JPH0730253A

JPH0730253A - 多層セラミック基板の製造方法

Info

Publication number: JPH0730253A
Application number: JP5154673A
Authority: JP
Inventors: Yasuhiko Hakotani; 靖彦箱谷
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1993-06-25
Filing date: 1993-06-25
Publication date: 1995-01-31

Abstract

(57)【要約】【目的】焼成中のグリーンシートのバインダ除去を容
易にし、焼結性の高い多層セラミック基板を歩留まり良
く得ることを目的とする。【構成】ガラス・セラミック低温焼結基板材料に少な
くとも有機バインダ、可塑剤を含む第１のグリーンシー
ト１を作製し、導体ペースト組成物で電極パターンを形
成し、前記第１のグリーンシート１と別の電極パターン
形成済みの第２のグリーンシート４とを所望枚数積層す
る。しかる後、前記ガラス・セラミック低温焼結基板材
料の焼成温度では焼結しない無機組成物よりなる第２の
グリーンシート４の一部に孔開け加工を施す。加工孔
に、前記第１のグリーンシート中の有機バインダより分
解温度の低い樹脂５を充填した後、前記第２のグリーン
シート４で第１のグリーンシート積層体を挟み込むよう
に積層し、前記積層体を焼成する。しかる後、焼結しな
い無機組成物を取り除き多層セラミック基板を作製す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は半導体ＬＳＩ、チップ部
品などの電子部品を搭載し、かつそれらを相互配線する
ための多層セラミック配線基板の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、低温焼結多層ガラス・セラミック
基板の開発によって、使用できる導体材料に、金、銀、
銅、パラジウムまたはそれらの混合物が用いられるよう
になった。これらの金属は従来使用されたタングステ
ン、モリブデンなどに比べ導体抵抗が低く、かつ使用で
きる設備も安全で低コストに製造できる。

【０００３】一方これらの金属の内、貴金属である金、
銀、パラジウムは高価で、かつ価格変動が大きいことか
ら、安価で価格変動の少ないＣｕ電極材料の使用が望ま
れている。

【０００４】ここではそれらの低温焼結多層基板の代表
的な製造方法の一例を述べる。低温焼結多層基板を得る
方法には大きく分けて３種類の方法がある。まず第１に
多層基板の内層電極に銀を用い、低温焼結基板のグリー
ンシートを所望の枚数積層し、空気中で焼成し、その後
最上層に銀、パラジウムペーストを印刷、焼成して低温
焼結多層基板を得る方法である。これは内部にインピー
ダンスの小さい銀を用い、最上層に半田耐熱を有する銀
・パラジウムを使用するものである。第２は、内部の電
極に前者と同様に銀を用い、最上層に銅を用いる方法で
ある。この方法では最上層配線に銅を用いることで、前
者の銀・パラジウムに比べ低いインピーダンス、半田濡
れの点で有効なものが得られる。しかし、最上層に用い
る銅は銀との共晶温度が低いため、６００℃程度の低温
焼成銅ペーストを用いなければならない。その結果、接
着強度、半田濡れの点で課題が多い。最後に第３の方法
として、内層および最上層に銅電極を用いる方法があ
る。この方法によるものは導体抵抗、半田濡れ性、コス
トの点で最も良いがすべて窒素などの中性雰囲気で焼成
しなければならず、その作製が困難である。一般に銅電
極を使用するには、基板上にＣｕペーストをスクリーン
印刷にて配線パターンを形成し、乾燥後、Ｃｕの融点以
下の温度（８５０〜９５０℃程度）で、かつＣｕが酸化
されず導体ペースト中の有機成分が十分燃焼するように
酸素分圧を制御した窒素雰囲気中で焼成を行なうもので
ある。多層する場合は、同様の条件で絶縁層を印刷焼成
して得られる。しかし、焼成工程における雰囲気を適度
な酸素分圧下にコントロールすることは困難であり、ま
た多層化する場合、各ペーストを印刷後その都度焼成を
繰り返し行なう必要があり、リードタイムが長くなり、
設備などのコストアップにつながるなどの課題を有して
いる。そこで特公平３−２０９１４号公報において、多
層セラミック基板の作製にあたり、酸化第二銅ペースト
を用い、脱バインダ工程、還元工程、焼成工程の３段階
とする方法がすでに開示されている。それは酸化第二銅
を導体の出発原料とし多層体を作製し、脱バインダ工程
は、炭素に対して充分な酸素雰囲気で、かつ内部の有機
バインダを熱分解させるに充分な温度で熱処理を行な
う。次に酸化第二銅を銅に還元する還元工程、基板の焼
結を行なう焼成工程により成立しているものである。こ
れにより、焼成時の雰囲気制御が容易になり緻密な焼結
体が得られるようになった。

