JPH07288199A - シンクロトロンリング - Google Patents
シンクロトロンリングInfo
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Landscapes
- Particle Accelerators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 電子ビーム２が蓄積された時に偏向部におい
て電子ビーム２から発生されるシンクロトロン放射光３
が真空容器１内壁に照射されることにより発生する多量
のガスを、安価に効率良く排除するシンクロトロンリン
グの提供。 【構成】 それぞれ正及び負の電圧を印加される一対の
電極１０を真空容器１内に設け、前記ガスが前記シンク
ロトロン放射光３によりイオン化ガスに電離されること
を利用して、前記イオン化ガスを電気的に吸引して排除
する。一対の電極引き出し部１０５は、一対の電極１０
から、真空容器１に対して絶縁された状態で真空容器１
の外部に引き出され、一対の電極引き出し部１０５に正
及び負の電圧が印加される。
て電子ビーム２から発生されるシンクロトロン放射光３
が真空容器１内壁に照射されることにより発生する多量
のガスを、安価に効率良く排除するシンクロトロンリン
グの提供。 【構成】 それぞれ正及び負の電圧を印加される一対の
電極１０を真空容器１内に設け、前記ガスが前記シンク
ロトロン放射光３によりイオン化ガスに電離されること
を利用して、前記イオン化ガスを電気的に吸引して排除
する。一対の電極引き出し部１０５は、一対の電極１０
から、真空容器１に対して絶縁された状態で真空容器１
の外部に引き出され、一対の電極引き出し部１０５に正
及び負の電圧が印加される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、シンクロトロンリング
に関し、特に、シンクロトロンリングの真空容器内で発
生したシンクロトロン放射光が真空容器内壁に照射され
ることにより発生する多量のガスを排除して真空容器内
を超真空に維持するためのガス排除装置に関する。
に関し、特に、シンクロトロンリングの真空容器内で発
生したシンクロトロン放射光が真空容器内壁に照射され
ることにより発生する多量のガスを排除して真空容器内
を超真空に維持するためのガス排除装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図２はレーストラック型のシンクロトロ
ンリングを示している。このシンクロトロンリングは、
入射用加速器２００にて加速された電子又は陽電子をレ
ーストラック型の軌道に沿って周回させるものである。
以下、電子の場合を例にとって説明する。このため、こ
のシンクロトロンリングは、レーストラック型の真空容
器１を有している。一対の偏向部２０１は、いずれも偏
向用電磁石からなり、この真空容器１の外部に設けられ
て、真空容器１内において、電子ビーム２を一対の円弧
状軌道に沿わせるべく偏向させる。一対の円弧状軌道の
間を連絡する２本の直線軌道を決める真空容器１の周囲
には、入射用加速器２００からの電子ビーム２を真空容
器１内に入射する入射用電磁石２０２と、各々が４極電
磁石からなる８つの収束用電磁石２０３とが配置されて
いる。高周波加速空洞２０４は、入射用電磁石２０２が
設けられた直線軌道とは異なる直線軌道に設けられて、
電子ビーム２を加速する機能を有する。
ンリングを示している。このシンクロトロンリングは、
入射用加速器２００にて加速された電子又は陽電子をレ
ーストラック型の軌道に沿って周回させるものである。
以下、電子の場合を例にとって説明する。このため、こ
のシンクロトロンリングは、レーストラック型の真空容
器１を有している。一対の偏向部２０１は、いずれも偏
向用電磁石からなり、この真空容器１の外部に設けられ
て、真空容器１内において、電子ビーム２を一対の円弧
状軌道に沿わせるべく偏向させる。一対の円弧状軌道の
