JPH0729230A

JPH0729230A - 光磁気記録媒体

Info

Publication number: JPH0729230A
Application number: JP17636793A
Authority: JP
Inventors: Isao Moriya; 勲森谷; Tsutomu Takahata; 努高畑; Akio Kondo; 昭夫近藤
Original assignee: Tosoh Corp
Current assignee: Tosoh Corp
Priority date: 1993-07-16
Filing date: 1993-07-16
Publication date: 1995-01-31

Abstract

(57)【要約】【構成】Ｃｏ層およびＰｔ層からなる人工格子膜と、Ｔ
ｂＦｅＣｏＡ（Ａ＝Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉから選ばれる１種
以上）層およびＴｂＦｅＣｏ層とで構成した記録層から
なる光磁気記録媒体であって、ＴｂＦｅＣｏ層のキュリ
ー温度がＴｂＦｅＣｏＡ層のそれより２０℃以上高い記
録媒体。【効果】この記録媒体は、人工格子膜の高いキュリー温
度の制約を受けずに低いノイズレベルを持つ良好な特性
の光磁気記録媒体である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は光を用い情報の記録、再
生、消去を行う光磁気記録媒体に関する。更に詳しくは
短波長のレーザー光を用いて記録再生を行う光磁気記録
媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】光磁気記録媒体を高密度化する手段のひ
とつとして、記録再生に短波長の光源を用いる方法があ
り、このような方法に用いる媒体として、短波長域で大
きな磁気光学効果を示すＣｏ層とＰｔおよび／又はＰｄ
からなる層とを交互に積層した人工格子膜を用いた光磁
気記録媒体が提案されている。

【０００３】しかし、この人工格子膜は、キュリー温度
が高いこと、フェロ磁性であるため飽和磁化が大きく保
磁力が小さいなどフェリ磁性を示す希土類遷移金属アモ
ルファス合金とは異なった特性を有する。この人工格子
膜はこれを構成する層の層厚や組成を適宜変えることで
磁気特性及び磁気光学特性を制御することができるが、
記録媒体が大きな磁気光学効果を示すような組成領域で
は記録媒体のキュリー温度が高く、従って記録感度が低
下する。

【０００４】又、この様な人工格子膜は保磁力が小さ
く、キュリー温度近傍では保磁力を失うため、キュリー
温度近傍の温度領域で記録を行うと、大きな飽和磁化に
起因する反磁界により記録ピット内部にマイクロドメイ
ンが形成され易く良好なピットを形成することが難し
く、結果として、記録媒体としては、ノイズレベルが高
くなるという問題がある。又、飽和磁化が大きいことに
起因して浮遊磁界が大きく、従って消去時にこれを十分
打ち消すだけの大きな外部磁場が必要となる。

【０００５】この解決策として人工格子膜と希土類遷移
金属合金膜などと磁気的に結合した２層膜型の交換結合
積層膜も提案されている。この構成によって室温での保
磁力は大きくなり、記録の安定性は大巾に向上し、希土
類副格子磁化が優勢な合金を使うことによって浮遊磁界
を低減することもできる。

【０００６】しかしながらこのような交換結合膜でも、
記録時、レーザー光による温度上昇時の記録媒体の飽和
磁化は人工格子膜が支配的となり、上記したような高い
ノイズレベルの問題が残される。

【０００７】又、人工格子膜のキュリー温度が高いこと
から、記録時に記録膜の温度を高くする必要があり、媒
体の熱による劣化をもたらすことが考えられる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、人工
格子膜の大きな飽和磁化と高いキュリー温度による記録
特性への影響を低減し優れた記録特性を示す、光磁気記
録媒体を提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本研究者らは鋭意研究を
重ねた結果、ＣｏまたはＣｏＮｉ合金層とＰｔ層とを交
互に積層した人工格子膜と、希土類遷移金属アモルファ
ス合金層とをある条件で積層した光磁気記録媒体は、合
金層の交換結合力が大きくなり、光磁気記録媒体の記録
消去特性が優れていることを見出し本発明に至った。