【０００５】多層セラミック基板は、焼成時に焼結に伴
う収縮が生じる。この焼結に伴う収縮は、使用する基板
材料、グリーンシート組成、粉体ロットなどにより異な
る。これにより多層セラミック基板の作製においていく
つかの問題が生じている。まず第１に、多層セラミック
基板の作製において前述のように内層配線の焼成を行な
ってから最上層配線の形成を行なうため、基板材料の収
縮誤差が大きいと、最上層配線パターンと寸法誤差のた
め内層電極との接続が行えない。その結果、収縮誤差を
予め許容するように最上層電極部に必要以上の大きい面
積のランドを形成しなければならず、高密度の配線を必
要とする回路には使用できない。また収縮誤差にあわせ
て最上層配線のためのスクリーン版をいくつか用意して
おき、基板の収縮率に応じて使用する方法が取られてい
る。この方法ではスクリーン版が数多く用意しなければ
ならず不経済である。

【０００６】一方、最上層配線を内層焼成と同時に行な
えば大きなランドを必要としないが、この同時焼成法に
よっても基板そのものの収縮誤差はそのまま存在するの
で、最後の部品搭載時のクリーム半田印刷において、そ
の誤差のため必要な部分に印刷できない場合が起こる。
また部品実装においても所定の部品位置とズレが生じ
る。

【０００７】第２にグリーンシート積層法による多層基
板は、グリーンシートの造膜方向によって幅方向と長手
方向によってもその収縮率が異なる。このことも多層セ
ラミック基板の作製の障害となっている。

【０００８】これらの収縮誤差をなるべく少なくするた
めには、製造工程において、基板材料およびグリーンシ
ート組成、の管理はもちろん、粉体ロットの違いや積層
条件（プレス圧力、温度）を十分管理する必要がある。
しかし、一般に収縮率の誤差は±０．５％程度存在する
と言われている。

【０００９】このことは多層基板にかかわらずセラミッ
ク、およびガラス・セラミックの焼結を伴うものに共通
の課題であり、基板材料の焼結が厚み方向だけ起こり、
平面方向の収縮がゼロの基板が作製できれば上記のよう
な課題が解決でき、工業上極めて有効である。

【００１０】上記課題を解決するため、ガラス・セラミ
ック低温焼結基板材料に少なくとも有機バインダ、可塑
剤を含むグリーンシートを作製し、導体ペースト組成物
で電極パターンを形成し、前記グリーンシートと別の電
極パターン形成済みの第１のグリーンシートとを所望枚
数積層し、しかる後、前記低温焼結ガラス・セラミック
よりなる第１のグリーンシートの積層体の両面、もしく
は片面に、前記ガラス・セラミック低温焼結基板材料の
焼成温度では焼結しない無機組成物よりなる第２のグリ
ーンシートで挟み込むように積層して積層体を焼成す
る。しかる後、焼結しない無機組成物を取り除くことに
より焼成時の収縮が平面方向で起こらないガラス・セラ
ミック基板を得る製造方法がすでに提案されている。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記の
焼成時の収縮が平面方向で起こらないガラス・セラミッ
ク基板の製造方法において以下に示すような問題が明ら
かになった。

