JPH07295210A - 光反射性防止材料及びパターン形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【構成】 下記一般式（Ｉ）で示される４級アンモニウ
ム化合物を含む光反射性防止材料。 Ｒ¹ ₄Ｎ^+-Ｒ²
…（Ｉ） 例 テトラエチルアンモニウムハイドロオキサイド フォトレジスト層の上層としてこの光反射性防止材料か
らなる光反射防止膜を形成し、上記フォトレジスト層を
露光した後に上記光反射防止膜を除去してパターンを形
成する。 【効果】 フォトレジスト層表面での反射光を低減し、
レジスト層内での光多重干渉によるパターン寸法精度の
低下を確実に防止することができ、しかも簡便で生産性
が高い。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、フォトレジストを用い
たフォトリソグラフィーで用いる光反射性防止材料及び
パターン形成方法に係り、更に詳しくは基盤表面に段差
が存在する場合においても、高い精度で微細加工可能な
パターン形成を可能とする光反射性防止材料及びパター
ン形成方法に関する。

【０００２】

【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】最近に
おいて、半導体集積回路の高集積化、高密度化にともな
い、パターン形成プロセスに関して種々の厳しいパター
ン寸法の高精度化が必要となっている。

【０００３】周知のように、各種微細パターン形成に
は、一般にフォトリソグラフィーと呼ばれる方法が用い
られている。露光機として縮小投影露光機（ステッパ
ー）が一般的に使われているが、単一波長で露光するた
めフォトレジスト膜内での光の干渉が生じる。すなわ
ち、光がフォトレジスト膜に入射し、基盤から反射し、
フォトレジストと空気界面で反射・通過するが、フォト
レジストの膜厚が変化するとフォトレジスト膜と空気界
面での反射率が変化する。この場合、段差部分ではフォ
トリソグラフィーの膜厚変動が生じるが、膜厚の変動に
より露光量が変化して寸法変動が生じ、精度が低下する
という問題がある。寸法精度が低下するということは、
正確なパターンサイズの加工ができないだけでなく、合
わせ露光のためのアライメントマークの寸法精度も低下
し、合わせ精度の低下につながる。

【０００４】ここで、基盤上の光散乱状態について説明
すると、図２に示すように、入射した光が基盤（１）−
レジスト膜（２）界面及びレジスト膜（２）−空気界面
からの反射光の干渉が起きるが、レジスト膜厚が変化す
ると膜内干渉光強度は増減する。つまり、レジスト膜厚
の変動に応じて強い光干渉（オーバー露光）あるいは弱
い光干渉（アンダー露光）になる。基盤面の段差部分で
はレジスト膜厚が変動するので、レジスト膜厚の変動に
応じてオーバー露光部とアンダー露光部が周期的に現れ
る。すなわち、段差に交差するラインパターンを形成し
ようとすると、段差部分でライン幅が周期的に細くなっ
たり太くなったりして変動する。

【０００５】基盤表面の凹凸によって生じるこれらの問
題を解決して良好なパターニングを行う方法として、多
層レジスト法あるいはＡＲＣ法などが提案されている。
しかし、多層レジスト法（特開昭５１−１０７７５号公
報など）はレジスト層を２層又は３層形成し、その後パ
ターン転写を行ってマスクとなるレジストパターンを形
成するため工程数が多く生産性が悪いという問題があ
る。また、中間層からの反射光により寸法精度の低下が
ある。

【０００６】一方、Ａｎｔｉ Ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ
Ｃｏａｔ；ＡＲＣ法（特開昭５９−９３４４８号公報）
は、レジスト膜下部に形成した光吸収型反射防止膜であ
るが、レジストパターン形成後、反射防止膜をエッチン
グするため、その処方による寸法精度の低下が大きく、
エッチング工程が増えるため生産性も悪くなる。

【０００７】最近、上記問題を解決し、レジスト膜内の
光干渉を抑制する方法として透過型反射防止膜Ａｎｔｉ
Ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ Ｃｏａｔ Ｏｎ Ｒｅｓｉｓ
ｔ；ＡＲＣＯＲ法（特開昭６２−６２５２０号公報）が
提案された。

