JPH07301829A

JPH07301829A - 光スイッチ

Info

Publication number: JPH07301829A
Application number: JP4806895A
Authority: JP
Inventors: Kaika Chiyou; 海華張; Yoshiatsu Yokoo; 芳篤横尾
Original assignee: Hoya Corp
Current assignee: Hoya Corp
Priority date: 1994-03-11
Filing date: 1995-03-08
Publication date: 1995-11-14

Abstract

(57)【要約】【目的】ＴＴＬレベルでの低電圧駆動が可能となり、
光の散乱による光損失を減少させ、消光比の低下を抑制
し得る光スイッチを提供すること。【構成】互いに対向する一対の主表面を有するガラス
基板１と、一対の主表面の一方に形成された第１の透明
電極４´と、第１の透明電極４´に対向して配置された
マトリックスを形成する第２の透明電極４と、第１及び
第２の透明電極４´及び４間に封止された液晶８とを備
え、ガラス基板１に入射された光ｉを一対の主表面間で
交互に反射させてガラス基板１内を伝搬する第１のモー
ドと、ガラス基板１に入射された光ｉを、第１の透明電
極４´及び液晶８を順次介して、第２の透明電極４から
出射させる第２のモードとの内の一方を、第１及び第２
の透明電極４´及び４間の電場を変化させることによっ
て選択できる光スイッチ。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光通信、光情報処理に
おいて用いられる光スイッチに関し、特に液晶を用い
て、光の進行方向を切り替える多次元光マトリックスス
イッチに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】光スイッチは、光通信、光情報処理に対
し、欠かせない光制御素子である。この光スイッチは、
光ファイバや導波路の光伝送路を伝搬する光信号のま
ま、オン・オフするまたは切り替えるもので、光多重通
信、光情報処理の大容量化、高密度化、高速度化の要求
によって光マトリックススイッチ素子が必要とされてき
ている。

【０００３】近年、光マトリックススイッチ素子の開発
が盛んになり、それらの内の一つとして、コア層の屈折
率と外側層の屈折率を制御することによって、コア層内
に入射された光は、全反射によってコア層内に前進する
か、あるいは外側層を透過し、外部に出てゆく（すなわ
ち、スイッチングされる）光スイッチ素子が知られてい
る（特開平５−２１５７号公報）。この光スイッチ素子
の構造及び原理を図９及び図１０を用いて説明する。

【０００４】図９において、常誘電性液晶層Ｂからなる
コア層は、強誘電性液晶層Ａからなる外側層により挟ま
れ、更には配向膜１６及び１７と透明電極１４及び１５
によって挟まれている。尚、図９において、１２及び１
３は透明基板であり、２２は透明電極である。

【０００５】コア層と外側層は下述のように形成され
る。常誘電性液晶層Ｂと強誘電性液晶層Ａとからなる液
晶層１８として、ある特定の液晶材料および液晶分子配
向膜を用いた場合には、基板界面近辺では液晶分子が垂
直配向をなし、それが強誘電性液晶層Ａ（外側層）であ
り、一方、液晶層中間部では水平配向をなすような分子
配向をとり、それが常誘電性液晶層（コア層）Ｂであ
る。その二層Ａ及びＢの屈折率の差異により、常誘電性
液晶層Ｂに光２１を入射させると、強誘電性液晶層Ａと
常誘電性液晶層Ｂとの界面（詳細には強誘電性液晶層Ａ
内）で全反射を繰り返しながら液晶層１８の中を伝搬し
ていく。

【０００６】図１０において、電源スイッチ２０を閉じ
て電源１９から電圧を透明電極１４及び１５に印加する
と、強誘電性液晶層（外側層）Ａの屈折率が透明電極１
４、１５への印加電圧により、電気光学的効果で変化す
る。よって、入射した光２１は図９のように全反射せず
に強誘電性液晶層（外側層）Ａを通過し、透明基板１２
の外に出射していく。

【０００７】このように、電圧制御により、常誘電性液
晶層（コア層）Ｂの入力端に入力された光をそのまま常
誘電性液晶層（コア層）Ｂの出力端に出力させる場合
（図９の場合）と、強誘電性液晶層（外側層）Ａの主面
の外方向に出射させる場合（図１０の場合）との間でス
イッチング動作をさせる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかし、この光スイッ
チ素子では、液晶層１８を導波路として使っており、光
が液晶層１８を伝搬するとき、液晶分子のゆらぎなどに
より、光の散乱が大きいため、光損失が多くなる。

