JPH07288249A - 低い工具加速度の材料除去工具の移動方法 - Google Patents
低い工具加速度の材料除去工具の移動方法Info
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- JPH07288249A JPH07288249A JP6300005A JP30000594A JPH07288249A JP H07288249 A JPH07288249 A JP H07288249A JP 6300005 A JP6300005 A JP 6300005A JP 30000594 A JP30000594 A JP 30000594A JP H07288249 A JPH07288249 A JP H07288249A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、基板の表面から材料を除去するた
めのプラズマ補助化学的エッチング装置のような装置の
空間的区間の加速度が最小化されるよう材料除去工具を
移動させる方法および装置を提供することを目的とす
る。 【構成】 基板の厚さプロフィルのマップを形成するた
めに基板の厚さプロフィルを測定し(32)、基板の最終的
な厚さのプロフィルを生じるために基板の表面の最初の
厚さのプロフィルのマップに基づいて材料除去工具滞留
時間対材料除去工具位置のマップを決定し(36)、この除
去工具滞留時間対材料除去工具位置のマップに基づいて
基板の表面の材料工具の加速度のマップを計算し(38)、
最終的な予め定められた厚さのプロフィルにしたがって
所望の基板表面プロフィルを達成するために基板の表面
から予め定められた量の材料を除去するように材料除去
工具の加速度のマップによって材料除去工具を移動する
(40)ことを特徴とする
めのプラズマ補助化学的エッチング装置のような装置の
空間的区間の加速度が最小化されるよう材料除去工具を
移動させる方法および装置を提供することを目的とす
る。 【構成】 基板の厚さプロフィルのマップを形成するた
めに基板の厚さプロフィルを測定し(32)、基板の最終的
な厚さのプロフィルを生じるために基板の表面の最初の
厚さのプロフィルのマップに基づいて材料除去工具滞留
時間対材料除去工具位置のマップを決定し(36)、この除
去工具滞留時間対材料除去工具位置のマップに基づいて
基板の表面の材料工具の加速度のマップを計算し(38)、
最終的な予め定められた厚さのプロフィルにしたがって
所望の基板表面プロフィルを達成するために基板の表面
から予め定められた量の材料を除去するように材料除去
工具の加速度のマップによって材料除去工具を移動する
(40)ことを特徴とする
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、一般に、基板表面上の
材料除去工具を移動させる方法に関し、特に、材料が予
め定められた空間的区間内の低い工具加速度でそれらの
区間内で工具を移動することによって基板の表面から除
去されるように、プラズマ補助化学的エッチング工具あ
るいは機械的研磨工具のような小さい材料除去工具を移
動させる方法に関する。
材料除去工具を移動させる方法に関し、特に、材料が予
め定められた空間的区間内の低い工具加速度でそれらの
区間内で工具を移動することによって基板の表面から除
去されるように、プラズマ補助化学的エッチング工具あ
るいは機械的研磨工具のような小さい材料除去工具を移
動させる方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】本発明は、絶縁体上のシリコン（ＳＯ
Ｉ）上のような基板から予め定められた最終的な厚さの
プロフィルを有する目的物を製造する方法を提供する。
ＳＯＩウエハのような薄い固体層およびフィルムを有す
る基板材料は、電気的、光学的、磁気的、超伝導および
その他の重要な技術的装置の製造において広範囲に使用
されている。様々な理由のため、このような基板はしば
しば表面から幾つかの材料を除去するために成形処理あ
るいは薄くする処理を受ける。ＳＯＩウエハのフィルム
の厚さのプロフィルを変化させるためにプラズマ補助化
学的エッチング材料除去工具によるコンピュータ制御さ
れた補正の方法は、本発明の出願人による1991年12月13
日出願の米国特許出願第07/807,544号明細書に開示され
ている。その開示は、除去工具の滞留時間対除去工具位
置のマップから除去工具一定速度対除去工具位置のマッ
プを形成する方法に関する。除去工具滞留時間対位置の
マップは、除去工具が所望の厚さのプロフィルを達成す
るために各間隔内の予め定められた量の材料を除去する
ために複数のそれぞれ予め定められた領域あるいはウエ
ハの表面の空間的区間にわたって費やさなければならな
い時間に関して、５軸の位置制御装置および段のような
相対運動ハードウエアに情報を供給する。一般に、５軸
の位置制御ハードウエアは、任意に成形された表面に追
従するために一定速度方法を含む材料除去のための任意
の方法によって必要とされる。ＳＯＩ構造上のシリコン
層を薄くする、あるいはシリコンウエハを平坦にするよ
うに補正される基板がほぼ平坦である適用に関して、２
軸の運動は必要とされる。普通の２軸の運動構造は線形
の走査およびステップ「Ｘ−Ｙ」、および半径方向の運
動を有する基板テーブルの回転「Ｒ−Θ」である。以下
の記載はＸ−Ｙ運動に関するが、それは別の移動構造に
も良好に同様に適用するので、位置制御ハードウエアの
形態にかかわりなく滞留時間マップを作成することに関
する。
Ｉ）上のような基板から予め定められた最終的な厚さの
プロフィルを有する目的物を製造する方法を提供する。
ＳＯＩウエハのような薄い固体層およびフィルムを有す
る基板材料は、電気的、光学的、磁気的、超伝導および
その他の重要な技術的装置の製造において広範囲に使用
されている。様々な理由のため、このような基板はしば
しば表面から幾つかの材料を除去するために成形処理あ
るいは薄くする処理を受ける。ＳＯＩウエハのフィルム
の厚さのプロフィルを変化させるためにプラズマ補助化
学的エッチング材料除去工具によるコンピュータ制御さ
れた補正の方法は、本発明の出願人による1991年12月13
日出願の米国特許出願第07/807,544号明細書に開示され
ている。その開示は、除去工具の滞留時間対除去工具位
置のマップから除去工具一定速度対除去工具位置のマッ
プを形成する方法に関する。除去工具滞留時間対位置の
マップは、除去工具が所望の厚さのプロフィルを達成す
るために各間隔内の予め定められた量の材料を除去する
ために複数のそれぞれ予め定められた領域あるいはウエ
ハの表面の空間的区間にわたって費やさなければならな
い時間に関して、５軸の位置制御装置および段のような
相対運動ハードウエアに情報を供給する。一般に、５軸
の位置制御ハードウエアは、任意に成形された表面に追
従するために一定速度方法を含む材料除去のための任意
の方法によって必要とされる。ＳＯＩ構造上のシリコン
層を薄くする、あるいはシリコンウエハを平坦にするよ
うに補正される基板がほぼ平坦である適用に関して、２
軸の運動は必要とされる。普通の２軸の運動構造は線形
の走査およびステップ「Ｘ−Ｙ」、および半径方向の運
動を有する基板テーブルの回転「Ｒ−Θ」である。以下
の記載はＸ−Ｙ運動に関するが、それは別の移動構造に
も良好に同様に適用するので、位置制御ハードウエアの
形態にかかわりなく滞留時間マップを作成することに関
する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】一般的な一定速度方法
にしたがって、除去工具は一定速度でそれぞれ予め定め
られた空間的区間にわたって移動されるので、工具が予
め定められた空間的区間にわたって移動するのに費やさ
れる時間はその区間に関して計算された滞留時間に対応
する。しかしながら、材料除去工具を移動させる一定速
度方法は、段が各空間的区間内にほぼ一定の速度を供給
するためにそれぞれ隣接した空間的区間間に非常に迅速
な加速度あるいは減速度を供給することができなければ
ならないという欠点を有する。換言すると、除去工具の
速度が実質上全ての空間的区間内でほぼ一定であるため
に空間的区間間の一定速度における変化は非常に短い期
間において生じなければならない。残念ながら、結局、
段の最大加速度あるいは減速度は一定速度方法にしたが
って所望の厚さのプロフィルにＳＯＩを正確に変える能
力を制限する。基板に関する工具の加速度は、平均工具
速度および隣接した空間的区間の間の滞留時間における
変化の関数である。実際に、部品の迅速な補正（例え
ば、ＳＯＩ構造におけるシリコンの厚さ、シリコンウエ
ハの平坦化）を必要とする生産の応用は、高い工具速度
