JPH07297468A - 光増幅器 - Google Patents
光増幅器Info
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- JPH07297468A JPH07297468A JP6088864A JP8886494A JPH07297468A JP H07297468 A JPH07297468 A JP H07297468A JP 6088864 A JP6088864 A JP 6088864A JP 8886494 A JP8886494 A JP 8886494A JP H07297468 A JPH07297468 A JP H07297468A
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- Japan
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- light
- fiber
- optical
- gain
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/32—Non-oxide glass compositions, e.g. binary or ternary halides, sulfides or nitrides of germanium, selenium or tellurium
- C03C3/325—Fluoride glasses
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C13/00—Fibre or filament compositions
- C03C13/04—Fibre optics, e.g. core and clad fibre compositions
- C03C13/041—Non-oxide glass compositions
- C03C13/042—Fluoride glass compositions
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- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
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- Optical Fibers, Optical Fiber Cores, And Optical Fiber Bundles (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 励起光の出力強度の時間変動に伴う利得の変
動または雑音の発生を抑制した光ファイバ増幅器を提供
する。 【構成】 希土類が添加された物質を増幅媒体とした光
増幅器の前記増幅媒体の入力または出力端の少なくとも
一方に光反射体を挿入した。
動または雑音の発生を抑制した光ファイバ増幅器を提供
する。 【構成】 希土類が添加された物質を増幅媒体とした光
増幅器の前記増幅媒体の入力または出力端の少なくとも
一方に光反射体を挿入した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、励起光源の出力変動に
起因する利得の変動を抑える構造を有する光増幅器に関
するものである。
起因する利得の変動を抑える構造を有する光増幅器に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、光ファイバのコアに希土類イオ
ン、例えば、エルビウム（Ｅｒ）を添加した光ファイバ
を増幅媒体とした光ファイバ増幅器が開発され、光通信
システムへの応用が進められている。
ン、例えば、エルビウム（Ｅｒ）を添加した光ファイバ
を増幅媒体とした光ファイバ増幅器が開発され、光通信
システムへの応用が進められている。
【０００３】光増幅器に要求される基本特性の一つとし
て、利得の時間変動ができるだけ小さいことが、挙げら
れる。これは次のような理由のためである。すなわち、
第１に、利得が変動すると、光増幅器より出力される光
信号のレベルが変動することになり、そのシステムに決
められた受光レベルにまで光信号を増幅できないことが
起こる可能性が生じるためである。第２に、アナログ伝
送システムに応用した場合、その利得の変動は、雑音の