【０００９】従って本発明の技術的課題は、光の散乱に
よる光損失を減少させた光スイッチを提供することにあ
る。

【００１０】本発明のもう一つの技術的課題は、ＴＴＬ
（トランジスタ・トランジスタ・ロジック）レベルでの
低電圧駆動が可能となるような良好な制御性を持つと共
に、光の散乱による光損失を減少させ、消光比の低下を
抑制した２次元光マトリックススイッチを提供すること
にある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明によれば、互いに
対向する一対の主表面を有し、透光性固体材料からなる
導光手段と、一対の主表面の一方に形成された第１の透
明電極と、第１の透明電極に対向して配置された第２の
透明電極と、第１及び第２の透明電極間に封止された液
晶とを備え、導光手段に入射された光を一対の主表面間
で交互に反射させて導光手段内を伝搬する第１のモード
と、導光手段に入射された光を第１の透明電極及び液晶
を順次介して第２の透明電極側から出射させる第２のモ
ードとの内の一方のモードを、該第１及び第２の透明電
極間の電場を変化させることによって選択できる光スイ
ッチが得られる。この光スイッチにおいて、導光手段が
板状体であることは好ましい。

【００１２】又、本発明によれば、上記光スイッチにお
いて、第１の透明電極が一対の主表面の一方の全域に形
成され、第２の透明電極はマトリックスを形成している
光スイッチが得られる。

【００１３】更に、本発明によれば、上記何れかの光ス
イッチにおいて、第１のモードにおける導光手段の一対
の主表面間での光の反射が全反射となるように、該光の
該一対の主表面に対する入射角と該導光手段及び液晶の
屈折率とが選定された光スイッチが得られる。

【００１４】加えて、本発明によれば、上記何れかの光
スイッチを、光の進行方向に沿って複数個配置した光ス
イッチが得られる。

【００１５】

【実施例】以下に実施例を挙げ、本発明の光スイッチに
ついて、図面を参照して詳細に説明する。

【００１６】図１は本発明の実施例１に係る光スイッチ
の基本構成を示した縦断面図であり、図２及び図３はこ
の光スイッチの異なる動作状態を説明するための図であ
り、図４はこの光スイッチの外観全体を示した斜視図で
ある。因みに、図１は図４のＸ−Ｘ線における断面図に
相当する。

【００１７】図１において、本実施例による光スイッチ
は、ガラス基板１、２、及び３、液晶８及び９、透明電
極４、４′、６、及び６′、配向膜５、５′、７、及び
７′を有する。

【００１８】ガラス基板２の一表面上にマトリックスを
形成するように、選択的に透明電極４を設け、透明電極
４上及びガラス基板２の一表面の残りの部分上に配向膜
５を塗布してラビングする。同様に、ガラス基板３の一
表面上にマトリックスを形成するように、選択的に透明
電極６を設け、透明電極６上及びガラス基板３の一表面
の残りの部分上に配向膜７を塗布してラビングする。

【００１９】又、ガラス基板１の対向する一対の表面上
に透明電極４′及び６´をそれぞれ設け、透明電極４′
及び６´上に配向膜５′及び７′を塗布し、ラビングす
る。その後、三枚のガラス基板１、２、及び３を図示の
ように組み立て、三枚のガラス基板１、２、及び３間の
二つのギャップに液晶８及び９を注入する。ガラス基板
１、２、及び３間のギャップを適当なスペーサ（図示せ
ず）を選択することによって制御し、適正な液晶８及び
９の厚みを得る。更に、液晶セルＬＣ１及びＬＣ２の周
囲にシール材（図示せず）を塗布することによって、液
晶８及び９を封止する。液晶セルＬＣ１及びＬＣ２に
は、交流又は直流の電圧が透明電極４及び４´及び透明
電極６及び６´を介して印加されており、この電圧のオ
ン・オフによって、光路を切り換える。液晶８及び９
は、液晶分子の初期配向が、図１に示すように配向膜
５、５′、７、及び７′とガラス基板１、２、及び３の
延在方向に対して図１の紙面に平行になるように配向処
理を行う。電場をかけると液晶分子の配向はガラス基板
１、２、及び３に垂直となるようにする。この際、液晶
分子の配向がガラス基板１、２、及び３に平行になって
いる時の誘電率をε［平行］とし、液晶分子の配向がガ
ラス基板１、２、及び３に垂直となっている時の誘電率
をε［垂直］とし、この液晶分子の誘電率の異方性をΔ
εとし、Δεが｛ε［平行］−ε［垂直］｝で表される
とすると、この液晶分子を｛ε［平行］−ε［垂直］｝
＞０となるように設定する。