【００１２】ガラス・セラミックよりなる第１のグリー
ンシートの積層体の両面、もしくは片面に焼成温度では
焼結しない無機組成物よりなる第２のグリーンシートを
積層した後、焼成処理を行う際に、前記ガラス・セラミ
ック積層体中の有機バインダの除去が十分行われ難い。
無機組成物の第２のグリーンシートは、ガラス・セラミ
ック基板の平面方向の焼成収縮を抑えるために、ガラス
・セラミックの第１のグリーンシートに比べ、含有する
バインダ量が少なく、より緻密に無機粉体が詰まってい
る。そして、このように無機粉体の詰まった構造体がガ
ラス・セラミックの第１のグリーンシート積層体表面を
覆うため、焼成中、ガラス・セラミックの第１のグリー
ンシート中の有機バインダの燃焼、分解によって発生す
るガスが外に抜け難くなる。焼成中、ガラス・セラミッ
クの第１のグリーンシート中にバインダが残存するとガ
ラス・セラミック基板の焼結が十分進行せず、ガラス・
セラミック基板の強度が低下したり、また残留カーボン
の影響でガラス・セラミック基板に黒いシミが残るなど
の問題が生じる。

【００１３】本発明は上記課題に鑑み、平面方向の収縮
が無いガラス・セラミック基板の製造において、焼成中
の基板のグリーンシートからのバインダ除去を効果的に
行うことができる多層セラミック基板の製造方法を提供
するものである。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するため、ガラス・セラミック低温焼結基板材料に少な
くとも有機バインダ、可塑剤を含む第１のグリーンシー
トを作製し、導体ペースト組成物で電極パターンを形成
し、このグリーンシートを所望枚数積層する。しかる
後、前記ガラス・セラミック低温焼結基板材料の焼成温
度では焼結しない無機組成物と少なくとも有機バイン
ダ、可塑剤を含む第２のグリーンシートを形成し、この
第２のグリーンシートの一部に孔開け加工を施す。さら
に、前記第２のグリーンシートに形成した孔に、前記ガ
ラス・セラミックの第１のグリーンシートに含まれる有
機バインダより分解温度の低い樹脂を充填する。樹脂の
充填は、樹脂を有機溶剤で溶かしペースト状になったも
のを孔に充填し溶剤を乾燥させることにより行われる。
この無機組成物の第２のグリーンシートで前記ガラス・
セラミックの第１のグリーンシートの積層体を挟み込む
ように積層し、前記積層体を焼成する。しかる後、焼結
しない無機組成物を取り除くことにより、十分に焼結し
平面方向での収縮が起こらないガラス・セラミック基板
を作製するものである。

【００１５】

【作用】本発明は前記のような工程を行なうことによっ
て、焼成時に厚み方向だけに収縮し、平面方向には収縮
しない多層ガラス・セラミック基板において、焼成中の
ガラス・セラミックの第１のグリーンシートからのバイ
ンダの除去を促進し、焼結性の高い多層セラミック基板
を提供するものである。以下に本発明の作用を説明す
る。

【００１６】まず本発明の製造法は、ガラス・セラミッ
ク低温焼結基板材料に少なくとも有機バインダ、可塑剤
を含む第１のグリーンシートを作製し、導体ペースト組
成物で電極パターンとビア電極を形成し、この第１のグ
リーンシートを所望枚数積層して多層化し、前記ガラス
・セラミック低温焼結基板材料の焼成温度では焼結しな
い無機組成物と少なくとも有機バインダ、可塑剤を含む
第２のグリーンシートを形成し、この第２のグリーンシ
ートの一部に孔開け加工を施し、形成した孔に、前記ガ
ラス・セラミックよりなる第１のグリーンシートに含ま
れる有機バインダより分解温度の低い樹脂を充填し、こ
の第２のグリーンシートを前記ガラス・セラミックの第
１のグリーンシートの積層体の両面、もしくは片面に積
層する。これにより、前記積層体を焼成しても、厚み方
向以外は収縮が起こらない。これは、両面もしくは片面
に積層した焼結しない材料で挟み込まれているため、平
面方向の収縮が阻止されるためと考えられる。また、ガ
ラス・セラミックの第１のグリーンシートの積層体に積
層される、焼成温度では焼結しない無機組成物よりなる
第２のグリーンシートには、分解温度の低い樹脂で充填
された孔が形成されているため、焼成中、この樹脂はガ
ラス・セラミックの第１のグリーンシート中のバインダ
の燃焼、分解温度より低温で消失し、残った孔を通して
ガラス・セラミックの第１のグリーンシート中のバイン
ダ分解ガスの抜けが促進される。焼成後、不必要な焼結
しない材料を取り除けば、所望の多層セラミック基板が
得られる訳である。

