JPH07302784A - 薄膜構造体を有する製品及び薄膜構造体形成方法 - Google Patents
薄膜構造体を有する製品及び薄膜構造体形成方法Info
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- JPH07302784A JPH07302784A JP7124287A JP12428795A JPH07302784A JP H07302784 A JPH07302784 A JP H07302784A JP 7124287 A JP7124287 A JP 7124287A JP 12428795 A JP12428795 A JP 12428795A JP H07302784 A JPH07302784 A JP H07302784A
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- H10P76/40—Manufacture or treatment of masks on semiconductor bodies, e.g. by lithography or photolithography of masks comprising inorganic materials
- H10P76/408—Manufacture or treatment of masks on semiconductor bodies, e.g. by lithography or photolithography of masks comprising inorganic materials characterised by their sizes, orientations, dispositions, behaviours or shapes
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- H10P50/71—Etching of wafers, substrates or parts of devices using masks for conductive or resistive materials
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
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- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
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- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y10S257/92—Conductor layers on different levels connected in parallel, e.g. to reduce resistance
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Weting (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 局所エッチング速度が変化する層を異なるよ
うにエッチングすることによって達成されるテーパー付
き形状部を有する薄膜構造体を形成する。 【構成】 蒸着して層の厚さ方向で変化するエッチング
剤に対する局所エッチング速度を有する層を形成し、リ
トグラフィを用いて形状部の形状を有する層の部分を被
膜するマスク材料のパターンを形成し、エッチングして
マスク材料のパターンに被覆されなかった領域を除去
し、エッチング後、層の被膜された部分がエッジを有す
る形状部を形成し、エッチング剤によりこのエッジをエ
ッチングしてエッジの側壁プロファイルがテーパー付け
され、次いでマスク材料のパターンが除去される。
うにエッチングすることによって達成されるテーパー付
き形状部を有する薄膜構造体を形成する。 【構成】 蒸着して層の厚さ方向で変化するエッチング
剤に対する局所エッチング速度を有する層を形成し、リ
トグラフィを用いて形状部の形状を有する層の部分を被
膜するマスク材料のパターンを形成し、エッチングして
マスク材料のパターンに被覆されなかった領域を除去
し、エッチング後、層の被膜された部分がエッジを有す
る形状部を形成し、エッチング剤によりこのエッジをエ
ッチングしてエッジの側壁プロファイルがテーパー付け
され、次いでマスク材料のパターンが除去される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は薄膜構造体を有する製品
（プロダクト）に関する。
（プロダクト）に関する。
【０００２】
【従来の技術】テーパー付けされた形状部を有する薄膜
構造体を生成することは公知である。テーパー（傾斜又
