JPH0729204A - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
- Publication number
- JPH0729204A JPH0729204A JP5174312A JP17431293A JPH0729204A JP H0729204 A JPH0729204 A JP H0729204A JP 5174312 A JP5174312 A JP 5174312A JP 17431293 A JP17431293 A JP 17431293A JP H0729204 A JPH0729204 A JP H0729204A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- recording medium
- recording layer
- optical recording
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 低コストで製造できるホコリの付着し難い光
記録媒体を提供することを目的とする。 【構成】 光学的に透明な基板及び記録層を有する光記
録媒体において、該基板が導電性材料を含有してなり、
それによって該基板の該記録層に対向しない側の面の表
面電気抵抗率が１×１０14Ω／□以下に形成されてなる
ことを特徴とする。
記録媒体を提供することを目的とする。 【構成】 光学的に透明な基板及び記録層を有する光記
録媒体において、該基板が導電性材料を含有してなり、
それによって該基板の該記録層に対向しない側の面の表
面電気抵抗率が１×１０14Ω／□以下に形成されてなる
ことを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光記録媒体に関するも
のである。
のである。
【０００２】
【従来の技術】近年、大容量を特徴とする光記録媒体が
上市され、コンピューターのコード情報や、画像などの
データファイルとして応用されつつある。この光記録媒
体は、一般的に、光学的に透明な基板上に、記録層を形
成し、該基板を通して、レーザー光線を照射し、情報の
記録再生を行なう構造となっている。この際、該基板の
記録層の形成されていない面、つまり、レーザー光線の
入射面にホコリなどがある程度以上つくと、実質的に、
記録膜に到達するレーザー光線の強度が低下し、記録エ
ラーや、読出しエラーが生ずるという問題点があった。
従来この問題点に対して、例えば特開平２−２９９４８
号に記載されている様に、基板のレーザー光線入射面に
光硬化性樹脂中に導電性物質を混入した物を塗布、硬化
させて導電性の層を設けたり、導電性の物質を直接該基
板のレーザー光線入射面に塗布したり、真空成膜するこ
とによって、基板の表面電気抵抗を低下させ、ホコリを
つきにくくするという方法がとられている。しかしなが
ら、これらの方法はいずれも後処理によって基板の表面
抵抗を低下させており、そのため、光記録媒体の 製造
過程に於いて、工程が１つ増加することとなり、工程が
増えたことによる、工程コストの増加、および歩留りの
低下により光記録媒体の製造コストが上昇するという問
題点があった。
上市され、コンピューターのコード情報や、画像などの
データファイルとして応用されつつある。この光記録媒
体は、一般的に、光学的に透明な基板上に、記録層を形
成し、該基板を通して、レーザー光線を照射し、情報の
記録再生を行なう構造となっている。この際、該基板の
記録層の形成されていない面、つまり、レーザー光線の
入射面にホコリなどがある程度以上つくと、実質的に、
記録膜に到達するレーザー光線の強度が低下し、記録エ
ラーや、読出しエラーが生ずるという問題点があった。
従来この問題点に対して、例えば特開平２−２９９４８
号に記載されている様に、基板のレーザー光線入射面に
光硬化性樹脂中に導電性物質を混入した物を塗布、硬化
させて導電性の層を設けたり、導電性の物質を直接該基
板のレーザー光線入射面に塗布したり、真空成膜するこ
とによって、基板の表面電気抵抗を低下させ、ホコリを
つきにくくするという方法がとられている。しかしなが
ら、これらの方法はいずれも後処理によって基板の表面
