出力検出手段の出力には、前述の様に
高周波ノイズが漏洩している。そのレベルは、前記光半
導体素子の構造により大きく異なるが、例えば振幅１０
［μＡ］の高周波ノイズが含まれているとする（１）。
前記前置増幅器の正方向の許容入力電流を７［μＡ］と
し、前記許容入力電流を越えると急峻に波形が歪むとす
ると、前記レーザ出力検出手段の出力は、前記前置増幅
器の初段部において正方向の波形がクリップされた形と
なる（２）。前記レーザ雑音低減手段の発振周波数は、
前記前置増幅器後段部あるいはその後の検出系回路の帯
域より充分高いため、最終的には積分されて直流成分と
なる。前述の通り、中点電位に対して正負対称であれ
ば、直流成分は発生しないが、図の様な正負非対称波形
の場合、正負の成分が打ち消し合いきれず、積分後にク
リップされた面積の時間平均に相当する直流成分が発生
する。その電流値は、前記の条件では約０．４６［μ
Ａ］となり、前記レーザ出力検出手段の前記前置増幅器
出力がドリフトすることになる（３）。一方で、本実施
例における前記レーザ出力検出手段の出力電流は３０
［μＡ／ｍＷ］程度であり、０．３［ｍＷ］出射時には
前記ドリフト電流はその約５％に相当する。これは無視
できないレーザ出力の誤差をもたらす。
（ｃ）を用いて説明する。まず、図６（ｂ）に基づい
て、前記ローパスフィルタを用いない場合について説明
する。前記レーザ出力検出手段の出力には、前述の様に
高周波ノイズが漏洩している。そのレベルは、前記光半
導体素子の構造により大きく異なるが、例えば振幅１０
［μＡ］の高周波ノイズが含まれているとする（１）。
前記前置増幅器の正方向の許容入力電流を７［μＡ］と
し、前記許容入力電流を越えると急峻に波形が歪むとす
ると、前記レーザ出力検出手段の出力は、前記前置増幅
器の初段部において正方向の波形がクリップされた形と
なる（２）。前記レーザ雑音低減手段の発振周波数は、
前記前置増幅器後段部あるいはその後の検出系回路の帯
域より充分高いため、最終的には積分されて直流成分と
なる。前述の通り、中点電位に対して正負対称であれ
ば、直流成分は発生しないが、図の様な正負非対称波形
の場合、正負の成分が打ち消し合いきれず、積分後にク
リップされた面積の時間平均に相当する直流成分が発生
する。その電流値は、前記の条件では約０．４６［μ
Ａ］となり、前記レーザ出力検出手段の前記前置増幅器
出力がドリフトすることになる（３）。一方で、本実施
例における前記レーザ出力検出手段の出力電流は３０
［μＡ／ｍＷ］程度であり、０．３［ｍＷ］出射時には
前記ドリフト電流はその約５％に相当する。これは無視
できないレーザ出力の誤差をもたらす。
【００７１】次に、図６（ｃ）に基づいて、前記ローパ
スフィルタを用いた場合について説明する。前記レーザ
出力検出手段の出力に、前記と同様に振幅１０［μＡ］
の高周波ノイズが含まれているとする（１）。ここで、
前記ローパスフィルタとして、前記前置増幅器の許容入
力を越えないレベルまで、前記高周波ノイズを減衰させ
る特性を有するものを前記レーザ出力検出手段と前記前
置増幅器の間に挿入する。例えば、前記レーザ雑音低減
手段の発振周波数において、１５［ｄＢ］の損失を持つ
フィルタであれば、前記高周波ノイズを約１．８［μ
Ａ］にまで抑える事ができる。前記前置増幅器の許容入
力電流が同じ７［μＡ］とすれば、前記高周波ノイズの
波形は歪むことはない（２）。即ち、その後検出系の回
路で積分されても、中点電位に対して正負対称であるの
で、正負の成分が打ち消し合い、直流成分は発生しな
い。以上の様にして、適切なローパスフィルタを前記レ
ーザ出力検出手段と前記前置増幅器の間に挿入すること
により、前記レーザ雑音低減手段駆動時の出力ドリフト
を防止する事ができる（３）。
スフィルタを用いた場合について説明する。前記レーザ
出力検出手段の出力に、前記と同様に振幅１０［μＡ］
の高周波ノイズが含まれているとする（１）。ここで、
前記ローパスフィルタとして、前記前置増幅器の許容入
力を越えないレベルまで、前記高周波ノイズを減衰させ
る特性を有するものを前記レーザ出力検出手段と前記前
置増幅器の間に挿入する。例えば、前記レーザ雑音低減
手段の発振周波数において、１５［ｄＢ］の損失を持つ
フィルタであれば、前記高周波ノイズを約１．８［μ
Ａ］にまで抑える事ができる。前記前置増幅器の許容入
力電流が同じ７［μＡ］とすれば、前記高周波ノイズの
波形は歪むことはない（２）。即ち、その後検出系の回
路で積分されても、中点電位に対して正負対称であるの
で、正負の成分が打ち消し合い、直流成分は発生しな
い。以上の様にして、適切なローパスフィルタを前記レ
ーザ出力検出手段と前記前置増幅器の間に挿入すること
により、前記レーザ雑音低減手段駆動時の出力ドリフト
を防止する事ができる（３）。
【００７２】図９は、本実施例にかかる光ヘッドの構成
を示すブロック図である。前記レーザチップ２３の光出
力は、大部分が記録媒体上に導かれるが、一部は直接レ
ーザ出力検出手段２６に入射し、レーザ出力検出信号に
変換される。本実施例では、前記レーザ出力検出手段２
６と前記前置増幅器１３の間にローパスフィルタ９が挿
入されている。これにより、前記レーザ雑音低減手段５
から漏洩した前記高周波成分のほとんどが除去され、前
記前置増幅器には前記レーザ出力検出手段２６本来の出
力のみが入力される。従来の光ヘッドでの問題となって
いた、レーザ雑音低減手段を駆動した際に前記レーザ出
力検出手段２６の前記前置増幅器出力がドリフトし、レ
ーザ出力の正しい制御が阻害されるという現象を改善す
ることができる。
を示すブロック図である。前記レーザチップ２３の光出
力は、大部分が記録媒体上に導かれるが、一部は直接レ
ーザ出力検出手段２６に入射し、レーザ出力検出信号に
変換される。本実施例では、前記レーザ出力検出手段２
６と前記前置増幅器１３の間にローパスフィルタ９が挿
入されている。これにより、前記レーザ雑音低減手段５
から漏洩した前記高周波成分のほとんどが除去され、前
記前置増幅器には前記レーザ出力検出手段２６本来の出
力のみが入力される。従来の光ヘッドでの問題となって
いた、レーザ雑音低減手段を駆動した際に前記レーザ出
力検出手段２６の前記前置増幅器出力がドリフトし、レ
ーザ出力の正しい制御が阻害されるという現象を改善す
ることができる。
【００７３】以上述べた様に、本実施例では前記レーザ
雑音低減手段５からの高周波の漏洩による前記の問題の
発生が防止されるため、前記光半導体素子の特性を生か
した小型で構造が簡略な光ヘッドの実現が可能になる。
また、レーザ雑音低減効果を充分に得るために比較的大
きな出力の前記レーザ雑音低減手段を光ヘッドに用いて
も、前記ドリフト量は非常に小さなものとなるため、従
来の性能を損なうことなく低雑音の光ヘッドを提供する
ことが出来る。尚、他の動作及び構成については、図１
の実施例と同様であるので、詳しい説明は省略する。
雑音低減手段５からの高周波の漏洩による前記の問題の
発生が防止されるため、前記光半導体素子の特性を生か
した小型で構造が簡略な光ヘッドの実現が可能になる。
また、レーザ雑音低減効果を充分に得るために比較的大
きな出力の前記レーザ雑音低減手段を光ヘッドに用いて
も、前記ドリフト量は非常に小さなものとなるため、従
来の性能を損なうことなく低雑音の光ヘッドを提供する
ことが出来る。尚、他の動作及び構成については、図１
の実施例と同様であるので、詳しい説明は省略する。
【００７４】（実施例３）図１０は、本発明の一実施例
に於ける光ヘッドの構造を示す説明図である。本実施例
の光ヘッドは、レンズホルダ１、前記レンズホルダ１を
弾性的に支持し、自由に位置を変化せしめる支持ばね
３、前記支持ばね３の固定端であって前記レンズホルダ
１を間接的に支持する支柱２、前記レンズホルダ１の周
辺に磁界を発生し、焦点位置制御を行う磁石４、高周波
発振器であって、レーザダイオード駆動電流に高周波を
重畳し、レーザ光の可干渉性を低下させることによりレ
ーザ雑音を低減させるレーザ雑音低減手段５、前記レー
ザ雑音低減手段５から発生する高周波を光ヘッド外部に
漏洩させることなく光ヘッド内部の回路と光ヘッド外部
の回路を接続する貫通コンデンサ６、前置増幅器１３、
ローパスフィルタ９、前記前置増幅器１３及び前記ロー
パスフィルタ９を搭載した基板８、前記前置増幅器と前
記レンズホルダ１内部を接続する線１０、前記レーザ雑
音低減手段５と前記レンズホルダ１内部を接続する線１
１、前記レーザ雑音低減手段５と前記貫通コンデンサ６
を接続する線１２、光ヘッド全体を磁性導電材で包み込
み、電気的且つ磁気的に光ヘッド外部と光ヘッド内部を
遮断するシールドケース７、前記シールドケース７にあ
けられた開口部であって前記シールドケース７からレー
ザ光を取り出すと同時に記録媒体からの反射光を前記レ
ンズホルダ１に導く出射窓１６、前記レンズホルダ１内
部で発せられるレーザ光の焦点を前記記録媒体上に結ぶ
ための対物レンズ１５、前記前置増幅器の出力を光ヘッ
ド外部に取り出すための出力線１４、前記出力線を前記
シールドケース７から引き出すためのスリット１９より
構成される。また、図には示されていないが、前記レン
ズホルダ１の側面にはフォーカシングコイル及びトラッ
キングコイルが取付けられている。前記磁石４及び前記
フォーカシングコイル及びトラッキングコイル及び前記
支持ばね３の働きにより、前記記録媒体上の目的の位置
に前記レーザ光の焦点結ばれる様に前記レンズホルダ１
の位置が制御される。さらに、前記レンズホルダ１内部
には、レーザチップ、光記録媒体からの反射光を検出す
る信号検出手段、前記レーザチップからのレーザ光の出
射光量を監視するレーザ出力検出手段等を複合した光半
導体素子が含まれている。
に於ける光ヘッドの構造を示す説明図である。本実施例
の光ヘッドは、レンズホルダ１、前記レンズホルダ１を
弾性的に支持し、自由に位置を変化せしめる支持ばね
３、前記支持ばね３の固定端であって前記レンズホルダ
１を間接的に支持する支柱２、前記レンズホルダ１の周
辺に磁界を発生し、焦点位置制御を行う磁石４、高周波
発振器であって、レーザダイオード駆動電流に高周波を
重畳し、レーザ光の可干渉性を低下させることによりレ
ーザ雑音を低減させるレーザ雑音低減手段５、前記レー
ザ雑音低減手段５から発生する高周波を光ヘッド外部に
漏洩させることなく光ヘッド内部の回路と光ヘッド外部
の回路を接続する貫通コンデンサ６、前置増幅器１３、
ローパスフィルタ９、前記前置増幅器１３及び前記ロー
パスフィルタ９を搭載した基板８、前記前置増幅器と前
記レンズホルダ１内部を接続する線１０、前記レーザ雑
音低減手段５と前記レンズホルダ１内部を接続する線１
１、前記レーザ雑音低減手段５と前記貫通コンデンサ６
を接続する線１２、光ヘッド全体を磁性導電材で包み込
み、電気的且つ磁気的に光ヘッド外部と光ヘッド内部を
遮断するシールドケース７、前記シールドケース７にあ
けられた開口部であって前記シールドケース７からレー
ザ光を取り出すと同時に記録媒体からの反射光を前記レ
ンズホルダ１に導く出射窓１６、前記レンズホルダ１内
部で発せられるレーザ光の焦点を前記記録媒体上に結ぶ
ための対物レンズ１５、前記前置増幅器の出力を光ヘッ
ド外部に取り出すための出力線１４、前記出力線を前記
シールドケース７から引き出すためのスリット１９より
構成される。また、図には示されていないが、前記レン
ズホルダ１の側面にはフォーカシングコイル及びトラッ
キングコイルが取付けられている。前記磁石４及び前記
フォーカシングコイル及びトラッキングコイル及び前記
支持ばね３の働きにより、前記記録媒体上の目的の位置
に前記レーザ光の焦点結ばれる様に前記レンズホルダ１
の位置が制御される。さらに、前記レンズホルダ１内部
には、レーザチップ、光記録媒体からの反射光を検出す
る信号検出手段、前記レーザチップからのレーザ光の出
射光量を監視するレーザ出力検出手段等を複合した光半
導体素子が含まれている。
【００７５】前記前置増幅器１３の入力部には本発明に
かかるローパスフィルタ９が取り付けられている。ここ
で、前記ローパスフィルタ９のカットオフ周波数は、レ
ーザ出力検出手段２６と前記前置増幅器１３の間におい
ては、レーザ出力の制御帯域より充分高く、かつ前記レ
ーザ雑音低減手段の発振周波数より充分低く設定されて
いる。また、前記信号検出手段２５と前記前置増幅器１
３の間においては、信号帯域より充分高く、かつ前記レ
ーザ雑音低減手段の発振周波数より充分低く設定されて
いる。前記レーザ出力検出手段２６及び前記信号検出手
段２５の出力には、前記レーザ雑音低減手段５から漏洩
する不要な高周波成分が含まれている。しかし、本実施
例においては、前記高周波成分のほとんどは前記ローパ
スフィルタ９の働きで除去され、前記前置増幅器に入力
されることはない。一方、前記レーザ出力検出手段２６
及び前記信号検出手段２５の本来の出力は、前記ローパ
スフィルタ９を損失なく通過し、前記前置増幅器１３に
達することができるため、前記ローパスフィルタ９を搭
載していなかった従来の光ヘッドの性能を損なう事はな
い。この働きにより、レーザ雑音低減手段をＯＮした際
に、前記レーザ出力検出手段２６及び前記信号検出手段
２５の前記前置増幅器出力がドリフトし、正常なレーザ
出力制御及び光ヘッドの位置制御が阻害されるという従
来の光ヘッドでの問題点を改善することができる。
かかるローパスフィルタ９が取り付けられている。ここ
で、前記ローパスフィルタ９のカットオフ周波数は、レ
ーザ出力検出手段２６と前記前置増幅器１３の間におい
ては、レーザ出力の制御帯域より充分高く、かつ前記レ
ーザ雑音低減手段の発振周波数より充分低く設定されて
いる。また、前記信号検出手段２５と前記前置増幅器１
３の間においては、信号帯域より充分高く、かつ前記レ
ーザ雑音低減手段の発振周波数より充分低く設定されて
いる。前記レーザ出力検出手段２６及び前記信号検出手
段２５の出力には、前記レーザ雑音低減手段５から漏洩
する不要な高周波成分が含まれている。しかし、本実施
例においては、前記高周波成分のほとんどは前記ローパ
スフィルタ９の働きで除去され、前記前置増幅器に入力
されることはない。一方、前記レーザ出力検出手段２６
及び前記信号検出手段２５の本来の出力は、前記ローパ
スフィルタ９を損失なく通過し、前記前置増幅器１３に
達することができるため、前記ローパスフィルタ９を搭
載していなかった従来の光ヘッドの性能を損なう事はな
い。この働きにより、レーザ雑音低減手段をＯＮした際
に、前記レーザ出力検出手段２６及び前記信号検出手段
２５の前記前置増幅器出力がドリフトし、正常なレーザ
出力制御及び光ヘッドの位置制御が阻害されるという従
来の光ヘッドでの問題点を改善することができる。
【００７６】この点について、再び図６（ｂ）及び図６
（ｃ）を用いて詳しく説明する。まず、図６（ｂ）に基
づいて、前記ローパスフィルタを用いない場合について
説明する。前記各検出手段の出力には、前述の様に高周
波ノイズが漏洩している。そのレベルは、前記光半導体
素子の構造により大きく異なるが、例えば振幅１０［μ
Ａ］の高周波ノイズが含まれているとする（１）。一
方、近年光ヘッドの低電力化に伴い、前記前置増幅器と
して単電源低電圧駆動増幅器がしばしば用いられる。一
般に前記増幅器の許容入力電流範囲は、中点電位に対し
