JPH07294944A - 液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents
液晶表示装置及びその製造方法Info
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- JPH07294944A JPH07294944A JP11231794A JP11231794A JPH07294944A JP H07294944 A JPH07294944 A JP H07294944A JP 11231794 A JP11231794 A JP 11231794A JP 11231794 A JP11231794 A JP 11231794A JP H07294944 A JPH07294944 A JP H07294944A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、基板間のギャップを適正に維持しつ
つ、画素部の開口率を向上させるとともに、点欠陥を無
くして、高コントラストを得るようにする。 【構成】上部ガラス基板12と下部ガラス基板13のい
ずれか一方に所定粒径のスペーサ19を均一に散布した
後、シール材を介して両基板を貼り合わせて液晶セルを
構成し、その液晶セル内に液晶を充填した状態で液晶に
超音波振動を加える。この超音波振動により、画素部1
8よりもギャップ幅を大きく形成した非画素部17側に
粒径が非画素部17のギャップ幅と同じスペーサ19を
移動させることができる。これにより、画素部18の適
正なギャップ調整を行うことができるとともに、画素部
内にスペーサが無いため、開口率が向上し、点欠陥等を
防止して、高コントラスト化することができる。
つ、画素部の開口率を向上させるとともに、点欠陥を無
くして、高コントラストを得るようにする。 【構成】上部ガラス基板12と下部ガラス基板13のい
ずれか一方に所定粒径のスペーサ19を均一に散布した
後、シール材を介して両基板を貼り合わせて液晶セルを
構成し、その液晶セル内に液晶を充填した状態で液晶に
超音波振動を加える。この超音波振動により、画素部1
8よりもギャップ幅を大きく形成した非画素部17側に
粒径が非画素部17のギャップ幅と同じスペーサ19を
移動させることができる。これにより、画素部18の適
正なギャップ調整を行うことができるとともに、画素部
内にスペーサが無いため、開口率が向上し、点欠陥等を
防止して、高コントラスト化することができる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、一対の基板間にギャッ
プ材を介在させて基板間のギャップを調整する液晶表示
装置及びその製造方法に関する。
プ材を介在させて基板間のギャップを調整する液晶表示
装置及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】一対の透明基板間に液晶層を挟み、一定
の電界を加えて液晶分子の配向を制御しながら液晶の光
学特性を変化させて画像表示を行う液晶表示装置は、よ
く知られている。そして、この一対の透明基板の間隔
は、数μm〜十数μmと微細であって、この基板間隔が
変化して液晶層の厚さ(ギャップ)が変ると画像品質に
悪影響を与える。
の電界を加えて液晶分子の配向を制御しながら液晶の光
学特性を変化させて画像表示を行う液晶表示装置は、よ
く知られている。そして、この一対の透明基板の間隔
は、数μm〜十数μmと微細であって、この基板間隔が
変化して液晶層の厚さ(ギャップ)が変ると画像品質に
悪影響を与える。
【0003】そこで、従来は、例えば数μm〜十数μm
程度の一様な径から成る球形状のプラスチックビーズを
ギャップを調整するギャップ材として基板間に均一な分
布で介在させ、一対の基板を所定の間隔に保持するギャ
ップ調整が行われていた。
程度の一様な径から成る球形状のプラスチックビーズを
ギャップを調整するギャップ材として基板間に均一な分
布で介在させ、一対の基板を所定の間隔に保持するギャ
ップ調整が行われていた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の液晶表示装置にあっては、液晶を駆動して表
示制御が行われる画素部や表示制御が行われない非画素
部に関わりなく、表示領域全体にギャップ材を均一に散
布していた。
うな従来の液晶表示装置にあっては、液晶を駆動して表
示制御が行われる画素部や表示制御が行われない非画素
部に関わりなく、表示領域全体にギャップ材を均一に散
布していた。
【0005】図6は、従来の液晶表示装置の液晶表示パ
ネル1におけるギャップ材8の分散状況を示す平面図で
ある。
ネル1におけるギャップ材8の分散状況を示す平面図で
ある。
【0006】図6において、液晶表示パネル1は、上部
ガラス基板2と下部ガラス基板3とが微細間隔を隔てて
対向配置されている。そして、上部ガラス基板2側の対
向面には、上部透明電極(信号電極)4a〜4fが、ま
た、下部ガラス基板3側の対向面には、下部透明電極
(走査電極)5a〜5dが積層形成されている。そし
て、上部透明電極4と下部透明電極5とは、直交方向に
交差しており、ハッチングで示した交差部分の対向電極
が画素部6を構成している。この画素部6と隣接する画
素部6との間には、電極が対向配置されていない非画素
部7がある。そして、上下ガラス基板2,3の間には、
基板間のギャップを一定間隔に調整するためのギャップ
材(スペーサともいう)8が均一に散布されている。