【００１０】即ち本発明は、主としてＣｏ又はＣｏＮｉ
合金からなる層と、主としてＰｔからなる層とを積層し
てなる人工格子膜と、キュリー温度の異なる二層の希土
類遷移金属アモルファス合金層とを磁気的に結合して順
次積層してなる膜を記録層とする光磁気記録媒体に於い
て、人工格子膜と接する希土類遷移金属アモルファス合
金層（第１合金層）が主としてＴｂＦｅＣｏと、Ｓｉ、
Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｗからな
る群から選ばれる少なくとも一つの元素を含む合金層か
らなり、他の希土類遷移金属アモルファス合金層が主と
してＴｂＦｅＣｏからなる合金層（第２合金層）であ
り、第２合金層のキュリー温度が第１合金層のキュリー
温度より２０℃以上高いことを特徴とする光磁気記録媒
体に関するものである。以下に本発明を詳細に説明す
る。

【００１１】本発明は、上記したＣｏ又はＣｏＮｉ合金
層とＰｔ層とからなる人工格子膜と、ＴｂＦｅＣｏ−Ａ
（Ａ＝Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｍ
ｏ、Ｗの一種以上）層およびＴｂＦｅＣｏ層とが磁気的
に交換結合してなることが特徴であるが、第１及び第２
の合金層の飽和磁化は１５０emu/cc以下であることが望
ましい。この飽和磁化が１５０emu/ccを越えると第２合
金層に好適な状態の記録が困難となる。

【００１２】本発明の効果を得るためには、第２合金層
のキュリー温度が第１合金層のキュリー温度より少なく
とも２０℃高いことが必須であるが、このような条件で
記録層を構成することによって、レーザー光を照射後
に、記録あるいは消去時に形成された第２合金層の記録
ピットが第１合金層の磁化の復活により、人工格子膜に
転写される。結果として、人工格子膜の大きな飽和磁化
と高いキュリー温度の制約を受けずに良好な記録を行う
ことができる。第１、２合金層のキュリー温度差が２０
℃未満であると前記した効果が得られない。

【００１３】次に本発明を図面により更に説明する。図
１は本発明の一実施態様を示す図である。図中１は透明
基板であり、通常高分子基板やガラス基板を用いる。図
中２は磁気光学効果を増大させるための干渉層であり、
通常用いられるＳｉＮ、ＳｉＯ、ＺｎＳ、ＺｎＯ、Ａｌ
Ｎなどを用いることができる。図中３は人工格子膜、図
中４は第１合金層、図中５は第２合金層である。図中６
は主に希土類遷移金属合金層の酸化等を防ぐために用い
る層であり、干渉層として用いるものと同様のものを用
いることができる。

【００１４】それぞれの層の厚さは人工格子膜が５０〜
３００Ａ、第１合金層が３０〜２００Ａ、第２合金層が
１００〜２０００Ａの範囲が好適である。各層の厚さを
上記した範囲外に変化させても、例えば人工格子膜厚が
５０オングストロームより薄い場合、短波長域での大き
な磁気光学効果が得られない。又、第１合金層が３０Ａ
よりも薄いと記録時に人工格子層と第２合金との磁気的
交換結合が遮断されず良好な記録磁界特性を得られな
い。第２合金層が１００Ａよりも薄いと、人工格子膜の
記録が第２合金層に転写される。

【００１５】本発明を構成する人工格子膜はＣｏ又はＣ
ｏＮｉ合金層とＰｔ層との界面に於いてＣｏ又はＣｏＮ
ｉ合金とＰｔとの合金層が形成されていてもよい。又、
本発明の積層膜はオーバーライト等の目的で更に別の層
と磁気的に結合させることもできる。