【００２０】本実施例において、導光手段として使われ
ているガラス基板１は、ＴａＦＤ３０（屈折率ｎ_D＝
１．８７８５３）であり、厚み０．２ｍｍである。ガラ
ス基板２及び３には特に制限はない。

【００２１】大きな消光比を得るためには、液晶８及び
９の異常光線屈折率ｎ_eと常光線屈折率ｎ_oとの差Δｎ
＝ｎ_e−ｎ_oが大きければ大きいほど良い。この光スイ
ッチの応答速度については、液晶８及び９として粘性の
小さい液晶材料を選定するとともに液晶８及び９の厚み
をできる限り薄くすることにより、１０ｍｓ以下の応答
速度が得られた。この実験においてはメルク社のネマチ
ック液晶ＺＬＩ−５０４９−１００を使い、この液晶の
屈折率はｎ_e＝１．７０９２、ｎ_o＝１．５０６５であ
った。

【００２２】図１の実施例では、透明電極４、４´、
６、及び６´として酸化インジウム（ＩＴＯ）膜を用い
る。ガラス基板１の両表面に全面的にＩＴＯ膜４′、
６′を蒸着する。光の出口のガラス基板２の内表面に
は、透明電極４を図４に示すようにマトリックスを形成
するように設け、その透明電極４のパターンはそれぞれ
の光路を独立にスイッチング制御することができるよう
にする。透明電極４のサイズは２ｍｍ×２ｍｍで、透明
電極４間の間隔は２ｍｍである。同様に、光の出口のガ
ラス基板３の内表面には、透明電極６をマトリックスを
形成するように設け、その透明電極６のパターンはそれ
ぞれの光路を独立にスイッチング制御することができる
ようにする。透明電極６のサイズは２ｍｍ×２ｍｍで、
透明電極６間の間隔は２ｍｍである。

【００２３】図１において、配向膜５、５′、７、及び
７′はガラス基板１、２、及び３の液晶セルＬＣ１及び
ＬＣ２に対向する表面にそれぞれ形成されており、それ
ら配向膜５、５′、７、及び７′はポリイミドからな
る。配向膜５、５′、７、及び７′を形成する際には、
ポリイミドを回転塗布法によってガラス基板１、２、及
び３の所定の表面に薄膜状に形成し、硬化する。その
後、ラビング法で液晶８及び、９の液晶分子の初期配向
方向を図１に示すようにホモジニアス（ガラス基板１、
２、及び３に平行）に配向する。

【００２４】図２において、ガラス基板１は液晶８及び
９に挟まれているので、ガラス基板１に入射される光ｉ
は、ガラス基板１の屈折率と液晶８及び９の屈折率との
関係及び光ｉの入射角度により、ガラス基板１と液晶８
及び９との界面（詳細には、配向膜５´と液晶８との界
面及び配向膜７´と液晶９との界面）で全反射されなが
らガラス基板１内を伝搬する。

【００２５】又は、図３に実線で示すように、光ｉは、
ガラス基板１（配向膜５´）と液晶８との界面で屈折さ
れ、液晶８及び透明電極４ａを通り、光ｉ１として出射
する。他の例としては図３に破線で示すように、光ｉ
は、ガラス基板１（配向膜７´）と液晶９との界面で屈
折され、液晶９及び透明電極６ａを通り、光ｉ２として
出射する。

【００２６】図２及び図３において、ガラス基板１の絶
対屈折率ｎ_Dが液晶８及び９の絶対屈折率ｎ_LCより大き
い場合、光ｉの入射角度がガラス基板１と液晶８及び９
との界面の全反射臨界角度θ_c＝ａｒｃｓｉｎ（ｎ_LC／
ｎ_D）より大きいと、光ｉはガラス基板１内の界面で全
反射され、入射角度が全反射臨界角度θ_cより小さい
と、界面で全反射されずに透過される。