ガラス基板2と下部ガラス基板3とが微細間隔を隔てて
対向配置されている。そして、上部ガラス基板2側の対
向面には、上部透明電極(信号電極)4a〜4fが、ま
た、下部ガラス基板3側の対向面には、下部透明電極
(走査電極)5a〜5dが積層形成されている。そし
て、上部透明電極4と下部透明電極5とは、直交方向に
交差しており、ハッチングで示した交差部分の対向電極
が画素部6を構成している。この画素部6と隣接する画
素部6との間には、電極が対向配置されていない非画素
部7がある。そして、上下ガラス基板2,3の間には、
基板間のギャップを一定間隔に調整するためのギャップ
材(スペーサともいう)8が均一に散布されている。
【0007】このように、従来の液晶表示装置は、画素
部6あるいは非画素部7に関わらずギャップ材8が均一
に散布されているため、画素部6を光透過状態とした明
表示時にギャップ材8が光を散乱させてしまい、開口率
が低下するという問題がある。
部6あるいは非画素部7に関わらずギャップ材8が均一
に散布されているため、画素部6を光透過状態とした明
表示時にギャップ材8が光を散乱させてしまい、開口率
が低下するという問題がある。
【0008】また、画素部6の液晶分子の配向を変化さ
せて画素部6を遮光状態とする暗表示時には、画素部6
に散布されているギャップ材8から光が透過する、いわ
ゆる点欠陥が発生するという問題がある。
せて画素部6を遮光状態とする暗表示時には、画素部6
に散布されているギャップ材8から光が透過する、いわ
ゆる点欠陥が発生するという問題がある。
【0009】このように、従来のギャップ材8は、液晶
表示パネル全体から見ると、画素部6と非画素部7とに
関わりなく均一に散布することにより、適正なギャップ
調整を行うことができる。しかし、画素部6に介在する
ギャップ材8は、画像品質の面から見ると、それ自体の
光の散乱効果により開口率を低下させたり、暗表示時に
光を透過させて点欠陥の発生原因となるため、高いコン
トラストが得にくく、良好な画像品質が得られなかっ
た。
表示パネル全体から見ると、画素部6と非画素部7とに
関わりなく均一に散布することにより、適正なギャップ
調整を行うことができる。しかし、画素部6に介在する
ギャップ材8は、画像品質の面から見ると、それ自体の
光の散乱効果により開口率を低下させたり、暗表示時に
光を透過させて点欠陥の発生原因となるため、高いコン
トラストが得にくく、良好な画像品質が得られなかっ
た。
【0010】本発明は、上記課題に鑑みてなされたもの
であり、基板間のギャップをギャップ材を用いて適正に
保持し、画素部の開口率を向上させるとともに、点欠陥
を無くして、コントラストが高く、高度な画像品質が得
られる液晶表示装置及びその製造方法を提供することを
目的とする。
であり、基板間のギャップをギャップ材を用いて適正に
保持し、画素部の開口率を向上させるとともに、点欠陥
を無くして、コントラストが高く、高度な画像品質が得
られる液晶表示装置及びその製造方法を提供することを
目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】請求項1記載の液晶表示
装置は、一対の基板を所定間隔を隔てて平行に配置し、
該一対の基板の各対向面に液晶駆動用の対向電極が夫々
形成され、該一対の基板間に液晶が充填されて液晶層が
形成され、前記電極に電圧を印加して表示制御を行う液
晶表示装置であって、前記電極が対向する画素部の液晶
層厚よりも該画素部以外の非画素部の液晶層厚が大きく
形成され、前記液晶層厚の大きさを規制する層厚規制部
材の大きさを前記非画素部の少なくとも一部の層厚に一
致させると共に、該層厚規制部材を前記非画素部にのみ
介在させたことにより、上記目的を達成する。
装置は、一対の基板を所定間隔を隔てて平行に配置し、
該一対の基板の各対向面に液晶駆動用の対向電極が夫々
形成され、該一対の基板間に液晶が充填されて液晶層が
形成され、前記電極に電圧を印加して表示制御を行う液
晶表示装置であって、前記電極が対向する画素部の液晶
層厚よりも該画素部以外の非画素部の液晶層厚が大きく
形成され、前記液晶層厚の大きさを規制する層厚規制部
材の大きさを前記非画素部の少なくとも一部の層厚に一
致させると共に、該層厚規制部材を前記非画素部にのみ
介在させたことにより、上記目的を達成する。
【0012】請求項2記載の液晶表示装置は、前記非画
素部に光を透過させない遮光材を敷設するようにしても
よい。
素部に光を透過させない遮光材を敷設するようにしても
よい。
【0013】請求項3記載の液晶表示装置の製造方法
は、夫々に電極を形成した一対の基板を電極形成面が対
向するように配置し、該一対の基板間に液晶を封入して
液晶層を形成すると共に液晶層厚を規制する層厚規制部
材を介在させてなる液晶表示装置の製造方法であって、
前記電極が対向する画素部以外の非画素部における一部
の液晶層厚と同じ大きさの液晶層厚規制部材を準備する
工程と、一対の基板に夫々透明電極を周囲よりも厚く形
成する工程と、前記一対の基板の一方に前記層厚規制部
材を散布する工程と、前記一方の基板に他方の基板を所
定の間隙を保って対向配置し、該一対の基板間に液晶を
充填して液晶層を形成する工程と、前記液晶層に振動を
加え、前記液晶層厚規制部材を前記非画素部に移動させ
る工程とを有することにより、上記目的を達成する。
は、夫々に電極を形成した一対の基板を電極形成面が対
向するように配置し、該一対の基板間に液晶を封入して
液晶層を形成すると共に液晶層厚を規制する層厚規制部