は勾配を付けること）は段被覆に伴う問題を減少するの
に有用である。逆テーパーはリフトオフ（浮き出し）技
術を行うのに有用である。プラズマエッチングによるレ
ジスト浸食がテーパーを生成するために使用されてき
た。
構造体を生成することは公知である。テーパー（傾斜又
は勾配を付けること）は段被覆に伴う問題を減少するの
に有用である。逆テーパーはリフトオフ（浮き出し）技
術を行うのに有用である。プラズマエッチングによるレ
ジスト浸食がテーパーを生成するために使用されてき
た。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、基板の表面
に薄膜構造体を提供し、この薄膜構造体はテーパー付き
線即ちテーパー付きリードなどのテーパー付き形状部を
有する。テーパーは局所エッチング速度が変化する層を
異なるようにエッチングすることによって達成される。
に薄膜構造体を提供し、この薄膜構造体はテーパー付き
線即ちテーパー付きリードなどのテーパー付き形状部を
有する。テーパーは局所エッチング速度が変化する層を
異なるようにエッチングすることによって達成される。
【０００４】テーパーは、薄膜構造体を生成するときに
生じる問題を解決することができる。フラットパネルデ
ィスプレイ、例えば、アクティブマトリックス液晶ディ
スプレイ（ＡＭＬＣＤ）用の光制御ユニットの配列は、
一般的に、クロスオーバーで誘電体層によって分離され
る直交金属線の二つのセットを含む。低い線抵抗率に対
しては、これらの線間の誘電体層の厚さに近似している
か又はそれを超過している金属の厚さを必要とすること
もある。湿式エッチングは下部金属線を生成するにあた
って確実な方法ではあるが、従来の湿式エッチング技術
によれば、各下部金属線の各エッジに、過剰にエッチン
グされて垂直に近くなる段形の側壁プロファイル（輪
郭）が生成されることになる。
生じる問題を解決することができる。フラットパネルデ
ィスプレイ、例えば、アクティブマトリックス液晶ディ
スプレイ（ＡＭＬＣＤ）用の光制御ユニットの配列は、
一般的に、クロスオーバーで誘電体層によって分離され
る直交金属線の二つのセットを含む。低い線抵抗率に対
しては、これらの線間の誘電体層の厚さに近似している
か又はそれを超過している金属の厚さを必要とすること
もある。湿式エッチングは下部金属線を生成するにあた
って確実な方法ではあるが、従来の湿式エッチング技術
によれば、各下部金属線の各エッジに、過剰にエッチン
グされて垂直に近くなる段形の側壁プロファイル（輪
郭）が生成されることになる。
【０００５】従って、下部金属線と交差する誘電体層及
び上部金属線は、通常のサイズの配列内で多数の段を被
覆しなければならず、これによって欠陥を生じることに
なる。例えば、段形のＡＭＬＣＤ走査線と交差している
酸化珪素又は窒化珪素の層は、この走査線の厚さが約１
５００Å（オングストローム）より厚い場合、クラック
し易くなる。この最大厚さの制約によって、走査線に使
用される多くの金属に所望されない高い抵抗率が生じ、
パネルが大きくなるにつれてこの問題は深刻になる。例
えば、線の長さが２５ｃｍを超えると、線の一端から他
端までのＲＣ遅延及び線電圧降下によってディスプレイ
の性能は弱まる。
び上部金属線は、通常のサイズの配列内で多数の段を被
覆しなければならず、これによって欠陥を生じることに
なる。例えば、段形のＡＭＬＣＤ走査線と交差している
酸化珪素又は窒化珪素の層は、この走査線の厚さが約１
５００Å（オングストローム）より厚い場合、クラック
し易くなる。この最大厚さの制約によって、走査線に使
用される多くの金属に所望されない高い抵抗率が生じ、
パネルが大きくなるにつれてこの問題は深刻になる。例
えば、線の長さが２５ｃｍを超えると、線の一端から他
端までのＲＣ遅延及び線電圧降下によってディスプレイ
の性能は弱まる。
【０００６】走査線が適切にテーパー付けされた場合、
酸化珪素又は窒化物の層は、かなり大きな厚さでもクラ
ックし難い。従って、テーパー付き線は、抵抗率を下げ
る為に充分な厚さで生成されることができて、ディスプ
レイの性能の必要条件を満たすことができる。しかし、
これらの利点にかかわらず、テーパーは達成が難しい。
レジストリフティング（resist lifting）、プラズマエ
ッチングなどによるレジスト浸食、及びスペーサ形成の
ような工程がテーパーを生成するために使用され得る
が、これらの工程は制御し難く、従って、テーパー付き
形状部をロバスト（堅牢）に確実に生成しない。
酸化珪素又は窒化物の層は、かなり大きな厚さでもクラ
ックし難い。従って、テーパー付き線は、抵抗率を下げ
る為に充分な厚さで生成されることができて、ディスプ
レイの性能の必要条件を満たすことができる。しかし、
これらの利点にかかわらず、テーパーは達成が難しい。
レジストリフティング（resist lifting）、プラズマエ
ッチングなどによるレジスト浸食、及びスペーサ形成の