【０００８】ＡＲＣＯＲ法はレジスト上部に透明な反射
防止膜を形成し、露光後剥離する工程を含む方法であ
り、その簡便な方法で微細かつ高精度及び合わせ精度の
高いパターンを形成する方法である。この場合、反射防
止膜として低屈折率材料のパーフルオロアルキル化合物
（パーフルオロアルキルポリエーテル、パーフルオロア
ルキルアミン）を用いると、レジスト−反射防止膜界面
の反射光を大幅に低減し寸法精度が向上する。

【０００９】しかし、上記パーフルオロアルキル化合物
は、有機物との相溶性が低いことから、塗布膜厚を制御
するための希釈液にはフロンなどが用いられているが、
周知の通りフロンは現在環境保全の観点からその使用が
問題となっている。また、上記化合物は均一な成膜性に
問題があり、反射防止膜としては十分であるとはいえな
いものである。しかも、フォトレジストの現像前に、反
射防止膜をフロンで剥離しなければならず、そのため、
従来装置に反射防止膜剥離用のシステムの増設をしなけ
ればならず、フロン系溶剤のコストがかなりかさむなど
と実用面でのデメリットが大きいものである。

【００１０】ここで、従来装置に増設なしで反射防止膜
の剥離を行おうとすると、現像ユニットを使って剥離を
行うことが最も望ましい。従って、ポジ型フォトレジス
ト膜の現像ユニットで用いられる溶液は、現像液である
アルカリ水溶液と、リンス液である純水であるので、こ
れらの溶液で容易に剥離できる反射防止膜材料が望まし
く、反射防止膜材料として水溶性あるいはアルカリ水溶
性材料が要望される。

【００１１】本発明は、上記事情に鑑みなされたもの
で、簡便で生産性が高く、再現性のある方法で微細かつ
高精度及び合わせ精度の高いパターンを形成することを
可能とする光反射性防止材料及びこれを用いるパターン
形成方法を提供することを目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段及び作用】本発明者は、上
記目的を達成するため鋭意検討を行った結果、光反射性
防止材料として、下記式（Ｉ） Ｒ¹ ₄Ｎ^+-Ｒ² …（Ｉ） 〔ここで、Ｒ¹は同一又は異種の炭素数１〜６のアルキ
ル基、炭素数１〜６のアルコキシ基又は炭素数１〜６の
ヒドロキシアルキル基、Ｒ²はヒドロキシル基、炭素数
１〜６のモノもしくはジカルボキシル基、フロロ基、水
素化ジフロロ基、クロル基、ブロモ基、スルホニル基、
水素化スルホニル基又はメチルカルボニル基を表す。〕
で示される４級アンモニウム化合物を主成分とするもの
を使用することにより、優れた反射防止効果を与えるこ
とができることを知見した。

【００１３】すなわち、上記式（Ｉ）の４級アンモニウ
ム化合物は、水分含有率が高く、潮解性を有し、この光
反射性防止材料により形成された光反射防止膜は含水率
が高く、水の屈折率が１．３３と低屈折率であることに
対応し、屈折率が低いもので、理想的な屈折率１．３０
に近く、このため反射防止効果が高いと共に、従来のパ
ーフルオロアルキル化合物（特開昭６２−６２５２０号
公報）とは異なり、水溶性又はアルカリ水溶性で、剥離
液として水が可能となり、簡便に使用し得ることを知見
し、本発明をなすに至ったものである。

【００１４】従って、本発明は、上記一般式（Ｉ）で示
される４級アンモニウム化合物を含む光反射性防止材
料、及び、フォトレジスト層の上層として上記の光反射
性防止材料からなる光反射防止膜を形成し、上記フォト
レジスト層を露光した後に上記光反射防止膜を除去する
ことを特徴とするパターン形成方法を提供する。

【００１５】以下、本発明につき更に詳しく説明する
と、本発明の光反射性防止材料は、下記一般式（Ｉ）の
４級アンモニウム化合物を主成分として含有する。 Ｒ¹ ₄Ｎ^+-Ｒ² …（Ｉ） 〔ここで、Ｒ¹は同一又は異種の炭素数１〜６のアルキ
ル基、炭素数１〜６のアルコキシ基又は炭素数１〜６の
ヒドロキシアルキル基、Ｒ²はヒドロキシル基、炭素数
１〜６のモノもしくはジカルボキシル基、フロロ基、水
素化ジフロロ基、クロル基、ブロモ基、スルホニル基、
水素化スルホニル基又はメチルカルボニル基を表す。〕