材を介在させてなる液晶表示装置の製造方法であって、
前記電極が対向する画素部以外の非画素部における一部
の液晶層厚と同じ大きさの液晶層厚規制部材を準備する
工程と、一対の基板に夫々透明電極を周囲よりも厚く形
成する工程と、前記一対の基板の一方に前記層厚規制部
材を散布する工程と、前記一方の基板に他方の基板を所
定の間隙を保って対向配置し、該一対の基板間に液晶を
充填して液晶層を形成する工程と、前記液晶層に振動を
加え、前記液晶層厚規制部材を前記非画素部に移動させ
る工程とを有することにより、上記目的を達成する。
【0014】請求項4記載の液晶表示装置の製造方法
は、前記液晶層に加える振動が超音波振動であってもよ
い。
は、前記液晶層に加える振動が超音波振動であってもよ
い。
【0015】
【作用】請求項1記載の液晶表示装置では、画素部より
も非画素部の基板間ギャップが大きく形成されるととも
に、液晶表示パネルの基板間のギャップを調整するギャ
ップ材が非画素部のギャップに対応した粒径に形成さ
れ、そのギャップ材を非画素部にのみ配置してギャップ
調整するようにした。
も非画素部の基板間ギャップが大きく形成されるととも
に、液晶表示パネルの基板間のギャップを調整するギャ
ップ材が非画素部のギャップに対応した粒径に形成さ
れ、そのギャップ材を非画素部にのみ配置してギャップ
調整するようにした。
【0016】従って、画素部内にはギャップ材が無く、
画素点灯時における開口率を最大にできるとともに、消
灯時の点欠陥を防止することができる。
画素点灯時における開口率を最大にできるとともに、消
灯時の点欠陥を防止することができる。
【0017】請求項2記載の液晶表示装置では、非画素
部が光を透過させない遮光材で覆われている。
部が光を透過させない遮光材で覆われている。
【0018】従って、非画素部に凝集させたギャップ材
による光学特性の悪影響を排除することができるととも
に、画素部以外はマスクされているため、コントラスト
が一層向上する。
による光学特性の悪影響を排除することができるととも
に、画素部以外はマスクされているため、コントラスト
が一層向上する。
【0019】請求項3記載の液晶表示装置の製造方法で
は、画素部よりも非画素部の基板間ギャップを大きく形
成し、非画素部の基板間ギャップと同じ粒径のギャップ
材を一対の基板間に散布し、該ギャップ材を挟んだ状態
でシール材を介して上下基板を貼り合わせて液晶材料を
注入し、所定の振動を加えてギャップ材を非画素部に移
動させる。
は、画素部よりも非画素部の基板間ギャップを大きく形
成し、非画素部の基板間ギャップと同じ粒径のギャップ
材を一対の基板間に散布し、該ギャップ材を挟んだ状態
でシール材を介して上下基板を貼り合わせて液晶材料を
注入し、所定の振動を加えてギャップ材を非画素部に移
動させる。
【0020】従って、非画素部にのみギャップ材を集合
させて基板間ギャップを適正に調整することができると
ともに、画素部内にはギャップ材が無いため、画素点灯
時における開口率が最大となり、消灯時の点欠陥を防止
することができる。
させて基板間ギャップを適正に調整することができると
ともに、画素部内にはギャップ材が無いため、画素点灯
時における開口率が最大となり、消灯時の点欠陥を防止
することができる。
【0021】請求項4記載の液晶表示装置の製造方法で
は、液晶材料に加える振動に超音波振動が用いられてい
る。
は、液晶材料に加える振動に超音波振動が用いられてい
る。
【0022】従って、超音波振動を液晶材料に加えるこ
とにより、液晶材料内に含まれるギャップ材を非画素部
に速やかに移動させることが可能となる。
とにより、液晶材料内に含まれるギャップ材を非画素部
に速やかに移動させることが可能となる。
【0023】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を説明
する。
する。
【0024】図1〜図5は、本発明の実施例に係る液晶
表示装置の構成を説明する図である。
表示装置の構成を説明する図である。
【0025】図1は、本実施例の液晶表示パネル11の
一部分の構成を示す斜視図である。図1に示すように、
本実施例では、単純マトリクス型の液晶表示パネル11
を用いており、上部ガラス基板12と下部ガラス基板1
3とが数μm〜十数μmの間隔を隔てて対向配置されて
いる。そして、上部ガラス基板12の下面(対向面)に
は、一定方向に複数の信号電極14a、14b、14
c、14d、14e、14f………が所定間隔毎に平行
に積層配置されている。
一部分の構成を示す斜視図である。図1に示すように、
本実施例では、単純マトリクス型の液晶表示パネル11
を用いており、上部ガラス基板12と下部ガラス基板1
3とが数μm〜十数μmの間隔を隔てて対向配置されて
いる。そして、上部ガラス基板12の下面(対向面)に
は、一定方向に複数の信号電極14a、14b、14
c、14d、14e、14f………が所定間隔毎に平行
に積層配置されている。
【0026】また、下部ガラス基板13の上面(対向
面)には、上記信号電極14に対して直交方向に複数の
走査電極15a、15b、15c、15d………が所定
間隔毎に平行に積層配置されている。
面)には、上記信号電極14に対して直交方向に複数の
走査電極15a、15b、15c、15d………が所定
間隔毎に平行に積層配置されている。
【0027】この信号電極14と走査電極15は、例え
ば、酸化インジウム膜(ITO:Indium Tin Oxide)を
スパッタ法等を用いてガラス基板上に所定膜厚で形成
