JPH07299909A - 記録ヘッド用基体 - Google Patents
記録ヘッド用基体Info
- Publication number
- JPH07299909A JPH07299909A JP6094743A JP9474394A JPH07299909A JP H07299909 A JPH07299909 A JP H07299909A JP 6094743 A JP6094743 A JP 6094743A JP 9474394 A JP9474394 A JP 9474394A JP H07299909 A JPH07299909 A JP H07299909A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- substrate
- recording head
- recording
- anodic oxidation
- Prior art date
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- Pending
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- Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 熱伝導効率が高く、消費電力が少なく、かつ
電極配線のヒロックによるリークを防止する記録ヘッド
用基体を提供する。 【構成】 電力熱交換素子周囲の支持基体の少なくとも
一部がアモルファスな酸化膜で該酸化膜が陽極酸化によ
って作成されたシリコン酸化膜であることを特徴とする
記録ヘッド用基体。
電極配線のヒロックによるリークを防止する記録ヘッド
用基体を提供する。 【構成】 電力熱交換素子周囲の支持基体の少なくとも
一部がアモルファスな酸化膜で該酸化膜が陽極酸化によ
って作成されたシリコン酸化膜であることを特徴とする
記録ヘッド用基体。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電気記録熱交換素子と記
録用機能素子を基板上に形成した記録ヘッド用基体、お
よびこの記録ヘッド用基体を採用した記録ヘッドの構造
に関し、特に複写機、ファクシミリ、ワードプロセッ
サ、出力用プリンタ等に用いられるインクジェット記録
装置に採用される記録ヘッド用基体に関する。
録用機能素子を基板上に形成した記録ヘッド用基体、お
よびこの記録ヘッド用基体を採用した記録ヘッドの構造
に関し、特に複写機、ファクシミリ、ワードプロセッ
サ、出力用プリンタ等に用いられるインクジェット記録
装置に採用される記録ヘッド用基体に関する。
【０００２】
【従来の技術】インクジェット記録法（液体噴射記録
法）は、記録時における騒音の発生が小さく、高速記録
が可能であり、しかも所謂普通紙に定着という特別な処
理を必要とせずに記録を行える点において近年注目を集
め、種々の分野で使用される記録ヘッドに採用されてい
る。
法）は、記録時における騒音の発生が小さく、高速記録
が可能であり、しかも所謂普通紙に定着という特別な処
理を必要とせずに記録を行える点において近年注目を集
め、種々の分野で使用される記録ヘッドに採用されてい
る。
【０００３】その中で、例えば特開昭５４−５１８３７
号公報、ドイツ公開（ＤＯＬＳ）第２８４３０６４号公
報に記載されている液体噴射記録法は、熱エネルギーの
作用を受けた液体が急峻な体積の増大を伴う状態変化を
起こし、該状態変化に基づく作用力によって、記録ヘッ
ド先端部のオリフィスより液体が吐出されて、飛翔液滴
が形成され、該液滴が被記録部材に付着し、記録が行わ
れるという特徴を有している。
号公報、ドイツ公開（ＤＯＬＳ）第２８４３０６４号公
報に記載されている液体噴射記録法は、熱エネルギーの
作用を受けた液体が急峻な体積の増大を伴う状態変化を
起こし、該状態変化に基づく作用力によって、記録ヘッ
ド先端部のオリフィスより液体が吐出されて、飛翔液滴
が形成され、該液滴が被記録部材に付着し、記録が行わ