【００１７】前記焼成温度では焼結しない無機組成物よ
りなる第２のグリーンシートに加工する孔径は小さすぎ
ると樹脂の充填が十分行えず、好ましくない。反対に加
工孔径が大きい場合には、孔に充填した樹脂が消失した
後、孔開け部のガラス・セラミックの第１のグリーンシ
ートの積層体の平面方向の収縮が十分阻止されず、部分
的に平面方向の収縮が起こるため多層セラミック基板の
反りや変形が生じる。以上の理由より、加工孔径は０．
１〜５ｍｍであれば良く、望ましくは０．２〜２ｍｍの
範囲である。

【００１８】前記ガラス・セラミックの第１のグリーン
シートの積層体の焼成は通常８００℃〜１０００℃の範
囲で行なわれる。銅電極、銀電極を使用する場合は９０
０℃で行なう。

【００１９】またガラス・セラミック低温焼結基板材料
の焼成温度では焼結しない無機組成物の第２のグリーン
シートの無機成分には、Ａｌ₃ Ｏ₃ ，ＭｇＯ，ＺｒＯ
₂ ，ＴｉＯ₂ ，ＢｅＯ，ＢＮ，の内少なくとも１種以上
を含。９００℃の焼成温度で行なう低温焼結基板材料に
は、Ａｌ₃ Ｏ₃ が最も有効である。

【００２０】

【実施例】以下本発明の一実施例について、図面を参照
しながら説明する。図１は本発明の一実施例のグリーン
シート積層体の上面図と断面図である。

【００２１】（実施例１）まず多層セラミック基板作製
方法を説明する。基板材料のガラス・セラミックにはホ
ウ珪酸鉛ガラス粉末にセラミック材料としてのアルミナ
粉末を重量比で５０対５０とした組成物（日本電気硝子
社製ＭＬＳ−１９）を用いた。このガラス・セラミッ
ク粉を無機成分とし、有機バインダとしてポリビニルブ
チラール、可塑剤としてヂ−ｎ−ブチルフタレート、溶
剤としてトルエンとイソプロピルアルコールの混合液
（３０対７０重量比）を混合しスラリーとした。

【００２２】このスラリーをドクターブレード法で有機
フィルム上に厚み約２００μｍの第１のグリーンシート
成形した。このとき、造膜から乾燥、打ち抜き、さらに
は必要に応じてバイアホール加工を行う各工程を連続的
に行うシステムを使用した。この第１のグリーンシート
に銀ペーストを用いて導体パターンの形成およびビアホ
ール埋め印刷をスクリーン印刷法によって行った。導体
ペーストは、Ａｇ粉末（平均粒径１μｍ）に接着強度を
得るためのガラスフリット（日本電気硝子社製ＧＡ−９
ガラス粉末、平均粒径２．５μｍ）を５ｗｔ％加えたも
のを無機成分とし、有機バインダであるエチルセルロー
スをターピネオールに溶かしたビヒクルとともに加え
て、３段ロールにより適度な粘度になるように混合した
ものを用いた。なおビアホール埋め用のＡｇペーストは
更に無機成分として前記ガラス・セラミック粉末を１５
重量％加えたものを使用して行なった。