を必要とし、それ故に滞留時間マップが一定速度方法に
よって実行される場合に非常に高い加速度を必要とす
る。さらに、このような加速度は、迅速な加速度および
減速度の要求がその寿命、信頼性およびコストに悪影響
を与えるため、通常の運動制御ハードウエアによって実
現することが困難である。幾つかの場合において、その
要求は非常に重要であるので、非常に高価な、専門の、
強力な制御ハードウエアを必要とする。
にしたがって、除去工具は一定速度でそれぞれ予め定め
られた空間的区間にわたって移動されるので、工具が予
め定められた空間的区間にわたって移動するのに費やさ
れる時間はその区間に関して計算された滞留時間に対応
する。しかしながら、材料除去工具を移動させる一定速
度方法は、段が各空間的区間内にほぼ一定の速度を供給
するためにそれぞれ隣接した空間的区間間に非常に迅速
な加速度あるいは減速度を供給することができなければ
ならないという欠点を有する。換言すると、除去工具の
速度が実質上全ての空間的区間内でほぼ一定であるため
に空間的区間間の一定速度における変化は非常に短い期
間において生じなければならない。残念ながら、結局、
段の最大加速度あるいは減速度は一定速度方法にしたが
って所望の厚さのプロフィルにＳＯＩを正確に変える能
力を制限する。基板に関する工具の加速度は、平均工具
速度および隣接した空間的区間の間の滞留時間における
変化の関数である。実際に、部品の迅速な補正（例え
ば、ＳＯＩ構造におけるシリコンの厚さ、シリコンウエ
ハの平坦化）を必要とする生産の応用は、高い工具速度
を必要とし、それ故に滞留時間マップが一定速度方法に
よって実行される場合に非常に高い加速度を必要とす
る。さらに、このような加速度は、迅速な加速度および
減速度の要求がその寿命、信頼性およびコストに悪影響
を与えるため、通常の運動制御ハードウエアによって実
現することが困難である。幾つかの場合において、その
要求は非常に重要であるので、非常に高価な、専門の、
強力な制御ハードウエアを必要とする。
【０００４】したがって、本発明は、空間的区間に対す
る滞留時間要求を満たす空間的区間内の段の加速度が最
小化されることを可能にする方法を提供することによっ
て材料除去工具を移動させる一定速度方法と関連する基
板の表面からの材料除去の欠点を克服する方法に関す
る。
る滞留時間要求を満たす空間的区間内の段の加速度が最
小化されることを可能にする方法を提供することによっ
て材料除去工具を移動させる一定速度方法と関連する基
板の表面からの材料除去の欠点を克服する方法に関す
る。
【０００５】本発明の目的は、基板の予め定められた厚
さのプロフィルを達成するように基板の表面から材料を
除去するためにプラズマ補助化学的エッチング装置のよ
うな材料除去工具を移動させる方法を提供することであ
る。
さのプロフィルを達成するように基板の表面から材料を
除去するためにプラズマ補助化学的エッチング装置のよ
うな材料除去工具を移動させる方法を提供することであ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板の予め定
められた厚さのプロフィルを達成するように表面から材
料を除去するために基板表面上で材料除去工具を移動さ
せる方法を提供し、上述された問題および従来技術の欠
点は克服される。本発明の方法は、基板表面上の相対運
動ハードウエアおよび材料除去工具を加速および減速さ
せる相対的運動ハードウエア制御装置に加速および減速
命令を供給することによって予め定められた厚さの層の
プロフィルを達成する。
められた厚さのプロフィルを達成するように表面から材
料を除去するために基板表面上で材料除去工具を移動さ
せる方法を提供し、上述された問題および従来技術の欠
点は克服される。本発明の方法は、基板表面上の相対運
動ハードウエアおよび材料除去工具を加速および減速さ
せる相対的運動ハードウエア制御装置に加速および減速
命令を供給することによって予め定められた厚さの層の
プロフィルを達成する。
【０００７】本発明によれば、基板の厚さのプロフィル
は表面の少なくとも一部分に沿った基板の厚さのプロフ
ィルのマップを作成するために測定される。測定された
厚さのプロフィルのマップは基板の所望の厚さのプロフ
ィルと比較され、次に、測定された厚さのプロフィルが
予め定められた公差内の所望の厚さのプロフィルに整合
するか否かが決定される。測定された厚さのプロフィル
が予め定められた公差内の所望の厚さのプロフィルと整
合しないとき、本発明の方法は所望の厚さのプロフィル
を達成する一連の材料除去工具滞留時間対材料除去工具
位置を決定し、対応している滞留時間マップを形成す
る。滞留時間マップから、本発明の方法は、加速度のマ
ップを形成するために滞留時間のマップに含まれた一連
の滞留時間を満たす材料除去工具の一連の加速度および
減速度を決定する。最後に、相対的移動制御装置は、表
面から材料を除去するために加速度マップによって基板
表面上において相対的運動ハードウエアおよび材料除去
工具を加速し、減速する。所望であれば、材料が基板の
表面から除去された後、厚さのプロフィルは測定され、
予め定められた厚さのプロフィルと再び比較される。し
たがって、本発明の方法は、所望のプロフィルが達成さ
れるまで反復される。
は表面の少なくとも一部分に沿った基板の厚さのプロフ
ィルのマップを作成するために測定される。測定された
厚さのプロフィルのマップは基板の所望の厚さのプロフ
ィルと比較され、次に、測定された厚さのプロフィルが
予め定められた公差内の所望の厚さのプロフィルに整合
するか否かが決定される。測定された厚さのプロフィル
が予め定められた公差内の所望の厚さのプロフィルと整
合しないとき、本発明の方法は所望の厚さのプロフィル
を達成する一連の材料除去工具滞留時間対材料除去工具
位置を決定し、対応している滞留時間マップを形成す
る。滞留時間マップから、本発明の方法は、加速度のマ
ップを形成するために滞留時間のマップに含まれた一連
の滞留時間を満たす材料除去工具の一連の加速度および
減速度を決定する。最後に、相対的移動制御装置は、表
面から材料を除去するために加速度マップによって基板
表面上において相対的運動ハードウエアおよび材料除去
工具を加速し、減速する。所望であれば、材料が基板の
表面から除去された後、厚さのプロフィルは測定され、
予め定められた厚さのプロフィルと再び比較される。し
たがって、本発明の方法は、所望のプロフィルが達成さ
れるまで反復される。
【０００８】
【実施例】本発明の別の目的および利点は、添付図面お
よび特許請求の範囲と共に以下の詳細な説明から当業者
に明瞭となるであろう。
よび特許請求の範囲と共に以下の詳細な説明から当業者
に明瞭となるであろう。
【０００９】図１を参照すると、材料除去システム10の
概略図が示されている。システム10は、Ｘ，ＹおよびＺ
方向における線形運動およびＸ軸15およびＹ軸17に対す
る回転を可能にする多重軸の相対運動装置14に取付けら
れた材料除去工具12を含む。段14は、インターフェイス
18を介して制御装置16によって駆動される。機械的研磨
工具あるいはプラズマ補助化学的エッチング装置のよう
な材料を除去する既知の工具は、本発明の方法を実行す
るために材料除去工具12として使用されることができ
る。市販の段は相対運動装置14として使用されることが
でき、段に命令を与える市販の多重軸制御装置、例えば
多重制御ボードを備えたコンピュータが制御装置16とし
て使用されることができる。本発明の目的のため、段14
の運動はＸおよびＹ平面における線形運動として記載さ
れている。
概略図が示されている。システム10は、Ｘ，ＹおよびＺ
方向における線形運動およびＸ軸15およびＹ軸17に対す
る回転を可能にする多重軸の相対運動装置14に取付けら
れた材料除去工具12を含む。段14は、インターフェイス
18を介して制御装置16によって駆動される。機械的研磨
工具あるいはプラズマ補助化学的エッチング装置のよう
な材料を除去する既知の工具は、本発明の方法を実行す
るために材料除去工具12として使用されることができ
る。市販の段は相対運動装置14として使用されることが
でき、段に命令を与える市販の多重軸制御装置、例えば
多重制御ボードを備えたコンピュータが制御装置16とし
て使用されることができる。本発明の目的のため、段14
の運動はＸおよびＹ平面における線形運動として記載さ
れている。
【００１０】図１において、システム10は、除去工具12
に面する表面20を有する基板22の上方に示されている。
材料は、段14により表面20上で材料除去工具12を移動さ
せることによって表面20から除去される。段14およびそ
れに取付けられた材料除去工具12の正確な移動は、予め
