JPH0729898A - 半導体製造方法 - Google Patents
半導体製造方法Info
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- JPH0729898A JPH0729898A JP5175738A JP17573893A JPH0729898A JP H0729898 A JPH0729898 A JP H0729898A JP 5175738 A JP5175738 A JP 5175738A JP 17573893 A JP17573893 A JP 17573893A JP H0729898 A JPH0729898 A JP H0729898A
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- gas
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- semiconductor
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-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
- H10P14/63—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the formation processes
- H10P14/6302—Non-deposition formation processes
- H10P14/6304—Formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate
- H10P14/6306—Formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate of the semiconductor materials
- H10P14/6308—Formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate of the semiconductor materials of Group IV semiconductors
- H10P14/6309—Formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate of the semiconductor materials of Group IV semiconductors of silicon in uncombined form, i.e. pure silicon
-
- H—ELECTRICITY
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- H10P14/6319—Formation by plasma treatments, e.g. plasma oxidation of the substrate
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、低温処理でありながら極めて高い
絶縁特性を有する酸化膜を形成することを可能とする高
特性半導体の製造方法を提供することを目的とする。 【構成】 半導体ウエハまたは金属薄膜表面を酸化し酸
化膜を形成する工程において、不活性ガス及び酸素ガス
を含む混合ガスのプラズマ雰囲気中で酸化膜を形成し、
該酸化膜中に不活性ガスを含有させることを特徴とす
る。
絶縁特性を有する酸化膜を形成することを可能とする高
特性半導体の製造方法を提供することを目的とする。 【構成】 半導体ウエハまたは金属薄膜表面を酸化し酸
化膜を形成する工程において、不活性ガス及び酸素ガス
を含む混合ガスのプラズマ雰囲気中で酸化膜を形成し、
該酸化膜中に不活性ガスを含有させることを特徴とす
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体製造方法に係わ
り、特に半導体の製造工程における酸化工程に適合した
半導体製造方法に関する。
り、特に半導体の製造工程における酸化工程に適合した
半導体製造方法に関する。
【０００２】
【背景技術】ＬＳＩ製造プロセスで広く用いられている
酸化法には常圧下でのドライ酸化法とウェット酸化法が
