JPH07288217A - 積層セラミックコンデンサの製造方法 - Google Patents
積層セラミックコンデンサの製造方法Info
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- JPH07288217A JPH07288217A JP6078333A JP7833394A JPH07288217A JP H07288217 A JPH07288217 A JP H07288217A JP 6078333 A JP6078333 A JP 6078333A JP 7833394 A JP7833394 A JP 7833394A JP H07288217 A JPH07288217 A JP H07288217A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 外観不良及びショート不良などのない積層セ
ラミックコンデンサを提供することを目的とするもので
ある。 【構成】 積層体３表面にジルコニア層４を形成した後
に焼成する。次に、ジルコニア層４を取り除き、外部電
極５を形成するものである。
ラミックコンデンサを提供することを目的とするもので
ある。 【構成】 積層体３表面にジルコニア層４を形成した後
に焼成する。次に、ジルコニア層４を取り除き、外部電
極５を形成するものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、積層セラミックコンデ
ンサの製造方法に関するものである。
ンサの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、複数のセラミック誘電体シート
と、複数の導電性金属とを、導電性金属がセラミック誘
電体シートの相対向する端縁に交互に露出するように、
積層して積層体を形成していた。次に、この積層体を、
酸化カルシウム（カルシア）で安定化させた酸化ジルコ
ニウム（ジルコニア）粉を敷いたアルミナ母材を主成分
とした匣鉢に詰めるか、または、表面を、酸化カルシウ
ム（カルシア）で安定化させた酸化ジルコニウム（ジル
コニア）でコートしたアルミナ母材を主成分とした匣鉢
に詰めて、トンネル型連続焼成炉、または、単炉を用い
て焼成していた。その後、焼結体の内部電極が露出した
端面に外部電極を形成して、積層セラミックコンデンサ
を得ていた。
と、複数の導電性金属とを、導電性金属がセラミック誘
電体シートの相対向する端縁に交互に露出するように、
積層して積層体を形成していた。次に、この積層体を、
酸化カルシウム（カルシア）で安定化させた酸化ジルコ
ニウム（ジルコニア）粉を敷いたアルミナ母材を主成分
とした匣鉢に詰めるか、または、表面を、酸化カルシウ
ム（カルシア）で安定化させた酸化ジルコニウム（ジル
コニア）でコートしたアルミナ母材を主成分とした匣鉢
に詰めて、トンネル型連続焼成炉、または、単炉を用い
て焼成していた。その後、焼結体の内部電極が露出した
端面に外部電極を形成して、積層セラミックコンデンサ
を得ていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の方法では、焼成
の準備、および焼成中に積層体の表面に、焼結過程にお
いて、積層体と反応を起こすアルミナやシリカの粉等の
不純物が付着しやすく、外観不良（ピンホール）および
電気特性不良（ショート）が発生するという問題点を有
していた。
の準備、および焼成中に積層体の表面に、焼結過程にお
いて、積層体と反応を起こすアルミナやシリカの粉等の
不純物が付着しやすく、外観不良（ピンホール）および
電気特性不良（ショート）が発生するという問題点を有
していた。
【０００４】本発明は、たとえ焼成の準備中、および焼
成中に積層体の表面に、焼結過程において、積層体と反
応を起こすアルミナやシリカの粉等の不純物が付着した
としても、外観不良および電気特性不良を起こすことが
ない、積層セラミックコンデンサを提供することを目的
とするものである。
成中に積層体の表面に、焼結過程において、積層体と反
応を起こすアルミナやシリカの粉等の不純物が付着した
としても、外観不良および電気特性不良を起こすことが