【００１６】ここで、このような４級アンモニウム化合
物としては、テトラエチルアンモニウムハイドロオキサ
イド、テトラ−ｎ−プロピルアンモニウムハイドロオキ
サイド、テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムハイドロオキ
サイド、テトラメチルアンモニウムアセテート、コリン
ハイドロオキサイド、テトラメチルアンモニウムカーボ
ネートなどが例示される。

【００１７】この４級アンモニウム化合物は、通常、
水、アルコール等の溶媒に溶解されて光反射性防止材料
が調製されるが、この４級アンモニウム化合物の濃度は
０．１〜５０重量％、特に０．５〜１０重量％であるこ
とが好ましい。

【００１８】本発明の光反射性防止材料には、上記４級
アンモニウム化合物以外に、界面活性剤、各種の水溶性
ポリマーなどを添加することができる。この場合、界面
活性剤としては、例えばベタイン系界面活性剤、アミン
オキシド系界面活性剤、アミンカルボン酸塩系界面活性
剤、ポリオキシエチレンアルキルエーテル系界面活性
剤、あるいはこれらのフッ素系界面活性剤等を挙げるこ
とができ、その添加量は、上記４級アンモニウム化合物
１００重量部に対して０．０００１〜１０重量部、特に
０．０１〜１重量部が望ましい。

【００１９】また、成膜性を向上させるために各種の水
溶性ポリマー、例えばポリビニルアルコール、ポリアク
リル酸、ポリメタクリル酸、ポリビニルピロリドン、ポ
リエチレンオキシド、アミロース、デキストラン、セル
ロース、プルランを上記４級アンモニウム化合物１００
重量部に対して３〜３００重量部、好ましくは３０〜１
００重量部添加することは任意である。添加量が３重量
部に満たない場合は成膜性が劣化する場合があり、３０
０部を越えると反射防止効果が低下する場合がある。

【００２０】本発明の光反射性防止材料を用いたレジス
トパターンを形成するには、公知の方法を採用し得、例
えば図１に示すリソグラフィー工程により行うことがで
きる。まず、硅素ウェハーなどの基盤１上にスピンコー
トなどの方法でフォトレジスト層２を形成し、このフォ
トレジスト層２の上に本発明の光反射性防止材料をスピ
ンコートなどの方法で塗布して光反射防止膜３を形成
し、この光反射防止膜３に波長２００〜５００ｎｍの紫
外線４を縮小投影法により所望のパターン形状に露光
し、即ち図１（Ｃ）においてＡ部分を露光し、次いで光
反射防止性層３を除去し、現像液を用いて現像する方法
によりレジストパターン５を形成することができる。

【００２１】この場合、希釈液としては純水を使用する
ことができる。更に、光反射防止性層の除去は、通常の
ポジ型フォトレジストの現像ユニットの利用が可能であ
り、純水でリンスすることにより容易に行うことができ
る。

【００２２】光反射防止膜としては屈折率約１．３０の
材料を厚さ約７００Åの均一な膜としてフォトレジスト
上に塗膜形成することが最も効果がある。屈折率が約
１．３０であっても塗膜が不可能、あいるは塗膜均一性
が悪い材料は、基盤全面で反射防止効果を得ることはで
きない。本発明の光反射性防止材料は塗布均一性に優
れ、フォトレジスト層上にスピンコーティングすること
により、はじき、ムラ塗り等を抑制して基盤全面におい
て均一な膜を形成することが可能である。

【００２３】ここで、本発明の光反射性防止材料の光散
乱低減効果について図２，３を参照して説明する。図２
に示すように基盤１にレジスト層２を形成しただけで
は、入射光Ｉ_oが空気−レジスト層界面でかなりの反射
Ｉ_r1が起こり、入射光量が損失すると共に、レジスト層
２内に入った光がレジスト層−基盤界面で反射Ｉ_r2し、
このため反射光Ｉ_r2がレジスト層−空気界面で再度反射
Ｉ_r3することが繰り返されるため、レジスト層で多重干
渉が生じる。