定められた経路あるいはあるいはマップに従ってインタ
ーフェイス18を介して制御装置16によって指令される。
に面する表面20を有する基板22の上方に示されている。
材料は、段14により表面20上で材料除去工具12を移動さ
せることによって表面20から除去される。段14およびそ
れに取付けられた材料除去工具12の正確な移動は、予め
定められた経路あるいはあるいはマップに従ってインタ
ーフェイス18を介して制御装置16によって指令される。
【００１１】別の実施例（図示されていない）におい
て、材料除去工具12は空間的に固定され、基板22は段14
上に位置される。この別の実施例において、材料除去
は、基板表面20がインターフェイス18を介して制御装置
16によって指令されるように材料除去工具14の下で制御
可能に移動されるように基板22を支持している段14を移
動することによって行われる。同様に、工具に対する相
対的な基板の運動は、工具と基板の移動の組合せによっ
て得られる。
て、材料除去工具12は空間的に固定され、基板22は段14
上に位置される。この別の実施例において、材料除去
は、基板表面20がインターフェイス18を介して制御装置
16によって指令されるように材料除去工具14の下で制御
可能に移動されるように基板22を支持している段14を移
動することによって行われる。同様に、工具に対する相
対的な基板の運動は、工具と基板の移動の組合せによっ
て得られる。
【００１２】図２を参照すると、従来の方法および本発
明の方法によれば、基板表面22全体は、アレイあるいは
複数の空間的区間24に分けられる。空間的区間24は、座
標ｉおよびｊによって定められる。例えば第１の空間的
区間26は座標ｊおよびｊ−１によって示され、第２の空
間的区間28は座標ｉおよびｊによって示され、第３の空
間的区間30は座標ｉ，ｊ＋１によって確認される。図２
は、基板上の工具のＸ−Ｙ走査運動に適合するような空
間的区間の方形グリッドに分割された基板を示し、異な
る空間的区間の形態を生じる別の基板の分割が使用され
ることができる。例えば、基板の中心に対して放射状に
対称的な間隔は、基板の回転および放射方向の移動によ
って行われた相対工具移動に関して使用されることがで
きる。
明の方法によれば、基板表面22全体は、アレイあるいは
複数の空間的区間24に分けられる。空間的区間24は、座
標ｉおよびｊによって定められる。例えば第１の空間的
区間26は座標ｊおよびｊ−１によって示され、第２の空
間的区間28は座標ｉおよびｊによって示され、第３の空
間的区間30は座標ｉ，ｊ＋１によって確認される。図２
は、基板上の工具のＸ−Ｙ走査運動に適合するような空
間的区間の方形グリッドに分割された基板を示し、異な
る空間的区間の形態を生じる別の基板の分割が使用され
ることができる。例えば、基板の中心に対して放射状に
対称的な間隔は、基板の回転および放射方向の移動によ
って行われた相対工具移動に関して使用されることがで
きる。
【００１３】図３を参照すると、基板表面20からの材料
除去は測定工程32で開始し、基板22の厚さのプロフィル
は厚さのプロフィルのマップを生成するために基板表面
20に沿って測定される。基板22の厚さあるいは表面プロ
フィルの測定は、測定される材料に適切な既知の方法に
よって実行される。
除去は測定工程32で開始し、基板22の厚さのプロフィル
は厚さのプロフィルのマップを生成するために基板表面
20に沿って測定される。基板22の厚さあるいは表面プロ
フィルの測定は、測定される材料に適切な既知の方法に
よって実行される。
【００１４】測定工程32に続いて、比較工程34が行われ
る。比較工程34は、任意の材料が基板表面20から除去さ
れる必要があるか否かを決定するために予め定められ
た、あるいは所望の厚さプロフィルと測定された厚さプ
ロフィルとを比較する。所望の厚さプロフィルと測定さ
れた厚さプロフィルとの比較は、コンピュータにより２
つのプロフィルを比較することによって実行されること
ができる。比較工程34は測定されたプロフィルが予め定
められた公差内で所望のプロフィルと整合することを決
定し、本発明の方法はブロック35に示されたように終了
される。しかしながら、測定された厚さのプロフィルが
予め定められた公差内で所望のプロフィルを整合しない
場合、本発明の方法は滞留時間の計算工程36に移行す
る。
る。比較工程34は、任意の材料が基板表面20から除去さ
れる必要があるか否かを決定するために予め定められ
た、あるいは所望の厚さプロフィルと測定された厚さプ
ロフィルとを比較する。所望の厚さプロフィルと測定さ
れた厚さプロフィルとの比較は、コンピュータにより２
つのプロフィルを比較することによって実行されること
ができる。比較工程34は測定されたプロフィルが予め定
められた公差内で所望のプロフィルと整合することを決
定し、本発明の方法はブロック35に示されたように終了
される。しかしながら、測定された厚さのプロフィルが
予め定められた公差内で所望のプロフィルを整合しない
場合、本発明の方法は滞留時間の計算工程36に移行す
る。
【００１５】本発明および従来の技術の方法において、
複数の各空間的区間24に対する滞留時間は、材料除去工
具12が基板表面20の一部上を移動した後に所望の厚さあ
るいはプロフィルを生じる基板表面20の滞留時間のマッ
プを作成するように基板表面20の少なくとも一部に対し
て決定されなければならない。空間的区間に対する滞留
時間Ｔ（ｉ，ｊ）は、材料除去工具12が、その空間的区
間内の所望の厚さのプロフィルを生じる空間的な間隔か
ら材料を除去するためにその空間的区間に費やさなけれ
ばならない時間として定められる。任意の空間的区間の
滞留時間は、材料除去工具12の材料除去速度に正比例す
る。滞留時間の計算工程36の特性は、材料除去工具滞留
時間対材料除去工具位置のマップを生成する。
複数の各空間的区間24に対する滞留時間は、材料除去工
具12が基板表面20の一部上を移動した後に所望の厚さあ
るいはプロフィルを生じる基板表面20の滞留時間のマッ
プを作成するように基板表面20の少なくとも一部に対し
て決定されなければならない。空間的区間に対する滞留
時間Ｔ（ｉ，ｊ）は、材料除去工具12が、その空間的区
間内の所望の厚さのプロフィルを生じる空間的な間隔か
ら材料を除去するためにその空間的区間に費やさなけれ
ばならない時間として定められる。任意の空間的区間の
滞留時間は、材料除去工具12の材料除去速度に正比例す
る。滞留時間の計算工程36の特性は、材料除去工具滞留
時間対材料除去工具位置のマップを生成する。
【００１６】従来技術の一定速度方法に従って、滞留時
間計算工程36に続いて一定速度計算工程（図示されてい
ない）が行われる。一定速度計算工程は、複数の各空間
的区間24に対する滞留時間要求を満たすために要求され
た複数の各空間的区間24の材料除去工具の速度を計算す
る。除去工具の一定速度が各空間的区間に関して計算さ
れると、除去工具12は空間的区間内を一定速度で移動さ
れ、速度は新しい空間的区間に入ることによってのみ変
化される。例えば、第１の空間的区間26における材料除
去工具の速度は一定に保持され、材料除去工具は第１の
空間的区間26を通って移動される。材料除去工具12が第
２の空間的区間28との境界を横切ると直ぐに材料除去工
具の速度は変化される。図４は、ｓ、２ｓ等で示された
１つの空間的区間から次の空間的区間までの除去工具の
実質上一定速度対工具の位置をグラフで示す。図４に示
すように、一定速度方法の使用によると空間的区間の初
めの速度において非常に大きい変化を生じる。速度にお
けるこの大きい変化によって、段に磨耗や破損が生じ、
基板の表面から効果的および正確に材料を除去するため
に非常に高価な段14を必要とする。
間計算工程36に続いて一定速度計算工程（図示されてい
ない）が行われる。一定速度計算工程は、複数の各空間
的区間24に対する滞留時間要求を満たすために要求され
た複数の各空間的区間24の材料除去工具の速度を計算す
る。除去工具の一定速度が各空間的区間に関して計算さ
れると、除去工具12は空間的区間内を一定速度で移動さ
れ、速度は新しい空間的区間に入ることによってのみ変
化される。例えば、第１の空間的区間26における材料除
去工具の速度は一定に保持され、材料除去工具は第１の
空間的区間26を通って移動される。材料除去工具12が第
２の空間的区間28との境界を横切ると直ぐに材料除去工
具の速度は変化される。図４は、ｓ、２ｓ等で示された
１つの空間的区間から次の空間的区間までの除去工具の
実質上一定速度対工具の位置をグラフで示す。図４に示
すように、一定速度方法の使用によると空間的区間の初
めの速度において非常に大きい変化を生じる。速度にお