れるという特徴を有している。
【０００４】そして、熱エネルギーを発生するための電
気熱変換体は図１に示すように一対の電極と、これら電
極に接続し、これらの電極間に発熱する領域を有する発
熱抵抗層とを具備している。又、これら発熱発生部上及
び少なくとも記録ヘッド内の液体が流れる領域下に設け
られた電極上には保護膜及び液体の状態変化によって生
ずる発泡による衝撃を防止するための対キャビテーショ
ン膜が設けられている。この保護膜は、これら電極及び
熱発生部を形成している発熱抵抗層をそれらの上部にあ
る液体から化学的、物理的に保護すると共に、液体を通
じて起こる前記電極間のリーフを防止し、発熱層の酸
化、インクによる腐食を防ぐために設けられている。
気熱変換体は図１に示すように一対の電極と、これら電
極に接続し、これらの電極間に発熱する領域を有する発
熱抵抗層とを具備している。又、これら発熱発生部上及
び少なくとも記録ヘッド内の液体が流れる領域下に設け
られた電極上には保護膜及び液体の状態変化によって生
ずる発泡による衝撃を防止するための対キャビテーショ
ン膜が設けられている。この保護膜は、これら電極及び
熱発生部を形成している発熱抵抗層をそれらの上部にあ
る液体から化学的、物理的に保護すると共に、液体を通
じて起こる前記電極間のリーフを防止し、発熱層の酸
化、インクによる腐食を防ぐために設けられている。
【０００５】従来、記録ヘッドの構成は、単結晶シリコ
ン基板上に電気熱変換素子アレイ、駆動回路であるトラ
ンジスタアレイを形成しており、その層構造は図１に示
すように厚さ６００〜７００μｍのＳｉ基板上に蓄熱層
であるところのＰＳＧあるいはＰ−ＳｉＯあるいはＰ−
ＳｉＮが厚さ０．５〜２．０μｍに成膜され及び層間膜
であるところのＰ−ＳｉＯ及びＰ−ＳｉＮが厚さ０．５
〜１．０μｍに成膜されたのち、発熱層及び配線電極が
成膜される。
ン基板上に電気熱変換素子アレイ、駆動回路であるトラ
ンジスタアレイを形成しており、その層構造は図１に示
すように厚さ６００〜７００μｍのＳｉ基板上に蓄熱層
であるところのＰＳＧあるいはＰ−ＳｉＯあるいはＰ−
ＳｉＮが厚さ０．５〜２．０μｍに成膜され及び層間膜
であるところのＰ−ＳｉＯ及びＰ−ＳｉＮが厚さ０．５
〜１．０μｍに成膜されたのち、発熱層及び配線電極が
成膜される。
【０００６】該記録方式のヘッド構造に於いて低電力で
安定に、かつ高速で液体を発泡させるためには、（１）
駆動周波数を高くする（２）発泡形状をだ円状から真円
状へと近づける（３）液体へ伝達する熱エネルギーの割
合を高めることが必須であり、該記録ヘッド構造の改良
が進められている。
安定に、かつ高速で液体を発泡させるためには、（１）
駆動周波数を高くする（２）発泡形状をだ円状から真円
状へと近づける（３）液体へ伝達する熱エネルギーの割
合を高めることが必須であり、該記録ヘッド構造の改良
が進められている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例に於いては、高速にて該記録用液体を吐出するため
には、それぞれ次の様な問題点があった。すなわち、 （１）駆動周波数を高めることによって、発熱抵抗層に
対する負荷が増大し、該発熱抵抗層の寿命の短命化が起
こる。
来例に於いては、高速にて該記録用液体を吐出するため
には、それぞれ次の様な問題点があった。すなわち、 （１）駆動周波数を高めることによって、発熱抵抗層に
対する負荷が増大し、該発熱抵抗層の寿命の短命化が起
こる。
【０００８】（２）発泡形状を真円形へと近づけるため
には、発熱抵抗層の形状をより正方形へと近づける必要
がある。同材質の発熱抵抗層を用い、設計上の制約とし
て発熱抵抗層の抵抗値を等しくしなければならない場
合、該発熱抵抗層の膜厚を薄くして、シート抵抗値（ρ
ｓ）を上げなければならない。
には、発熱抵抗層の形状をより正方形へと近づける必要
がある。同材質の発熱抵抗層を用い、設計上の制約とし
て発熱抵抗層の抵抗値を等しくしなければならない場
合、該発熱抵抗層の膜厚を薄くして、シート抵抗値（ρ
ｓ）を上げなければならない。