【００２７】液晶８及び９は電場をかけたときの分子配
向と電場をかけないときの分子配向が異なることによ
り、屈折率が異なってくる。よって、全反射臨界角度も
異なる。図２及び図３の実施例１においては、入射光の
電気ベクトルの振幅方向はＥで示されており、ガラス基
板１から、液晶８及び９に対し、光ｉは入射角度が５９
°で入射している。この場合、電圧を印加しない時、液
晶分子の配向は、図２に示すようにガラス基板１、２、
及び３に平行しており、その時の液晶８及び９の屈折率
をｎ_LC［ｏｆｆ］とすると、ｎ_LC［ｏｆｆ］＝１．５５
３２であり、それに対応する全反射臨界角度θ_c［ｏｆ
ｆ］は約５６°である。よって、５９°で入射された光
ｉは界面で全反射され、ガラス基板１内を伝搬する。

【００２８】一方、例えば図３に示すように、透明電極
４ａ及び６ａに電圧を印加する時、液晶分子の配向はガ
ラス基板１に垂直になっており、その時の電圧を印加さ
れた部分の液晶８及び９の屈折率をｎ_LC［ｏｎ］とする
と、ｎ_LC［ｏｎ］＝１．６４７６であり、それに対応す
る全反射臨界角度θ_c［ｏｎ］は約６１°である。

【００２９】よって、５９°で入射された光ｉはその界
面で全反射されず、液晶８及び９を通り、ガラス基板２
及び３の外に光ｉ１や光ｉ２として放射される。上述か
らわかるように、光ｉの入射角度を二つの全反射臨界角
度であるθ_c［ｏｆｆ］とθ_c［ｏｎ］との間の角度と
すると、電場をかけるか否かにより光の前進方向を制御
できる。即ち、電場をかけない場合、光は界面で全反射
しながらガラス基板１内を伝搬するが、電場をかけた場
合、光は界面で全反射せずに透過する。このようにし
て、伝搬する光がスイッチングされることになる。

【００３０】図４に示された例では、光スイッチはガラ
ス基板１の入射面１０に入射した光ｉａをガラス基板１
の出射面１１から光ｉａ´として出射し、入射した光ｉ
ｂを光ｉｂ´として出射し、入射した光ｉｃを光ｉｃ´
として出射し、入射した光ｉｄを光ｉｄ´として出射す
る。

【００３１】尚、出射する光ｉ１及びｉ２（図３）や光
ｉａ´、ｉｂ´、ｉｃ´、及びｉｄ´（図４）の反射損
失を減少するため、液晶屈折率ｎ_eと同じかあるいはそ
れに近い屈折率のガラス基板を用いるか、あるいはガラ
ス基板２及び３の外側に反射防止膜を設けるのが好まし
い。しかし、ガラス基板２及び３の屈折率により、出射
角度を変えるので、適当な選択が必要である。

【００３２】図５は本発明の実施例２に係る光スイッチ
の基本構成を示した縦断面図であり、図６及び図７はこ
の光スイッチにおける異なる動作状態を説明するために
示したものである。この光スイッチは、液晶分子の初期
配向の状況を除いて、他の部分は実施例１と同じであ
る。即ち、この光スイッチにおいて、液晶８及び９は、
液晶分子の初期配向が、配向膜５、５´、７、７´とガ
ラス基板１、２、及び３の延在方向に対して平行、且つ
紙面に垂直になるように処理する。電場をかけると液晶
分子の配向はガラス基板１、２、及び３の延在方向に垂
直となるように処理する。

【００３３】図６及び図７に示す実施例２の光スイッチ
においては、入射光の電気ベクトルの振幅方向はＥで示
されており、ガラス基板１から、液晶８及び９に対し光
ｉは入射角度が５７°で入射している。この場合、電圧
を印加しない時、液晶分子の配向は、図６に示すように
ガラス基板１、２、及び３の延在方向に対し平行、且つ
図６の紙面に垂直となるようにしており、そのときの液
晶８及び９の屈折率ｎ_LC［ｏｆｆ］＝１．５０６５であ
り、それに対応する全反射臨界角度θ_c［ｏｆｆ］は約
５３°である。よって、５７°で入射された光ｉは界面
で全反射され、ガラス基板１内を伝搬する。

【００３４】一方、例えば図７に示すように、透明電極
４ａ及び６ａに電圧を印加する時、液晶分子の配向はガ
ラス基板１に垂直になっており、その時の電圧を印加さ
れた部分の液晶８及び９の屈折率ｎ_LC［ｏｎ］＝１．６
４０７であり、それに対応する全反射臨界角度θ_c［ｏ
ｎ］は約６０°である。よって、５７°で入射された光
ｉは界面で全反射させず、液晶８及び９を通り、ガラス
基板２及び３の外に光ｉ１や光ｉ２として放射される。

