JPH07297337A - セラミック配線板のめっき方法 - Google Patents
セラミック配線板のめっき方法Info
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- JPH07297337A JPH07297337A JP6082904A JP8290494A JPH07297337A JP H07297337 A JPH07297337 A JP H07297337A JP 6082904 A JP6082904 A JP 6082904A JP 8290494 A JP8290494 A JP 8290494A JP H07297337 A JPH07297337 A JP H07297337A
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- plating film
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/721—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors
- H10W90/724—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 セラミック配線板および該配線板に接合され
た外部接続用ピンに無電解めっき法を適用して、Ｎｉお
よびＡｕめっき膜を密着性良好に形成する。 【構成】 入出力ピン５を接合したセラミック配線板２
を、研削砥粒を含有した水中で超音波処理した後、無電
解Ｎｉめっき膜６を形成する。その後、熱処理を施し
て、めっき膜６と下地金属である入出力ピン５との密着
性、めっき膜６とめっき膜３との密着性を向上させ、次
いで配線板と入出力ピン５にＡｕめっき膜７を形成す
る。
た外部接続用ピンに無電解めっき法を適用して、Ｎｉお
よびＡｕめっき膜を密着性良好に形成する。 【構成】 入出力ピン５を接合したセラミック配線板２
を、研削砥粒を含有した水中で超音波処理した後、無電
解Ｎｉめっき膜６を形成する。その後、熱処理を施し
て、めっき膜６と下地金属である入出力ピン５との密着
性、めっき膜６とめっき膜３との密着性を向上させ、次
いで配線板と入出力ピン５にＡｕめっき膜７を形成す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、入出力ピンまたはリー
ドピンを有するセラミック配線板のめっき方法に関し、
特に所定位置にロウ材で接合された入出力ピンまたはリ
ードピンおよび配線導体上に密着性良好なＮｉおよびＡ
ｕめっき膜を形成するセラミック配線板のめっき方法に
関する。
ドピンを有するセラミック配線板のめっき方法に関し、
特に所定位置にロウ材で接合された入出力ピンまたはリ
ードピンおよび配線導体上に密着性良好なＮｉおよびＡ
ｕめっき膜を形成するセラミック配線板のめっき方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】セラミック配線板の外部リード端子、す
なわち集積回路パッケージあるいはマルチチップパッケ
ージには数１０乃至数千本の入出力ピンまたはリードピ
ンが接合されている。そして、このようなピンには外部
との接続（例えば、はんだ接合あるいはコネクター接
続）のためのＡｕ（金）めっきあるいはＡｕ／Ｎｉ（ニ
ッケル）が施される。
なわち集積回路パッケージあるいはマルチチップパッケ
ージには数１０乃至数千本の入出力ピンまたはリードピ
ンが接合されている。そして、このようなピンには外部
との接続（例えば、はんだ接合あるいはコネクター接
続）のためのＡｕ（金）めっきあるいはＡｕ／Ｎｉ（ニ
ッケル）が施される。
【０００３】これらピンおよび配線基板へのめっき方法
としては、例えば特開平５−１０２３８２号公報に記載
の方法がある。この方法は、Ｉ／Ｏピンの表面に金めっ
きを施し、また配線基板にめっきを施して各々単独で形
成した後、Ｉ／Ｏピンと基板上の取り付けパッドとをロ
ウ材で接合する方法である。また、他の方法として、例
えば特開平５−１３６４０号公報に記載されたように、
配線板と外部リードピンとを接合した後に、形状記憶合
金からなるめっき用治具を用いてリードピンを一括して
めっきする方法もある。
としては、例えば特開平５−１０２３８２号公報に記載