原因となり、伝送特性を劣化させることになるためであ
る。
て、利得の時間変動ができるだけ小さいことが、挙げら
れる。これは次のような理由のためである。すなわち、
第１に、利得が変動すると、光増幅器より出力される光
信号のレベルが変動することになり、そのシステムに決
められた受光レベルにまで光信号を増幅できないことが
起こる可能性が生じるためである。第２に、アナログ伝
送システムに応用した場合、その利得の変動は、雑音の
原因となり、伝送特性を劣化させることになるためであ
る。
【０００４】利得変動の原因として、励起用半導体レー
ザの出力変動がある。Ｅｒ添加ファイバ増幅器（ＥＤＦ
Ａ）の場合、１．５５μｍの増幅を起こす 4Ｉ13/2→ 4
Ｉ15/2遷移の始準位である 4Ｉ13/2準位の寿命が１０ｍ
ｓｅｃ以上であり、約１００Ｈｚ以上の周波数の励起光
の変動には、 4Ｉ13/2準位のポピュレーションは追従せ
ず、利得の変動は起こりにくい。利得の変動が起こるの
は、約１００Ｈｚより近い励起光変動に対してである。
このような低周期の変動には、ＡＧＣ（ａｕｔｏｍａｔ
ｉｃ ｇａｉｎ ｃｏｎｔｒｏｌ：自動利得制御：利得
をモニターして励起用半導体レーザの駆動電流に制御か
けて利得を一定に保つ方法）が有効であり、実際に用い
られている。
ザの出力変動がある。Ｅｒ添加ファイバ増幅器（ＥＤＦ
Ａ）の場合、１．５５μｍの増幅を起こす 4Ｉ13/2→ 4
Ｉ15/2遷移の始準位である 4Ｉ13/2準位の寿命が１０ｍ
ｓｅｃ以上であり、約１００Ｈｚ以上の周波数の励起光
の変動には、 4Ｉ13/2準位のポピュレーションは追従せ
ず、利得の変動は起こりにくい。利得の変動が起こるの
は、約１００Ｈｚより近い励起光変動に対してである。
このような低周期の変動には、ＡＧＣ（ａｕｔｏｍａｔ
ｉｃ ｇａｉｎ ｃｏｎｔｒｏｌ：自動利得制御：利得
をモニターして励起用半導体レーザの駆動電流に制御か
けて利得を一定に保つ方法）が有効であり、実際に用い
られている。
【０００５】ところで、１．３μｍ帯の光増幅において
研究されているプラセオジム（Ｐｒ）添加ファイバ増幅
器（ＰＤＦＡ）の場合、増幅の始準位である1 Ｇ4 準位
の寿命は、０．１ｍｓｅｃと短く、１０ｋＨｚ程度の励
起光の変動によっても利得の変動は起こる。しかし、こ
の程度の変動周波数の場合、ＡＧＣにより補正は難し
く、現在のところ、利得変動を抑える手法はない。その
ため、励起光源の出力変動に起因する利得変動を抑える
手法の開発が望まれているのが現状である。
研究されているプラセオジム（Ｐｒ）添加ファイバ増幅
器（ＰＤＦＡ）の場合、増幅の始準位である1 Ｇ4 準位
の寿命は、０．１ｍｓｅｃと短く、１０ｋＨｚ程度の励
起光の変動によっても利得の変動は起こる。しかし、こ
の程度の変動周波数の場合、ＡＧＣにより補正は難し
く、現在のところ、利得変動を抑える手法はない。その
ため、励起光源の出力変動に起因する利得変動を抑える
手法の開発が望まれているのが現状である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、励起
光の出力強度の時間変動に伴う利得の変動または雑音の
発生を抑制した光ファイバ増幅器、特にＰｒ添加光ファ
イバ増幅器を提供することにある。
光の出力強度の時間変動に伴う利得の変動または雑音の
発生を抑制した光ファイバ増幅器、特にＰｒ添加光ファ
イバ増幅器を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、図１に示すよ
うに、Ｙｂ3+の 3Ｆ5/2 準位を励起し、 2Ｆ5/2 準位か
らＰｒ3+の 1Ｇ4 位へのエネルギー移動により 1Ｇ4 準
位を励起して、 1Ｇ4→ 3Ｈ5 遷移による１．３μｎの
増幅を起こさせるに際し、Ｙｂ3+の 2Ｆ5/2 →2Ｆ7/2
遷移によるレーザ発信を同時に起こさせることを、最も
主要な特徴とする。
うに、Ｙｂ3+の 3Ｆ5/2 準位を励起し、 2Ｆ5/2 準位か
らＰｒ3+の 1Ｇ4 位へのエネルギー移動により 1Ｇ4 準
位を励起して、 1Ｇ4→ 3Ｈ5 遷移による１．３μｎの
増幅を起こさせるに際し、Ｙｂ3+の 2Ｆ5/2 →2Ｆ7/2
遷移によるレーザ発信を同時に起こさせることを、最も
主要な特徴とする。
【０００８】すなわち、本発明に係る光増幅器は、希土
類元素が添加された物質を増幅媒体とした光増幅器にお
