JPH07295221A - 感光性樹脂組成物 - Google Patents
感光性樹脂組成物Info
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- JPH07295221A JPH07295221A JP6089917A JP8991794A JPH07295221A JP H07295221 A JPH07295221 A JP H07295221A JP 6089917 A JP6089917 A JP 6089917A JP 8991794 A JP8991794 A JP 8991794A JP H07295221 A JPH07295221 A JP H07295221A
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- carboxylic acid
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 感光性樹脂組成物の未露光部の溶解速度を低
く抑えるとともに、露光部の溶解速度を向上させ、さら
に、アルカリ現像液に対する露光部と未露光部との溶解
速度の差を大きくし、露光する放射線に対する高い感度
を有する高解像度の感光性樹脂組成物を提供すること。 【構成】 カルボキシル基と、特定のカルボン酸エステ
ル基とを側鎖に有する高分子化合物(A)および光照射
により酸または塩基を発生する化合物を含有することを
特徴とする感光性樹脂組成物。前記組成物にさらに多価
カルボン酸エステル化合物または多価フェノールの炭酸
エステル化合物またはアルカリ可溶性高分子化合物を含
有することを特徴とする感光性樹脂組成物。
く抑えるとともに、露光部の溶解速度を向上させ、さら
に、アルカリ現像液に対する露光部と未露光部との溶解
速度の差を大きくし、露光する放射線に対する高い感度
を有する高解像度の感光性樹脂組成物を提供すること。 【構成】 カルボキシル基と、特定のカルボン酸エステ
ル基とを側鎖に有する高分子化合物(A)および光照射
により酸または塩基を発生する化合物を含有することを
特徴とする感光性樹脂組成物。前記組成物にさらに多価
カルボン酸エステル化合物または多価フェノールの炭酸
エステル化合物またはアルカリ可溶性高分子化合物を含
有することを特徴とする感光性樹脂組成物。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は感光性樹脂組成物に関す
る。さらに詳しくは、超LSIなどの半導体デバイスの
微細パターンを形成するために使用するエキシマレーザ
ーを代表とする遠紫外線などの放射線に対して有効な感
光性樹脂組成物に関する。
る。さらに詳しくは、超LSIなどの半導体デバイスの
微細パターンを形成するために使用するエキシマレーザ
ーを代表とする遠紫外線などの放射線に対して有効な感
光性樹脂組成物に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体デバイスの高集積化が求められる
なか、微細加工技術の開発が進められている。この技術
を実現するために、いくつかの手法が検討されている。
なかでも光リソグラフィー技術で使用する光源を短波長
化するためにエキシマレーザを露光線源に使用したり、
光学干渉などの問題が無視できる電子線、X線を露光線
源に使用するなどの露光技術が注目されている。
なか、微細加工技術の開発が進められている。この技術
を実現するために、いくつかの手法が検討されている。
なかでも光リソグラフィー技術で使用する光源を短波長
化するためにエキシマレーザを露光線源に使用したり、
光学干渉などの問題が無視できる電子線、X線を露光線
源に使用するなどの露光技術が注目されている。
【0003】従来、光リソグラフィー用の感光性樹脂組
成物(レジスト)として、ノボラック樹脂とナフトキノ
ンアジドとからなる感光性樹脂組成物が知られており、
この感光性樹脂組成物は、高解像度、ドライエッチング
耐性、高感度などのすぐれた特性を有している。
成物(レジスト)として、ノボラック樹脂とナフトキノ
ンアジドとからなる感光性樹脂組成物が知られており、
この感光性樹脂組成物は、高解像度、ドライエッチング
耐性、高感度などのすぐれた特性を有している。
【0004】しかしながら、前記ノボラック樹脂とナフ
トキノンアジドとからなる感光性樹脂組成物のばあい、
照射されるエネルギーにより逐次型の反応が起こるだけ
であるため、照射されるエネルギー効率は低く、その結
果、大幅な感度向上を望むことができないのが実状であ
る。また、露光線源の波長が短波長化するにしたがっ
て、感光性樹脂組成物と感光波長との不適合が生じた
り、短波長に対する感光性樹脂組成物自身の透過率が低
いなどの問題が発生している。
トキノンアジドとからなる感光性樹脂組成物のばあい、
照射されるエネルギーにより逐次型の反応が起こるだけ
であるため、照射されるエネルギー効率は低く、その結
果、大幅な感度向上を望むことができないのが実状であ
る。また、露光線源の波長が短波長化するにしたがっ
て、感光性樹脂組成物と感光波長との不適合が生じた
り、短波長に対する感光性樹脂組成物自身の透過率が低
いなどの問題が発生している。
【0005】これらの問題を解決するために、化学増幅
型機構の考え方に基づく感光性樹脂組成物が検討されて
きている。この考え方に基づく感光性樹脂組成物のばあ
い、光の照射により発生する酸を触媒として、化学反応
を光以外の熱によって促進させる手法である。この方法
では、光の照射により触媒量の酸を発生させることがで
きればよいため、極めて高感度な感光性樹脂組成物にす
ることができる。
型機構の考え方に基づく感光性樹脂組成物が検討されて
きている。この考え方に基づく感光性樹脂組成物のばあ
い、光の照射により発生する酸を触媒として、化学反応
を光以外の熱によって促進させる手法である。この方法
では、光の照射により触媒量の酸を発生させることがで
きればよいため、極めて高感度な感光性樹脂組成物にす
ることができる。
【0006】たとえば、特開昭59−45439号公報
には、遠紫外線に対して透明性の高い樹脂の水溶性の官
能基を、酸に対して不安定な基で置換した重合体と、紫
外線の照射により酸を発生する化合物とを混合したもの
を感光性樹脂組成物として用い、紫外線を照射したのち
加熱することによってパターン化しうることが開示され
ている。
には、遠紫外線に対して透明性の高い樹脂の水溶性の官
能基を、酸に対して不安定な基で置換した重合体と、紫
外線の照射により酸を発生する化合物とを混合したもの
を感光性樹脂組成物として用い、紫外線を照射したのち
加熱することによってパターン化しうることが開示され
ている。
【0007】また、特開平5−279425号公報に
も、オレフィン性不飽和基を有するフェニル酢酸エステ
ルを重合させてえられた放射線感応性樹脂と、化学線へ
の露光により酸を発生する物質とを含む放射線感応性組
成物をポジ型レジストとして使用することが記載されて
いる。
も、オレフィン性不飽和基を有するフェニル酢酸エステ
ルを重合させてえられた放射線感応性樹脂と、化学線へ
の露光により酸を発生する物質とを含む放射線感応性組
成物をポジ型レジストとして使用することが記載されて
いる。
【0008】前記パターン化において、高解像度のパタ
ーンを形成するためには、現像液に対する感光性樹脂組
成物の露光部と未露光部との溶解速度の差を大きくする
ことが必要であり、このことを達成するために感光性樹
脂の現像液に対する溶解性を変化させる方法が提案され
ている。
ーンを形成するためには、現像液に対する感光性樹脂組
成物の露光部と未露光部との溶解速度の差を大きくする
ことが必要であり、このことを達成するために感光性樹
脂の現像液に対する溶解性を変化させる方法が提案され
ている。
【0009】たとえば、特開平4−158363号公報
には、アルカリ現像液で可溶性にするための官能基であ
るフェノール基の5〜50%を、酸または塩基により分
解される基で保護することにより可溶性を低減せしめた
高分子化合物からなる感光性樹脂組成物を用いることに
より、アルカリ現像液に対する露光部と未露光部との溶
解速度の差を大きくし、高解像度のパターン形成を可能
にしている。
には、アルカリ現像液で可溶性にするための官能基であ
るフェノール基の5〜50%を、酸または塩基により分
解される基で保護することにより可溶性を低減せしめた
高分子化合物からなる感光性樹脂組成物を用いることに
より、アルカリ現像液に対する露光部と未露光部との溶
解速度の差を大きくし、高解像度のパターン形成を可能
にしている。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】しかし、特開平4−1
58363号公報に開示されている組成物のばあい、未
露光部の溶解速度を小さくし、露光部と未露光部との溶
解速度の差を大きくすることはできるが、露光部の溶解
速度を大きくすることは困難である。そのため、露光部
の現像時間を短縮し、実質的に露光部と未露光部との溶
解速度の差を大きくすることにも限界が生じ、結果とし
て解像度の向上にも限界が生ずるという問題がある。
58363号公報に開示されている組成物のばあい、未
露光部の溶解速度を小さくし、露光部と未露光部との溶
解速度の差を大きくすることはできるが、露光部の溶解
速度を大きくすることは困難である。そのため、露光部
の現像時間を短縮し、実質的に露光部と未露光部との溶
解速度の差を大きくすることにも限界が生じ、結果とし
て解像度の向上にも限界が生ずるという問題がある。
【0011】本発明は、前記のような従来技術の問題を
解決するためになされたものであり、感光性樹脂組成物
の未露光部の溶解速度を低く抑えるとともに、露光部の
溶解速度を向上させ、さらに、アルカリ現像液に対する
露光部と未露光部との溶解速度の差を大きくし、露光す
る放射線に対する高い感度を有する高解像度の感光性樹
脂組成物を提供することを目的としてなされたものであ
る。
解決するためになされたものであり、感光性樹脂組成物
の未露光部の溶解速度を低く抑えるとともに、露光部の
溶解速度を向上させ、さらに、アルカリ現像液に対する
露光部と未露光部との溶解速度の差を大きくし、露光す
る放射線に対する高い感度を有する高解像度の感光性樹
脂組成物を提供することを目的としてなされたものであ
る。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記目的
を達成すべく鋭意研究を重ねた結果、本発明を完成する
に至った。
を達成すべく鋭意研究を重ねた結果、本発明を完成する
に至った。
【0013】すなわち、本発明は、カルボキシル基を含
有する基と、一般式(I):
有する基と、一般式(I):
【0014】
【化24】
【0015】(式中、R1は水素原子、メチル基または
フェニル基、R2はt−ブチル基またはt−アミル基、
iは0または1、jは0、1または2、ただし、jが0
または1のばあい、複数のiはそれぞれ独立して0また
は1)で表わされるカルボン酸エステル基を含有する
基、一般式(II):
フェニル基、R2はt−ブチル基またはt−アミル基、
iは0または1、jは0、1または2、ただし、jが0
または1のばあい、複数のiはそれぞれ独立して0また
は1)で表わされるカルボン酸エステル基を含有する
基、一般式(II):
【0016】
【化25】
【0017】(式中、R3はt−ブチル基、t−アミル
基、イソプロピル基、アリル基、1−メチルビニル基、
1,1−ジメチルアリル基、2,5−ジオキサニル基ま
たはテトラヒドロフラニル基、kは0、1または2)で
表わされるカルボン酸エステル基を含有する基、一般式
(III):
基、イソプロピル基、アリル基、1−メチルビニル基、
1,1−ジメチルアリル基、2,5−ジオキサニル基ま
たはテトラヒドロフラニル基、kは0、1または2)で
表わされるカルボン酸エステル基を含有する基、一般式
(III):
【0018】
【化26】
【0019】(式中、R4は水素原子、メチル基または
フェニル基、R3は前記に同じ)で表わされるカルボン
酸エステル基を含有する基および一般式(IV):
フェニル基、R3は前記に同じ)で表わされるカルボン
酸エステル基を含有する基および一般式(IV):
【0020】
【化27】
【0021】(式中、R3は前記に同じ)で表わされる
カルボン酸エステル基を含有する基のうちの少なくとも
1種とを側鎖に有する高分子化合物(以下、高分子化合
物(A)ともいう)および光照射により酸または塩基を
発生する化合物(以下、酸等発生化合物(a)ともい
う)を含有することを特徴とする感光性樹脂組成物(発
明1) 高分子化合物(A)、多価カルボン酸エステル化合物
(以下、多価カルボン酸エステル化合物(b)ともい
う)および酸等発生化合物(a)を含有することを特徴
とする感光性樹脂組成物(発明2) 高分子化合物(A)、多価フェノールの炭酸エステル化
合物(以下、多価フェノール炭酸エステル化合物(c)
ともいう)および酸等発生化合物(a)を含有すること
を特徴とする感光性樹脂組性物(発明3) 高分子化合物(A)、アルカリ可溶性高分子化合物(以
下、アルカリ可溶性高分子化合物(B)ともいう)およ
び酸等発生化合物(a)を含有することを特徴とする感
光性樹脂組成物(発明4) 発明2における多価カルボン酸エステル化合物(b)
が、一般式(V):
カルボン酸エステル基を含有する基のうちの少なくとも
1種とを側鎖に有する高分子化合物(以下、高分子化合
物(A)ともいう)および光照射により酸または塩基を
発生する化合物(以下、酸等発生化合物(a)ともい
う)を含有することを特徴とする感光性樹脂組成物(発
明1) 高分子化合物(A)、多価カルボン酸エステル化合物
(以下、多価カルボン酸エステル化合物(b)ともい
う)および酸等発生化合物(a)を含有することを特徴
とする感光性樹脂組成物(発明2) 高分子化合物(A)、多価フェノールの炭酸エステル化
合物(以下、多価フェノール炭酸エステル化合物(c)
ともいう)および酸等発生化合物(a)を含有すること
を特徴とする感光性樹脂組性物(発明3) 高分子化合物(A)、アルカリ可溶性高分子化合物(以
下、アルカリ可溶性高分子化合物(B)ともいう)およ
び酸等発生化合物(a)を含有することを特徴とする感
光性樹脂組成物(発明4) 発明2における多価カルボン酸エステル化合物(b)
が、一般式(V):
【0022】
【化28】
【0023】(式中、R5、R6およびR7はそれぞれ独
立して水素原子、炭素数1〜4のアルキル基、ハロゲン
原子、一般式(VI):
立して水素原子、炭素数1〜4のアルキル基、ハロゲン
原子、一般式(VI):
【0024】
【化29】
【0025】(式中、R8、R9およびR10はそれぞれ独
立して水素原子、フェニル基、炭素数1〜6のアルキル
基、炭素数2〜6のアルケニル基、炭素数2〜6のアル
キニル基、炭素数1〜6のオキシアルキル基またはハロ
ゲン原子、1は0〜5の整数)で表わされるカルボン酸
エステル基を含有する基または一般式(VII):
立して水素原子、フェニル基、炭素数1〜6のアルキル
基、炭素数2〜6のアルケニル基、炭素数2〜6のアル
キニル基、炭素数1〜6のオキシアルキル基またはハロ
ゲン原子、1は0〜5の整数)で表わされるカルボン酸
エステル基を含有する基または一般式(VII):
【0026】
【化30】
【0027】(式中、R10は前記に同じ、R11は炭素数
3〜6のアルキレン基、2重結合を有する2価の炭化水
素基または一般式(VIII): −(CH2)m−O−(CH2)n− (VIII) (式中、m、nはそれぞれ独立して1または2)で表わ
される基、1は前記に同じ)、ただし、R5、R6および
R7のうち少なくとも1種は一般式(VI)または(VII)
で示されるカルボン酸エステル基を含有する基)で表わ
されるカルボン酸エステル基を含有する基を分子中に2
つ以上含有する酸または塩基で分解する化合物であるこ
とを特徴とする感光性樹脂組成物(発明2−1)、発明
4におけるアルカリ可溶性高分子化合物(B)が、カル
ボキシル基を含有する基を側鎖に有する高分子化合物で
あることを特徴とする感光性樹脂組成物(発明4−1) 発明1〜4における高分子化合物(A)におけるカルボ
キシル基を含有する基が、一般式(IX):
3〜6のアルキレン基、2重結合を有する2価の炭化水
素基または一般式(VIII): −(CH2)m−O−(CH2)n− (VIII) (式中、m、nはそれぞれ独立して1または2)で表わ
される基、1は前記に同じ)、ただし、R5、R6および
R7のうち少なくとも1種は一般式(VI)または(VII)
で示されるカルボン酸エステル基を含有する基)で表わ
されるカルボン酸エステル基を含有する基を分子中に2
つ以上含有する酸または塩基で分解する化合物であるこ
とを特徴とする感光性樹脂組成物(発明2−1)、発明
4におけるアルカリ可溶性高分子化合物(B)が、カル
ボキシル基を含有する基を側鎖に有する高分子化合物で
あることを特徴とする感光性樹脂組成物(発明4−1) 発明1〜4における高分子化合物(A)におけるカルボ
キシル基を含有する基が、一般式(IX):
【0028】
【化31】
【0029】(式中、R12は水素原子またはメチル基、
iは0または1、jは0、1または2)で表わされる
基、一般式(X):
iは0または1、jは0、1または2)で表わされる
基、一般式(X):
【0030】
【化32】
【0031】(式中、kは0または1)で表わされる基
および一般式(XI):
および一般式(XI):
【0032】
【化33】
【0033】(式中、R13およびR14はそれぞれ独立し
て水素原子、メチル基、フェニル基、ベンジル基または
CH2COOH、ZはO、N(C6H5)またはNH)で
表わされる基および一般式(XII):
て水素原子、メチル基、フェニル基、ベンジル基または
CH2COOH、ZはO、N(C6H5)またはNH)で
表わされる基および一般式(XII):
【0034】
【化34】
【0035】(式中、iは前記に同じ)で表わされる基
のうちの少なくとも1種であることを特徴とする感光性
樹脂組成物(発明1−1、発明2−2、発明3−1、発
明4−2)に関する。
のうちの少なくとも1種であることを特徴とする感光性
樹脂組成物(発明1−1、発明2−2、発明3−1、発
明4−2)に関する。
【0036】
【作用】発明1においては、特開平4−158363号