し、その上にフォトリソグラフィ技術によりエッチング
マスクを形成した後、エッチングを行って所望の形状に
パターニングすることにより得られる。
ば、酸化インジウム膜(ITO:Indium Tin Oxide)を
スパッタ法等を用いてガラス基板上に所定膜厚で形成
し、その上にフォトリソグラフィ技術によりエッチング
マスクを形成した後、エッチングを行って所望の形状に
パターニングすることにより得られる。
【0028】そして、上記のように形成された液晶表示
パネル11の基板12,13同士を貼り合せるのに際し
て、均一な粒径からなる真球状のプラスチックビーズを
基板間に介在させ、基板間のギャップ調整を行うスペー
サとする。このスペーサの粒径は、後述する非画素部の
一部のギャップと同じ大きさに調整されている。
パネル11の基板12,13同士を貼り合せるのに際し
て、均一な粒径からなる真球状のプラスチックビーズを
基板間に介在させ、基板間のギャップ調整を行うスペー
サとする。このスペーサの粒径は、後述する非画素部の
一部のギャップと同じ大きさに調整されている。
【0029】液晶層16は、上記スペーサが散在させた
液晶セル内に、図示しない液晶注入口から液晶が注入さ
れて形成される。
液晶セル内に、図示しない液晶注入口から液晶が注入さ
れて形成される。
【0030】図1に示す単純マトリクス型の液晶表示パ
ネルでは、信号電極14と走査電極15とが対向する矩
形領域が画素部となる。即ち、この画素部では、液晶層
16の上下方向から電圧を印加して液晶分子を駆動する
ことができる。この画素部は、信号電極14と走査電極
15との交差部に存在し、液晶表示パネルの表示領域内
にマトリクス状に配置されている。そして、この画素部
の周囲には、液晶分子が駆動されない非画素部17が格
子状に形成されている。
ネルでは、信号電極14と走査電極15とが対向する矩
形領域が画素部となる。即ち、この画素部では、液晶層
16の上下方向から電圧を印加して液晶分子を駆動する
ことができる。この画素部は、信号電極14と走査電極
15との交差部に存在し、液晶表示パネルの表示領域内
にマトリクス状に配置されている。そして、この画素部
の周囲には、液晶分子が駆動されない非画素部17が格
子状に形成されている。
【0031】図2は、図1の液晶表示パネル11の平面
図である。図2において、図1と同じ符号は、同一部又
は相当部を示し、説明を省略する。
図である。図2において、図1と同じ符号は、同一部又
は相当部を示し、説明を省略する。
【0032】図2に示すように、信号電極14と走査電
極15が交差対向する画素部18は、ハッチングで示し
てあり、その画素部18同士の隙間には非画素部17と
なる。
極15が交差対向する画素部18は、ハッチングで示し
てあり、その画素部18同士の隙間には非画素部17と
なる。
【0033】本実施例の液晶表示装置を製造するに際し
て、スペーサ19を一方の基板上に均一に散布した後、
図示しないシール材を介して両基板を貼り合わせて液晶
セルを形成し、その液晶セル内に液晶を充填した状態で
液晶に超音波振動を加える。これにより、画素部18よ
りもギャップ幅が大きく形成された非画素部17にスペ
ーサ19が移動して、非画素部17にスペーサ19が集
合し、画素部18内にスペーサ19がほぼ存在しない状
態となる。
て、スペーサ19を一方の基板上に均一に散布した後、
図示しないシール材を介して両基板を貼り合わせて液晶
セルを形成し、その液晶セル内に液晶を充填した状態で
液晶に超音波振動を加える。これにより、画素部18よ
りもギャップ幅が大きく形成された非画素部17にスペ
ーサ19が移動して、非画素部17にスペーサ19が集
合し、画素部18内にスペーサ19がほぼ存在しない状
態となる。
【0034】このように、液晶が充填された液晶表示パ
ネルに超音波振動を加えることにより画素部18内のス
ペーサ19が非画素部17へ移動するという現象は、本
発明者らが種々試みた結果、画素部よりも非画素部のギ
ャップ幅を若干大きくし、スペーサ19の粒径を画素部
のギャップ幅よりも若干大きく設定することにより達成
されることがわかった。そして、スペーサ19等の微細
な粒子を移動させるには、周波数が高くエネルギーの大
なる超音波振動が適している。
ネルに超音波振動を加えることにより画素部18内のス
ペーサ19が非画素部17へ移動するという現象は、本
発明者らが種々試みた結果、画素部よりも非画素部のギ
ャップ幅を若干大きくし、スペーサ19の粒径を画素部
のギャップ幅よりも若干大きく設定することにより達成
されることがわかった。そして、スペーサ19等の微細
な粒子を移動させるには、周波数が高くエネルギーの大
なる超音波振動が適している。
【0035】さらに、本実施例のスペーサ19の粒径
は、上記したように、非画素部17の一部のギャップ幅
と同じ長さの粒径で構成されている。このため、非画素
部17に移動したスペーサ19が非画素部17のギャッ
プを適正に保持し、その結果、画素部18の適正なギャ
ップが確保される。
は、上記したように、非画素部17の一部のギャップ幅
と同じ長さの粒径で構成されている。このため、非画素
部17に移動したスペーサ19が非画素部17のギャッ
プを適正に保持し、その結果、画素部18の適正なギャ
ップが確保される。
【0036】また、画素部18から非画素部17に集合
したスペーサ19は、ミクロ的な視点で見ると偏在して
いるが、表示領域全体のマクロ的な視点で見た場合は、
略均一に分散された状態であり、従って、一対の基板間
の適正なギャップを表示領域全体に亘り充分に確保する