抵抗を低下させており、そのため、光記録媒体の 製造
過程に於いて、工程が１つ増加することとなり、工程が
増えたことによる、工程コストの増加、および歩留りの
低下により光記録媒体の製造コストが上昇するという問
題点があった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本願発明は上記問題点
に鑑みなされたものであって、光記録媒体の製造コスト
をあげることなく、基板のレーザー光線入射面の表面電
気抵抗率を低下させ、ホコリのつきにくい、光記録媒体
を提供することを目的とするものである。
に鑑みなされたものであって、光記録媒体の製造コスト
をあげることなく、基板のレーザー光線入射面の表面電
気抵抗率を低下させ、ホコリのつきにくい、光記録媒体
を提供することを目的とするものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】即ち本発明の光記録媒体
は光学的に透明な基板及び記録層を有する光記録媒体に
おいて、該基板が導電性材料を含有してなり、それによ
って該基板の該記録層に対向しない側の面の表面電気抵
抗率が１×１０14Ω／□以下に形成されてなることを特
徴とするものである。
は光学的に透明な基板及び記録層を有する光記録媒体に
おいて、該基板が導電性材料を含有してなり、それによ
って該基板の該記録層に対向しない側の面の表面電気抵
抗率が１×１０14Ω／□以下に形成されてなることを特
徴とするものである。
【０００５】次に本発明を図面を用いて詳細に説明す
る。
る。
【０００６】図１は本発明に係る光ディスクの１実施態
様の径方向の概略断面図であり、図１において１は表面
に案内溝やプリピット等のプリフォーマットを備えた基
板、２は無機誘電体薄膜、３は非晶質磁気記録膜、４は
無機誘電体膜、５は反射膜であって２〜５で記録層６を
構成している。７は記録層６の反射膜５上に形成されて
なる保護膜である。そして本発明は、該基板１の記録層
に対向しない側の面、つまりレーザー光線の入射面の表
面電気抵抗率が１×１０14Ω／□以下となる様に基板中
に導電性材料を含有させてなるものである。そしてこの
ように構成することによって従来法のように、新たな工
程によって導電膜を基板表面に設けることなく、ホコリ
等の付着を有効に防止し得る光記録媒体を得ることが出
来る。
様の径方向の概略断面図であり、図１において１は表面
に案内溝やプリピット等のプリフォーマットを備えた基
板、２は無機誘電体薄膜、３は非晶質磁気記録膜、４は
無機誘電体膜、５は反射膜であって２〜５で記録層６を
構成している。７は記録層６の反射膜５上に形成されて
なる保護膜である。そして本発明は、該基板１の記録層
に対向しない側の面、つまりレーザー光線の入射面の表
面電気抵抗率が１×１０14Ω／□以下となる様に基板中
に導電性材料を含有させてなるものである。そしてこの
ように構成することによって従来法のように、新たな工
程によって導電膜を基板表面に設けることなく、ホコリ
等の付着を有効に防止し得る光記録媒体を得ることが出
来る。
【０００７】そして、本発明において基板中に混入させ
る導電性材料としては、記録層への情報の記録及び／又
は記録層からの情報の再生に用いるレーザー光線の、基
板中の透過を妨げるものでなければ特に制限されること
はなく、例えば、スズアンチモンオキサイド、インヂウ
ムスズオキサイドなどの透明導電性粒子や通常の有機帯
電防止剤、例えばポリオキシエチレンアルキルアミン、
アルキルフェノールＥＯ付加体、アルキルトリメチルア
ンモニウム塩などがあげられる。
る導電性材料としては、記録層への情報の記録及び／又
は記録層からの情報の再生に用いるレーザー光線の、基
板中の透過を妨げるものでなければ特に制限されること
はなく、例えば、スズアンチモンオキサイド、インヂウ
ムスズオキサイドなどの透明導電性粒子や通常の有機帯
電防止剤、例えばポリオキシエチレンアルキルアミン、
アルキルフェノールＥＯ付加体、アルキルトリメチルア
ンモニウム塩などがあげられる。
【０００８】また本発明において、基板中の導電性粒子
の含有量としては、該基板のレ−ザ−光線入射面の表面
電気抵抗率が所定の値となる様にすることができれば特
