JPH0730171A - 半導体レーザ励起固体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ励起固体レーザ装置Info
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- JPH0730171A JPH0730171A JP22097092A JP22097092A JPH0730171A JP H0730171 A JPH0730171 A JP H0730171A JP 22097092 A JP22097092 A JP 22097092A JP 22097092 A JP22097092 A JP 22097092A JP H0730171 A JPH0730171 A JP H0730171A
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- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 環境の温度が変化しても、出射されるレーザ
光の出力に変動のない安定した半導体レーザ励起固体レ
ーザ装置を得る。 【構成】 半導体レーザチップ１１を支持する金属ブロ
ック１２と光学筐体１３との接する面に断熱層を形成す
る。
光の出力に変動のない安定した半導体レーザ励起固体レ
ーザ装置を得る。 【構成】 半導体レーザチップ１１を支持する金属ブロ
ック１２と光学筐体１３との接する面に断熱層を形成す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、固体レーザ装置に係わ
り、特に固体レーザ光出力変動を低減した半導体レーザ
励起固体レーザ装置に関する。
り、特に固体レーザ光出力変動を低減した半導体レーザ
励起固体レーザ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体レーザ励起固体レーザ装置（以下
固体レーザ装置という）は、半導体レーザ光により固体
レーザ媒質を励起してレーザ発振を行わせるものであ
り、小型、軽量、長寿命、電気一光変換効率が高い、動
作が安定等の特長を有し、種々の産業分野において利用
が拡大している。また近年、非線形光学素子と固体レー
ザを組み合わせ、可視域のグリーンレーザやブルーレー
ザを実現する試みが盛んである。
固体レーザ装置という）は、半導体レーザ光により固体
レーザ媒質を励起してレーザ発振を行わせるものであ
り、小型、軽量、長寿命、電気一光変換効率が高い、動
作が安定等の特長を有し、種々の産業分野において利用
が拡大している。また近年、非線形光学素子と固体レー
ザを組み合わせ、可視域のグリーンレーザやブルーレー
ザを実現する試みが盛んである。
【０００３】図５は、従来の固体レーザ装置の断面を示
している。固体レーザ媒質４４はＮｄ：ＹＡＧ（ネオジ
ウム：イットリウムアルミニウム酸化物）、Ｎｄ：ＹＶ
Ｏ4（ネオジウム：イットリウムバナジウム酸化物）、
Ｎｄ：ＹＬＦ（ネオジウム：イットリウムリチウムフッ
化物）等が用いられる。半導体レーザは固体レーザ媒質
４４の吸収波長域である８０８〜８１０ｎｍの発振波長
で出力が数十ｍＷ以上のものが使われる。
している。固体レーザ媒質４４はＮｄ：ＹＡＧ（ネオジ
ウム：イットリウムアルミニウム酸化物）、Ｎｄ：ＹＶ
Ｏ4（ネオジウム：イットリウムバナジウム酸化物）、
Ｎｄ：ＹＬＦ（ネオジウム：イットリウムリチウムフッ
化物）等が用いられる。半導体レーザは固体レーザ媒質
４４の吸収波長域である８０８〜８１０ｎｍの発振波長
で出力が数十ｍＷ以上のものが使われる。
【０００４】半導体レーザの発振波長は固体レーザ媒質
４４の吸収波長に厳密に一致させる必要があるため、電
子冷却素子４１によって半導体レーザを温度制御し発振
波長を制御する。固体レーザ媒質４４の半導体レーザ光