いて、前記増幅媒体の入力または出力端の少なくとも一
方に光反射体を挿入したことを特徴としている。さら
に、前記増幅媒体として、コアにＰｒおよびＹｂが添加
された光ファイバが用いられているものが適当である。
類元素が添加された物質を増幅媒体とした光増幅器にお
いて、前記増幅媒体の入力または出力端の少なくとも一
方に光反射体を挿入したことを特徴としている。さら
に、前記増幅媒体として、コアにＰｒおよびＹｂが添加
された光ファイバが用いられているものが適当である。
【０００９】
【作用】従来のＰＤＦＡは、図１に示すように、コアに
Ｐｒのみを添加したファイバを増幅媒体とし、Ｐｒの 1
Ｇ4 準位を波長１．０１７μｍ付近の光で直接励起して
１．３μｍの増幅を起こさせるか、または、コアにＰｒ
およびＹｂを共添加したファイバを増幅媒体として、例
えば、波長０．９８μｍで励起し、Ｙｂの 2Ｆ5/2 → 2
Ｆ7/2 遷移によるレーザ発信を起こさせることなく、Ｙ
ｂからＰｒにエネルギー移動を起こさせてＰｒの 1Ｇ4
準位を励起し、波長１．３μｍの光を増幅させていた。
しかし、この方法では、励起状態イオン密度は、励起光
強度に比例するため、励起光強度が何らかの理由で変動
すると、それに従属して励起状態イオン密度が変化して
しまい、その結果、利得の変動が生じる。
Ｐｒのみを添加したファイバを増幅媒体とし、Ｐｒの 1
Ｇ4 準位を波長１．０１７μｍ付近の光で直接励起して
１．３μｍの増幅を起こさせるか、または、コアにＰｒ
およびＹｂを共添加したファイバを増幅媒体として、例
えば、波長０．９８μｍで励起し、Ｙｂの 2Ｆ5/2 → 2
Ｆ7/2 遷移によるレーザ発信を起こさせることなく、Ｙ
ｂからＰｒにエネルギー移動を起こさせてＰｒの 1Ｇ4
準位を励起し、波長１．３μｍの光を増幅させていた。
しかし、この方法では、励起状態イオン密度は、励起光
強度に比例するため、励起光強度が何らかの理由で変動
すると、それに従属して励起状態イオン密度が変化して
しまい、その結果、利得の変動が生じる。
【００１０】これに対して、レーザ発振状態では、レー
ザ発振の始準位の励起状態イオン密度は、励起光強度に
よらず一定となる。したがって、Ｙｂの 2Ｆ5/2 → 2Ｆ
7/2移のレーザ発振を起こさせることにより、 2Ｆ5/2
準位の励起状態イオン密度を一定とし、この状態でＹｂ
の 2Ｆ5/2 準位からＰｒの 1Ｇ4 準位へのエネルギー移
動を利用してＰｒの 1Ｇ4 準位を励起すれば、励起光強
度が変動しても、 1Ｇ4 準位の励起状態イオン密度は変
化することはない。
ザ発振の始準位の励起状態イオン密度は、励起光強度に
よらず一定となる。したがって、Ｙｂの 2Ｆ5/2 → 2Ｆ
7/2移のレーザ発振を起こさせることにより、 2Ｆ5/2
準位の励起状態イオン密度を一定とし、この状態でＹｂ
の 2Ｆ5/2 準位からＰｒの 1Ｇ4 準位へのエネルギー移
動を利用してＰｒの 1Ｇ4 準位を励起すれば、励起光強
度が変動しても、 1Ｇ4 準位の励起状態イオン密度は変
化することはない。
【００１１】本発明では、このようにＹｂの 2Ｆ5/2 →
2Ｆ7/2 遷移のレーザ発振を積極的に起こさせる構成、
すなわち、増幅媒体の入力または出力端の少なくとも一
方に光反射体を挿入した構成を増幅器構造に導入した点
が従来の光増幅器と異なる。
2Ｆ7/2 遷移のレーザ発振を積極的に起こさせる構成、
すなわち、増幅媒体の入力または出力端の少なくとも一
方に光反射体を挿入した構成を増幅器構造に導入した点
が従来の光増幅器と異なる。
【００１２】
【実施例】以下、実施例により本発明をさらに具体的に
説明する。
説明する。
【００１３】（実施例１）コアが５６ＺｒＦ4 −１４Ｂ
ａＦ2 −３．５ＬａＦ3 −２．５ＡｌＦ3 −７ＬｉＦ
（モル％）からなり、クラッドが４７．５ＺｒＦ4 −２
３．５ＢａＦ2 −２．５ＬａＦ3 −２．５ＹＦ3 −４．
５ＡｌＦ3 −２０ＮａＦ（モル％）の成分からなり、前
記コアにＰｒ（２０００ｐｐｍ）およびＹｂ（３０００
ｐｐｍ）が添加されたフッ化物光ファイバ（コア径１．
８μｍ、比屈折率差Δｎ＝３．７％）の４ｍを増幅媒体
として、図２の構成で１．３μｍの光増幅を行った。つ
まり、励起用半導体レーザ１（発振波長０．９４μｍ）
および光信号用半導体レーザ２（発振波長１．３０μ
ｍ）を光カプラ３に光学的に結合して合波し、上記組成
の増幅用ファイバ５に入射させるようにした。