けるこの大きい変化によって、段に磨耗や破損が生じ、
基板の表面から効果的および正確に材料を除去するため
に非常に高価な段14を必要とする。
【００１７】本発明の方法は、除去工具の加速度の計算
工程38を含むことによって一定速度方法を使用するとき
に速度の大きい変化による問題を克服する。除去工具加
速度計算工程38は、複数の各空間的区間に対して一連の
除去工具の線形加速度の値を含んでいる加速度マップを
形成する。本発明は、複数の各空間的区間内の除去工具
12および段14の線形加速度が最小化され、その間隔に対
する滞留時間が満たされる状態で一連の線形加速度を計
算することを企図する。良好に動作する滞留時間マップ
を得るため、計算された加速度は隣接する空間的区間の
滞留時間、好ましくは特定の滞留時間の空間的区間Ｔ
（ｉ，ｊ）および隣接している滞留時間の空間的区間Ｔ
（ｉ，ｊ−１）およびＴ（ｉ，ｊ＋１）にのみ依存すべ
きである。一方、任意の所定の間隔の加速度は、計算を
しにくくし、工具の相対加速度を最小化しにくくする多
くの異なる離れた間隔の滞留時間に依存する。それ故、
本発明によれば、この状況はＸ−Ｙ−Ｚの段14の運動が
滞留時間マップから計算される独特の加速度マップに追
従することによって制御装置16によって制御されること
ができる。工程38によって計算される加速度マップはま
た、特定の間隔に必要とされる速度および加速度の評価
を可能にする。
工程38を含むことによって一定速度方法を使用するとき
に速度の大きい変化による問題を克服する。除去工具加
速度計算工程38は、複数の各空間的区間に対して一連の
除去工具の線形加速度の値を含んでいる加速度マップを
形成する。本発明は、複数の各空間的区間内の除去工具
12および段14の線形加速度が最小化され、その間隔に対
する滞留時間が満たされる状態で一連の線形加速度を計
算することを企図する。良好に動作する滞留時間マップ
を得るため、計算された加速度は隣接する空間的区間の
滞留時間、好ましくは特定の滞留時間の空間的区間Ｔ
（ｉ，ｊ）および隣接している滞留時間の空間的区間Ｔ
（ｉ，ｊ−１）およびＴ（ｉ，ｊ＋１）にのみ依存すべ
きである。一方、任意の所定の間隔の加速度は、計算を
しにくくし、工具の相対加速度を最小化しにくくする多
くの異なる離れた間隔の滞留時間に依存する。それ故、
本発明によれば、この状況はＸ−Ｙ−Ｚの段14の運動が
滞留時間マップから計算される独特の加速度マップに追
従することによって制御装置16によって制御されること
ができる。工程38によって計算される加速度マップはま
た、特定の間隔に必要とされる速度および加速度の評価
を可能にする。
【００１８】空間的な間隔に対する加速度マップの計算
と同様に、工程38によって計算された加速度マップは、
特定の時間の間隔にわたる工具の運動の加速度マップを
決定することを可能にする。この方法において、制御装
置16は、滞留時間マップを実行するような方法で特定の
時間間隔に関して計算された加速度で段14を駆動する。
段制御の共通の方法はロータリーエンコーダあるいは線
形エンコーダのような段の位置を検知することに基づく
ので、好ましい加速度マップは空間的区間に基づく。
と同様に、工程38によって計算された加速度マップは、
特定の時間の間隔にわたる工具の運動の加速度マップを
決定することを可能にする。この方法において、制御装
置16は、滞留時間マップを実行するような方法で特定の
時間間隔に関して計算された加速度で段14を駆動する。
段制御の共通の方法はロータリーエンコーダあるいは線
形エンコーダのような段の位置を検知することに基づく
ので、好ましい加速度マップは空間的区間に基づく。
【００１９】加速度マップの計算で認められた状態が、
間隔内の材料除去工具の加速度における時間特定変化あ
るいは位置特定変化を行うことによって満たされること
が熟慮される。本発明によるいずれかの状態において、
工具速度および位置における状態は材料除去工具12およ
び段14の運動に適用されるので、（１）工具速度は各間
隔における特定の時間あるいは位置で決定され、（２）
この点での工具速度の大きさはその間隔、すなわちその
間隔およびそれに直接隣接した間隔における滞留時間に
依存して「位置決定される」。これに関する直接的な適
用は、（１）各間隔の終端部点に関する工具速度を決定
し、（２）この点（すなわち、間隔の終端部）での工具
速度の大きさＶf （ｉ，ｊ）を次のように特定すること
である。
間隔内の材料除去工具の加速度における時間特定変化あ
るいは位置特定変化を行うことによって満たされること
が熟慮される。本発明によるいずれかの状態において、
工具速度および位置における状態は材料除去工具12およ
び段14の運動に適用されるので、（１）工具速度は各間
隔における特定の時間あるいは位置で決定され、（２）
この点での工具速度の大きさはその間隔、すなわちその
間隔およびそれに直接隣接した間隔における滞留時間に
依存して「位置決定される」。これに関する直接的な適
用は、（１）各間隔の終端部点に関する工具速度を決定
し、（２）この点（すなわち、間隔の終端部）での工具
速度の大きさＶf （ｉ，ｊ）を次のように特定すること
である。
【００２０】Ｖf （ｉ，ｊ）＝ｓ／Ｔ（ｉ，ｊ） 当業者が正しく認識するように、速度Ｖf （ｉ，ｊ）
は、全体の間隔に対する滞留時間Ｔ（ｉ，ｊ）に合致す
る全体の間隔に対して一定速度と同じ速度を有する。局
部滞留時間に工具速度を結びつける（例えば、Ｖ
f （ｉ，ｊ）＝ｓ／Ｔ（ｉ，ｊ））別の状態が使用され
てもよい。
は、全体の間隔に対する滞留時間Ｔ（ｉ，ｊ）に合致す
る全体の間隔に対して一定速度と同じ速度を有する。局
部滞留時間に工具速度を結びつける（例えば、Ｖ
f （ｉ，ｊ）＝ｓ／Ｔ（ｉ，ｊ））別の状態が使用され
てもよい。
【００２１】本発明の方法によれば、加速度マップ計算
工程38は、一連の線形加速度を計算することによって加
速度マップを形成する。結局、この一連の線形加速度
は、材料除去工具12および段14を運動させる制御装置16
に命令する。これらの加速度は、除去工具の線形加速度
が間隔内の特定の時間において変化されるような方法に
よって計算される。また、本発明によれば、一連の線形
の加速度は、除去工具の線形加速度が間隔内の特定の位
置で変化されるように計算される。いずれかの計算方法
にしたがって、２つの線形加速度Ａ1 （ｉ，ｊ）および
Ａ2 （ｉ，ｊ）は、間隔Ｔ（ｉ，ｊ）内の段の加速度が
最小化される予め認識された状態を満たす各空間的な間
隔に関して生じる。
工程38は、一連の線形加速度を計算することによって加
速度マップを形成する。結局、この一連の線形加速度
は、材料除去工具12および段14を運動させる制御装置16
に命令する。これらの加速度は、除去工具の線形加速度
が間隔内の特定の時間において変化されるような方法に
よって計算される。また、本発明によれば、一連の線形
の加速度は、除去工具の線形加速度が間隔内の特定の位
置で変化されるように計算される。いずれかの計算方法
にしたがって、２つの線形加速度Ａ1 （ｉ，ｊ）および
Ａ2 （ｉ，ｊ）は、間隔Ｔ（ｉ，ｊ）内の段の加速度が
最小化される予め認識された状態を満たす各空間的な間
隔に関して生じる。
【００２２】図５は、材料除去工具12および段14が加速
度における時間特定変化および局部的速度条件Ｖ
f （ｉ，ｊ）＝ｓ／Ｔ（ｉ，ｊ）にしたがって移動され
るときに達成された結果を示す。加速度における時間特
定変化にしたがって、除去工具はｒＴ（ｉ，ｊ）として
定められた時間期間に対して線形に加速することによっ
て位置（ｉ，ｊ）に対応する間隔を移動させるのに時間
Ｔ（ｉ，ｊ）を費やす。ここでｒは１より小さく、時間
（１−ｒ）Ｔ（ｉ，ｊ）に対して異なる線形加速度で加
速する。それ故、滞留時間Ｔ（ｉ，ｊ）を生じる２つの
線形加速度Ａ1 （ｉ，ｊ）およびＡ2 （ｉ，ｊ）は次の
通りである。
度における時間特定変化および局部的速度条件Ｖ
f （ｉ，ｊ）＝ｓ／Ｔ（ｉ，ｊ）にしたがって移動され
るときに達成された結果を示す。加速度における時間特
定変化にしたがって、除去工具はｒＴ（ｉ，ｊ）として
定められた時間期間に対して線形に加速することによっ
て位置（ｉ，ｊ）に対応する間隔を移動させるのに時間
Ｔ（ｉ，ｊ）を費やす。ここでｒは１より小さく、時間
（１−ｒ）Ｔ（ｉ，ｊ）に対して異なる線形加速度で加
速する。それ故、滞留時間Ｔ（ｉ，ｊ）を生じる２つの
線形加速度Ａ1 （ｉ，ｊ）およびＡ2 （ｉ，ｊ）は次の
通りである。
【００２３】Ａ1 (i,j)＝ [ｓ／Ｔ(i,j)] [１／Ｔ(i,
j) −１／Ｔ(1,j-1)](1+r) ／ｒ Ａ2 (i,j)＝−[ ｓ／ｔ(i,j)] [１／Ｔ(i,j) −１／Ｔ
(1,j-1)]ｒ／(1-r) ここで、Ａ1 （ｉ，ｊ）およびＡ2 （ｉ，ｊ）は、ｒ＝
