JPH07295659A - ペルチエ素子駆動回路 - Google Patents

ペルチエ素子駆動回路

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JPH07295659A
JPH07295659A JP10626094A JP10626094A JPH07295659A JP H07295659 A JPH07295659 A JP H07295659A JP 10626094 A JP10626094 A JP 10626094A JP 10626094 A JP10626094 A JP 10626094A JP H07295659 A JPH07295659 A JP H07295659A
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JP
Japan
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peltier element
voltage
transistor
temperature
current
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JP10626094A
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English (en)
Inventor
Takashi Ishida
孝 石田
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Nippon Avionics Co Ltd
Original Assignee
Nippon Avionics Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 消費電力とペルチエ素子近傍での発熱量を低
減する。 【構成】 誤差増幅器4aはダイオード1の順方向電圧
Vfを増幅した増幅器3の出力と電圧Vrefとの差を
出力する。比較器4cは発振器4bが発生する三角波電
圧Vtと電圧Veを比較する。電圧Vcはパルス状とな
り、トランジスタ5のオン/オフ制御が行われる。ペル
チエ素子6の温度が上昇すると電圧Vfが低下し、トラ
ンジスタ5のオンする時間が長くなりペルチエ素子6に
電流を流す時間が長くなる。また、温度が下がるとペル
チエ素子6に電流を流す時間が短くなる。よって、トラ
ンジスタ5がスイッチとして動作するため、トランジス
タ5の消費電力を低減することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、赤外線センサを冷却す
るためのペルチエ素子に駆動電流を供給してペルチエ素
子の冷却温度を制御するペルチエ素子駆動回路に関する
ものである。
【0002】
【従来の技術】従来より対象物の温度分布を計測するこ
とができる装置として赤外線カメラがあり、このカメラ
の赤外線センサには赤外線を光量子として捉えて物理量
に変換して検出を行う量子型と呼ばれるものが用いられ
ているが、この量子型赤外線センサでは極低温に冷却す
ることが必要とされる。また、CCD撮像素子において
も、冷却すると暗電流の低減によりS/N比を改善する
ことができる。これらのセンサの冷却に用いられる方式
として電子冷却方式があり、これはペルチエ効果を利用
したペルチエ素子に電流を流すことによって冷却を行う
ものである。
【0003】図3はペルチエ素子に電流を供給してペル
チエ素子の冷却温度を制御する従来のペルチエ素子駆動
回路のブロック図である。1は温度センサとなるダイオ
ード、2はダイオード1に一定の電流を供給する定電流
源、13はダイオード1の順方向電圧Vfを増幅する増
幅器、14はこの増幅器13の出力に基づいて後述する
トランジスタのベース電圧を制御する電流制御回路、1
5は電流増幅器としてペルチエ素子6に駆動電流を流す
トランジスタである。
【0004】次に、このようなペルチエ素子駆動回路の
動作を説明する。ダイオード1とペルチエ素子6は一体
型の構成となっており、またダイオード1には定電流源
2から一定の電流が供給されている。ペルチエ素子6の
温度が変化すると、ダイオード1のアノード−カソード
間の順方向電圧Vfが約−2mV/℃の割合で変化する
ので、順方向電圧Vfによりペルチエ素子6の冷却温度
が分かるようになっている。そして、電流制御回路14
は、この電圧Vfを増幅した増幅器13の出力を基にト
ランジスタ15のベース電圧を制御してペルチエ素子6
に電流を供給している。
【0005】ここで、ペルチエ素子6の温度が上昇する
と順方向電圧Vfが低下し、電流制御回路14はトラン
ジスタ15のベース電圧を上げてペルチエ素子6に流す
電流を増やす。逆にペルチエ素子6の温度が下がると電
圧Vfが上昇し、電流制御回路14はペルチエ素子6に
流す電流を減らす。こうして、ペルチエ素子6の冷却温
度が一定に保たれる。このとき、トランジスタ15のコ
レクタに与えられる駆動電圧Vaを5V、エミッタ電
圧、すなわちペルチエ素子6に印加される電圧を3V、
ペルチエ素子6に供給される駆動電流を1Aとすると、
トランジスタ15の消費電力は(5V−3V)×1A=
2Wとなる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】従来のペルチエ素子駆
動回路は以上のようにしてペルチエ素子を駆動制御して
いるが、ペルチエ素子に駆動電流を供給するトランジス
タの消費電力が大きいという問題点があり、またその結
果トランジスタが冷却用のペルチエ素子の近傍で余計な
熱を発生するという問題点があった。本発明は、上記課
題を解決するために、消費電力とペルチエ素子近傍での
発熱量を低減することができるペルチエ素子駆動回路を
提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は、ペルチエ素子
の温度を測定し結果を電圧として出力する温度センサ
と、この温度センサの出力電圧を増幅する増幅器と、ペ
ルチエ素子に供給する駆動電流のオン/オフ制御を行う
ためのスイッチング素子と、このスイッチング素子のオ
ン/オフする時間を増幅器の出力に基づいて温度センサ
の出力電圧が一定になるように制御する制御回路とを有
するものである。
【0008】
【作用】本発明によれば、温度センサの出力電圧が増幅