【０００９】（３）該記録用液体への熱伝達効率を上げ
るためには、発熱抵抗層上をおおっている保護膜及び対
キャビテーション膜を薄くする方法がある。しかしなが
ら、前者は、電極配線のヒロックによる電極間リークあ
るいは、電極−該記録用液体間のリークによる腐食、あ
るいは保護膜の薄膜化に伴う発熱抵抗層の寿命の短化が
生じる。又、後者は、発泡衝撃による対キャビテーショ
ン膜の破壊が生じ、やはり安定な発泡が不可能となって
しまう。
るためには、発熱抵抗層上をおおっている保護膜及び対
キャビテーション膜を薄くする方法がある。しかしなが
ら、前者は、電極配線のヒロックによる電極間リークあ
るいは、電極−該記録用液体間のリークによる腐食、あ
るいは保護膜の薄膜化に伴う発熱抵抗層の寿命の短化が
生じる。又、後者は、発泡衝撃による対キャビテーショ
ン膜の破壊が生じ、やはり安定な発泡が不可能となって
しまう。
【００１０】以上述べた問題点に於いて、（１）及び
（２）は発熱抵抗層の改質によって解決を計る事が可能
であり、既にＨｆＢ2 ，ＴａＮ膜等の耐久性が高い発熱
抵抗層が見出されている。
（２）は発熱抵抗層の改質によって解決を計る事が可能
であり、既にＨｆＢ2 ，ＴａＮ膜等の耐久性が高い発熱
抵抗層が見出されている。
【００１１】本発明の目的は、問題点（３）を解決する
ため、熱伝導効率が高く、消費電力の少ない記録ヘッド
用基体及び記録ヘッドの製造方法及び構造を提供するこ
とである。又、本発明の別の目的は、電極配線のヒロッ
クによるリークを防ぐ記録ヘッドの製造方法及び構造を
提供することである。
ため、熱伝導効率が高く、消費電力の少ない記録ヘッド
用基体及び記録ヘッドの製造方法及び構造を提供するこ
とである。又、本発明の別の目的は、電極配線のヒロッ
クによるリークを防ぐ記録ヘッドの製造方法及び構造を
提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、Ｓｉ基
板への予分な熱伝達を少なくするため、発熱部下部のＳ
ｉ基板を陽極酸化法によってアモルファスなＳｉＯ2 と
変えることで熱伝導率を下げ、発熱抵抗層上部への発熱
量を高めた。
板への予分な熱伝達を少なくするため、発熱部下部のＳ
ｉ基板を陽極酸化法によってアモルファスなＳｉＯ2 と
変えることで熱伝導率を下げ、発熱抵抗層上部への発熱
量を高めた。
【００１３】又、同時に陽極酸化法を対キャビテーショ
ン膜であるＴａ膜に施すことで、Ｔａ膜を酸化し、キャ
ビテーション膜を絶縁膜として電極配線のヒロックによ
るリーク発生を抑えることができた。
ン膜であるＴａ膜に施すことで、Ｔａ膜を酸化し、キャ
ビテーション膜を絶縁膜として電極配線のヒロックによ
るリーク発生を抑えることができた。
【００１４】
【実施例】以下、図面を参照しながら本発明について詳
細に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるこ
とはなく、本発明目的が達成され得るものであればよ
い。
細に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるこ
とはなく、本発明目的が達成され得るものであればよ
い。
【００１５】実施例１ 図１（ｃ）及び（ｅ）は本発明により製造される記録ヘ
ッド用基板の模式的断面図であり、図４に示した従来の
方法により製造された記録ヘッド用基板と以下の点で異
なっている。すなわち、本実施例の特徴は、発熱抵抗層
下部の裏面Ｓｉ基板１を陽極酸化法によりアモルファス
なＳｉＯ2 膜２１０へ変えていることである。
ッド用基板の模式的断面図であり、図４に示した従来の
方法により製造された記録ヘッド用基板と以下の点で異
なっている。すなわち、本実施例の特徴は、発熱抵抗層
下部の裏面Ｓｉ基板１を陽極酸化法によりアモルファス
なＳｉＯ2 膜２１０へ変えていることである。
【００１６】酸化するＳｉ基板領域２０３はフォトリソ
グラフィー技術によりパターニングされており、駆動素
子等が作り込まれるＳｉ基板領域は逆に温度上昇を防ぐ