ａＦ2 −３．５ＬａＦ3 −２．５ＡｌＦ3 −７ＬｉＦ
（モル％）からなり、クラッドが４７．５ＺｒＦ4 −２
３．５ＢａＦ2 −２．５ＬａＦ3 −２．５ＹＦ3 −４．
５ＡｌＦ3 −２０ＮａＦ（モル％）の成分からなり、前
記コアにＰｒ（２０００ｐｐｍ）およびＹｂ（３０００
ｐｐｍ）が添加されたフッ化物光ファイバ（コア径１．
８μｍ、比屈折率差Δｎ＝３．７％）の４ｍを増幅媒体
として、図２の構成で１．３μｍの光増幅を行った。つ
まり、励起用半導体レーザ１（発振波長０．９４μｍ）
および光信号用半導体レーザ２（発振波長１．３０μ
ｍ）を光カプラ３に光学的に結合して合波し、上記組成
の増幅用ファイバ５に入射させるようにした。
【００１４】増幅用ファイバ５の両端には、励起波長
０．９４μｍ、信号波長１．３０μｍで９９％以上の透
過率を有し、１．０４μｍで５０％の反射率を有する光
反射体４，６を挿入して、増幅用ファイバ５を光カプラ
３とに光学的に結合するとともに、光ファイバピグテイ
ル７に光学的に結合した。光ファイバピグテイル７から
の出力は光スペクトルアナライザ８でモニターした。
０．９４μｍ、信号波長１．３０μｍで９９％以上の透
過率を有し、１．０４μｍで５０％の反射率を有する光
反射体４，６を挿入して、増幅用ファイバ５を光カプラ
３とに光学的に結合するとともに、光ファイバピグテイ
ル７に光学的に結合した。光ファイバピグテイル７から
の出力は光スペクトルアナライザ８でモニターした。
【００１５】図３は、本実施例１の光増幅器で得られた
１．３０μｍにおける利得の励起光強度依存性である。
励起光強度が０ｍＷから約４５０ｍＷまでの利得は、励
起光強度の増大にしたがって増加していったが、４５０
ｍＷ以上では励起光強度が増加しても利得は増大しなか
った。この励起光強度領域では、光スペクトルアナライ
ザ８でモニターしたところ、１．０４μｍでレーザ発振
が起こっていた。４５０ｍＷ以上の励起光強度領域で利
得が一定となったのは、Ｙｂによる１．０４μｍのレー
ザ発振が起こったため、そのレーザ始準位である 2Ｆ
5/2 準位の励起密度が励起光強度によらず一定となり、
その結果、 2Ｆ5/2 準位からのエネルギー移動により励
起されるＰｒの 1Ｇ4 準位の励起密度が一定となったた
めである。
１．３０μｍにおける利得の励起光強度依存性である。
励起光強度が０ｍＷから約４５０ｍＷまでの利得は、励
起光強度の増大にしたがって増加していったが、４５０
ｍＷ以上では励起光強度が増加しても利得は増大しなか
った。この励起光強度領域では、光スペクトルアナライ
ザ８でモニターしたところ、１．０４μｍでレーザ発振
が起こっていた。４５０ｍＷ以上の励起光強度領域で利
得が一定となったのは、Ｙｂによる１．０４μｍのレー
ザ発振が起こったため、そのレーザ始準位である 2Ｆ
5/2 準位の励起密度が励起光強度によらず一定となり、
その結果、 2Ｆ5/2 準位からのエネルギー移動により励
起されるＰｒの 1Ｇ4 準位の励起密度が一定となったた
めである。
【００１６】また、励起光強度を５５０ｍＷを中心とし
て振幅２０ｍＷで０Ｈｚから２００ＭＨｚに亘り強度変
調をかけて、１．３０μｍの増幅された信号強度の周波
数スペクトルを測定したところ、励起光強度に追従する
信号光の変動はなく、時間的に安定した出力が得られる
ことがわかった。
て振幅２０ｍＷで０Ｈｚから２００ＭＨｚに亘り強度変
調をかけて、１．３０μｍの増幅された信号強度の周波
数スペクトルを測定したところ、励起光強度に追従する
信号光の変動はなく、時間的に安定した出力が得られる
ことがわかった。
【００１７】本実施例で、励起波長を０．９４μｍとし
たのは、Ｐｒの 1Ｇ4 準位の吸収帯の中心波長である
１．０１７μｍを外すことにより、Ｐｒが直接励起され
る割合を減じ、Ｙｂのレーザ発振による利得の固定効果
を出しやすくしたためであるが、実際に使用できる励起
波長は、この波長に限られるものではない。
たのは、Ｐｒの 1Ｇ4 準位の吸収帯の中心波長である
１．０１７μｍを外すことにより、Ｐｒが直接励起され
る割合を減じ、Ｙｂのレーザ発振による利得の固定効果
を出しやすくしたためであるが、実際に使用できる励起
波長は、この波長に限られるものではない。
【００１８】１．０１７μｍから０．８０μｍの波長で
励起した場合でも利得の固定現象は観測できた。ただ
し、励起波長をＹｂの中心吸収波長である０．９８μｍ