の方法がある。この方法は、Ｉ／Ｏピンの表面に金めっ
きを施し、また配線基板にめっきを施して各々単独で形
成した後、Ｉ／Ｏピンと基板上の取り付けパッドとをロ
ウ材で接合する方法である。また、他の方法として、例
えば特開平５−１３６４０号公報に記載されたように、
配線板と外部リードピンとを接合した後に、形状記憶合
金からなるめっき用治具を用いてリードピンを一括して
めっきする方法もある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記した前者の従来技
術である、セラミック配線板および外部接続用ピンを各
々単独でめっきし、それらを接合する方法では、入出力
ピンまたはリードピン単独でめっき膜を施さなければな
らず、このためセラミック配線板を低コストで製造する
とが難しいという問題がある。他方、後者の技術であ
る、外部接続ピンを配線板に接合した後に、外部接続用
ピンを一括めっきする方法では、めっき析出膜の密着
性、特にピン材質およびロウ材上へのめっき膜の密着性
の点から無電解めっき法が適用できず、ストライクめっ
き法、つまり電気めっき法の採用が不可欠であり、量産
性の点で問題があった。
術である、セラミック配線板および外部接続用ピンを各
々単独でめっきし、それらを接合する方法では、入出力
ピンまたはリードピン単独でめっき膜を施さなければな
らず、このためセラミック配線板を低コストで製造する
とが難しいという問題がある。他方、後者の技術であ
る、外部接続ピンを配線板に接合した後に、外部接続用
ピンを一括めっきする方法では、めっき析出膜の密着
性、特にピン材質およびロウ材上へのめっき膜の密着性
の点から無電解めっき法が適用できず、ストライクめっ
き法、つまり電気めっき法の採用が不可欠であり、量産
性の点で問題があった。
【０００５】本発明の目的は、前述した従来技術の問題
点を解決し、セラミック配線板および該配線板に接合さ
れた外部接続用ピンの両者に一括して無電解めっき法を
適用することにより、Ｎｉめっき膜およびＡｕめっき膜
を形成し、密着性が良好かつ安定で低コストにめっき膜
を形成するセラミック配線板のめっき方法を提供するこ
とにある。
点を解決し、セラミック配線板および該配線板に接合さ
れた外部接続用ピンの両者に一括して無電解めっき法を
適用することにより、Ｎｉめっき膜およびＡｕめっき膜
を形成し、密着性が良好かつ安定で低コストにめっき膜
を形成するセラミック配線板のめっき方法を提供するこ
とにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明では、タングステンまたはモリブデンの焼結
導体を有するセラミック配線板の表面導体にニッケルめ
っき膜を形成し、該セラミック配線板の所定位置にロウ
材によって外部接続ピンを接合したセラミック配線板の
めっき方法において、該セラミック配線板および該配線
板に接合された外部接続ピンを、研削砥粒を含有する水
中で超音波処理した後、無電解ニッケルめっき膜を形成
し、次いで該セラミック配線板および該配線板に接合さ
れた外部接続ピンを熱処理し、続いて該セラミック配線
板および該配線板に接合された外部接続ピンに無電解金
めっき膜を形成することを特徴としている。
に、本発明では、タングステンまたはモリブデンの焼結
導体を有するセラミック配線板の表面導体にニッケルめ
っき膜を形成し、該セラミック配線板の所定位置にロウ
材によって外部接続ピンを接合したセラミック配線板の
めっき方法において、該セラミック配線板および該配線
板に接合された外部接続ピンを、研削砥粒を含有する水
中で超音波処理した後、無電解ニッケルめっき膜を形成
し、次いで該セラミック配線板および該配線板に接合さ
れた外部接続ピンを熱処理し、続いて該セラミック配線
板および該配線板に接合された外部接続ピンに無電解金
めっき膜を形成することを特徴としている。
【０００７】
【作用】セラミック配線板および該配線板に接合された
外部接続用ピンを一括してＮｉ、Ａｕめっき膜を形成す
る方法として、無電解Ｎｉめっきおよび無電解Ａｕめっ
き法を用いることにより、セラミック配線板の低コスト
化を図る。また、外部接続用ピンが接合されたセラミッ
ク配線板は、ロウ付け時の熱処理による酸化物の形成あ
るいはロウ付け治具からのカーボン付着が発生し、めっ
き膜との密着性を低下させる。そこで、セラミック配線