ない、積層セラミックコンデンサを提供することを目的
とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明は、積層体の少なくとも一つの面を、ジルコニ
アを主成分とする層で覆った後、焼成するものである。
に本発明は、積層体の少なくとも一つの面を、ジルコニ
アを主成分とする層で覆った後、焼成するものである。
【０００６】
【作用】この構成により、積層体が不純物との反応性の
低いジルコニア層で覆われているので、焼成過程で積層
体と反応を起こす不純物が付着しても、外観不良および
電気特性不良を起こすことがなく、品質の優れた積層セ
ラミックコンデンサを得ることができる。
低いジルコニア層で覆われているので、焼成過程で積層
体と反応を起こす不純物が付着しても、外観不良および
電気特性不良を起こすことがなく、品質の優れた積層セ
ラミックコンデンサを得ることができる。
【０００７】
（実施例１）以下、本発明の第１の実施例について図面
を参照しながら説明する。
を参照しながら説明する。
【０００８】まず、チタン酸バリウムを主成分とするセ
ラミック誘電体微粉末と樹脂バインダーで、図１のセラ
ミック誘電体シート１を形成した。次に、このセラミッ
ク誘電体シート１の表面に、導電性金属ペーストをスク
リーン印刷法により、所望の図形に塗布して内部電極２
を形成した。その後、内部電極２がセラミック誘電体シ
ート１の相対向する端面に交互に露出するように、必要
枚数積層、プレスして、図２に示すような、積層体３を
得た。次に、チタン酸バリウム系のセラミック誘電体の
焼成過程において、不純物となるアルミナ、シリカ等と
は、非常に反応性の低いカルシア（ＣａＯ）で安定化さ
せたジルコニア微粉末を、水に対して５０wt％の割合で
溶かしてスラリー状にした。これを積層体３を入れた容
器の中に流し込み、十分に混合して、積層体３の表面に
ジルコニア層４を形成する。その後、積層体３をステン
レス製の網にのせて、余分なスラリーを分離して取り除
いた。次に、これを約７０℃で５分乾燥させ、（１）ア
ルミナ母材の匣鉢にジルコニア粉を施したもの、（２）
アルミナ母材にジルコニアを全面コートした匣鉢、
（３）アルミナ母材の匣鉢の（１）〜（３）の３種類の
匣鉢に詰め、１３００〜１４００℃の温度で焼成した。
次に、図２に示すように、バレル研磨機等を用いて、焼
結体のジルコニア層４を研磨して除去し、外観を整え
て、後に形成する外部電極５との接続を円滑に行えるよ
うに処理した。この段階で、得られた焼結体と、従来の
方法で得られた焼結体の外観不良（ピンホール）検査デ
ータを（表１）に示す。
ラミック誘電体微粉末と樹脂バインダーで、図１のセラ
ミック誘電体シート１を形成した。次に、このセラミッ
ク誘電体シート１の表面に、導電性金属ペーストをスク
リーン印刷法により、所望の図形に塗布して内部電極２
を形成した。その後、内部電極２がセラミック誘電体シ
ート１の相対向する端面に交互に露出するように、必要
枚数積層、プレスして、図２に示すような、積層体３を
得た。次に、チタン酸バリウム系のセラミック誘電体の
焼成過程において、不純物となるアルミナ、シリカ等と
は、非常に反応性の低いカルシア（ＣａＯ）で安定化さ
せたジルコニア微粉末を、水に対して５０wt％の割合で
溶かしてスラリー状にした。これを積層体３を入れた容
器の中に流し込み、十分に混合して、積層体３の表面に
ジルコニア層４を形成する。その後、積層体３をステン
レス製の網にのせて、余分なスラリーを分離して取り除
いた。次に、これを約７０℃で５分乾燥させ、（１）ア
ルミナ母材の匣鉢にジルコニア粉を施したもの、（２）
アルミナ母材にジルコニアを全面コートした匣鉢、
（３）アルミナ母材の匣鉢の（１）〜（３）の３種類の
匣鉢に詰め、１３００〜１４００℃の温度で焼成した。
次に、図２に示すように、バレル研磨機等を用いて、焼
結体のジルコニア層４を研磨して除去し、外観を整え
て、後に形成する外部電極５との接続を円滑に行えるよ
うに処理した。この段階で、得られた焼結体と、従来の
方法で得られた焼結体の外観不良（ピンホール）検査デ
ータを（表１）に示す。
【０００９】
【表１】