（１／２）1/2 すなわち０．７０７１であるときに最小
とされる。Ｔ（ｉ，ｊ）は点ｉ，ｊに対応している間隔
に関して計算された滞留時間であり、Ｔ（ｉ，ｊ−１）
は前の間隔ｉ，ｊ−１に関する滞留時間であり、ｓは走
査間隔の長さであり、ｒは工具が走査間隔の長さにおい
てＡ1 （ｉ，ｊ）で加速する時間の分割を与える可変設
定演算子である。本発明によれば、材料は（１−ｒ）
（Ｔ（ｉ，ｊ））に等しい期間に対してＡ2 （ｉ，ｊ）
によって追従されるｒ（Ｔ（ｉ，ｊ））に等しい期間に
対してＡ1 （ｉ，ｊ）にしたがって段を加速するように
段制御装置に命令することによって表面から除去され
る。
j) −１／Ｔ(1,j-1)](1+r) ／ｒ Ａ2 (i,j)＝−[ ｓ／ｔ(i,j)] [１／Ｔ(i,j) −１／Ｔ
(1,j-1)]ｒ／(1-r) ここで、Ａ1 （ｉ，ｊ）およびＡ2 （ｉ，ｊ）は、ｒ＝
（１／２）1/2 すなわち０．７０７１であるときに最小
とされる。Ｔ（ｉ，ｊ）は点ｉ，ｊに対応している間隔
に関して計算された滞留時間であり、Ｔ（ｉ，ｊ−１）
は前の間隔ｉ，ｊ−１に関する滞留時間であり、ｓは走
査間隔の長さであり、ｒは工具が走査間隔の長さにおい
てＡ1 （ｉ，ｊ）で加速する時間の分割を与える可変設
定演算子である。本発明によれば、材料は（１−ｒ）
（Ｔ（ｉ，ｊ））に等しい期間に対してＡ2 （ｉ，ｊ）
によって追従されるｒ（Ｔ（ｉ，ｊ））に等しい期間に
対してＡ1 （ｉ，ｊ）にしたがって段を加速するように
段制御装置に命令することによって表面から除去され
る。
【００２４】図６は、材料除去工具12および段14が加速
度における位置特定変化にしたがって移動されるときに
達成される結果を示す。この方法にしたがって、除去工
具は間隔の半分の長さｓ／２の間を１つの線形加速度で
加速し、間隔のもう半分の長さｓ／２の期間を第２の線
形加速度で加速する。工具が間隔ｉ，ｊにおいて費やさ
れる全体の時間は、再びＴ（ｉ，ｊ）として表される。
点（ｉ，ｊ）に対応している走査期間の２つの線形加速
度Ａ1 （ｉ，ｊ）およびＡ2 （ｉ，ｊ）は次の通りであ
る。
度における位置特定変化にしたがって移動されるときに
達成される結果を示す。この方法にしたがって、除去工
具は間隔の半分の長さｓ／２の間を１つの線形加速度で
加速し、間隔のもう半分の長さｓ／２の期間を第２の線
形加速度で加速する。工具が間隔ｉ，ｊにおいて費やさ
れる全体の時間は、再びＴ（ｉ，ｊ）として表される。
点（ｉ，ｊ）に対応している走査期間の２つの線形加速
度Ａ1 （ｉ，ｊ）およびＡ2 （ｉ，ｊ）は次の通りであ
る。
【００２５】 Ａ1 (i,j) ＝ [Ｖc (i,j)/s −１／Ｔ(i,j-1)]2 Ａ2 (i,j) ＝ [１／Ｔ(i,j) −Ｖc(i,j)/s ]2 Ｖc (i,j) ＝s/2{１／Ｔ(i,j-1) ＋[(１／Ｔ(i,j) −１
Ｔ(i,j-1))2＋４／( Ｔ(i,j))2 ] 1/2 } ここで、Ｔ（ｉ，ｊ）およびＴ（ｉ，ｊ−１）は基板表
面上の隣接した位置に対する滞留時間であり、ｓは滞留
時間が計算される間隔の長さであり、Ｖc は間隔Ｔ
（ｉ，ｊ）の中間点で工具を加速する速度である。間隔
の初めおよび終わりの工具速度Ｖs （ｉ，ｊ）およびＶ
f （ｉ，ｊ）は次のように決定される。
Ｔ(i,j-1))2＋４／( Ｔ(i,j))2 ] 1/2 } ここで、Ｔ（ｉ，ｊ）およびＴ（ｉ，ｊ−１）は基板表
面上の隣接した位置に対する滞留時間であり、ｓは滞留
時間が計算される間隔の長さであり、Ｖc は間隔Ｔ
（ｉ，ｊ）の中間点で工具を加速する速度である。間隔
の初めおよび終わりの工具速度Ｖs （ｉ，ｊ）およびＶ
f （ｉ，ｊ）は次のように決定される。
【００２６】Ｖs （ｉ，ｊ）＝Ｖf （ｉ，ｊ−１）＝ｓ
Ｔ（ｉ，ｊ−１） Ｖf （ｉ，ｊ）＝ｓ／Ｔ（ｉ，ｊ） この別の方法にしたがって、段制御装置命令は各点がｓ
／２で分割される点から点までの線形加速度によって与
えられ、また命令は工具が特定の位置で特定の速度に線
形加速度で移動するｓ／２で分離された次の位置で特定
された速度Ｖs（ｉ，ｊ）、Ｖc （ｉ，ｊ）およびＶf
（ｉ，ｊ）によって与えられる。
Ｔ（ｉ，ｊ−１） Ｖf （ｉ，ｊ）＝ｓ／Ｔ（ｉ，ｊ） この別の方法にしたがって、段制御装置命令は各点がｓ
／２で分割される点から点までの線形加速度によって与
えられ、また命令は工具が特定の位置で特定の速度に線
形加速度で移動するｓ／２で分離された次の位置で特定
された速度Ｖs（ｉ，ｊ）、Ｖc （ｉ，ｊ）およびＶf
（ｉ，ｊ）によって与えられる。
【００２７】本発明は、この方法の１つ以上の特定の実
施例に関して記載されているが、別の方法の工程が本発
明の技術的範囲を逸脱することなしに実行されることは
理解されるであろう。本発明は、特許請求の範囲および
その合理的な解釈によってのみ限定されるものである。
施例に関して記載されているが、別の方法の工程が本発
明の技術的範囲を逸脱することなしに実行されることは
理解されるであろう。本発明は、特許請求の範囲および
その合理的な解釈によってのみ限定されるものである。
【図１】位置および移動段に取付けられた材料除去工具
と、制御装置から受けた命令によって基板の表面上の工
具の移動により基板の表面プロフィルあるいは厚さを変
えるために使用される制御装置との概略斜視図。
と、制御装置から受けた命令によって基板の表面上の工
具の移動により基板の表面プロフィルあるいは厚さを変
えるために使用される制御装置との概略斜視図。
【図２】表面上の複数の隣接した空間的区間の境界を示
すためのブロックを有する表面の正面図。
すためのブロックを有する表面の正面図。
【図３】材料除去工具を移動させる本発明の方法の工程
のフローチャート。
のフローチャート。
【図４】工具速度における変化が空間的区間の間でのみ
許容される従来の一定速度方法にしたがった材料除去工
具速度対工具の位置のグラフ図。
許容される従来の一定速度方法にしたがった材料除去工
具速度対工具の位置のグラフ図。
【図５】除去工具が、空間的区間内の特定の時間に加速
度を変化し、空間的区間の予め計算された滞留時間に合
致するように命令されている材料除去工具の速度対時間
のグラフ図。
度を変化し、空間的区間の予め計算された滞留時間に合
致するように命令されている材料除去工具の速度対時間
のグラフ図。
【図６】除去工具が、空間的区間内の特定の位置で加速
度を変化し、空間的区間の予め計算された滞留時間に合
致するように命令されている材料除去工具の速度対工具
の位置のグラフ図。
度を変化し、空間的区間の予め計算された滞留時間に合
致するように命令されている材料除去工具の速度対工具
の位置のグラフ図。
Claims (11)
- 【請求項１】 基板から材料を除去するために基板の表
面上における材料除去工具の移動方法において、 基板の少なくとも一部の厚さのプロフィルのマップを形
成するために基板の表面の少なくとも一部の最初の厚さ
のプロフィルを測定し、 基板の表面の最終的な予め定められた厚さのプロフィル
を生じるために基板の表面の最初の厚さのプロフィルの
マップに基づいて材料除去工具滞留時間対材料除去工具
位置のマップを決定し、 除去工具滞留時間対材料除去工具位置のマップに基づい
て基板の表面の材料工具の加速度のマップを計算し、 最終的な予め定められた厚さのプロフィルにしたがって
所望の基板表面プロフィルを達成するために基板の表面
から予め定められた量の材料を除去するように、材料除
去工具の加速度のマップによって材料除去工具を移動す
る工程を含んでいることを特徴とする材料除去工具の移
動方法。 - 【請求項２】 基板から材料を除去するために基板の表
面上における材料除去工具の移動方法において、 基板の表面を少なくとも１つの空間的区間に分割し、 前記少なくとも１つの空間的区間の厚さを測定し、 前記少なくとも１つの空間的区間に対して測定された厚
さを前記少なくとも１つの空間的区間に対する所望の厚
さと比較し、 前記空間的区間に対する所望の厚さを生じる前記少なく
とも１つの空間的区間から除去される材料の量を決定
し、 各空間的区間の所望の厚さを達成するために前記少なく
とも１つの空間的区間から材料を除去する前記少なくと
も１つの空間的区間の材料除去工具滞留時間を計算し、 材料除去工具が、前記少なくとも１つの空間的区間に対
する計算された滞留時間に対応している期間に複数の空
間的区間のそれぞれに留まることを可能にする前記少な
くとも１つの空間的区間の一連の除去工具加速度を計算
し、 前記少なくとも１つの空間的区間に関して計算された一
連の除去工具加速度にしたがって前記少なくとも１つの
空間的区間内の加速度および減速度で基板の表面に対し
て材料除去工具を移動させる工程を含んでいることを特