ため放熱しやすいよう酸化されない。又、陽極酸化を行
う際は、基板表面全体がレジスト膜２０１によって覆わ
れており、トランジスタアレイ及び電気熱変換素子アレ
イに悪影響を与えない。上記陽極酸化法によって成膜さ
れるアモルファスなＳｉＯ2 膜２１０の熱伝導率はバル
ク−Ｓｉの１５０（Ｗ・ｍ-1，ｋ-1）から、約１００分
の１の１．５（Ｗ・ｍ-1，ｋ-1）へと減少した。これに
より、発熱抵抗層にて発した熱エネルギーはそのほとん
どが上層の保護膜１０５及び対キャビテーション膜１０
６に対してのみ伝達され、該記録用液体を効率よく発泡
することが可能となった。
グラフィー技術によりパターニングされており、駆動素
子等が作り込まれるＳｉ基板領域は逆に温度上昇を防ぐ
ため放熱しやすいよう酸化されない。又、陽極酸化を行
う際は、基板表面全体がレジスト膜２０１によって覆わ
れており、トランジスタアレイ及び電気熱変換素子アレ
イに悪影響を与えない。上記陽極酸化法によって成膜さ
れるアモルファスなＳｉＯ2 膜２１０の熱伝導率はバル
ク−Ｓｉの１５０（Ｗ・ｍ-1，ｋ-1）から、約１００分
の１の１．５（Ｗ・ｍ-1，ｋ-1）へと減少した。これに
より、発熱抵抗層にて発した熱エネルギーはそのほとん
どが上層の保護膜１０５及び対キャビテーション膜１０
６に対してのみ伝達され、該記録用液体を効率よく発泡
することが可能となった。
【００１７】次に、本実施例の特徴である陽極酸化によ
るアモルファスＳｉＯ2 作成工程を以下に示す。
るアモルファスＳｉＯ2 作成工程を以下に示す。
【００１８】図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、前記
駆動用素子及び電気熱変換素子アレイをＳｉ基板に作り
込んだ後、裏面に前記各素子作成時に成長させたシリコ
ン酸化膜２０２をフォトリソグラフィーによってパター
ニングし、陽極酸化によりアモルファスＳｉＯ2 領域と
なる部分のＳｉＯ2 膜を除去する。前記各素子領域が作
り込まれた裏面をレジスト及び治具で保護した後、例え
ば硫酸あるいはショウ酸のような酸性の電界液中におい
て陽極酸化を行うと、前記パターニング工程で露出した
発熱層下部のＳｉのみを選択的にアモルファスＳｉＯ2
２１０とする事ができる。このとき、図１（ｄ）に示す
ようにウェハー及び各チップの強度が低下しない状態に
予め陽極酸化する部分を数１００μｍエッチングしてお
いてから、上記工程を図１（ｅ）のように行ってもよ
い。なお、エッチング液としては、ＴＭＡＨ（テトラメ
チルアンモニウムハイドロオキサイド）２２％溶液ある
いはＫＯＨ溶液を用いてもよい。又、上記裏面エッチン
グ時のマスクとしてＬＰ−ＳｉＮｘを用いてもよい。
駆動用素子及び電気熱変換素子アレイをＳｉ基板に作り
込んだ後、裏面に前記各素子作成時に成長させたシリコ
ン酸化膜２０２をフォトリソグラフィーによってパター
ニングし、陽極酸化によりアモルファスＳｉＯ2 領域と
なる部分のＳｉＯ2 膜を除去する。前記各素子領域が作
り込まれた裏面をレジスト及び治具で保護した後、例え
ば硫酸あるいはショウ酸のような酸性の電界液中におい
て陽極酸化を行うと、前記パターニング工程で露出した
発熱層下部のＳｉのみを選択的にアモルファスＳｉＯ2
２１０とする事ができる。このとき、図１（ｄ）に示す
ようにウェハー及び各チップの強度が低下しない状態に
予め陽極酸化する部分を数１００μｍエッチングしてお
いてから、上記工程を図１（ｅ）のように行ってもよ
い。なお、エッチング液としては、ＴＭＡＨ（テトラメ
チルアンモニウムハイドロオキサイド）２２％溶液ある
いはＫＯＨ溶液を用いてもよい。又、上記裏面エッチン
グ時のマスクとしてＬＰ−ＳｉＮｘを用いてもよい。
【００１９】実施例２ 図２−ｂはもっとも良く本実施例を表す図である。
【００２０】本実施例に於いては、実施例１で示した方
法で裏面にパターニングを行い陽極酸化を、対キャビテ
ーション膜であるところのＴａ膜１０６を成膜してから
行っている。Ｔａ膜１０６は陽極酸化によってほぼ化学
量論比に近い安定なＴａ2 Ｏ 5 膜１０７となり、完全な