公報に記載の感光性樹脂組成物中の溶解性成分として用
いられているフェノール性高分子化合物にかえて、アル
カリ現像液に対する溶解速度を大幅に大きくすることが
できるカルボキシル基を酸または塩基により分解される
カルボン酸エステル基を含有する基とともに側鎖に導入
した高分子化合物(A)にかえることにより、感光性樹
脂組成物被膜の露光部の溶解速度が大幅に大きくなり、
従来よりも露光部と未露光部との溶解速度の差が大きく
なる。
公報に記載の感光性樹脂組成物中の溶解性成分として用
いられているフェノール性高分子化合物にかえて、アル
カリ現像液に対する溶解速度を大幅に大きくすることが
できるカルボキシル基を酸または塩基により分解される
カルボン酸エステル基を含有する基とともに側鎖に導入
した高分子化合物(A)にかえることにより、感光性樹
脂組成物被膜の露光部の溶解速度が大幅に大きくなり、
従来よりも露光部と未露光部との溶解速度の差が大きく
なる。
【0037】また、発明2および発明3においては、高
分子化合物(A)に加えて、それぞれ露光により発生す
る酸または塩基によってアルカリ現像液に溶解しやすい
物質にかわる多価カルボン酸エステル化合物(b)およ
び多価フェノール炭酸エステル化合物(c)を併用する
ため、感光性樹脂組成物被膜の露光部の溶解速度がさら
に大きくなる。
分子化合物(A)に加えて、それぞれ露光により発生す
る酸または塩基によってアルカリ現像液に溶解しやすい
物質にかわる多価カルボン酸エステル化合物(b)およ
び多価フェノール炭酸エステル化合物(c)を併用する
ため、感光性樹脂組成物被膜の露光部の溶解速度がさら
に大きくなる。
【0038】また、発明4においては、高分子化合物
(A)に加えて、アルカリ可溶性高分子化合物(B)を
使用するため、露光によってアルカリ現像液に可溶性に
なった高分子化合物(A)のアルカリ現像液への溶解速
度がさらに大きくなる。
(A)に加えて、アルカリ可溶性高分子化合物(B)を
使用するため、露光によってアルカリ現像液に可溶性に
なった高分子化合物(A)のアルカリ現像液への溶解速
度がさらに大きくなる。
【0039】さらに、発明2−1では、発明2における
多価カルボン酸エステル化合物(b)として、多価カル
ボン酸エステル化合物(b)のうちでもとくに露光によ
り発生する酸または塩基によって分解しやすく、アルカ
リ現像液によって溶解しやすい化合物に変換しやすい化
合物を使用するため、露光部の溶解速度がさらに大きく
なる。
多価カルボン酸エステル化合物(b)として、多価カル
ボン酸エステル化合物(b)のうちでもとくに露光によ
り発生する酸または塩基によって分解しやすく、アルカ
リ現像液によって溶解しやすい化合物に変換しやすい化
合物を使用するため、露光部の溶解速度がさらに大きく
なる。
【0040】また、発明4−1では、発明4におけるア
ルカリ可溶性高分子化合物(B)として、側鎖にカルボ
キシル基を含有する高分子化合物というように、アルカ
リ現像液に溶解しやすい高分子化合物を使用するため、
露光部の溶解速度がさらに大きくなる。
ルカリ可溶性高分子化合物(B)として、側鎖にカルボ
キシル基を含有する高分子化合物というように、アルカ
リ現像液に溶解しやすい高分子化合物を使用するため、
露光部の溶解速度がさらに大きくなる。
【0041】また、発明1−1、発明2−2、発明3−
1および発明4−2では、高分子化合物(A)における
カルボキシル基として一般式(IX)、(X)、(XI)ま
たは(XII)で表わされる基を有する高分子化合物
(A)を用いるため、露光部と未露光部との溶解速度の
差がさらに大きくなる。
1および発明4−2では、高分子化合物(A)における
カルボキシル基として一般式(IX)、(X)、(XI)ま
たは(XII)で表わされる基を有する高分子化合物
(A)を用いるため、露光部と未露光部との溶解速度の
差がさらに大きくなる。
【0042】なお、高分子化合物(A)に含まれる酸ま
たは塩基により分解されるカルボン酸エステル基を有す
る基が、酸の触媒作用により分解する反応を、p−メタ
クリロイルオキシフェニル酢酸t−ブチルエステルが重
合してカルボン酸エステル基を有する基が導入された重
合体を例にとって示すとつぎのようになる。
たは塩基により分解されるカルボン酸エステル基を有す
る基が、酸の触媒作用により分解する反応を、p−メタ
クリロイルオキシフェニル酢酸t−ブチルエステルが重
合してカルボン酸エステル基を有する基が導入された重
合体を例にとって示すとつぎのようになる。
【0043】
【化35】
【0044】
【実施例】発明1に用いられるカルボキシル基を含有す
る基と、一般式(I):
る基と、一般式(I):
【0045】
【化36】
【0046】(式中、R1は水素原子、メチル基または
フェニル基、R2はt−ブチル基またはt−アミル基、
iは0または1、jは0、1または2、ただし、jが0
または1のばあい、複数のiはそれぞれ独立して0また
は1)で表わされるカルボン酸エステル基を含有する
基、一般式(II):
フェニル基、R2はt−ブチル基またはt−アミル基、
iは0または1、jは0、1または2、ただし、jが0
または1のばあい、複数のiはそれぞれ独立して0また
は1)で表わされるカルボン酸エステル基を含有する
基、一般式(II):
【0047】
【化37】
【0048】(式中、R3はt−ブチル基、t−アミル
基、イソプロピル基、アリル基、1−メチルビニル基、
1,1−ジメチルアリル基、2,5−ジオキサニル基ま
たはテトラヒドロフラニル基、kは0、1または2)で
表わされるカルボン酸エステル基を含有する基、一般式
(III):
基、イソプロピル基、アリル基、1−メチルビニル基、
1,1−ジメチルアリル基、2,5−ジオキサニル基ま
たはテトラヒドロフラニル基、kは0、1または2)で
表わされるカルボン酸エステル基を含有する基、一般式
(III):
【0049】
【化38】
【0050】(式中、R4は水素原子、メチル基または
フェニル基、R3は前記に同じ)で表わされるカルボン
酸エステル基を含有する基および一般式(IV):
フェニル基、R3は前記に同じ)で表わされるカルボン
酸エステル基を含有する基および一般式(IV):
【0051】
【化39】
【0052】(式中、R3は前記に同じ)で表わされる
カルボン酸エステル基を含有する基のうちの少なくとも
1種とを側鎖に有する高分子化合物(高分子化合物
(A))は、発明1の感光性樹脂組成物の主材として用
いられる成分であり、パターン化されるべき基体に塗布
したばあいには感光性被膜を形成し、露光したばあいに
は露光部分に存在する一般式(I)〜(IV)で表わされ
るカルボン酸エステル基を有する基が、後述する光照射
により酸または塩基を発生する化合物(酸等発生化合物
(a))から発生する酸または塩基を触媒として分解
し、アルカリ現像液により溶解する高分子に変換し、現
像により、ポジ型パターンを形成する成分である。
カルボン酸エステル基を含有する基のうちの少なくとも
1種とを側鎖に有する高分子化合物(高分子化合物
(A))は、発明1の感光性樹脂組成物の主材として用
いられる成分であり、パターン化されるべき基体に塗布
したばあいには感光性被膜を形成し、露光したばあいに
は露光部分に存在する一般式(I)〜(IV)で表わされ
るカルボン酸エステル基を有する基が、後述する光照射
により酸または塩基を発生する化合物(酸等発生化合物
(a))から発生する酸または塩基を触媒として分解
し、アルカリ現像液により溶解する高分子に変換し、現
像により、ポジ型パターンを形成する成分である。
【0053】高分子化合物(A)に含まれるカルボキシ
ル基を含有する基は、高分子化合物(A)中の前記カル
ボン酸エステル基を有する基が露光によって分解し、カ
ルボキシル基が生成したばあい、これら2種のカルボキ
シル基がアルカリ現像液と反応し、カルボン酸塩基を含
有する基となり、露光した部分の高分子化合物(A)の
溶解速度を、カルボキシル基を含有する基を含まないば
あいよりも大きくし、露光していない部分の高分子化合
物(A)との溶解速度の差を大きくするために使用する
基である。
ル基を含有する基は、高分子化合物(A)中の前記カル
ボン酸エステル基を有する基が露光によって分解し、カ
ルボキシル基が生成したばあい、これら2種のカルボキ
シル基がアルカリ現像液と反応し、カルボン酸塩基を含
有する基となり、露光した部分の高分子化合物(A)の
溶解速度を、カルボキシル基を含有する基を含まないば
あいよりも大きくし、露光していない部分の高分子化合
物(A)との溶解速度の差を大きくするために使用する
基である。
【0054】前記カルボキシル基を含有する基は、カル
ボキシル基そのものまたはカルボキシル基を含有する基
であるかぎりとくに限定はないが、カルボキシル基を含
有する基のばあい、カルボキシル基1個あたりの分子量
が500程度以下、さらには100〜300程度である
のが、露光後のアルカリ現像液への溶解速度を大きくす
るという点から好ましい。
ボキシル基そのものまたはカルボキシル基を含有する基
であるかぎりとくに限定はないが、カルボキシル基を含
有する基のばあい、カルボキシル基1個あたりの分子量
が500程度以下、さらには100〜300程度である
のが、露光後のアルカリ現像液への溶解速度を大きくす
るという点から好ましい。
【0055】前記カルボキシル基を含有する基のうち、
ドライエッチング性にすぐれている点から好ましいもの
としては、一般式(IX):
ドライエッチング性にすぐれている点から好ましいもの
としては、一般式(IX):
【0056】
【化40】
【0057】(式中、R12は水素原子またはメチル基、
iは0または1、jは0、1または2)で表わされる
基、現像液に対する溶解性がすぐれている点から好まし
いものとしては、一般式(X):
iは0または1、jは0、1または2)で表わされる
基、現像液に対する溶解性がすぐれている点から好まし
いものとしては、一般式(X):
【0058】
【化41】
【0059】(式中、kは0または1)で表わされる
基、露光光に対する吸収が小さく透明性が高いという点
から好ましいものとしては、一般式(XI):
基、露光光に対する吸収が小さく透明性が高いという点
から好ましいものとしては、一般式(XI):
【0060】
【化42】
【0061】(式中、R13およびR14はそれぞれ独立し
て水素原子、メチル基、フェニル基、ベンジル基または
CH2COOH、ZはO、N(C6H5)またはNH)で
表わされる基、現像液に対する溶解性がすぐれている点
から好ましいものとしては、一般式(XII):
て水素原子、メチル基、フェニル基、ベンジル基または
CH2COOH、ZはO、N(C6H5)またはNH)で
表わされる基、現像液に対する溶解性がすぐれている点
から好ましいものとしては、一般式(XII):
【0062】
【化43】
【0063】(式中、iは前記に同じ)で表わされる基
などがあげられる。
などがあげられる。
【0064】前記カルボキシル基を含有する基の具体例
としては、たとえば−COOH、−CH2COOH、−
CH(CH3)COOH、−C(CH3)2COOH、−
(CH2)2COOH、−(CH2)3COOH、−CH
(CH3)CH2COOH、−(CH2)4COOH、−
(CH2)5COOH、−(CH2)6COOH、−CH
(COOH)2、−CH(CH2COOH)2、−C(C
H3)(COOH)2、−C(CH3)(CH2COOH)
2
としては、たとえば−COOH、−CH2COOH、−
CH(CH3)COOH、−C(CH3)2COOH、−
(CH2)2COOH、−(CH2)3COOH、−CH
(CH3)CH2COOH、−(CH2)4COOH、−
(CH2)5COOH、−(CH2)6COOH、−CH
(COOH)2、−CH(CH2COOH)2、−C(C
H3)(COOH)2、−C(CH3)(CH2COOH)
2
【0065】
【化44】
【0066】などがあげられる。これらの基は高分子化
合物(A)に1種のみ含まれていてもよく、2種以上含
まれていてもよい。
合物(A)に1種のみ含まれていてもよく、2種以上含
まれていてもよい。
【0067】前記カルボキシル基を含有する基のうちで
も、とくに
も、とくに
【0068】
【化45】
【0069】などが露光波長での光の透過性が高いなど
の点から好ましく、また、
の点から好ましく、また、
【0070】
【化46】
【0071】がドライエッチング耐性にすぐれているな
どの点から好ましい。
どの点から好ましい。
【0072】高分子化合物(A)に含まれる一般式
(I)〜(IV)で表わされるカルボン酸エステル基を
含有する基は、露光により、酸等発生化合物(a)から
発生する酸または塩基によって分解してカルボキシル基
に変換し、アルカリ現像液で現像する際に、露光した部
分の高分子化合物(A)を溶解させやすくし、一方、露
光されていない部分の高分子化合物(A)は実質的に溶
解せずにのこるようにするために使用される基である。
(I)〜(IV)で表わされるカルボン酸エステル基を
含有する基は、露光により、酸等発生化合物(a)から
発生する酸または塩基によって分解してカルボキシル基
に変換し、アルカリ現像液で現像する際に、露光した部
分の高分子化合物(A)を溶解させやすくし、一方、露
光されていない部分の高分子化合物(A)は実質的に溶
解せずにのこるようにするために使用される基である。
【0073】一般式(I)〜(IV)における−COOR
2、−COOR3が、発明1にいうカルボン酸エステル基
にあたる基であり、R2、R3がそれぞれt−ブチル基ま
たはt−アミル基およびt−ブチル基、t−アミル基、
イソプロピル基、アリル基、1−メチルビニル基、1,
1−ジメチルアリル基、2,5−ジオキサニル基または
テトラヒドロフラニル基であるため、酸等発生化合物
(a)から発生した酸または塩基により分解、好ましく
は室温〜150℃に加熱することにより分解し、アルカ
リ現像液による現像時には露光した部分の高分子化合物
(A)の溶解速度を大きくするのに寄与する。一方、分
解する前の基または分解せずにのこった基は、高分子化
合物(A)がアルカリ現像液に溶解しないように作用す
る。この結果、高分子化合物(A)のうち露光した部分
はアルカリ現像液に溶解しやすくなり、露光しなかった
部分は溶解しにくいままでのこることになり、ポジ型レ
ジストとして作用する。
2、−COOR3が、発明1にいうカルボン酸エステル基
にあたる基であり、R2、R3がそれぞれt−ブチル基ま
たはt−アミル基およびt−ブチル基、t−アミル基、
イソプロピル基、アリル基、1−メチルビニル基、1,
1−ジメチルアリル基、2,5−ジオキサニル基または
テトラヒドロフラニル基であるため、酸等発生化合物
(a)から発生した酸または塩基により分解、好ましく
は室温〜150℃に加熱することにより分解し、アルカ
リ現像液による現像時には露光した部分の高分子化合物
(A)の溶解速度を大きくするのに寄与する。一方、分
解する前の基または分解せずにのこった基は、高分子化
合物(A)がアルカリ現像液に溶解しないように作用す
る。この結果、高分子化合物(A)のうち露光した部分
はアルカリ現像液に溶解しやすくなり、露光しなかった
部分は溶解しにくいままでのこることになり、ポジ型レ
ジストとして作用する。
【0074】前記−COOR2、−COOR3で表わされ
るカルボン酸エステル基が、t−ブチル基、t−アミル
基、イソプロピル基、アリル基、1−メチルビニル基、
1,1−ジメチルアリル基、2,5−ジオキサニル基、
テトラヒドロフラニル基のばあいには、露光後の分解が
起こりやすいため(たとえば室温というマイルドな条件
で分解がおこる)また副反応をともなわず、カルボン酸
エステル基が選択的に分解することができる点から好ま
しい。
るカルボン酸エステル基が、t−ブチル基、t−アミル
基、イソプロピル基、アリル基、1−メチルビニル基、
1,1−ジメチルアリル基、2,5−ジオキサニル基、
テトラヒドロフラニル基のばあいには、露光後の分解が
起こりやすいため(たとえば室温というマイルドな条件
で分解がおこる)また副反応をともなわず、カルボン酸
エステル基が選択的に分解することができる点から好ま
しい。
【0075】また、前記−COOR2、−COOR3で表
わされるカルボン酸エステル基は、高分子化合物(A)
の主鎖に、たとえば一般式(IV)に示すように直接結合
していてもよく、一般式(I)〜(III)に示すよう
に、結合基を介して結合していてもよいが、アルカリ現
像液に対する溶解性が高く、露光波長に対する透過率が
高いという点からは、一般式(IV)に示すように直接主
鎖に結合している方が好ましく、一方、均一な塗膜性が
えられ、ドライエッチング耐性にすぐれているという点
からは、一般式(I)〜(III)に示すように結合基を
介して結合している方が好ましい。
わされるカルボン酸エステル基は、高分子化合物(A)
の主鎖に、たとえば一般式(IV)に示すように直接結合
していてもよく、一般式(I)〜(III)に示すよう
に、結合基を介して結合していてもよいが、アルカリ現
像液に対する溶解性が高く、露光波長に対する透過率が
高いという点からは、一般式(IV)に示すように直接主
鎖に結合している方が好ましく、一方、均一な塗膜性が
えられ、ドライエッチング耐性にすぐれているという点
からは、一般式(I)〜(III)に示すように結合基を
介して結合している方が好ましい。
【0076】前記結合基の好ましい具体例としては、た
とえば
とえば
【0077】
【化47】
【0078】などがあげられる。
【0079】前記カルボキシル基を含有する基と、一般
式(I)〜(IV)で表わされるカルボン酸エステル基を
含有する基とが結合している高分子化合物(A)の主鎖
にはとくに限定はないが、重合性がよく、共重合体がえ
られやすいという点からは、一般式(XIII):
式(I)〜(IV)で表わされるカルボン酸エステル基を
含有する基とが結合している高分子化合物(A)の主鎖
にはとくに限定はないが、重合性がよく、共重合体がえ
られやすいという点からは、一般式(XIII):
【0080】
【化48】
【0081】(式中、R15は水素原子、メチル基または
Clなどのハロゲン原子、Xはカルボキシル基を含有す
る基または一般式(I)〜(IV)で表わされるカルボン
酸エステル基を含有する基)からなる主鎖であることが
好ましい。
Clなどのハロゲン原子、Xはカルボキシル基を含有す
る基または一般式(I)〜(IV)で表わされるカルボン
酸エステル基を含有する基)からなる主鎖であることが