入射面と、出力ミラー４５の凹面は、固体レーザの基本
波１０５３〜１０６４ｎｍに対して高反射率のコーティ
ングがなされ固体レーザ共振器（以下共振器という）を
構成している。
４４の吸収波長に厳密に一致させる必要があるため、電
子冷却素子４１によって半導体レーザを温度制御し発振
波長を制御する。固体レーザ媒質４４の半導体レーザ光
入射面と、出力ミラー４５の凹面は、固体レーザの基本
波１０５３〜１０６４ｎｍに対して高反射率のコーティ
ングがなされ固体レーザ共振器（以下共振器という）を
構成している。
【０００５】集光レンズ４３によって半導体レーザ光が
固体レーザ媒質４４に集光されると、共振器内で固体レ
ーザ発振が起こり、その一部が出力ミラー４５を通して
外部に出射される。この共振器内に非線形光学素子を挿
入すると、非線形光学素子と固体レーザ基本波との相互
作用によって固体レーザ基本波の第２高調波あるいは第
３高調波が発生する。２次の非線形光学効果の大きい非
線形光学素子を使って第２高調波即ち固体レーザ基本波
の１／２の波長のレーザを実現する試みが盛んである。
固体レーザ媒質４４に集光されると、共振器内で固体レ
ーザ発振が起こり、その一部が出力ミラー４５を通して
外部に出射される。この共振器内に非線形光学素子を挿
入すると、非線形光学素子と固体レーザ基本波との相互
作用によって固体レーザ基本波の第２高調波あるいは第
３高調波が発生する。２次の非線形光学効果の大きい非
線形光学素子を使って第２高調波即ち固体レーザ基本波
の１／２の波長のレーザを実現する試みが盛んである。
【０００６】図６、図７は、図５における点線円内の部
分を拡大した図である。図６、図７に示すように半導体
レーザチップ１１が金属ブロック１２上に接合され、そ
の金属ブロック１２と電子冷却素子４１の冷却板を接合
し、半導体レーザチップ１１の温度を一定に制御する構
造としたものが固体レーザ装置における半導体レーザで
ある。その金属ブロック１２を光学筐体１３に固定ネジ
１６等で固定して、半導体レーザチップ１１の位置を定
める。
分を拡大した図である。図６、図７に示すように半導体
レーザチップ１１が金属ブロック１２上に接合され、そ
の金属ブロック１２と電子冷却素子４１の冷却板を接合
し、半導体レーザチップ１１の温度を一定に制御する構
造としたものが固体レーザ装置における半導体レーザで
ある。その金属ブロック１２を光学筐体１３に固定ネジ
１６等で固定して、半導体レーザチップ１１の位置を定
める。
【０００７】半導体レーザチップ１１に、しきい値以上
の駆動電流を流すとレーザ発振が起こり、レーザ光が出
射すると共に半導体レーザチップ１１が発熱するので、
発熱を吸収するため電子冷却素子４１に電流を流し、金
属ブロック１２と半導体レーザチップ１１の温度を一定
に制御する。電子冷却素子４１に電流を流すと電子冷却
素子４１の放熱板の温度は上昇するので、電子冷却素子
４１の放熱板に接続されたヒートシンク４２及び放熱フ
ィン４６を通して大気中に熱を放出する。
の駆動電流を流すとレーザ発振が起こり、レーザ光が出
射すると共に半導体レーザチップ１１が発熱するので、
発熱を吸収するため電子冷却素子４１に電流を流し、金
属ブロック１２と半導体レーザチップ１１の温度を一定
に制御する。電子冷却素子４１に電流を流すと電子冷却
素子４１の放熱板の温度は上昇するので、電子冷却素子
４１の放熱板に接続されたヒートシンク４２及び放熱フ
ィン４６を通して大気中に熱を放出する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】半導体レーザは、金属
ブロックによって固体レーザ装置の光学筐体に直接固定
されている。そのため、金属ブロックと光学筐体に温度
差がある場合、あるいは、光学筐体に温度変化がある場
合、例えば固体レーザ装置がおかれている環境温度が変
化した場合、光学筐体に温度変化が生じ、電子冷却素子