ことができる。
したスペーサ19は、ミクロ的な視点で見ると偏在して
いるが、表示領域全体のマクロ的な視点で見た場合は、
略均一に分散された状態であり、従って、一対の基板間
の適正なギャップを表示領域全体に亘り充分に確保する
ことができる。
【0037】このように形成された液晶表示装置では、
図2に示すように、画素部18にスペーサ19が存在し
ていないため、画素部18の明表示時において画素部1
8でのスペーサ19による光の散乱が無くなり、従来と
比較して開口率を向上させることができる。また、スペ
ーサ19を透過した光が図示しない偏光板に吸収され
て、点欠陥となる虞もない。
図2に示すように、画素部18にスペーサ19が存在し
ていないため、画素部18の明表示時において画素部1
8でのスペーサ19による光の散乱が無くなり、従来と
比較して開口率を向上させることができる。また、スペ
ーサ19を透過した光が図示しない偏光板に吸収され
て、点欠陥となる虞もない。
【0038】また、画素部18の暗表示時には、画素部
18内にスペーサ19があると、このスペーサ19を介
して光が漏れ、コントラストが低下するが、画素部18
内にスペーサ19が存在しないため、光漏れが発生しな
くなり、コントラストが向上して画像品質が良好とな
る。
18内にスペーサ19があると、このスペーサ19を介
して光が漏れ、コントラストが低下するが、画素部18
内にスペーサ19が存在しないため、光漏れが発生しな
くなり、コントラストが向上して画像品質が良好とな
る。
【0039】上記したように、基板間に介在するスペー
サ19は、液晶表示パネル全体から見ると、画素部18
と非画素部17とに関わりなく均一に散布することによ
って、適正にギャップ調整することができる。しかし、
画素部18に存在するスペーサ19は、画像品質の面か
ら見ると、明表示状態においてスペーサ19により光が
散乱して開口率を低下させたり、点欠陥が発生したり
し、暗表示状態においては、画素部18のスペーサ19
から光が漏れてコントラスト低下の原因となる。このた
め、本実施例の液晶表示装置では、各画素部18に散布
されたスペーサ19を非画素部17へ移動させることに
より、基板間のギャップを適正に保持しつつ、良好な画
像品質が得られる。
サ19は、液晶表示パネル全体から見ると、画素部18
と非画素部17とに関わりなく均一に散布することによ
って、適正にギャップ調整することができる。しかし、
画素部18に存在するスペーサ19は、画像品質の面か
ら見ると、明表示状態においてスペーサ19により光が
散乱して開口率を低下させたり、点欠陥が発生したり
し、暗表示状態においては、画素部18のスペーサ19
から光が漏れてコントラスト低下の原因となる。このた
め、本実施例の液晶表示装置では、各画素部18に散布
されたスペーサ19を非画素部17へ移動させることに
より、基板間のギャップを適正に保持しつつ、良好な画
像品質が得られる。
【0040】次に、図3は、他の実施例に係る液晶表示
装置の液晶表示パネル11の平面図である。図3の液晶
表示パネル11の特徴は、図2に示す液晶表示パネルの
非画素部17に対応させて光を通さない遮光膜(ブラッ
ク・マトリクス)20が形成されている点にある。この
遮光膜20は、例えば、クロム(Cr)の金属薄膜等で
形成されており、非画素部17を透過する光を遮るもの
である。
装置の液晶表示パネル11の平面図である。図3の液晶
表示パネル11の特徴は、図2に示す液晶表示パネルの
非画素部17に対応させて光を通さない遮光膜(ブラッ
ク・マトリクス)20が形成されている点にある。この
遮光膜20は、例えば、クロム(Cr)の金属薄膜等で
形成されており、非画素部17を透過する光を遮るもの
である。
【0041】上記した実施例の液晶表示パネル11は、
スペーサ19を非画素部17に集合させていることか
ら、表示制御を行う画素部18の画像品質がスペーサ1
9により損われることはないが、非画素部17に集合さ
せたスペーサ19によって光の漏れが発生するおそれが
ある。ここでは、非画素部17に集合させたスペーサ1
9による光の漏れを遮光膜20により確実に防ぐことで
液晶表示パネル全体の画像品質の向上を図るものであ
る。図4は、図3のA−A’線の一部断面図であり、図
5は、図3のB−B’線の一部断面図である。
スペーサ19を非画素部17に集合させていることか
ら、表示制御を行う画素部18の画像品質がスペーサ1
9により損われることはないが、非画素部17に集合さ
せたスペーサ19によって光の漏れが発生するおそれが
ある。ここでは、非画素部17に集合させたスペーサ1
9による光の漏れを遮光膜20により確実に防ぐことで
液晶表示パネル全体の画像品質の向上を図るものであ
る。図4は、図3のA−A’線の一部断面図であり、図
5は、図3のB−B’線の一部断面図である。
【0042】図4に示す断面図において、上部ガラス基
板12には、信号電極14b,14cが積層形成される
とともに、その電極の隙間の非画素部17aには、遮光
膜20が形成されており、その表面は配向膜31で覆わ
れている。また、他方の下部ガラス基板13上には、走
査電極15cが形成され、その上に配向膜32が形成さ
れている。図4で、上部ガラス基板12と下部ガラス基
板13との基板間隔を「D」とし、上部ガラス基板12
に形成された信号電極14b,14cと、下部ガラス基
板13に形成された走査電極15cの膜厚をそれぞれ
「a」とし、その電極14,15上に配される配向膜3
1,32の膜厚をそれぞれ「c」とする。ここで、信号