好ましい。
【0082】前記カルボキシル基を含有する基と一般式
(I)〜(IV)で表わされるカルボン酸エステル基を含
有する基との高分子化合物(A)中における割合は、前
述のごとく、露光していない部分がアルカリ現像液に実
質的に溶解せず、露光した部分がアルカリ現像液への溶
解速度が大きくなり短時間に良好な解像度で現像できる
という点から、カルボキシル基/カルボン酸エステル基
がモル比で5/95〜90/10の範囲が好ましい。カ
ルボキシル基/カルボン酸エステル基が5/95より小
さくなると露光した部分のアルカリ現像液への溶解速度
と露光していない部分のアルカリ現像液への溶解速度と
の差が充分えられにくくなる。また、90/10より大
きくなると、露光していない部分のアルカリ現像への溶
解速度が大きくなりすぎ、露光した部分のアルカリ現像
液への溶解速度との差が充分にえられにくくなる。カル
ボキシル基/カルボン酸エステル基の最小比率が20/
80以上、さらには30/70以上のばあいは、露光し
た部分と露光していない部分とのアルカリ現像液への溶
解速度の差が大きくなり、大きな現像速度で解像度をさ
らに良好にすることができ、また、最大比率が80/2
0以下、さらには70/30以下のばあいも、前記と同
様に、大きな現像速度で解像度をさらに良好にすること
ができる。
(I)〜(IV)で表わされるカルボン酸エステル基を含
有する基との高分子化合物(A)中における割合は、前
述のごとく、露光していない部分がアルカリ現像液に実
質的に溶解せず、露光した部分がアルカリ現像液への溶
解速度が大きくなり短時間に良好な解像度で現像できる
という点から、カルボキシル基/カルボン酸エステル基
がモル比で5/95〜90/10の範囲が好ましい。カ
ルボキシル基/カルボン酸エステル基が5/95より小
さくなると露光した部分のアルカリ現像液への溶解速度
と露光していない部分のアルカリ現像液への溶解速度と
の差が充分えられにくくなる。また、90/10より大
きくなると、露光していない部分のアルカリ現像への溶
解速度が大きくなりすぎ、露光した部分のアルカリ現像
液への溶解速度との差が充分にえられにくくなる。カル
ボキシル基/カルボン酸エステル基の最小比率が20/
80以上、さらには30/70以上のばあいは、露光し
た部分と露光していない部分とのアルカリ現像液への溶
解速度の差が大きくなり、大きな現像速度で解像度をさ
らに良好にすることができ、また、最大比率が80/2
0以下、さらには70/30以下のばあいも、前記と同
様に、大きな現像速度で解像度をさらに良好にすること
ができる。
【0083】前記のごとき高分子化合物(A)の分子量
としては、重量平均分子量(Mw)で2000〜500
00であるのが好ましく、2000よりも小さいばあい
には均一な塗膜性が得られにくく、ドライエッチング耐
性も低下しやすく、50000をこえるばあいは、現像
時の露光部の溶解性が低下しやすく、現像残渣の発生を
招くばあいがある。さらには5000〜40000であ
るのが塗膜性(成膜性)、現像性の点からさらに好まし
い。なお、重量平均分量(Mw)/数平均分子量(M
n)との値としては1.0〜4.0、さらには1.0〜
3.0であるのが好ましい。
としては、重量平均分子量(Mw)で2000〜500
00であるのが好ましく、2000よりも小さいばあい
には均一な塗膜性が得られにくく、ドライエッチング耐
性も低下しやすく、50000をこえるばあいは、現像
時の露光部の溶解性が低下しやすく、現像残渣の発生を
招くばあいがある。さらには5000〜40000であ
るのが塗膜性(成膜性)、現像性の点からさらに好まし
い。なお、重量平均分量(Mw)/数平均分子量(M
n)との値としては1.0〜4.0、さらには1.0〜
3.0であるのが好ましい。
【0084】つぎに、高分子化合物(A)の製法の一例
について説明する。
について説明する。
【0085】高分子化合物(A)は、たとえばカルボキ
シル基を含有する基を有するモノマー(以下、カルボキ
シル基含有モノマーともいう)と、一般式(I)、(I
I)、(III)、(IV)で表わされるカルボン酸エステル
基を含有する基のうちのいずれかを有するモノマー(以
下、カルボン酸エステル基含有モノマーともいう)とを
共重合させることによりうることができる。
シル基を含有する基を有するモノマー(以下、カルボキ
シル基含有モノマーともいう)と、一般式(I)、(I
I)、(III)、(IV)で表わされるカルボン酸エステル
基を含有する基のうちのいずれかを有するモノマー(以
下、カルボン酸エステル基含有モノマーともいう)とを
共重合させることによりうることができる。
【0086】前記カルボキシ基含有モノマーは、たとえ
ば(メタ)アクリル酸、マレイン酸、イタコン酸などの
一般的なモノマーであってもよく、また、重合可能な不
飽和基を含有する化合物と、カルボキシル基を含有する
化合物とを反応させたモノマーであってもよい。
ば(メタ)アクリル酸、マレイン酸、イタコン酸などの
一般的なモノマーであってもよく、また、重合可能な不
飽和基を含有する化合物と、カルボキシル基を含有する
化合物とを反応させたモノマーであってもよい。
【0087】前記重合可能な不飽和基を含有する化合物
としては、たとえばアクリル酸クロリド、メタクリル酸
クロリド、マレイン酸ジクロリド、イタコン酸ジクロリ
ド、クロロメチル化スチレンあるいはこれらの誘導体な
どがあげられる。
としては、たとえばアクリル酸クロリド、メタクリル酸
クロリド、マレイン酸ジクロリド、イタコン酸ジクロリ
ド、クロロメチル化スチレンあるいはこれらの誘導体な
どがあげられる。
【0088】また、前記カルボキシル基を含有する化合
物としては、たとえばp−ヒドロキシフェニル酢酸、p
−ヒドロキシフェニルプロピオン酸、p−ヒドロキシフ
ェニルイソ酪酸、DL−2−フェニルグリシン、N−フ
ェニルグリシン、DL−フェニルアラニン、DL−マン
デル酸、ベンジル酸、DL−2−フェニル酪酸、DL−
リンゴ酸、p−メルカプトフェニル酢酸などがあげられ
る。
物としては、たとえばp−ヒドロキシフェニル酢酸、p
−ヒドロキシフェニルプロピオン酸、p−ヒドロキシフ
ェニルイソ酪酸、DL−2−フェニルグリシン、N−フ
ェニルグリシン、DL−フェニルアラニン、DL−マン
デル酸、ベンジル酸、DL−2−フェニル酪酸、DL−
リンゴ酸、p−メルカプトフェニル酢酸などがあげられ
る。
【0089】前記重合可能な不飽和基を含有する化合物
と、前記カルボキシル基を含有する化合物とを反応させ
る方法としては、たとえば7〜10%(重量%、以下同
様)のNaOH水溶液中で、0〜5℃の低温度下で両者
を3〜5時間反応させたのち中和し、沈澱物を単離、精
製することにより、または、ピリジンの存在下、テトラ
ヒドロフラン中、両者を約2〜4時間反応させたのち溶
媒を留去し、残留物を水中に投入し、沈澱物を単離、精
製するなどの方法があげられる。
と、前記カルボキシル基を含有する化合物とを反応させ
る方法としては、たとえば7〜10%(重量%、以下同
様)のNaOH水溶液中で、0〜5℃の低温度下で両者
を3〜5時間反応させたのち中和し、沈澱物を単離、精
製することにより、または、ピリジンの存在下、テトラ
ヒドロフラン中、両者を約2〜4時間反応させたのち溶
媒を留去し、残留物を水中に投入し、沈澱物を単離、精
製するなどの方法があげられる。
【0090】このようにして製造されるカルボキシル基
含有モノマーの具体例としては、たとえば
含有モノマーの具体例としては、たとえば
【0091】
【化49】
【0092】
【化50】
【0093】
【化51】
【0094】
【化52】
【0095】
【化53】
【0096】などがあげられる。
【0097】他方、カルボン酸エステル基含有モノマー
は、一般的には、重合可能な不飽和基とカルボキシル基
とを含有する化合物と、一般式(I)、(II)、(II
I)、(IV)で表わされるカルボン酸エステル基を含有
する基のいずれかを含有する基中のカルボン酸エステル
基を形成するアルコールとを反応させる方法、または重
合可能な不飽和基を含有する化合物と、前記カルボン酸
エステル基を含有し、重合可能な不飽和基を含有する化
合物と反応可能な基を含有する化合物とを反応させる方
法により合成される。
は、一般的には、重合可能な不飽和基とカルボキシル基
とを含有する化合物と、一般式(I)、(II)、(II
I)、(IV)で表わされるカルボン酸エステル基を含有
する基のいずれかを含有する基中のカルボン酸エステル
基を形成するアルコールとを反応させる方法、または重
合可能な不飽和基を含有する化合物と、前記カルボン酸
エステル基を含有し、重合可能な不飽和基を含有する化
合物と反応可能な基を含有する化合物とを反応させる方
法により合成される。
【0098】前記重合可能な不飽和基とカルボキシル基
とを含有する化合物として、たとえば前記カルボキシル
基含有モノマーがあげられる。
とを含有する化合物として、たとえば前記カルボキシル
基含有モノマーがあげられる。
【0099】また、前記カルボン酸エステル基を形成す
るアルコールとしては、たとえばt−ブチルアルコー
ル、t−アミルアルコール、イソプロピルアルコール、
t−ヘキシルアルコール、アリルアルコール、テトラヒ
ドロフラニルアルコールなどがあげられる。
るアルコールとしては、たとえばt−ブチルアルコー
ル、t−アミルアルコール、イソプロピルアルコール、
t−ヘキシルアルコール、アリルアルコール、テトラヒ
ドロフラニルアルコールなどがあげられる。
【0100】前記重合可能な不飽和基とカルボキシル基
とを含有する化合物と、前記カルボン酸エステル基を形
成するアルコールとを反応させる方法としては、たとえ
ば前記重合可能な不飽和基とカルボキシル基とを含有す
る化合物を塩化チオニルに溶解させ、活性剤としてジメ
チルホルムアミドを用い、12時間反応したのち、塩化
チオニルを留去し酸塩化物をうることができる。その酸
塩化物をたとえばテトラヒドロフランに溶解させ、これ
と前記カルボン酸エステル基を形成するアルコールとを
ピリジンを用いて室温で12時間反応させたのち、溶媒
を留去し、残留物をエタノールで再結晶を行なうなどの
方法によりうることができる。
とを含有する化合物と、前記カルボン酸エステル基を形
成するアルコールとを反応させる方法としては、たとえ
ば前記重合可能な不飽和基とカルボキシル基とを含有す
る化合物を塩化チオニルに溶解させ、活性剤としてジメ
チルホルムアミドを用い、12時間反応したのち、塩化
チオニルを留去し酸塩化物をうることができる。その酸
塩化物をたとえばテトラヒドロフランに溶解させ、これ
と前記カルボン酸エステル基を形成するアルコールとを
ピリジンを用いて室温で12時間反応させたのち、溶媒
を留去し、残留物をエタノールで再結晶を行なうなどの
方法によりうることができる。
【0101】前記重合可能な不飽和基を含有する化合物
としては、たとえば、カルボキシル基含有モノマーの原
料としてあげた酸クロライドや、p−ビニルベンジルク
ロリドなどのクロライド誘導体があげられる。
としては、たとえば、カルボキシル基含有モノマーの原
料としてあげた酸クロライドや、p−ビニルベンジルク
ロリドなどのクロライド誘導体があげられる。
【0102】また、前記カルボン酸エステル基を含有
し、重合可能な不飽和基を含有する化合物と反応可能な
基を含有する化合物としては、たとえばマロン酸ジ−t
−ブチル、トリカルバリル酸t−ブチルなどがあげられ
る。これらは、たとえばp−ビニルベンジルクロリドな
どのクロライド誘導体と反応させることができる。
し、重合可能な不飽和基を含有する化合物と反応可能な
基を含有する化合物としては、たとえばマロン酸ジ−t
−ブチル、トリカルバリル酸t−ブチルなどがあげられ
る。これらは、たとえばp−ビニルベンジルクロリドな
どのクロライド誘導体と反応させることができる。
【0103】前記重合可能な不飽和基を含有する化合物
と、前記カルボン酸エステル基を含有する基を有する化
合物とを反応させる方法としては、たとえばイソプロピ
ルアルコールなどの溶媒中、たとえば金属ナトリウムを
用い、両者を室温で1日反応させたのち溶媒を留去し、
残留物をエーテルで再結晶を行なうなどの方法によりう
ることができる。
と、前記カルボン酸エステル基を含有する基を有する化
合物とを反応させる方法としては、たとえばイソプロピ
ルアルコールなどの溶媒中、たとえば金属ナトリウムを
用い、両者を室温で1日反応させたのち溶媒を留去し、
残留物をエーテルで再結晶を行なうなどの方法によりう
ることができる。
【0104】このようにして製造されるカルボン酸エス
テル基含有モノマーの具体例としては、たとえば
テル基含有モノマーの具体例としては、たとえば
【0105】
【化54】
【0106】
【化55】
【0107】
【化56】
【0108】高分子化合物(A)はこのようにして製造
された前記カルボキシル基含有モノマーおよびカルボン
酸エステル基含有モノマーを所定のモル比になるよう
に、たとえばジオキサン、テトラヒドロフラン、ジメチ
ルホルムアミドなどの溶媒中に溶解させ、アゾビスイソ
ブチロニトリル、過酸化ベンゾイルなどから選択された
重合開始剤をジオキサン、テトラヒドロフラン、ジメチ
ルホルムアミドなどに溶解し、40〜100℃、好まし
くは50〜80℃で重合を行なうことにより製造され
る。
された前記カルボキシル基含有モノマーおよびカルボン
酸エステル基含有モノマーを所定のモル比になるよう
に、たとえばジオキサン、テトラヒドロフラン、ジメチ
ルホルムアミドなどの溶媒中に溶解させ、アゾビスイソ
ブチロニトリル、過酸化ベンゾイルなどから選択された
重合開始剤をジオキサン、テトラヒドロフラン、ジメチ
ルホルムアミドなどに溶解し、40〜100℃、好まし
くは50〜80℃で重合を行なうことにより製造され
る。
【0109】前記のごとき高分子化合物(A)の具体例
としては、たとえば以下に示すごときのものがあげられ
る。
としては、たとえば以下に示すごときのものがあげられ
る。
【0110】
【化57】
【0111】
【化58】
【0112】
【化59】
【0113】
【化60】
【0114】
【化61】
【0115】
【化62】
【0116】
【化63】
【0117】
【化64】
【0118】
【化65】
【0119】
【化66】
【0120】
【化67】
【0121】前記高分子化合物(A)のなかでも、化合
物A−1、A−5、A−21、A−22、A−23、A
−24は、現像液に対する溶解性、ドライエッチング耐
性、露光波長に対する透過率の高さなどの点から好まし
く用いられる。
物A−1、A−5、A−21、A−22、A−23、A
−24は、現像液に対する溶解性、ドライエッチング耐
性、露光波長に対する透過率の高さなどの点から好まし
く用いられる。
【0122】発明1の感光性樹脂組成物は、前述のごと
き高分子化合物(A)および酸等発生化合物(a)から
調製される。
き高分子化合物(A)および酸等発生化合物(a)から
調製される。
【0123】前記酸等発生化合物(a)は、いわゆる化
学増幅型機構の考え方に基づく感光性樹脂組成物に使用
されている化合物であって、光の照射によって分解し、
酸または塩基を発生する化合物のことである。この化合
物から発生した酸または塩基は、高分子化合物(A)中
のカルボン酸エステル基を分解する際の触媒として作用
するため、少量の光を照射して触媒量の酸または塩基を
発生させることにより感光性樹脂組成物被膜を感光さ
せ、現像することができる。
学増幅型機構の考え方に基づく感光性樹脂組成物に使用
されている化合物であって、光の照射によって分解し、
酸または塩基を発生する化合物のことである。この化合
物から発生した酸または塩基は、高分子化合物(A)中
のカルボン酸エステル基を分解する際の触媒として作用
するため、少量の光を照射して触媒量の酸または塩基を
発生させることにより感光性樹脂組成物被膜を感光さ
せ、現像することができる。
【0124】前記のごとき酸等発生化合物(a)は、前
述のごとく光の照射によって分解し、酸または塩基を発
生する化合物であるかぎりとくに限定なく使用しうる。
述のごとく光の照射によって分解し、酸または塩基を発
生する化合物であるかぎりとくに限定なく使用しうる。
【0125】このような化合物のうち酸を発生する化合
物の具体例としては、たとえばトリフェニルスルホニウ
ムテトラフルオロボレイト、トリフェニルスルホニウム
ヘキサフルオロアンチモネイト、トリフェニルスルホニ
ウムヘキサフルオロアルシネイト、トリフェニルスルホ
ニウムヘキサフルオロホスフェイト、トリフェニルスル
ホニウムトリフルオロメタンスルホネイト、4−チオフ
ェノキシジフェニルスルホニウムテトラフルオロボレイ
ト、4−チオフェノキシジフェニルスルホニウムヘキサ
フルオロアンチモネイト、4−チオフェノキシジフェニ
ルスルホニウムヘキサフルオロアルシネイト、4−チオ
フェノキシジフェニルスルホニウムヘキサフルオロホス
フェイト、4−チオフェノキシジフェニルスルホニウム
トリフルオロメタンスルホネイト、4−t−ブチルフェ
ニルジフェニルスルホニウムテトラフルオロボレイト、
4−t−ブチルフェニルジフェニルスルホニウムヘキサ
フルオロアンチモネイト、4−t−ブチルフェニルジフ
ェニルスルホニウムヘキサフルオロアルシネイト、4−
t−ブチルフェニルジフェニルスルホニウムヘキサフル
オロホスフェイト、4−t−ブチルフェニルジフェニル
スルホニウムトリフルオロメタンスルホネイト、トリス
(4−メチルフェニル)スルホニウムテトラフルオロボ
レイト、トリス(4−メチルフェニル)スルホニウムヘ
キサフルオロアンチモネイト、トリス(4−メチルフェ
ニル)スルホニウムヘキサフルオロアルシネイト、トリ
ス(4−メチルフェニル)スルホニウムヘキサフルオロ
ホスフェイト、トリス(4−メチルフェニル)スルホニ
ウムトリフルオロメタンスルホネイト、トリス(4−メ
トキシフェニル)スルホニウムテトラフルオロボレイ
ト、トリス(4−メトキシフェニル)スルホニウムヘキ
サフルオロアンチモネイト、トリス(4−メトキシフェ
ニル)スルホニウムヘキサフルオロアルシネイト、トリ
ス(4−メトキシフェニル)スルホニウムヘキサフルオ
ロホスフェイト、トリス(4−メトキシフェニル)スル
ホニウムトリフルオロメタンスルホネイト、ジフェニル
ヨウドニウムテトラフルオロボレイト、ジフェニルヨウ
ドニウムヘキサフルオロアンチモネイト、ジフェニルヨ
ウドニウムヘキサフルオロアルシネイト、ジフェニルヨ