より短波長側に大きく（例えば、０．８μｍに近い波長
に）離す場合には、励起光の吸収能を上げるため、Ｙｂ
の濃度を増加させることが有効である。また、１．０１
７μｍより長波長（例えば、１．０２９μｍ、１．０４
７μｍ、１．０５３μｍ）で励起しても有効であった。
励起した場合でも利得の固定現象は観測できた。ただ
し、励起波長をＹｂの中心吸収波長である０．９８μｍ
より短波長側に大きく（例えば、０．８μｍに近い波長
に）離す場合には、励起光の吸収能を上げるため、Ｙｂ
の濃度を増加させることが有効である。また、１．０１
７μｍより長波長（例えば、１．０２９μｍ、１．０４
７μｍ、１．０５３μｍ）で励起しても有効であった。
【００１９】（適用例）前記実施例１の構成で、励起光
源を発振波長０．９８μｍの半導体レーザとした光増幅
器を、アナログ（ＡＭ）映像伝送に応用した。その結
果、ＣＮＲ（キャリア雑音比）５５ｄＢ以上の良好な映
像伝送を行うことができた。
源を発振波長０．９８μｍの半導体レーザとした光増幅
器を、アナログ（ＡＭ）映像伝送に応用した。その結
果、ＣＮＲ（キャリア雑音比）５５ｄＢ以上の良好な映
像伝送を行うことができた。
【００２０】（実施例２）図４は、本発明の第２の実施
例に係る光増幅器の構成図であり、この光増幅器は、実
施例１において反射体４および６を取り除き、増幅用フ
ァイバ５（実施例１と同一仕様）の一端を直接光カプラ
３に接続し、他端に１．０５μｍでの反射率４０％で、
１．３０μｍでの透過率９５％のファイバグレーティン
グ（光反射体）９を結合したものである。この光増幅器
を、０．９８μｍの波長で励起したところ、実施例１と
同様、１．３０μｍの利得の固定現象が観測された。こ
のとき、Ｙｂによる１．０５μｍのレーザ発振が起こっ
ていた。
例に係る光増幅器の構成図であり、この光増幅器は、実
施例１において反射体４および６を取り除き、増幅用フ
ァイバ５（実施例１と同一仕様）の一端を直接光カプラ
３に接続し、他端に１．０５μｍでの反射率４０％で、
１．３０μｍでの透過率９５％のファイバグレーティン
グ（光反射体）９を結合したものである。この光増幅器
を、０．９８μｍの波長で励起したところ、実施例１と
同様、１．３０μｍの利得の固定現象が観測された。こ
のとき、Ｙｂによる１．０５μｍのレーザ発振が起こっ
ていた。
【００２１】上記実施例１、２では、Ｐｒのホストとし
てフッ化物光ファイバを用いたが、他のホスト、例え
ば、カルコゲナイド光ファイバ、ＩｎＦ3 系フッ化物光
ファイバ、テルライト光ファイバ、ミックスドハライド
光ファイバであってもよい。
てフッ化物光ファイバを用いたが、他のホスト、例え
ば、カルコゲナイド光ファイバ、ＩｎＦ3 系フッ化物光
ファイバ、テルライト光ファイバ、ミックスドハライド
光ファイバであってもよい。
【００２２】また、Ｙｂのレーザ発振を起こさせる波長
は、１．０４μｍ、１．０５μｍに限定される訳ではな
く、励起波長より長波長側ならばよい。したがって、光
反射体の特性も起こさせようとするレーザ発振に合わせ
て設計すればよい。
は、１．０４μｍ、１．０５μｍに限定される訳ではな
く、励起波長より長波長側ならばよい。したがって、光
反射体の特性も起こさせようとするレーザ発振に合わせ
て設計すればよい。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
励起光強度の変動による利得変動のない光ファイバ増幅
器が得られる。したがって、優れた雑音特性が要求され
るアナログ（例えば、ＡＭ変調方式による）映像伝送方
式に応用することも可能であり、映像伝送方式の高性能
化、経済化に貢献できる、という利点がある。
励起光強度の変動による利得変動のない光ファイバ増幅
器が得られる。したがって、優れた雑音特性が要求され
るアナログ（例えば、ＡＭ変調方式による）映像伝送方
式に応用することも可能であり、映像伝送方式の高性能
化、経済化に貢献できる、という利点がある。
【図１】本発明の特徴を説明するためのエネルギーダイ
ヤグラムである。
ヤグラムである。
【図２】本発明の第１の実施例に係る光増幅器の構成図
である。
である。
【図３】本発明の第１の実施例に係る光増幅器の利得特
性を示すグラフである。
性を示すグラフである。
【図４】本発明の第２の実施例に係る光増幅器の構成図
である。
である。