絶縁膜となる。
法で裏面にパターニングを行い陽極酸化を、対キャビテ
ーション膜であるところのＴａ膜１０６を成膜してから
行っている。Ｔａ膜１０６は陽極酸化によってほぼ化学
量論比に近い安定なＴａ2 Ｏ 5 膜１０７となり、完全な
絶縁膜となる。
【００２１】上記Ｔａ2 Ｏ5 膜１０７を作製する事によ
り、配線電極１０４のヒロックによるＴａ膜を介しての
リークによる不良が減少する。さらに、保護膜１０５を
さらに薄膜化する事が可能となるため、成膜時のスルー
プットを上げ、又、既記録用インクへの熱伝達効率をア
ップさせることが可能となる。
り、配線電極１０４のヒロックによるＴａ膜を介しての
リークによる不良が減少する。さらに、保護膜１０５を
さらに薄膜化する事が可能となるため、成膜時のスルー
プットを上げ、又、既記録用インクへの熱伝達効率をア
ップさせることが可能となる。
【００２２】本実施例２は実施例１で述べた裏面アモル
ファスＳｉＯ2 膜２１０の形成と同時にＴａ2 Ｏ5 膜１
０７を形成できるため、工程を増やすことなく配線電極
１０４のヒロックによるリーク及び保護膜１０５の薄膜
化を行うことができ、ウェハーイールドのアップ及び該
記録液体の発泡効率のアップが可能となる。
ファスＳｉＯ2 膜２１０の形成と同時にＴａ2 Ｏ5 膜１
０７を形成できるため、工程を増やすことなく配線電極
１０４のヒロックによるリーク及び保護膜１０５の薄膜
化を行うことができ、ウェハーイールドのアップ及び該
記録液体の発泡効率のアップが可能となる。
【００２３】実施例３ 図３（ａ）はもっとも良く本実施例３を表す図である。
【００２４】図３（ｂ）から図３（ｃ）に工程を示す。
図３（ｂ）に示すように、発熱抵抗層１０３及び配線電
極１０４を成膜、フォトリソグラフィーにより所定の形
状へパターニングした後実施例１及び２に示した様に基
板下部２１１を陽極酸化するとき、図３（ｃ）に示すよ
うに発熱抵抗層１０３及び配線電極１０４も同時に陽極
酸化されるため、たとえば、発熱抵抗層１０３にＴａ
Ｎ、配線電極１０４にＡｌといった材料を用いた場合、
それぞれＴａＮ→Ｔａ2 Ｏ5 ，Ａｌ→Ａｌ2 Ｏ3と導伝
性から絶縁性の材料２１２，２１３に変化する。もちろ
ん発熱抵抗層１０３及び配線電極１０４あある抵抗値か
ら表面の陽極酸化により抵抗値は上昇してしまうので、
陽極酸化される量を見積って膜厚を厚くする必要があ
る。
図３（ｂ）に示すように、発熱抵抗層１０３及び配線電
極１０４を成膜、フォトリソグラフィーにより所定の形
状へパターニングした後実施例１及び２に示した様に基
板下部２１１を陽極酸化するとき、図３（ｃ）に示すよ
うに発熱抵抗層１０３及び配線電極１０４も同時に陽極
酸化されるため、たとえば、発熱抵抗層１０３にＴａ
Ｎ、配線電極１０４にＡｌといった材料を用いた場合、
それぞれＴａＮ→Ｔａ2 Ｏ5 ，Ａｌ→Ａｌ2 Ｏ3と導伝
性から絶縁性の材料２１２，２１３に変化する。もちろ
ん発熱抵抗層１０３及び配線電極１０４あある抵抗値か
ら表面の陽極酸化により抵抗値は上昇してしまうので、
陽極酸化される量を見積って膜厚を厚くする必要があ
る。
【００２５】上記工程の後、保護膜１０５をＰ−ＣＶＤ
法などで成膜するのであるが、上述した工程において配
線電極１０４上のＡｌ2 Ｏ3 膜２１３によって保護膜１
０５成膜時に発生する熱ストレスによる配線電極１０４
のヒロックを防止することができる。さらに、保護膜１
０５は配線電極１０４のヒロックが生じないため、薄膜
化が可能であり、該記録用インクに対する熱伝達効率を
向上させることができる。
法などで成膜するのであるが、上述した工程において配
線電極１０４上のＡｌ2 Ｏ3 膜２１３によって保護膜１
０５成膜時に発生する熱ストレスによる配線電極１０４
のヒロックを防止することができる。さらに、保護膜１
０５は配線電極１０４のヒロックが生じないため、薄膜
化が可能であり、該記録用インクに対する熱伝達効率を
向上させることができる。
【００２６】さらに本実施例３は、レジストワークなど
の工程が不要であるため、実施例１及び２にも簡単に適