ウドニウムヘキサフルオロホスフェイト、ジフェニルヨ
ウドニウムトリフルオロメタンスルホネイト、3,3’
−ジニトリジフェニルヨウドニウムテトラフルオロボレ
イト、3,3’−ジニトロジフェニルヨウドニウムヘキ
サフルオロアンチモネイト、3,3’−ジニトロジフェ
ニルヨウドニウムヘキサフルオロアルシネイト、3,
3’−ジニトロジフェニルヨウドニウムヘキサフルオロ
ホスフェイト、3,3’−ジニトロジフェニルヨウドニ
ウムトリフルオロメタンスルホネイト、4,4’−ジメ
チルジフェニルヨウドニウムテトラフルオロボレイト、
4.4’−ジメチルジフェニルヨウドニウムヘキサフル
オロアンチモネイト、4,4−ジメチルフェニルヨウド
ニウムヘキサフルオロアルシネイト、4,4’−ジメチ
ルジフェニルヨウドニウムヘキサフルオロホスフェイ
ト、4,4’−ジメチルフェニルヨウドニウムトリフル
オロメタンスルホネイト、4,4’−ジ−t−ブチルフ
ェニルヨウドニウムテトラフルオロボレイト、4,4’
−ジ−t−ブチルジフェニルヨウドニウムヘキサフルオ
ロアンチモネイト、4,4’−ジ−t−ブチルジフェニ
ルヨウドニウムヘキサフルオロアルシネイト、4,4’
−ジ−t−ブチルジフェニルヨウドニウムヘキサフルオ
ロホスフェイト、4,4’−ジ−t−ブチルジフェニル
ヨウドニウムトリフルオロメタンスルホネイトなどのオ
ニウム塩;2,4,6−トリス(トリクロロメチル)ト
リアジン、2−アリル−4,6−ビス(トリクロロメチ
ル)トリアジン,α,α,α−トリブロモメチル−フェ
ニルスルホン、α,α,α,α’,α’,α’−ヘキサ
クロロキシリレン、2,2−ビス(3,5−ジブロモ−
4−ヒドロキシフェニル)−1,1,1,3,3,3−
ヘキサフルオロプロパン、1,1,1−トリス(3,5
−ジブロモ−4−ヒドロキシフェニル)エタンなどのハ
ロゲン含有化合物;2−ニトロベンジルトシレイト、
2,6−ジニトロベンジルトシレイト、2,4−ジニト
ロベンジルトシレイト、メチルスルホン酸2−ニトロベ
ンジルエステル、酢酸2−ニトロベンジルエステル、p
−ニトロベンジル−9,10−ジメトキシアントラセン
−2−スルホネイト、1,2,3−トリス(メタンスル
ホニルオキシ)ベンゼン、1,2,3−トリス(トリフ
ルオロメタンスルホニルオキシ)ベンゼン、1,2,3
−トリス(エタンスルホニルオキシ)ベンゼン、1,
2,3−トリス(プロパンスルホニルオキシ)ベンゼ
ン、1,2,3−トリス(フェニルスルホニルオキシ)
ベンゼン、1,2,3−トリス(メチルフェニルスルホ
ニルオキシ)ベンゼンなどのスルホン酸エステル;ビス
(t−ブチルフェニルスルホニル)ジアゾメタン、ビス
(4−メチルフェニルスルホニル)ジアゾメタン、ビス
(t−ブチルフェニルスルホニル)メタン、ビス(4−
メチルフェニルスルホニル)メタン、2,2−ビス(t
−ブチルフェニルスルホニル)プロパン、2,2−ビス
(4−メチルフェニルスルホニル)プロパン、1−t−
ブチルフェニル−1−エトキシカルボニルジアゾメタ
ン、1−t−ブチルフェニル−1−プロピルオキシカル
ボニルジアゾメタン、1−p−メチルフェニル−1−エ
トキシカルボニルジアゾメタン、1−p−メチルフェニ
ル−1−プロピルオキシカルボニルジアゾメタン、1,
2−ビス(p−メチルフェニルジアゾメチルカルボニル
オキシ)エチレン、1,3−ビス(p−メチルフェニル
ジアゾメチルカルボニルオキシ)プロピレンなどのスル
ホン化合物;ヒドロキシこはく酸イミド、ヒドロキシフ
タル酸イミドなどのヒドロキシイミドのスルホン酸エス
テルやこれらの誘導体などがあげられる。これらは単独
で用いてもよく、2種以上併用してもよい。
物の具体例としては、たとえばトリフェニルスルホニウ
ムテトラフルオロボレイト、トリフェニルスルホニウム
ヘキサフルオロアンチモネイト、トリフェニルスルホニ
ウムヘキサフルオロアルシネイト、トリフェニルスルホ
ニウムヘキサフルオロホスフェイト、トリフェニルスル
ホニウムトリフルオロメタンスルホネイト、4−チオフ
ェノキシジフェニルスルホニウムテトラフルオロボレイ
ト、4−チオフェノキシジフェニルスルホニウムヘキサ
フルオロアンチモネイト、4−チオフェノキシジフェニ
ルスルホニウムヘキサフルオロアルシネイト、4−チオ
フェノキシジフェニルスルホニウムヘキサフルオロホス
フェイト、4−チオフェノキシジフェニルスルホニウム
トリフルオロメタンスルホネイト、4−t−ブチルフェ
ニルジフェニルスルホニウムテトラフルオロボレイト、
4−t−ブチルフェニルジフェニルスルホニウムヘキサ
フルオロアンチモネイト、4−t−ブチルフェニルジフ
ェニルスルホニウムヘキサフルオロアルシネイト、4−
t−ブチルフェニルジフェニルスルホニウムヘキサフル
オロホスフェイト、4−t−ブチルフェニルジフェニル
スルホニウムトリフルオロメタンスルホネイト、トリス
(4−メチルフェニル)スルホニウムテトラフルオロボ
レイト、トリス(4−メチルフェニル)スルホニウムヘ
キサフルオロアンチモネイト、トリス(4−メチルフェ
ニル)スルホニウムヘキサフルオロアルシネイト、トリ
ス(4−メチルフェニル)スルホニウムヘキサフルオロ
ホスフェイト、トリス(4−メチルフェニル)スルホニ
ウムトリフルオロメタンスルホネイト、トリス(4−メ
トキシフェニル)スルホニウムテトラフルオロボレイ
ト、トリス(4−メトキシフェニル)スルホニウムヘキ
サフルオロアンチモネイト、トリス(4−メトキシフェ
ニル)スルホニウムヘキサフルオロアルシネイト、トリ
ス(4−メトキシフェニル)スルホニウムヘキサフルオ
ロホスフェイト、トリス(4−メトキシフェニル)スル
ホニウムトリフルオロメタンスルホネイト、ジフェニル
ヨウドニウムテトラフルオロボレイト、ジフェニルヨウ
ドニウムヘキサフルオロアンチモネイト、ジフェニルヨ
ウドニウムヘキサフルオロアルシネイト、ジフェニルヨ
ウドニウムヘキサフルオロホスフェイト、ジフェニルヨ
ウドニウムトリフルオロメタンスルホネイト、3,3’
−ジニトリジフェニルヨウドニウムテトラフルオロボレ
イト、3,3’−ジニトロジフェニルヨウドニウムヘキ
サフルオロアンチモネイト、3,3’−ジニトロジフェ
ニルヨウドニウムヘキサフルオロアルシネイト、3,
3’−ジニトロジフェニルヨウドニウムヘキサフルオロ
ホスフェイト、3,3’−ジニトロジフェニルヨウドニ
ウムトリフルオロメタンスルホネイト、4,4’−ジメ
チルジフェニルヨウドニウムテトラフルオロボレイト、
4.4’−ジメチルジフェニルヨウドニウムヘキサフル
オロアンチモネイト、4,4−ジメチルフェニルヨウド
ニウムヘキサフルオロアルシネイト、4,4’−ジメチ
ルジフェニルヨウドニウムヘキサフルオロホスフェイ
ト、4,4’−ジメチルフェニルヨウドニウムトリフル
オロメタンスルホネイト、4,4’−ジ−t−ブチルフ
ェニルヨウドニウムテトラフルオロボレイト、4,4’
−ジ−t−ブチルジフェニルヨウドニウムヘキサフルオ
ロアンチモネイト、4,4’−ジ−t−ブチルジフェニ
ルヨウドニウムヘキサフルオロアルシネイト、4,4’
−ジ−t−ブチルジフェニルヨウドニウムヘキサフルオ
ロホスフェイト、4,4’−ジ−t−ブチルジフェニル
ヨウドニウムトリフルオロメタンスルホネイトなどのオ
ニウム塩;2,4,6−トリス(トリクロロメチル)ト
リアジン、2−アリル−4,6−ビス(トリクロロメチ
ル)トリアジン,α,α,α−トリブロモメチル−フェ
ニルスルホン、α,α,α,α’,α’,α’−ヘキサ
クロロキシリレン、2,2−ビス(3,5−ジブロモ−
4−ヒドロキシフェニル)−1,1,1,3,3,3−
ヘキサフルオロプロパン、1,1,1−トリス(3,5
−ジブロモ−4−ヒドロキシフェニル)エタンなどのハ
ロゲン含有化合物;2−ニトロベンジルトシレイト、
2,6−ジニトロベンジルトシレイト、2,4−ジニト
ロベンジルトシレイト、メチルスルホン酸2−ニトロベ
ンジルエステル、酢酸2−ニトロベンジルエステル、p
−ニトロベンジル−9,10−ジメトキシアントラセン
−2−スルホネイト、1,2,3−トリス(メタンスル
ホニルオキシ)ベンゼン、1,2,3−トリス(トリフ
ルオロメタンスルホニルオキシ)ベンゼン、1,2,3
−トリス(エタンスルホニルオキシ)ベンゼン、1,
2,3−トリス(プロパンスルホニルオキシ)ベンゼ
ン、1,2,3−トリス(フェニルスルホニルオキシ)
ベンゼン、1,2,3−トリス(メチルフェニルスルホ
ニルオキシ)ベンゼンなどのスルホン酸エステル;ビス
(t−ブチルフェニルスルホニル)ジアゾメタン、ビス
(4−メチルフェニルスルホニル)ジアゾメタン、ビス
(t−ブチルフェニルスルホニル)メタン、ビス(4−
メチルフェニルスルホニル)メタン、2,2−ビス(t
−ブチルフェニルスルホニル)プロパン、2,2−ビス
(4−メチルフェニルスルホニル)プロパン、1−t−
ブチルフェニル−1−エトキシカルボニルジアゾメタ
ン、1−t−ブチルフェニル−1−プロピルオキシカル
ボニルジアゾメタン、1−p−メチルフェニル−1−エ
トキシカルボニルジアゾメタン、1−p−メチルフェニ
ル−1−プロピルオキシカルボニルジアゾメタン、1,
2−ビス(p−メチルフェニルジアゾメチルカルボニル
オキシ)エチレン、1,3−ビス(p−メチルフェニル
ジアゾメチルカルボニルオキシ)プロピレンなどのスル
ホン化合物;ヒドロキシこはく酸イミド、ヒドロキシフ
タル酸イミドなどのヒドロキシイミドのスルホン酸エス
テルやこれらの誘導体などがあげられる。これらは単独
で用いてもよく、2種以上併用してもよい。
【0126】前記酸を発生する化合物のなかでも、ジフ
ェニルヨードニウムトリフレイト、トリフェニルスルホ
ニウムトリフレイト、トリフェニルスルホニウムヘキサ
フルオロアンチモネイト、トリフェニルスルホニウムテ
トラフルオロボレイトは、光照射による酸の発生率が高
いという点から好ましく用いられる。
ェニルヨードニウムトリフレイト、トリフェニルスルホ
ニウムトリフレイト、トリフェニルスルホニウムヘキサ
フルオロアンチモネイト、トリフェニルスルホニウムテ
トラフルオロボレイトは、光照射による酸の発生率が高
いという点から好ましく用いられる。
【0127】また、塩基を発生する化合物の具体例とし
ては、たとえばトリフェニルメタノール、トリス−p−
メトキシフェニルメタノール、トリスクロロフェニルメ
タノールおよびその誘導体や、o−ニトロベンジルカル
バネートなどがあげられる。これらは単独で用いてもよ
く、2種以上併用してもよい。
ては、たとえばトリフェニルメタノール、トリス−p−
メトキシフェニルメタノール、トリスクロロフェニルメ
タノールおよびその誘導体や、o−ニトロベンジルカル
バネートなどがあげられる。これらは単独で用いてもよ
く、2種以上併用してもよい。
【0128】前記塩基を発生する化合物の中でも、トリ
フェニルメタノール、トリス−p−メトキシフェニルメ
タノールは光照射による塩基の発生効率が高いという点
から好ましく用いられる。
フェニルメタノール、トリス−p−メトキシフェニルメ
タノールは光照射による塩基の発生効率が高いという点
から好ましく用いられる。
【0129】発明1の感光性樹脂組成物は、前述のごと
き高分子化合物(A)および酸等発生化合物(a)から
調製される。
き高分子化合物(A)および酸等発生化合物(a)から
調製される。
【0130】高分子化合物(A)および酸等発生化合物
(a)の配合割合としては、高分子化合物(A)が70
〜99%、酸等発生化合物が1〜30%の範囲が好まし
い。高分子化合物(A)の配合割合が99%より多いば
あい、カルボン酸エステル基の分解反応を促進させる触
媒となる酸または塩基の発生量が少なくなるためパター
ニングが行ないにくくなる傾向が生じる。一方、70%
未満のばあい、相溶性が不充分な感光性樹脂組成物にな
りがちで均一な組成物がえられにくくなり、形成される
パターンの不良が発生しやすくなる。
(a)の配合割合としては、高分子化合物(A)が70
〜99%、酸等発生化合物が1〜30%の範囲が好まし
い。高分子化合物(A)の配合割合が99%より多いば
あい、カルボン酸エステル基の分解反応を促進させる触
媒となる酸または塩基の発生量が少なくなるためパター
ニングが行ないにくくなる傾向が生じる。一方、70%
未満のばあい、相溶性が不充分な感光性樹脂組成物にな
りがちで均一な組成物がえられにくくなり、形成される
パターンの不良が発生しやすくなる。
【0131】高分子化合物(A)の最小配合割合が70
%以上、さらには75%以上であるのがドライエッチン
グ耐性を保ち、均一な膜を形成することが可能である点
からさらに好ましく、最大配合割合が99%以下、さら
には98%以下であるのが光照射による酸または塩基の
発生量を好適に確保し、良好なパターニング性をうる点
から好ましい。
%以上、さらには75%以上であるのがドライエッチン
グ耐性を保ち、均一な膜を形成することが可能である点
からさらに好ましく、最大配合割合が99%以下、さら
には98%以下であるのが光照射による酸または塩基の
発生量を好適に確保し、良好なパターニング性をうる点
から好ましい。
【0132】発明1の感光性樹脂組成物には、通常、組
成物の粘度の調整、塗膜性などのために、さらに溶媒が
用いられる。
成物の粘度の調整、塗膜性などのために、さらに溶媒が
用いられる。
【0133】用いられる溶媒としては、前記両成分を速
やかに溶解し、かつそれらと反応しないものであるかぎ
りとくに限定はないが、沸点が100〜220℃の範囲
の溶媒が好ましい。沸点が100℃より低いばあい、塗
布したときにむらができやすく、沸点が220℃より高
いばあい、乾燥が容易ではなくなる。前記のごとき溶媒
の具体例としては、たとえばメチルセロソルブ、エチル
セロソルブ、メチルメトキシプロピオネート、エチルエ
トキシプロピオネート、プロピレングリコールモノメチ
ルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチ
ルエーテルアセテート、酢酸エチル、ピルビン酸エチ
ル、2−ヘプタノン、ジメチルグライム、ジエチルグラ
イム、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、γ−ブチ
ロラクトン、酢酸イソアミル、クロロベンゼンなどがあ
げられる。
やかに溶解し、かつそれらと反応しないものであるかぎ
りとくに限定はないが、沸点が100〜220℃の範囲
の溶媒が好ましい。沸点が100℃より低いばあい、塗
布したときにむらができやすく、沸点が220℃より高
いばあい、乾燥が容易ではなくなる。前記のごとき溶媒
の具体例としては、たとえばメチルセロソルブ、エチル
セロソルブ、メチルメトキシプロピオネート、エチルエ
トキシプロピオネート、プロピレングリコールモノメチ
ルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチ
ルエーテルアセテート、酢酸エチル、ピルビン酸エチ
ル、2−ヘプタノン、ジメチルグライム、ジエチルグラ
イム、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、γ−ブチ
ロラクトン、酢酸イソアミル、クロロベンゼンなどがあ
げられる。
【0134】用いられる溶媒の量は、該組成物中50〜
95%であるのが均一な膜を形成することが可能である
という点から好ましい。
95%であるのが均一な膜を形成することが可能である
という点から好ましい。
【0135】発明1の感光性樹脂組成物には、任意成分
としてさらに基板と感光性樹脂組成物との密着性を向上
させるための密着性向上剤、たとえばアミノシラザン、
アミノアルコキシシラジン、アルキルアルコキシシラザ
ンなど0.001〜0.05%配合され、その他必要に
応じて目的にあった化合物を添加することができる。
としてさらに基板と感光性樹脂組成物との密着性を向上
させるための密着性向上剤、たとえばアミノシラザン、
アミノアルコキシシラジン、アルキルアルコキシシラザ
ンなど0.001〜0.05%配合され、その他必要に
応じて目的にあった化合物を添加することができる。
【0136】本発明の感光性樹脂組成物の製法は、前記
両成分が均一に溶解混合されるかぎりとくに限定されな
いが、たとえば高分子化合物(A)および酸等発生化合
物(a)を溶媒に溶解させるなどの方法が用いられる。
両成分が均一に溶解混合されるかぎりとくに限定されな
いが、たとえば高分子化合物(A)および酸等発生化合
物(a)を溶媒に溶解させるなどの方法が用いられる。
【0137】このようにして製造される感光性樹脂組成
物は、一般に固形分濃度が50〜5%程度で容易に流動
する程度の粘度を有している。
物は、一般に固形分濃度が50〜5%程度で容易に流動
する程度の粘度を有している。
【0138】本発明の感光性樹脂組成物を、シリコンウ
エハなどの基板上に塗布し、プリベイクを行ない、UV
光、DeepUV光、軟X線、電子線などの放射線を照
射したのち、50〜150℃程度の加熱を40秒〜60
0秒間行なってパターン形成を行なうことができる。
エハなどの基板上に塗布し、プリベイクを行ない、UV
光、DeepUV光、軟X線、電子線などの放射線を照
射したのち、50〜150℃程度の加熱を40秒〜60
0秒間行なってパターン形成を行なうことができる。
【0139】感光性樹脂組成物の現像液としては、アル
カリ性水溶液あるいは有機溶媒を用いることができる。
アルカリ性水溶液を用いるとポジ型のパターンが形成で
き、有機溶媒を用いるとネガ型のパターンを形成するこ
とができる。アルカリ性水溶液としてはたとえばアンモ
ニア、トリエチルアミン、ジメチルアミノメタノール、
テトラメチルアンモニウムヒドロキサイド、水酸化ナト
リウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、コリンなど
の水溶液を用いることができる。また有機溶媒としては
ジクロロメタン、クロロホルム、トリクロロエチレン、
酢酸エチル、酢酸イソアミル、メタノール、イソプロパ
ノールやこれらの混合溶媒を用いることができる。
カリ性水溶液あるいは有機溶媒を用いることができる。
アルカリ性水溶液を用いるとポジ型のパターンが形成で
き、有機溶媒を用いるとネガ型のパターンを形成するこ
とができる。アルカリ性水溶液としてはたとえばアンモ
ニア、トリエチルアミン、ジメチルアミノメタノール、
テトラメチルアンモニウムヒドロキサイド、水酸化ナト
リウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、コリンなど