間を連絡する２本の直線軌道を決める真空容器１の周囲
には、入射用加速器２００からの電子ビーム２を真空容
器１内に入射する入射用電磁石２０２と、各々が４極電
磁石からなる８つの収束用電磁石２０３とが配置されて
いる。高周波加速空洞２０４は、入射用電磁石２０２が
設けられた直線軌道とは異なる直線軌道に設けられて、
電子ビーム２を加速する機能を有する。
【０００３】このようにして、シンクロトロンリング
は、真空容器１内において、電子ビーム２を、円弧状軌
道を含む所定軌道に沿って、周回させ、蓄積させる。こ
の際、電子ビーム２が蓄積されると、偏向部２０１にお
いて電子ビーム２の運動の接線方向にシンクロトロン放
射光３が発生する。このシンクロトロン放射光３が真空
容器１の内壁を照射するため多量のガスが発生し、真空
度が悪化し、電子ビーム２の蓄積寿命を縮めるという問
題がある。
は、真空容器１内において、電子ビーム２を、円弧状軌
道を含む所定軌道に沿って、周回させ、蓄積させる。こ
の際、電子ビーム２が蓄積されると、偏向部２０１にお
いて電子ビーム２の運動の接線方向にシンクロトロン放
射光３が発生する。このシンクロトロン放射光３が真空
容器１の内壁を照射するため多量のガスが発生し、真空
度が悪化し、電子ビーム２の蓄積寿命を縮めるという問
題がある。
【０００４】図３を参照すると、従来のシンクロトロン
リングは、シンクロトロン放射光３が真空容器１の内壁
に照射されることにより真空容器１内に発生するガスを
排除するガス排除装置として、真空排気ポンプ５及び８
を備えている。真空容器１の中央部は、電子ビーム２を
安定に周回させるために真空容器１の内壁とスリット６
及び７によりビームダクト部１００を構成している。電
子ビーム２の軌道の外側のスリット６を隔てて真空排気
ポンプ５が配置され、また電子ビーム２の軌道の内側の
スリット７を隔てて真空排気ポンプ８が配置されてい
る。また、シンクロトロン放射光３に照射される部分に
はビームダンプ４が設置され、ビームダンプ４を冷却す
る手段等により発生するガスの低減がはかられている。
リングは、シンクロトロン放射光３が真空容器１の内壁
に照射されることにより真空容器１内に発生するガスを
排除するガス排除装置として、真空排気ポンプ５及び８
を備えている。真空容器１の中央部は、電子ビーム２を
安定に周回させるために真空容器１の内壁とスリット６
及び７によりビームダクト部１００を構成している。電
子ビーム２の軌道の外側のスリット６を隔てて真空排気
ポンプ５が配置され、また電子ビーム２の軌道の内側の
スリット７を隔てて真空排気ポンプ８が配置されてい
る。また、シンクロトロン放射光３に照射される部分に
はビームダンプ４が設置され、ビームダンプ４を冷却す
る手段等により発生するガスの低減がはかられている。
【０００５】なお、図示のように真空排気ポンプ５及び
８やスリット６及び７は仮想中立面１０２の両側に設け
られている。
８やスリット６及び７は仮想中立面１０２の両側に設け
られている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】真空容器１内は外部に
設けられた粗引き排気ポンプ（図示せず）により中真空
まで排気された後、内蔵された真空排気ポンプ５及び８
により超高真空に排気される。しかし、電子ビーム２が
蓄積されると、シンクロトロン放射光３が真空容器１内
を照射するため、上述のように、多量のガスが発生す
る。この際、スリット６により、発生したガスの存在を
図中Ｂ部に限定しつつ真空排気ポンプ５により排気する
ことで、ビームダクト部１００への侵入を防ぎ、電子が
周回するビームダクト部１００内を超高真空に維持しよ
うとするものであるが、多量のガスは、真空排気ポンプ
５及び８により（主として真空排気ポンプ５により）排
気されるが、真空度の悪化は避けられず、電子ビーム２
の蓄積寿命を縮めることになってしまう。
設けられた粗引き排気ポンプ（図示せず）により中真空