による金属ブロックと半導体レーザチップの温度制御が
影響を受ける。
ブロックによって固体レーザ装置の光学筐体に直接固定
されている。そのため、金属ブロックと光学筐体に温度
差がある場合、あるいは、光学筐体に温度変化がある場
合、例えば固体レーザ装置がおかれている環境温度が変
化した場合、光学筐体に温度変化が生じ、電子冷却素子
による金属ブロックと半導体レーザチップの温度制御が
影響を受ける。
【０００９】即ち、電子冷却素子に定格の電流を流して
も金属ブロックと半導体レーザチップの温度は制御され
るべき所定の温度から逸脱し、所定の温度に復帰するに
はある時間が必要になる。また、金属ブロックと光学筐
体の温度差が大きい場合には、所定の温度に復帰する事
が不可能になる事がある。
も金属ブロックと半導体レーザチップの温度は制御され
るべき所定の温度から逸脱し、所定の温度に復帰するに
はある時間が必要になる。また、金属ブロックと光学筐
体の温度差が大きい場合には、所定の温度に復帰する事
が不可能になる事がある。
【００１０】このようにして、金属ブロックと半導体レ
ーザチップの温度が制御されるべき所定の温度から逸脱
すると、半導体レーザの発振波長は固体レーザ媒質の吸
収波長に厳密に一致しなくなり、固体レーザ装置から出
射されるレーザ光の出力が減少する事になる。
ーザチップの温度が制御されるべき所定の温度から逸脱
すると、半導体レーザの発振波長は固体レーザ媒質の吸
収波長に厳密に一致しなくなり、固体レーザ装置から出
射されるレーザ光の出力が減少する事になる。
【００１１】本発明の目的は、半導体レーザ励起固体レ
ーザ装置において、半導体レーザチップと光学筐体に温
度差がある場合、あるいは、その光学筐体に温度変化が
ある場合、例えば固体レーザ装置がおかれている環境温
度が変化した場合においても、金属ブロックと半導体レ
ーザチップの温度を一定に保ち、レーザの出力が安定し
た固体レーザ装置を得ようとするものである。
ーザ装置において、半導体レーザチップと光学筐体に温
度差がある場合、あるいは、その光学筐体に温度変化が
ある場合、例えば固体レーザ装置がおかれている環境温
度が変化した場合においても、金属ブロックと半導体レ
ーザチップの温度を一定に保ち、レーザの出力が安定し
た固体レーザ装置を得ようとするものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体レーザ
チップと、この半導体レーザチップを支持する金属ブロ
ックと、金属ブロックに接合された電子冷却素子、固体
レーザ媒質、出力ミラー、及び光学筐体を具備し、金属
ブロックを光学筐体に固定した半導体レーザ励起固体レ
ーザ装置において、前記金属ブロックと前記光学筐体が
接する面に断熱層を形成したことを特徴としたものであ
る。
チップと、この半導体レーザチップを支持する金属ブロ
ックと、金属ブロックに接合された電子冷却素子、固体
レーザ媒質、出力ミラー、及び光学筐体を具備し、金属
ブロックを光学筐体に固定した半導体レーザ励起固体レ
ーザ装置において、前記金属ブロックと前記光学筐体が
接する面に断熱層を形成したことを特徴としたものであ
る。
【００１３】
【作用】従って、金属ブロックと半導体レーザチップを
断熱層を形成するように光学筐体に固定しているので熱
伝導が阻止される。そのため金属ブロックと光学筐体に
温度差がある場合、あるいは、その光学筐体に温度変化
がある場合、例えば固体レーザ装置がおかれている環境
温度が変化した場合に光学筐体に温度変化が生じても、
電子冷却素子による金属ブロックと半導体レーザチップ
の温度制御が影響を受けることなく金属ブロックと半導
体レーザチップの温度が制御されるべき所定の温度に保
たれる。従って、半導体レーザの発振波長は固体レーザ
媒質の吸収波長に厳密に一致し、出射されるレーザ光の
出力が変動のない安定した固体レーザ装置を得る事がで
きる。