ある。いずれの場合も、９００℃〜１０００℃という高
温下で酸素ガスを導入しながら酸化を行うものであるた
め、ウエハの熱歪、不純物再分布という問題が生じる。
酸化法には常圧下でのドライ酸化法とウェット酸化法が
ある。いずれの場合も、９００℃〜１０００℃という高
温下で酸素ガスを導入しながら酸化を行うものであるた
め、ウエハの熱歪、不純物再分布という問題が生じる。
【０００３】そこで近年、酸素プラズマによる低温酸化
の検討が試みられている。これは数１０ｍＴｏｒｒ〜数
１００ｍＴｏｒｒの酸素ガス中に高周波電界を印加し、
Ｏ+やＯ2 +を生成させて酸化膜を形成する方法である。
酸素イオンあるいは励起状態にあるＯ2雰囲気中にシリ
コンなどの半導体ウエハを置くことにより、９００℃以
下のウエハ温度で、酸化膜を形成することが可能とな
る。
の検討が試みられている。これは数１０ｍＴｏｒｒ〜数
１００ｍＴｏｒｒの酸素ガス中に高周波電界を印加し、
Ｏ+やＯ2 +を生成させて酸化膜を形成する方法である。
酸素イオンあるいは励起状態にあるＯ2雰囲気中にシリ
コンなどの半導体ウエハを置くことにより、９００℃以
下のウエハ温度で、酸化膜を形成することが可能とな
る。
【０００４】図５は、シリコンウエハ温度が４５０℃の
場合、酸素プラズマで生成するシリコン酸化膜の膜厚と
酸化時間との関係を示したものである。このときの酸素
ガス圧は６ｍＴｏｒｒであり、周波数１００ＭＨｚ、５
０Ｗの高周波電界を印加して、酸素プラズマを生成して
いる。図が示すように、酸化時間に伴いシリコン酸化膜
が増加しており、酸素プラズマ中でシリコンウエハ表面
が酸化されていることが分かる。
場合、酸素プラズマで生成するシリコン酸化膜の膜厚と
酸化時間との関係を示したものである。このときの酸素
ガス圧は６ｍＴｏｒｒであり、周波数１００ＭＨｚ、５
０Ｗの高周波電界を印加して、酸素プラズマを生成して
いる。図が示すように、酸化時間に伴いシリコン酸化膜
が増加しており、酸素プラズマ中でシリコンウエハ表面
が酸化されていることが分かる。
【０００５】しかし、上記従来技術では、半導体ウエハ
表面層と酸化膜との界面において、半導体ウエハ表面層
原子と酸素との結合状態は、酸化膜中での結合状態と異
なるものとなる。図６は、酸素プラズマ中でシリコンウ
エハを酸化して形成したシリコン酸化膜（４７Å）のＸ
線光電子分光スペクトルである。ここで使用したＸ線源
はＡｌＫαである。図には、Ｓi2Pに起因する３本のピ
ークが観られる。即ち、シリコンウエハからのピーク２
ｂとＳｉＯ2からのピーク２ａの他に、ピーク２ｃが観
られる。このピーク２ｃはＳｉとシリコン酸化膜との界
面あるいはシリコン酸化膜中にＳｉＯ2以外のＳｉとＯ
の結合があることを示している。Ｓｉとシリコン酸化膜
との界面あるいはシリコン酸化膜中にＳｉＯ2以外のＳ
ｉとＯの結合があると、酸化膜の絶縁耐圧不良が発生し
やすくなる。
表面層と酸化膜との界面において、半導体ウエハ表面層
原子と酸素との結合状態は、酸化膜中での結合状態と異
なるものとなる。図６は、酸素プラズマ中でシリコンウ
エハを酸化して形成したシリコン酸化膜（４７Å）のＸ
線光電子分光スペクトルである。ここで使用したＸ線源
はＡｌＫαである。図には、Ｓi2Pに起因する３本のピ
ークが観られる。即ち、シリコンウエハからのピーク２
ｂとＳｉＯ2からのピーク２ａの他に、ピーク２ｃが観
られる。このピーク２ｃはＳｉとシリコン酸化膜との界
面あるいはシリコン酸化膜中にＳｉＯ2以外のＳｉとＯ
の結合があることを示している。Ｓｉとシリコン酸化膜
との界面あるいはシリコン酸化膜中にＳｉＯ2以外のＳ
ｉとＯの結合があると、酸化膜の絶縁耐圧不良が発生し
やすくなる。
【０００６】図７は、酸素プラズマ中で、シリコンウエ
ハを酸化させて酸化膜を形成し、更に酸化膜上にＡｌ電
極を形成したＭＯＳダイオードの絶縁耐圧分布を調べた
ものである。熱酸化膜の場合、絶縁耐圧は１０ＭＶ／ｃ
ｍ以上であるのに対し、Ｏ2プラズマによる酸化膜では
絶縁耐圧は最大でも６ＭＶ／ｃｍと非常に低い値となっ
ている。
ハを酸化させて酸化膜を形成し、更に酸化膜上にＡｌ電
極を形成したＭＯＳダイオードの絶縁耐圧分布を調べた
ものである。熱酸化膜の場合、絶縁耐圧は１０ＭＶ／ｃ
ｍ以上であるのに対し、Ｏ2プラズマによる酸化膜では
絶縁耐圧は最大でも６ＭＶ／ｃｍと非常に低い値となっ
ている。
【０００７】以上述べたように、従来の酸素プラズマに