【００３５】図８は、実施例１及び２に示す光スイッチ
における各動作状態（各配向状態）の入射角度に対する
全反射臨界角度の関係を示した特性図である。但し、こ
こで直線Ｓ１は入射される光の入射角度を示すものであ
り、線Ｓ２は図３の透明電極４ａ及び６ａに電圧を印加
し、液晶分子の配向をガラス基板１に垂直にした状態で
の入射角と全反射臨界角度の関係を示すものである。
又、線Ｓ３は図２に示すように実施例１において透明電
極４及び６に電圧を印加しないときの入射角と全反射臨
界角度の関係を示し、線Ｓ４は図６に示すように実施例
２において透明電極４及び６に電圧を印加しないときの
入射角と全反射臨界角度の関係を示す。

【００３６】図８からは、スイッチング動作できる光入
射角度の許容範囲は、実施例２の光スイッチの場合は実
施例１の光スイッチの場合より大きい。よって、光路の
調整をし易くなり、かつ、スイッチ素子の消光比が高く
なるということが判る。

【００３７】このようにして、各実施例１及び２の光ス
イッチでは、５Ｖで液晶セルの駆動すること（すなわ
ち、ＴＴＬレベルの低電圧駆動）ができると共に、光を
全反射させているので、光の減衰を極めて抑制できる。
又、各実施例１及び２の光スイッチでは、ガラス基板１
を０．２ｍｍ程度の薄板としたので、ガラス基板１の主
表面における反射部分を数多く形成することができ、こ
の結果として光スイッチの多チャンネル化を実現するこ
とができた。更に、このようにガラス基板１を薄板にし
た場合、ガラス基板１の両表面の透明導電膜をフォトリ
ソグラフィによりパターンニングすることが困難となる
ので、透明導電膜をガラス基板１の両表面の全域に透明
電極４´及び６´として形成することによって、フォト
リソグラフィを用いないで済むようにした。加えて、マ
トリックス透明電極４及び６の配置により液晶８及び９
のある部分のみ屈折率を変化させ、光をその部分から出
射させる。よって、電場のかけ方によりマトリックスス
イッチ素子ができる。

【００３８】尚、上述した各実施例１、２の光スイッチ
において、液晶材料とその配向性、電極材料、電極パタ
ーンおよびガラス材料、サイズなどは上記したものに限
定されない。例えば、ガラス基板１はＴａＦＤ３０ガラ
スに限らず、ガラス基板１の屈折率ｎ_Dが液晶８及び９
の屈折率ｎ_e及びｎ_oの小さい方より大きいならば良
い。ガラス基板１の厚みも種々の厚みに変えられる。光
の入出力端面に光の反射損失を小さくするため、ガラス
基板１の両端側に入出光に対しブリュースター角度或い
は垂直になるように斜めでカットし、研磨しても良い。
同様に、ガラス基板２、３の出射側も出射光に対しブリ
ュースター角度或いは垂直になるようにした方が良い。
又、ガラス材料の変わりに透明なプラスチック材料を用
いることもできる。更に、図１及び図５のガラス基板１
と透明電極４´、ガラス基板１と透明電極６´、ガラス
基板２と透明電極４、ガラス基板３と透明電極６、透明
電極４´と配向膜５´、透明電極６´と配向膜７´、透
明電極４と配向膜５、透明電極６と配向膜７、ガラス基
板１と大気、ガラス基板２と大気、ガラス基板３と大気
の界面に反射防止膜を設けることにより、それらの界面
における反射損失を低減させることが可能である。

【００３９】又、液晶８及び９は、ネマチック液晶に限
らず、強誘電性液晶などを使っても良い。強誘電性液晶
では、極性の異なるパルス（＋電位のパルス、−電位の
パルス）を印加することにより、液晶分子の配向を変化
し、よって、液晶８及び９の屈折率を変え、光をスイッ
チングできる。特に強誘電率液晶を用いる場合には、そ
のメモリ性を利用して、切り替えのための電圧印加は一
時的なパルスで良く、自己保持型スイッチとすることが
できる。