【００２４】これに対し、図３に示すようにレジスト層
２上に本発明の光反射防止膜を形成することにより、入
射光Ｉ_oの空気−光反射防止膜界面の反射（Ｉ_r4）、光
反射防止膜−レジスト層界面の反射（Ｉ_r5）を低減し得
る。また、Ｉ_r6とＩ_r7の位相が逆になるように光反射防
止膜の膜厚を設定すると光の位相が逆であるので互いに
弱め合い、レジスト層２内での光の多重干渉が抑制され
る。

【００２５】なお、反射防止の原理から、レジスト層の
露光光に対する屈折率をｎ、露光光の波長をλとする
と、光反射防止膜の屈折率ｎ’を√ｎ、その膜厚をλ／
４ｎ’の奇数倍に近づけるほどこの光反射防止膜の反射
率（振幅比）は低減する。即ち、フェノールノボラック
系のレジスト層の屈折率は約１．７０であるので、光反
射防止膜に求められる最適な屈折率は約１．３０であ
り、波長３６５ｎｍ（ｉ線）の光に対応する薄膜の最適
膜厚は約７００Åの奇数倍の膜厚である。本発明の光反
射性防止材料によれば、かかる最適屈折率に可及的に近
づけ得るものである。

【００２６】

【発明の効果】従来、フォトレジスト材料を用いたフォ
トリソグラフィーでのパターン形成において、段差があ
る基盤面にパターンを形成する場合、レジスト層の膜厚
が基盤の段差部分で変動するために光干渉の影響によっ
て寸法精度が低下するという問題が生じるが、本発明に
よれば、かかる問題を解決することができ、フォトレジ
スト層上に透明な光反射防止膜を形成し、フォトレジス
ト層表面での反射光を低減し、レジスト層内での光多重
干渉によるパターン寸法精度の低下を確実に防止するこ
とができ、しかも簡便で生産性が高いものである。

【００２７】

【実施例】以下、実施例と比較例を示し、本発明を具体
的に説明するが、本発明は下記実施例に制限されるもの
ではない。

【００２８】〔実施例１〕テトラエチルアンモニウムハ
イドロオキサイド１．４７ｇと、平均重合度１０００で
ケン化度８８％のポリビニルアルコール０．８ｇと、純
水１００ｇを混合させ、光反射性防止材料（サンプル
１）をつくった。

【００２９】６インチウェハー上にサンプル１をディス
ペンスし、はじめに３００ｒｐｍで３秒間、その後３０
００ｒｐｍで２０秒間ウェハーを回転させ、反射防止膜
を形成し、エリプソメトリで膜厚と屈折率を測定した。
結果を表１に示す。

【００３０】一方、フォトレジスト材料（東京応化工業
（株）製ＴＨＭＲｉＰ１８００、プリベークは温度９０
℃、時間９０秒）の膜厚を変えた６インチウェハー上に
サンプル１をディスペンスし、はじめに３００ｒｐｍで
３秒間、その後３０００ｒｐｍで２０秒間ウェハーを回
転させ、反射防止膜を形成した。

【００３１】ｉ線ステッパーで、１ショット４ｍｍ平方
の面積を露光量を変えてステッピング露光し、純水リン
スして反射防止膜を剥離した。その後、温度１１０℃、
時間９０秒でポストエクスポジュアーベークし、現像液
ＮＭＤ−Ｗ（東京応化工業（株）製）を用いて温度２３
℃、時間６５秒で静止パドル現像を行い、純水リンスを
行った。

【００３２】完全に膜がなくなっている露光量をＥｔｈ
とし、フォトレジスト膜厚の変動に対するＥｔｈの変動
の大きさより、フォトレジスト膜内の光干渉効果の大き
さを求めた。

【００３３】〔実施例２〕テトラ−ｎ−プロピルアンモ
ニウムハイドロオキサイド１．５０ｇと、平均重合度１
０００でケン化度８８％のポリビニルアルコール０．８
ｇと、純水１００ｇを混合させ、光反射性防止材料（サ
ンプル２）をつくった。

【００３４】６インチウェハー上にサンプル２をディス
ペンスし、はじめに３００ｒｐｍで３秒間、その後３０
００ｒｐｍで２０秒間ウェハーを回転させ、反射防止膜
を形成し、エリプソメトリで膜厚と屈折率を測定した。
結果を表１に示す。