徴とする材料除去工具の移動方法。 - 【請求項３】 一連の除去工具加速度が除去工具時間の
加速度に依存するように計算される請求項２記載の方
法。 - 【請求項４】 一連の除去工具加速度が除去工具位置の
加速度に依存するように計算される請求項２記載の方
法。 - 【請求項５】 基板から材料を除去するために基板の表
面上における材料除去工具の移動方法において、 基板の表面を複数の空間的区間に分割し、 複数の各空間的区間の厚さを測定し、 複数の各空間的区間の測定された厚さを複数の各空間的
区間の所望の厚さと比較し、 複数の空間的区間のそれぞれに対する所望の厚さを生じ
るために複数の空間的区間のそれぞれから除去される材
料の量を決定し、 複数の各空間的区間の所望の厚さを達成するために複数
の空間的区間のそれぞれから材料を除去する複数の空間
的区間のそれぞれに対する材料除去工具の滞留時間を計
算し、 材料除去工具が複数の各空間的区間の計算された滞留時
間に対応している期間に複数の各空間的区間に留まるこ
とを可能にする複数の空間的区間のそれぞれに対する一
連の材料除去工具加速度を計算し、 複数の各空間的区間に対して計算された一連の除去工具
加速度にしたがって複数の各空間的区間内の加速度およ
び減速度で基板の表面に対して材料除去工具を移動させ
る工程を含んでいることを特徴とする材料除去工具の移
動方法。 - 【請求項６】 複数の各空間的区間に対する一連の除去
工具加速度が、複数の各空間的区間内の除去工具の加速
度に依存するように計算される請求項５記載の方法。 - 【請求項７】 複数の各空間的区間に対する一連の除去
工具加速度が、複数の各空間的区間位置内の除去工具の
加速度に依存するように計算される請求項５記載の方
法。 - 【請求項８】 基板から材料を除去するために基板の表
面上において材料除去工具を移動させる装置において、 基板の表面を少なくとも１つの空間的区間に分割する手
段と、 前記少なくとも１つの空間的区間の厚さを測定する手段
と、 前記少なくとも１つの空間的区間の測定された厚さを前
記少なくとも１つの空間的区間に対する所望の厚さと比
較する手段と、 前記空間的区間た対する所望の厚を生じる前記少なくと
も１つの空間的区間から除去される材料の量を決定する
手段と、 各空間的区間に対する所望の厚さを達成するために前記
少なくとも１つの空間的区間から材料を除去する前記少
なくとも１つの空間的区間に対する材料除去工具の滞留
時間を計算する手段と、 材料除去工具が、前記少なくとも１つの空間的区間に対
する計算された滞留時間に対応している期間に対して複
数の空間的区間にそれぞれ留まることを可能にする前記
少なくとも１つの空間的区間に対する一連の除去工具の
加速度を計算する手段と、 前記少なくとも１つの空間的区間に関して計算された一
連の除去工具の加速度にしたがって前記少なくとも１つ
の空間的区間内の加速度および減速度によって基板の表
面に関して材料除去工具を移動させる手段とを具備して
いることを特徴する材料除去工具を移動させる装置。 - 【請求項９】 材料除去工具を移動させる手段が５軸の
段である請求項８記載の装置。 - 【請求項１０】 一連の除去工具加速度を計算する手段
がさらに除去工具加速時間に依存させる手段を具備して
いる請求項８記載の装置。 - 【請求項１１】 一連の除去工具加速度を計算する手段
がさらに除去工具加速位置に依存させる手段を具備して
いる請求項８記載の装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US162510 | 1993-12-02 | ||
| US08/162,510 US5375064A (en) | 1993-12-02 | 1993-12-02 | Method and apparatus for moving a material removal tool with low tool accelerations |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07288249A true JPH07288249A (ja) | 1995-10-31 |
Family
ID=22585929
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6300005A Pending JPH07288249A (ja) | 1993-12-02 | 1994-12-02 | 低い工具加速度の材料除去工具の移動方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5375064A (ja) |
| EP (1) | EP0656573A3 (ja) |
| JP (1) | JPH07288249A (ja) |
| IL (1) | IL111711A0 (ja) |
| NO (1) | NO944614L (ja) |
| TW (1) | TW300321B (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003536245A (ja) | 2000-04-19 | 2003-12-02 | アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド | フィードバックエッチング制御を用いて臨界寸法を制御するための方法および装置 |
| JP2006344931A (ja) * | 2005-04-15 | 2006-12-21 | Leibniz-Inst Fuer Oberflaechenmodifizierung Ev | パルスイオンビームによる表面改質のための局所エッチングまたは堆積の制御 |
| JP7049531B1 (ja) * | 2020-12-08 | 2022-04-06 | 三菱電機株式会社 | 数値制御装置 |
Families Citing this family (50)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5419803A (en) * | 1993-11-17 | 1995-05-30 | Hughes Aircraft Company | Method of planarizing microstructures |
| IL112511A0 (en) * | 1994-02-18 | 1995-05-26 | Hughes Aircraft Co | System for improving the total thickness variation of a wafer |
| US5795493A (en) * | 1995-05-01 | 1998-08-18 | Motorola, Inc. | Laser assisted plasma chemical etching method |
| JP3612158B2 (ja) | 1996-11-18 | 2005-01-19 | スピードファム株式会社 | プラズマエッチング方法及びその装置 |
| US6030887A (en) * | 1998-02-26 | 2000-02-29 | Memc Electronic Materials, Inc. | Flattening process for epitaxial semiconductor wafers |
| MY133868A (en) * | 1997-04-03 | 2007-11-30 | Memc Electronic Materials | Flattening process for epitaxial semiconductor wafers |
| US6242880B1 (en) * | 1998-09-08 | 2001-06-05 | Cimplus, Inc. | Tolerance based motion control system |
| US7069101B1 (en) | 1999-07-29 | 2006-06-27 | Applied Materials, Inc. | Computer integrated manufacturing techniques |
| US6200908B1 (en) | 1999-08-04 | 2001-03-13 | Memc Electronic Materials, Inc. | Process for reducing waviness in semiconductor wafers |
| US6640151B1 (en) | 1999-12-22 | 2003-10-28 | Applied Materials, Inc. | Multi-tool control system, method and medium |