まで排気された後、内蔵された真空排気ポンプ５及び８
により超高真空に排気される。しかし、電子ビーム２が
蓄積されると、シンクロトロン放射光３が真空容器１内
を照射するため、上述のように、多量のガスが発生す
る。この際、スリット６により、発生したガスの存在を
図中Ｂ部に限定しつつ真空排気ポンプ５により排気する
ことで、ビームダクト部１００への侵入を防ぎ、電子が
周回するビームダクト部１００内を超高真空に維持しよ
うとするものであるが、多量のガスは、真空排気ポンプ
５及び８により（主として真空排気ポンプ５により）排
気されるが、真空度の悪化は避けられず、電子ビーム２
の蓄積寿命を縮めることになってしまう。
【０００７】また、これらの内蔵型の真空排気ポンプ５
及び８にはイオンポンプ、クライオポンプ、蒸発／非蒸
発型ゲッターポンプが採用されているが、これらは一般
に高価、構造の複雑さ、排気能力の不安定、活性化時の
汚染／発熱、排気能力不足等の問題がある。
及び８にはイオンポンプ、クライオポンプ、蒸発／非蒸
発型ゲッターポンプが採用されているが、これらは一般
に高価、構造の複雑さ、排気能力の不安定、活性化時の
汚染／発熱、排気能力不足等の問題がある。
【０００８】従って本発明の課題は、シンクロトロン放
射光が真空容器内壁に照射されることにより発生する多
量のガスを安価に効率良く排除して真空容器内を超真空
に維持できるガス排除装置を備えたシンクロトロンリン
グを提供することにある。
射光が真空容器内壁に照射されることにより発生する多
量のガスを安価に効率良く排除して真空容器内を超真空
に維持できるガス排除装置を備えたシンクロトロンリン
グを提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、真空容
器と、この真空容器の外部に設けられ、該真空容器内に
おいて、電子又は陽電子からなるビームを円弧状軌道に
沿わせるべく偏向させると共に、前記ビームからシンク
ロトロン放射光を放射させる偏向部とを有し、前記真空
容器内において、前記ビームを、前記円弧状軌道を含む
所定軌道に沿って、周回させ蓄積させるシンクロトロン
リングにおいて、前記シンクロトロン放射光が前記真空
容器の内壁に照射されることにより前記真空容器内に発
生するガスを排除するガス排除装置を備えている前記シ
ンクロトロンリングにおいて、前記ガス排除装置は、前
記真空容器内に設けられ、それぞれ正及び負の電圧を印
加された一対の電極を含み、該一対の電極は、前記ガス
が前記シンクロトロン放射光に照射されることによりイ
オン化ガスに電離されることを利用して、前記イオン化
ガスを電気的に吸引して排除するあるいは排除を促進す
るものであることを特徴とするシンクロトロンリングが
得られる。
器と、この真空容器の外部に設けられ、該真空容器内に
おいて、電子又は陽電子からなるビームを円弧状軌道に
沿わせるべく偏向させると共に、前記ビームからシンク
ロトロン放射光を放射させる偏向部とを有し、前記真空
容器内において、前記ビームを、前記円弧状軌道を含む
所定軌道に沿って、周回させ蓄積させるシンクロトロン
リングにおいて、前記シンクロトロン放射光が前記真空
容器の内壁に照射されることにより前記真空容器内に発
生するガスを排除するガス排除装置を備えている前記シ
ンクロトロンリングにおいて、前記ガス排除装置は、前
記真空容器内に設けられ、それぞれ正及び負の電圧を印
加された一対の電極を含み、該一対の電極は、前記ガス
が前記シンクロトロン放射光に照射されることによりイ
オン化ガスに電離されることを利用して、前記イオン化
ガスを電気的に吸引して排除するあるいは排除を促進す
るものであることを特徴とするシンクロトロンリングが
得られる。
【００１０】更に本発明によれば、前記一対の電極が非
蒸発型ゲッター材料またはクライオパネルから構成され
ることを特徴とするシンクロトロンリングが得られる。
蒸発型ゲッター材料またはクライオパネルから構成され