器により増幅されて制御回路に入力され、制御回路によ
り温度センサの出力電圧が一定になるようにスイッチン
グ素子が制御されるので、ペルチエ素子の冷却温度が一
定となる。
【0009】
【実施例】図1は本発明の1実施例を示すペルチエ素子
駆動回路のブロック図、図2はこのペルチエ素子駆動回
路における各部の信号波形を示す図であり、図3と同一
の部分には同一の符号を付してある。3はダイオード1
の順方向電圧Vfを増幅する増幅器、4はこの増幅器3
の出力に基づいて後述するスイッチング素子のオン/オ
フ制御を行うPWM制御回路、5はペルチエ素子6に供
給する駆動電流のオン/オフ制御を行うためのスイッチ
ング素子となるトランジスタである。
【0010】また、4aは増幅器3の出力と基準電圧V
refとの差を出力電圧Veとして出力する誤差増幅
器、4bは三角波電圧Vtを発生する発振器、4cは電
圧Veと三角波電圧Vtを比較する比較器、4dは出力
トランジスタである。
【0011】次に、このようなペルチエ素子駆動回路の
動作を説明する。ダイオード1とペルチエ素子6の構成
は図3の例と全く同様であり、増幅器3はダイオード1
の順方向電圧Vfを増幅する。そして、PWM制御回路
4内の誤差増幅器4aはこの増幅器3の出力電圧と基準
電圧Vrefとの差を出力電圧Veとして出力する。こ
こで、基準電圧Vrefは例えばある順方向電圧Vfの
ときにペルチエ素子6で所望の冷却温度が得られるよう
に設定されている。
【0012】次いで、発振器4bは図2(a)のような
三角波電圧Vtを発生しており、比較器4cはこの三角
波電圧Vtと誤差増幅器4aの出力電圧Veを比較す
る。この結果、比較器4cの出力電圧Vcは図2(b)
の実線に示すように電圧Veが三角波電圧Vt以上の期
間で「H」レベル、以下の期間で「L」レベルとなる。
そして、出力トランジスタ4dは電圧Vcが「H」レベ
ルのときにオンとなる。
【0013】したがって、トランジスタ5のベース電圧
Vbは図2(c)の実線に示すような波形となる。To
nの期間ではトランジスタ5がオンとなり、ペルチエ素
子6にトランジスタ5から駆動電流が流れてペルチエ素
子6が冷却を行う。また、Toffの期間ではトランジ
スタ5がオフとなり、駆動電流の供給が停止してペルチ
エ素子6による冷却も停止する。
【0014】このようなスイッチング制御を行うペルチ
エ素子駆動回路において、ペルチエ素子6の温度が上昇
すると順方向電圧Vfが低下するので、誤差増幅器4a
の出力電圧Veは図2(a)の破線に示すように低下す
る。これにより、比較器4cの出力電圧Vcは図2
(b)の破線に示すように「H」レベルの期間が短くな
って「L」レベルの期間が長くなり、トランジスタ5の
ベース電圧Vbとしては図2(c)の破線に示すように
Tonの期間が長くなる。
【0015】よって、ペルチエ素子6に駆動電流を供給
する時間が長くなるため、ペルチエ素子6が冷却を行う
時間が長くなり、結果としてペルチエ素子6の温度上昇
を修正して温度を一定に保つ。また、ペルチエ素子6の
温度が下がると順方向電圧Vfが上昇し、誤差増幅器4
aの電圧Veが図2(a)の実線より高くなるので、上
記と逆の動作によってペルチエ素子6が冷却を行う時間
が短くなり、この結果温度が一定に保たれる。以上のよ
うなスイッチング制御によって、図3の例と同様のペル
チエ素子駆動制御を実現することができる。
【0016】そして、本実施例ではトランジスタ5がス
イッチとして動作するため、トランジスタ5のオン時の
コレクタ−エミッタ間電圧は約0.2V程度となり、ペ
ルチエ素子6に供給される駆動電流を1Aとすると、ト
ランジスタ5の消費電力は0.2V×1A=0.2Wと
図3の例より低消費電力にすることができ、またトラン
ジスタ5のコレクタに与える駆動電圧Vdもペルチエ素
子6の定格である3V程度に低下させることができる。
なお、本実施例においては、トランジスタをスイッチン
グ素子として用いたが、FETを用いても良い。
【0017】
【発明の効果】本発明によれば、制御回路がスイッチン
グ素子をオン/オフ制御することによりペルチエ素子の
冷却温度を一定に保つ従来と同様のペルチエ素子駆動制
御を実現することができ、またスイッチング素子の使用
により消費電力を低減できるため、ペルチエ素子近傍で
の発熱量を低減することができる。また、スイッチング
素子に与える駆動電圧を低くできるため、例えば電源に
バッテリーを使用する場合においてバッテリー電圧の低
減を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の1実施例を示すペルチエ素子駆動回
路のブロック図である。
【図2】 図1のペルチエ素子駆動回路における各部の
信号波形を示す図である。
【図3】 従来のペルチエ素子駆動回路のブロック図で
ある。
【符号の説明】
1…ダイオード、2…定電流源、3…増幅器、4…PW
M制御回路、5…トランジスタ、6…ペルチエ素子、4
a…誤差増幅器、4b…発振器、4c…比較器、4d…
出力トランジスタ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ペルチエ素子に供給する駆動電流によっ
    てペルチエ素子の冷却温度を制御するペルチエ素子駆動
    回路において、 ペルチエ素子の温度を測定し結果を電圧として出力する
    温度センサと、 この温度センサの出力電圧を増幅する増幅器と、 前記ペルチエ素子に供給する駆動電流のオン/オフ制御
    を行うためのスイッチング素子と、 このスイッチング素子のオン/オフする時間を前記増幅
    器の出力に基づいて前記温度センサの出力電圧が一定に
    なるように制御する制御回路とを有することを特徴とす
    るペルチエ素子駆動回路。
JP10626094A 1994-04-22 1994-04-22 ペルチエ素子駆動回路 Pending JPH07295659A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006067838A1 (ja) * 2004-12-21 2006-06-29 Advantest Corporation ペルチェ素子駆動方法および回路、ペルチェモジュールの取付構造ならびに電子部品ハンドリング装置
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