【００１０】（表１）において、本実施例の焼結体は従
来の焼結体と比較すると、ピンホール不良発生率が著し
く低く、しかも焼成条件（匣鉢の種類）に無関係である
ことがわかる。次に、図３に示すように、銀ペーストを
塗布、焼き付けて外部電極５を形成した後、半田メッキ
処理をして積層セラミックコンデンサを得た。このよう
にして得られた積層セラミックコンデンサと、従来の製
造方法で得られた積層セラミックコンデンサの外観不良
によるショート不良発生率を（表２）に示す。
来の焼結体と比較すると、ピンホール不良発生率が著し
く低く、しかも焼成条件（匣鉢の種類）に無関係である
ことがわかる。次に、図３に示すように、銀ペーストを
塗布、焼き付けて外部電極５を形成した後、半田メッキ
処理をして積層セラミックコンデンサを得た。このよう
にして得られた積層セラミックコンデンサと、従来の製
造方法で得られた積層セラミックコンデンサの外観不良
によるショート不良発生率を（表２）に示す。
【００１１】
【表２】
【００１２】（表２）においても、本実施例の積層セラ
ミックコンデンサは、従来の積層セラミックコンデンサ
と比較すると、ショート不良発生率が低く、なかでも外
観不良が原因とみられるショート不良の発生はゼロであ
る。
ミックコンデンサは、従来の積層セラミックコンデンサ
と比較すると、ショート不良発生率が低く、なかでも外
観不良が原因とみられるショート不良の発生はゼロであ
る。
【００１３】（実施例２）以下、本発明の第２の実施例
について説明する。
について説明する。
【００１４】実施例１と同様に、まず、チタン酸バリウ
ムを主成分とするセラミック誘電体微粉末と樹脂バイン
ダーとで、セラミック誘電体シート１を形成した。次
に、このセラミック誘電体シート１の表面に、導電性金
属ペーストをスクリーン印刷法により、所望の図形に塗
布して内部電極２を形成した。その後、図２に示すごと
く、内部電極２がセラミック誘電体シート１の相対向す
る端面に交互に露出するように、必要枚数積層、プレス
して積層体３を得た。次に、チタン酸バリウム系のセラ
ミック誘電体の焼結過程において、不純物となるアルミ
ナ、シリカ等とは、非常に反応性の低いカルシア（Ｃａ
Ｏ）で安定化させたジルコニア微粉末を、水に対して３
０wt％の割合で溶かしてスラリー状にした。これを積層
体３を入れた容器の中に流し込み、十分に混合して、積
層体３の表面にジルコニア層４を形成した。その後、積
層体３をステンレス製の網にのせて、余分なスラリーを
分離して取り除いた。次に、これを約７０℃で５分乾燥
させ、（１）アルミナ母材の匣鉢にジルコニア粉を施し
たもの、（２）アルミナ母材にジルコニア粉を全面コー
トした匣鉢、（３）アルミナ母材の匣鉢の（１）〜
（３）の３種類の匣鉢に詰め、１３００〜１４００℃の
温度で焼成した。次に、図２に示すように、バレル研磨
機等を用いて、焼結体のジルコニア層４を研磨して除
去、外観を整えて、後に形成する外部電極５との接続を
円滑に行えるように処理した。この段階で、得られた焼
結体と、従来の方法で得られた焼結体の外観不良（ピン
ホール）検査データを（表１）に示す。（表１）におい
て、本実施例の焼結体は従来の焼結体と比較すると、ピ
ンホール不良発生率が著しく低く、しかも焼成条件（匣
鉢の種類）に無関係であることがわかる。次に、図３に
示すように、銀ペーストを塗布、焼き付けて外部電極５
を形成した後、半田メッキ処理をして積層セラミックコ
ンデンサを得た。このようにして得られた積層セラミッ
クコンデンサと、従来の製造方法で得られた積層セラミ
ックコンデンサの外観不良によるショート不良発生率を
（表２）に示す。（表２）においても、本実施例の積層
セラミックコンデンサは従来の積層セラミックコンデン
サと比較すると、ショート不良発生率が低く、なかでも
外観不良が原因とみられるショート不良の発生はゼロで
ある。
ムを主成分とするセラミック誘電体微粉末と樹脂バイン
ダーとで、セラミック誘電体シート１を形成した。次
に、このセラミック誘電体シート１の表面に、導電性金
属ペーストをスクリーン印刷法により、所望の図形に塗
布して内部電極２を形成した。その後、図２に示すごと
く、内部電極２がセラミック誘電体シート１の相対向す