に限定されるものではないが、基板の機械特性やレ−ザ
−光線の透過率、更には基板の複屈折性等の光学特性、
更には基板上に形成する記録層の密着性や記録層の安定
性等を考慮すると、例えば導電性材料として透明導電性
材料を用いる場合その含有量は０．５ｗｔ％〜１５ｗｔ
％、特に３ｗｔ％〜１０ｗｔ％とすることが好ましく、
また導電性材料として有機帯電防止剤を用いた場合には
０．５ｗｔ％〜１０ｗｔ％、特に２ｗｔ％〜６ｗｔ％と
することが好ましい。また本発明においては、基板の厚
さ方向に該導電性粒子の濃度に勾配を持たせても良く、
例えば基板の記録層と対向しない側の面から記録層に対
向する側の面に向けて該導電性材料の濃度を徐々に及び
／又は段階的に減少させた場合該記録層への情報の記録
時に、該基板が該記録層に及ぼす熱的挙動の改善を図る
事ができ記録情報のＣ／Ｎ比を向上させることができる
為好ましい態様である。次に本発明の基板の形成方法と
しては、特に制限されるものではなく例えば、射出成形
法、押し出し成形法、キャスティング法などがあげられ
る。そしてまた上記した導電性材料の濃度勾配を有する
基板の製造方法としては例えば、キャスティング用の型
のプリフォ−マットパタ−ンが形成されていない側に該
導電性材料を予め配置しておきこのキャスティング用型
に基板材料の液状樹脂やプレポリマ−を流し込み硬化せ
しめる事によって製造することができる。
の含有量としては、該基板のレ−ザ−光線入射面の表面
電気抵抗率が所定の値となる様にすることができれば特
に限定されるものではないが、基板の機械特性やレ−ザ
−光線の透過率、更には基板の複屈折性等の光学特性、
更には基板上に形成する記録層の密着性や記録層の安定
性等を考慮すると、例えば導電性材料として透明導電性
材料を用いる場合その含有量は０．５ｗｔ％〜１５ｗｔ
％、特に３ｗｔ％〜１０ｗｔ％とすることが好ましく、
また導電性材料として有機帯電防止剤を用いた場合には
０．５ｗｔ％〜１０ｗｔ％、特に２ｗｔ％〜６ｗｔ％と
することが好ましい。また本発明においては、基板の厚
さ方向に該導電性粒子の濃度に勾配を持たせても良く、
例えば基板の記録層と対向しない側の面から記録層に対
向する側の面に向けて該導電性材料の濃度を徐々に及び
／又は段階的に減少させた場合該記録層への情報の記録
時に、該基板が該記録層に及ぼす熱的挙動の改善を図る
事ができ記録情報のＣ／Ｎ比を向上させることができる
為好ましい態様である。次に本発明の基板の形成方法と
しては、特に制限されるものではなく例えば、射出成形
法、押し出し成形法、キャスティング法などがあげられ
る。そしてまた上記した導電性材料の濃度勾配を有する
基板の製造方法としては例えば、キャスティング用の型
のプリフォ−マットパタ−ンが形成されていない側に該
導電性材料を予め配置しておきこのキャスティング用型
に基板材料の液状樹脂やプレポリマ−を流し込み硬化せ
しめる事によって製造することができる。
【０００９】また、本発明の基板の材料としては、導電
性材料を混入することによって基板の記録層が形成され
ていない面の表面電気抵抗率が１×１０14Ω／□以下と
なるものであってかつ光ディスク用基板に要求される他
の特性を損なうことが無ければ特に制限されるものでな
く、例えば、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポ
リスチレン樹脂、ポリオレフィン系樹脂などを用いるこ
とができる。
性材料を混入することによって基板の記録層が形成され
ていない面の表面電気抵抗率が１×１０14Ω／□以下と
なるものであってかつ光ディスク用基板に要求される他
の特性を損なうことが無ければ特に制限されるものでな
く、例えば、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポ
リスチレン樹脂、ポリオレフィン系樹脂などを用いるこ
とができる。
【００１０】更にまた本発明において該基板上に形成さ
れてなる記録層としては前記したように磁気記録膜とし
て通常用いられる材料、例えばＧｄＦｅ，ＴｂＦｅ，Ｇ
ｄＴｂＦｅ，ＴｂＦｅＣｏ，ＧｄＴｂＦｅＣｏ等の非晶
質磁気記録膜やこれらの磁気記録膜をＳｉ3 Ｎ4 ，Ｓｉ
Ｏ2 ，ＺｎＳ，ＳｉＣ等の無機誘電体保護膜でサンドイ