て負方向は広いが、正方向では非常に狭い。仮に正方向
の許容入力電流を７［μＡ］とし、前記許容入力電流を
越えると急峻に波形が歪むとすると、前記各検出手段の
出力は、前記前置増幅器の初段部において正方向の波形
がクリップされた形となる（２）。前記レーザ雑音低減
手段の発振周波数は、前記前置増幅器後段部あるいはそ
の後の検出系回路の帯域より充分高いため、最終的には
積分されて直流成分となる。従来の技術の項でも説明し
た通り、中点電位に対して正負対称であれば、積分後は
正負の成分が打ち消し合うので、結局直流成分は発生し
ない。しかし、図の様な正負非対称波形の場合、正負の
成分が打ち消し合いきれず、積分後にクリップされた面
積の時間平均に相当する直流成分が発生する。その電流
値は、前記の条件では約０．４６［μＡ］となり、前記
各検出手段の前記前置増幅器出力がドリフトすることに
なる（３）。一方で、本実施例における前記信号検出手
段の出力電流の振幅は２［μＡ］程度であるので、前記
ドリフト電流は必要な信号電流の２３％に達する。その
結果、前記信号検出手段より合成される光ヘッド位置検
出信号が誤った値となり、位置制御に支障をきたす。ま
た、本実施例における前記レーザ出力検出手段の出力電
流は３０［μＡ／ｍＷ］程度であり、０．３［ｍＷ］出
射時には前記ドリフト電流はその約５％に相当する。こ
れは無視できないレーザ出力の誤差をもたらす。
（ｃ）を用いて詳しく説明する。まず、図６（ｂ）に基
づいて、前記ローパスフィルタを用いない場合について
説明する。前記各検出手段の出力には、前述の様に高周
波ノイズが漏洩している。そのレベルは、前記光半導体
素子の構造により大きく異なるが、例えば振幅１０［μ
Ａ］の高周波ノイズが含まれているとする（１）。一
方、近年光ヘッドの低電力化に伴い、前記前置増幅器と
して単電源低電圧駆動増幅器がしばしば用いられる。一
般に前記増幅器の許容入力電流範囲は、中点電位に対し
て負方向は広いが、正方向では非常に狭い。仮に正方向
の許容入力電流を７［μＡ］とし、前記許容入力電流を
越えると急峻に波形が歪むとすると、前記各検出手段の
出力は、前記前置増幅器の初段部において正方向の波形
がクリップされた形となる（２）。前記レーザ雑音低減
手段の発振周波数は、前記前置増幅器後段部あるいはそ
の後の検出系回路の帯域より充分高いため、最終的には
積分されて直流成分となる。従来の技術の項でも説明し
た通り、中点電位に対して正負対称であれば、積分後は
正負の成分が打ち消し合うので、結局直流成分は発生し
ない。しかし、図の様な正負非対称波形の場合、正負の
成分が打ち消し合いきれず、積分後にクリップされた面
積の時間平均に相当する直流成分が発生する。その電流
値は、前記の条件では約０．４６［μＡ］となり、前記
各検出手段の前記前置増幅器出力がドリフトすることに
なる（３）。一方で、本実施例における前記信号検出手
段の出力電流の振幅は２［μＡ］程度であるので、前記
ドリフト電流は必要な信号電流の２３％に達する。その
結果、前記信号検出手段より合成される光ヘッド位置検
出信号が誤った値となり、位置制御に支障をきたす。ま
た、本実施例における前記レーザ出力検出手段の出力電
流は３０［μＡ／ｍＷ］程度であり、０．３［ｍＷ］出
射時には前記ドリフト電流はその約５％に相当する。こ
れは無視できないレーザ出力の誤差をもたらす。
【００７７】次に、図６（ｃ）に基づいて、前記ローパ
スフィルタを用いた場合について説明する。前記各検出
手段の出力に、前記と同様に振幅１０［μＡ］の高周波
ノイズが含まれているとする（１）。ここで、前記ロー
パスフィルタとして、前記前置増幅器の許容入力を越え
ないレベルまで、前記高周波ノイズを減衰させる特性を
有するものを前記各検出手段と前記前置増幅器の間に挿
入する。例えば、前記レーザ雑音低減手段の発振周波数
において、１５［ｄＢ］の損失を持つフィルタであれ
ば、前記高周波ノイズを約１．８［μＡ］にまで抑える
事ができる。前記前置増幅器の許容入力電流が同じ７
［μＡ］とすれば、前記高周波ノイズの波形は歪むこと
はない（２）。即ち、その後検出系の回路で積分されて
も、中点電位に対して正負対称であるので、正負の成分
が打ち消し合い、直流成分は発生しない。以上の様にし
て、適切なローパスフィルタを前記各検出手段と前記前
置増幅器の間に挿入することにより、前記レーザ雑音低
減手段駆動時の出力ドリフトを防止する事ができる
（３）。尚、他の動作及び構成については、図１の実施
例と同様であるので、詳しい説明は省略する。
スフィルタを用いた場合について説明する。前記各検出
手段の出力に、前記と同様に振幅１０［μＡ］の高周波
ノイズが含まれているとする（１）。ここで、前記ロー
パスフィルタとして、前記前置増幅器の許容入力を越え
ないレベルまで、前記高周波ノイズを減衰させる特性を
有するものを前記各検出手段と前記前置増幅器の間に挿
入する。例えば、前記レーザ雑音低減手段の発振周波数
において、１５［ｄＢ］の損失を持つフィルタであれ
ば、前記高周波ノイズを約１．８［μＡ］にまで抑える
事ができる。前記前置増幅器の許容入力電流が同じ７
［μＡ］とすれば、前記高周波ノイズの波形は歪むこと
はない（２）。即ち、その後検出系の回路で積分されて
も、中点電位に対して正負対称であるので、正負の成分
が打ち消し合い、直流成分は発生しない。以上の様にし
て、適切なローパスフィルタを前記各検出手段と前記前
置増幅器の間に挿入することにより、前記レーザ雑音低
減手段駆動時の出力ドリフトを防止する事ができる
（３）。尚、他の動作及び構成については、図１の実施
例と同様であるので、詳しい説明は省略する。
【００７８】図１１は、本実施例にかかる光ヘッドの構
成を示すブロック図である。本実施例では、前記レーザ
出力検出手段２６と前記前置増幅器１３の間、及び前記
信号検出手段２５と前記前置増幅器１３の間の両方にロ
ーパスフィルタ９が挿入されている。これにより、前記
レーザ雑音低減手段５から漏洩した前記高周波成分のほ
とんどが除去される。本実施例では、レーザ雑音低減手
段５の駆動時でも正常なレーザ出力制御及び光ヘッドの
位置制御が可能な、前記光半導体素子の特性を生かした
小型で構造が簡略な光ヘッドの実現できる。また、レー
ザ雑音低減効果を充分に得るために比較的大きな出力の
前記レーザ雑音低減手段を光ヘッドに用いても、前記ド
リフト量は非常に小さなものとなるため、従来の性能を
損なうことなく低雑音の光ヘッドを提供することが出来
る。尚、他の動作及び構成については、図１の実施例と
同様であるので、詳しい説明は省略する。
成を示すブロック図である。本実施例では、前記レーザ
出力検出手段２６と前記前置増幅器１３の間、及び前記
信号検出手段２５と前記前置増幅器１３の間の両方にロ
ーパスフィルタ９が挿入されている。これにより、前記
レーザ雑音低減手段５から漏洩した前記高周波成分のほ
とんどが除去される。本実施例では、レーザ雑音低減手
段５の駆動時でも正常なレーザ出力制御及び光ヘッドの
位置制御が可能な、前記光半導体素子の特性を生かした
小型で構造が簡略な光ヘッドの実現できる。また、レー
ザ雑音低減効果を充分に得るために比較的大きな出力の
前記レーザ雑音低減手段を光ヘッドに用いても、前記ド
リフト量は非常に小さなものとなるため、従来の性能を
損なうことなく低雑音の光ヘッドを提供することが出来
る。尚、他の動作及び構成については、図１の実施例と
同様であるので、詳しい説明は省略する。
【００７９】（実施例４）図１２は、本発明の一実施例
に於ける光ヘッドの構造を示す説明図である。本実施例
の光ヘッドは、レンズホルダ１、前記レンズホルダ１を
弾性的に支持し、自由に位置を変化せしめる支持ばね
３、前記支持ばね３の固定端であって前記レンズホルダ
１を間接的に支持する支柱２、前記レンズホルダ１の周
辺に磁界を発生し、焦点位置制御を行う磁石４、高周波
発振器であって、レーザダイオード駆動電流に高周波を
重畳し、レーザ光の可干渉性を低下させることによりレ
ーザ雑音を低減させるレーザ雑音低減手段５、前記レー
ザ雑音低減手段５から発生する高周波を光ヘッド外部に
漏洩させることなく光ヘッド内部の回路と光ヘッド外部
の回路を接続する貫通コンデンサ６、前置増幅器１３、
ローパスフィルタ９、前記前置増幅器１３及び前記ロー
パスフィルタ９を搭載した基板８、前記前置増幅器と前
記レンズホルダ１内部を接続する線１０、前記レーザ雑
音低減手段５と前記レンズホルダ１内部を接続する線１
１、前記レーザ雑音低減手段５と前記貫通コンデンサ６
を接続する線１２、光ヘッド全体を磁性導電材で包み込
み、電気的且つ磁気的に光ヘッド外部と光ヘッド内部を
遮断するシールドケース７、前記シールドケース７にあ
けられた開口部であって前記シールドケース７からレー
ザ光を取り出すと同時に記録媒体からの反射光を前記レ
ンズホルダ１に導く出射窓１６、前記レンズホルダ１内
部で発せられるレーザ光の焦点を前記記録媒体上に結ぶ
ための対物レンズ１５、前記前置増幅器の出力を光ヘッ
ド外部に取り出すための出力線１４、前記出力線を前記
シールドケース７から引き出すためのスリット１９より
構成される。また、図には示されていないが、前記レン
ズホルダ１の側面にはフォーカシングコイル及びトラッ
キングコイルが取付けられている。前記磁石４及び前記
フォーカシングコイル及びトラッキングコイル及び前記
支持ばね３の働きにより、前記記録媒体上の目的の位置
に前記レーザ光の焦点結ばれる様に前記レンズホルダ１
の位置が制御される。さらに、前記レンズホルダ１内部
には、レーザチップ、光記録媒体からの反射光を検出す
る信号検出手段、前記レーザチップからのレーザ光の出
射光量を監視するレーザ出力検出手段等を複合した光半
導体素子が含まれている。
に於ける光ヘッドの構造を示す説明図である。本実施例
の光ヘッドは、レンズホルダ１、前記レンズホルダ１を
弾性的に支持し、自由に位置を変化せしめる支持ばね
３、前記支持ばね３の固定端であって前記レンズホルダ
１を間接的に支持する支柱２、前記レンズホルダ１の周
辺に磁界を発生し、焦点位置制御を行う磁石４、高周波
発振器であって、レーザダイオード駆動電流に高周波を
重畳し、レーザ光の可干渉性を低下させることによりレ
ーザ雑音を低減させるレーザ雑音低減手段５、前記レー
ザ雑音低減手段５から発生する高周波を光ヘッド外部に
漏洩させることなく光ヘッド内部の回路と光ヘッド外部
の回路を接続する貫通コンデンサ６、前置増幅器１３、
ローパスフィルタ９、前記前置増幅器１３及び前記ロー
パスフィルタ９を搭載した基板８、前記前置増幅器と前
記レンズホルダ１内部を接続する線１０、前記レーザ雑
音低減手段５と前記レンズホルダ１内部を接続する線１
１、前記レーザ雑音低減手段５と前記貫通コンデンサ６
を接続する線１２、光ヘッド全体を磁性導電材で包み込
み、電気的且つ磁気的に光ヘッド外部と光ヘッド内部を
遮断するシールドケース７、前記シールドケース７にあ
けられた開口部であって前記シールドケース７からレー
ザ光を取り出すと同時に記録媒体からの反射光を前記レ
ンズホルダ１に導く出射窓１６、前記レンズホルダ１内
部で発せられるレーザ光の焦点を前記記録媒体上に結ぶ
ための対物レンズ１５、前記前置増幅器の出力を光ヘッ
ド外部に取り出すための出力線１４、前記出力線を前記
シールドケース７から引き出すためのスリット１９より
構成される。また、図には示されていないが、前記レン
ズホルダ１の側面にはフォーカシングコイル及びトラッ
キングコイルが取付けられている。前記磁石４及び前記
フォーカシングコイル及びトラッキングコイル及び前記
支持ばね３の働きにより、前記記録媒体上の目的の位置
に前記レーザ光の焦点結ばれる様に前記レンズホルダ１
の位置が制御される。さらに、前記レンズホルダ１内部
には、レーザチップ、光記録媒体からの反射光を検出す
る信号検出手段、前記レーザチップからのレーザ光の出
射光量を監視するレーザ出力検出手段等を複合した光半
導体素子が含まれている。
【００８０】前記前置増幅器と前記レンズホルダ１内部
を接続する線１０の電源供給ラインと、前記前置増幅器
１３の電源端子の間には本発明にかかるローパスフィル
タ９が取り付けられている。ここで、前記ローパスフィ
ルタ９のカットオフ周波数は、前記レーザ雑音低減手段
の発振周波数より充分低く設定されている。前記前置増
幅器と前記レンズホルダ１内部を接続する線１０の電源
供給ラインには、前記レーザ雑音低減手段５から漏洩す
る不要な高周波成分が含まれている。しかし、本実施例
においては、前記高周波成分のほとんどは前記ローパス
フィルタ９の働きで除去され、前記前置増幅器の電源端
子に入力されることはない。一方、レンズホルダ内部へ
の電源の供給は、従来通り正常に行われる。この働きに
より、レーザ雑音低減手段を駆動した際に、前記レーザ
出力検出手段２６及び前記信号検出手段２５の前記前置
増幅器出力がドリフトし、正常なレーザ出力制御及び光
ヘッドの位置制御が阻害されるという従来の光ヘッドで
の問題点を改善することができる。尚、他の動作及び構
成については、図１の実施例と同様であるので、詳しい
説明は省略する。
を接続する線１０の電源供給ラインと、前記前置増幅器
１３の電源端子の間には本発明にかかるローパスフィル
タ９が取り付けられている。ここで、前記ローパスフィ
ルタ９のカットオフ周波数は、前記レーザ雑音低減手段
の発振周波数より充分低く設定されている。前記前置増
幅器と前記レンズホルダ１内部を接続する線１０の電源
供給ラインには、前記レーザ雑音低減手段５から漏洩す
る不要な高周波成分が含まれている。しかし、本実施例
においては、前記高周波成分のほとんどは前記ローパス
フィルタ９の働きで除去され、前記前置増幅器の電源端
子に入力されることはない。一方、レンズホルダ内部へ
の電源の供給は、従来通り正常に行われる。この働きに
より、レーザ雑音低減手段を駆動した際に、前記レーザ
出力検出手段２６及び前記信号検出手段２５の前記前置
増幅器出力がドリフトし、正常なレーザ出力制御及び光
ヘッドの位置制御が阻害されるという従来の光ヘッドで
の問題点を改善することができる。尚、他の動作及び構
成については、図１の実施例と同様であるので、詳しい
説明は省略する。
【００８１】図１３は、本実施例にかかる光ヘッドの構
成を示す回路図である。本実施例では、前記レーザ出力
検出手段２６及び前記信号検出手段２５のコモン端子に
供給される電源ラインの途中にローパスフィルタ９が挿
入されている。これにより、前記レーザ雑音低減手段５
から前記レーザ出力検出手段２６及び前記信号検出手段
２５に漏洩した前記高周波成分が除去され、電源ライン
を通して前記前置増幅器１３に入力されることはない。
本実施例では、レーザ雑音低減手段５の駆動時でも正常
なレーザ出力制御及び光ヘッドの位置制御が可能な、前
記光半導体素子の特性を生かした小型で構造が簡略な光
ヘッドの実現できる。また、レーザ雑音低減効果を充分
に得るために比較的大きな出力の前記レーザ雑音低減手
段を光ヘッドに用いても、前記ドリフト量は非常に小さ
なものとなるため、従来の性能を損なうことなく低雑音
の光ヘッドを提供することが出来る。
成を示す回路図である。本実施例では、前記レーザ出力
検出手段２６及び前記信号検出手段２５のコモン端子に
供給される電源ラインの途中にローパスフィルタ９が挿