板の導体上、外部接続用ピン材および接続ろう材上への
めっき膜の密着性を確保するために、外部接続用ピンが
接続された該基板を、研削砥粒を含有する水中で超音波
処理を施し、表面に付着している汚れあるいは酸化膜を
除去した後に無電解Ｎｉめっき膜を形成する。さらに、
無電解Ｎｉめっき膜の皮膜硬度を低下させるための還元
雰囲気での熱処理の採用によって、低コストかつ接続信
頼性の良好なセラミック配線板の製造が達成される。
外部接続用ピンを一括してＮｉ、Ａｕめっき膜を形成す
る方法として、無電解Ｎｉめっきおよび無電解Ａｕめっ
き法を用いることにより、セラミック配線板の低コスト
化を図る。また、外部接続用ピンが接合されたセラミッ
ク配線板は、ロウ付け時の熱処理による酸化物の形成あ
るいはロウ付け治具からのカーボン付着が発生し、めっ
き膜との密着性を低下させる。そこで、セラミック配線
板の導体上、外部接続用ピン材および接続ろう材上への
めっき膜の密着性を確保するために、外部接続用ピンが
接続された該基板を、研削砥粒を含有する水中で超音波
処理を施し、表面に付着している汚れあるいは酸化膜を
除去した後に無電解Ｎｉめっき膜を形成する。さらに、
無電解Ｎｉめっき膜の皮膜硬度を低下させるための還元
雰囲気での熱処理の採用によって、低コストかつ接続信
頼性の良好なセラミック配線板の製造が達成される。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１乃至図３を用
いて具体的に説明する。
いて具体的に説明する。
【０００９】図１は、セラミック配線板の断面図であ
る。図１において、Ｗ（タングステン）またはＭｏ（モ
リブデン）の焼結導体１を有するセラミック配線板２を
用い、まず、セラミック配線板２の配線導体１の表面
に、無電解Ｎｉめっき膜３を約２．５μｍ析出形成す
る。
る。図１において、Ｗ（タングステン）またはＭｏ（モ
リブデン）の焼結導体１を有するセラミック配線板２を
用い、まず、セラミック配線板２の配線導体１の表面
に、無電解Ｎｉめっき膜３を約２．５μｍ析出形成す
る。
【００１０】めっき前処理として、９０度Ｃ、１０ｗｔ
％ＮａＯＨ（水酸化ナトリウム）溶液に１０分浸漬し、
水洗後、Ｐｄ（パラジウム）活性化処理（６０度Ｃで５
分、例えば、日本カニゼン製活性液Ｎｏ３）を行い、次
いで、６０度Ｃの無電解めっき液（例えば、日本カニゼ
ン、ＳＢ−５５−１）に２０分間浸漬してＷまたはＭｏ
焼結導体１上にＮｉめっき膜３を形成した。
％ＮａＯＨ（水酸化ナトリウム）溶液に１０分浸漬し、
水洗後、Ｐｄ（パラジウム）活性化処理（６０度Ｃで５
分、例えば、日本カニゼン製活性液Ｎｏ３）を行い、次
いで、６０度Ｃの無電解めっき液（例えば、日本カニゼ
ン、ＳＢ−５５−１）に２０分間浸漬してＷまたはＭｏ
焼結導体１上にＮｉめっき膜３を形成した。
【００１１】次に、銀（Ａｇ）−銅（Ｃｕ）ロウ材４
（Ａｇ７２％）０．７５ｍｇを融着した入出力ピン（材
質は例えばコバール）５を、図示しないカーボン治具に
１５００本セットし、図２に示すようにセラミック配線
板２の配線導体に位置合わせして、還元雰囲気８５０度
Ｃ、１０分の温度プロファイルを有する電気炉に投入す
る。この電気炉内のベルトに載せられ、入口から投入さ
れたセラミック配線板２（入出力ピン５がセットされて
いる）は、電気炉の出口に至るまでに、還元雰囲気でロ
ウ材４が溶かされ、図２に示すようにセラミック配線板
２と入出力ピン５が所定の位置に接合される。
（Ａｇ７２％）０．７５ｍｇを融着した入出力ピン（材
質は例えばコバール）５を、図示しないカーボン治具に
１５００本セットし、図２に示すようにセラミック配線
板２の配線導体に位置合わせして、還元雰囲気８５０度
Ｃ、１０分の温度プロファイルを有する電気炉に投入す
る。この電気炉内のベルトに載せられ、入口から投入さ
れたセラミック配線板２（入出力ピン５がセットされて
いる）は、電気炉の出口に至るまでに、還元雰囲気でロ
ウ材４が溶かされ、図２に示すようにセラミック配線板
２と入出力ピン５が所定の位置に接合される。
【００１２】その後、平均粒径５０μｍを有するアルミ
ナ系研削砥粒の濃度が１００ｇ／リットルとした水中
に、上記入出力ピン５が接合した配線板を浸漬し、１０
分間の超音波処理を行い、さらに水洗後、５％Ｈ2ＳＯ4
（硫酸）溶液中に浸漬して配線板表面の清浄化を行う。