断熱層を形成するように光学筐体に固定しているので熱
伝導が阻止される。そのため金属ブロックと光学筐体に
温度差がある場合、あるいは、その光学筐体に温度変化
がある場合、例えば固体レーザ装置がおかれている環境
温度が変化した場合に光学筐体に温度変化が生じても、
電子冷却素子による金属ブロックと半導体レーザチップ
の温度制御が影響を受けることなく金属ブロックと半導
体レーザチップの温度が制御されるべき所定の温度に保
たれる。従って、半導体レーザの発振波長は固体レーザ
媒質の吸収波長に厳密に一致し、出射されるレーザ光の
出力が変動のない安定した固体レーザ装置を得る事がで
きる。
【００１４】
【実施例】図１は、本発明による固体レーザ装置の一実
施例を示す図で、半導体レーザチップ１１、金属ブロッ
ク１２、光学筐体１３、電子冷却素子１７、コリメート
レンズとフォーカスレンズからなる集光レンズ１８、固
体レーザ媒質１９、出力ミラー２０、ヒートシンク２
１、放熱フィン２２、断熱材２３から構成されている。
施例を示す図で、半導体レーザチップ１１、金属ブロッ
ク１２、光学筐体１３、電子冷却素子１７、コリメート
レンズとフォーカスレンズからなる集光レンズ１８、固
体レーザ媒質１９、出力ミラー２０、ヒートシンク２
１、放熱フィン２２、断熱材２３から構成されている。
【００１５】半導体レーザチップ１１には、波長８０９
ｎｍ、出力最大５００ｍＷのマルチモード発振半導体レ
ーザを用いた。半導体レーザチップ１１は銅製金属ブロ
ック１２を介して熱伝導性接着剤により電子冷却素子１
７の吸熱板に接合し、金属ブロック１２をネジを用いて
光学筐体１３に固定した。
ｎｍ、出力最大５００ｍＷのマルチモード発振半導体レ
ーザを用いた。半導体レーザチップ１１は銅製金属ブロ
ック１２を介して熱伝導性接着剤により電子冷却素子１
７の吸熱板に接合し、金属ブロック１２をネジを用いて
光学筐体１３に固定した。
【００１６】固体レーザ媒質１９として用いたＮｄ：Ｙ
ＶＯ4 結晶は、３×３×１ｍｍの大きさで、半導体レー
ザ励起光入射表面は波長８０９ｎｍに対し無反射、波長
１０６４ｎｍに対し高反射となるようコーティングを施
し、出力ミラー２０の凹面との間で共振器を構成した。
出力ミラー２０はφ１５×５ｍｍ曲率半径５０ｍｍであ
る。集光レンズ１８、固体レーザ媒質１９、出力ミラー
２０の各光学素子は、ネジを用いアルミニウム製の光学
筐体１３に位置を精密に調整しながら固定した。
ＶＯ4 結晶は、３×３×１ｍｍの大きさで、半導体レー
ザ励起光入射表面は波長８０９ｎｍに対し無反射、波長
１０６４ｎｍに対し高反射となるようコーティングを施
し、出力ミラー２０の凹面との間で共振器を構成した。
出力ミラー２０はφ１５×５ｍｍ曲率半径５０ｍｍであ
る。集光レンズ１８、固体レーザ媒質１９、出力ミラー
２０の各光学素子は、ネジを用いアルミニウム製の光学
筐体１３に位置を精密に調整しながら固定した。
【００１７】放熱フィン２２が付いたヒートシンク２１
は、中心部を熱伝導性接着剤により電子冷却素子１７の
放熱板に接合し、周辺部をテトラフルオロエチレン樹脂
（断熱材２３）を介してアクリル樹脂製のプラスチック
ネジで光学筐体１３に固定した。
は、中心部を熱伝導性接着剤により電子冷却素子１７の
放熱板に接合し、周辺部をテトラフルオロエチレン樹脂
（断熱材２３）を介してアクリル樹脂製のプラスチック
ネジで光学筐体１３に固定した。
【００１８】図２(ａ)(ｂ)(ｃ)(ｄ)は、図１の点線円内
の部分を拡大し光軸のレーザ出射方向からみた図であ
る。図２(ａ)において半導体レーザチップ１１を載せた
金属ブロック１２の光学筐体１３と接する面を小さく
し、断熱層を形成するために高さ０.１ｍｍ突起１４で
空気層を設けた。また、半導体レーザチップ１１を載せ
た金属ブロック１２を光学筐体１３にステンレス製の固
定ネジ１６で固定した。
の部分を拡大し光軸のレーザ出射方向からみた図であ