【００２３】次に、焼結の起こらない第２のグリーンシ
ートは無機成分としてアルミナ（住友化学工業社製Ａ
ＬＭ−４１平均粒径１．９μｍ）粉末のみを用い、前
記ガラス・セラミック基板用の第１のグリーンシートと
同様の組成で、同様の方法で作製した。この第２のグリ
ーンシートの厚みは約３００μｍである。作製した第２
のグリーンシートには孔開け加工を施した。孔開け加工
は、上下左右とも５ｍｍのピッチで第２のグリーンシー
ト全体に施した。加工孔径は、５００μｍであった。加
工孔充填用の樹脂として第１のグリーンシートに用いた
バインダより分解温度が５０℃程度低い、低重合度のポ
リビニルブチラール樹脂を用意し、これをトルエンに溶
解させペースト状にしたものを、メタルマスクを用いた
スクリーン印刷によって前記加工孔に充填、乾燥した。
前記導体形成済みの第１のグリーンシートを所定の枚数
積み重ね、さらにその両面に前記樹脂充填済みの第２の
グリーンシートを重ね合わせる。この状態で熱圧着して
積層体を形成した。熱圧着条件は、温度が８０℃、圧力
は２００Ｋｇ／ｃｍ² であった。

【００２４】図１にその構成を示す。１は前記基板材料
による第１のグリーンシート層、２は内層電極層、３は
ビア電極、４はアルミナによる第２のグリーンシート
層、５は第２のグリーンシート層４に施した加工孔に充
填された樹脂、６は９６％アルミナ焼結基板である。

【００２５】次に前記第１，第２のグリーンシート１，
４の積層体を９６％アルミナ焼結基板６上に乗せ焼成す
る。条件はベルト炉によって空気中の９００℃で１時間
焼成で行なった。（９００℃の保持時間は約１２分であ
る。）このとき形成される多層セラミック基板の反りと
厚み方向の焼結収縮を助けるため、アルミナ焼結基板を
乗せて加圧するようにして焼成を行なった。

【００２６】焼成後の積層体の表面には未焼結のアルミ
ナ層が存在するため、酢酸ブチル溶剤中で超音波洗浄を
行なったところアルミナ層がきれいに取り除くことがで
きた。

【００２７】この焼成後の多層セラミック基板は反りも
無く、多層セラミック基板の収縮率は０．１％以下で、
平面方向の収縮が起こっておらず、また多層セラミック
基板上には残留カーボンによるシミも見られず十分焼結
した多層セラミック基板が得られた。（実施例２）基板材料のガラス・セラミックよりなる第
１のグリーンシートは実施例１と同様の組成の物を用い
た。厚み２００μｍの第１のグリーンシートにビアホー
ルを形成した後、ＣｕＯペーストを用いて導体パターン
の形成およびビアホール埋め印刷をスクリーン印刷法に
よって行った。実施例１では、最上層パターンの形成を
基板焼成後に行なったが、本実施例においては、最上層
パターンも第１のグリーンシート上に印刷した。導体ペ
ーストは、ＣｕＯ粉末（平均粒径３μｍ）に接着強度を
得るためのガラスフリット（日本電気硝子社製ＬＳ−
０８０３ガラス粉末、平均粒径２．５μｍ）を３ｗｔ％
加えたものを無機成分とし、有機バインダであるエチル
セルロースをターピネオールに溶かしたビヒクルととも
に加えて、３段ロールにより適度な粘度になるように混
合したものを用いた。なおビア埋め用のＣｕＯペースト
は更に無機成分として前記ガラス・セラミック粉末を１
５重量％加えたものを使用して行なった。

【００２８】次に焼結の起こらない第２のグリーンシー
トは無機成分として酸化ベリリウム（関東化学社製
平均粒径１μｍ）粉末のみを用い前記ガラス・セラミッ
ク基板用の第１のグリーンシートと同様のグリーンシー
ト組成で、同様の方法で作製した。前記酸化ベリリウム
グリーンシートの厚みは約６００μｍである。作製した
酸化ベリリウムグリーンシートには孔開け加工を施し
た。孔開け加工は、上下左右とも１５ｍｍのピッチでグ
リーンシート全体に施した。加工孔径は、１．５ｍｍで
あった。加工孔充填用の樹脂としてグリーンシートに用
いたバインダより分解温度が３０℃程度低い、低重合度
のアクリル系樹脂を用意し、これをメチルエチルケトン
に溶解させペースト状にしたものを、メタルマスクを用
いたスクリーン印刷によって前記加工孔に充填、乾燥し
た。