すなわち、入出力ピンが接合されたセラミック配線板
は、ロウ付け時の熱処理による酸化物の形成あるいはロ
ウ付け治具（カーボン）からのカーボン付着が発生し、
めっき膜との密着性が低下する。これら酸化物および汚
れを研削砥粒を含有する水中で超音波処理することによ
り、水中の砥粒が振動し、配線板表面に衝突して酸化
物、汚れが除去され、清浄な被めっき表面が形成され
る。
ナ系研削砥粒の濃度が１００ｇ／リットルとした水中
に、上記入出力ピン５が接合した配線板を浸漬し、１０
分間の超音波処理を行い、さらに水洗後、５％Ｈ2ＳＯ4
（硫酸）溶液中に浸漬して配線板表面の清浄化を行う。
すなわち、入出力ピンが接合されたセラミック配線板
は、ロウ付け時の熱処理による酸化物の形成あるいはロ
ウ付け治具（カーボン）からのカーボン付着が発生し、
めっき膜との密着性が低下する。これら酸化物および汚
れを研削砥粒を含有する水中で超音波処理することによ
り、水中の砥粒が振動し、配線板表面に衝突して酸化
物、汚れが除去され、清浄な被めっき表面が形成され
る。
【００１３】次いで、無電解Ｎｉめっき液（例えば、日
本カニゼン、Ｓ６８０）を用い、配線板表面に約１μｍ
のＮｉめっき膜６（図３）を形成し、再度、セラミック
配線板を７５０度Ｃ、１０分（還元雰囲気）の温度プロ
ファイルを有する電気炉に投入する。これにより、Ｎｉ
膜の応力が緩和され、硬度が低下するので、折り曲げな
どに対してもＮｉ膜にクラックが発生しない。また、下
地金属であるコバールとめっき膜６との拡散処理、めっ
き膜３とめっき膜６との拡散処理が施され、密着性が向
上する。
本カニゼン、Ｓ６８０）を用い、配線板表面に約１μｍ
のＮｉめっき膜６（図３）を形成し、再度、セラミック
配線板を７５０度Ｃ、１０分（還元雰囲気）の温度プロ
ファイルを有する電気炉に投入する。これにより、Ｎｉ
膜の応力が緩和され、硬度が低下するので、折り曲げな
どに対してもＮｉ膜にクラックが発生しない。また、下
地金属であるコバールとめっき膜６との拡散処理、めっ
き膜３とめっき膜６との拡散処理が施され、密着性が向
上する。
【００１４】さらに、該配線板の脱脂液および５％Ｈ2
ＳＯ4溶液中に浸漬した後、９０度Ｃ、１０分間置換Ａ
ｕめっき液（例えば田中貴金属、レクトロレス・プレッ
プ）に浸漬して、配線板導体１および入出力ピン５、ロ
ウ材４上に約０．１μｍのＡｕ膜７（図３）を形成す
る。
ＳＯ4溶液中に浸漬した後、９０度Ｃ、１０分間置換Ａ
ｕめっき液（例えば田中貴金属、レクトロレス・プレッ
プ）に浸漬して、配線板導体１および入出力ピン５、ロ
ウ材４上に約０．１μｍのＡｕ膜７（図３）を形成す
る。
【００１５】図４は、本発明によって、めっき処理が施
されたセラミック配線板の斜視図である。また、図５
は、ＬＳＩチップの接続構造を示す。すなわち、図４の
セラミック配線板１１の配線パターン１５とＬＳＩチッ
プ９のチップ電極とをはんだボール１０で接続し、樹脂
８で封止する。しかる後、入出力ピン１２をコネクタ１
３に挿入することによって、プリント配線板１４との接
続が完了する。
されたセラミック配線板の斜視図である。また、図５
は、ＬＳＩチップの接続構造を示す。すなわち、図４の
セラミック配線板１１の配線パターン１５とＬＳＩチッ
プ９のチップ電極とをはんだボール１０で接続し、樹脂
８で封止する。しかる後、入出力ピン１２をコネクタ１
３に挿入することによって、プリント配線板１４との接
続が完了する。
【００１６】上記した方法で製造したセラミック配線板
は外部接続用ピンのＮｉ、Ａｕめっき膜の密着性が良好
であり、コネクタとの接続性、はんだ濡れ性さらにはピ
ン折れ曲げ試験においても良好な特性を示した。
は外部接続用ピンのＮｉ、Ａｕめっき膜の密着性が良好
であり、コネクタとの接続性、はんだ濡れ性さらにはピ
ン折れ曲げ試験においても良好な特性を示した。
【００１７】
【発明の効果】以上、説明したように、本発明によれ
ば、セラミック配線板および該配線板に接合された外部
接続用ピン（入出力ピンまたはリードピン）を量産性の
優れた無電解めっき液で一括してめっき処理しているの
で、セラミック配線板を低コストに製造することができ
る。また、セラミック配線板を水中で超音波処理した後
にＮｉめっき膜を形成しているので、めっき膜と下地金
属との密着性が向上し、さらにコネクタとの接続信頼性
も十分確保することができる。