よる酸化は、低温で酸化膜が得られるという利点はある
ものの、得られる酸化膜の絶縁特性は熱酸化膜に比べて
大幅に劣るという問題がある。
よる酸化は、低温で酸化膜が得られるという利点はある
ものの、得られる酸化膜の絶縁特性は熱酸化膜に比べて
大幅に劣るという問題がある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】以上の状況において、
本発明は、低温処理でありながら極めて高い絶縁特性を
有する酸化膜を形成することを可能とする高特性半導体
の製造方法を提供することを目的とする。
本発明は、低温処理でありながら極めて高い絶縁特性を
有する酸化膜を形成することを可能とする高特性半導体
の製造方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体製造方法
は、半導体ウエハまたは金属薄膜表面を酸化し酸化膜を
形成する工程において、不活性ガス及び酸素ガスを含む
混合ガスのプラズマ雰囲気中で酸化膜を形成し、該酸化
膜中に不活性ガスを含有させることを特徴とする。
は、半導体ウエハまたは金属薄膜表面を酸化し酸化膜を
形成する工程において、不活性ガス及び酸素ガスを含む
混合ガスのプラズマ雰囲気中で酸化膜を形成し、該酸化
膜中に不活性ガスを含有させることを特徴とする。
【００１０】
【作用】本発明の製造方法によれば、酸化膜形成時に酸
化膜中に不活性ガスを含ませることにより、現在のとこ
ろその理由は明かではないが、半導体ウエハ（あるいは
金属薄膜）表面層の原子と酸素原子を安定に結合させる
ことが可能となる。従って、酸化膜の膜質が高品質にな
り、絶縁耐圧を向上させることが可能となる。しかも、
酸化膜形成時に不活性ガスが含まれていれば良く、後の
工程で酸化膜から抜け出ても半導体原子（あるいは金属
原子）と酸素原子間の安定な結合状態は保たれ、絶縁特
性は維持される。
化膜中に不活性ガスを含ませることにより、現在のとこ
ろその理由は明かではないが、半導体ウエハ（あるいは
金属薄膜）表面層の原子と酸素原子を安定に結合させる
ことが可能となる。従って、酸化膜の膜質が高品質にな
り、絶縁耐圧を向上させることが可能となる。しかも、
酸化膜形成時に不活性ガスが含まれていれば良く、後の
工程で酸化膜から抜け出ても半導体原子（あるいは金属
原子）と酸素原子間の安定な結合状態は保たれ、絶縁特
性は維持される。
【００１１】
【実施例】以下に本発明に係る半導体製造方法の実施例
を図面に基づいて説明する。
を図面に基づいて説明する。
【００１２】図１は半導体ウエハをプラズマによって酸
化する装置の概念図である。本装置の特徴は、高周波電
源１０１によって例えば１００ＭＨｚの高周波電界を上
部電極１０３に印加させ、チャンバ内に導入されたＯ2
ガスとＡｒガスを効率よく放電させ、プラズマを生成さ
せる。
化する装置の概念図である。本装置の特徴は、高周波電
源１０１によって例えば１００ＭＨｚの高周波電界を上
部電極１０３に印加させ、チャンバ内に導入されたＯ2
ガスとＡｒガスを効率よく放電させ、プラズマを生成さ
せる。
【００１３】一方、高周波電源１０４によって、例えば
数１０ＭＨｚの高周波電界を下部電極１０５に印加する
ことにより、下部電極１０５上に置かれた半導体ウエハ
１０６表面の電位を制御することができる。この電位
は、高周波電源１０４の出力を変えることにより、自由
に変えることが可能であり、Ａｒ、Ｏ2混合プラズマの
電位より小さくなるように制御すれば、Ａｒプラズマ中
のＡｒイオンを半導体ウエハ１０６表面上に照射するこ
とができる。また半導体ウエハ１０６は、ヒータ１０７
によって加熱される。
数１０ＭＨｚの高周波電界を下部電極１０５に印加する
ことにより、下部電極１０５上に置かれた半導体ウエハ
１０６表面の電位を制御することができる。この電位
は、高周波電源１０４の出力を変えることにより、自由
に変えることが可能であり、Ａｒ、Ｏ2混合プラズマの
電位より小さくなるように制御すれば、Ａｒプラズマ中
のＡｒイオンを半導体ウエハ１０６表面上に照射するこ
とができる。また半導体ウエハ１０６は、ヒータ１０７
によって加熱される。
【００１４】この装置によってＳｉウエハ上に、良質な
ＳｉＯ2膜を形成することが可能となる。例えばＳｉウ
エハ１０６をヒータ１０７で４５０℃まで加熱してお
き、Ａｒガス圧力を３０ｍＴｏｒｒ、Ｏ2ガスを０．１