【００１６】本発明の各層の基板上への積層方法はとく
に制限されるものではないが、スパッタリングや蒸着法
等の通常の薄膜形成法が利用できる。スパッタリング法
による場合には第１及び第２の合金層の共通する成分元
素が多いため同一のスパッタリングターゲットを用いる
ことができ工程が簡便となる。

【００１７】

【実施例】次に、実施例で本発明を更に詳述する。

【００１８】実施例１マグネトロンスパッタによりポリカーボネイト（ＰＣ）
基板上にＳｉＮを７３０Ａ成膜した後、４Ａの厚さのＣ
ｏ₆₀Ｎｉ₄₀合金層と４．８Ａの厚さのＰｔ層とを交互に
１１回づつ成膜し、続いて（Ｔｂ₂₁Ｆｅ₇₃Ｃｏ₆）₈₆Ｓ
ｉ₁₄を１００Ａ成膜し（第１合金層）、さらに、Ｔｂ₂₁
Ｆｅ₇₃Ｃｏ₆を７００Ａ成膜し（第２合金層）、最後に
保護膜としてＳｉＮを３００Ａ成膜しディスクとした。

【００１９】なお、別途成膜した各々８００Ａの第１、
２合金層のキュリー温度差は約５０℃であった。

【００２０】ディスクの評価は７８０nmの光源を用い、
線速１０m/秒、記録周波数１MHz 、再生パワー１．５mW
で行った。記録パワー３．４mWにおいてバイアス磁界２
５０Oe で良好な記録、消去ができ、Ｃ／Ｎとして５
３．０dBが得られた。記録パワーを３．４mW、消去パワ
ーを８mW、消去磁界を−２５０ Oe として記録磁界を変
化させてノイズレベルを測定したところ記録時のノイズ
レベルと未記録時のノイズレベルの差は０．３dBであっ
た。

【００２１】実施例２マグネトロンスパッタによりＰＣ基板上にＳｉＮを７３
０Ａ成膜した後、３．５Ａの厚さのＣｏ合金層と７Ａの
厚さのＰｔ層とを交互に９回づつ成膜し、続いて（Ｔｂ
₂₁Ｆｅ₇₃Ｃｏ₆）₈₈Ａｌ₄Ｔｉ₈を１００Ａ成膜し、さ
らに、Ｔｂ₂₁Ｆｅ₇₃Ｃｏ₆を７００Ａ成膜し、最後に保
護膜としてＳｉＮを３００Ａ成膜しディスクとした。第
１、２合金層のキュリー温度差は約４０℃であった。

【００２２】実施例１と同様にディスクの評価を行った
ところ、記録パワー３．６mWにおいてバイアス磁界２５
０ Oe で良好な記録、消去ができ、Ｃ／Ｎとして５２．
５dBが得られた。記録パワーを３．６mW、消去パワーを
８mW、消去磁界を−２５０ Oe として記録磁界を変化さ
せてノイズレベルを測定したところ記録時のノイズレベ
ルと未記録時のノイズレベルの差は０．５dBであった。

【００２３】実施例３実施例１において、第１合金層を（Ｔｂ₂₁Ｆｅ₇₃Ｃ
ｏ₆）₉₂Ｃｒ₈とした以外は同例と同様に成膜しディス
クとした。第１、２合金層のキュリー温度差は約３０℃
であった。実施例１と同様にディスクの評価を行ったと
ころ、記録パワー３．５mWにおいてバイアス磁界２５０
Oe で良好な記録、消去ができ、Ｃ／Ｎとして５３dBが
得られた。記録パワーを３．５mW、消去パワーを８mW、
消去磁界を−２５０ Oe として記録磁界を変化させてノ
イズレベルを測定したところ記録時のノイズレベルと未
記録時のノイズレベルの差は０．５dBであった。