る端面に交互に露出するように、必要枚数積層、プレス
して積層体３を得た。次に、チタン酸バリウム系のセラ
ミック誘電体の焼結過程において、不純物となるアルミ
ナ、シリカ等とは、非常に反応性の低いカルシア（Ｃａ
Ｏ）で安定化させたジルコニア微粉末を、水に対して３
０wt％の割合で溶かしてスラリー状にした。これを積層
体３を入れた容器の中に流し込み、十分に混合して、積
層体３の表面にジルコニア層４を形成した。その後、積
層体３をステンレス製の網にのせて、余分なスラリーを
分離して取り除いた。次に、これを約７０℃で５分乾燥
させ、（１）アルミナ母材の匣鉢にジルコニア粉を施し
たもの、（２）アルミナ母材にジルコニア粉を全面コー
トした匣鉢、（３）アルミナ母材の匣鉢の（１）〜
（３）の３種類の匣鉢に詰め、１３００〜１４００℃の
温度で焼成した。次に、図２に示すように、バレル研磨
機等を用いて、焼結体のジルコニア層４を研磨して除
去、外観を整えて、後に形成する外部電極５との接続を
円滑に行えるように処理した。この段階で、得られた焼
結体と、従来の方法で得られた焼結体の外観不良（ピン
ホール）検査データを（表１）に示す。（表１）におい
て、本実施例の焼結体は従来の焼結体と比較すると、ピ
ンホール不良発生率が著しく低く、しかも焼成条件（匣
鉢の種類）に無関係であることがわかる。次に、図３に
示すように、銀ペーストを塗布、焼き付けて外部電極５
を形成した後、半田メッキ処理をして積層セラミックコ
ンデンサを得た。このようにして得られた積層セラミッ
クコンデンサと、従来の製造方法で得られた積層セラミ
ックコンデンサの外観不良によるショート不良発生率を
（表２）に示す。（表２）においても、本実施例の積層
セラミックコンデンサは従来の積層セラミックコンデン
サと比較すると、ショート不良発生率が低く、なかでも
外観不良が原因とみられるショート不良の発生はゼロで
ある。
【００１５】（実施例３）以下、本発明の第３の実施例
について説明する。
について説明する。
【００１６】実施例１，２と同様にして、積層体３を形
成した後、水に対して１０wt％および７０wt％の割合で
ジルコニア微粉末を溶かし、スラリー状にしたものを、
それぞれ積層体３を入れた容器の中に流し込み、十分に
混合して、積層体３の表面にジルコニア層４を形成し
た。その後、積層体３をステンレス製の網にのせて、余
分なスラリーを分離して取り除いた。しかし、水に対し
７０wt％の割合でジルコニアを溶かしたスラリーでジル
コニア層４を形成したものは、分離処理が困難であるた
め、焼成を中止した。次に、これを約７０℃で５分乾燥
させ、（１）アルミナ母材の匣鉢にジルコニア粉を施し
たもの、（２）アルミナ母材にジルコニア粉を全面コー
トした匣鉢、（３）アルミナ母材の匣鉢の（１）〜
（３）の３種類の匣鉢に詰め、１３００〜１４００℃の
温度で焼成した。次に、図２に示すように、バレル研磨
機等を用いて、焼結体のジルコニア層４を研磨して除
去、外観を整えて、後に形成する外部電極５との接続を
円滑に行えるように処理した。この段階で、得られた焼
結体と、従来の方法で得られた焼結体の外観不良（ピン
ホール）検査データを（表１）に示す。（表１）におい
て、本実施例の焼結体は従来の焼結体と比較すると、ピ
ンホール不良発生率が低いが、焼成条件（匣鉢の種類）
により、効果の現れかたに、むらがあると思われる。次
に、図３に示すように、銀ペーストを塗布、焼き付けて
外部電極５を形成した後、半田メッキ処理をして積層セ
ラミックコンデンサを得た。このようにして得られた積
層セラミックコンデンサと、従来の製造方法で得られた
積層セラミックコンデンサの外観不良によるショート不
良発生率を（表２）に示す。（表２）においても、本実
施例の積層セラミックコンデンサは、従来の積層セラミ
ックコンデンサと比較すると、ショート不良発生率が低
いが、焼成条件（匣鉢の種類）により効果の現れかたに
むらがあると思われる。これらのことは、ジルコニアの
濃度が１０wt％と低かったため、ジルコニア層が不均一
になっていたためであると思われる。
成した後、水に対して１０wt％および７０wt％の割合で
ジルコニア微粉末を溶かし、スラリー状にしたものを、