ｍＴｏｒｒとし、高周波電源１０１により、１００ＭＨ
ｚ、５０Ｗの高周波電界を上部電極１０３に印加して、
Ａｒ、Ｏ2混合ガスを放電させる。このときのＡｒ、Ｏ2
混合ガスのプラズマ電位は１５Ｖである。一方、高周波
電源１０４により、例えば４０ＭＨｚ、５Ｗの高周波電
界を下部電極１０５に印加すると、Ｓｉウエハ１０６表
面上に−１Ｖの電位が生じる。従って、Ａｒ、Ｏ2混合
ガスのプラズマ電位とＳｉウエハ１０６表面上の電位の
差が１６Ｖとなり、Ａｒ+イオンを十分Ｓｉウエハ１０
６表面上に照射することが可能となる。このＡｒイオン
の照射により、Ｓｉウエハ酸化時に、Ｓｉ酸化膜中にＡ
ｒを含ませることが可能となる。
ＳｉＯ2膜を形成することが可能となる。例えばＳｉウ
エハ１０６をヒータ１０７で４５０℃まで加熱してお
き、Ａｒガス圧力を３０ｍＴｏｒｒ、Ｏ2ガスを０．１
ｍＴｏｒｒとし、高周波電源１０１により、１００ＭＨ
ｚ、５０Ｗの高周波電界を上部電極１０３に印加して、
Ａｒ、Ｏ2混合ガスを放電させる。このときのＡｒ、Ｏ2
混合ガスのプラズマ電位は１５Ｖである。一方、高周波
電源１０４により、例えば４０ＭＨｚ、５Ｗの高周波電
界を下部電極１０５に印加すると、Ｓｉウエハ１０６表
面上に−１Ｖの電位が生じる。従って、Ａｒ、Ｏ2混合
ガスのプラズマ電位とＳｉウエハ１０６表面上の電位の
差が１６Ｖとなり、Ａｒ+イオンを十分Ｓｉウエハ１０
６表面上に照射することが可能となる。このＡｒイオン
の照射により、Ｓｉウエハ酸化時に、Ｓｉ酸化膜中にＡ
ｒを含ませることが可能となる。
【００１５】本実施例では、Ａｒガス、Ｏ2ガス導入後
に放電させ、プラズマを生起させたが、Ａｒガスを導入
してプラズマを生起した後、酸素ガスを導入しても良
い。この場合、Ａｒイオンによりウエハ表面がクリーニ
ングされた後に酸化膜が形成されるため、酸化膜の絶縁
特性は一層向上する。
に放電させ、プラズマを生起させたが、Ａｒガスを導入
してプラズマを生起した後、酸素ガスを導入しても良
い。この場合、Ａｒイオンによりウエハ表面がクリーニ
ングされた後に酸化膜が形成されるため、酸化膜の絶縁
特性は一層向上する。
【００１６】次に、以上のようにして作製したシリコン
酸化膜中のＡｒ量を求めた。シリコンウエハを加熱し、
酸化膜から放出されるＡｒ放出量の温度変化を図２に示
す。放出されたＡｒ量は大気圧イオン化質量分析法によ
り求めた。図から明らかなように、温度の上昇に伴い、
シリコン酸化膜中からのＡｒ放出量は増加し、この放出
量から酸化膜中にＡｒ原子が１×１０14個から５×１０
14個含まれていることが分かった。
酸化膜中のＡｒ量を求めた。シリコンウエハを加熱し、
酸化膜から放出されるＡｒ放出量の温度変化を図２に示
す。放出されたＡｒ量は大気圧イオン化質量分析法によ
り求めた。図から明らかなように、温度の上昇に伴い、
シリコン酸化膜中からのＡｒ放出量は増加し、この放出
量から酸化膜中にＡｒ原子が１×１０14個から５×１０
14個含まれていることが分かった。
【００１７】図３はＸ線光電子分光法により、シリコン
酸化膜のＳｉ原子とＯ原子の結合状態を調べたものであ
る。このときの酸化膜厚は６０Åである。また、Ｘ線源
はＡｌＫαを用いた。図が示すように、スペクトルには
シリコンウエハからのピーク６ｂと酸化膜であるＳｉＯ
2からのピーク６ａのみ見られるだけで、ＳｉＯ2以外の
ＳｉとＯの結合はないことが分かる。
酸化膜のＳｉ原子とＯ原子の結合状態を調べたものであ
る。このときの酸化膜厚は６０Åである。また、Ｘ線源
はＡｌＫαを用いた。図が示すように、スペクトルには
シリコンウエハからのピーク６ｂと酸化膜であるＳｉＯ
2からのピーク６ａのみ見られるだけで、ＳｉＯ2以外の
ＳｉとＯの結合はないことが分かる。
【００１８】図４に、以上の６０Åの酸化膜上にＡｌ電
極を形成して作製したＭＯＳダイオードの絶縁耐圧分布
を示す。絶縁耐圧は最大で９ＭＶ／ｃｍであり、図７で
示した従来のＯ2プラズマのみで酸化膜を形成したとき
と比較すると耐圧は３ＭＶ／ｃｍ向上していることが分
かる。
極を形成して作製したＭＯＳダイオードの絶縁耐圧分布
を示す。絶縁耐圧は最大で９ＭＶ／ｃｍであり、図７で
示した従来のＯ2プラズマのみで酸化膜を形成したとき
と比較すると耐圧は３ＭＶ／ｃｍ向上していることが分
かる。
【００１９】また、Ａｒガスを放出させた酸化膜を用い
て作製したＭＯＳダイオードについても同様な測定を行