入されている。これにより、前記レーザ雑音低減手段５
から前記レーザ出力検出手段２６及び前記信号検出手段
２５に漏洩した前記高周波成分が除去され、電源ライン
を通して前記前置増幅器１３に入力されることはない。
本実施例では、レーザ雑音低減手段５の駆動時でも正常
なレーザ出力制御及び光ヘッドの位置制御が可能な、前
記光半導体素子の特性を生かした小型で構造が簡略な光
ヘッドの実現できる。また、レーザ雑音低減効果を充分
に得るために比較的大きな出力の前記レーザ雑音低減手
段を光ヘッドに用いても、前記ドリフト量は非常に小さ
なものとなるため、従来の性能を損なうことなく低雑音
の光ヘッドを提供することが出来る。
【００８２】（実施例５）図１４は、本発明の一実施例
に於ける光ヘッドの構造を示す説明図である。本実施例
の光ヘッドは、レンズホルダ１、前記レンズホルダ１を
弾性的に支持し、自由に位置を変化せしめる支持ばね
３、前記支持ばね３の固定端であって前記レンズホルダ
１を間接的に支持する支柱２、前記レンズホルダ１の周
辺に磁界を発生し、焦点位置制御を行う磁石４、高周波
発振器であって、レーザダイオード駆動電流に高周波を
重畳し、レーザ光の可干渉性を低下させることによりレ
ーザ雑音を低減させるレーザ雑音低減手段５、前記レー
ザ雑音低減手段５から発生する高周波を光ヘッド外部に
漏洩させることなく光ヘッド内部の回路と光ヘッド外部
の回路を接続する貫通コンデンサ６、前置増幅器１３、
ローパスフィルタ９、前記前置増幅器１３及び前記ロー
パスフィルタ９を搭載した基板８、前記前置増幅器と前
記レンズホルダ１内部を接続する線１０、前記レーザ雑
音低減手段５と前記レンズホルダ１内部を接続する線１
１、前記レーザ雑音低減手段５と前記貫通コンデンサ６
を接続する線１２、光ヘッド全体を磁性導電材で包み込
み、電気的且つ磁気的に光ヘッド外部と光ヘッド内部を
遮断するシールドケース７、前記シールドケース７にあ
けられた開口部であって前記シールドケース７からレー
ザ光を取り出すと同時に記録媒体からの反射光を前記レ
ンズホルダ１に導く出射窓１６、前記レンズホルダ１内
部で発せられるレーザ光の焦点を前記記録媒体上に結ぶ
ための対物レンズ１５、前記前置増幅器の出力を光ヘッ
ド外部に取り出すための出力線１４、前記出力線を前記
シールドケース７から引き出すためのスリット１９より
構成される。また、図には示されていないが、前記レン
ズホルダ１の側面にはフォーカシングコイル及びトラッ
キングコイルが取付けられている。前記磁石４及び前記
フォーカシングコイル及びトラッキングコイル及び前記
支持ばね３の働きにより、前記記録媒体上の目的の位置
に前記レーザ光の焦点結ばれる様に前記レンズホルダ１
の位置が制御される。さらに、前記レンズホルダ１内部
には、レーザチップ、光記録媒体からの反射光を検出す
る信号検出手段、前記レーザチップからのレーザ光の出
射光量を監視するレーザ出力検出手段等を複合した光半
導体素子が含まれている。
に於ける光ヘッドの構造を示す説明図である。本実施例
の光ヘッドは、レンズホルダ１、前記レンズホルダ１を
弾性的に支持し、自由に位置を変化せしめる支持ばね
３、前記支持ばね３の固定端であって前記レンズホルダ
１を間接的に支持する支柱２、前記レンズホルダ１の周
辺に磁界を発生し、焦点位置制御を行う磁石４、高周波
発振器であって、レーザダイオード駆動電流に高周波を
重畳し、レーザ光の可干渉性を低下させることによりレ
ーザ雑音を低減させるレーザ雑音低減手段５、前記レー
ザ雑音低減手段５から発生する高周波を光ヘッド外部に
漏洩させることなく光ヘッド内部の回路と光ヘッド外部
の回路を接続する貫通コンデンサ６、前置増幅器１３、
ローパスフィルタ９、前記前置増幅器１３及び前記ロー
パスフィルタ９を搭載した基板８、前記前置増幅器と前
記レンズホルダ１内部を接続する線１０、前記レーザ雑
音低減手段５と前記レンズホルダ１内部を接続する線１
１、前記レーザ雑音低減手段５と前記貫通コンデンサ６
を接続する線１２、光ヘッド全体を磁性導電材で包み込
み、電気的且つ磁気的に光ヘッド外部と光ヘッド内部を
遮断するシールドケース７、前記シールドケース７にあ
けられた開口部であって前記シールドケース７からレー
ザ光を取り出すと同時に記録媒体からの反射光を前記レ
ンズホルダ１に導く出射窓１６、前記レンズホルダ１内
部で発せられるレーザ光の焦点を前記記録媒体上に結ぶ
ための対物レンズ１５、前記前置増幅器の出力を光ヘッ
ド外部に取り出すための出力線１４、前記出力線を前記
シールドケース７から引き出すためのスリット１９より
構成される。また、図には示されていないが、前記レン
ズホルダ１の側面にはフォーカシングコイル及びトラッ
キングコイルが取付けられている。前記磁石４及び前記
フォーカシングコイル及びトラッキングコイル及び前記
支持ばね３の働きにより、前記記録媒体上の目的の位置
に前記レーザ光の焦点結ばれる様に前記レンズホルダ１
の位置が制御される。さらに、前記レンズホルダ１内部
には、レーザチップ、光記録媒体からの反射光を検出す
る信号検出手段、前記レーザチップからのレーザ光の出
射光量を監視するレーザ出力検出手段等を複合した光半
導体素子が含まれている。
【００８３】前記光半導体素子では、１枚のウエハ上全
面にフォトダイオードが形成されており、前記ウエハを
分割して線を引き出すことにより複数の前記信号検出手
段を形成している。そのため、信号検出に関与しない不
要な領域にもフォトダイオードが存在し、これらの領域
で異常電流が発生する。前記異常電流が信号検出に影響
を与えるのを防止するために、通常前記の不要なフォト
ダイオードのアノード端子は、グランドに接続される。
本実施例では、前記グランドラインは前記前置増幅器と
前記レンズホルダ１内部を接続する線１０により引き出
される。
面にフォトダイオードが形成されており、前記ウエハを
分割して線を引き出すことにより複数の前記信号検出手
段を形成している。そのため、信号検出に関与しない不
要な領域にもフォトダイオードが存在し、これらの領域
で異常電流が発生する。前記異常電流が信号検出に影響
を与えるのを防止するために、通常前記の不要なフォト
ダイオードのアノード端子は、グランドに接続される。
本実施例では、前記グランドラインは前記前置増幅器と
前記レンズホルダ１内部を接続する線１０により引き出
される。
【００８４】さて、前記前置増幅器１３と前記レンズホ
ルダ１内部を接続する線１０のグランドラインと、前記
前置増幅器１３の接地端子の間には本発明にかかるロー
パスフィルタ９が取り付けられている。ここで、前記ロ
ーパスフィルタ９のカットオフ周波数は、前記レーザ雑
音低減手段の発振周波数より充分低く設定されている。
前記前置増幅器と前記レンズホルダ１内部を接続する線
１０のグランドラインには、前記レーザ雑音低減手段５
から漏洩する不要な高周波成分が含まれている。しか
し、本実施例においては、前記高周波成分のほとんどは
前記ローパスフィルタ９の働きで除去され、前記前置増
幅器の電源端子に入力されることはない。一方、レンズ
ホルダ内部への電源の供給は、従来通り正常に行われ
る。この働きにより、レーザ雑音低減手段を駆動した際
に、前記レーザ出力検出手段２６及び前記信号検出手段
２５の前記前置増幅器出力がドリフトし、正常なレーザ
出力制御及び光ヘッドの位置制御が阻害されるという従
来の光ヘッドでの問題点を改善することができる。尚、
他の動作及び構成については、図１の実施例と同様であ
るので、詳しい説明は省略する。
ルダ１内部を接続する線１０のグランドラインと、前記
前置増幅器１３の接地端子の間には本発明にかかるロー
パスフィルタ９が取り付けられている。ここで、前記ロ
ーパスフィルタ９のカットオフ周波数は、前記レーザ雑
音低減手段の発振周波数より充分低く設定されている。
前記前置増幅器と前記レンズホルダ１内部を接続する線
１０のグランドラインには、前記レーザ雑音低減手段５
から漏洩する不要な高周波成分が含まれている。しか
し、本実施例においては、前記高周波成分のほとんどは
前記ローパスフィルタ９の働きで除去され、前記前置増
幅器の電源端子に入力されることはない。一方、レンズ
ホルダ内部への電源の供給は、従来通り正常に行われ
る。この働きにより、レーザ雑音低減手段を駆動した際
に、前記レーザ出力検出手段２６及び前記信号検出手段
２５の前記前置増幅器出力がドリフトし、正常なレーザ
出力制御及び光ヘッドの位置制御が阻害されるという従
来の光ヘッドでの問題点を改善することができる。尚、
他の動作及び構成については、図１の実施例と同様であ
るので、詳しい説明は省略する。
【００８５】図１５は、本実施例にかかる光ヘッドの構
成を示す回路図である。本実施例では、前記の不要なフ
ォトダイオードのアノード端子であるグランドラインと
前記前置増幅器１３の間に前記ローパスフィルタ９が挿
入されている。これにより、前記レーザ雑音低減手段５
から前記レーザ出力検出手段２６及び前記信号検出手段
２５に漏洩した前記高周波成分が除去され、前記グラン
ドラインを通して前記前置増幅器１３に入力されること
はない。本実施例では、前記レーザ雑音低減手段５の駆
動時でも正常なレーザ出力制御及び光ヘッドの位置制御
が可能な、前記光半導体素子の特性を生かした小型で構
造が簡略な光ヘッドの実現できる。また、レーザ雑音低
減効果を充分に得るために比較的大きな出力の前記レー
ザ雑音低減手段を光ヘッドに用いても、前記ドリフト量
は非常に小さなものとなるため、従来の性能を損なうこ
となく低雑音の光ヘッドを提供することが出来る。
成を示す回路図である。本実施例では、前記の不要なフ
ォトダイオードのアノード端子であるグランドラインと
前記前置増幅器１３の間に前記ローパスフィルタ９が挿
入されている。これにより、前記レーザ雑音低減手段５
から前記レーザ出力検出手段２６及び前記信号検出手段
２５に漏洩した前記高周波成分が除去され、前記グラン
ドラインを通して前記前置増幅器１３に入力されること
はない。本実施例では、前記レーザ雑音低減手段５の駆
動時でも正常なレーザ出力制御及び光ヘッドの位置制御
が可能な、前記光半導体素子の特性を生かした小型で構
造が簡略な光ヘッドの実現できる。また、レーザ雑音低
減効果を充分に得るために比較的大きな出力の前記レー
ザ雑音低減手段を光ヘッドに用いても、前記ドリフト量
は非常に小さなものとなるため、従来の性能を損なうこ
となく低雑音の光ヘッドを提供することが出来る。
【００８６】（実施例６）図１６は、本発明の一実施例
に於ける光ヘッドの構造を示す説明図である。図１０の
実施例では、前記基板８上に前記ローパスフィルタ９の
回路を形成していた。しかし、前記ローパスフィルタ９
は、カットオフ周波数がレーザ出力の制御帯域または信
号帯域より充分高く、かつ前記レーザ雑音低減手段の発
振周波数より充分低い低域通過手段であれば、いかなる
ものであっても良い。例えば、図１６に示す様に、前記
前置増幅器１３に入力される各線をフェライトブロック
３３に通し、不要な高周波成分を熱に変換して除去して
もよい。本方式によれば、図１０の実施例と同様に、レ
ーザ雑音低減手段を駆動した際でも、正常なレーザ出力
制御及び光ヘッドの位置制御が可能な小型光ヘッドを実
現できる。さらに、図１０の実施例に比べて、はるかに
簡略かつローコストなフィルタを形成できるため、光ヘ
ッドの製造工数の削減及びコストダウンが可能になる。
尚、他の動作及び構成については、図１０の実施例と同
様であるので、詳しい説明は省略する。
に於ける光ヘッドの構造を示す説明図である。図１０の
実施例では、前記基板８上に前記ローパスフィルタ９の
回路を形成していた。しかし、前記ローパスフィルタ９
は、カットオフ周波数がレーザ出力の制御帯域または信
号帯域より充分高く、かつ前記レーザ雑音低減手段の発
振周波数より充分低い低域通過手段であれば、いかなる
ものであっても良い。例えば、図１６に示す様に、前記
前置増幅器１３に入力される各線をフェライトブロック
３３に通し、不要な高周波成分を熱に変換して除去して
もよい。本方式によれば、図１０の実施例と同様に、レ
ーザ雑音低減手段を駆動した際でも、正常なレーザ出力
制御及び光ヘッドの位置制御が可能な小型光ヘッドを実
現できる。さらに、図１０の実施例に比べて、はるかに
簡略かつローコストなフィルタを形成できるため、光ヘ
ッドの製造工数の削減及びコストダウンが可能になる。
尚、他の動作及び構成については、図１０の実施例と同
様であるので、詳しい説明は省略する。
【００８７】（実施例７）図１７は、本発明の他の一実
施例に於ける光ヘッドの構造を示す説明図である。図１
０の実施例では、前記基板８上に前記コイル４１、前記
コンデンサ４２等を用いて前記ローパスフィルタ９の回
路を形成していた。しかし、前記ローパスフィルタ９
は、カットオフ周波数がレーザ出力の制御帯域または信
号帯域より充分高く、かつ前記レーザ雑音低減手段の発
振周波数より充分低い低域通過手段であれば、いかなる
ものであっても良い。例えば、図１６示す様に、前記前
置増幅器１３に入力される各線上に、絶縁膜を介して磁
性体を塗布し、不要な高周波成分を熱に変換して除去し
てもよい。前記磁性体を塗布する場所は、前記前置増幅
器と前記レンズホルダ１内部を接続する線１０上でもよ
いし、前記基板８のプリントパターン上でもよい。図１
６は、前記基板８のプリントパターン上に前記磁性体を
塗布した場合を示している。本方式によれば、図１０の
実施例と同様に、レーザ雑音低減手段を駆動した際で
も、正常なレーザ出力制御及び光ヘッドの位置制御が可
能な小型光ヘッドを実現できる。さらに、前記磁性体の
塗布はディッピングあるいは印刷法で容易に行うことが
できるので、少ない工数で前記ローパスフィルタ９を形
成することができる。そのため、やはり小型でローコス
トの光ヘッドの実現を可能にする。尚、他の動作及び構
成については、図１０の実施例と同様であるので、詳し
い説明は省略する。
施例に於ける光ヘッドの構造を示す説明図である。図１
０の実施例では、前記基板８上に前記コイル４１、前記
コンデンサ４２等を用いて前記ローパスフィルタ９の回
路を形成していた。しかし、前記ローパスフィルタ９
は、カットオフ周波数がレーザ出力の制御帯域または信
号帯域より充分高く、かつ前記レーザ雑音低減手段の発
振周波数より充分低い低域通過手段であれば、いかなる
ものであっても良い。例えば、図１６示す様に、前記前
置増幅器１３に入力される各線上に、絶縁膜を介して磁
性体を塗布し、不要な高周波成分を熱に変換して除去し
てもよい。前記磁性体を塗布する場所は、前記前置増幅
器と前記レンズホルダ１内部を接続する線１０上でもよ
いし、前記基板８のプリントパターン上でもよい。図１
６は、前記基板８のプリントパターン上に前記磁性体を
塗布した場合を示している。本方式によれば、図１０の
実施例と同様に、レーザ雑音低減手段を駆動した際で
も、正常なレーザ出力制御及び光ヘッドの位置制御が可
能な小型光ヘッドを実現できる。さらに、前記磁性体の
塗布はディッピングあるいは印刷法で容易に行うことが
できるので、少ない工数で前記ローパスフィルタ９を形
成することができる。そのため、やはり小型でローコス
トの光ヘッドの実現を可能にする。尚、他の動作及び構
成については、図１０の実施例と同様であるので、詳し
い説明は省略する。
【００８８】（実施例８）図１８は、本発明の他の一実