電極14と走査電極15とが対向した画素部18の液晶
層の厚さd’は、D−(2a+2c)で表わすことがで
きる。
板12には、信号電極14b,14cが積層形成される
とともに、その電極の隙間の非画素部17aには、遮光
膜20が形成されており、その表面は配向膜31で覆わ
れている。また、他方の下部ガラス基板13上には、走
査電極15cが形成され、その上に配向膜32が形成さ
れている。図4で、上部ガラス基板12と下部ガラス基
板13との基板間隔を「D」とし、上部ガラス基板12
に形成された信号電極14b,14cと、下部ガラス基
板13に形成された走査電極15cの膜厚をそれぞれ
「a」とし、その電極14,15上に配される配向膜3
1,32の膜厚をそれぞれ「c」とする。ここで、信号
電極14と走査電極15とが対向した画素部18の液晶
層の厚さd’は、D−(2a+2c)で表わすことがで
きる。
【0043】これに対して、走査電極15cと遮光膜2
0が対向する非画素部17の液晶層の厚さdは、遮光膜
20の膜厚をbとし、信号電極14の膜厚aよりも薄く
形成する(a>b)ことにより、画素部18よりも非画
素部17のギャップ幅を大きくすることができる。すな
わち、非画素部17のギャップ幅dは、d=D−(a+
b+2c)で表される。そして、このギャップ幅dと同
一長さにスペーサ19の粒径が設定されている。
0が対向する非画素部17の液晶層の厚さdは、遮光膜
20の膜厚をbとし、信号電極14の膜厚aよりも薄く
形成する(a>b)ことにより、画素部18よりも非画
素部17のギャップ幅を大きくすることができる。すな
わち、非画素部17のギャップ幅dは、d=D−(a+
b+2c)で表される。そして、このギャップ幅dと同
一長さにスペーサ19の粒径が設定されている。
【0044】図5の断面図は、信号電極14が配設され
ていない非画素部領域を示しており、この非画素部領域
は、走査電極15dと遮光膜20が対向する非画素部1
7aと、電極が配設されていない非画素部17bとから
なる。ここで、非画素部17aのギャップ幅(液晶層
厚)dは、上述したように、D−(a+b+2c)であ
るが、非画素部17bのギャップ幅d0は、D−(b+
2c)となる。また、図5の奥部に形成されており、二
点鎖線で示した信号電極14dと遮光膜が同一の基板1
2に設けられている非画素部のギャップ幅も、D−(a
+b+2c)となる。即ち、ギャップ幅がD−(2a+
2c)の矩形をなす画素部18が、四方と4コーナー部
をギャップ幅がD−(a+b+2c)とD−(b+2
c)の非画素部で取り囲まれた構造となっている。従っ
て、画素部18のギャップ幅が最も小さく、コーナー部
の非画素部17bのギャップ幅が最も大きく、スペーサ
19の粒径を四方の非画素部17aのギャップ幅に一致
させてあるから、液晶層全体のギャップは、非画素部1
7aに挟持されたスペーサ19により保持される。この
場合、非画素部17aの領域は、図3からも分るよう
に、表示領域全域に亘り充分且つほぼ均一に存在するか
ら、適正な液晶層のギャップを充分に確保できる。上述
のような構造を備えた液晶セルの液晶注入口から液晶を
注入した後、超音波振動を加える。
ていない非画素部領域を示しており、この非画素部領域
は、走査電極15dと遮光膜20が対向する非画素部1
7aと、電極が配設されていない非画素部17bとから
なる。ここで、非画素部17aのギャップ幅(液晶層
厚)dは、上述したように、D−(a+b+2c)であ
るが、非画素部17bのギャップ幅d0は、D−(b+
2c)となる。また、図5の奥部に形成されており、二
点鎖線で示した信号電極14dと遮光膜が同一の基板1
2に設けられている非画素部のギャップ幅も、D−(a
+b+2c)となる。即ち、ギャップ幅がD−(2a+
2c)の矩形をなす画素部18が、四方と4コーナー部
をギャップ幅がD−(a+b+2c)とD−(b+2
c)の非画素部で取り囲まれた構造となっている。従っ
て、画素部18のギャップ幅が最も小さく、コーナー部
の非画素部17bのギャップ幅が最も大きく、スペーサ
19の粒径を四方の非画素部17aのギャップ幅に一致
させてあるから、液晶層全体のギャップは、非画素部1
7aに挟持されたスペーサ19により保持される。この
場合、非画素部17aの領域は、図3からも分るよう
に、表示領域全域に亘り充分且つほぼ均一に存在するか
ら、適正な液晶層のギャップを充分に確保できる。上述
のような構造を備えた液晶セルの液晶注入口から液晶を
注入した後、超音波振動を加える。
【0045】この超音波振動により、画素部/非画素部
に関わらず均一に散布されたスペーサ19は、ギャップ
幅のより大きい非画素部17側に移動し、最終的には、
画素部18に散布されたスペーサ19全てを非画素部1
7に集合させることができる。図3は、非画素部17に
スペーサ19を凝集させた液晶表示パネル11を示した
ものである。
に関わらず均一に散布されたスペーサ19は、ギャップ
幅のより大きい非画素部17側に移動し、最終的には、
画素部18に散布されたスペーサ19全てを非画素部1
7に集合させることができる。図3は、非画素部17に
スペーサ19を凝集させた液晶表示パネル11を示した
ものである。
【0046】図3に示すように、液晶表示パネル11の
画素部18内には、スペーサ19が無いため、明表示時
(光透過時)のスペーサによる光の散乱が無く、開口率
が最大となる。また、暗表示時(遮光時)には、スペー
サを介して光がもれる点欠陥等が無くなって充分な遮光
効果が得られ、高コントラスト化することができる。
画素部18内には、スペーサ19が無いため、明表示時