【００３５】一方、フォトレジスト材料（東京応化工業
（株）製ＴＨＭＲｉＰ１８００、プリベークは温度９０
℃、時間９０秒）の膜厚を変えた６インチウェハー上に
サンプル２をディスペンスし、はじめに３００ｒｐｍで
３秒間、その後３０００ｒｐｍで２０秒間ウェハーを回
転させ、反射防止膜を形成した。

【００３６】ｉ線ステッパーで、１ショット４ｍｍ平方
の面積を露光量を変えてステッピング露光し、純水リン
スして反射防止膜を剥離した。その後、温度１１０℃、
時間９０秒でポストエクスポジュアーベークし、現像液
ＮＭＤ−Ｗ（東京応化工業（株）製）を用いて温度２３
℃、時間６５秒で静止パドル現像を行い、純水リンスを
行った。

【００３７】完全に膜がなくなっている露光量をＥｔｈ
とし、フォトレジスト膜厚の変動に対するＥｔｈの変動
の大きさより、フォトレジスト膜内の光干渉効果の大き
さを求めた。

【００３８】〔実施例３〕テトラ−ｎ−ブチルアンモニ
ウムハイドロオキサイド１．６０ｇと、平均重合度１０
００でケン化度８８％のポリビニルアルコール０．８ｇ
と、純水１００ｇを混合させ、光反射性防止材料（サン
プル３）をつくった。

【００３９】６インチウェハー上にサンプル３をディス
ペンスし、はじめに３００ｒｐｍで３秒間、その後３０
００ｒｐｍで２０秒間ウェハーを回転させ、反射防止膜
を形成し、エリプソメトリで膜厚と屈折率を測定した。
結果を表１に示す。

【００４０】一方、フォトレジスト材料（東京応化工業
（株）製ＴＨＭＲｉＰ１８００、プリベークは温度９０
℃、時間９０秒）の膜厚を変えた６インチウェハー上に
サンプル３をディスペンスし、はじめに３００ｒｐｍで
３秒間、その後３０００ｒｐｍで２０秒間ウェハーを回
転させ、反射防止膜を形成した。

【００４１】ｉ線ステッパーで、１ショット４ｍｍ平方
の面積を露光量を変えてステッピング露光し、純水リン
スして反射防止膜を剥離した。その後、温度１１０℃、
時間９０秒でポストエクスポジュアーベークし、現像液
ＮＭＤ−Ｗ（東京応化工業（株）製）を用いて温度２３
℃、時間６５秒で静止パドル現像を行い、純水リンスを
行った。

【００４２】完全に膜がなくなっている露光量をＥｔｈ
とし、フォトレジスト膜厚の変動に対するＥｔｈの変動
の大きさより、フォトレジスト膜内の光干渉効果の大き
さを求めた。

【００４３】〔実施例４〕テトラメチルアンモニウムア
セテート１．５０ｇと、平均重合度１０００でケン化度
８８％のポリビニルアルコール０．８ｇと、純水１００
ｇを混合させ、光反射性防止材料（サンプル４）をつく
った。

【００４４】６インチウェハー上にサンプル４をディス
ペンスし、はじめに３００ｒｐｍで３秒間、その後３０
００ｒｐｍで２０秒間ウェハーを回転させ、反射防止膜
を形成し、エリプソメトリで膜厚と屈折率を測定した。
結果を表１に示す。

【００４５】一方、フォトレジスト材料（東京応化工業
（株）製ＴＨＭＲｉＰ１８００、プリベークは温度９０
℃、時間９０秒）の膜厚を変えた６インチウェハー上に
サンプル４をディスペンスし、はじめに３００ｒｐｍで
３秒間、その後３０００ｒｐｍで２０秒間ウェハーを回
転させ、反射防止膜を形成した。

【００４６】ｉ線ステッパーで、１ショット４ｍｍ平方
の面積を露光量を変えてステッピング露光し、純水リン
スして反射防止膜を剥離した。その後、温度１１０℃、
時間９０秒でポストエクスポジュアーベークし、現像液
ＮＭＤ−Ｗ（東京応化工業（株）製）を用いて温度２３
℃、時間６５秒で静止パドル現像を行い、純水リンスを
行った。

【００４７】完全に膜がなくなっている露光量をＥｔｈ
とし、フォトレジスト膜厚の変動に対するＥｔｈの変動
の大きさより、フォトレジスト膜内の光干渉効果の大き
さを求めた。