ることを特徴とするシンクロトロンリングが得られる。
【００１１】また本発明によれば、前記ガス排除装置
は、前記一対の電極から、前記真空容器に対して絶縁さ
れた状態で前記真空容器の外部に引き出された一対の電
極引き出し部を、更に、有し、前記一対の電極引き出し
部に前記正及び負の電圧が印加されることを特徴とする
シンクロトロンリングが得られる。
は、前記一対の電極から、前記真空容器に対して絶縁さ
れた状態で前記真空容器の外部に引き出された一対の電
極引き出し部を、更に、有し、前記一対の電極引き出し
部に前記正及び負の電圧が印加されることを特徴とする
シンクロトロンリングが得られる。
【００１２】
【実施例】次に本発明の実施例について図面を参照して
説明する。
説明する。
【００１３】図４は、本発明の第１の実施例によるシン
クロトロンリングにおける、図２のＡ−Ａ断面に対応す
る部分の断面を示している。真空容器１の外部に配置さ
れている偏向部２０１は、コイル２０５及び２０６と鉄
芯２０７とからなる偏向用電磁石からなっている。本発
明の第１の実施例によるシンクロトロンリングにおいて
は、図２におけるもう一方の偏向部２０１も図４と同様
な構造を有する。
クロトロンリングにおける、図２のＡ−Ａ断面に対応す
る部分の断面を示している。真空容器１の外部に配置さ
れている偏向部２０１は、コイル２０５及び２０６と鉄
芯２０７とからなる偏向用電磁石からなっている。本発
明の第１の実施例によるシンクロトロンリングにおいて
は、図２におけるもう一方の偏向部２０１も図４と同様
な構造を有する。
【００１４】図１は、本発明の第１の実施例によるシン
クロトロンリングにおける主要部を示しており、図４の
真空容器１及びその内部の断面を示している。図１にお
いて、図３と同じ部分には同じ参照符号が付されてい
る。
クロトロンリングにおける主要部を示しており、図４の
真空容器１及びその内部の断面を示している。図１にお
いて、図３と同じ部分には同じ参照符号が付されてい
る。
【００１５】スリット６の外側に構成された室（Ｂ部）
には、シンクロトロン放射光３と干渉しないように仮想
の中立面１０２を挟むように一対の電極１０が配置され
ている。一対の電極１０は中立面１０２に平行に延在し
ている。一対の電極１０は真空容器１に対して絶縁材料
１０３で絶縁固定されている。一対の電極１０からは、
真空シール及び絶縁された端子１０４をそれぞれ介して
真空容器１の外部（大気中）に一対の電極引き出し線１
０５が引き出されており、一対の電極引き出し線１０５
は電源１１に接続されている。電源１１によって、一対
の電極１０の一方には例えば数Ｖ〜数十ボルトの正の電
圧が印加され、一対の電極１０のもう一方には例えば−
数Ｖ〜−数十ボルトの負の電圧が印加される。真空容器
１は、アースされている。一対の電極１０は、銅、アル
ミ等の金属板、または非蒸発型ゲッター材料、またはク
ライオパネルから構成される。
には、シンクロトロン放射光３と干渉しないように仮想
の中立面１０２を挟むように一対の電極１０が配置され
ている。一対の電極１０は中立面１０２に平行に延在し
ている。一対の電極１０は真空容器１に対して絶縁材料
１０３で絶縁固定されている。一対の電極１０からは、
真空シール及び絶縁された端子１０４をそれぞれ介して
真空容器１の外部（大気中）に一対の電極引き出し線１
０５が引き出されており、一対の電極引き出し線１０５
は電源１１に接続されている。電源１１によって、一対
の電極１０の一方には例えば数Ｖ〜数十ボルトの正の電
圧が印加され、一対の電極１０のもう一方には例えば−
数Ｖ〜−数十ボルトの負の電圧が印加される。真空容器
１は、アースされている。一対の電極１０は、銅、アル
ミ等の金属板、または非蒸発型ゲッター材料、またはク
ライオパネルから構成される。
【００１６】一対の電極１０は、電子ビーム２がレース
トラック型の軌道に蓄積された後に発生されるシンクロ
トロン放射光３が、真空容器１の内壁に照射されること
により真空容器１内に発生するガスを排除するガス排除