【００２４】実施例４実施例１において、第１合金層を（Ｔｂ₂₁Ｆｅ₇₃Ｃ
ｏ₆）₉₁Ｎｂ₉とした以外は同例と同様に成膜しディス
クとした。第１、２合金層のキュリー温度差は約３５℃
であった。実施例１と同様にディスクの評価を行ったと
ころ、記録パワー３．４mWにおいてバイアス磁界２５０
Oe で良好な記録、消去ができ、Ｃ／Ｎとして５２．６
dBが得られた。記録パワーを３．４mW、消去パワーを８
mW、消去磁界を−２５０ Oe として記録磁界を変化させ
てノイズレベルを測定したところ記録時のノイズレベル
と未記録時のノイズレベルの差は０．６dBであった。

【００２５】実施例５実施例１において、第１合金層を（Ｔｂ₂₁Ｆｅ₇₃Ｃ
ｏ₆）₉₂Ｔａ₈とした以外は同例と同様に成膜しディス
クとした。第１、２合金層のキュリー温度差は約２５℃
であった。実施例１と同様にディスクの評価を行ったと
ころ、記録パワー３．６mWにおいてバイアス磁界２５０
Oe で良好な記録、消去ができ、Ｃ／Ｎとして５２．６
dBが得られた。記録パワーを３．６mW、消去パワーを８
mW、消去磁界を−２５０ Oe として記録磁界を変化させ
てノイズレベルを測定したところ記録時のノイズレベル
と未記録時のノイズレベルの差は０．６dBであった。

【００２６】比較例実施例１と同様にＰＣ基板上にＳｉＮを７３０Ａ成膜し
た後、４Ａの厚さのＣｏ₆₀Ｎｉ₄₀合金層と４．８Ａの厚
さのＰｔ層とを交互に１１回づつ成膜し、続いて、Ｔｂ
₂₁Ｆｅ₇₃Ｃｏ₆を８００Ａ成膜し、最後に保護膜として
ＳｉＮを３００Ａ成膜しディスクとした。

【００２７】実施例１と同様にディスクの評価を行った
ところ、記録パワー４．０mWにおいてバイアス磁界２５
０ Oe で良好な記録、消去ができ、Ｃ／Ｎとして５２．
０ｄＢが得られた。記録パワーを４．０mW、消去磁界を
−２５０ Oe として記録磁界を変化させてノイズレベル
を測定したところ記録時のノイズレベルと未記録時のノ
イズレベルの差は１．１dBであった。

【００２８】

【発明の効果】以上説明したように本発明の光磁気記録
媒体は記録感度が高く人工格子膜の大きな飽和磁化の影
響の少ない低い記録時ノイズレベルを有した光磁気記録
媒体であり、良好な記録再生特性が期待できるものであ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施態様を示す図。

【符号の説明】

１：透明基板２：誘電体層３：人工格子膜４：第１の希土類遷移金属合金層５：第２の希土類遷移金属合金層６：保護層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】主としてＣｏ又はＣｏＮｉ合金からなる層
と、主としてＰｔからなる層とを積層してなる人工格子
膜と、キュリー温度の異なる二層の希土類遷移金属アモ
ルファス合金層とを磁気的に結合して順次積層してなる
膜を記録層とする光磁気記録媒体に於いて、人工格子膜
と接する希土類遷移金属アモルファス合金層（第１合金
層）が主としてＴｂＦｅＣｏと、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃ
ｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｗからなる群から選ばれ
る少なくとも一つの元素を含む合金層からなり、他の希
土類遷移金属アモルファス合金層が主としてＴｂＦｅＣ
ｏからなる合金層（第２合金層）であり、第２合金層の
キュリー温度が第１合金層のキュリー温度より２０℃以
上高いことを特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項２】第１、２合金層の層厚が夫々３０〜２００
Ａ、１００〜２０００Ａである請求項１記載の光磁気記
録媒体。
【請求項３】人工格子膜の厚さが５０〜３００Ａである
請求項１又は２記載の光磁気記録媒体。