施例に於ける光ヘッドの構造を示す説明図である。図１
０の実施例では、前記基板８上に前記コイル４１、前記
コンデンサ４２等を用いて前記ローパスフィルタ９の回
路を形成していた。しかし、前記ローパスフィルタ９
は、カットオフ周波数がレーザ出力の制御帯域または信
号帯域より充分高く、かつ前記レーザ雑音低減手段の発
振周波数より充分低い低域通過手段であれば、いかなる
ものであっても良い。例えば、図１８示す様に、基板８
上の、前記前置増幅器１３の入力端子に接続される各配
線パターンを、高いインダクタンスを持つ様な形状と
し、不要な高周波成分を除去してもよい。本方式によれ
ば、工数を特に増やすことなく、簡単な方法でローパス
フィルタ９を形成することができ、図１０の実施例と同
様に、レーザ雑音低減手段を駆動した際でも、正常なレ
ーザ出力制御及び光ヘッドの位置制御が可能な小型でロ
ーコストな光ヘッドを実現できる。尚、他の動作及び構
成については、図１０の実施例と同様であるので、詳し
い説明は省略する。
施例に於ける光ヘッドの構造を示す説明図である。図１
０の実施例では、前記基板８上に前記コイル４１、前記
コンデンサ４２等を用いて前記ローパスフィルタ９の回
路を形成していた。しかし、前記ローパスフィルタ９
は、カットオフ周波数がレーザ出力の制御帯域または信
号帯域より充分高く、かつ前記レーザ雑音低減手段の発
振周波数より充分低い低域通過手段であれば、いかなる
ものであっても良い。例えば、図１８示す様に、基板８
上の、前記前置増幅器１３の入力端子に接続される各配
線パターンを、高いインダクタンスを持つ様な形状と
し、不要な高周波成分を除去してもよい。本方式によれ
ば、工数を特に増やすことなく、簡単な方法でローパス
フィルタ９を形成することができ、図１０の実施例と同
様に、レーザ雑音低減手段を駆動した際でも、正常なレ
ーザ出力制御及び光ヘッドの位置制御が可能な小型でロ
ーコストな光ヘッドを実現できる。尚、他の動作及び構
成については、図１０の実施例と同様であるので、詳し
い説明は省略する。
【００８９】（実施例９）図１９は、本発明の一実施例
に於ける光半導体素子の構造を示す説明図である。図１
の実施例では、前置増幅器１３の入力部にローパスフィ
ルタ９を搭載していたが、前記ローパスフィルタ９は光
半導体素子の信号検出手段の出力部に搭載されていても
よい。
に於ける光半導体素子の構造を示す説明図である。図１
の実施例では、前置増幅器１３の入力部にローパスフィ
ルタ９を搭載していたが、前記ローパスフィルタ９は光
半導体素子の信号検出手段の出力部に搭載されていても
よい。
【００９０】前記光半導体素子は、レーザチップ２３、
反射面２４、記録媒体からの反射光から記録情報や位置
誤差信号を再生する信号検出手段及び前記レーザチップ
２３からの出射光量を検出するためのレーザ出力検出手
段２６を一体化して同一基板上に構成したウエハ２７、
偏光板２８、前記レーザチップ２３及び前記ウエハ２７
を外部回路と接続するためのリード端子２９より成る。
前記レーザチップ２３より前記ウエハ２７の面と平行な
方向に出射されたレーザ光は、前記反射面２４で９０゜
進行方向を変えられ、前記ウエハ２７の法線方向に放射
される。一方、記録媒体からの反射光は、前記光半導体
素子２２内部の前記信号検出手段２５上に集光され、光
エネルギーが電流に変換される。前記信号検出手段の出
力を電気的に演算することによって、フォーカスエラー
信号及びトラックエラー信号及び記録情報信号を生成す
ることができる。
反射面２４、記録媒体からの反射光から記録情報や位置
誤差信号を再生する信号検出手段及び前記レーザチップ
２３からの出射光量を検出するためのレーザ出力検出手
段２６を一体化して同一基板上に構成したウエハ２７、
偏光板２８、前記レーザチップ２３及び前記ウエハ２７
を外部回路と接続するためのリード端子２９より成る。
前記レーザチップ２３より前記ウエハ２７の面と平行な
方向に出射されたレーザ光は、前記反射面２４で９０゜
進行方向を変えられ、前記ウエハ２７の法線方向に放射
される。一方、記録媒体からの反射光は、前記光半導体
素子２２内部の前記信号検出手段２５上に集光され、光
エネルギーが電流に変換される。前記信号検出手段の出
力を電気的に演算することによって、フォーカスエラー
信号及びトラックエラー信号及び記録情報信号を生成す
ることができる。
【００９１】また、図には示されていないが、前記光半
導体素子２２は、出射方向において透明封止部材で封止
されている。前記レーザチップ２３から放射されたレー
ザ光は、前記回折手段２１に達する前に前記透明封止部
材を通過しなければならない。その際、レーザ光の一部
がウエハ２７上に反射され、前記レーザ出力検出手段２
６ に入射する。前記レーザ出力検出手段に入射する光
量は、前記レーザチップ２３から放射される光量に比例
するため、前記レーザ出力検出手段２６の出力から前記
レーザチップ２３の出射光量をモニタすることができ
る。
導体素子２２は、出射方向において透明封止部材で封止
されている。前記レーザチップ２３から放射されたレー
ザ光は、前記回折手段２１に達する前に前記透明封止部
材を通過しなければならない。その際、レーザ光の一部
がウエハ２７上に反射され、前記レーザ出力検出手段２
６ に入射する。前記レーザ出力検出手段に入射する光
量は、前記レーザチップ２３から放射される光量に比例
するため、前記レーザ出力検出手段２６の出力から前記
レーザチップ２３の出射光量をモニタすることができ
る。
【００９２】図１９の実施例では、前記光半導体素子の
内部に本発明にかかるローパスフィルタ９が取り付けら
れ、前記光半導体素子に一体化されている。図中では、
前記ローパスフィルタ９は小型のコイル部品を用いてい
る。ここで、前記ローパスフィルタ９のカットオフ周波
数は、前記信号検出手段の信号帯域より充分高く、かつ
前記レーザ雑音低減手段の発振周波数より充分低く設定
されている。前記信号検出手段の出力には、前記レーザ
雑音低減手段５から発生する不要な高周波成分が含まれ
ている。しかし、本実施例においては、前記高周波成分
のほとんどは前記ローパスフィルタ９の働きで除去さ
れ、前記前置増幅器に入力されることはない。特に、本
実施例では光半導体素子の出力端子で既に高周波ノイズ
が除去されているので、そこから先の配線上での２次的
なノイズの輻射が起こる心配がない。また、本実施例の
光半導体素子をハイブリットＩＣとして量産すれば、前
記前置増幅器１３の回路構成を簡略にし、かつ部品点数
を削減することができる。一方、前記信号検出手段の本
来の出力は、前記ローパスフィルタ９を損失なく通過
し、前記前置増幅器１３に達することができるため、前
記ローパスフィルタ９を搭載していなかった従来の光ヘ
ッドの性能を損なう事はない。
内部に本発明にかかるローパスフィルタ９が取り付けら
れ、前記光半導体素子に一体化されている。図中では、
前記ローパスフィルタ９は小型のコイル部品を用いてい
る。ここで、前記ローパスフィルタ９のカットオフ周波
数は、前記信号検出手段の信号帯域より充分高く、かつ
前記レーザ雑音低減手段の発振周波数より充分低く設定
されている。前記信号検出手段の出力には、前記レーザ
雑音低減手段５から発生する不要な高周波成分が含まれ
ている。しかし、本実施例においては、前記高周波成分
のほとんどは前記ローパスフィルタ９の働きで除去さ
れ、前記前置増幅器に入力されることはない。特に、本
実施例では光半導体素子の出力端子で既に高周波ノイズ
が除去されているので、そこから先の配線上での２次的
なノイズの輻射が起こる心配がない。また、本実施例の
光半導体素子をハイブリットＩＣとして量産すれば、前
記前置増幅器１３の回路構成を簡略にし、かつ部品点数
を削減することができる。一方、前記信号検出手段の本
来の出力は、前記ローパスフィルタ９を損失なく通過
し、前記前置増幅器１３に達することができるため、前
記ローパスフィルタ９を搭載していなかった従来の光ヘ
ッドの性能を損なう事はない。
【００９３】本実施例の光半導体素子を光ヘッドに用い
れば、レーザ雑音低減手段をＯＮした場合に前記信号検
出手段の前記前置増幅器出力がドリフトし、光ヘッドの
正しい制御が阻害されるという従来の光ヘッドでの問題
点を改善することができる。
れば、レーザ雑音低減手段をＯＮした場合に前記信号検
出手段の前記前置増幅器出力がドリフトし、光ヘッドの
正しい制御が阻害されるという従来の光ヘッドでの問題
点を改善することができる。
【００９４】また、前記レーザ雑音低減手段５から漏洩
する高周波が光半導体素子の出力端子以前で低減される
ため、前記前置増幅器１３側で対策する必要がなく、光
ヘッドがさらに小型化・簡略化される。一方、光半導体
素子と前記前置増幅器１３を接続する配線からの高周波
ノイズの輻射も防止され、電磁波の不要輻射の少ない光
ヘッドが実現可能になる。
する高周波が光半導体素子の出力端子以前で低減される
ため、前記前置増幅器１３側で対策する必要がなく、光
ヘッドがさらに小型化・簡略化される。一方、光半導体
素子と前記前置増幅器１３を接続する配線からの高周波
ノイズの輻射も防止され、電磁波の不要輻射の少ない光
ヘッドが実現可能になる。
【００９５】（実施例１０）図２０は、本発明の一実施
例に於ける光半導体素子の構造を示す説明図である。図
１９の実施例では、光半導体素子の信号検出手段の出力
部にローパスフィルタを搭載していたが、レーザ出力検
出手段の出力に搭載されていてもよい。
例に於ける光半導体素子の構造を示す説明図である。図
１９の実施例では、光半導体素子の信号検出手段の出力
部にローパスフィルタを搭載していたが、レーザ出力検
出手段の出力に搭載されていてもよい。
【００９６】図２０の実施例では、前記光半導体素子の
内部に本発明にかかるローパスフィルタ９が取り付けら
れ、前記光半導体素子に一体化されている。図中では、
前記ローパスフィルタ９は小型のコイル部品を用いてい
る。ここで、前記ローパスフィルタ９のカットオフ周波
数は、レーザ出力の制御帯域より充分高く、かつ前記レ
ーザ雑音低減手段の発振周波数より充分低く設定されて
いる。前記レーザ出力検出手段２６の出力には、前記レ
ーザ雑音低減手段５から発生する不要な高周波成分が含
まれている。しかし、本実施例においては、前記高周波
成分のほとんどは前記ローパスフィルタ９の働きで除去
され、前記前置増幅器に入力されることはない。特に、
本実施例では光半導体素子の出力端子で既に高周波ノイ
ズが除去されているので、そこから先の配線上での２次
的なノイズの輻射が起こる心配がない。また、本実施例
の光半導体素子をハイブリットＩＣとして量産すれば、
前記前置増幅器１３の回路構成を簡略にし、かつ部品点
数を削減することができる。一方、前記信号検出手段の
本来の出力は、前記ローパスフィルタ９を損失なく通過
し、前記前置増幅器１３に達することができるため、前
記ローパスフィルタ９を搭載していなかった従来の光ヘ
ッドの性能を損なう事はない。
内部に本発明にかかるローパスフィルタ９が取り付けら
れ、前記光半導体素子に一体化されている。図中では、
前記ローパスフィルタ９は小型のコイル部品を用いてい
る。ここで、前記ローパスフィルタ９のカットオフ周波
数は、レーザ出力の制御帯域より充分高く、かつ前記レ
ーザ雑音低減手段の発振周波数より充分低く設定されて
いる。前記レーザ出力検出手段２６の出力には、前記レ
ーザ雑音低減手段５から発生する不要な高周波成分が含
まれている。しかし、本実施例においては、前記高周波
成分のほとんどは前記ローパスフィルタ９の働きで除去
され、前記前置増幅器に入力されることはない。特に、
本実施例では光半導体素子の出力端子で既に高周波ノイ
ズが除去されているので、そこから先の配線上での２次
的なノイズの輻射が起こる心配がない。また、本実施例
の光半導体素子をハイブリットＩＣとして量産すれば、
前記前置増幅器１３の回路構成を簡略にし、かつ部品点
数を削減することができる。一方、前記信号検出手段の
本来の出力は、前記ローパスフィルタ９を損失なく通過
し、前記前置増幅器１３に達することができるため、前
記ローパスフィルタ９を搭載していなかった従来の光ヘ
ッドの性能を損なう事はない。
【００９７】本実施例の光半導体素子を光ヘッドに用い
れば、レーザ雑音低減手段をＯＮした場合に前記レーザ
出力検出手段２６の前記前置増幅器出力がドリフトし、
レーザ出力の正しい制御が阻害されるという従来の光ヘ
ッドでの問題点を改善することができる。また、前記レ
ーザ雑音低減手段５から漏洩する高周波が光半導体素子
の出力端子以前で低減されるため、前記前置増幅器１３
側で対策する必要がなく、光ヘッドがさらに小型化・簡
略化される。一方、光半導体素子と前記前置増幅器１３
を接続する配線からの高周波ノイズの輻射も防止され、
電磁波の不要輻射の少ない光ヘッドが実現可能になる。
尚、他の動作及び構成については、図１９の実施例と同
様であるので、詳しい説明は省略する。
れば、レーザ雑音低減手段をＯＮした場合に前記レーザ
出力検出手段２６の前記前置増幅器出力がドリフトし、
レーザ出力の正しい制御が阻害されるという従来の光ヘ
ッドでの問題点を改善することができる。また、前記レ
ーザ雑音低減手段５から漏洩する高周波が光半導体素子
の出力端子以前で低減されるため、前記前置増幅器１３
側で対策する必要がなく、光ヘッドがさらに小型化・簡
略化される。一方、光半導体素子と前記前置増幅器１３
を接続する配線からの高周波ノイズの輻射も防止され、
電磁波の不要輻射の少ない光ヘッドが実現可能になる。
尚、他の動作及び構成については、図１９の実施例と同
様であるので、詳しい説明は省略する。
【００９８】（実施例１１）図２１は、本発明の一実施
例に於ける光半導体素子の構造を示す説明図である。図
１９及び図２０の実施例では、光半導体素子の信号検出
手段及びレーザ出力検出手段の出力部にローパスフィル
タを搭載していたが、光半導体素子上の、前記各検出手
段にバイアスを与える電源入力端子に搭載されていても
よい。
例に於ける光半導体素子の構造を示す説明図である。図
１９及び図２０の実施例では、光半導体素子の信号検出
手段及びレーザ出力検出手段の出力部にローパスフィル
タを搭載していたが、光半導体素子上の、前記各検出手
段にバイアスを与える電源入力端子に搭載されていても
よい。
【００９９】図２１の実施例では、前記光半導体素子の
内部に本発明にかかるローパスフィルタ９が取り付けら
れ、前記光半導体素子に一体化されている。図中では、
前記ローパスフィルタ９は小型のコイル部品を用いてい
る。ここで、前記ローパスフィルタ９のカットオフ周波
数は、前記信号検出手段の帯域及びレーザ出力の制御帯
域より充分高く、かつ前記レーザ雑音低減手段の発振周
波数より充分低く設定されている。前記電源端子の入力
には、前記レーザ雑音低減手段５から発生する不要な高
周波成分が含まれている。これが前記各検出手段の出力
に漏洩する恐れがある。しかし、本実施例においては、
前記高周波成分のほとんどは前記ローパスフィルタ９の
働きで除去され、前記光半導体素子に入力されることは
ない。本実施例の光半導体素子をハイブリットＩＣとし
て量産すれば、前記前置増幅器１３の回路構成を簡略に
し、かつ部品点数を削減することができる。一方、前記
バイアス電圧は、前記ローパスフィルタ９を損失なく通