ッチした積層膜を用いることができ更にポリメチン系色
素、シアニン系色素、メロシアニン系色素、ピリリウム
系色素、トリフェニルメタン系色素、クロコニウム系色
素、アゾ色素、アズレン類等の有機色素を含有してなる
記録層とすることも出来る。本発明の光記録媒体は、両
面タイプ、片面タイプのどちらでもよく、基板の記録層
が形成されていない面の表面電気抵抗率が導電性物質を
混入することによって１×１０14Ω／□以下となってい
れば問題ない。
れてなる記録層としては前記したように磁気記録膜とし
て通常用いられる材料、例えばＧｄＦｅ，ＴｂＦｅ，Ｇ
ｄＴｂＦｅ，ＴｂＦｅＣｏ，ＧｄＴｂＦｅＣｏ等の非晶
質磁気記録膜やこれらの磁気記録膜をＳｉ3 Ｎ4 ，Ｓｉ
Ｏ2 ，ＺｎＳ，ＳｉＣ等の無機誘電体保護膜でサンドイ
ッチした積層膜を用いることができ更にポリメチン系色
素、シアニン系色素、メロシアニン系色素、ピリリウム
系色素、トリフェニルメタン系色素、クロコニウム系色
素、アゾ色素、アズレン類等の有機色素を含有してなる
記録層とすることも出来る。本発明の光記録媒体は、両
面タイプ、片面タイプのどちらでもよく、基板の記録層
が形成されていない面の表面電気抵抗率が導電性物質を
混入することによって１×１０14Ω／□以下となってい
れば問題ない。
【００１１】
【実施例】以下実施例を示して、本発明をさらに詳細に
説明する。
説明する。
【００１２】（実施例１）ポリカーボネート樹脂に、導
電性粒子としてスズアンチモンオキサイドの微粒子（平
均粒径０．５μｍ）を５ｗｔ％混入させた材料を用い
て、外形８６ｍｍ、内径１５ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの透
明な基板を射出成形法によって得た。その基板上に、Ｓ
ｉ3 Ｎ4 を１００ｎｍ、ＴｂＦｅＣｏを１０ｎｍ、Ｓｉ
3 Ｎ4 を３０ｎｍ、およびＡｌを６０ｎｍとなるように
順次スパッターで成膜して無機誘電体薄膜及び光磁気記
録膜の積層膜からなる記録層を作成した。
電性粒子としてスズアンチモンオキサイドの微粒子（平
均粒径０．５μｍ）を５ｗｔ％混入させた材料を用い
て、外形８６ｍｍ、内径１５ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの透
明な基板を射出成形法によって得た。その基板上に、Ｓ
ｉ3 Ｎ4 を１００ｎｍ、ＴｂＦｅＣｏを１０ｎｍ、Ｓｉ
3 Ｎ4 を３０ｎｍ、およびＡｌを６０ｎｍとなるように
順次スパッターで成膜して無機誘電体薄膜及び光磁気記
録膜の積層膜からなる記録層を作成した。
【００１３】次いで厚さ６μｍ、外径８６ｍｍ、内径２
８ｍｍのドーナツ形状を有したフィルムを記録層のＡｌ
膜上に接着剤で、Ａｌ膜と該フィルムの他方の表面が対
向するようにして接着し保護膜を形成して光ディスクを
作成した。このとき、基板の記録層が形成されていない
面の表面電気抵抗率は１×１０11Ω／□であった。
８ｍｍのドーナツ形状を有したフィルムを記録層のＡｌ
膜上に接着剤で、Ａｌ膜と該フィルムの他方の表面が対
向するようにして接着し保護膜を形成して光ディスクを
作成した。このとき、基板の記録層が形成されていない
面の表面電気抵抗率は１×１０11Ω／□であった。
【００１４】（実施例２）実施例１において、基板中に
混入する導電性材料としてインヂウムスズオキサイドを
用いた以外は、実施例１と同様にして光ディスクを作成
した。このとき、基板の記録層が形成されていない面の
表面電気抵抗率は１×１０11Ω／□であった。
混入する導電性材料としてインヂウムスズオキサイドを
用いた以外は、実施例１と同様にして光ディスクを作成
した。このとき、基板の記録層が形成されていない面の
表面電気抵抗率は１×１０11Ω／□であった。
【００１５】（実施例３）実施例１において、基板中に
混入する導電性材料としてステアリン酸ナトリウムを用
いた以外は、実施例１と同様にして光ディスクを作成し
た。このとき、基板の記録層が形成されていない面の表
面電気抵抗率は１×１０14Ω／□であった。
混入する導電性材料としてステアリン酸ナトリウムを用
いた以外は、実施例１と同様にして光ディスクを作成し
た。このとき、基板の記録層が形成されていない面の表