１ 励起用半導体レーザ ２ 信号光源 ３ 光カプラ ４ 光反射体 ５ 増幅用ファイバ ６ 光反射体 ７ 光ファイバピグテイル ８ 光スペクトラムアナライザ ９ ファイバグレーティング（光反射体）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｓ 3/10 Ｚ 3/17 (72)発明者 山田 誠 東京都千代田区内幸町１丁目１番６号 日 本電信電話株式会社内 (72)発明者 須藤 昭一 東京都千代田区内幸町１丁目１番６号 日 本電信電話株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 希土類元素が添加された物質を増幅媒体
とした光増幅器において、 前記増幅媒体の入力または出力端の少なくとも一方に光
反射体が挿入されていることを特徴とする光増幅器。 - 【請求項２】 前記増幅媒体として、コアにプラセオジ
ム（Ｐｒ）およびイッテルビウム（Ｙｂ）が添加された
光ファイバが用いられていることを特徴とする請求項１
に記載の光増幅器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08886494A JP3228390B2 (ja) | 1994-04-26 | 1994-04-26 | 光増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08886494A JP3228390B2 (ja) | 1994-04-26 | 1994-04-26 | 光増幅器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07297468A true JPH07297468A (ja) | 1995-11-10 |
| JP3228390B2 JP3228390B2 (ja) | 2001-11-12 |
Family
ID=13954879
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08886494A Expired - Lifetime JP3228390B2 (ja) | 1994-04-26 | 1994-04-26 | 光増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3228390B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6178039B1 (en) | 1998-02-25 | 2001-01-23 | Nec Corporation | Light source module and an optical amplifier using the same |
| US7359638B2 (en) | 2002-08-14 | 2008-04-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Optical source generator for wavelength division multiplexing optical communication systems |
-
1994
- 1994-04-26 JP JP08886494A patent/JP3228390B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6178039B1 (en) | 1998-02-25 | 2001-01-23 | Nec Corporation | Light source module and an optical amplifier using the same |
| US7359638B2 (en) | 2002-08-14 | 2008-04-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Optical source generator for wavelength division multiplexing optical communication systems |
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| JP3228390B2 (ja) | 2001-11-12 |
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