る。図２(ａ)において半導体レーザチップ１１を載せた
金属ブロック１２の光学筐体１３と接する面を小さく
し、断熱層を形成するために高さ０.１ｍｍ突起１４で
空気層を設けた。また、半導体レーザチップ１１を載せ
た金属ブロック１２を光学筐体１３にステンレス製の固
定ネジ１６で固定した。
【００１９】図３は、固体レーザ光出力時間変動を示す
図である。半導体レーザチップ１１を載せた金属ブロッ
ク１２の温度と、光学筐体１３の温度の差（ΔＴ、実線
３３）を変化させたときの本実施例による固体レーザ装
置の光出力の時間変化（実線３１）を示す。前述の空気
層を断熱層とした本実施例による固体レーザ装置の光出
力の時間変化は極めて小さく１％以内の出力変動であ
る。一方、従来例による固体レーザ装置の光出力の時間
変化（点線３２）は、金属ブロック１２の温度と光学筐
体１３の温度の差（ΔＴ）を変化の影響を受けて１０％
の光出力の変動がある。
図である。半導体レーザチップ１１を載せた金属ブロッ
ク１２の温度と、光学筐体１３の温度の差（ΔＴ、実線
３３）を変化させたときの本実施例による固体レーザ装
置の光出力の時間変化（実線３１）を示す。前述の空気
層を断熱層とした本実施例による固体レーザ装置の光出
力の時間変化は極めて小さく１％以内の出力変動であ
る。一方、従来例による固体レーザ装置の光出力の時間
変化（点線３２）は、金属ブロック１２の温度と光学筐
体１３の温度の差（ΔＴ）を変化の影響を受けて１０％
の光出力の変動がある。
【００２０】本実施例においては、金属ブロック１２の
光学筐体１３と接する面の周辺に高さ０.１ｍｍの不連
続な突起１４で空気層を設けたが、他の実施例として図
２(ｂ)に示すように金属ブロック１２の光学筐体１３と
接する面の全面に連続する突起１４で空気層を設けるこ
ともできる。本実施例による固体レーザ装置の光出力の
時間変化も極めて小さく１％以内の出力変動であった。
光学筐体１３と接する面の周辺に高さ０.１ｍｍの不連
続な突起１４で空気層を設けたが、他の実施例として図
２(ｂ)に示すように金属ブロック１２の光学筐体１３と
接する面の全面に連続する突起１４で空気層を設けるこ
ともできる。本実施例による固体レーザ装置の光出力の
時間変化も極めて小さく１％以内の出力変動であった。
【００２１】また、他の実施例として図２(Ｃ)に示すよ
うに、光学筐体１３の表面であって金属ブロック１２と
接する面に断熱層を形成するために突起１４で空気層を
設ける事ができる。さらに、他の実施例として図２(ｄ)
に示すように光学筐体１３の金属ブロック１２と接する
面の全面に連続する突起１４で空気層を設け断熱層を形
成する事もできる。本実施例による固体レーザ装置の光
出力の時間変化も極めて小さく１％以内の出力変動であ
った。
うに、光学筐体１３の表面であって金属ブロック１２と
接する面に断熱層を形成するために突起１４で空気層を
設ける事ができる。さらに、他の実施例として図２(ｄ)
に示すように光学筐体１３の金属ブロック１２と接する
面の全面に連続する突起１４で空気層を設け断熱層を形
成する事もできる。本実施例による固体レーザ装置の光
出力の時間変化も極めて小さく１％以内の出力変動であ
った。
【００２２】図４(ａ)(ｂ)は、他の実施例で図１の点線
円内の部分を拡大し光軸の方向からみた図である。図４
(ａ)において半導体レーザチップ１１を載せた金属ブロ
ック１２と光学筐体１３との間に熱絶縁材１５として厚
さ１０μｍのエポキシ樹脂シートを挟み、半導体レーザ
チップ１１を載せた金属ブロック１２を光学筐体１３に
ステンレス製の固定ネジ１６で固定した。
円内の部分を拡大し光軸の方向からみた図である。図４
(ａ)において半導体レーザチップ１１を載せた金属ブロ
ック１２と光学筐体１３との間に熱絶縁材１５として厚
さ１０μｍのエポキシ樹脂シートを挟み、半導体レーザ
チップ１１を載せた金属ブロック１２を光学筐体１３に