ったところ、図４と同様な結果となった。
て作製したＭＯＳダイオードについても同様な測定を行
ったところ、図４と同様な結果となった。
【００２０】以上の結果から明らかなようにシリコン酸
化工程で、酸化膜中にＡｒガスを含ませることによりＳ
ｉ原子と酸素原子を４５０℃という低温でも安定に結合
させることができ、絶縁耐圧の優れたシリコン酸化膜を
形成することができる。
化工程で、酸化膜中にＡｒガスを含ませることによりＳ
ｉ原子と酸素原子を４５０℃という低温でも安定に結合
させることができ、絶縁耐圧の優れたシリコン酸化膜を
形成することができる。
【００２１】なお、本実施例ではシリコンウエハの酸化
を示したが、シリコンウエハに限定されるものではな
く、他の半導体ウエハあるいは半導体ウエハ上に形成さ
れた金属薄膜の酸化にも好適に適用される。金属（Ｔ
ａ）表面を実施例と同様にして酸化して得られた金属酸
化膜も、シリコン酸化膜と同様、より高い絶縁特性を有
することが確認されている。
を示したが、シリコンウエハに限定されるものではな
く、他の半導体ウエハあるいは半導体ウエハ上に形成さ
れた金属薄膜の酸化にも好適に適用される。金属（Ｔ
ａ）表面を実施例と同様にして酸化して得られた金属酸
化膜も、シリコン酸化膜と同様、より高い絶縁特性を有
することが確認されている。
【００２２】また酸化膜厚として６０Åの場合を説明し
たが、この膜厚に限るものではない。さらに酸化膜中に
含ませるガスとしてＡｒガスを例としたが、他の不活性
ガスでも良い。また、酸化膜中に含ませる不活性ガスの
量は１×１０14個から５×１０14個と示したが、この量
に限定されないのは言うまでもない。さらに、シリコン
ウエハ１０６の温度を４５０℃としたがこの温度に限定
はされない。
たが、この膜厚に限るものではない。さらに酸化膜中に
含ませるガスとしてＡｒガスを例としたが、他の不活性
ガスでも良い。また、酸化膜中に含ませる不活性ガスの
量は１×１０14個から５×１０14個と示したが、この量
に限定されないのは言うまでもない。さらに、シリコン
ウエハ１０６の温度を４５０℃としたがこの温度に限定
はされない。
【００２３】
【発明の効果】請求項１の発明によれば、酸化膜中に不
活性ガスを含ませることにより、半導体ウエハ表面層の
原子と酸素原子を低温でも安定に結合させることがで
き、絶縁耐圧に優れた酸化膜をもつ良好な半導体素子を
提供することができる。
活性ガスを含ませることにより、半導体ウエハ表面層の
原子と酸素原子を低温でも安定に結合させることがで
き、絶縁耐圧に優れた酸化膜をもつ良好な半導体素子を
提供することができる。
【００２４】請求項２の発明によれば、酸化膜形成工程
で、酸化膜中に効果的に不活性ガスを含ませることがで
きる。
で、酸化膜中に効果的に不活性ガスを含ませることがで
きる。
【図１】本発明に係わる酸化膜形成装置の要部概略図で
ある。
ある。
【図２】本発明によって形成された酸化膜中のＡｒガス
放出量の温度依存特性を示すグラフである。
放出量の温度依存特性を示すグラフである。
【図３】本発明によって形成された酸化膜中のＳｉとＯ
の結合状態を示すＸ線光電子スペクトルである。
の結合状態を示すＸ線光電子スペクトルである。
【図４】本発明によって形成された酸化膜の絶縁耐圧特
性を示すヒストグラムである。
性を示すヒストグラムである。
【図５】従来技術による酸化膜厚と酸化時間との関係を
示すグラフである。
示すグラフである。
【図６】従来技術によって形成された酸化膜中のＳｉと
Ｏの結合状態を示すＸ線光電子スペクトルである。
Ｏの結合状態を示すＸ線光電子スペクトルである。
【図７】従来技術によって形成された酸化膜の絶縁耐圧
特性を示すヒストグラムである。
特性を示すヒストグラムである。
１０１ 高周波電源、 １０２ 真空容器、 １０３ 上部電極、 １０４ 高周波電源、 １０５ 下部電極、 １０６ 半導体ウエハ、 １０７ ヒータ。
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体ウエハまたは金属薄膜表面を酸化
し酸化膜を形成する工程において、不活性ガス及び酸素
ガスを含む混合ガスのプラズマ雰囲気中で酸化膜を形成
し、該酸化膜中に不活性ガスを含有させることを特徴と
する半導体製造方法。 - 【請求項２】 前記酸化膜は、ゲート酸化膜であること