面電気抵抗率は１×１０14Ω／□であった。
【００１６】（比較例１）実施例１において、基板中に
混入する導電性材料を混入させないで、基板を形成した
以外は、実施例１と同様にして光ディスクを作成した。
このとき、基板の記録層が形成されていない面の表面電
気抵抗率は１×１０17Ω／□であった。
混入する導電性材料を混入させないで、基板を形成した
以外は、実施例１と同様にして光ディスクを作成した。
このとき、基板の記録層が形成されていない面の表面電
気抵抗率は１×１０17Ω／□であった。
【００１７】（比較例２）ポリカーボネート樹脂を用い
て、外形８６ｍｍ、内径１５ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの透
明な基板を射出成形法によって得た。その基板上に、Ｓ
ｉ3 Ｎ4 を１００ｎｍ、ＴｂＦｅＣｏを１０ｎｍ、Ｓｉ
3 Ｎ4 を３０ｎｍ、およびＡｌを６０ｎｍとなるように
順次スパッターで成膜して無機誘電体薄膜及び光磁気記
録膜の積層膜からなる記録層を作成した。ついで、厚さ
６μｍ、外径８６ｍｍ、内径２８ｍｍのドーナツ形状を
有したフィルムを記録層のＡｌ膜上に接着剤で、Ａｌ膜
と該フィルムの他方の表面が対向するようにして接着し
保護膜を形成して光ディスクを作成した。さらに、スズ
アンチモンオキサイドを５ｗｔ％混入させた紫外線硬化
性樹脂を基板の記録層を形成していない側の面に厚さ２
μｍになるように塗布し、紫外線ランプを照射して硬化
させ光ディスクを作成した。このとき、基板の記録層が
形成されていない側の面の表面電気抵抗率は１×１０11
Ω／□であった。
て、外形８６ｍｍ、内径１５ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの透
明な基板を射出成形法によって得た。その基板上に、Ｓ
ｉ3 Ｎ4 を１００ｎｍ、ＴｂＦｅＣｏを１０ｎｍ、Ｓｉ
3 Ｎ4 を３０ｎｍ、およびＡｌを６０ｎｍとなるように
順次スパッターで成膜して無機誘電体薄膜及び光磁気記
録膜の積層膜からなる記録層を作成した。ついで、厚さ
６μｍ、外径８６ｍｍ、内径２８ｍｍのドーナツ形状を
有したフィルムを記録層のＡｌ膜上に接着剤で、Ａｌ膜
と該フィルムの他方の表面が対向するようにして接着し
保護膜を形成して光ディスクを作成した。さらに、スズ
アンチモンオキサイドを５ｗｔ％混入させた紫外線硬化
性樹脂を基板の記録層を形成していない側の面に厚さ２
μｍになるように塗布し、紫外線ランプを照射して硬化
させ光ディスクを作成した。このとき、基板の記録層が
形成されていない側の面の表面電気抵抗率は１×１０11
Ω／□であった。
【００１８】また、紫外線硬化性樹脂にスズアンチモン
オキサイドを５ｗｔ％混入させた物を基板の記録膜を形
成していない面に塗布し、紫外線ランプにより硬化させ
る工程における歩留りは９８％であった。
オキサイドを５ｗｔ％混入させた物を基板の記録膜を形
成していない面に塗布し、紫外線ランプにより硬化させ
る工程における歩留りは９８％であった。
【００１９】以上実施例１〜３および比較例１，２で得
られた光記録媒体のホコリのつきやすさについてテスト
を行なった。テストの方法としては、クラス１００万の
ホコリ環境下に、光記録媒体を１週間放置し、放置前後
の反射率の変化量を測定した。結果を表１に示す。さら
に、実施例１〜３、および比較例１〜２におけるトータ
ルの歩留りもあわせて表１に示す。
られた光記録媒体のホコリのつきやすさについてテスト
を行なった。テストの方法としては、クラス１００万の
ホコリ環境下に、光記録媒体を１週間放置し、放置前後
の反射率の変化量を測定した。結果を表１に示す。さら
に、実施例１〜３、および比較例１〜２におけるトータ
ルの歩留りもあわせて表１に示す。
【００２０】なお本発明においてトータルの歩留まりと
は光磁気ディスクの製造に投入した基板１００枚に対し
て最終形態としての光磁気ディスクの良品が何枚得られ
たかを示すものである。また反射率の変化率の測定方法
は初期状態の反射率を分光光度計によって測定しその後
クラス１００万のホコリ環境下に３か月間放置し、その
後同様にして反射率を測定しその差を初期反射率で除し
た値を１００倍したものである。更に本発明において基