装置として働くものであり、一対の電極１０は、前記ガ
スがシンクロトロン放射光３によりイオン化ガスに電離
されることを利用して、イオン化ガスを電気的に吸引し
て排除するものである。即ち、一対の電極１０のうち正
の電圧が印加されている電極は、イオン化ガスのうち陰
（負）イオンを電気的に吸引して排除するもので、イオ
ン化ガスのうち陽（正）イオンは、一対の電極１０のう
ち負の電圧が印加されている電極の方に電気的に反発さ
せる。逆に、一対の電極１０のうち負の電圧が印加され
ている電極は、イオン化ガスのうち陽（正）イオンを電
気的に吸引して排除するもので、イオン化ガスのうち陰
（負）イオンは、一対の電極１０のうち正の電圧が印加
されている電極の方に電気的に反発させる。
トラック型の軌道に蓄積された後に発生されるシンクロ
トロン放射光３が、真空容器１の内壁に照射されること
により真空容器１内に発生するガスを排除するガス排除
装置として働くものであり、一対の電極１０は、前記ガ
スがシンクロトロン放射光３によりイオン化ガスに電離
されることを利用して、イオン化ガスを電気的に吸引し
て排除するものである。即ち、一対の電極１０のうち正
の電圧が印加されている電極は、イオン化ガスのうち陰
（負）イオンを電気的に吸引して排除するもので、イオ
ン化ガスのうち陽（正）イオンは、一対の電極１０のう
ち負の電圧が印加されている電極の方に電気的に反発さ
せる。逆に、一対の電極１０のうち負の電圧が印加され
ている電極は、イオン化ガスのうち陽（正）イオンを電
気的に吸引して排除するもので、イオン化ガスのうち陰
（負）イオンは、一対の電極１０のうち正の電圧が印加
されている電極の方に電気的に反発させる。
【００１７】図５は本発明による第２の実施例によるシ
ンクロトロンリングの主要部を示す断面図で、図１及び
図３と同じ部分には同じ参照符号が付してある。図５に
おいては、一対の電極１０は中立面１０２に垂直に延在
させて、一対の電極１０をバッフル（じゃま板）として
配置した例であり、一対の電極１０の各々は複数枚（３
枚）の電極板からなる。
ンクロトロンリングの主要部を示す断面図で、図１及び
図３と同じ部分には同じ参照符号が付してある。図５に
おいては、一対の電極１０は中立面１０２に垂直に延在
させて、一対の電極１０をバッフル（じゃま板）として
配置した例であり、一対の電極１０の各々は複数枚（３
枚）の電極板からなる。
【００１８】図６は本発明による第３の実施例によるシ
ンクロトロンリングの主要部を示す断面図で、図５と同
じ部分には同じ参照符号が付してある。図６において
は、一対のスリット６を真空容器１に対して絶縁材料１
０６で絶縁して一対のスリット兼電極とした上で、一対
のスリット兼電極６からは、真空シール及び絶縁された
端子１０７をそれぞれ介して真空容器１の外部（大気
中）に一対の電極引き出し線１０８が引き出されてお
り、一対の電極引き出し線１０８は電源１１´に接続さ
れている。電源１１´によって、一対のスリット兼電極
６の一方には例えば数Ｖ〜数十ボルトの正の電圧が印加
され、一対のスリット兼電極６のもう一方には例えば−
数Ｖ〜−数十ボルトの負の電圧が印加される。
ンクロトロンリングの主要部を示す断面図で、図５と同
じ部分には同じ参照符号が付してある。図６において
は、一対のスリット６を真空容器１に対して絶縁材料１
０６で絶縁して一対のスリット兼電極とした上で、一対
のスリット兼電極６からは、真空シール及び絶縁された
端子１０７をそれぞれ介して真空容器１の外部（大気
中）に一対の電極引き出し線１０８が引き出されてお
り、一対の電極引き出し線１０８は電源１１´に接続さ
れている。電源１１´によって、一対のスリット兼電極
６の一方には例えば数Ｖ〜数十ボルトの正の電圧が印加
され、一対のスリット兼電極６のもう一方には例えば−
数Ｖ〜−数十ボルトの負の電圧が印加される。
【００１９】同様に、一対のスリット７を真空容器１に
対して絶縁材料１０９で絶縁して一対の電極とした上