過し、前記各検出手段に達することができるため、前記
ローパスフィルタ９を搭載していなかった従来の光ヘッ
ドの性能を損なう事はない。
内部に本発明にかかるローパスフィルタ９が取り付けら
れ、前記光半導体素子に一体化されている。図中では、
前記ローパスフィルタ９は小型のコイル部品を用いてい
る。ここで、前記ローパスフィルタ９のカットオフ周波
数は、前記信号検出手段の帯域及びレーザ出力の制御帯
域より充分高く、かつ前記レーザ雑音低減手段の発振周
波数より充分低く設定されている。前記電源端子の入力
には、前記レーザ雑音低減手段５から発生する不要な高
周波成分が含まれている。これが前記各検出手段の出力
に漏洩する恐れがある。しかし、本実施例においては、
前記高周波成分のほとんどは前記ローパスフィルタ９の
働きで除去され、前記光半導体素子に入力されることは
ない。本実施例の光半導体素子をハイブリットＩＣとし
て量産すれば、前記前置増幅器１３の回路構成を簡略に
し、かつ部品点数を削減することができる。一方、前記
バイアス電圧は、前記ローパスフィルタ９を損失なく通
過し、前記各検出手段に達することができるため、前記
ローパスフィルタ９を搭載していなかった従来の光ヘッ
ドの性能を損なう事はない。
【０１００】本実施例の光半導体素子を光ヘッドに用い
れば、レーザ雑音低減手段をＯＮした場合に前記レーザ
出力検出手段２６の前記前置増幅器出力がドリフトし、
レーザ出力の正しい制御が阻害されるという従来の光ヘ
ッドでの問題点を改善することができる。また、前記レ
ーザ雑音低減手段５から漏洩する高周波が光半導体素子
の入力端子で低減されるため、前記前置増幅器１３側で
対策する必要がなく、光ヘッドがさらに小型化・簡略化
される。尚、他の動作及び構成については、図１９の実
施例と同様であるので、詳しい説明は省略する。
れば、レーザ雑音低減手段をＯＮした場合に前記レーザ
出力検出手段２６の前記前置増幅器出力がドリフトし、
レーザ出力の正しい制御が阻害されるという従来の光ヘ
ッドでの問題点を改善することができる。また、前記レ
ーザ雑音低減手段５から漏洩する高周波が光半導体素子
の入力端子で低減されるため、前記前置増幅器１３側で
対策する必要がなく、光ヘッドがさらに小型化・簡略化
される。尚、他の動作及び構成については、図１９の実
施例と同様であるので、詳しい説明は省略する。
【０１０１】（実施例１２）図２２は、本発明の一実施
例に於ける光半導体素子の構造を示す説明図である。図
１９及び図２０の実施例では、光半導体素子の信号検出
手段及びレーザ出力検出手段の出力部にローパスフィル
タを搭載していたが、光半導体素子上のグランド端子に
搭載されていてもよい。
例に於ける光半導体素子の構造を示す説明図である。図
１９及び図２０の実施例では、光半導体素子の信号検出
手段及びレーザ出力検出手段の出力部にローパスフィル
タを搭載していたが、光半導体素子上のグランド端子に
搭載されていてもよい。
【０１０２】図２１に示す様な光半導体素子では、通常
ウエハ２７上の各検出手段の周囲に形成される不要なフ
ォトダイオードのアノード端子をグランドに接続するた
めの、グランド端子を具備している。この端子に前記レ
ーザ雑音低減手段５で発生する高周波雑音が漏洩した場
合、やはり前置増幅器においてドリフト等の問題が発生
する。図２１の実施例では、前記光半導体素子の内部の
グランドラインに本発明にかかるローパスフィルタ９が
取り付けられ、前記光半導体素子に一体化されている。
図中では、前記ローパスフィルタ９は小型のコイル部品
を用いている。ここで、前記ローパスフィルタ９のカッ
トオフ周波数は、前記信号検出手段の帯域及びレーザ出
力の制御帯域より充分高く、かつ前記レーザ雑音低減手
段の発振周波数より充分低く設定されている。前記グラ
ンド端子の入力には、前記レーザ雑音低減手段５から発
生する不要な高周波成分が含まれている。これが前記各
検出手段の出力に漏洩する恐れがある。しかし、本実施
例においては、前記高周波成分のほとんどは前記ローパ
スフィルタ９の働きで除去され、前記光半導体素子に入
力されることはない。本実施例の光半導体素子をハイブ
リットＩＣとして量産すれば、前記前置増幅器の回路構
成を簡略にし、かつ部品点数を削減することができる。
一方、前記バイアス電圧は、前記ローパスフィルタ９を
損失なく通過し、前記各検出手段に達することができる
ため、前記ローパスフィルタ９を搭載していなかった従
来の光ヘッドの性能を損なう事はない。
ウエハ２７上の各検出手段の周囲に形成される不要なフ
ォトダイオードのアノード端子をグランドに接続するた
めの、グランド端子を具備している。この端子に前記レ
ーザ雑音低減手段５で発生する高周波雑音が漏洩した場
合、やはり前置増幅器においてドリフト等の問題が発生
する。図２１の実施例では、前記光半導体素子の内部の
グランドラインに本発明にかかるローパスフィルタ９が
取り付けられ、前記光半導体素子に一体化されている。
図中では、前記ローパスフィルタ９は小型のコイル部品
を用いている。ここで、前記ローパスフィルタ９のカッ
トオフ周波数は、前記信号検出手段の帯域及びレーザ出
力の制御帯域より充分高く、かつ前記レーザ雑音低減手
段の発振周波数より充分低く設定されている。前記グラ
ンド端子の入力には、前記レーザ雑音低減手段５から発
生する不要な高周波成分が含まれている。これが前記各
検出手段の出力に漏洩する恐れがある。しかし、本実施
例においては、前記高周波成分のほとんどは前記ローパ
スフィルタ９の働きで除去され、前記光半導体素子に入
力されることはない。本実施例の光半導体素子をハイブ
リットＩＣとして量産すれば、前記前置増幅器の回路構
成を簡略にし、かつ部品点数を削減することができる。
一方、前記バイアス電圧は、前記ローパスフィルタ９を
損失なく通過し、前記各検出手段に達することができる
ため、前記ローパスフィルタ９を搭載していなかった従
来の光ヘッドの性能を損なう事はない。
【０１０３】本実施例の光半導体素子を光ヘッドに用い
れば、レーザ雑音低減手段をＯＮした場合に前記レーザ
出力検出手段２６の前記前置増幅器出力がドリフトし、
レーザ出力の正しい制御が阻害されるという従来の光ヘ
ッドでの問題点を改善することができる。また、前記レ
ーザ雑音低減手段５から漏洩する高周波が光半導体素子
の入力端子で低減されるため、前記前置増幅器１３側で
対策する必要がなく、光ヘッドがさらに小型化・簡略化
される。尚、他の動作及び構成については、図１９の実
施例と同様であるので、詳しい説明は省略する。
れば、レーザ雑音低減手段をＯＮした場合に前記レーザ
出力検出手段２６の前記前置増幅器出力がドリフトし、
レーザ出力の正しい制御が阻害されるという従来の光ヘ
ッドでの問題点を改善することができる。また、前記レ
ーザ雑音低減手段５から漏洩する高周波が光半導体素子
の入力端子で低減されるため、前記前置増幅器１３側で
対策する必要がなく、光ヘッドがさらに小型化・簡略化
される。尚、他の動作及び構成については、図１９の実
施例と同様であるので、詳しい説明は省略する。
【０１０４】（実施例１３）図２３は、本発明の一実施
例に於ける光半導体素子の構造を示す説明図である。図
１９及び図２０の実施例では、ローパスフィルタとして
小型コイル部品を搭載していた。しかし、前記ローパス
フィルタ９は、カットオフ周波数がレーザ出力の制御帯
域または信号帯域より充分高く、かつ前記レーザ雑音低
減手段の発振周波数より充分低い低域通過手段であれ
ば、いかなるものであっても良い。例えば、図２３示す
様に、各検出手段の出力線をフェライトブロックで覆っ
たものでもよい。本実施例によれば、簡単にローパスフ
ィルタ９を形成することができる。また、図１９の実施
例よりローコストな光半導体素子を作ることができる。
尚、他の動作及び構成については、図１９の実施例と同
様であるので、詳しい説明は省略する。
例に於ける光半導体素子の構造を示す説明図である。図
１９及び図２０の実施例では、ローパスフィルタとして
小型コイル部品を搭載していた。しかし、前記ローパス
フィルタ９は、カットオフ周波数がレーザ出力の制御帯
域または信号帯域より充分高く、かつ前記レーザ雑音低
減手段の発振周波数より充分低い低域通過手段であれ
ば、いかなるものであっても良い。例えば、図２３示す
様に、各検出手段の出力線をフェライトブロックで覆っ
たものでもよい。本実施例によれば、簡単にローパスフ
ィルタ９を形成することができる。また、図１９の実施
例よりローコストな光半導体素子を作ることができる。
尚、他の動作及び構成については、図１９の実施例と同
様であるので、詳しい説明は省略する。
【０１０５】（実施例１４）図２４は、本発明の一実施
例に於ける光半導体素子の構造を示す説明図である。前
記ローパスフィルタ９は、カットオフ周波数がレーザ出
力の制御帯域または信号帯域より充分高く、かつ前記レ
ーザ雑音低減手段の発振周波数より充分低い低域通過手
段であれば、いかなるものであっても良い。例えば、前
記光半導体素子の各検出手段の出力線上に、絶縁膜を介
して磁性体を塗布し、不要な高周波成分を熱に変換して
除去してもよい。本実施例によれば、簡単にローパスフ
ィルタ９を形成することができる。また、図１９の実施
例よりローコストな光半導体素子を作ることができる。
例に於ける光半導体素子の構造を示す説明図である。前
記ローパスフィルタ９は、カットオフ周波数がレーザ出
力の制御帯域または信号帯域より充分高く、かつ前記レ
ーザ雑音低減手段の発振周波数より充分低い低域通過手
段であれば、いかなるものであっても良い。例えば、前
記光半導体素子の各検出手段の出力線上に、絶縁膜を介
して磁性体を塗布し、不要な高周波成分を熱に変換して
除去してもよい。本実施例によれば、簡単にローパスフ
ィルタ９を形成することができる。また、図１９の実施
例よりローコストな光半導体素子を作ることができる。
【０１０６】本方式によれば、図１９の実施例と同様の
効果が得られる他、前記磁性体の塗布はディッピングあ
るいは印刷法で容易に行うことができるので、少ない工
数で前記ローパスフィルタ９を形成することができる。
そのため、やはり小型でローコストの光ヘッドの実現を
可能にする。尚、他の動作及び構成については、図１９
の実施例と同様であるので、詳しい説明は省略する。
効果が得られる他、前記磁性体の塗布はディッピングあ
るいは印刷法で容易に行うことができるので、少ない工
数で前記ローパスフィルタ９を形成することができる。
そのため、やはり小型でローコストの光ヘッドの実現を
可能にする。尚、他の動作及び構成については、図１９
の実施例と同様であるので、詳しい説明は省略する。
【０１０７】（実施例１５）図２５は、本発明の一実施
例に於ける光半導体素子の構造を示す説明図である。前
記ローパスフィルタ９は、カットオフ周波数がレーザ出
力の制御帯域または信号帯域より充分高く、かつ前記レ
ーザ雑音低減手段の発振周波数より充分低い低域通過手
段であれば、いかなるものであっても良い。例えば、図
２５示す様に、ウエハ２７上の、前記各検出手段の入力
端子に接続される各配線パターンを、高いインダクタン
スを持つ様な形状とし、不要な高周波成分を除去しても
よい。本方式によれば、工数を特に増やすことなく、簡
単な方法でローパスフィルタ９を形成することができ、
図１９の実施例と同様に、小型でローコストな光ヘッド
を実現できる。尚、他の動作及び構成については、図１
９の実施例と同様であるので、詳しい説明は省略する。
例に於ける光半導体素子の構造を示す説明図である。前
記ローパスフィルタ９は、カットオフ周波数がレーザ出
力の制御帯域または信号帯域より充分高く、かつ前記レ
ーザ雑音低減手段の発振周波数より充分低い低域通過手
段であれば、いかなるものであっても良い。例えば、図
２５示す様に、ウエハ２７上の、前記各検出手段の入力
端子に接続される各配線パターンを、高いインダクタン
スを持つ様な形状とし、不要な高周波成分を除去しても
よい。本方式によれば、工数を特に増やすことなく、簡
単な方法でローパスフィルタ９を形成することができ、
図１９の実施例と同様に、小型でローコストな光ヘッド
を実現できる。尚、他の動作及び構成については、図１
９の実施例と同様であるので、詳しい説明は省略する。
【０１０８】（実施例１６）光ディスク装置では、レー
ザダイオードから出射したレーザ光が光ディスク及び光
ヘッド内部の光学系で反射され、再び前記レーザダイオ
ードに入射することによって各信号出力に雑音を生ずる
という現象が問題となる。本発明の光ヘッドを用いて光
ディスク装置を構成した場合、レーザ雑音低減手段の働
きにより前記雑音の発生が防止され、かつ前記レーザ雑
音低減手段からの高周波雑音はローパスフィルタの働き
で信号検出系に漏洩しないので、フォーカシングサー
ボ、トラッキングサーボが安定になり、読みだし信号の
品質も向上する。その結果、読み取りエラーも減少し、
より完成度の高い光ディスク装置を供給することができ
る。また、本発明の光ヘッドでは、前置増幅器に入力さ
れる高周波雑音が低減されるので、光ヘッドと光ディス
ク装置を接続する接続線からの雑音の放射も少ない。よ
って本発明の光ヘッドを用いれば、不要放射雑音の少な
い光ディスク装置を提供することが可能となる。
ザダイオードから出射したレーザ光が光ディスク及び光
ヘッド内部の光学系で反射され、再び前記レーザダイオ
ードに入射することによって各信号出力に雑音を生ずる
という現象が問題となる。本発明の光ヘッドを用いて光
ディスク装置を構成した場合、レーザ雑音低減手段の働
きにより前記雑音の発生が防止され、かつ前記レーザ雑
音低減手段からの高周波雑音はローパスフィルタの働き
で信号検出系に漏洩しないので、フォーカシングサー
ボ、トラッキングサーボが安定になり、読みだし信号の
品質も向上する。その結果、読み取りエラーも減少し、
より完成度の高い光ディスク装置を供給することができ
る。また、本発明の光ヘッドでは、前置増幅器に入力さ
れる高周波雑音が低減されるので、光ヘッドと光ディス
ク装置を接続する接続線からの雑音の放射も少ない。よ
って本発明の光ヘッドを用いれば、不要放射雑音の少な
い光ディスク装置を提供することが可能となる。
【０１０９】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、次に
示す様な効果がもたらされる。
示す様な効果がもたらされる。
【０１１０】（１）本発明においては、前置増幅器と前
記信号検出手段の間には本発明にかかる帯域制限手段が
取り付けられている。さらに、前記帯域制限手段のカッ
トオフ周波数を、前記信号検出手段の信号帯域より充分
高く、かつ前記レーザ雑音低減手段の発振周波数より充
分低く設定し、前記レーザ雑音低減手段から漏洩する高
周波雑音を前記前置増幅器の許容入力レベル以下まで減
衰させたことにより、前記前置増幅器で前記高周波雑音
の波形が歪むことはない。そのため、レーザ雑音低減手
段を駆動した場合に前記前置増幅器の動作が不安定にな
ったり、前記信号検出手段の前記前置増幅器出力がドリ
フトしたりして、光ヘッドの正しい位置制御が阻害され
たりするという問題点を改善することができる。また、
レーザ雑音低減効果を充分に得るために比較的大きな出
力の前記レーザ雑音低減手段を光ヘッドに用いても、前
記ドリフト量は非常に小さなものとなるため、従来の性