板の表面電気抵抗率はＪＩＳ−Ｋ６９１１，５．１３の
規定に従って測定したものであり具体的には表面電極を
ディスク基板上に置き直流１００Ｖから１０００Ｖを用
い１分間充電後の表面抵抗を超絶縁計で測定し下記式で
算出したものである。
は光磁気ディスクの製造に投入した基板１００枚に対し
て最終形態としての光磁気ディスクの良品が何枚得られ
たかを示すものである。また反射率の変化率の測定方法
は初期状態の反射率を分光光度計によって測定しその後
クラス１００万のホコリ環境下に３か月間放置し、その
後同様にして反射率を測定しその差を初期反射率で除し
た値を１００倍したものである。更に本発明において基
板の表面電気抵抗率はＪＩＳ−Ｋ６９１１，５．１３の
規定に従って測定したものであり具体的には表面電極を
ディスク基板上に置き直流１００Ｖから１０００Ｖを用
い１分間充電後の表面抵抗を超絶縁計で測定し下記式で
算出したものである。
【００２１】
【外１】
【００２２】
【表１】
【００２３】このように、本発明によれば従来法の様に
工程を増やすことなく安価にホコリのつきにくい光記録
媒体を得る事ができる。
工程を増やすことなく安価にホコリのつきにくい光記録
媒体を得る事ができる。
【００２４】
【発明の効果】以上、説明したように、光学的に透明な
基板上に、少なくとも記録層を有する光記録媒体に於い
て、該基板中に、該基板の記録層が形成されていない面
の表面電気抵抗率が１×１０１４Ω／□以下たらしめる
材料が混入されることによって、ホコリのつきにくい光
記録媒体を、製造工程を増やすことなく安価に得ること
ができる。
基板上に、少なくとも記録層を有する光記録媒体に於い
て、該基板中に、該基板の記録層が形成されていない面
の表面電気抵抗率が１×１０１４Ω／□以下たらしめる
材料が混入されることによって、ホコリのつきにくい光
記録媒体を、製造工程を増やすことなく安価に得ること
ができる。
【図１】本発明に係る光ディスクの１実施態様の径方向
の概略断面図。
の概略断面図。
１ 基板 ２ 無機誘電体薄膜 ３ 非晶質磁気記録膜 ４ 無機誘電体薄膜 ５ 反射膜 ６ 保護膜
Claims (4)
- 【請求項１】 光学的に透明な基板及び記録層を有する
光記録媒体において、該基板が導電性材料を含有してな
り、それによって該基板の該記録層に対向しない側の面
の表面電気抵抗率が１×１０14Ω／□以下に形成されて
なることを特徴とする光記録媒体。 - 【請求項２】 該導電性材料が、透明導電性無機粒子で
ある請求項１の光記録媒体。 - 【請求項３】 該導電性材料が、有機界面活性剤である
請求項１の光記録媒体。 - 【請求項４】 該透明導電性無機粒子が、スズアンチモ
ンオキサイド及びインヂウムスズオキサイドの少なくと
も一方である請求項２の光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5174312A JPH0729204A (ja) | 1993-07-14 | 1993-07-14 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5174312A JPH0729204A (ja) | 1993-07-14 | 1993-07-14 | 光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0729204A true JPH0729204A (ja) | 1995-01-31 |
Family
ID=15976454
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5174312A Withdrawn JPH0729204A (ja) | 1993-07-14 | 1993-07-14 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0729204A (ja) |
-
1993
- 1993-07-14 JP JP5174312A patent/JPH0729204A/ja not_active Withdrawn
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