を特徴とする請求項１に記載の半導体製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5175738A JPH0729898A (ja) | 1993-07-15 | 1993-07-15 | 半導体製造方法 |
| EP94921097A EP0709879A4 (en) | 1993-07-15 | 1994-07-15 | PROCESS FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTORS |
| PCT/JP1994/001160 WO1995002896A1 (en) | 1993-07-15 | 1994-07-15 | Method for manufacturing semiconductor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5175738A JPH0729898A (ja) | 1993-07-15 | 1993-07-15 | 半導体製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0729898A true JPH0729898A (ja) | 1995-01-31 |
Family
ID=16001390
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5175738A Pending JPH0729898A (ja) | 1993-07-15 | 1993-07-15 | 半導体製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0709879A4 (ja) |
| JP (1) | JPH0729898A (ja) |
| WO (1) | WO1995002896A1 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11168212A (ja) * | 1997-12-02 | 1999-06-22 | Tadahiro Omi | 半導体装置 |
| WO1999050899A1 (en) * | 1998-03-27 | 1999-10-07 | Tokyo University Of Agriculture & Technology | Method for forming film |
| US6431667B1 (en) | 1998-11-20 | 2002-08-13 | Nec Corporation | Structure for mounting and dismounting an equipment unit |
| US6500711B1 (en) * | 2002-02-01 | 2002-12-31 | Macronix International Co., Ltd. | Fabrication method for an interpoly dielectric layer |
| WO2004081381A1 (ja) * | 2003-03-12 | 2004-09-23 | Tadahiro Ohmi | ポンプ |
| KR100834612B1 (ko) * | 2005-03-31 | 2008-06-02 | 가부시끼가이샤 도시바 | 실리콘계 피처리물의 처리 방법, 처리 장치 및 반도체장치의 제조 방법 |
| WO2010038654A1 (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-08 | 東京エレクトロン株式会社 | シリコン酸化膜の形成方法及び装置 |
| US8218311B2 (en) | 2009-07-23 | 2012-07-10 | Toshiba Tec Kabushiki Kaisha | Electronic apparatus |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPS6227533A (ja) * | 1985-07-26 | 1987-02-05 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | 内部酸化型合金およびその成形物の製造方法 |
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