ような工程がテーパーを生成するために使用され得る
が、これらの工程は制御し難く、従って、テーパー付き
形状部をロバスト（堅牢）に確実に生成しない。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、局所エッチン
グ速度が変化する層を異なるようにエッチングすること
によって、テーパー付き形状部をロバストで確実に生成
できる多数の技術を提供する。これらの技術は蒸着条件
を変えることによって、材料を変えることによって、又
は材料及び蒸着条件を変えることの組み合わせによっ
て、局所エッチング速度を変える。使用される材料の複
雑さによって、これらの技術は、所望されるテーパーを
得るために適切な化学エッチング剤の混合物を必要とす
る。概して、これらの技術はあらゆる所望されるテーパ
ー角を持つ側壁プロファイルを得るために使用されても
よい。
グ速度が変化する層を異なるようにエッチングすること
によって、テーパー付き形状部をロバストで確実に生成
できる多数の技術を提供する。これらの技術は蒸着条件
を変えることによって、材料を変えることによって、又
は材料及び蒸着条件を変えることの組み合わせによっ
て、局所エッチング速度を変える。使用される材料の複
雑さによって、これらの技術は、所望されるテーパーを
得るために適切な化学エッチング剤の混合物を必要とす
る。概して、これらの技術はあらゆる所望されるテーパ
ー角を持つ側壁プロファイルを得るために使用されても
よい。
【０００８】本発明は、６０°のテーパー角を有する厚
さ５０００ÅのＭｏＣｒ走査線を生成するために行わ
れ、このＭｏＣｒ走査線上で窒化物層はクラックしなか
った。このテーパー付きＭｏＣｒ走査線は、段形の厚さ
１０００Åの純アルミニウム層に匹敵できる約０．６Ω
／平方インチの測定抵抗を有したが、段形の厚さ１００
０ÅのＭｏＣｒ走査線は３．０Ω／平方インチの測定抵
抗を有する。３０°及び６°を含むいくつかの他のテー
パー角も明示された。
さ５０００ÅのＭｏＣｒ走査線を生成するために行わ
れ、このＭｏＣｒ走査線上で窒化物層はクラックしなか
った。このテーパー付きＭｏＣｒ走査線は、段形の厚さ
１０００Åの純アルミニウム層に匹敵できる約０．６Ω
／平方インチの測定抵抗を有したが、段形の厚さ１００
０ÅのＭｏＣｒ走査線は３．０Ω／平方インチの測定抵
抗を有する。３０°及び６°を含むいくつかの他のテー
パー角も明示された。
【０００９】本発明は、局所エッチング速度がｚ方向即
ち基板の表面に垂直な方向の位置に従って変化する層を
生成することによって行われ得る。次いで、マスク材料
のパターンはリトグラフィック技術を用いて生成される
ことができ、エッチング作用はこのパターンによって被
覆されない領域を除去することができる。また、このエ
ッチング作用は、パターンによって被覆された領域と被
覆されない隣接領域との間の境界でテーパーを生成し
て、テーパーの形状部を生成する。次いで、マスク材料
のパターンが除去され得る。
ち基板の表面に垂直な方向の位置に従って変化する層を
生成することによって行われ得る。次いで、マスク材料
のパターンはリトグラフィック技術を用いて生成される
ことができ、エッチング作用はこのパターンによって被
覆されない領域を除去することができる。また、このエ
ッチング作用は、パターンによって被覆された領域と被
覆されない隣接領域との間の境界でテーパーを生成し
て、テーパーの形状部を生成する。次いで、マスク材料
のパターンが除去され得る。
【００１０】これらの技術の内の一つは、より速い局所
エッチング速度を有する薄い副層（サブレイヤー）によ
ってキャッピングされたより遅い局所エッチング速度を
有する厚い層を提供する。各副層は合金であってもよ
く、全ての合金は、同じエッチング剤を用いて異なる局
所エッチング速度を得るように同じ材料であるが割合の
異なる材料を含むか又は異なる条件下で蒸着される。エ
ッチング後、厚い副層はテーパー付き側壁プロファイル
を有するが、薄い副層のプロファイルは有意にテーパー
付けされない。これらの副層の局所エッチング速度は、
異なるテーパー角を得るように調整されることができ
る。必要であれば、より均一なテーパー付きプロファイ
ルを得る為に薄いキャッピング副層がエッチング後に除
去されてもよい。
エッチング速度を有する薄い副層（サブレイヤー）によ
ってキャッピングされたより遅い局所エッチング速度を
有する厚い層を提供する。各副層は合金であってもよ
く、全ての合金は、同じエッチング剤を用いて異なる局
所エッチング速度を得るように同じ材料であるが割合の
異なる材料を含むか又は異なる条件下で蒸着される。エ
ッチング後、厚い副層はテーパー付き側壁プロファイル
を有するが、薄い副層のプロファイルは有意にテーパー
付けされない。これらの副層の局所エッチング速度は、
異なるテーパー角を得るように調整されることができ
る。必要であれば、より均一なテーパー付きプロファイ