それぞれ積層体３を入れた容器の中に流し込み、十分に
混合して、積層体３の表面にジルコニア層４を形成し
た。その後、積層体３をステンレス製の網にのせて、余
分なスラリーを分離して取り除いた。しかし、水に対し
７０wt％の割合でジルコニアを溶かしたスラリーでジル
コニア層４を形成したものは、分離処理が困難であるた
め、焼成を中止した。次に、これを約７０℃で５分乾燥
させ、（１）アルミナ母材の匣鉢にジルコニア粉を施し
たもの、（２）アルミナ母材にジルコニア粉を全面コー
トした匣鉢、（３）アルミナ母材の匣鉢の（１）〜
（３）の３種類の匣鉢に詰め、１３００〜１４００℃の
温度で焼成した。次に、図２に示すように、バレル研磨
機等を用いて、焼結体のジルコニア層４を研磨して除
去、外観を整えて、後に形成する外部電極５との接続を
円滑に行えるように処理した。この段階で、得られた焼
結体と、従来の方法で得られた焼結体の外観不良（ピン
ホール）検査データを（表１）に示す。（表１）におい
て、本実施例の焼結体は従来の焼結体と比較すると、ピ
ンホール不良発生率が低いが、焼成条件（匣鉢の種類）
により、効果の現れかたに、むらがあると思われる。次
に、図３に示すように、銀ペーストを塗布、焼き付けて
外部電極５を形成した後、半田メッキ処理をして積層セ
ラミックコンデンサを得た。このようにして得られた積
層セラミックコンデンサと、従来の製造方法で得られた
積層セラミックコンデンサの外観不良によるショート不
良発生率を（表２）に示す。（表２）においても、本実
施例の積層セラミックコンデンサは、従来の積層セラミ
ックコンデンサと比較すると、ショート不良発生率が低
いが、焼成条件（匣鉢の種類）により効果の現れかたに
むらがあると思われる。これらのことは、ジルコニアの
濃度が１０wt％と低かったため、ジルコニア層が不均一
になっていたためであると思われる。
【００１７】以上の実施例により、スラリー中のジルコ
ニアの濃度を３０〜５０wt％程度にすることが、不良低
減に最も効果的であると思われる。
ニアの濃度を３０〜５０wt％程度にすることが、不良低
減に最も効果的であると思われる。
【００１８】なお、実施例１〜３において、積層体３を
容器の中に入れて、スラリーと混合して、ジルコニア層
４を形成したが、スラリーを刷毛等で積層体３の表面に
塗るか、またはスラリーを吹きつけるなどしてジルコニ
ア層４を形成してもよい。さらに、積層体３から余分な
スラリーを分離させるのに、ステンレス製の網を使用し
たが、網の材質、種類は問わない上、分離処理ができる
ものであればどのようなものでも構わない。また、ジル
コニア層４は、だいたい２０μｍ以下の厚さで、焼成時
に積層体３において、アルミナやシリカの粉等の不純物
と接する恐れのある面すべてに設けることが望ましい。
容器の中に入れて、スラリーと混合して、ジルコニア層
４を形成したが、スラリーを刷毛等で積層体３の表面に
塗るか、またはスラリーを吹きつけるなどしてジルコニ
ア層４を形成してもよい。さらに、積層体３から余分な
スラリーを分離させるのに、ステンレス製の網を使用し
たが、網の材質、種類は問わない上、分離処理ができる
ものであればどのようなものでも構わない。また、ジル
コニア層４は、だいたい２０μｍ以下の厚さで、焼成時
に積層体３において、アルミナやシリカの粉等の不純物
と接する恐れのある面すべてに設けることが望ましい。
【００１９】また、焼成後、ジルコニア層４を取り除く
ことはもちろん、ジルコニア層４と接していた積層体３
表面も研磨して取り除くことが望ましい。
ことはもちろん、ジルコニア層４と接していた積層体３
表面も研磨して取り除くことが望ましい。
【００２０】
【発明の効果】以上、本発明によると、たとえ焼結過程
で積層体の表面に、積層体と反応を起こす不純物が付着
したとしても、積層体表面がジルコニア層で、覆われて
いるため外観不良および電気特性不良を起こすことがな
く、優れた品質の積層セラミックコンデンサを得ること
ができる。
で積層体の表面に、積層体と反応を起こす不純物が付着
したとしても、積層体表面がジルコニア層で、覆われて
いるため外観不良および電気特性不良を起こすことがな
く、優れた品質の積層セラミックコンデンサを得ること
ができる。