ば、セラミック配線板および該配線板に接合された外部
接続用ピン（入出力ピンまたはリードピン）を量産性の
優れた無電解めっき液で一括してめっき処理しているの
で、セラミック配線板を低コストに製造することができ
る。また、セラミック配線板を水中で超音波処理した後
にＮｉめっき膜を形成しているので、めっき膜と下地金
属との密着性が向上し、さらにコネクタとの接続信頼性
も十分確保することができる。
【図１】セラミック配線板の断面図である。
【図２】セラミック配線板に入出力ピンを接合した断面
図である。
図である。
【図３】本発明によって、セラミック配線板と入出力ピ
ンにめっき膜を形成したときの断面図である。
ンにめっき膜を形成したときの断面図である。
【図４】本発明によって、めっき処理が施されたセラミ
ック配線板の斜視図である。
ック配線板の斜視図である。
【図５】ＬＳＩチップの接続構造を示す。
１ 配線導体 ２ セラミック配線板 ３、６ 無電解ニッケルめっき膜 ４ 銀−銅ロウ材 ５ 入出力ピン ７ 無電解金めっき膜
Claims (1)
- 【請求項１】 タングステンまたはモリブデンの焼結導
体を有するセラミック配線板の表面導体にニッケルめっ
き膜を形成し、該セラミック配線板の所定位置にロウ材
によって外部接続ピンを接合したセラミック配線板のめ
っき方法において、該セラミック配線板および該配線板
に接合された外部接続ピンを、研削砥粒を含有する水中
で超音波処理した後、無電解ニッケルめっき膜を形成
し、次いで該セラミック配線板および該配線板に接合さ
れた外部接続ピンを熱処理し、続いて該セラミック配線
板および該配線板に接合された外部接続ピンに無電解金
めっき膜を形成することを特徴とするセラミック配線板
のめっき方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6082904A JPH07297337A (ja) | 1994-04-21 | 1994-04-21 | セラミック配線板のめっき方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6082904A JPH07297337A (ja) | 1994-04-21 | 1994-04-21 | セラミック配線板のめっき方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07297337A true JPH07297337A (ja) | 1995-11-10 |
Family
ID=13787252
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6082904A Pending JPH07297337A (ja) | 1994-04-21 | 1994-04-21 | セラミック配線板のめっき方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07297337A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001274289A (ja) * | 2000-03-23 | 2001-10-05 | Ngk Spark Plug Co Ltd | フリップチップ用パッケージ及びその製造方法 |
| JP2009238790A (ja) * | 2008-03-25 | 2009-10-15 | Mitsubishi Materials Corp | パワーモジュール用基板の製造方法 |
-
1994
- 1994-04-21 JP JP6082904A patent/JPH07297337A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001274289A (ja) * | 2000-03-23 | 2001-10-05 | Ngk Spark Plug Co Ltd | フリップチップ用パッケージ及びその製造方法 |
| JP2009238790A (ja) * | 2008-03-25 | 2009-10-15 | Mitsubishi Materials Corp | パワーモジュール用基板の製造方法 |
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