で、一対のスリット兼電極７からは、真空シール及び絶
縁された端子１０９をそれぞれ介して真空容器１の外部
（大気中）に一対の電極引き出し線１０８が引き出され
ており、一対の電極引き出し線１０８は電源１１´に接
続されている。電源１１´によって、一対のスリット兼
電極７の一方には例えば数Ｖ〜数十ボルトの正の電圧が
印加され、一対のスリット兼電極７のもう一方には例え
ば−数Ｖ〜−数十ボルトの負の電圧が印加される。
対して絶縁材料１０９で絶縁して一対の電極とした上
で、一対のスリット兼電極７からは、真空シール及び絶
縁された端子１０９をそれぞれ介して真空容器１の外部
（大気中）に一対の電極引き出し線１０８が引き出され
ており、一対の電極引き出し線１０８は電源１１´に接
続されている。電源１１´によって、一対のスリット兼
電極７の一方には例えば数Ｖ〜数十ボルトの正の電圧が
印加され、一対のスリット兼電極７のもう一方には例え
ば−数Ｖ〜−数十ボルトの負の電圧が印加される。
【００２０】スリット兼電極６及び７への電圧の印加に
よりビームダクト部１００に存在する電離ガスを吸引排
除する。また、電子ビーム２自身により電離され、電子
ビーム２に捕捉され電子ビーム２と一緒に周回している
イオン（このイオンは電子ビーム２を不安定にするもの
である。）を除去することも可能となる。
よりビームダクト部１００に存在する電離ガスを吸引排
除する。また、電子ビーム２自身により電離され、電子
ビーム２に捕捉され電子ビーム２と一緒に周回している
イオン（このイオンは電子ビーム２を不安定にするもの
である。）を除去することも可能となる。
【００２１】スリット兼電極６及び７には数Ｖ〜数十ボ
ルト程度の電圧が印加されるけれども、電子ビーム２は
通常６００ＭｅＶ〜１ＧｅＶのエネルギーを持っている
ため、スリット兼電極６及び７に印加される電圧の電子
ビーム２に対する影響は皆無であるといってよい。
ルト程度の電圧が印加されるけれども、電子ビーム２は
通常６００ＭｅＶ〜１ＧｅＶのエネルギーを持っている
ため、スリット兼電極６及び７に印加される電圧の電子
ビーム２に対する影響は皆無であるといってよい。
【００２２】図１及び図５及び図６において、真空容器
１内は前述の粗引き排気ポンプ及び内蔵真空排気ポンプ
８により超高真空に排気された後、電子ビーム２が蓄積
される。電子ビーム２の蓄積により発光したシンクロト
ロン放射光３が真空容器１内壁を照射することにより図
中Ｂ部には多量のガスが発生する。このガスはＢ部に存
在するため、シンクロトロン放射光３により高い確率で
直接或いは間接的に電離され電荷を持つ状態となる。つ
まり、電子ビーム２を蓄積した状態で多量に発生して問
題となる（排気すべき）ガスの殆どがイオン状態とな
る。一方、一対の電極１０には正及び負電圧がそれぞれ
印加されており，電離されたガスはこれらの電極に引き
寄せられ排気される。
１内は前述の粗引き排気ポンプ及び内蔵真空排気ポンプ
８により超高真空に排気された後、電子ビーム２が蓄積
される。電子ビーム２の蓄積により発光したシンクロト
ロン放射光３が真空容器１内壁を照射することにより図
中Ｂ部には多量のガスが発生する。このガスはＢ部に存
在するため、シンクロトロン放射光３により高い確率で
直接或いは間接的に電離され電荷を持つ状態となる。つ
まり、電子ビーム２を蓄積した状態で多量に発生して問
題となる（排気すべき）ガスの殆どがイオン状態とな
る。一方、一対の電極１０には正及び負電圧がそれぞれ
印加されており，電離されたガスはこれらの電極に引き
寄せられ排気される。
【００２３】電極１０を非蒸発型ゲッター材料、または
クライオパネルとした場合には本来有する排気能力が飛
躍的に向上することになる。つまり、図３の従来の場合
は排気すべきガスがイオン化されたことを利用していな
いため無秩序に運動している状態で排気しているが、本
実施例では排気すべきガスがイオン化されていることを
利用して電界を発生させることにより吸着面に向かって