【００４０】更に、透明電極４、４´、６、及び６´の
他の電極材料として、酸化錫（ＳｎＯ₂）膜、Ｉｎ₂Ｏ
₃−ＳｎＯ₂膜なども使える。電極のパターンとして電
極４′及び６′をそれぞれ電極４及び６と同じようなパ
ターンにしても良いし、或いはマトリックス電極を使っ
ても良い。又、ここで電極のサイズを適当に変えても良
い。

【００４１】加えて、配向膜５、５´、７、及び７´と
して、他の有機配向膜（ポリアミドを含む）や、ＳｉＯ
などの無機配向膜を用いても良い。

【００４２】その他として、導光手段による導光原理は
全反射ではなくても良い。導光手段は、上述した板状体
の代わりに円柱状体を用いても良い。又、液晶８及び９
は、ガラス基板１の両側に配置したが、片側だけに液晶
を設け、他方はガラス基板１の主表面で光が全反射する
ような光学的条件を付与しておいても良い。更に、入射
光は赤外光や可視光であっても良い。加えて、液晶分子
の初期配向は実施例１及び２に限定されるものではな
く、図１〜３、及び図５〜７のガラス基板１の延在方向
に平行となるようにすれば良い。

【００４３】

【発明の効果】以上に説明したように、本発明によれ
ば、導光手段として透光性固体材料を用いて、導光手段
の光の散乱による光損失を減少させた光スイッチが得ら
れる。更に、本発明によれば、ＴＴＬレベルでの低電圧
駆動が可能で良好で、光の散乱による光損失を減少させ
得ると共に、消光比の低下を抑制し得る構造が簡単で低
価格な２次元光マトリックススイッチが得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例１に係る光スイッチの基本構成
を示した縦断面図。

【図２】図１に示す光スイッチの一動作状態を説明する
ために示した縦断面図。

【図３】図１に示す光スイッチの他の動作状態を説明す
るために示した縦断面図。

【図４】図１に示す光スイッチの外観全体を示した斜視
図。

【図５】本発明の実施例２に係る光スイッチの基本構成
を示した縦断面図。

【図６】図５に示す光スイッチの一動作状態を説明する
ために示した縦断面図。

【図７】図５に示す光スイッチの他の動作状態を説明す
るために示した縦断面図。

【図８】図１又は図５に示す光スイッチにおける各動作
状態（各配向状態）の全反射臨界角度と入射角度との関
係を示した特性図。

【図９】従来の光スイッチ素子の基本構成及びその一動
作状態を説明するために示した断面図。

【図１０】図９に示す光スイッチ素子の他の動作状態を
説明するために示した断面図。

【符号の説明】

１、２、３ガラス基板４、４′、６、６′ 透明電極５、５′、７、７′ 配向膜８、９液晶１０入射面１１出射面１２、１３透明基板１４、１５透明電極１６、１７配向膜１８液晶１９電源２０電源スイッチＡ強誘電体液晶層Ｂ常誘電体液晶層ＬＣ１、ＬＣ２液晶セル

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】互いに対向する一対の主表面を有し、透
光性固体材料からなる導光手段と、前記一対の主表面の
一方に形成された第１の透明電極と、前記第１の透明電
極に対向して配置された第２の透明電極と、前記第１及
び第２の透明電極間に封止された液晶とを備え、前記導
光手段に入射された光を前記一対の主表面間で交互に反
射させて前記導光手段内を伝搬する第１のモードと、前
記導光手段に入射された光を前記第１の透明電極及び前
記液晶を順次介して前記第２の透明電極側から出射させ
る第２のモードとの内の一方のモードを、該第１及び第
２の透明電極間の電場を変化させることによって選択で
きることを特徴とする光スイッチ。
【請求項２】請求項１記載の光スイッチにおいて、前
記導光手段が板状体であることを特徴とする光スイッ
チ。
【請求項３】請求項１又は２記載の光スイッチにおい
て、前記第１の透明電極が前記一対の主表面の前記一方
の全域に形成され、前記第２の透明電極はマトリックス
を形成していることを特徴とする光スイッチ。
【請求項４】請求項１〜３の何れか一つに記載の光ス
イッチにおいて、前記第１のモードにおける前記導光手
段の前記一対の主表面間での前記光の反射が全反射とな
るように、該光の該一対の主表面に対する入射角と該導
光手段及び前記液晶の屈折率とが選定されていることを
特徴とする光スイッチ。
【請求項５】請求項１〜４の何れか一つに記載の光ス
イッチを、光の進行方向に沿って複数個配置したことを
特徴とする光スイッチ。