ステンレス製の固定ネジ１６で固定した。
【００２３】この場合においても、前述した図３の固体
レーザ光出力の時間変動と同様の結果が得られた。本実
施例において、熱絶縁材１５として厚さ１０μｍのエポ
キシ樹脂シートを使用したが、他の実施例として、プラ
スチックシート、硝子繊維強化プラスチックのごとき複
合材料シート、ガラスシート、セラミックシートを用い
る事ができる。
レーザ光出力の時間変動と同様の結果が得られた。本実
施例において、熱絶縁材１５として厚さ１０μｍのエポ
キシ樹脂シートを使用したが、他の実施例として、プラ
スチックシート、硝子繊維強化プラスチックのごとき複
合材料シート、ガラスシート、セラミックシートを用い
る事ができる。
【００２４】更に、他の実施例として、金属ブロック１
２の表面であって光学筐体１３と接する面に断熱性の被
膜を被着し熱絶縁材１５とする事ができる。一例とし
て、金属ブロック１２の表面であって光学筐体１３と接
する面に、公知の技術であるスパッタリング法により厚
さ２μｍの二酸化珪素ＳｉＯ2 膜を成膜し熱絶縁材１５
とした。本実施例による固体レーザ装置の光出力の時間
変化も極めて小さく１％以内の出力変動であった。
２の表面であって光学筐体１３と接する面に断熱性の被
膜を被着し熱絶縁材１５とする事ができる。一例とし
て、金属ブロック１２の表面であって光学筐体１３と接
する面に、公知の技術であるスパッタリング法により厚
さ２μｍの二酸化珪素ＳｉＯ2 膜を成膜し熱絶縁材１５
とした。本実施例による固体レーザ装置の光出力の時間
変化も極めて小さく１％以内の出力変動であった。
【００２５】他の実施例において、熱絶縁材１５として
厚さ２μｍの二酸化珪素ＳｉＯ2 膜を使用したが、プラ
スチック、ガラス、セラミックの被膜を公知の技術であ
る塗布、蒸着、陽極酸化等の方法にて成膜し熱絶縁材１
５として用いる事ができる。
厚さ２μｍの二酸化珪素ＳｉＯ2 膜を使用したが、プラ
スチック、ガラス、セラミックの被膜を公知の技術であ
る塗布、蒸着、陽極酸化等の方法にて成膜し熱絶縁材１
５として用いる事ができる。
【００２６】また、他の実施例として図４(ｂ)に示すよ
うに、光学筐体１３の表面であって、金属ブロック１２
と接する面に断熱性の被膜を被着し、熱絶縁材１５とす
る事ができる。一例として、光学筐体１３の表面であっ
て金属ブロック１２と接する面に、公知の技術であるス
パッタリング法により厚さ３μｍのテトラフルオロエチ
レン樹脂膜を成膜し、熱絶縁材１５とした。本実施例に
よる固体レーザ装置の光出力の時間変化も極めて小さく
１％以内の出力変動であった。前述において、熱絶縁材
１５として厚さ３μｍのテトラフルオロエチレン樹脂膜
を使用したが、プラスチック、ガラス、セラミックの被
膜を公知の技術である塗布、蒸着、陽極酸化等の方法に
て成膜し熱絶縁材１５として用いる事ができる。
うに、光学筐体１３の表面であって、金属ブロック１２
と接する面に断熱性の被膜を被着し、熱絶縁材１５とす
る事ができる。一例として、光学筐体１３の表面であっ
て金属ブロック１２と接する面に、公知の技術であるス
パッタリング法により厚さ３μｍのテトラフルオロエチ
レン樹脂膜を成膜し、熱絶縁材１５とした。本実施例に
よる固体レーザ装置の光出力の時間変化も極めて小さく
１％以内の出力変動であった。前述において、熱絶縁材
１５として厚さ３μｍのテトラフルオロエチレン樹脂膜
を使用したが、プラスチック、ガラス、セラミックの被
膜を公知の技術である塗布、蒸着、陽極酸化等の方法に
て成膜し熱絶縁材１５として用いる事ができる。
【００２７】以上説明した実施例においては、固体レー
ザの基本波を発振する光学系を示したが、本発明におい
てはこれに限定される事なく、固体レーザ共振器の中に
ＫＴｉＯＰＯ4 （チタンリン酸カリウム）等の非線形光
学素子を挿入し、その非線形光学素子と固体レーザ基本
波との相互作用によって固体レーザ基本波の第２高調波