| US6708074B1 (en) | 2000-08-11 | 2004-03-16 | Applied Materials, Inc. | Generic interface builder |
| EP1324858A1 (en) | 2000-10-06 | 2003-07-09 | Cabot Microelectronics Corporation | Polishing pad comprising a filled translucent region |
| US7188142B2 (en) | 2000-11-30 | 2007-03-06 | Applied Materials, Inc. | Dynamic subject information generation in message services of distributed object systems in a semiconductor assembly line facility |
| US7510664B2 (en) | 2001-01-30 | 2009-03-31 | Rapt Industries, Inc. | Apparatus and method for atmospheric pressure reactive atom plasma processing for shaping of damage free surfaces |
| US7591957B2 (en) | 2001-01-30 | 2009-09-22 | Rapt Industries, Inc. | Method for atmospheric pressure reactive atom plasma processing for surface modification |
| US6746616B1 (en) * | 2001-03-27 | 2004-06-08 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for providing etch uniformity using zoned temperature control |
| US6963357B2 (en) * | 2001-05-15 | 2005-11-08 | David Christopher Semones | Communication monitoring system and method |
| US7160739B2 (en) | 2001-06-19 | 2007-01-09 | Applied Materials, Inc. | Feedback control of a chemical mechanical polishing device providing manipulation of removal rate profiles |
| US7082345B2 (en) | 2001-06-19 | 2006-07-25 | Applied Materials, Inc. | Method, system and medium for process control for the matching of tools, chambers and/or other semiconductor-related entities |
| US7047099B2 (en) | 2001-06-19 | 2006-05-16 | Applied Materials Inc. | Integrating tool, module, and fab level control |
| US6910947B2 (en) | 2001-06-19 | 2005-06-28 | Applied Materials, Inc. | Control of chemical mechanical polishing pad conditioner directional velocity to improve pad life |
| US6913938B2 (en) | 2001-06-19 | 2005-07-05 | Applied Materials, Inc. | Feedback control of plasma-enhanced chemical vapor deposition processes |
| US7698012B2 (en) | 2001-06-19 | 2010-04-13 | Applied Materials, Inc. | Dynamic metrology schemes and sampling schemes for advanced process control in semiconductor processing |
| US7101799B2 (en) | 2001-06-19 | 2006-09-05 | Applied Materials, Inc. | Feedforward and feedback control for conditioning of chemical mechanical polishing pad |
| US6649426B2 (en) * | 2001-06-28 | 2003-11-18 | Advanced Micro Devices, Inc. | System and method for active control of spacer deposition |
| US7337019B2 (en) | 2001-07-16 | 2008-02-26 | Applied Materials, Inc. | Integration of fault detection with run-to-run control |
| US6984198B2 (en) | 2001-08-14 | 2006-01-10 | Applied Materials, Inc. | Experiment management system, method and medium |
| US6521470B1 (en) * | 2001-10-31 | 2003-02-18 | United Microelectronics Corp. | Method of measuring thickness of epitaxial layer |
| US6660177B2 (en) | 2001-11-07 | 2003-12-09 | Rapt Industries Inc. | Apparatus and method for reactive atom plasma processing for material deposition |
| US7225047B2 (en) | 2002-03-19 | 2007-05-29 | Applied Materials, Inc. | Method, system and medium for controlling semiconductor wafer processes using critical dimension measurements |
| US20030199112A1 (en) | 2002-03-22 | 2003-10-23 | Applied Materials, Inc. | Copper wiring module control |
| JP2005535130A (ja) | 2002-08-01 | 2005-11-17 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 最新のプロセス制御システム内で誤って表された計測データを取り扱う方法、システム、および媒体 |
| AU2003290932A1 (en) | 2002-11-15 | 2004-06-15 | Applied Materials, Inc. | Method, system and medium for controlling manufacture process having multivariate input parameters |
| US7333871B2 (en) | 2003-01-21 | 2008-02-19 | Applied Materials, Inc. | Automated design and execution of experiments with integrated model creation for semiconductor manufacturing tools |
| US7371992B2 (en) | 2003-03-07 | 2008-05-13 | Rapt Industries, Inc. | Method for non-contact cleaning of a surface |