の水溶液を用いることができる。また有機溶媒としては
ジクロロメタン、クロロホルム、トリクロロエチレン、
酢酸エチル、酢酸イソアミル、メタノール、イソプロパ
ノールやこれらの混合溶媒を用いることができる。
【0140】つぎに発明2について説明する。
【0141】発明2の感光性樹脂組成物は、前述の高分
子化合物(A)、酸等発生化合物(a)に加えて、さら
に多価カルボン酸エステル化合物(b)を含有する。
子化合物(A)、酸等発生化合物(a)に加えて、さら
に多価カルボン酸エステル化合物(b)を含有する。
【0142】多価カルボン酸エステル化合物(b)は、
高分子化合物(A)と同様に、露光した部分は酸等発生
化合物(a)から発生する酸または塩基によって分解
し、カルボキシル基に変換してアルカリ現像液に易溶性
となり、溶解するが、露光しない部分はアルカリ現像液
に実質的に溶解しない化合物であり、このような化合物
を高分子化合物(A)とともに使用するため、露光した
部分の溶解速度が高分子化合物(A)のみのばあいより
もさらに大きくすることができる。この理由は、高分子
化合物(A)のばあい、分子中に多数のカルボン酸エス
テル基を含有する基が含まれており、露光したばあいに
分子中の一部のカルボン酸エステル基のみしか分解せ
ず、アルカリ現像液に溶解しにくいものも含まれやす
く、現像しにくくなるばあいも生じうるが、多価カルボ
ン酸エステル化合物(b)のばあい、高分子化合物
(A)に比して分子量が小さく(分子量250〜100
0程度)、したがって、カルボン酸エステル基が分解す
る条件下においたばあいには大部分のカルボン酸エステ
ル基が分解してカルボキシル基に変換し、アルカリ現像
液に溶解しやすくなること、および分子量が小さいため
に分子鎖のからまりあいなどが少なく、溶解しやすいこ
となどのためと考えられる。
高分子化合物(A)と同様に、露光した部分は酸等発生
化合物(a)から発生する酸または塩基によって分解
し、カルボキシル基に変換してアルカリ現像液に易溶性
となり、溶解するが、露光しない部分はアルカリ現像液
に実質的に溶解しない化合物であり、このような化合物
を高分子化合物(A)とともに使用するため、露光した
部分の溶解速度が高分子化合物(A)のみのばあいより
もさらに大きくすることができる。この理由は、高分子
化合物(A)のばあい、分子中に多数のカルボン酸エス
テル基を含有する基が含まれており、露光したばあいに
分子中の一部のカルボン酸エステル基のみしか分解せ
ず、アルカリ現像液に溶解しにくいものも含まれやす
く、現像しにくくなるばあいも生じうるが、多価カルボ
ン酸エステル化合物(b)のばあい、高分子化合物
(A)に比して分子量が小さく(分子量250〜100
0程度)、したがって、カルボン酸エステル基が分解す
る条件下においたばあいには大部分のカルボン酸エステ
ル基が分解してカルボキシル基に変換し、アルカリ現像
液に溶解しやすくなること、および分子量が小さいため
に分子鎖のからまりあいなどが少なく、溶解しやすいこ
となどのためと考えられる。
【0143】多価カルボン酸エステル化合物(b)に含
まれるカルボン酸エステル基を含有する基の個数として
は、現像液に対する溶解性を大きく変化させる観点から
2〜6個であるのが好ましく、2〜4個であるのがさら
に好ましい。
まれるカルボン酸エステル基を含有する基の個数として
は、現像液に対する溶解性を大きく変化させる観点から
2〜6個であるのが好ましく、2〜4個であるのがさら
に好ましい。
【0144】前記カルボン酸エステル基1個あたりの分
子量としては、溶解性を大きく変化させるという観点か
ら100〜400、好ましくは100〜200である。
子量としては、溶解性を大きく変化させるという観点か
ら100〜400、好ましくは100〜200である。
【0145】多価カルボン酸エステル化合物(b)の具
体例としては、たとえば一般式(V):
体例としては、たとえば一般式(V):
【0146】
【化68】
【0147】(式中、R5、R6およびR7はそれぞれ独
立して水素原子、たとえば−CH3、−C2H5、−C3H
7、−C4H9など炭素数1〜4のアルキル基、Cl、B
rなどのハロゲン原子、一般式(VI):
立して水素原子、たとえば−CH3、−C2H5、−C3H
7、−C4H9など炭素数1〜4のアルキル基、Cl、B
rなどのハロゲン原子、一般式(VI):
【0148】
【化69】
【0149】(式中、R8、R9およびR10はそれぞれ独
立して水素原子、フェニル基、炭素数1〜6のアルキル
基、炭素数2〜6のアルケニル基、炭素数2〜6のアル
キニル基、炭素数1〜6のオキシアルキル基またはハロ
ゲン原子、1は0〜5の整数)で表わされるカルボン酸
エステル基を含有する基または一般式(VII):
立して水素原子、フェニル基、炭素数1〜6のアルキル
基、炭素数2〜6のアルケニル基、炭素数2〜6のアル
キニル基、炭素数1〜6のオキシアルキル基またはハロ
ゲン原子、1は0〜5の整数)で表わされるカルボン酸
エステル基を含有する基または一般式(VII):
【0150】
【化70】
【0151】(式中、R10は前記に同じ、R11は炭素数
3〜6のアルキレン基、2重結合を有する2価の炭化水
素基または一般式(VIII): −(CH2)m−O−(CH2)n− (VIII) (式中、m、nはそれぞれ独立して1または2)で表わ
される基、1は前記に同じ)、ただし、R5、R6および
R7のうち少なくとも1つは一般式(VI)または(VII)
で示されるカルボン酸エステル基を含有する基)で表わ
されるカルボン酸エステル基を含有する基を分子中に2
つ以上含有する酸または塩基で分解する化合物があげら
れる。
3〜6のアルキレン基、2重結合を有する2価の炭化水
素基または一般式(VIII): −(CH2)m−O−(CH2)n− (VIII) (式中、m、nはそれぞれ独立して1または2)で表わ
される基、1は前記に同じ)、ただし、R5、R6および
R7のうち少なくとも1つは一般式(VI)または(VII)
で示されるカルボン酸エステル基を含有する基)で表わ
されるカルボン酸エステル基を含有する基を分子中に2
つ以上含有する酸または塩基で分解する化合物があげら
れる。
【0152】前記一般式(V)において、R5〜R7のう
ち、一般式(VI)または一般式(VII)で示されるカル
ボン酸エステル基を含有する基は、2〜3個存在するの
が現像液に対する溶解性を大きく変化させる観点から好
ましい。
ち、一般式(VI)または一般式(VII)で示されるカル
ボン酸エステル基を含有する基は、2〜3個存在するの
が現像液に対する溶解性を大きく変化させる観点から好
ましい。
【0153】前記一般式(VI)におけるR8、R9または
R10の炭素数1〜6のアルキル基の具体例としては、−
CH3、−C2H5、−C3H7、−C4H9、−C5H11−C
6H13、シクロヘキシル基など、炭素数2〜6のアルケ
ニル基の具体例としては、−CH=CH2、−CH=C
H−CH3、−C(CH3)=CH2など、炭素数1〜6
のオキシアルキル基の具体例としては、−OCH3、−
CH2OCH3など、またハロゲン原子の具体例として
は、Cl、Brなどがあげられる。
R10の炭素数1〜6のアルキル基の具体例としては、−
CH3、−C2H5、−C3H7、−C4H9、−C5H11−C
6H13、シクロヘキシル基など、炭素数2〜6のアルケ
ニル基の具体例としては、−CH=CH2、−CH=C
H−CH3、−C(CH3)=CH2など、炭素数1〜6
のオキシアルキル基の具体例としては、−OCH3、−
CH2OCH3など、またハロゲン原子の具体例として
は、Cl、Brなどがあげられる。
【0154】また、一般式(VII)におけるR11の炭素
数3〜6のアルキレン基の具体例としては、−(C
H2)3−、−(CH2)4−、−(CH2)2−O−CH2
−など、2重結合を有する2価の炭化水素基の具体例と
しては、−CH=CH−(CH2)2−、−CH=CH−
O−CH2−など、一般式(VIII)で表わされる基が−
CH2−O−(CH2)2、−CH2−O−CH2−、−
(CH2)2−O−(CH2)−、−(CH2)2−O−
(CH2)2−などがあげられる。
数3〜6のアルキレン基の具体例としては、−(C
H2)3−、−(CH2)4−、−(CH2)2−O−CH2
−など、2重結合を有する2価の炭化水素基の具体例と
しては、−CH=CH−(CH2)2−、−CH=CH−
O−CH2−など、一般式(VIII)で表わされる基が−
CH2−O−(CH2)2、−CH2−O−CH2−、−
(CH2)2−O−(CH2)−、−(CH2)2−O−
(CH2)2−などがあげられる。
【0155】前記一般式(VI)で表わされるカルボン酸
エステル基を含有する基の具体例としては、たとえば酢
酸イソプロピル基、酢酸t−ブチル基、酢酸t−アミル
基、酢酸ビニル基、酢酸イソプロペニル基、プロピオン
酸イソプロピル基、プロピオン酸t−ブチル基、プロピ
オン酸t−アミル基、プロピオン酸ビニル基、プロピロ
ン酸イソプロペニル基、ブタン酸イソプロピル基、ブタ
ン酸t−ブチル基、ブタン酸t−アミル基、ブタン酸ビ
ニル基、ブタン酸イソプロペニル基などがあげられる。
これらのうちでは酢酸t−ブチル基、酢酸t−アミル
基、酢酸イソプロペニル基、プロピオン酸t−ブチル
基、プロピオン酸t−アミル基、プロピオン酸イソプロ
ペニル基が分解性などの点から好ましい。
エステル基を含有する基の具体例としては、たとえば酢
酸イソプロピル基、酢酸t−ブチル基、酢酸t−アミル
基、酢酸ビニル基、酢酸イソプロペニル基、プロピオン
酸イソプロピル基、プロピオン酸t−ブチル基、プロピ
オン酸t−アミル基、プロピオン酸ビニル基、プロピロ
ン酸イソプロペニル基、ブタン酸イソプロピル基、ブタ
ン酸t−ブチル基、ブタン酸t−アミル基、ブタン酸ビ
ニル基、ブタン酸イソプロペニル基などがあげられる。
これらのうちでは酢酸t−ブチル基、酢酸t−アミル
基、酢酸イソプロペニル基、プロピオン酸t−ブチル
基、プロピオン酸t−アミル基、プロピオン酸イソプロ
ペニル基が分解性などの点から好ましい。
【0156】また、前記一般式(VII)で表されるカル
ボン酸エステル基を含有する基の具体例としては、たと
えば酢酸テトラヒドロピラニル基、酢酸テトラヒドロフ
ラニル基、酢酸2、5−ジオキサニル基、プロピオン酸
テトラヒドロピラニル基、プロピオン酸2,5−ジオキ
サニル基、ブタン酸テトラヒドロピラニル基、ブタン酸
2,5−ジオキサニル基などがあげられる。これらのう
ちでは酢酸テトラヒドロピラニル基、酢酸テトラヒドロ
フラニル基が分解性などの点から好ましい。
ボン酸エステル基を含有する基の具体例としては、たと
えば酢酸テトラヒドロピラニル基、酢酸テトラヒドロフ
ラニル基、酢酸2、5−ジオキサニル基、プロピオン酸
テトラヒドロピラニル基、プロピオン酸2,5−ジオキ
サニル基、ブタン酸テトラヒドロピラニル基、ブタン酸
2,5−ジオキサニル基などがあげられる。これらのう
ちでは酢酸テトラヒドロピラニル基、酢酸テトラヒドロ
フラニル基が分解性などの点から好ましい。
【0157】前記一般式(V)で表わされるカルボン酸
エステル基を含有する基を分子中に2つ以上含有する化
合物およびそれ以外の多価カルボン酸エステル化合物の
具体例としては、たとえばジ−t−ブチルテレフタレー
ト、ジ−t−アミルテレフタレート、
エステル基を含有する基を分子中に2つ以上含有する化
合物およびそれ以外の多価カルボン酸エステル化合物の
具体例としては、たとえばジ−t−ブチルテレフタレー
ト、ジ−t−アミルテレフタレート、
【0158】
【化71】
【0159】などがあげられる。これらのうちでは前記
b−2およびb−3が分解性の点から好ましい。
b−2およびb−3が分解性の点から好ましい。
【0160】前記一般式(V)で表わされるカルボン酸
エステル基を含有する基を分子中に2つ以上含有する化
合物は、多価カルボン酸誘導体と一般式(VI)、(VI
I)で表わされるカルボン酸エステル基を含有する基中
のカルボン酸エステル基を形成するアルコールとを反応
させる方法などにより合成される。
エステル基を含有する基を分子中に2つ以上含有する化
合物は、多価カルボン酸誘導体と一般式(VI)、(VI
I)で表わされるカルボン酸エステル基を含有する基中
のカルボン酸エステル基を形成するアルコールとを反応
させる方法などにより合成される。
【0161】前記多価カルボン酸の誘導体としては、多
価カルボン酸の酸クロリド、酸ブロミドなどがあげら
れ、前記カルボン酸エステル基を形成するアルコールと
しては、t−ブチルアルコール、t−アミノアルコール
などがあげられる。
価カルボン酸の酸クロリド、酸ブロミドなどがあげら
れ、前記カルボン酸エステル基を形成するアルコールと
しては、t−ブチルアルコール、t−アミノアルコール
などがあげられる。
【0162】前記多価カルボン酸クロリドの具体例とし
ては、テレフタル酸クロリド、イソフタル酸クロリド、
ビフェニルジカルボン酸ジクロリド、ジフェニルエーテ
ルジカルボン酸ジクロリド、ジフェニルスルホンジカル
ボン酸ジクロリド、フェニレンジ酢酸クロリド、シクロ
ヘキシルジカルボン酸クロリド、アダマンタンジカルボ
ン酸クロリド、トリメシック酸トリクロリドなどがあげ
られる。
ては、テレフタル酸クロリド、イソフタル酸クロリド、
ビフェニルジカルボン酸ジクロリド、ジフェニルエーテ
ルジカルボン酸ジクロリド、ジフェニルスルホンジカル
ボン酸ジクロリド、フェニレンジ酢酸クロリド、シクロ
ヘキシルジカルボン酸クロリド、アダマンタンジカルボ
ン酸クロリド、トリメシック酸トリクロリドなどがあげ
られる。
【0163】発明2において、高分子化合物(A)にお
けるカルボキシル基として一般式(IX)、(X)、(X
I)または(XII)で表わされる基を有する高分子化合物
(A)を用いると、露光部と未露光部との溶解速度の差
がさらに大きくなり好ましい。
けるカルボキシル基として一般式(IX)、(X)、(X
I)または(XII)で表わされる基を有する高分子化合物
(A)を用いると、露光部と未露光部との溶解速度の差
がさらに大きくなり好ましい。
【0164】発明2の感光性樹脂組成物における高分子
化合物(A)、酸等発生化合物(a)および多価カルボ
ン酸エステル化合物(b)の配合割合としては、高分子
化合物(A)と多価カルボン酸エステル化合物(b)と
の配合割合の合計量が99〜70%になるように後者
(b)0.05〜30%を配合したものに、さらに酸な
ど発生化合物(a)を1〜30%配合して100%にな
るようにしたものが好ましい。
化合物(A)、酸等発生化合物(a)および多価カルボ
ン酸エステル化合物(b)の配合割合としては、高分子
化合物(A)と多価カルボン酸エステル化合物(b)と
の配合割合の合計量が99〜70%になるように後者
(b)0.05〜30%を配合したものに、さらに酸な
ど発生化合物(a)を1〜30%配合して100%にな
るようにしたものが好ましい。
【0165】高分子化合物(A)と多価カルボン酸エス
テル化合物(b)との配合割合の合計量が99%より多
いばあい、カルボン酸エステル基の分解反応を促進させ
る触媒となる酸または塩基の発生量が少なくなるためパ
ターニングが行ないにくくなる傾向が生じる。一方、前
記合計量が70%未満のばあい、相溶性が不充分な感光
性樹脂組成物になりがちで均一な組成物がえられにくく
なり、形成されるパターンの不良が発生しやすくなる。
テル化合物(b)との配合割合の合計量が99%より多
いばあい、カルボン酸エステル基の分解反応を促進させ
る触媒となる酸または塩基の発生量が少なくなるためパ
ターニングが行ないにくくなる傾向が生じる。一方、前
記合計量が70%未満のばあい、相溶性が不充分な感光
性樹脂組成物になりがちで均一な組成物がえられにくく
なり、形成されるパターンの不良が発生しやすくなる。
【0166】また、多価カルボン酸エステル化合物
(b)の配合割合が0.05%以下のばあいには、多価
カルボン酸エステル化合物(b)の併用効果が生じにく
く、よりすぐれたパターンを形成することができにく
く、30%をこえるばあいには、現像時の残渣が発生し
たり、3成分の相溶性がえがたくなり、好ましくない。
ただし高分子化合物(A)は70〜99%配合されるこ
とがドライエッチング耐性の低下を招かない点から好ま
しい。
(b)の配合割合が0.05%以下のばあいには、多価
カルボン酸エステル化合物(b)の併用効果が生じにく
く、よりすぐれたパターンを形成することができにく
く、30%をこえるばあいには、現像時の残渣が発生し
たり、3成分の相溶性がえがたくなり、好ましくない。
ただし高分子化合物(A)は70〜99%配合されるこ
とがドライエッチング耐性の低下を招かない点から好ま
しい。
【0167】高分子化合物(A)と多価カルボン酸エス
テル化合物(b)との配合割合の合計量の最小量が70
%以上、さらには75%以上であるのが組成物の相溶性
の点からさらに好ましく、最大量が99%以下、さらに
は98%以下であるのが光照射による酸または塩基の発
生量を好適に確保し、良好なパターニング性をうる点か
ら好ましい。
テル化合物(b)との配合割合の合計量の最小量が70
%以上、さらには75%以上であるのが組成物の相溶性
の点からさらに好ましく、最大量が99%以下、さらに
は98%以下であるのが光照射による酸または塩基の発
生量を好適に確保し、良好なパターニング性をうる点か
ら好ましい。
【0168】多価カルボン酸エステル化合物(b)の最
小配合割合が1%以上、さらには2%以上であるのが現
像液に対する溶解性(未露光部と露光部との溶解速度の
差がえられやすくなる)点から好ましく、最大配合割合
が30%以下、さらには25%以下であるのが現像液に
対する溶解性の点から好ましい。ただし、高分子化合物
(A)の最小配合割合が70%以上、さらには75%以
上であるのか均一な膜を形成することが可能であるとい
う点から好ましく、最大配合割合が99%以下、さらに
は98%以下であるのが光照射による酸または塩基の発
生量を好適に確保し、良好なパターニング性をうる点か
ら好ましい。
小配合割合が1%以上、さらには2%以上であるのが現
像液に対する溶解性(未露光部と露光部との溶解速度の
差がえられやすくなる)点から好ましく、最大配合割合
が30%以下、さらには25%以下であるのが現像液に
対する溶解性の点から好ましい。ただし、高分子化合物
(A)の最小配合割合が70%以上、さらには75%以