【００２９】前記導体形成済みの第１のグリーンシート
を所定の枚数積み重ね、さらにその両面に前記孔開け加
工済み酸化ベリリウムよりなる第２のグリーンシートを
重ね合わせる。この状態で熱圧着して積層体を形成し
た。熱圧着条件は、温度が８０℃、圧力は２００Ｋｇ／
ｃｍ2であった。

【００３０】次に、焼成の工程を説明する。まず最初
は、脱バインダ工程である。発明に使用した第１のグリ
ーンシート、ＣｕＯペーストの有機バインダは、ポリビ
ニルブチラールおよびエチルセルロースである。したが
って空気中での分解温度は、５００℃以上あれば良いの
で、６００℃の温度で前記積層体の脱脂処理を行なっ
た。この工程で、酸化ベリリウムよりなる第２のグリー
ンシートの加工孔に充填した樹脂は第１のグリーンシー
トおよびＣｕＯペースト中の有機バインダの燃焼、分解
が生じるより先に消失するため、第１のグリーンシート
およびＣｕＯペースト中のバインダは、加工孔を通って
速やかに除去される。その後前記積層体を水素ガス１０
０％雰囲気中で２００℃ー５時間で還元した。このとき
のＣｕ層をＸ線回折により分析したところ１００％Ｃｕ
であることを確認した。

【００３１】次に焼成工程は、純窒素中９００℃である
メッシュベルト炉で焼成した。以上のようにして作製し
た積層体の表面の酸化ベリリウム層を実施例１と同様に
超音波洗浄にて取り除き、形成された多層セラミック基
板の収縮率を評価したところ、多層セラミック基板の収
縮率は０．０５％以下であり、また反りも無い十分焼結
した多層セラミック基板が得られた。

【００３２】本実施例では、最上層パターンとしてＣｕ
Ｏペーストを第１のグリーンシート上に印刷し、同時焼
成してＣｕの最上層パターンを得たが、これは実施例１
で示したように、ビア電極位置に酸化ベリリウムよりな
る第２のグリーンシートの孔開け加工を施し、焼成、酸
化ベリリウム除去後、Ｃｕペーストを印刷、焼成してＣ
ｕの最上層パターンの形成を行なってもよいことは云う
までもない。

【００３３】なお本実施例において、未焼結材料として
Ａｌ₂ Ｏ₃ およびＢｅＯを用いたが、その他ＭｇＯ，Ｚ
ｒＯ₂ ，ＴｉＯ₂ ，ＢＮを用いても同様の効果が得られ
た。

【００３４】

【発明の効果】本発明は前記のような工程を行なうこと
によって、焼成時において厚み方向だけ収縮し、平面方
向には収縮しない多層セラミック基板において、焼成時
のグリーンシート中のバインダ除去を促進し、十分に焼
結した多層セラミック基板が歩留まり良く得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）は本発明の一実施例のグリーンシート積
層体の構成を示す図（ｂ）は同断面図

【符号の説明】

１・・・ガラス・セラミックよりなる第１のグリー
ンシート層２・・・内部電極層３・・・ビア電極４・・・アルミナよりなる第２のグリーンシート層５・・・アルミナよりなる第２のグリーンシートに
施した加工孔に充填した樹脂６・・・９６％アルミナ焼結基板