【００４８】〔実施例５〕テトラメチルアンモニウムカ
ルボネート１．５０ｇと、平均重合度１０００でケン化
度８８％のポリビニルアルコール０．８ｇと、純水１０
０ｇを混合させ、光反射性防止材料（サンプル５）をつ
くった。

【００４９】６インチウェハー上にサンプル５をディス
ペンスし、はじめに３００ｒｐｍで３秒間、その後３０
００ｒｐｍで２０秒間ウェハーを回転させ、反射防止膜
を形成し、エリプソメトリで膜厚と屈折率を測定した。
結果を表１に示す。

【００５０】一方、フォトレジスト材料（東京応化工業
（株）製ＴＨＭＲｉＰ１８００、プリベークは温度９０
℃、時間９０秒）の膜厚を変えた６インチウェハー上に
サンプル５をディスペンスし、はじめに３００ｒｐｍで
３秒間、その後３０００ｒｐｍで２０秒間ウェハーを回
転させ、反射防止膜を形成した。

【００５１】ｉ線ステッパーで、１ショット４ｍｍ平方
の面積を露光量を変えてステッピング露光し、純水リン
スして反射防止膜を剥離した。その後、温度１１０℃、
時間９０秒でポストエクスポジュアーベークし、現像液
ＮＭＤ−Ｗ（東京応化工業（株）製）を用いて温度２３
℃、時間６５秒で静止パドル現像を行い、純水リンスを
行った。

【００５２】完全に膜がなくなっている露光量をＥｔｈ
とし、フォトレジスト膜厚の変動に対するＥｔｈの変動
の大きさより、フォトレジスト膜内の光干渉効果の大き
さを求めた。

【００５３】

【表１】

【００５４】〔比較例１〕フォトレジスト材料（東京応
化工業（株）製ＴＨＭＲｉＰ１８００、プリベークは温
度９０℃、時間９０秒）の膜厚を変えた６インチウェハ
ーを、ｉ線ステッパーで、１ショット４ｍｍ平方の面積
を露光量を変えてステッピング露光し、その後、温度１
１０℃、時間９０秒でポストエクスポジュアーベーク
し、現像液ＮＭＤ−Ｗ（東京応化工業（株）製）を用い
て温度２３℃、時間６５秒で静止パドル現像を行い、純
水リンスを行った。

【００５５】完全に膜がなくなっている露光量をＥｔｈ
とし、フォトレジスト膜厚の変動に対するＥｔｈの変動
の大きさより、フォトレジスト膜内の光干渉効果の大き
さを求めた。

【００５６】以上の実施例１〜５、比較例１において、
フォトレジスト膜厚の変動に対するＥｔｈの変動の大き
さの結果を図４に示す。図中、点線が実施例１〜５の結
果、実線が比較例１の結果である。

【図面の簡単な説明】

【図１】リソグラフィー工程の概略図である。

【図２】基板にレジスト層のみを形成した場合の光散乱
を示す概略図である。

【図３】基板に形成したレジスト層上に本発明の光反射
防止性膜を形成した場合の光散乱を示す概略図である。

【図４】実施例１〜５及び比較例１で得られた反射防止
膜を用いて形成したパターンにおいて、フォトレジスト
膜厚の変動に対するＥｔｈの変動の大きさを示すグラフ
である。

【符号の説明】

１ 基板 ２ フォトレジスト層 ３ 光反射防止層 ４ 紫外線 ５ レジストパターン

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 下記一般式（Ｉ）で示される４級アンモ
   ニウム化合物を含む光反射性防止材料。 Ｒ¹ ₄Ｎ^+-Ｒ² …（Ｉ） 〔ここで、Ｒ¹は同一又は異種の炭素数１〜６のアルキ
   ル基、炭素数１〜６のアルコキシ基又は炭素数１〜６の
   ヒドロキシアルキル基、Ｒ²はヒドロキシル基、炭素数
   １〜６のモノもしくはジカルボキシル基、フロロ基、水
   素化ジフロロ基、クロル基、ブロモ基、スルホニル基、
   水素化スルホニル基又はメチルカルボニル基を表す。〕
2. 【請求項２】 フォトレジスト層の上層として請求項１
   記載の光反射性防止材料からなる光反射防止膜を形成
   し、上記フォトレジスト層を露光した後に上記光反射防
   止膜を除去することを特徴とするパターン形成方法。