上であるのか均一な膜を形成することが可能であるとい
う点から好ましく、最大配合割合が99%以下、さらに
は98%以下であるのが光照射による酸または塩基の発
生量を好適に確保し、良好なパターニング性をうる点か
ら好ましい。
【0169】なお、酸等発生化合物(a)の配合量、好
ましい配合量についての説明は発明1のばあいと同じで
あるため重複した説明は省略する。
ましい配合量についての説明は発明1のばあいと同じで
あるため重複した説明は省略する。
【0170】発明2の感光性樹脂組成物の製法としては
前記3成分が均一に混合される限りとくに限定されない
が、たとえば高分子化合物(A)、多価カルボン酸エス
テル化合物(b)および酸等発生化合物(a)を溶媒に
溶解させるなどの方法により製造される。
前記3成分が均一に混合される限りとくに限定されない
が、たとえば高分子化合物(A)、多価カルボン酸エス
テル化合物(b)および酸等発生化合物(a)を溶媒に
溶解させるなどの方法により製造される。
【0171】このようにして調製される感光性樹脂組成
物は、一般に固形分濃度が5〜50%程度で容易に流動
する程度の粘度を有している。
物は、一般に固形分濃度が5〜50%程度で容易に流動
する程度の粘度を有している。
【0172】なお、感光性樹脂組成物に用いられる溶媒
とその使用量、前記密着性向上剤などの任意成分、感光
性樹脂組成物の使用態様、現像液などは、発明1で説明
したものと同じ内容である。
とその使用量、前記密着性向上剤などの任意成分、感光
性樹脂組成物の使用態様、現像液などは、発明1で説明
したものと同じ内容である。
【0173】つぎに発明3について説明する。
【0174】発明3の感光性樹脂組成物は、発明2の感
光性樹脂組成物における多価カルボン酸エステル化合物
(b)のかわりに、多価カルボン酸エステル化合物
(b)と同じ目的を達成するために多価フェノール炭酸
エステル化合物(c)を使用するものである。
光性樹脂組成物における多価カルボン酸エステル化合物
(b)のかわりに、多価カルボン酸エステル化合物
(b)と同じ目的を達成するために多価フェノール炭酸
エステル化合物(c)を使用するものである。
【0175】前記多価フェノール炭酸エステル化合物
(c)の具体例としては、たとえば2〜6価の多価フェ
ノールとジ−t−ブチルカルボネート、ジーt−アミル
カルボネートなどの炭酸エステル化剤とを反応させるこ
とにより製造される化合物があげられる。
(c)の具体例としては、たとえば2〜6価の多価フェ
ノールとジ−t−ブチルカルボネート、ジーt−アミル
カルボネートなどの炭酸エステル化剤とを反応させるこ
とにより製造される化合物があげられる。
【0176】前記多価フェノールの具体例としては、ハ
イドロキノン、カテコール、フロログルシノール、ビス
フェノールA、ビスフェノールS、ビスフェノールF、
トリスフェノール、ジフェニルエーテルジフェノール、
ジフェニルスルホンジフェノール、ヘキサヒドロキシジ
フェニルプロパン、テトラヒドロキシベンゾフェノンな
どがあげられる。これらのうちではビスフェノールA、
トリスフェノールが相溶性などの点から好ましい。
イドロキノン、カテコール、フロログルシノール、ビス
フェノールA、ビスフェノールS、ビスフェノールF、
トリスフェノール、ジフェニルエーテルジフェノール、
ジフェニルスルホンジフェノール、ヘキサヒドロキシジ
フェニルプロパン、テトラヒドロキシベンゾフェノンな
どがあげられる。これらのうちではビスフェノールA、
トリスフェノールが相溶性などの点から好ましい。
【0177】発明3において、高分子化合物(A)にお
けるカルボキシル基として一般式(IX)、(X)、(X
I)または(XII)で表わされる基を有する高分子化合物
(A)を用いると、露光部と未露光部との溶解速度の差
がさらに大きくなり好ましい。
けるカルボキシル基として一般式(IX)、(X)、(X
I)または(XII)で表わされる基を有する高分子化合物
(A)を用いると、露光部と未露光部との溶解速度の差
がさらに大きくなり好ましい。
【0178】発明3の感光性樹脂組成物における高分子
化合物(A)、酸等発生化合物(a)および多価フェノ
ール炭酸エステル化合物(c)の配合割合としては、高
分子化合物(A)と多価フェノール炭酸エステル化合物
(c)との配合割合の合計量が99〜70%になるよう
に後者(c)0.05〜30%を配合したものに、さら
に酸等発生化合物(a)を1〜30%配合して100%
になるようにしたものが好ましい。
化合物(A)、酸等発生化合物(a)および多価フェノ
ール炭酸エステル化合物(c)の配合割合としては、高
分子化合物(A)と多価フェノール炭酸エステル化合物
(c)との配合割合の合計量が99〜70%になるよう
に後者(c)0.05〜30%を配合したものに、さら
に酸等発生化合物(a)を1〜30%配合して100%
になるようにしたものが好ましい。
【0179】高分子化合物(A)と多価フェノール炭酸
エステル化合物(c)との配合割合の合計量が99%よ
り多いばあい、カルボン酸エステル基の分解反応を促進
させる触媒となる酸または塩基の発生量が少なくなるた
めパターニングが行ないにくくなる傾向が生じる。一
方、前記合計量が70%未満のばあい、相溶性が不充分
な感光性樹脂組成物になりがちで均一な組成物がえられ
にくくなり、形成されるパターンの不良が発生しやすく
なる。
エステル化合物(c)との配合割合の合計量が99%よ
り多いばあい、カルボン酸エステル基の分解反応を促進
させる触媒となる酸または塩基の発生量が少なくなるた
めパターニングが行ないにくくなる傾向が生じる。一
方、前記合計量が70%未満のばあい、相溶性が不充分
な感光性樹脂組成物になりがちで均一な組成物がえられ
にくくなり、形成されるパターンの不良が発生しやすく
なる。
【0180】また、多価フェノール炭酸エステル化合物
(c)の配合割合が0.05%以下のばあいには、多価
フェノール炭酸エステル化合物(c)の併用効果が生じ
にくく、より優れたパターンを形成することができにく
く、30%をこえるばあいには、現像時の残渣が発生し
たり、3成分の相溶性がえがたくなり、好ましくない。
ただし高分子化合物(A)は70〜99%配合されるこ
とがドライエッチング耐性の低下を招かない点から好ま
しい。
(c)の配合割合が0.05%以下のばあいには、多価
フェノール炭酸エステル化合物(c)の併用効果が生じ
にくく、より優れたパターンを形成することができにく
く、30%をこえるばあいには、現像時の残渣が発生し
たり、3成分の相溶性がえがたくなり、好ましくない。
ただし高分子化合物(A)は70〜99%配合されるこ
とがドライエッチング耐性の低下を招かない点から好ま
しい。
【0181】高分子化合物(A)と多価フェノール炭酸
エステル化合物(c)との配合割合の合計量の最小量が
70%以上、さらには75%以上であるのが組成物の相
溶性の点からさらに好ましく、最大量が99%以下、さ
らには98%以下であるのが光照射による酸または塩基
の発生量を好適に確保し、良好なパターニング性をうる
点から好ましい。
エステル化合物(c)との配合割合の合計量の最小量が
70%以上、さらには75%以上であるのが組成物の相
溶性の点からさらに好ましく、最大量が99%以下、さ
らには98%以下であるのが光照射による酸または塩基
の発生量を好適に確保し、良好なパターニング性をうる
点から好ましい。
【0182】多価フェノール炭酸エステル化合物(c)
の最小配合割合が1%以上、さらには2%以上であるの
が、また、最大配合割合が30%以下、さらには25%
以下であるのが現像液に対する溶解性の点から好まし
い。ただし、高分子化合物(A)の最小配合割合が70
%以上、さらには75%以上であるのが均一な膜を形成
することが可能であるという点から好ましく、最大配合
割合が99%以下、さらには98%以下であるのが光照
射による酸または塩基の発生量を好適に確保し、良好な
パターニング性をうる点から好ましい。
の最小配合割合が1%以上、さらには2%以上であるの
が、また、最大配合割合が30%以下、さらには25%
以下であるのが現像液に対する溶解性の点から好まし
い。ただし、高分子化合物(A)の最小配合割合が70
%以上、さらには75%以上であるのが均一な膜を形成
することが可能であるという点から好ましく、最大配合
割合が99%以下、さらには98%以下であるのが光照
射による酸または塩基の発生量を好適に確保し、良好な
パターニング性をうる点から好ましい。
【0183】なお、酸等発生化合物(a)の配合量、好
ましい配合量についての説明は発明1のばあいと同じで
あるため重複した説明は省略する。
ましい配合量についての説明は発明1のばあいと同じで
あるため重複した説明は省略する。
【0184】発明3の感光性樹脂組成物の調製法につい
てとくに限定はなく、発明2と同様の方法により調製す
ればよい。
てとくに限定はなく、発明2と同様の方法により調製す
ればよい。
【0185】このようにして調製される感光性樹脂組成
物は、一般に固形分濃度が5〜50%程度で容易に流動
する程度の粘度を有する。
物は、一般に固形分濃度が5〜50%程度で容易に流動
する程度の粘度を有する。
【0186】なお、感光性樹脂組成物に用いられる溶媒
とその使用量、前記密着性向上剤などの任意成分、感光
性樹脂組成物の使用態様、現像液などは、発明1で説明
したものと同じ内容である。
とその使用量、前記密着性向上剤などの任意成分、感光
性樹脂組成物の使用態様、現像液などは、発明1で説明
したものと同じ内容である。
【0187】つぎに発明4について説明する。
【0188】発明4の感光性樹脂組成物は、前述の高分
子化合物(A)、酸等発生化合物(a)に加えて、さら
にアルカリ可溶性高分子化合物(B)を含有する。
子化合物(A)、酸等発生化合物(a)に加えて、さら
にアルカリ可溶性高分子化合物(B)を含有する。
【0189】発明4においては、高分子化合物(A)に
加えて、アルカリ可溶性高分子化合物(B)を使用する
ため、露光によってアルカリ現像液に可溶性になった高
分子化合物(A)のアルカリ現像液への溶解速度がさら
に大きくなる。
加えて、アルカリ可溶性高分子化合物(B)を使用する
ため、露光によってアルカリ現像液に可溶性になった高
分子化合物(A)のアルカリ現像液への溶解速度がさら
に大きくなる。
【0190】アルカリ可溶性高分子化合物として、カル
ボキシル基を含有する基を側鎖に有する高分子化合物と
いうように、アルカリ現像液に溶解しやすい高分子化合
物を使用するため、露光部の溶解速度がさらに大きくな
る。
ボキシル基を含有する基を側鎖に有する高分子化合物と
いうように、アルカリ現像液に溶解しやすい高分子化合
物を使用するため、露光部の溶解速度がさらに大きくな
る。
【0191】前記カルボキシル基を含有する基について
の説明(カルボキシル基を含有する基の内容、具体例、
好ましい例、カルボキシル基含有モノマーの具体例、製
法など)は、発明1のばあいと同じであるため重複した
説明は省略する。
の説明(カルボキシル基を含有する基の内容、具体例、
好ましい例、カルボキシル基含有モノマーの具体例、製
法など)は、発明1のばあいと同じであるため重複した
説明は省略する。
【0192】アルカリ可溶性高分子化合物の特性は、分
子量としては、重量平均分子量で5000〜10000
0、さらには5000〜50000であるのが、現像液
に対する溶解性、塗布性の点から好ましい。
子量としては、重量平均分子量で5000〜10000
0、さらには5000〜50000であるのが、現像液
に対する溶解性、塗布性の点から好ましい。
【0193】カルボキシル基を含有する基を側鎖に有す
る高分子化合物は、前記カルボキシル基含有モノマーを
前記高分子化合物(A)をうるための重合条件と同条件
で重合することによりえられる。
る高分子化合物は、前記カルボキシル基含有モノマーを
前記高分子化合物(A)をうるための重合条件と同条件
で重合することによりえられる。
【0194】えられる高分子化合物(B)の具体例とし
ては、たとえば以下に示すごときのものがあげられる。
ては、たとえば以下に示すごときのものがあげられる。
【0195】
【化72】
【0196】
【化73】
【0197】
【化74】
【0198】
【化75】
【0199】
【化76】
【0200】
【化77】
【0201】
【化78】
【0202】
【化79】
【0203】
【化80】
【0204】これらのうちでは、用いられた高分子化合
物(A)と構造が比較的類似の高分子化合物(B)を用
いることが高分子化合物どうしの相溶性が良好で、感光
性樹脂組成物からえられた膜の溶解が均一となるなどの
点から好ましい。
物(A)と構造が比較的類似の高分子化合物(B)を用
いることが高分子化合物どうしの相溶性が良好で、感光
性樹脂組成物からえられた膜の溶解が均一となるなどの
点から好ましい。
【0205】また、アルカリ可溶性高分子化合物として
は、前記以外にたとえばフェノールノボラック樹脂、ク
レゾールノボラック樹脂、ナフトールノボラック樹脂な
どのフェノール・ホルムアルデヒド系樹脂や、ポリビニ
ルフェノール樹脂もしくはビニルフェノールとアクリル
系またはスチレン系モノマーの共重合体や、アクリル系
樹脂、スチレン系樹脂などが用いられ、これらのうちで
はポリビニルフェノール樹脂、アクリル系樹脂、スチレ
ン系樹脂などが組成物の相溶性などの点から好ましい。
は、前記以外にたとえばフェノールノボラック樹脂、ク
レゾールノボラック樹脂、ナフトールノボラック樹脂な
どのフェノール・ホルムアルデヒド系樹脂や、ポリビニ
ルフェノール樹脂もしくはビニルフェノールとアクリル
系またはスチレン系モノマーの共重合体や、アクリル系
樹脂、スチレン系樹脂などが用いられ、これらのうちで
はポリビニルフェノール樹脂、アクリル系樹脂、スチレ
ン系樹脂などが組成物の相溶性などの点から好ましい。
【0206】発明4において、高分子化合物(A)にお
けるカルボキシル基として一般式(IX)、(X)、(X
I)または(XII)で表わされる基を有する高分子化合物
(A)を用いると、露光部と未露光部との溶解速度の差
がさらに大きくなり好ましい。
けるカルボキシル基として一般式(IX)、(X)、(X
I)または(XII)で表わされる基を有する高分子化合物
(A)を用いると、露光部と未露光部との溶解速度の差
がさらに大きくなり好ましい。
【0207】発明4の感光性樹脂組成物における高分子
化合物(A)、酸等発生化合物(a)およびアルカリ可
溶性高分子化合物(B)の配合割合としては、高分子化
合物(A)が98〜70%、酸等発生化合物(a)が1
〜29%およびアルカリ可溶性高分子化合物(B)が1
〜29%であることが好ましい。
化合物(A)、酸等発生化合物(a)およびアルカリ可
溶性高分子化合物(B)の配合割合としては、高分子化
合物(A)が98〜70%、酸等発生化合物(a)が1
〜29%およびアルカリ可溶性高分子化合物(B)が1
〜29%であることが好ましい。
【0208】高分子化合物(A)の最小配合量が70%
以上、さらに75%以上であるのが組成物の相溶性の点
から好ましく、最大配合量が98%以下、さらには97
%以下であるのが光照射による酸または塩基の発生量を
好適に確保し、良好なパターニング性をうる点から好ま
しい。
以上、さらに75%以上であるのが組成物の相溶性の点
から好ましく、最大配合量が98%以下、さらには97
%以下であるのが光照射による酸または塩基の発生量を
好適に確保し、良好なパターニング性をうる点から好ま
しい。
【0209】酸等発生化合物(a)の最小配合量が1%
以上、さらには2%以上であるのが光照射による酸また
は塩基の発生量を好適に確保し、良好なパターニング性
をうる点から好ましく、最大配合量が29%以下、さら
には25%以下であるのが組成物の相溶性の点から好ま
しい。
以上、さらには2%以上であるのが光照射による酸また
は塩基の発生量を好適に確保し、良好なパターニング性
をうる点から好ましく、最大配合量が29%以下、さら
には25%以下であるのが組成物の相溶性の点から好ま
しい。
【0210】アルカリ可溶性高分子化合物(B)の最小
配合量が1%以上、さらには2%以上であるのが現像液
に対する溶解性の点から好ましく、最大配合量が29%
以下、さらには25%以下であるのが現像液に対する溶
解性を制御するという点から好ましい。
配合量が1%以上、さらには2%以上であるのが現像液
に対する溶解性の点から好ましく、最大配合量が29%
以下、さらには25%以下であるのが現像液に対する溶
解性を制御するという点から好ましい。
【0211】発明4の感光性樹脂組成物の製法として
は、前記3成分が均一に溶解混合される限りとくに限定
されないが、たとえば高分子化合物(A)、アルカリ可
溶性高分子化合物(B)および酸等発生化合物(a)を
溶媒に溶解させるなどの方法により製造される。
は、前記3成分が均一に溶解混合される限りとくに限定
されないが、たとえば高分子化合物(A)、アルカリ可
溶性高分子化合物(B)および酸等発生化合物(a)を
溶媒に溶解させるなどの方法により製造される。
【0212】なお、感光性樹脂組成物に用いられる溶媒
とその使用量、前記密着性向上剤などの任意成分、感光
性樹脂組成物の使用態様、現像液などは、発明1で説明
したものと同じ内容である。
とその使用量、前記密着性向上剤などの任意成分、感光
性樹脂組成物の使用態様、現像液などは、発明1で説明
したものと同じ内容である。
【0213】以下に本発明の感光性樹脂組成物を実施例
にもとづきより詳細に説明するが、本発明は下記実施例
に限定されるものではない。
にもとづきより詳細に説明するが、本発明は下記実施例
に限定されるものではない。
【0214】[製造例1〜19] (アルカリ可溶性高分子化合物(B)のモノマー(カル
ボキシル基含有モノマー)および該高分子化合物(B)
の合成 その1)表1、2記載の量の表1、2記載の原
料化合物Yを表1、2記載の濃度のNaOH水溶液1リ
ットルに溶解させた溶液に、表1、2記載の量の表1、
2記載の原料化合物Xを、該溶液の温度が0〜5℃に保
たれるようにしながら滴下した。そののち、同温度で表
1、2記載の時間反応させた。反応終了後、塩酸で中和
し、沈澱物を濾過、水洗した。えられた反応物をトルエ
ンで再結晶し、表1、2記載の合成モノマー(M−1〜
M−19)をえた。
ボキシル基含有モノマー)および該高分子化合物(B)
の合成 その1)表1、2記載の量の表1、2記載の原