用が可能である。
の工程が不要であるため、実施例１及び２にも簡単に適
用が可能である。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
発熱抵抗層下部領域をＳｉ基板の陽極酸化法によって作
成したアモルファスＳｉＯ2 膜にすることによって、発
熱抵抗層下部の熱伝達率をウェハーの強度を保ちながら
約１００分の１にまで減少させ、発熱抵抗層上部の記録
用インクのみ熱伝達を行うことが可能となった。すなわ
ち、発熱抵抗層に対し同一の印加電力を加える際により
効率的に発泡を生じさせることで吐出スピードのアップ
を計ることができた。
発熱抵抗層下部領域をＳｉ基板の陽極酸化法によって作
成したアモルファスＳｉＯ2 膜にすることによって、発
熱抵抗層下部の熱伝達率をウェハーの強度を保ちながら
約１００分の１にまで減少させ、発熱抵抗層上部の記録
用インクのみ熱伝達を行うことが可能となった。すなわ
ち、発熱抵抗層に対し同一の印加電力を加える際により
効率的に発泡を生じさせることで吐出スピードのアップ
を計ることができた。
【００２８】上記効果に加えて、対キャビテーション膜
であるところのＴａ膜を成膜したのち、裏面Ｓｉ陽極酸
化と同時にＴａ膜をＴａ2 Ｏ5 膜へと絶縁膜化するこ
と、及びＡｌ配線及び発熱抵抗層を陽極酸化することも
配線電極のヒロックにより生ずるリークを防ぎ、リーク
消失に伴う保護膜薄膜化を計ることができた。
であるところのＴａ膜を成膜したのち、裏面Ｓｉ陽極酸
化と同時にＴａ膜をＴａ2 Ｏ5 膜へと絶縁膜化するこ
と、及びＡｌ配線及び発熱抵抗層を陽極酸化することも
配線電極のヒロックにより生ずるリークを防ぎ、リーク
消失に伴う保護膜薄膜化を計ることができた。
【００２９】上記保護膜薄膜化により、さらに熱効率ア
ップを実現でき、発熱抵抗層の高抵抗化すなわち薄膜化
による高速吐出が可能となった。
ップを実現でき、発熱抵抗層の高抵抗化すなわち薄膜化
による高速吐出が可能となった。
【図１】図１（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）（ｅ）は本発明
による記録用ヘッドの製造方法の一例を説明するための
模式的断面図。
による記録用ヘッドの製造方法の一例を説明するための
模式的断面図。
【図２】図２（ａ）（ｂ）は本発明による記録用ヘッド
の製造方法の一例を説明するための模式的断面図。
の製造方法の一例を説明するための模式的断面図。
【図３】図３（ａ）（ｂ）（ｃ）は本発明による記録用
ヘッドの製造方法の一例を説明するための模式的断面
図。
ヘッドの製造方法の一例を説明するための模式的断面
図。
【図４】従来の方法により製造される記録ヘッド用基体
の模式的断面図。
の模式的断面図。
１ Ｐ型シリコン基板 ２ Ｎ型コレクタ埋込領域 ３ Ｐ型アイソレーション埋込領域 ４ Ｎ型エピタキシャル領域 ５ Ｐ型ベース領域 ６ Ｐ型アイソレーション領域 ７ Ｎ型コレクタ領域 ８ 高濃度Ｐ型ベース領域 ９ 高濃度Ｐ型アイソレーション領域 １０ 高濃度Ｎ型エミッタ領域 １１ 高濃度Ｎ型コレクタ領域 １２ コレクタ・ベース共通電極 １３ エミッタ電極 １４ アイソレーション電極 １００ 記録ヘッド １０１ 蓄熱層 １０２ 層間膜 １０３ 発熱抵抗層 １０４ 配線電極 １０５ 保護膜 １０６ Ｔａ膜 １０７ Ｔａ2 Ｏ5 膜 １１０ 発熱部 ２０１ 表面保護レジスト ２０２ 裏面熱酸化膜 ２０３ 裏面熱酸化膜開口部 ２１０ アモルファスＳｉＯ2 膜 ２１１ 基板Ｓｉエッチング領域 ２１２ 配線上多孔質Ａｌ2 Ｏ3 ２１３ 発熱抵抗膜上多孔質Ｔａ2 Ｏ5
Claims (8)
- 【請求項１】 複数の電気熱交換素子と該各電気熱交換
素子をそれぞれ駆動する駆動用素子と該各駆動用素子と
前記各電気熱交換素子とをそれぞれ接続する複数の配線
電極とを有する記録ヘッド用基体に於いて、前記電気熱
交換素子周囲の支持基体の少なくとも一部がアモルファ
スな酸化膜であることを特徴とする記録ヘッド用基体。 - 【請求項２】 請求項１に記載された支持基体がシリコ