電気的な吸引力や反発力で運動するため吸着効率が増大
することになる。
クライオパネルとした場合には本来有する排気能力が飛
躍的に向上することになる。つまり、図３の従来の場合
は排気すべきガスがイオン化されたことを利用していな
いため無秩序に運動している状態で排気しているが、本
実施例では排気すべきガスがイオン化されていることを
利用して電界を発生させることにより吸着面に向かって
電気的な吸引力や反発力で運動するため吸着効率が増大
することになる。
【００２４】図５及び図６では吸着面である電極１０が
バッフル（じゃま板）として配置されており、真空容器
１の内壁において発生したガスが、よりビームダクト部
１００内に侵入しにくい構造となっている。
バッフル（じゃま板）として配置されており、真空容器
１の内壁において発生したガスが、よりビームダクト部
１００内に侵入しにくい構造となっている。
【００２５】図６では図５の場合に加えて、ビームダク
ト部１００を構成するスリット兼電極６及び７にも電源
１１´から正及び負の電圧が印加される。したがって、
ビームダクト部１００内に存在するイオンガスの排気が
可能である。更にスリット兼電極６及び７を非蒸発型ゲ
ッター材料またはクライオパネルとした場合にはイオン
ガス以外のガスの排気も可能となる。
ト部１００を構成するスリット兼電極６及び７にも電源
１１´から正及び負の電圧が印加される。したがって、
ビームダクト部１００内に存在するイオンガスの排気が
可能である。更にスリット兼電極６及び７を非蒸発型ゲ
ッター材料またはクライオパネルとした場合にはイオン
ガス以外のガスの排気も可能となる。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、シンクロ
トロンリングの真空容器内でシンクロトロン放射光が真
空容器内壁に照射されることにより発生するガスがシン
クロトロン放射光により高い確率で直接或いは間接的に
電離され電荷を持つ状態となることに着目して、電圧を
印加した電極により当該ガスを排気しようとするもので
あり、安価に当該ガスを効率良く排気することができ
る。電極として、より安価な、銅、アルミ等の金属板を
用いることができ、この場合は安価で構造、運転共に簡
単となり、発熱や汚染の問題も発生しない。電極とし
て、非蒸発型ゲッター材料またはクライオパネルを用い
た場合は、本来有する排気能力が飛躍的に向上する。
トロンリングの真空容器内でシンクロトロン放射光が真
空容器内壁に照射されることにより発生するガスがシン
クロトロン放射光により高い確率で直接或いは間接的に
電離され電荷を持つ状態となることに着目して、電圧を
印加した電極により当該ガスを排気しようとするもので
あり、安価に当該ガスを効率良く排気することができ
る。電極として、より安価な、銅、アルミ等の金属板を
用いることができ、この場合は安価で構造、運転共に簡
単となり、発熱や汚染の問題も発生しない。電極とし
て、非蒸発型ゲッター材料またはクライオパネルを用い
た場合は、本来有する排気能力が飛躍的に向上する。
【図１】本発明の第１の実施例によるシンクロトロンリ
ングの主要部の断面図である。
ングの主要部の断面図である。
【図２】本発明が適用されるシンクロトロンリングの全
体構造を示す平面図である。
体構造を示す平面図である。
【図３】従来のシンクロトロンリングの主要部の断面図
である。
である。
【図４】前記第１の実施例によるシンクロトロンリング
の図２のＡ−Ａ断面に対応する部分の断面図である。
の図２のＡ−Ａ断面に対応する部分の断面図である。
【図５】本発明の第２の実施例によるシンクロトロンリ
ングの主要部の断面図である。
ングの主要部の断面図である。
【図６】本発明の第３の実施例によるシンクロトロンリ
ングの主要部の断面図である。
ングの主要部の断面図である。
１ 真空容器 ２ 電子ビーム ３ シンクロトロン放射光 ４ ビームダンプ ５ 真空排気ポンプ ６ スリット（スリット兼電極） ７ スリット（スリット兼電極） ８ 真空排気ポンプ １０ 電極 １１ 電源 １１´ 電源