料化合物Yを表1、2記載の濃度のNaOH水溶液1リ
ットルに溶解させた溶液に、表1、2記載の量の表1、
2記載の原料化合物Xを、該溶液の温度が0〜5℃に保
たれるようにしながら滴下した。そののち、同温度で表
1、2記載の時間反応させた。反応終了後、塩酸で中和
し、沈澱物を濾過、水洗した。えられた反応物をトルエ
ンで再結晶し、表1、2記載の合成モノマー(M−1〜
M−19)をえた。
【0215】えられたモノマーの収量を表1、2に示
す。
す。
【0216】つぎに、表3、4に記載のモノマー10g
と重合開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル0.1
5gとジオキサン40gとをチッ素ガス置換した反応容
器に仕込み、溶解させたのち、60℃で12時間重合さ
せた。
と重合開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル0.1
5gとジオキサン40gとをチッ素ガス置換した反応容
器に仕込み、溶解させたのち、60℃で12時間重合さ
せた。
【0217】重合終了後反応溶液をトルエン中に滴下し
て重合体を析出させ、濾過したのち真空乾燥器内で乾燥
させて、表3、4記載の高分子化合物(B−1〜B−1
9)をえた。
て重合体を析出させ、濾過したのち真空乾燥器内で乾燥
させて、表3、4記載の高分子化合物(B−1〜B−1
9)をえた。
【0218】えられた高分子化合物の重量平均分子量
(Mw)、数平均分子量(Mn)を下記方法により測定
した。結果を表3、4に示す。
(Mw)、数平均分子量(Mn)を下記方法により測定
した。結果を表3、4に示す。
【0219】(重量平均分子量および数平均分子量)東
ソー(株)製のHLC8020を用いたGPC測定によ
り求めた。溶媒:テトラヒドロフラン、流量:0.8m
l/分 カラムオーブン温度:40℃ 検出:RIおよ
びUV(254nm) なお、表1〜4中の各略号は以下の成分を意味する。 X−1:CH2=C(CH3)COCl メタクリル酸ク
ロリド X−2:CH2=C(Cl)COCl α−クロロアク
リル酸クロリド X−3:CH2=CHCOCl アクリル酸クロリド X−4:HOOCHC=CHCOCl フマル酸モノク
ロリド Y−1:p−HO−C6H4−CH2COOH p−ヒド
ロキシフェニル酢酸 Y−2:p−HO−C6H4−CH2CH2COOH 3−
(p−ヒドロキシフェニル)プロピオン酸 Y−3:p−HO−C6H4−C(CH3)2COOH p
−ヒドロキシフェニルイソ酪酸 Y−4:p−HO−C6H4−C(CH3)2CH2COO
H 3−(p−ヒドロキシフェニル)−2,2−ジメチ
ルプロピオン酸
ソー(株)製のHLC8020を用いたGPC測定によ
り求めた。溶媒:テトラヒドロフラン、流量:0.8m
l/分 カラムオーブン温度:40℃ 検出:RIおよ
びUV(254nm) なお、表1〜4中の各略号は以下の成分を意味する。 X−1:CH2=C(CH3)COCl メタクリル酸ク
ロリド X−2:CH2=C(Cl)COCl α−クロロアク
リル酸クロリド X−3:CH2=CHCOCl アクリル酸クロリド X−4:HOOCHC=CHCOCl フマル酸モノク
ロリド Y−1:p−HO−C6H4−CH2COOH p−ヒド
ロキシフェニル酢酸 Y−2:p−HO−C6H4−CH2CH2COOH 3−
(p−ヒドロキシフェニル)プロピオン酸 Y−3:p−HO−C6H4−C(CH3)2COOH p
−ヒドロキシフェニルイソ酪酸 Y−4:p−HO−C6H4−C(CH3)2CH2COO
H 3−(p−ヒドロキシフェニル)−2,2−ジメチ
ルプロピオン酸
【0220】
【化81】
【0221】Y−6:NH2−CH(COOH)CH2C
6H5 DL−フェニルアラニン Y−7:C6H5−NH−CH2COOH N−フェニ
ルグリシン M−1〜M−19およびB−1〜B−19は前記と同
じ。
6H5 DL−フェニルアラニン Y−7:C6H5−NH−CH2COOH N−フェニ
ルグリシン M−1〜M−19およびB−1〜B−19は前記と同
じ。
【0222】
【表1】
【0223】
【表2】
【0224】
【表3】
【0225】
【表4】
【0226】[製造例20〜29] (アルカリ可溶性高分子化合物(B)のモノマー(カル
ボキシル基含有モノマー)および該高分子化合物(B)
の合成 その2)表5記載の量の表5記載の原料化合物
Yとピリジン80gをテトラヒドロフラン500ccに
溶解させた。この溶液を氷浴で冷却したのち、表5記載
の量の表5記載の原料化合物Xを該溶液の温度が0〜5
℃に保たれるようにしながら滴下し、そののち4時間反
応させた。溶媒をロータリーエバポレーターで留去し、
残留物を2リットルの水中に投入し、精製沈澱物をえ
た。これを、水で数回洗浄し、減圧乾燥を行なったの
ち、エタノールで再結晶し、表5記載の合成モノマー
(M−20〜M−29)をえた。
ボキシル基含有モノマー)および該高分子化合物(B)
の合成 その2)表5記載の量の表5記載の原料化合物
Yとピリジン80gをテトラヒドロフラン500ccに
溶解させた。この溶液を氷浴で冷却したのち、表5記載
の量の表5記載の原料化合物Xを該溶液の温度が0〜5
℃に保たれるようにしながら滴下し、そののち4時間反
応させた。溶媒をロータリーエバポレーターで留去し、
残留物を2リットルの水中に投入し、精製沈澱物をえ
た。これを、水で数回洗浄し、減圧乾燥を行なったの
ち、エタノールで再結晶し、表5記載の合成モノマー
(M−20〜M−29)をえた。
【0227】つぎに表6記載のモノマー10gと重合開
始剤としてアゾビスイソブチロニトリル0.16gとジ
オキサン40gとをチッ素ガス置換した反応容器に仕込
み、溶解させたのち、80℃で6時間重合させた。重合
終了後反応溶液をヘキサン中に滴下して重合体を析出さ
せ、濾過したのち真空乾燥器内で乾燥させて、表6記載
の高分子化合物(B−20〜B−29)をえた。
始剤としてアゾビスイソブチロニトリル0.16gとジ
オキサン40gとをチッ素ガス置換した反応容器に仕込
み、溶解させたのち、80℃で6時間重合させた。重合
終了後反応溶液をヘキサン中に滴下して重合体を析出さ
せ、濾過したのち真空乾燥器内で乾燥させて、表6記載
の高分子化合物(B−20〜B−29)をえた。
【0228】えられたモノマーの収量を表5に示し、え
られた高分子化合物の分子量を表6に示す。
られた高分子化合物の分子量を表6に示す。
【0229】なお、表5、6中の各略号は、以下の成分
を意味する。 X−5:p−CH2=CH−C6H4−CH2Cl P−ビ
ニルベンジルクロリド Y−8:C6H5−CH(OH)COOH DL−マンデ
ル酸 Y−9:マロン酸無水物
を意味する。 X−5:p−CH2=CH−C6H4−CH2Cl P−ビ
ニルベンジルクロリド Y−8:C6H5−CH(OH)COOH DL−マンデ
ル酸 Y−9:マロン酸無水物
【0230】
【化82】
【0231】X−1〜X−3、M−20〜M−29およ
びB−20〜B−29は前記と同じ。
びB−20〜B−29は前記と同じ。
【0232】
【表5】
【0233】
【表6】
【0234】[製造例30〜44] (カルボン酸エステル基を側鎖に有する高分子化合物の
モノマーの合成 その1)表7記載の量の表7記載のモ
ノマーMを、塩化チオニル100mlに溶解させ、ジメ
チルホルムアミド0.5mlを加え12時間反応を行な
った。反応後、塩化チオニルを留去し、残留物をテトラ
ヒドロフラン200mlに溶解させた。これと表7記載
の原料化合物Yをピリジンを用いて室温で12時間反応
させたのち、溶媒を留去し残留物を2リットルの水に投
入し、析出物をエタノールで再結晶し表7記載のモノマ
ーM−30〜M−44をえた。
モノマーの合成 その1)表7記載の量の表7記載のモ
ノマーMを、塩化チオニル100mlに溶解させ、ジメ
チルホルムアミド0.5mlを加え12時間反応を行な
った。反応後、塩化チオニルを留去し、残留物をテトラ
ヒドロフラン200mlに溶解させた。これと表7記載
の原料化合物Yをピリジンを用いて室温で12時間反応
させたのち、溶媒を留去し残留物を2リットルの水に投
入し、析出物をエタノールで再結晶し表7記載のモノマ
ーM−30〜M−44をえた。
【0235】えられたモノマーの収量を表7に示す。
【0236】なお、表7中の各略号は、以下の成分を意
味する。 Y−13:C(CH3)2(C2H5)−OH t−アミル
アルコール Y−14:C(CH3)3−OH t−ブチルアルコール Y−15:CH(CH3)2−OH 2−プロパノール Y−16:CH2=CHCH2−OH 2−プロペン−1
−オール Y−17:CH2=C(CH3)3−OH 1−メチルビ
ニルアルコール
味する。 Y−13:C(CH3)2(C2H5)−OH t−アミル
アルコール Y−14:C(CH3)3−OH t−ブチルアルコール Y−15:CH(CH3)2−OH 2−プロパノール Y−16:CH2=CHCH2−OH 2−プロペン−1
−オール Y−17:CH2=C(CH3)3−OH 1−メチルビ
ニルアルコール
【0237】
【化83】
【0238】Y−20:HO−C(CH3)2CH=CH
2 1,1−ジメチルアリルアルコール MA:メタクリル酸 M−1、M−2、M−5、M−6、M−19〜M−2
2、M−30〜M−44は前記と同じ。
2 1,1−ジメチルアリルアルコール MA:メタクリル酸 M−1、M−2、M−5、M−6、M−19〜M−2
2、M−30〜M−44は前記と同じ。
【0239】
【表7】
【0240】[製造例45〜47] (カルボン酸エステル基を側鎖に有する高分子化合物の
モノマーの合成 その2)イソプロピルアルコール50
0ccに金属ナトリウム10.5gと表8記載の量の表
8記載の原料化合物Yを加えた。この溶液に表8記載の
量の表8記載の原料化合物Xを加え、室温で24時間反
応させた。溶媒をロータリーエバポレーターで留去し、
残留物をエーテルで再結晶を行ない表8記載の合成モノ
マー(M−45〜M−47)をえた。
モノマーの合成 その2)イソプロピルアルコール50
0ccに金属ナトリウム10.5gと表8記載の量の表
8記載の原料化合物Yを加えた。この溶液に表8記載の
量の表8記載の原料化合物Xを加え、室温で24時間反
応させた。溶媒をロータリーエバポレーターで留去し、
残留物をエーテルで再結晶を行ない表8記載の合成モノ
マー(M−45〜M−47)をえた。
【0241】えられたモノマーの収量を表8に示す。
【0242】なお、表8中の各略号は以下の成分を意味
する。 X−5:前記に同じ Y−21:CH2(COO−t−Bu)2 マロン酸−ジ
−ブチルエステル Y−22:CH(COO−t−Bu)(CH2COO−
t−Bu)2 トリカルバリル酸−トリ−t−ブチルエ
ステル Y−23:CH(COO−t−Bu)3 メタントリカ
ルボン酸−トリ−t−ブチルエステル M−45〜M−47は前記に同じ。
する。 X−5:前記に同じ Y−21:CH2(COO−t−Bu)2 マロン酸−ジ
−ブチルエステル Y−22:CH(COO−t−Bu)(CH2COO−
t−Bu)2 トリカルバリル酸−トリ−t−ブチルエ
ステル Y−23:CH(COO−t−Bu)3 メタントリカ
ルボン酸−トリ−t−ブチルエステル M−45〜M−47は前記に同じ。
【0243】
【表8】
【0244】[製造例48〜71] (カルボキシル基を含有する基と、前記カルボン酸エス
テル基を含有する基の両方を高分子の側鎖に有する高分
子化合物(A)の合成)高分子化合物(A)は、前記ア
ルカリ可溶性高分子化合物のモノマーと、前記カルボン
酸エステル基を側鎖に有する高分子化合物のモノマーを
共重合することによってえた。
テル基を含有する基の両方を高分子の側鎖に有する高分
子化合物(A)の合成)高分子化合物(A)は、前記ア
ルカリ可溶性高分子化合物のモノマーと、前記カルボン
酸エステル基を側鎖に有する高分子化合物のモノマーを
共重合することによってえた。
【0245】表9、10記載の量の表9、10記載のモ
ノマー2種と重合開始剤としてアゾビスイソブチロニト
リル0.15gとジオキサン40gとをチッ素ガス置換
した反応容器に仕込み、溶解させたのち、60℃で12
時間重合させた。重合終了後反応液をトルエン中に滴下
して重合体を析出させ、濾過したのち真空乾燥器内で乾
燥させて表9、10記載の高分子化合物(A−1〜A−
24)をえた。
ノマー2種と重合開始剤としてアゾビスイソブチロニト
リル0.15gとジオキサン40gとをチッ素ガス置換
した反応容器に仕込み、溶解させたのち、60℃で12
時間重合させた。重合終了後反応液をトルエン中に滴下
して重合体を析出させ、濾過したのち真空乾燥器内で乾
燥させて表9、10記載の高分子化合物(A−1〜A−
24)をえた。
【0246】えられた高分子化合物の分子量を表9、1
0に示す。
0に示す。
【0247】なお、表9、10中のモノマーの略号およ
びA−1〜A−24は前記と同じである。
びA−1〜A−24は前記と同じである。
【0248】
【表9】
【0249】
【表10】
【0250】[製造例72] (多価カルボン酸エステル化合物の合成)イソプロピル
アルコール500ccに金属ナトリウム12gとメルド
ラム酸75gを加えた。この溶液にp−キシリレンジク
ロリド45gを加え室温で24時間反応を行なった。溶
媒をロータリーエバポレータで留去し、残留物をエーテ
ルに溶解させ、数回エーテル層を水で洗浄した。エーテ
ル層を乾固したのちエタノールで再結晶を行ない、目的
とするキシリレンビスメルドラム酸化合物b−1をえ
た。
アルコール500ccに金属ナトリウム12gとメルド
ラム酸75gを加えた。この溶液にp−キシリレンジク
ロリド45gを加え室温で24時間反応を行なった。溶
媒をロータリーエバポレータで留去し、残留物をエーテ
ルに溶解させ、数回エーテル層を水で洗浄した。エーテ
ル層を乾固したのちエタノールで再結晶を行ない、目的
とするキシリレンビスメルドラム酸化合物b−1をえ
た。
【0251】b−1および以下のb−2〜b−4の化学
式は前記と同じである。
式は前記と同じである。
【0252】[製造例73] (多価カルボン酸エステル化合物の合成 その2)p−
フェニレンジ酢酸50gを塩化チオニル100mlに溶
解させ、ジメチルホルムアミドを0.5ml加えて12
時間反応を行なった。反応後塩化チオニルを減圧留去
し、残留物をテトラヒドロフラン200ccに溶解させ
た。これを、40gのt−ブチルアルコールと45gの
ピリジンを200ccのテトラヒドロフランに混合させ
た溶液に加えて室温で12時間反応を行なった。そのの
ち溶媒をロータリーエバポレーターで留去し、残留物を
2リットルの水中に投入し、析出物をエタノールで再結
晶し、目的とするフェニレンジ酢酸エステル化合物b−
2をえた。
フェニレンジ酢酸50gを塩化チオニル100mlに溶
解させ、ジメチルホルムアミドを0.5ml加えて12
時間反応を行なった。反応後塩化チオニルを減圧留去
し、残留物をテトラヒドロフラン200ccに溶解させ
た。これを、40gのt−ブチルアルコールと45gの
ピリジンを200ccのテトラヒドロフランに混合させ
た溶液に加えて室温で12時間反応を行なった。そのの
ち溶媒をロータリーエバポレーターで留去し、残留物を
2リットルの水中に投入し、析出物をエタノールで再結
晶し、目的とするフェニレンジ酢酸エステル化合物b−
2をえた。
【0253】[製造例74] (多価カルボン酸エステル化合物の合成 その3)アセ
トン500ccにビスフェノールAを50g溶解させた
溶液に、炭酸カリウム45gと0.1gのヨウ化カリウ
ムを加えた。さらにt−ブチルブロモ酢酸90gを加え
24時間還流を行ない反応させた。反応後、溶媒をロー
タリーエバポレーターで留去し、残留物を2リットルの
水中に投入し、析出物をエタノールで再結晶し、目的と
するフェノキシ酢酸エステル化合物b−3をえた。
トン500ccにビスフェノールAを50g溶解させた
溶液に、炭酸カリウム45gと0.1gのヨウ化カリウ
ムを加えた。さらにt−ブチルブロモ酢酸90gを加え
24時間還流を行ない反応させた。反応後、溶媒をロー
タリーエバポレーターで留去し、残留物を2リットルの
水中に投入し、析出物をエタノールで再結晶し、目的と
するフェノキシ酢酸エステル化合物b−3をえた。
【0254】[製造例75] (多価カルボン酸エステル化合物の合成 その4)2,
5−ジメチル−2,5−ヘキサジオール50gとピリジ
ン60gをテトラヒドロフラン500ccに溶解させ
た。この溶液を氷浴中で冷却しつつ、フェニル酢酸クロ
リド110gを加えて0〜5℃で4時間反応させた。反
応後、溶媒をロータリーエバポレーターで留去し、残留
物を2リットルの水中に投入し、析出物をエタノールで
再結晶し、目的とするジオールフェニル酢酸エステル化
合物b−4をえた。
5−ジメチル−2,5−ヘキサジオール50gとピリジ
ン60gをテトラヒドロフラン500ccに溶解させ
た。この溶液を氷浴中で冷却しつつ、フェニル酢酸クロ
リド110gを加えて0〜5℃で4時間反応させた。反
応後、溶媒をロータリーエバポレーターで留去し、残留
物を2リットルの水中に投入し、析出物をエタノールで
再結晶し、目的とするジオールフェニル酢酸エステル化
合物b−4をえた。
【0255】[実施例1〜30および比較例1〜3] (レジスト液の調製)表11〜16記載の高分子化合
物、酸等発生化合物、多価カルボン酸エステル化合物、
多価フェノールの炭酸エステル化合物、アルカリ可溶性
高分子化合物の所定量を表11〜16記載量の溶媒(ジ
エチレングリコールジメチルエーテル)に溶解させ、
0.25ミクロンのフィルターを用いてレジスト溶液を
調製した。このレジストを用いて下記の方法により解像
度を測定した。結果を表11〜16に示す。 (解像度の測定)前記レジストをスピンコーターを用い
てシリコンウエハー上に塗布し、約1ミクロン膜厚のパ
ターン形成膜をえた。この膜に表11〜16記載量の光
を照射したのち、ホットプレート上で100℃で90秒
間加熱を行なった。そののち2.38%テトラメチルア
ンモニウムヒドロキシド水溶液で60秒間現像を行なっ
た。ラインアンドスペースパターンが形状よく解像でき
たマスク寸法を解像度とした。
物、酸等発生化合物、多価カルボン酸エステル化合物、
多価フェノールの炭酸エステル化合物、アルカリ可溶性
高分子化合物の所定量を表11〜16記載量の溶媒(ジ
エチレングリコールジメチルエーテル)に溶解させ、