ルを得る為に薄いキャッピング副層がエッチング後に除
去されてもよい。
【００１１】他の技術は、混合され得る異なるエッチン
グ剤を用いて異なる速度でエッチングされる二つの材料
からなる交互の副層を提供する。より遅いエッチング材
料の各層は、下にある層のエッチングの開始を遅延す
る。これによって、より速いエッチング材料からなる層
は、異なる期間でエッチングされて、テーパー付き側壁
プロファイルを生成する。より遅いエッチング材料から
なる層は、より速いエッチング材料が一旦エッチングさ
れた後、完全にエッチングされて除去されるように充分
に薄くなることができる。或いは、より遅いエッチング
材料の層の残り部分は、後に続くエッチング作用によっ
て除去され得る。混合されたエッチング剤中のエッチン
グ剤の割合は、所望されるテーパー角を得るために調整
され得る。
グ剤を用いて異なる速度でエッチングされる二つの材料
からなる交互の副層を提供する。より遅いエッチング材
料の各層は、下にある層のエッチングの開始を遅延す
る。これによって、より速いエッチング材料からなる層
は、異なる期間でエッチングされて、テーパー付き側壁
プロファイルを生成する。より遅いエッチング材料から
なる層は、より速いエッチング材料が一旦エッチングさ
れた後、完全にエッチングされて除去されるように充分
に薄くなることができる。或いは、より遅いエッチング
材料の層の残り部分は、後に続くエッチング作用によっ
て除去され得る。混合されたエッチング剤中のエッチン
グ剤の割合は、所望されるテーパー角を得るために調整
され得る。
【００１２】本発明は、テーパー付き形状部を生成する
ために使用され得る他の技術と比較して有利である。フ
ォトレジストリフティングと比較した場合、フォトレジ
ストリフティングはレジスト接着の故障メカニズムや、
制御し難くて不十分に画定された境界しか生成できない
故障メカニズムに依存しているので、本発明はより堅牢
である。レジスト浸食を生成するプラズマエッチングと
比較した場合、本発明は制御し易いので大きな領域に対
してもより均一でより確実である。スペーサ形成と比較
した場合、本発明はより単純でより確実である。
ために使用され得る他の技術と比較して有利である。フ
ォトレジストリフティングと比較した場合、フォトレジ
ストリフティングはレジスト接着の故障メカニズムや、
制御し難くて不十分に画定された境界しか生成できない
故障メカニズムに依存しているので、本発明はより堅牢
である。レジスト浸食を生成するプラズマエッチングと
比較した場合、本発明は制御し易いので大きな領域に対
してもより均一でより確実である。スペーサ形成と比較
した場合、本発明はより単純でより確実である。
【００１３】請求項１に係る本発明の態様は、表面を有
する基板と、前記基板の表面に形成された薄膜構造体
と、を有する製品であって、前記薄膜構造体が、前記基
板近くの第１の側と前記基板の表面から離れた第２の側
とを有する形状部を備え、前記形状部が前記第１の側か
ら前記第２の側へ厚さ方向へ延出しているエッジを有
し、前記形状部が前記厚さ方向の位置に従って変化する
エッチング剤に対する局所エッチング速度を有し、前記
エッジが前記エッチング剤を用いてエッチング作用によ
ってテーパー付けされた側壁プロファイルを有する、こ
とよりなる薄膜構造体を有する製品である。
する基板と、前記基板の表面に形成された薄膜構造体
と、を有する製品であって、前記薄膜構造体が、前記基
板近くの第１の側と前記基板の表面から離れた第２の側
とを有する形状部を備え、前記形状部が前記第１の側か
ら前記第２の側へ厚さ方向へ延出しているエッジを有
し、前記形状部が前記厚さ方向の位置に従って変化する
エッチング剤に対する局所エッチング速度を有し、前記
エッジが前記エッチング剤を用いてエッチング作用によ
ってテーパー付けされた側壁プロファイルを有する、こ
とよりなる薄膜構造体を有する製品である。
【００１４】請求項２に係る本発明の態様は、表面を有
する絶縁基板と、前記絶縁基板の前記表面で形成された
薄膜構造体と、を有する製品であって、前記薄膜構造体
が、画像の表示を行わせる光制御ユニットの配列を備
え、各光制御ユニットがユニット信号を受け取るリード
を有し、各光制御ユニットが前記配列によって表示され
た画像のセグメントの表示を行わせることによってその
ユニット信号に応答し、二つ又はそれより多くの導電線
を備え、各導電線が第１と第２の金属を有し、各導電線
が前記光制御ユニットのセットの各々のリード線に接続
されて前記セット内の前記光制御ユニットへユニット信
号を提供し、各導電線が前記基板近くの第１の側と前記
基板の表面から離れた第２の側を有し、各導電線が前記
第１の側から前記第２の側へ厚さ方向へ延出しているエ
ッジを有し、各導電線が前記厚さ方向の位置に従って変
化するエッチング剤に対する局所エッチング速度を有
し、且つ各導電線の前記エッジが前記エッチング剤を用
いてエッチング作用によってテーパー付けされた側壁プ