(光透過時)のスペーサによる光の散乱が無く、開口率
が最大となる。また、暗表示時(遮光時)には、スペー
サを介して光がもれる点欠陥等が無くなって充分な遮光
効果が得られ、高コントラスト化することができる。
【0047】このように、本実施例の液晶表示装置は、
画素部のスペーサを非画素部側に移動させ、非画素部に
集合したスペーサによりギャップ(液晶層厚)を適正に
調整することができる。また、画素部のスペーサを全て
非画素部に移動させた結果、画素部にスペーサが無くな
ることから、開口率が向上するとともに、点欠陥が無
く、コントラスト高い良好な画像表示を行うことができ
る。
画素部のスペーサを非画素部側に移動させ、非画素部に
集合したスペーサによりギャップ(液晶層厚)を適正に
調整することができる。また、画素部のスペーサを全て
非画素部に移動させた結果、画素部にスペーサが無くな
ることから、開口率が向上するとともに、点欠陥が無
く、コントラスト高い良好な画像表示を行うことができ
る。
【0048】また、非画素部に、遮光膜を配すれば、非
画素部に凝集したスペーサによる光のもれを防止するこ
とができ、画像品質を一層向上させることができる。
画素部に凝集したスペーサによる光のもれを防止するこ
とができ、画像品質を一層向上させることができる。
【0049】
【発明の効果】請求項1記載の液晶表示装置によれば、
画素部よりも非画素部の基板間ギャップを大きくとると
ともに、液晶層厚規制部材としてのギャップ材が非画素
部のギャップに対応した粒径に形成され、そのギャップ
材を非画素部にのみ配置してギャップを調整するように
したので、適正なギャップ調整が可能となり、明表示時
における開口率が大きくなるとともに、暗表示時の点欠
陥を防止することができる。
画素部よりも非画素部の基板間ギャップを大きくとると
ともに、液晶層厚規制部材としてのギャップ材が非画素
部のギャップに対応した粒径に形成され、そのギャップ
材を非画素部にのみ配置してギャップを調整するように
したので、適正なギャップ調整が可能となり、明表示時
における開口率が大きくなるとともに、暗表示時の点欠
陥を防止することができる。
【0050】請求項2記載の液晶表示装置によれば、非
画素部が光を遮断する遮光材で覆われているので、非画
素部に集合させたギャップ材による光学特性への影響が
排除され、コントラストが一層向上する。
画素部が光を遮断する遮光材で覆われているので、非画
素部に集合させたギャップ材による光学特性への影響が
排除され、コントラストが一層向上する。
【0051】請求項3記載の液晶表示装置の製造方法に
よれば、画素部よりも非画素部の基板間ギャップを大き
く形成し、非画素部の一部の基板間ギャップと同じ粒径
のギャップ材を一方の基板に散布して、該ギャップ材を
散在させた状態でシール材を介して上下基板を貼り合わ
せて液晶材料を注入し、液晶材料に振動を加えてギャッ
プ材を非画素部に移動させる。
よれば、画素部よりも非画素部の基板間ギャップを大き
く形成し、非画素部の一部の基板間ギャップと同じ粒径
のギャップ材を一方の基板に散布して、該ギャップ材を
散在させた状態でシール材を介して上下基板を貼り合わ
せて液晶材料を注入し、液晶材料に振動を加えてギャッ
プ材を非画素部に移動させる。
【0052】このため、非画素部に移動したギャップ材
によって基板間ギャップが適正に調整され、画素部内の
ギャップ材が無くなることから、明表示時における開口
率が最大になるとともに、暗表示時の点欠陥を防止する
ことができる。
によって基板間ギャップが適正に調整され、画素部内の
ギャップ材が無くなることから、明表示時における開口
率が最大になるとともに、暗表示時の点欠陥を防止する
ことができる。
【0053】請求項4記載の液晶表示装置の製造方法に
よれば、液晶材料に加える振動を超音波振動としたの
で、画素部内に介在していたギャップ材を速やかに非画
素部に移動させることができる。
よれば、液晶材料に加える振動を超音波振動としたの
で、画素部内に介在していたギャップ材を速やかに非画
素部に移動させることができる。
【図1】本実施例の液晶表示パネルの一部分の構成を示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図2】図1の液晶表示パネルの平面図である。
【図3】他の実施例に係る液晶表示装置の液晶表示パネ
ルの平面図である。
ルの平面図である。
【図4】図3のA−A’線の一部断面図である。
【図5】図3のB−B’線の一部断面図である。
【図6】従来の液晶表示装置の液晶表示パネルにおける
ギャップ材の分散状況を示す平面図である。
ギャップ材の分散状況を示す平面図である。
【符号の説明】 11 液晶表示パネル 12 上部ガラス基板 13 下部ガラス基板 14 信号電極 15 走査電極 16 液晶層 17 非画素部 18 画素部 19 スペーサ 20 遮光膜
Claims (4)
- 【請求項1】一対の基板を所定間隔を隔てて平行に配置
し、該一対の基板の各対向面に液晶駆動用の対向電極が
夫々形成され、該一対の基板間に液晶が充填されて液晶
層が形成され、前記電極に電圧を印加して表示制御を行
う液晶表示装置であって、 前記電極が対向する画素部の液晶層厚よりも該画素部以
外の非画素部の液晶層厚が大きく形成され、 前記液晶層厚の大きさを規制する層厚規制部材の大きさ
を前記非画素部の少なくとも一部の層厚に一致させると
共に、該層厚規制部材を前記非画素部にのみ介在させた