0.25ミクロンのフィルターを用いてレジスト溶液を
調製した。このレジストを用いて下記の方法により解像
度を測定した。結果を表11〜16に示す。 (解像度の測定)前記レジストをスピンコーターを用い
てシリコンウエハー上に塗布し、約1ミクロン膜厚のパ
ターン形成膜をえた。この膜に表11〜16記載量の光
を照射したのち、ホットプレート上で100℃で90秒
間加熱を行なった。そののち2.38%テトラメチルア
ンモニウムヒドロキシド水溶液で60秒間現像を行なっ
た。ラインアンドスペースパターンが形状よく解像でき
たマスク寸法を解像度とした。
【0256】なお、表11〜16中の各略号は以下の内
容を示す。 a−1:トリフェニルスルホニウムトリフレイト a−2:ジフェニルヨードニウムトリフレイト a−3:トリフェニルスルホニウムテトラフルオロボレ
ート a−4:トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアン
チモネート b−6:ジ−t−ブチルテレフタレート c−1:ビスフェノールAのジ−t−ブチルカルボネー
ト c−2:トリスフェノールのトリス−t−ブチルカルボ
ネート B−30:ポリビニルフェノール B−31:ポリビニルフェノールの水酸基の20モル%
をt−ブトキシカルボニル基で保護したもの KrF:KrFエキシマレーザ 高分子化合物(A)、アルカリ可溶性高分子化合物
(B)、多価カルボン酸エステル化合物b−1〜b−5
は前記と同じ。
容を示す。 a−1:トリフェニルスルホニウムトリフレイト a−2:ジフェニルヨードニウムトリフレイト a−3:トリフェニルスルホニウムテトラフルオロボレ
ート a−4:トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアン
チモネート b−6:ジ−t−ブチルテレフタレート c−1:ビスフェノールAのジ−t−ブチルカルボネー
ト c−2:トリスフェノールのトリス−t−ブチルカルボ
ネート B−30:ポリビニルフェノール B−31:ポリビニルフェノールの水酸基の20モル%
をt−ブトキシカルボニル基で保護したもの KrF:KrFエキシマレーザ 高分子化合物(A)、アルカリ可溶性高分子化合物
(B)、多価カルボン酸エステル化合物b−1〜b−5
は前記と同じ。
【0257】
【表11】
【0258】
【表12】
【0259】
【表13】
【0260】
【表14】
【0261】
【表15】
【0262】
【表16】
【0263】
【発明の効果】以上のように、発明1の感光性樹脂組成
物は、放射線露光に対する高い感度と高い解像度を有
し、放射線感応レジスト材料として極めて有用であり、
微細パターンが必要とされる超LSIなどの半導体デバ
イスの製造に有効に利用できるものである。
物は、放射線露光に対する高い感度と高い解像度を有
し、放射線感応レジスト材料として極めて有用であり、
微細パターンが必要とされる超LSIなどの半導体デバ
イスの製造に有効に利用できるものである。
【0264】発明2の感光性樹脂組成物は、発明1の前
記効果に加え、未露光部と露光部の現像液に対する溶解
速度の差がさらにすぐれている。
記効果に加え、未露光部と露光部の現像液に対する溶解
速度の差がさらにすぐれている。
【0265】発明3の感光性樹脂組成物は、発明1の前
記効果に加え、未露光部と露光部の現像液に対する溶解
速度の差がさらにすぐれている。
記効果に加え、未露光部と露光部の現像液に対する溶解
速度の差がさらにすぐれている。
【0266】発明4の感光性樹脂組成物は、発明1の前
記効果に加え、露光部の溶解速度が向上しパターンの抜
け性がさらにすぐれている。
記効果に加え、露光部の溶解速度が向上しパターンの抜
け性がさらにすぐれている。
【0267】発明2−1の感光性樹脂組成物は、発明2
の前記効果に加え、露光部の溶解速度が向上し、未露光
部と露光部の溶解速度の差がさらに大きくなる点がすぐ
れている。
の前記効果に加え、露光部の溶解速度が向上し、未露光
部と露光部の溶解速度の差がさらに大きくなる点がすぐ
れている。
【0268】発明4−1の感光性樹脂組成物は、発明4
の前記効果に加え、露光部の溶解速度が向上し、未露光
部と露光部の溶解速度の差がさらに大きくなる点がすぐ
れている。
の前記効果に加え、露光部の溶解速度が向上し、未露光
部と露光部の溶解速度の差がさらに大きくなる点がすぐ
れている。
【0269】発明1−1の感光性樹脂組成物は、発明1
の前記効果に加え、ドライエッチング耐性がさらにすぐ
れている。
の前記効果に加え、ドライエッチング耐性がさらにすぐ
れている。
【0270】発明2−2の感光性樹脂組成物は、発明2
の前記効果に加え、ドライエッチング耐性がさらにすぐ
れている。
の前記効果に加え、ドライエッチング耐性がさらにすぐ
れている。
【0271】発明3−1の感光性樹脂組成物は、発明3
の前記効果に加え、ドライエッチング耐性がさらにすぐ
れている。
の前記効果に加え、ドライエッチング耐性がさらにすぐ
れている。
【0272】発明4−2の感光性樹脂組成物は、発明4
の前記効果に加え、ドライエッチング耐性がさらにすぐ
れている。
の前記効果に加え、ドライエッチング耐性がさらにすぐ
れている。
フロントページの続き (72)発明者 堀辺 英夫 尼崎市塚口本町8丁目1番1号 三菱電機 株式会社材料デバイス研究所内 (72)発明者 久保田 繁 尼崎市塚口本町8丁目1番1号 三菱電機 株式会社材料デバイス研究所内
Claims (7)
- 【請求項1】 カルボキシル基を含有する基と、一般式
(I): 【化1】 (式中、R1は水素原子、メチル基またはフェニル基、
R2はt−ブチル基またはt−アミル基、iは0または
1、jは0、1または2、ただし、jが0または1のば
あい、複数のiはそれぞれ独立して0または1)で表わ
されるカルボン酸エステル基を含有する基、一般式(I
I): 【化2】 (式中、R3はt−ブチル基、t−アミル基、イソプロ
ピル基、アリル基、1−メチルビニル基、1,1−ジメ
チルアリル基、2,5−ジオキサニル基またはテトラヒ
ドロフラニル基、kは0、1または2)で表わされるカ
ルボン酸エステル基を含有する基、一般式(III): 【化3】 (式中、R4は水素原子、メチル基またはフェニル基、
R3は前記に同じ)で表わされるカルボン酸エステル基
を含有する基および一般式(IV): 【化4】 (式中、R3は前記に同じ)で表わされるカルボン酸エ
ステル基を含有する基のうちの少なくとも1種とを側鎖
に有する高分子化合物および光照射により酸または塩基
を発生する化合物を含有することを特徴とする感光性樹
脂組成物。 - 【請求項2】 カルボキシル基を含有する基と、一般式
(I): 【化5】 (式中、R1は水素原子、メチル基またはフェニル基、
R2はt−ブチル基またはt−アミル基、iは0または
1、jは0、1または2、ただし、jが0または1のば
あい、複数のiはそれぞれ独立して0または1)で表わ
されるカルボン酸エステル基を含有する基、一般式(I
I): 【化6】 (式中、R3はt−ブチル基、t−アミル基、イソプロ
ピル基、アリル基、1−メチルビニル基、1,1−ジメ
チルアリル基、2,5−ジオキサニル基またはテトラヒ
ドロフラニル基、kは0、1または2)で表わされるカ
ルボン酸エステル基を含有する基、一般式(III): 【化7】 (式中、R4は水素原子、メチル基またはフェニル基、
R3は前記に同じ)で表わされるカルボン酸エステル基
を含有する基および一般式(IV): 【化8】 (式中、R3は前記に同じ)で表わされるカルボン酸エ
ステル基を含有する基のうちの少なくとも1種とを側鎖
に有する高分子化合物、多価カルボン酸エステル化合物
および光照射により酸または塩基を発生する化合物を含
有することを特徴とする感光性樹脂組成物。 - 【請求項3】 カルボキシル基を含有する基と、一般式
(I): 【化9】 (式中、R1は水素原子、メチル基またはフェニル基、
R2はt−ブチル基またはt−アミル基、iは0または
1、jは0、1または2、ただし、jが0または1のば
あい、複数のiはそれぞれ独立して0または1)で表わ
されるカルボン酸エステル基を含有する基、一般式(I
I): 【化10】 (式中、R3はt−ブチル基、t−アミル基、イソプロ
ピル基、アリル基、1−メチルビニル基、1,1−ジメ
チルアリル基、2,5−ジオキサニル基またはテトラヒ
ドロフラニル基、kは0、1または2)で表わされるカ
ルボン酸エステル基を含有する基、一般式(III): 【化11】 (式中、R4は水素原子、メチル基またはフェニル基、
R3は前記に同じ)で表わされるカルボン酸エステル基
を含有する基および一般式(IV): 【化12】 (式中、R3は前記に同じ)で表わされるカルボン酸エ
ステル基を含有する基のうちの少なくとも1種とを側鎖
に有する高分子化合物、多価フェノールの炭酸エステル
化合物および光照射により酸または塩基を発生する化合
物を含有することを特徴とする感光性樹脂組成物。 - 【請求項4】 カルボキシル基を含有する基と、一般式
(I): 【化13】 (式中、R1は水素原子、メチル基またはフェニル基、
R2はt−ブチル基またはt−アミル基、iは0または
1、jは0、1または2、ただし、jが0または1のば
あい、複数のiはそれぞれ独立して0または1)で表わ
されるカルボン酸エステル基を含有する基、一般式(I
I): 【化14】 (式中、R3はt−ブチル基、t−アミル基、イソプロ
ピル基、アリル基、1−メチルビニル基、1,1−ジメ
チルアリル基、2,5−ジオキサニル基またはテトラヒ
ドロフラニル基、kは0、1または2)で表わされるカ
ルボン酸エステル基を含有する基、一般式(III): 【化15】 (式中、R4は水素原子、メチル基またはフェニル基、
R3は前記に同じ)で表わされるカルボン酸エステル基
を含有する基および一般式(IV): 【化16】 (式中、R3は前記に同じ)で表わされるカルボン酸エ
ステル基を含有する基のうちの少なくとも1種とを側鎖
に有する高分子化合物、アルカリ可溶性高分子化合物お
よび光照射により酸または塩基を発生する化合物を含有
することを特徴とする感光性樹脂組成物。 - 【請求項5】 多価カルボン酸エステル化合物が、一般
式(V): 【化17】 (式中、R5、R6およびR7はそれぞれ独立して水素原
子、炭素数1〜4のアルキル基、ハロゲン原子、一般式
(VI): 【化18】 (式中、R8、R9およびR10はそれぞれ独立して水素原
子、フェニル基、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数2
〜6のアルケニル基、炭素数2〜6のアルキニル基、炭
素数1〜6のオキシアルキル基またはハロゲン原子、1
は0〜5の整数)で表わされるカルボン酸エステル基を
含有する基または一般式(VII): 【化19】 (式中、R10は前記に同じ、R11は炭素数3〜6のアル
キレン基、2重結合を有する2価の炭化水素基または一
般式(VIII): −(CH2)m−O−(CH2)n− (VIII) (式中、m、nはそれぞれ独立して1または2)で表わ
される基、1は前記に同じ)、ただし、R5、R6および
R7のうち少なくとも1種は一般式(VI)または(VII)
で示されるカルボン酸エステル基を含有する基)で表わ
されるカルボン酸エステル基を含有する基を分子中に2
つ以上含有する酸または塩基で分解する化合物であるこ
とを特徴とする請求項2記載の感光性樹脂組成物。 - 【請求項6】 アルカリ可溶性高分子化合物がカルボキ
シル基を含有する基を側鎖に有する高分子化合物である
ことを特徴とする請求項4記載の感光性樹脂組成物。 - 【請求項7】 カルボキシル基を含有する基と一般式
(I)、(II)、(III)または(IV)で表わされるカ
ルボン酸エステル基を含有する基のうちの少なくとも1
種とを側鎖に有する高分子化合物におけるカルボキシル
基を含有する基が、一般式(IX): 【化20】 (式中、R12は水素原子またはメチル基、iは0または
1、jは0、1または2)で表わされる基、一般式
(X): 【化21】 (式中、kは0または1)で表わされる基、一般式(X
I): 【化22】 (式中、R13およびR14はそれぞれ独立して水素原子、
メチル基、フェニル基、ベンジル基またはCH2COO
H、ZはO、N(C6H5)またはNH)で表わされる基
および一般式(XII): 【化23】 (式中、iは前記に同じ)で表わされる基のうちの少な
くとも1種であることを特徴とする請求項1、2、3ま
たは4記載の感光性樹脂組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6089917A JPH07295221A (ja) | 1994-04-27 | 1994-04-27 | 感光性樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6089917A JPH07295221A (ja) | 1994-04-27 | 1994-04-27 | 感光性樹脂組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07295221A true JPH07295221A (ja) | 1995-11-10 |
Family
ID=13984066
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6089917A Pending JPH07295221A (ja) | 1994-04-27 | 1994-04-27 | 感光性樹脂組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07295221A (ja) |
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| EP1231205A4 (en) * | 1999-11-15 | 2004-05-26 | Jsr Corp | VINYLPHENYL PROPIONIC ACID DERIVATIVES, METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF, POLYMERS MADE THEREOF AND RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION |
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| WO2009104722A1 (ja) * | 2008-02-22 | 2009-08-27 | 株式会社クラレ | アクリル酸エステル誘導体および高分子化合物 |
| WO2009104717A1 (ja) * | 2008-02-22 | 2009-08-27 | 株式会社クラレ | 高分子化合物 |
| WO2009104727A1 (ja) * | 2008-02-22 | 2009-08-27 | 株式会社クラレ | アクリル酸エステル誘導体の製造方法並びにアクリル酸エステル誘導体およびその中間体 |
| WO2009110496A1 (ja) * | 2008-03-07 | 2009-09-11 | 富士フイルム株式会社 | (メタ)アクリレート化合物、これを用いた硬化性組成物、光ナノインプリント用組成物、並びにこれらの硬化性組成物の硬化物およびその製造方法 |
| JP2010061117A (ja) * | 2008-08-07 | 2010-03-18 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 化学増幅型ポジ型レジスト組成物 |
| US20160347960A1 (en) * | 2015-05-27 | 2016-12-01 | Mitsunobu Morita | Active-energy-ray-curable composition, active-energy-ray-curable ink, ink stored container, ink ejecting device, method for forming image, and image |
| JP2016222892A (ja) * | 2015-05-27 | 2016-12-28 | 株式会社リコー | 活性エネルギー線硬化型組成物、活性エネルギー線硬化型インク、インク容器、インク吐出装置、像形成方法、及び像 |
| US9605112B2 (en) | 2009-10-11 | 2017-03-28 | Rutgers, The State University Of New Jersey | Biocompatible polymers for medical devices |
| US10087285B2 (en) | 2014-12-23 | 2018-10-02 | Rutgers, The State University Of New Jersey | Biocompatible iodinated diphenol monomers and polymers |
| US10774030B2 (en) | 2014-12-23 | 2020-09-15 | Rutgers, The State University Of New Jersey | Polymeric biomaterials derived from phenolic monomers and their medical uses |
| US11124603B2 (en) | 2012-02-03 | 2021-09-21 | Rutgers, The State University Of New Jersey | Polymeric biomaterials derived from phenolic monomers and their medical uses |
| US11472918B2 (en) | 2012-02-03 | 2022-10-18 | Rutgers, The State University Of New Jersey | Polymeric biomaterials derived from phenolic monomers and their medical uses |
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