| US7205228B2 (en) | 2003-06-03 | 2007-04-17 | Applied Materials, Inc. | Selective metal encapsulation schemes |
| US6864189B2 (en) * | 2003-06-27 | 2005-03-08 | International Business Machines Corporation | Methodology for measuring and controlling film thickness profiles |
| US7354332B2 (en) | 2003-08-04 | 2008-04-08 | Applied Materials, Inc. | Technique for process-qualifying a semiconductor manufacturing tool using metrology data |
| US7356377B2 (en) | 2004-01-29 | 2008-04-08 | Applied Materials, Inc. | System, method, and medium for monitoring performance of an advanced process control system |
| US7096085B2 (en) | 2004-05-28 | 2006-08-22 | Applied Materials | Process control by distinguishing a white noise component of a process variance |
| US6961626B1 (en) | 2004-05-28 | 2005-11-01 | Applied Materials, Inc | Dynamic offset and feedback threshold |
| CA2747118C (en) | 2005-03-23 | 2015-02-10 | Hurco Companies, Inc. | Method of curvature controlled data smoothing |
| US8024068B2 (en) | 2006-08-04 | 2011-09-20 | Hurco Companies, Inc. | Machine tool control system |
| US8725283B2 (en) | 2006-08-04 | 2014-05-13 | Hurco Companies, Inc. | Generalized kinematics system |
| US7933677B2 (en) | 2006-08-04 | 2011-04-26 | Hurco Companies, Inc. | System and method for surface finish management |
| TWI353496B (en) | 2006-08-04 | 2011-12-01 | Hurco Co Inc | System and method and computer readable medium for |
| US20120301242A1 (en) * | 2011-05-24 | 2012-11-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing workpiece |
| US9079210B2 (en) * | 2013-07-22 | 2015-07-14 | Infineon Technologies Ag | Methods for etching a workpiece, an apparatus configured to etch a workpiece, and a non-transitory computer readable medium |
| WO2016036349A1 (en) * | 2014-09-02 | 2016-03-10 | Halliburton Energy Services, Inc. | Acceleration predictor |
| KR20160045299A (ko) * | 2014-10-17 | 2016-04-27 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치, 연계 처리 시스템 및 기판 처리 방법 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55125960A (en) * | 1979-03-12 | 1980-09-29 | Sankyo Seiki Mfg Co Ltd | Automatic working device |
| JPS59107842A (ja) * | 1982-12-09 | 1984-06-22 | Toshiba Mach Co Ltd | ばり取り制御装置 |
| US4877479A (en) * | 1987-03-20 | 1989-10-31 | University Of New Mexico | Method and apparatus for ion deposition and etching |
| US4758304A (en) * | 1987-03-20 | 1988-07-19 | Mcneil John R | Method and apparatus for ion etching and deposition |
| US5291415A (en) * | 1991-12-13 | 1994-03-01 | Hughes Aircraft Company | Method to determine tool paths for thinning and correcting errors in thickness profiles of films |
| US5290382A (en) * | 1991-12-13 | 1994-03-01 | Hughes Aircraft Company | Methods and apparatus for generating a plasma for "downstream" rapid shaping of surfaces of substrates and films |
-
1993
- 1993-12-02 US US08/162,510 patent/US5375064A/en not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-11-21 IL IL11171194A patent/IL111711A0/xx unknown
- 1994-11-25 EP EP94118567A patent/EP0656573A3/en not_active Withdrawn
- 1994-12-01 NO NO944614A patent/NO944614L/no unknown
- 1994-12-02 JP JP6300005A patent/JPH07288249A/ja active Pending
- 1994-12-15 TW TW083111821A patent/TW300321B/zh active
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003536245A (ja) | 2000-04-19 | 2003-12-02 | アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド | フィードバックエッチング制御を用いて臨界寸法を制御するための方法および装置 |
| JP2006344931A (ja) * | 2005-04-15 | 2006-12-21 | Leibniz-Inst Fuer Oberflaechenmodifizierung Ev | パルスイオンビームによる表面改質のための局所エッチングまたは堆積の制御 |
| JP7049531B1 (ja) * | 2020-12-08 | 2022-04-06 | 三菱電機株式会社 | 数値制御装置 |
| WO2022123660A1 (ja) * | 2020-12-08 | 2022-06-16 | 三菱電機株式会社 | 数値制御装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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