【図１】本発明の一実施例におけるジルコニア層で覆わ
れた積層体の斜視図
れた積層体の斜視図
【図２】本発明の一実施例における積層体の斜視図
【図３】本発明の一実施例における積層セラミックコン
デンサの斜視図
デンサの斜視図
１ セラミック誘電体シート ２ 内部電極 ３ 積層体 ４ ジルコニア層 ５ 外部電極
Claims (1)
- 【請求項１】 複数のセラミック誘電体シートと、複数
の導電性金属とを前記導電性金属が前記セラミック誘電
体シートの相対向する端部に露出するように、交互に積
層して積層体を形成し、次に、前記積層体の少なくとも
一つの面をジルコニアを主成分とする層で覆った後、前
記積層体を焼成し、次に前記ジルコニア層を除き、その
後、前記積層体の前記内部電極の露出した端面に外部電
極を形成する積層セラミックコンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6078333A JPH07288217A (ja) | 1994-04-18 | 1994-04-18 | 積層セラミックコンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6078333A JPH07288217A (ja) | 1994-04-18 | 1994-04-18 | 積層セラミックコンデンサの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07288217A true JPH07288217A (ja) | 1995-10-31 |
Family
ID=13659056
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6078333A Pending JPH07288217A (ja) | 1994-04-18 | 1994-04-18 | 積層セラミックコンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07288217A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006126333A1 (ja) | 2005-05-26 | 2006-11-30 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 積層セラミック電子部品およびその製造方法 |
| WO2024190114A1 (ja) * | 2023-03-11 | 2024-09-19 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサおよび積層セラミックコンデンサの製造方法 |
-
1994
- 1994-04-18 JP JP6078333A patent/JPH07288217A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006126333A1 (ja) | 2005-05-26 | 2006-11-30 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 積層セラミック電子部品およびその製造方法 |
| EP1884967A4 (en) * | 2005-05-26 | 2011-11-16 | Murata Manufacturing Co | MULTILAYER CERAMIC ELECTRONIC COMPONENT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME |
| WO2024190114A1 (ja) * | 2023-03-11 | 2024-09-19 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサおよび積層セラミックコンデンサの製造方法 |
| JPWO2024190114A1 (ja) * | 2023-03-11 | 2024-09-19 |
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