ンを主材料とすることを特徴とする記録ヘッド用基体。 - 【請求項３】 請求項１に記載されたアモルファスな酸
化膜が陽極酸化によって作成されたシリコン酸化膜であ
ることを特徴とする記録ヘッド用基体。 - 【請求項４】 複数の電気熱交換素子と該各電気熱交換
素子をそれぞれ駆動する駆動用素子と該各駆動用素子と
前記各電気熱交換素子とをそれぞれ接続する複数の配線
電極と記録用液体の発泡に伴う衝撃及び腐食作用から前
記各素子を保護する対キャビテーション膜を有する記録
ヘッド用基体に於いて、前記電気熱交換素子周囲の支持
基体の少なくとも一部がアモルファスな酸化膜であり、
かつ前記対キャビテーション膜が絶縁物であるＴａ2 Ｏ
5 膜であることを特徴とする記録ヘッド用基体。 - 【請求項５】 請求項４に記載された支持基体がシリコ
ンを主材料とすることを特徴とする記録ヘッド用基体。 - 【請求項６】 請求項４に記載されたアモルファスな酸
化膜が陽極酸化によって作成されたシリコン酸化膜であ
ることを特徴とする記録ヘッド用基体。 - 【請求項７】 請求項４に記載された絶縁物であるＴａ
2 Ｏ5 膜がＴａ膜の陽極酸化によって作成されたことを
特徴とする記録ヘッド用基体。 - 【請求項８】 請求項４または７に記載された絶縁物で
あるＴａ2 Ｏ5 膜は請求項４または６に記載されたアモ
ルファスなシリコン酸化膜と陽極酸化によって同時に作
成されたことを特徴とする記録ヘッド用基体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6094743A JPH07299909A (ja) | 1994-05-09 | 1994-05-09 | 記録ヘッド用基体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6094743A JPH07299909A (ja) | 1994-05-09 | 1994-05-09 | 記録ヘッド用基体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07299909A true JPH07299909A (ja) | 1995-11-14 |
Family
ID=14118612
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6094743A Pending JPH07299909A (ja) | 1994-05-09 | 1994-05-09 | 記録ヘッド用基体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07299909A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020123748A (ja) * | 2017-11-22 | 2020-08-13 | 株式会社村田製作所 | 圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法 |
-
1994
- 1994-05-09 JP JP6094743A patent/JPH07299909A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020123748A (ja) * | 2017-11-22 | 2020-08-13 | 株式会社村田製作所 | 圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法 |
| US11706988B2 (en) | 2017-11-22 | 2023-07-18 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Piezoelectric device and method of manufacturing the same |
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