能を損なうことなく低雑音の光ヘッドを提供することが
出来る。
記信号検出手段の間には本発明にかかる帯域制限手段が
取り付けられている。さらに、前記帯域制限手段のカッ
トオフ周波数を、前記信号検出手段の信号帯域より充分
高く、かつ前記レーザ雑音低減手段の発振周波数より充
分低く設定し、前記レーザ雑音低減手段から漏洩する高
周波雑音を前記前置増幅器の許容入力レベル以下まで減
衰させたことにより、前記前置増幅器で前記高周波雑音
の波形が歪むことはない。そのため、レーザ雑音低減手
段を駆動した場合に前記前置増幅器の動作が不安定にな
ったり、前記信号検出手段の前記前置増幅器出力がドリ
フトしたりして、光ヘッドの正しい位置制御が阻害され
たりするという問題点を改善することができる。また、
レーザ雑音低減効果を充分に得るために比較的大きな出
力の前記レーザ雑音低減手段を光ヘッドに用いても、前
記ドリフト量は非常に小さなものとなるため、従来の性
能を損なうことなく低雑音の光ヘッドを提供することが
出来る。
【０１１１】（２）また、本発明の光ヘッドでは、前記
前置増幅器とレーザ出力検出手段との間に帯域制限手段
が設られいる。さらに、前記帯域制限手段のカットオフ
周波数を、前記レーザ出力検出手段の信号帯域より充分
高く、かつ前記レーザ雑音低減手段の発振周波数より充
分低く設定し、前記レーザ雑音低減手段から漏洩する高
周波雑音を前記前置増幅器の許容入力レベル以下まで減
衰させたことにより、前記前置増幅器で前記高周波雑音
の波形が歪むことはない。その結果、レーザ雑音低減手
段を駆動した場合に前記前置増幅器の動作が不安定にな
ったり、前記レーザ出力検出手段の前記前置増幅器出力
がドリフトしたりして、レーザ出力の正しい制御が阻害
されるという従来の光ヘッドでの問題点を改善すること
ができる。また、レーザ雑音低減効果を充分に得るため
に比較的大きな出力の前記レーザ雑音低減手段を光ヘッ
ドに用いても、前記ドリフト量は非常に小さなものとな
るため、従来の性能を損なうことなく低雑音の光ヘッド
を提供することが出来る。
前置増幅器とレーザ出力検出手段との間に帯域制限手段
が設られいる。さらに、前記帯域制限手段のカットオフ
周波数を、前記レーザ出力検出手段の信号帯域より充分
高く、かつ前記レーザ雑音低減手段の発振周波数より充
分低く設定し、前記レーザ雑音低減手段から漏洩する高
周波雑音を前記前置増幅器の許容入力レベル以下まで減
衰させたことにより、前記前置増幅器で前記高周波雑音
の波形が歪むことはない。その結果、レーザ雑音低減手
段を駆動した場合に前記前置増幅器の動作が不安定にな
ったり、前記レーザ出力検出手段の前記前置増幅器出力
がドリフトしたりして、レーザ出力の正しい制御が阻害
されるという従来の光ヘッドでの問題点を改善すること
ができる。また、レーザ雑音低減効果を充分に得るため
に比較的大きな出力の前記レーザ雑音低減手段を光ヘッ
ドに用いても、前記ドリフト量は非常に小さなものとな
るため、従来の性能を損なうことなく低雑音の光ヘッド
を提供することが出来る。
【０１１２】（３）また、本発明の光ヘッドでは、前記
各検出手段のコモン端子と前記前置増幅器の電源端子と
の間に帯域制限手段が設られている。さらに、前記帯域
制限手段のカットオフ周波数を、前記各検出手段の信号
帯域より充分高く、かつ前記レーザ雑音低減手段の発振
周波数より充分低く設定し、前記レーザ雑音低減手段か
ら漏洩する高周波雑音を前記前置増幅器の許容入力レベ
ル以下まで減衰させたことにより、前記前置増幅器で前
記高周波雑音の波形が歪むことはない。そのため、レー
ザ雑音低減手段を駆動した場合に前記前置増幅器の動作
が不安定になったり、前記信号検出手段の前記前置増幅
器出力がドリフトし、光ヘッドの正しい位置制御が阻害
されたり、前記レーザ出力検出手段の前記前置増幅器出
力がドリフトし、レーザ出力の正しい制御が阻害された
りするという従来の光ヘッドでの問題点を改善すること
ができる。また、レーザ雑音低減効果を充分に得るため
に比較的大きな出力の前記レーザ雑音低減手段を光ヘッ
ドに用いても、前記ドリフト量は非常に小さなものとな
るため、従来の性能を損なうことなく低雑音の光ヘッド
を提供することが出来る。
各検出手段のコモン端子と前記前置増幅器の電源端子と
の間に帯域制限手段が設られている。さらに、前記帯域
制限手段のカットオフ周波数を、前記各検出手段の信号
帯域より充分高く、かつ前記レーザ雑音低減手段の発振
周波数より充分低く設定し、前記レーザ雑音低減手段か
ら漏洩する高周波雑音を前記前置増幅器の許容入力レベ
ル以下まで減衰させたことにより、前記前置増幅器で前
記高周波雑音の波形が歪むことはない。そのため、レー
ザ雑音低減手段を駆動した場合に前記前置増幅器の動作
が不安定になったり、前記信号検出手段の前記前置増幅
器出力がドリフトし、光ヘッドの正しい位置制御が阻害
されたり、前記レーザ出力検出手段の前記前置増幅器出
力がドリフトし、レーザ出力の正しい制御が阻害された
りするという従来の光ヘッドでの問題点を改善すること
ができる。また、レーザ雑音低減効果を充分に得るため
に比較的大きな出力の前記レーザ雑音低減手段を光ヘッ
ドに用いても、前記ドリフト量は非常に小さなものとな
るため、従来の性能を損なうことなく低雑音の光ヘッド
を提供することが出来る。
【０１１３】（４）また、本発明の光ヘッドでは、前記
各検出手段の接地端子と前記前置増幅器の接地端子との
間に帯域制限手段が設られている。さらに、前記帯域制
限手段のカットオフ周波数を、前記各検出手段の信号帯
域より充分高く、かつ前記レーザ雑音低減手段の発振周
波数より充分低く設定し、前記レーザ雑音低減手段から
漏洩する高周波雑音を前記前置増幅器の許容入力レベル
以下まで減衰させたことにより、前記前置増幅器で前記
高周波雑音の波形が歪むことはない。そのため、レーザ
雑音低減手段を駆動した場合に前記前置増幅器の動作が
不安定になったり、前記信号検出手段の前記前置増幅器
出力がドリフトし、光ヘッドの正しい位置制御が阻害さ
れたり、前記レーザ出力検出手段の前記前置増幅器出力
がドリフトし、レーザ出力の正しい制御が阻害されると
いう従来の光ヘッドでの問題点を改善することができ
る。また、レーザ雑音低減効果を充分に得るために比較
的大きな出力の前記レーザ雑音低減手段を光ヘッドに用
いても、前記ドリフト量は非常に小さなものとなるた
め、従来の性能を損なうことなく低雑音の光ヘッドを提
供することが出来る。
各検出手段の接地端子と前記前置増幅器の接地端子との
間に帯域制限手段が設られている。さらに、前記帯域制
限手段のカットオフ周波数を、前記各検出手段の信号帯
域より充分高く、かつ前記レーザ雑音低減手段の発振周
波数より充分低く設定し、前記レーザ雑音低減手段から
漏洩する高周波雑音を前記前置増幅器の許容入力レベル
以下まで減衰させたことにより、前記前置増幅器で前記
高周波雑音の波形が歪むことはない。そのため、レーザ
雑音低減手段を駆動した場合に前記前置増幅器の動作が
不安定になったり、前記信号検出手段の前記前置増幅器
出力がドリフトし、光ヘッドの正しい位置制御が阻害さ
れたり、前記レーザ出力検出手段の前記前置増幅器出力
がドリフトし、レーザ出力の正しい制御が阻害されると
いう従来の光ヘッドでの問題点を改善することができ
る。また、レーザ雑音低減効果を充分に得るために比較
的大きな出力の前記レーザ雑音低減手段を光ヘッドに用
いても、前記ドリフト量は非常に小さなものとなるた
め、従来の性能を損なうことなく低雑音の光ヘッドを提
供することが出来る。
【０１１４】（５）前記前置増幅器の入力端子のうち、
前記各検出手段に接続される端子以外の端子に帯域制限
手段を設け、レーザ雑音低減手段から漏洩する高周波雑
音を前記前置増幅器の許容入力レベル以下に低減した場
合、前記帯域制限手段を挿入した入力端子に関わる出力
は、やはり前記レーザ雑音低減手段から漏洩する高周波
の影響を回避する事ができる。例えば、光ヘッド内に温
度検出手段を設置し、前記前置増幅器を用いて増幅して
出力する場合、前記温度検出手段と前記前置増幅器の間
に前記帯域制限手段を挿入すれば、前記レーザ雑音低減
手段駆動時に温度検出信号がドリフトし、誤った検出を
行ったりすることはない。また、光ヘッド内にレンズホ
ルダ位置検出手段を設置し、前記前置増幅器を用いて増
幅して出力する場合、前記レンズホルダ位置検出手段と
前記前置増幅器の間に前記帯域制限手段を挿入すれば、
前記レーザ雑音低減手段駆動時にレンズホルダ位置検出
信号がドリフトし、誤った検出を行ったりすることはな
い。
前記各検出手段に接続される端子以外の端子に帯域制限
手段を設け、レーザ雑音低減手段から漏洩する高周波雑
音を前記前置増幅器の許容入力レベル以下に低減した場
合、前記帯域制限手段を挿入した入力端子に関わる出力
は、やはり前記レーザ雑音低減手段から漏洩する高周波
の影響を回避する事ができる。例えば、光ヘッド内に温
度検出手段を設置し、前記前置増幅器を用いて増幅して
出力する場合、前記温度検出手段と前記前置増幅器の間
に前記帯域制限手段を挿入すれば、前記レーザ雑音低減
手段駆動時に温度検出信号がドリフトし、誤った検出を
行ったりすることはない。また、光ヘッド内にレンズホ
ルダ位置検出手段を設置し、前記前置増幅器を用いて増
幅して出力する場合、前記レンズホルダ位置検出手段と
前記前置増幅器の間に前記帯域制限手段を挿入すれば、
前記レーザ雑音低減手段駆動時にレンズホルダ位置検出
信号がドリフトし、誤った検出を行ったりすることはな
い。
【０１１５】（６）前記帯域制限手段を一般に入手可能
なコイル部品を用いて実現した場合、簡単にローパスフ
ィルタを形成され、大きなコストアップなしに不要な高
周波雑音を除去する事ができる。即ち、レーザ雑音低減
手段を駆動した際でも、正常なレーザ出力制御及び光ヘ
ッドの位置制御が可能な小型光ヘッドを実現できる。
なコイル部品を用いて実現した場合、簡単にローパスフ
ィルタを形成され、大きなコストアップなしに不要な高
周波雑音を除去する事ができる。即ち、レーザ雑音低減
手段を駆動した際でも、正常なレーザ出力制御及び光ヘ
ッドの位置制御が可能な小型光ヘッドを実現できる。
【０１１６】（７）前記前置増幅器に入力される各線を
磁性体ブロックに通し、簡易的な帯域制限手段を形成し
た場合、同様に、不要な高周波雑音を除去することがで
き、レーザ雑音低減手段を駆動した際でも、正常なレー
ザ出力制御及び光ヘッドの位置制御が可能な小型光ヘッ
ドを実現できる。さらに、はるかに簡略かつローコスト
な帯域制限手段を形成できるため、光ヘッドの製造工数
の削減及びコストダウンが可能になる。
磁性体ブロックに通し、簡易的な帯域制限手段を形成し
た場合、同様に、不要な高周波雑音を除去することがで
き、レーザ雑音低減手段を駆動した際でも、正常なレー
ザ出力制御及び光ヘッドの位置制御が可能な小型光ヘッ
ドを実現できる。さらに、はるかに簡略かつローコスト
な帯域制限手段を形成できるため、光ヘッドの製造工数
の削減及びコストダウンが可能になる。
【０１１７】（８）前記前置増幅器に入力される各線上
に、絶縁膜を介して磁性体を塗布することにより帯域制
限手段を形成した場合、簡単な構成で不要な高周波成分
を熱に変換して除去する事ができるので、やはりレーザ
雑音低減手段を駆動した際でも、正常なレーザ出力制御
及び光ヘッドの位置制御が可能な小型光ヘッドを実現で
きる。さらに、少ない工数で前記帯域制限手段を形成す
ることができるため、一層小型でローコストの光ヘッド
の実現が可能になる。
に、絶縁膜を介して磁性体を塗布することにより帯域制
限手段を形成した場合、簡単な構成で不要な高周波成分
を熱に変換して除去する事ができるので、やはりレーザ
雑音低減手段を駆動した際でも、正常なレーザ出力制御
及び光ヘッドの位置制御が可能な小型光ヘッドを実現で
きる。さらに、少ない工数で前記帯域制限手段を形成す
ることができるため、一層小型でローコストの光ヘッド
の実現が可能になる。
【０１１８】（９）前記前置増幅器に入力される各線
を、高いインピーダンスを有する様な形状や配線パター
ンにすることにより、簡易的にインダクタを形成して帯
域制限手段とした場合、簡単な構成で不要な高周波成分
を除去する事ができるので、同様にレーザ雑音低減手段
を駆動した際でも、正常なレーザ出力制御及び光ヘッド
の位置制御が可能な小型光ヘッドを実現できる。さらに
この場合、工数を増やすことなく前記前置増幅器の基板
設計と同時に前記帯域制限手段を形成することができる
ため、一層小型でローコストの光ヘッドの実現が可能に
なる。
を、高いインピーダンスを有する様な形状や配線パター
ンにすることにより、簡易的にインダクタを形成して帯
域制限手段とした場合、簡単な構成で不要な高周波成分
を除去する事ができるので、同様にレーザ雑音低減手段
を駆動した際でも、正常なレーザ出力制御及び光ヘッド
の位置制御が可能な小型光ヘッドを実現できる。さらに
この場合、工数を増やすことなく前記前置増幅器の基板
設計と同時に前記帯域制限手段を形成することができる
ため、一層小型でローコストの光ヘッドの実現が可能に
なる。
【０１１９】（１０）ローパスフィルタを光半導体素子
の信号検出手段の出力部に搭載し、信号検出手段の出力
に含まれる前記レーザ雑音低減手段５から発生する不要
な高周波成分を除去することにより、やはり前置増幅器
でのノイズによるドリフト等の問題を解消することがで
きると共に、前記信号検出手段と前記前置増幅器の配線
上での２次的なノイズの輻射を防止することができる。
また、本実施例の光半導体素子をハイブリットＩＣとし
て量産すれば、前記前置増幅器側に前記ローパスフィル
タを持つ必要がないので、前記前置増幅器１３の回路構
成を簡略にし、かつ部品点数を削減することができる。
の信号検出手段の出力部に搭載し、信号検出手段の出力
に含まれる前記レーザ雑音低減手段５から発生する不要
な高周波成分を除去することにより、やはり前置増幅器
でのノイズによるドリフト等の問題を解消することがで
きると共に、前記信号検出手段と前記前置増幅器の配線
上での２次的なノイズの輻射を防止することができる。
また、本実施例の光半導体素子をハイブリットＩＣとし
て量産すれば、前記前置増幅器側に前記ローパスフィル
タを持つ必要がないので、前記前置増幅器１３の回路構
成を簡略にし、かつ部品点数を削減することができる。
【０１２０】（１１）同様に、ローパスフィルタを光半
導体素子のレーザ出力検出手段の出力部に搭載し、レー
ザ出力検出手段の出力に含まれる前記レーザ雑音低減手
段５から発生する不要な高周波成分を除去することによ
り、やはり前置増幅器でのノイズによるドリフト等の問
題を解消することができると共に、レーザ出力検出手段
と前記前置増幅器の配線上での２次的なノイズの輻射を
防止することができる。また、本実施例の光半導体素子
をハイブリットＩＣとして量産すれば、前記前置増幅器
側に前記ローパスフィルタを持つ必要がないので、前記
前置増幅器１３の回路構成を簡略にし、かつ部品点数を
削減することができる。
導体素子のレーザ出力検出手段の出力部に搭載し、レー
ザ出力検出手段の出力に含まれる前記レーザ雑音低減手
段５から発生する不要な高周波成分を除去することによ
り、やはり前置増幅器でのノイズによるドリフト等の問
題を解消することができると共に、レーザ出力検出手段