即ち固体レーザ基本波の１／２の波長のレーザを実現す
る事ができる。
ザの基本波を発振する光学系を示したが、本発明におい
てはこれに限定される事なく、固体レーザ共振器の中に
ＫＴｉＯＰＯ4 （チタンリン酸カリウム）等の非線形光
学素子を挿入し、その非線形光学素子と固体レーザ基本
波との相互作用によって固体レーザ基本波の第２高調波
即ち固体レーザ基本波の１／２の波長のレーザを実現す
る事ができる。
【００２８】前述した第２高調波の出力は、共振器内の
基本波パワーの２乗に比例するので、第２高調波の出力
変動は、固体レーザ基本波の出力変動が増幅された大き
さになる。従って、固体レーザ基本波の出力を安定させ
る事ができる本発明は、第２高調波発生固体レーザ装置
に特に有効である。
基本波パワーの２乗に比例するので、第２高調波の出力
変動は、固体レーザ基本波の出力変動が増幅された大き
さになる。従って、固体レーザ基本波の出力を安定させ
る事ができる本発明は、第２高調波発生固体レーザ装置
に特に有効である。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による固体
レーザ装置は、半導体レーザ励起固体レーザ装置におい
て、半導体レーザチップと光学筐体に温度差がある場
合、あるいは、その光学筐体に温度変化がある場合、例
えば固体レーザ装置がおかれている環境温度が変化した
場合においても、金属ブロックと半導体レーザチップの
温度を一定に保ち、固体レーザの出力が安定した固体レ
ーザ装置を得ることができる。
レーザ装置は、半導体レーザ励起固体レーザ装置におい
て、半導体レーザチップと光学筐体に温度差がある場
合、あるいは、その光学筐体に温度変化がある場合、例
えば固体レーザ装置がおかれている環境温度が変化した
場合においても、金属ブロックと半導体レーザチップの
温度を一定に保ち、固体レーザの出力が安定した固体レ
ーザ装置を得ることができる。
【図１】本発明による固体レーザ装置の一実施例を示す
図。
図。
【図２】(ａ)は本発明の一実施例で図１の部分拡大図。
(ｂ)は本発明の他の実施例で図１の部分拡大図。(ｃ)は
本発明の他の実施例で図１の部分拡大図。(ｄ)は本発明
の他の実施例で図１の部分拡大図。
(ｂ)は本発明の他の実施例で図１の部分拡大図。(ｃ)は
本発明の他の実施例で図１の部分拡大図。(ｄ)は本発明
の他の実施例で図１の部分拡大図。
【図３】固体レーザ光出力の時間変動を示す図。
【図４】(ａ)，(ｂ)は本発明の他の実施例で図１の部分
拡大図。
拡大図。
【図５】従来の固体レーザ装置の装置断面図。
【図６】図５の部分拡大図。
【図７】図６の部分拡大図。
１１ 半導体レーザチップ １２ 金属ブロック １３ 光学筐体 １４ 突起 １５ 熱絶縁材 １６ 固定ネジ １７，４１ 電子冷却素子 １８，４３ 集光レンズ １９，４４ 固体レーザ媒質 ２０，４５ 出力ミラー ２１，４２ ヒートシンク ２２，４６ 放熱フィン ２３，４７ 断熱材
【手続補正書】
【提出日】平成５年３月９日
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１】
【図２】
【図３】
【図５】
【図６】
【図４】
【図７】
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体レーザチップと、該半導体レーザ
チップを支持する金属ブロックと、該金属ブロックを固
着した電子冷却素子と、該電子冷却素子を固着したヒー
トシンクと、該ヒートシンクや集光レンズ、固体レーザ
媒質、出力ミラーを固定する光学筐体と、該光学筐体に
前記金属ブロックを固定した半導体レーザ励起固体レー
ザ装置に於いて、前記光学筐体と前記金属ブロックとの
接触面を熱的に絶縁したことを特徴とする半導体レーザ
励起固体レーザ装置。 - 【請求項２】 前記金属ブロックを突起を介して前記光