Claims (3)
- 【請求項１】 真空容器と、この真空容器の外部に設け
られ、該真空容器内において、電子又は陽電子からなる
ビームを円弧状軌道に沿わせるべく偏向させると共に、
前記ビームからシンクロトロン放射光を放射させる偏向
部とを有し、前記真空容器内において、前記ビームを、
前記円弧状軌道を含む所定軌道に沿って、周回させ蓄積
させるシンクロトロンリングにおいて、前記シンクロト
ロン放射光が前記真空容器の内壁に照射されることによ
り前記真空容器内に発生するガスを排除するガス排除装
置を備えている前記シンクロトロンリングにおいて、 前記ガス排除装置は、 前記真空容器内に設けられ、それぞれ正及び負の電圧を
印加された一対の電極を含み、該一対の電極は、前記ガ
スが前記シンクロトロン放射光に照射されることにより
イオン化ガスに電離されることを利用して、前記イオン
化ガスを電気的に吸引して排除するあるいは排除を促進
するものであることを特徴とするシンクロトロンリン
グ。 - 【請求項２】 前記一対の電極が非蒸発型ゲッター材料
またはクライオパネルから構成されることを特徴とする
請求項１に記載のシンクロトロンリング。 - 【請求項３】 前記ガス排除装置は、前記一対の電極か
ら、前記真空容器に対して絶縁された状態で前記真空容
器の外部に引き出された一対の電極引き出し部を、更
に、有し、前記一対の電極引き出し部に前記正及び負の
電圧が印加されることを特徴とする請求項１または２に
記載のシンクロトロンリング。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07898294A JP3277474B2 (ja) | 1994-04-18 | 1994-04-18 | シンクロトロンリング |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07898294A JP3277474B2 (ja) | 1994-04-18 | 1994-04-18 | シンクロトロンリング |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07288199A true JPH07288199A (ja) | 1995-10-31 |
| JP3277474B2 JP3277474B2 (ja) | 2002-04-22 |
Family
ID=13677103
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07898294A Expired - Fee Related JP3277474B2 (ja) | 1994-04-18 | 1994-04-18 | シンクロトロンリング |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3277474B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2025210961A1 (ja) * | 2024-04-01 | 2025-10-09 | 株式会社 東芝 | 真空ダクト及び加速器 |
-
1994
- 1994-04-18 JP JP07898294A patent/JP3277474B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2025210961A1 (ja) * | 2024-04-01 | 2025-10-09 | 株式会社 東芝 | 真空ダクト及び加速器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3277474B2 (ja) | 2002-04-22 |
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