ことを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項2】前記非画素部に光を透過させない遮光材を
敷設したことを特徴とする請求項1記載の液晶表示装
置。 - 【請求項3】夫々に電極を形成した一対の基板を電極形
成面が対向するように配置し、該一対の基板間に液晶を
封入して液晶層を形成すると共に液晶層厚を規制する層
厚規制部材を介在させてなる液晶表示装置の製造方法で
あって、 前記電極が対向する画素部以外の非画素部における一部
の液晶層厚と同じ大きさの液晶層厚規制部材を準備する
工程と、 一対の基板に夫々透明電極を周囲よりも厚く形成する工
程と、 前記一対の基板の一方に前記層厚規制部材を散布する工
程と、 前記一方の基板に他方の基板を所定の間隙を保って対向
配置し、該一対の基板間に液晶を充填して液晶層を形成
する工程と、 前記液晶層に振動を加え、前記液晶層厚規制部材を前記
非画素部に移動させる工程とを有する液晶表示装置の製
造方法。 - 【請求項4】前記液晶層に加える振動が超音波振動であ
ることを特徴とする請求項3記載の液晶表示装置の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11231794A JPH07294944A (ja) | 1994-04-26 | 1994-04-26 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11231794A JPH07294944A (ja) | 1994-04-26 | 1994-04-26 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07294944A true JPH07294944A (ja) | 1995-11-10 |
Family
ID=14583649
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11231794A Pending JPH07294944A (ja) | 1994-04-26 | 1994-04-26 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07294944A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7443478B2 (en) | 1997-03-27 | 2008-10-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Contact structure |
| CN110333621A (zh) * | 2019-05-06 | 2019-10-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板及其驱动方法 |
-
1994
- 1994-04-26 JP JP11231794A patent/JPH07294944A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7443478B2 (en) | 1997-03-27 | 2008-10-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Contact structure |
| US7561242B2 (en) | 1997-03-27 | 2009-07-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Contact structure |
| US7616273B2 (en) | 1997-03-27 | 2009-11-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Contact structure |
| US7697102B2 (en) | 1997-03-27 | 2010-04-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd | Contact structure |
| US7760316B2 (en) | 1997-03-27 | 2010-07-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Contact structure |
| US8908138B2 (en) | 1997-03-27 | 2014-12-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Contact structure |
| US9217901B2 (en) | 1997-03-27 | 2015-12-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Contact structure |
| CN110333621A (zh) * | 2019-05-06 | 2019-10-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板及其驱动方法 |
| CN110333621B (zh) * | 2019-05-06 | 2022-06-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板及其驱动方法 |
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