と前記前置増幅器の配線上での２次的なノイズの輻射を
防止することができる。また、本実施例の光半導体素子
をハイブリットＩＣとして量産すれば、前記前置増幅器
側に前記ローパスフィルタを持つ必要がないので、前記
前置増幅器１３の回路構成を簡略にし、かつ部品点数を
削減することができる。
【０１２１】（１２）同様に、ローパスフィルタを光半
導体素子のグランド端子に挿入し、各検出手段の出力に
含まれる前記レーザ雑音低減手段５から発生する不要な
高周波成分がグランドラインを通して前置増幅器に入り
込むの防止することにより、やはり前置増幅器でのノイ
ズによるドリフト等の問題を解消することができると共
に、レーザ出力検出手段と前記前置増幅器の配線上での
２次的なノイズの輻射を防止することができる。また、
本実施例の光半導体素子をハイブリットＩＣとして量産
すれば、前記前置増幅器側に前記ローパスフィルタを持
つ必要がないので、前記前置増幅器１３の回路構成を簡
略にし、かつ部品点数を削減することができる。
導体素子のグランド端子に挿入し、各検出手段の出力に
含まれる前記レーザ雑音低減手段５から発生する不要な
高周波成分がグランドラインを通して前置増幅器に入り
込むの防止することにより、やはり前置増幅器でのノイ
ズによるドリフト等の問題を解消することができると共
に、レーザ出力検出手段と前記前置増幅器の配線上での
２次的なノイズの輻射を防止することができる。また、
本実施例の光半導体素子をハイブリットＩＣとして量産
すれば、前記前置増幅器側に前記ローパスフィルタを持
つ必要がないので、前記前置増幅器１３の回路構成を簡
略にし、かつ部品点数を削減することができる。
【０１２２】（１３）同様に、ローパスフィルタを光半
導体素子のバイアス電源端子に挿入し、各検出手段の出
力に含まれる前記レーザ雑音低減手段５から発生する不
要な高周波成分が電源ラインを通して前置増幅器に入り
込むの防止することにより、やはり前置増幅器でのノイ
ズによるドリフト等の問題を解消することができると共
に、レーザ出力検出手段と前記前置増幅器の配線上での
２次的なノイズの輻射を防止することができる。また、
本実施例の光半導体素子をハイブリットＩＣとして量産
すれば、前記前置増幅器側に前記ローパスフィルタを持
つ必要がないので、前記前置増幅器１３の回路構成を簡
略にし、かつ部品点数を削減することができる。
導体素子のバイアス電源端子に挿入し、各検出手段の出
力に含まれる前記レーザ雑音低減手段５から発生する不
要な高周波成分が電源ラインを通して前置増幅器に入り
込むの防止することにより、やはり前置増幅器でのノイ
ズによるドリフト等の問題を解消することができると共
に、レーザ出力検出手段と前記前置増幅器の配線上での
２次的なノイズの輻射を防止することができる。また、
本実施例の光半導体素子をハイブリットＩＣとして量産
すれば、前記前置増幅器側に前記ローパスフィルタを持
つ必要がないので、前記前置増幅器１３の回路構成を簡
略にし、かつ部品点数を削減することができる。
【０１２３】（１４）前記光半導体素子の出力部に搭載
する前記ローパスフィルタを、各検出手段の出力線をフ
ェライトブロックで覆うことにより実現してもよく、そ
の場合小型コイル部品を用いるより量産性に優れ、同じ
高周波ノイズ除去効果を持ちながらローコストな光半導
体素子を作ることができる。
する前記ローパスフィルタを、各検出手段の出力線をフ
ェライトブロックで覆うことにより実現してもよく、そ
の場合小型コイル部品を用いるより量産性に優れ、同じ
高周波ノイズ除去効果を持ちながらローコストな光半導
体素子を作ることができる。
【０１２４】（１５）前記光半導体素子の出力部に搭載
する前記ローパスフィルタを、各検出手段の出力線に磁
性体を塗布することにより実現してもよく、その場合小
型コイル部品やフェライトブロックを用いるよりさらに
構成が簡略化され、軽量化される。また量産性にも優れ
るため、同じ高周波ノイズ除去効果を持ちながらローコ
ストな光半導体素子を作ることができる。
する前記ローパスフィルタを、各検出手段の出力線に磁
性体を塗布することにより実現してもよく、その場合小
型コイル部品やフェライトブロックを用いるよりさらに
構成が簡略化され、軽量化される。また量産性にも優れ
るため、同じ高周波ノイズ除去効果を持ちながらローコ
ストな光半導体素子を作ることができる。
【０１２５】（１６）前記光半導体素子の出力部に搭載
する前記ローパスフィルタを、各検出手段の出力線に特
定の引き回し形状を施し、等価的にインダクタを形成す
ることにより実現してもよく、その場合とくに工程を増
やすことなくウエハの製造工程で前記ローパスフィルタ
を作る事ができるため、さらに構成が簡略化され、軽量
化される。また量産性にも優れるため、同じ高周波ノイ
ズ除去効果を持ちながらローコストな光半導体素子を作
ることができる。
する前記ローパスフィルタを、各検出手段の出力線に特
定の引き回し形状を施し、等価的にインダクタを形成す
ることにより実現してもよく、その場合とくに工程を増
やすことなくウエハの製造工程で前記ローパスフィルタ
を作る事ができるため、さらに構成が簡略化され、軽量
化される。また量産性にも優れるため、同じ高周波ノイ
ズ除去効果を持ちながらローコストな光半導体素子を作
ることができる。
【０１２６】（１７）レーザチップと前記信号検出手段
あるいは前記レーザ出力検出手段を複合した光半導体素
子を用いて光ヘッドを構成した場合、小型で構造が簡略
な光ヘッドの実現が可能になる事が最大の利点である。
しかし一方で、前記光半導体素子では前記レーザ雑音低
減手段から前記各検出手段への高周波雑音の漏洩が起こ
りやすい。本発明の構成を用いることにより、前記光半
導体素子の特性を生かした、小型で簡略、またローコス
トな光ヘッドを作る事ができる。
あるいは前記レーザ出力検出手段を複合した光半導体素
子を用いて光ヘッドを構成した場合、小型で構造が簡略
な光ヘッドの実現が可能になる事が最大の利点である。
しかし一方で、前記光半導体素子では前記レーザ雑音低
減手段から前記各検出手段への高周波雑音の漏洩が起こ
りやすい。本発明の構成を用いることにより、前記光半
導体素子の特性を生かした、小型で簡略、またローコス
トな光ヘッドを作る事ができる。
【０１２７】（１８）特にレーザチップと前記信号検出
手段あるいは前記レーザ出力検出手段を複合した光半導
体素子を用いると共に、前置増幅器及びレーザ雑音低減
手段を近接させて配置して小型光ヘッドを構成した場
合、さらに高周波雑音が漏洩しやすくなる。本発明の構
成を用いることにより、前記レーザ雑音低減手段から前
記各検出手段への高周波雑音の漏洩が防止されるので、
超小型の光ヘッドを作る事が可能になる。
手段あるいは前記レーザ出力検出手段を複合した光半導
体素子を用いると共に、前置増幅器及びレーザ雑音低減
手段を近接させて配置して小型光ヘッドを構成した場
合、さらに高周波雑音が漏洩しやすくなる。本発明の構
成を用いることにより、前記レーザ雑音低減手段から前
記各検出手段への高周波雑音の漏洩が防止されるので、
超小型の光ヘッドを作る事が可能になる。
【０１２８】（１９）本発明にかかる光ヘッドを用いて
光学式情報記録再生装置を構成した場合、発振出力が大
きなレーザ雑音低減手段を搭載できるため、レーザ雑音
低減効果を充分に生かした、低雑音の信号検出が可能で
あり、安定した光ヘッドの制御と、高品位な情報の読み
取りが可能になる。その結果、動作が安定で誤り確率が
低い高性能な光学式情報記録再生装置を実現することが
できる。
光学式情報記録再生装置を構成した場合、発振出力が大
きなレーザ雑音低減手段を搭載できるため、レーザ雑音
低減効果を充分に生かした、低雑音の信号検出が可能で
あり、安定した光ヘッドの制御と、高品位な情報の読み
取りが可能になる。その結果、動作が安定で誤り確率が
低い高性能な光学式情報記録再生装置を実現することが
できる。
【図１】本発明の光ヘッドの一実施例の構造を示す説明
図。
図。
【図２】図１の光ヘッドにおけるレンズホルダの構造示
す説明図。
す説明図。
【図３】図１の光ヘッドにおける光半導体素子の詳細を
示す説明図。
示す説明図。
【図４】図１の光ヘッドの電気的回路を示すブロック
図。
図。
【図５】図１の光ヘッドの電気的回路を示す説明図。
【図６】本発明の光ヘッドにおける帯域制限手段の特性
及び作用を示す説明図。
及び作用を示す説明図。
【図７】図１の光ヘッドにおける帯域制限手段の他の実
施例を示す説明図。
施例を示す説明図。
【図８】本発明の光ヘッドの他の一実施例の構造を示す
説明図。
説明図。
【図９】図８の光ヘッドの電気的回路を示すブロック
図。
図。
【図１０】本発明の光ヘッドの他の一実施例の構造を示
す説明図。
す説明図。
【図１１】図１０の光ヘッドの電気的回路を示すブロッ
ク図。
ク図。
【図１２】本発明の光ヘッドの他の一実施例の構造を示
す説明図。
す説明図。
【図１３】図１２光ヘッドの電気的回路を示す説明図。
【図１４】本発明の光ヘッドの他の一実施例の構造を示
す説明図。
す説明図。
【図１５】図１４の光ヘッドの電気的回路を示す説明
図。
図。
【図１６】本発明の光ヘッドの他の一実施例の構造を示
す説明図。
す説明図。
【図１７】本発明の光ヘッドの他の一実施例の構造を示
す説明図。
す説明図。
【図１８】本発明の光ヘッドの他の一実施例の構造を示
す説明図。
す説明図。
【図１９】本発明の光半導体素子の他の一実施例の構造
を示す説明図。
を示す説明図。
【図２０】本発明の光半導体素子の他の一実施例の構造
を示す説明図。
を示す説明図。
【図２１】本発明の光半導体素子の他の一実施例の構造
を示す説明図。
を示す説明図。
【図２２】本発明の光半導体素子の他の一実施例の構造
を示す説明図。
を示す説明図。
【図２３】本発明の光半導体素子の他の一実施例の構造
を示す説明図。
を示す説明図。
【図２４】本発明の光半導体素子の他の一実施例の構造
を示す説明図。
を示す説明図。
【図２５】本発明の光半導体素子の他の一実施例の構造
を示す説明図。
を示す説明図。
【図２６】従来の光ヘッドの構造の一例を示す説明図。
【図２７】従来の光ヘッドの構造の一例を示す説明図。
【図２８】図２７ヘッドにおけるレンズホルダの構造示
す説明図。
す説明図。
【図２９】図２７ヘッドにおける光半導体素子の詳細を
示す説明図。
示す説明図。
【図３０】従来の光ヘッドの電気的回路を示すブロック
図。
図。
【図３１】従来の光ヘッドの問題点を説明するための説
明図。
明図。
【図３２】従来の光ヘッドの問題点を説明するための説
明図。
明図。
１ レンズホルダ ２ 支柱 ３ 支持ばね ４ 磁石 ５ レーザ雑音低減手段 ６ 貫通コンデンサ ７ シールドケース ８ 基板 ９ 帯域制限手段（ローパスフィルタ） １０ 前記前置増幅器と前記レンズホルダ内部を接続す
る線 １１ 前記レーザ雑音低減手段と前記レンズホルダ内部
を接続する線 １２ 前記レーザ雑音低減手段と前記貫通コンデンサを
接続する線 １３ 前置増幅器 １４ 出力線 １５ 対物レンズ １６ 出射窓 １７ フォーカシングコイル １８ トラッキングコイル １９ スリット ２０ はね上げミラー ２１ 回折手段 ２２ 光半導体素子 ２３ レーザチップ ２４ 反射面 ２５ 信号検出手段 ２６ レーザ出力検出手段 ２７ ウエハ ２８ 偏光板 ２９ リード端子 ３０ レーザダイオード駆動電流 ３１ 信号出力 ３２ レーザ出力検出信号 ３３ フェライトブロック ３４ 浮遊容量Ｃ１ ３５ 浮遊容量Ｃ２ ３６ 前置増幅器出力 ３７ フォトダイオード コモン端子 ３８ フォトダイオード ３９ レーザ雑音低減手段電源端子 ４０ 前置増幅器電源端子 ４１ コイル ４２ コンデンサ ４３ 高周波発振器 ４４ レーザ雑音低減手段出力 ４５ 遮断周波数ｆｃ ４６ レーザ雑音低減手段周波数ｆ0 ４７ 線形素子 ４８ 非線形素子 ４９ 直流成分入力 ５０ 交流成分入力 ５１ レーザチップグランド ５２ 前置増幅器グランド ５３ ダミーフォトダイオード ５４ フェライトペースト ５５ プリズム ５６ コリメートレンズ ５７ 半導体レーザダイオード
る線 １１ 前記レーザ雑音低減手段と前記レンズホルダ内部
を接続する線 １２ 前記レーザ雑音低減手段と前記貫通コンデンサを
接続する線 １３ 前置増幅器 １４ 出力線 １５ 対物レンズ １６ 出射窓 １７ フォーカシングコイル １８ トラッキングコイル １９ スリット ２０ はね上げミラー ２１ 回折手段 ２２ 光半導体素子 ２３ レーザチップ ２４ 反射面 ２５ 信号検出手段 ２６ レーザ出力検出手段 ２７ ウエハ ２８ 偏光板 ２９ リード端子 ３０ レーザダイオード駆動電流 ３１ 信号出力 ３２ レーザ出力検出信号 ３３ フェライトブロック ３４ 浮遊容量Ｃ１ ３５ 浮遊容量Ｃ２ ３６ 前置増幅器出力 ３７ フォトダイオード コモン端子 ３８ フォトダイオード ３９ レーザ雑音低減手段電源端子 ４０ 前置増幅器電源端子 ４１ コイル ４２ コンデンサ ４３ 高周波発振器 ４４ レーザ雑音低減手段出力 ４５ 遮断周波数ｆｃ ４６ レーザ雑音低減手段周波数ｆ0 ４７ 線形素子 ４８ 非線形素子 ４９ 直流成分入力 ５０ 交流成分入力 ５１ レーザチップグランド ５２ 前置増幅器グランド ５３ ダミーフォトダイオード ５４ フェライトペースト ５５ プリズム ５６ コリメートレンズ ５７ 半導体レーザダイオード
Claims (31)
- 【請求項１】レーザチップと、光記録媒体からの反射光
を検出する信号検出手段またはレーザチップから出射す
るレーザ光の光量を監視するレーザ出力検出手段または
その両方と、前記信号検出手段または前記レーザ出力検
出手段またはその両方の出力を増幅する前置増幅器と、
レーザダイオード駆動電流に高周波を重畳し、レーザ光
の可干渉性を低下させることによりレーザ雑音を低減さ
せるレーザ雑音低減手段から成る光源ユニットにおい
て、少なくとも１つの前記検出手段と前置増幅器の間に
帯域制限手段が挿入されており、さらに前記帯域制限手
段の通過帯域の上限のカットオフ周波数は、前記レーザ
雑音低減手段の発振周波数より充分低く設定されている
ことを特徴とする光ヘッド。 - 【請求項２】前記信号検出手段と前記前置増幅器との間
に帯域制限手段が挿入されており、さらに前記帯域制限
手段の通過帯域の上限のカットオフ周波数は、信号帯域
より充分高く、かつ前記レーザ雑音低減手段の発振周波
数より充分低く設定されていることを特徴とする請求項
１記載の光ヘッド。 - 【請求項３】前記帯域制限手段は、前記レーザ雑音低減
手段から漏洩する高周波を前記前置増幅器の許容入力レ
ベルより小さいレベルまで低減する特性を有することを
特徴とする請求項２記載の光ヘッド。 - 【請求項４】前記レーザ出力検出手段と前記前置増幅器
との間に帯域制限手段が挿入されており、さらに前記帯
域制限手段の通過帯域の上限のカットオフ周波数は、前
記レーザ出力を制御する帯域より充分高く、かつ前記レ
ーザ雑音低減手段の発振周波数より充分低く設定されて
いることを特徴とする請求項１記載の光ヘッド。 - 【請求項５】前記帯域制限手段は、前記レーザ雑音低減
手段から漏洩する高周波を前記前置増幅器の許容入力レ
ベルより小さいレベルまで低減する特性を有することを