学筐体に固定し、空気層を熱絶縁層としたことを特徴と
する請求項１記載の半導体レーザ励起固体レーザ装置。 - 【請求項３】 前記金属ブロックを熱絶縁シートを介し
て前記光学筐体に固定したことを特徴とする請求項１記
載の半導体レーザ励起固体レーザ装置。 - 【請求項４】 前記金属ブロックもしくは前記光学筐
体、または両方の接触面に熱絶縁被膜を被着して前記金
属ブロックを前記光学筐体に固定したことを特徴とする
請求項１記載の半導体レーザ励起固体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22097092A JPH0730171A (ja) | 1992-07-29 | 1992-07-29 | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22097092A JPH0730171A (ja) | 1992-07-29 | 1992-07-29 | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0730171A true JPH0730171A (ja) | 1995-01-31 |
Family
ID=16759418
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22097092A Pending JPH0730171A (ja) | 1992-07-29 | 1992-07-29 | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0730171A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009054838A (ja) * | 2007-08-28 | 2009-03-12 | Japan Science & Technology Agency | 固体レーザーモジュール |
| JP2014050073A (ja) * | 2012-09-04 | 2014-03-17 | Seiko Epson Corp | 原子発振器および電子機器 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0388380A (ja) * | 1989-08-31 | 1991-04-12 | Hoya Corp | 固体レーザ装置 |
| JPH03163889A (ja) * | 1989-11-21 | 1991-07-15 | Tokin Corp | 半導体レーザ励起形固体レーザ装置 |
-
1992
- 1992-07-29 JP JP22097092A patent/JPH0730171A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0388380A (ja) * | 1989-08-31 | 1991-04-12 | Hoya Corp | 固体レーザ装置 |
| JPH03163889A (ja) * | 1989-11-21 | 1991-07-15 | Tokin Corp | 半導体レーザ励起形固体レーザ装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009054838A (ja) * | 2007-08-28 | 2009-03-12 | Japan Science & Technology Agency | 固体レーザーモジュール |
| JP2014050073A (ja) * | 2012-09-04 | 2014-03-17 | Seiko Epson Corp | 原子発振器および電子機器 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19960611 |