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】導体ペースト組成物で電極パターンを形
成した少なくとも有機バインダ、可塑剤を含むガラス・
セラミックよりなる第１のグリーンシートを所望枚数積
層した後、前記ガラス・セラミックの焼成温度では焼結
しない無機組成物と少なくとも有機バインダ、可塑剤を
含む第２のグリーンシートに孔開け加工を行い、前記加
工孔に前記ガラスセラミックの第１のグリーンシートに
含まれる有機バインダより分解温度の低い樹脂を充填
し、その後、前記無機組成物の第２のグリーンシート
を、前記ガラス・セラミックの第１のグリーンシート積
層体の両面、もしくは片面に積層した後、焼成処理を行
い、その後前記焼結しない無機組成物を取り除くことを
特徴とする多層セラミック基板の製造方法。
【請求項２】焼成温度では焼結しない無機組成物より
なる第２のグリーンシートに加工する孔径が０．１〜５
ｍｍであることを特徴とする請求項１に記載の多層セラ
ミック基板の製造方法。
【請求項３】焼成温度を８００℃〜１０００℃の範囲
で行なうことを特徴とする請求項１に記載の多層セラミ
ック基板の製造方法。
【請求項４】焼成処理で焼結しない無機組成物よりな
る第２のグリーンシートが、Ａｌ₂ Ｏ₃ ，ＭｇＯ，Ｚｒ
Ｏ₂ ，ＴｉＯ₂ ，ＢｅＯ，ＢＮ，の内少なくとも１種以
上を含むグリーンシートからなることを特徴とする請求
項１に記載の多層セラミック基板の製造方法。
【請求項５】焼成処理で焼結しない無機組成物を超音
波洗浄法で取り除くことを特徴とする請求項１に記載の
多層セラミック基板の製造方法。
【請求項６】導体ペーストがＡｇ，Ａｇ／Ｐｄ，Ａｇ
／Ｐｔ，Ｃｕのいずれかを主成分とすることを特徴とす
る請求項１に記載の多層セラミック基板の製造方法。
【請求項７】焼成処理時にグリーンシート積層体を加
圧して焼成を行なうことを特徴とする請求項１に記載の
多層セラミック基板の製造方法。
【請求項８】酸化第２銅を主成分とする導体ペースト
組成物で電極パターンを形成した少なくとも有機バイン
ダ、可塑剤を含むガラス・セラミックよりなる第１のグ
リーンシートを所望枚数積層した後、前記ガラス・セラ
ミックの焼成温度では焼結しない無機組成物と少なくと
も有機バインダ、可塑剤を含む第２のグリーンシートに
孔開け加工を行い、前記加工孔に前記ガラス・セラミッ
クの第１のグリーンシートに含まれる有機バインダより
分解温度の低い樹脂を充填し、その後、前記無機組成物
の第２のグリーンシートを、前記ガラス・セラミックよ
りなる第１のグリーンシート積層体の両面、もしくは片
面に積層した後、これらを空気中で多層体内部の有機バ
インダが分解・飛散する温度で熱処理し、しかる後、水
素もしくは水素と窒素の混合ガス雰囲気中で還元熱処理
を行い、さらに、前記還元熱処理済み多層体を窒素雰囲
気中で焼結させ、しかる後、焼結しない無機組成物を取
り除くことを特徴とする多層セラミック基板の製造方
法。
【請求項９】焼成温度では焼結しない無機組成物より
なる第２のグリーンシートに加工する孔径が０．１〜５
ｍｍであることを特徴とする請求項８に記載の多層セラ
ミック基板の製造方法。
【請求項１０】焼成処理で焼結しない無機組成物を取
り除いた後、さらに最上層部にＣｕペーストで配線パタ
ーンを形成し、窒素雰囲気中で焼成することを特徴とす
る請求項８記載の多層セラミック基板の製造方法。
【請求項１１】焼成処理を８００℃〜１０００℃の範
囲で行なうことを特徴とする請求項８に記載の多層セラ
ミック基板の製造方法。
【請求項１２】焼成処理では焼結しない無機組成物の
第２のグリーンシートが、Ａｌ₂ Ｏ₃ ，ＭｇＯ，ＺｒＯ
₂ ，ＴｉＯ₂ ，ＢｅＯ，ＢＮ，の内少なくとも１種以上
を含むグリーンシートからなることを特徴とする請求項
８に記載の多層セラミック基板の製造方法。
【請求項１３】焼成処理で焼結しない無機組成物を超
音波洗浄法で取り除くことを特徴とする請求項８に記載
の多層セラミック基板の製造方法。
【請求項１４】焼成処理時にグリーンシート積層体を
加圧して焼成を行なうことを特徴とする請求項８に記載
の多層セラミック基板の製造方法。