特徴とする請求項４記載の光ヘッド。 - 【請求項６】前記信号検出手段または前記レーザ出力検
出手段またはその両方に供給されるバイアス電源と前記
前置増幅器との間に帯域制限手段が挿入されており、さ
らに前記帯域制限手段の通過帯域の上限のカットオフ周
波数は、前記レーザ雑音低減手段の発振周波数より充分
低く設定されていることを特徴とする請求項１記載の光
ヘッド。 - 【請求項７】前記帯域制限手段は、前記レーザ雑音低減
手段から漏洩する高周波を前記前置増幅器の許容入力レ
ベルより小さいレベルまで低減する特性を有することを
特徴とする請求項６記載の光ヘッド。 - 【請求項８】前記信号検出手段または前記レーザ出力検
出手段またはその両方の接地端子と前記前置増幅器の接
地端子との間に帯域制限手段が挿入されており、さらに
前記帯域制限手段の通過帯域の上限のカットオフ周波数
は、前記レーザ雑音低減手段の発振周波数より充分低く
設定されていることを特徴とする請求項１記載の光ヘッ
ド。 - 【請求項９】前記帯域制限手段は、前記レーザ雑音低減
手段から漏洩する高周波を前記前置増幅器の許容入力レ
ベルより小さいレベルまで低減する特性を有することを
特徴とする請求項８記載の光ヘッド。 - 【請求項１０】前記帯域制限手段は、前記前置増幅器
と、前記信号検出手段または前記レーザ出力検出手段と
の間に挿入されたコイル部品であることを特徴とする請
求項１記載の光ヘッド。 - 【請求項１１】前記帯域制限手段は、前記前置増幅器
と、前記信号検出手段または前記レーザ出力検出手段を
接続する信号線を覆う様に設置された磁性体ブロックで
あることを特徴とする請求項１記載の光ヘッド。 - 【請求項１２】前記帯域制限手段は、前記前置増幅器と
前記信号検出手段または前記レーザ出力検出手段を接続
する信号線に塗布された磁性体であることを特徴とする
請求項１記載の光ヘッド。 - 【請求項１３】前記帯域制限手段は、前記前置増幅器と
前記信号検出手段または前記レーザ出力検出手段を接続
する基板上の配線パターンに特定の形状を施し、周波数
特性をもたせたものであることを特徴とする請求項１記
載の光ヘッド。 - 【請求項１４】レーザチップと、光記録媒体からの反射
光を検出する信号検出手段またはレーザチップから出射
するレーザ光の光量を監視するレーザ出力検出手段また
はその両方と、前記信号検出手段または前記レーザ出力
検出手段またはその両方の出力を増幅する前置増幅器
と、レーザダイオード駆動電流に高周波を重畳し、レー
ザ光の可干渉性を低下させることによりレーザ雑音を低
減させるレーザ雑音低減手段から成る光源ユニットにお
いて、前記レーザチップと、前記信号検出手段または前
記レーザ出力検出手段またはその両方が同一基板上に構
成されており、かつ少なくとも１つの前記各検出手段と
前置増幅器の間に帯域制限手段が挿入されており、さら
に前記帯域制限手段の通過帯域の上限のカットオフ周波
数は、前記レーザ雑音低減手段の発振周波数より充分低
く設定されていて、前記レーザ雑音低減手段から漏洩す
る高周波を前記前置増幅器の許容入力レベルより小さい
レベルまで低減する特性を有することを特徴とする光ヘ
ッド。 - 【請求項１５】レーザチップと、光記録媒体からの反射
光を検出する信号検出手段と、レーザチップから出射す
るレーザ光の光量を監視するレーザ出力検出手段と、前
記信号検出手段及び前記レーザ出力検出手段の出力を増
幅する前置増幅器と、レーザダイオード駆動電流に高周
波を重畳し、レーザ光の可干渉性を低下させることによ
りレーザ雑音を低減させるレーザ雑音低減手段から成る
光源ユニットにおいて、前記レーザチップと、前記信号
検出手段と、前記レーザ出力検出手段が同一シリコンウ
エハ上に構成された光半導体素子を具備し、かつ前記各
検出手段と前置増幅器の間に各１個のコイル部品が挿入
されており、さらに前記コイル部品は、前記レーザ雑音
低減手段から漏洩する高周波を前記前置増幅器の許容入
力レベルより小さいレベルまで低減する特性を有するこ
とを特徴とする光ヘッド。 - 【請求項１６】レーザチップと、光記録媒体からの反射
光を検出する信号検出手段またはレーザチップから出射
するレーザ光の光量を監視するレーザ出力検出手段また
はその両方と、前記信号検出手段または前記レーザ出力
検出手段またはその両方の出力を増幅する前置増幅器
と、レーザダイオード駆動電流に高周波を重畳し、レー
ザ光の可干渉性を低下させることによりレーザ雑音を低
減させるレーザ雑音低減手段から成る光源ユニットにお
いて、前記レーザチップと、前記信号検出手段または前
記レーザ出力検出手段またはその両方が同一基板上に構
成されており、かつ少なくとも１つの前記各検出手段と
出力端子の間に帯域制限手段が挿入されており、さらに
前記帯域制限手段の通過帯域の上限のカットオフ周波数
は、前記レーザ雑音低減手段の発振周波数より充分低く
設定されていることを特徴とする光半導体素子。 - 【請求項１７】前記信号検出手段と前記前置増幅器との
間に帯域制限手段が挿入されており、さらに前記帯域制
限手段の通過帯域の上限のカットオフ周波数は、信号帯
域より充分高く、かつ前記レーザ雑音低減手段の発振周
波数より充分低く設定されていることを特徴とする請求
項１６記載の光半導体素子。 - 【請求項１８】前記帯域制限手段は、前記レーザ雑音低
減手段から漏洩する高周波を前記前置増幅器の許容入力
レベルより小さいレベルまで低減する特性を有すること
を特徴とする請求項１７記載の光半導体素子。 - 【請求項１９】前記レーザ出力検出手段と前記前置増幅
器との間に帯域制限手段が挿入されており、さらに前記
帯域制限手段の通過帯域の上限のカットオフ周波数は、
前記レーザ出力を制御する帯域より充分高く、かつ前記
レーザ雑音低減手段の発振周波数より充分低く設定され
ていることを特徴とする請求項１６記載の光半導体素
子。 - 【請求項２０】前記帯域制限手段は、前記レーザ雑音低
減手段から漏洩する高周波を前記前置増幅器の許容入力
レベルより小さいレベルまで低減する特性を有すること
を特徴とする請求項１９記載の光半導体素子。 - 【請求項２１】前記信号検出手段または前記レーザ出力
検出手段またはその両方に供給されるバイアス電源と前
記前置増幅器との間に帯域制限手段が挿入されており、
さらに前記帯域制限手段の通過帯域の上限のカットオフ
周波数は、前記レーザ雑音低減手段の発振周波数より充
分低く設定されていることを特徴とする請求項１６記載
の光半導体素子。 - 【請求項２２】前記帯域制限手段は、前記レーザ雑音低
減手段から漏洩する高周波を前記前置増幅器の許容入力
レベルより小さいレベルまで低減する特性を有すること
を特徴とする請求項２１記載の光半導体素子。 - 【請求項２３】前記信号検出手段または前記レーザ出力
検出手段またはその両方の接地端子と前記前置増幅器の
接地端子との間に帯域制限手段が挿入されており、さら
に前記帯域制限手段の通過帯域の上限のカットオフ周波
数は、前記レーザ雑音低減手段の発振周波数より充分低
く設定されていることを特徴とする請求項１６記載の光
半導体素子。 - 【請求項２４】前記帯域制限手段は、前記レーザ雑音低
減手段から漏洩する高周波を前記前置増幅器の許容入力
レベルより小さいレベルまで低減する特性を有すること
を特徴とする請求項２３記載の光半導体素子。 - 【請求項２５】前記帯域制限手段は、前記前置増幅器
と、前記信号検出手段または前記レーザ出力検出手段と
の間に挿入されたコイル部品であることを特徴とする請
求項１６記載の光半導体素子。 - 【請求項２６】前記帯域制限手段は、前記前置増幅器
と、前記信号検出手段または前記レーザ出力検出手段を
接続する信号線を覆う様に設置された磁性体ブロックで
あることを特徴とする請求項１６記載の光半導体素子。 - 【請求項２７】前記帯域制限手段は、前記前置増幅器と
前記信号検出手段または前記レーザ出力検出手段を接続
する信号線に塗布された磁性体であることを特徴とする
請求項１６記載の光半導体素子。 - 【請求項２８】前記帯域制限手段は、前記前置増幅器と
前記信号検出手段または前記レーザ出力検出手段を接続
する基板上の配線パターンに特定の形状を施し、周波数
特性をもたせたものであることを特徴とする請求項１６
記載の光半導体素子。 - 【請求項２９】請求項１記載の光ヘッドを光源に用いた
ことを特徴とする光学式情報記録再生装置。 - 【請求項３０】請求項１５記載の光ヘッドを光源に用い
たことを特徴とする光学式情報記録再生装置。 - 【請求項３１】請求項１６記載の光半導体素子を光源に
用いたことを特徴とする光学式情報記録再生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6077552A JPH07287857A (ja) | 1994-04-15 | 1994-04-15 | 光ヘッド及び光半導体素子並びに光学式情報記録再生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6077552A JPH07287857A (ja) | 1994-04-15 | 1994-04-15 | 光ヘッド及び光半導体素子並びに光学式情報記録再生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07287857A true JPH07287857A (ja) | 1995-10-31 |
Family
ID=13637188
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6077552A Pending JPH07287857A (ja) | 1994-04-15 | 1994-04-15 | 光ヘッド及び光半導体素子並びに光学式情報記録再生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07287857A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11296899A (ja) * | 1998-04-09 | 1999-10-29 | Pioneer Electron Corp | ピックアップ |
| US6731585B2 (en) | 2000-03-03 | 2004-05-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical pick-up head with semiconductor laser |
| WO2006008879A1 (ja) * | 2004-07-22 | 2006-01-26 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 光パッケージモジュールおよびそれを備えた光通信用モジュール |
| JP2021195122A (ja) * | 2020-06-10 | 2021-12-27 | ザニニ オート グループ，ソシエダッド アノニマ | 車両用エンブレム |
-
1994
- 1994-04-15 JP JP6077552A patent/JPH07287857A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11296899A (ja) * | 1998-04-09 | 1999-10-29 | Pioneer Electron Corp | ピックアップ |
| US6731585B2 (en) | 2000-03-03 | 2004-05-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical pick-up head with semiconductor laser |
| WO2006008879A1 (ja) * | 2004-07-22 | 2006-01-26 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 光パッケージモジュールおよびそれを備えた光通信用モジュール |
| JP2021195122A (ja) * | 2020-06-10 | 2021-12-27 | ザニニ オート グループ，ソシエダッド アノニマ | 車両用エンブレム |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6731585B2 (en) | Optical pick-up head with semiconductor laser | |
| US5495464A (en) | Optical data recording/reproducing apparatus | |
| US7095682B2 (en) | Compact optical signal detecting mechanism and optical storage device having improved signal quality | |
| US8046785B2 (en) | Objective lens actuator and a disc apparatus applying the same therein | |
| JPH06350130A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| CN101206888A (zh) | 光拾取器以及光学信息再现装置 | |
| JP3484717B2 (ja) | 光ヘッド及び光学式情報記録再生装置 | |
| KR20060046642A (ko) | 레이저 노이즈 캔슬 회로 및 광디스크 장치 | |
| JP3297362B2 (ja) | 光学的情報記録再生装置 | |
| JP2011198452A (ja) | 光ピックアップ装置 | |
| JP3713199B2 (ja) | 半導体レーザ用高周波重畳回路 | |
| JPH06223399A (ja) | 半導体レーザダイオード及び光ヘッド及びレーザ雑音低減手段 | |
| JP2004152446A (ja) | 光ピックアップ装置及び液晶素子 | |
| JP3639262B2 (ja) | 光ピックアップ及び光ディスクシステム | |
| JP2007102917A (ja) | 光集積ユニットおよび光ピックアップ装置 | |
| JP3662358B2 (ja) | 対物レンズ駆動装置 | |
| JPH06301998A (ja) | 光ヘッド及び光学式情報記録再生装置 | |
| JP2002117568A (ja) | 収差補正光学ユニット並びに光ピックアップ装置及びその駆動方法 | |
| JP4212658B2 (ja) | 光学読取／書込装置 | |
| JPH0512706A (ja) | 光集積回路、信号再生用光集積回路、光集積型ピツクアツプ装置および光デイスク装置 | |
| JPS63106934A (ja) | 情報再生装置におけるサ−ボ装置 | |
| KR100230248B1 (ko) | 광디스크 시스템에서의 트랙 에러 저감 장치 | |
| JP3722670B2 (ja) | 光ピックアップ装置 | |
| JP3710041B2 (ja) | 高周波重畳モジュール | |
| JPH06267079A (ja) | 光情報再生装置 |