ロファイルを有する、ことよりなる薄膜構造体を有する
製品である。
する絶縁基板と、前記絶縁基板の前記表面で形成された
薄膜構造体と、を有する製品であって、前記薄膜構造体
が、画像の表示を行わせる光制御ユニットの配列を備
え、各光制御ユニットがユニット信号を受け取るリード
を有し、各光制御ユニットが前記配列によって表示され
た画像のセグメントの表示を行わせることによってその
ユニット信号に応答し、二つ又はそれより多くの導電線
を備え、各導電線が第１と第２の金属を有し、各導電線
が前記光制御ユニットのセットの各々のリード線に接続
されて前記セット内の前記光制御ユニットへユニット信
号を提供し、各導電線が前記基板近くの第１の側と前記
基板の表面から離れた第２の側を有し、各導電線が前記
第１の側から前記第２の側へ厚さ方向へ延出しているエ
ッジを有し、各導電線が前記厚さ方向の位置に従って変
化するエッチング剤に対する局所エッチング速度を有
し、且つ各導電線の前記エッジが前記エッチング剤を用
いてエッチング作用によってテーパー付けされた側壁プ
ロファイルを有する、ことよりなる薄膜構造体を有する
製品である。
【００１５】請求項３に係る本発明の態様は、基板の表
面に薄膜構造体を形成する方法であって、前記基板近く
の第１の側と前記基板の表面から離れた第２の側を有す
る第１の層を生成する為に蒸着を行い、前記第１の層が
前記第１の側から前記第２の側へ厚さ方向へ延出してお
り、前記第１の層が前記厚さ方向の位置に従って変化す
るエッチング剤に対する局所エッチング速度を有してい
るステップと、マスク材料のパターンを生成する為にリ
トグラフィを行い、前記パターンが前記第１の層の部分
を被覆する部分を含み、前記第１の層の前記被覆された
部分が形状部の形状を有するステップと、エッチングし
て、マスク材料の前記パターンに被覆されなかった領域
を除去し、これにより前記第１の層の前記被覆された部
分が前記第１の層の前記第１の側と前記第２の側の間に
延出するエッジを有する形状部を形成し、このエッチン
グの作用が、前記エッチング剤を用いて前記形状部のエ
ッジをさらにエッチングして、これにより前記エッジが
テーパー付けされた側壁プロファイルを有するステップ
と、を備える薄膜構造体形成方法である。
面に薄膜構造体を形成する方法であって、前記基板近く
の第１の側と前記基板の表面から離れた第２の側を有す
る第１の層を生成する為に蒸着を行い、前記第１の層が
前記第１の側から前記第２の側へ厚さ方向へ延出してお
り、前記第１の層が前記厚さ方向の位置に従って変化す
るエッチング剤に対する局所エッチング速度を有してい
るステップと、マスク材料のパターンを生成する為にリ
トグラフィを行い、前記パターンが前記第１の層の部分
を被覆する部分を含み、前記第１の層の前記被覆された
部分が形状部の形状を有するステップと、エッチングし
て、マスク材料の前記パターンに被覆されなかった領域
を除去し、これにより前記第１の層の前記被覆された部
分が前記第１の層の前記第１の側と前記第２の側の間に
延出するエッジを有する形状部を形成し、このエッチン
グの作用が、前記エッチング剤を用いて前記形状部のエ
ッジをさらにエッチングして、これにより前記エッジが
テーパー付けされた側壁プロファイルを有するステップ
と、を備える薄膜構造体形成方法である。
【００１６】
【実施例】以下に用語の説明を行う。
【００１７】「エッチング速度」はエッチング作用が材
料を除去する速さである。「局所エッチング速度」はエ
ッチング速度が変化する層の領域又は層の部分における
エッチング速度である。「エッチング剤」に対するエッ
チング速度は、そのエッチング剤を使用するエッチング
作用に対するエッチング速度である。
料を除去する速さである。「局所エッチング速度」はエ
ッチング速度が変化する層の領域又は層の部分における
エッチング速度である。「エッチング剤」に対するエッ
チング速度は、そのエッチング剤を使用するエッチング
作用に対するエッチング速度である。
【００１８】形状部は、その形状部内のエッチング剤に
対する局所エッチング速度が厚さ方向の位置の関数であ
る場合、形状部内の「厚さ方向の位置に従って変化す
る」エッチング剤に対する局所エッチング速度を有す
る。
対する局所エッチング速度が厚さ方向の位置の関数であ
る場合、形状部内の「厚さ方向の位置に従って変化す
る」エッチング剤に対する局所エッチング速度を有す
る。
【００１９】形状部のエッジの「側壁プロファイル」
は、このエッジにおける形状部の第１の側と形状部の第
２の側の間に延出しているプロファイルであり、このエ
ッジの断面から見ることができる。
は、このエッジにおける形状部の第１の側と形状部の第
２の側の間に延出しているプロファイルであり、このエ
ッジの断面から見ることができる。
【００２０】基板の表面で形成された薄膜構造体内の形
状部のエッジの側壁プロファイルは、側壁プロファイル
が形状部の第２の側と交わる線の突出部（射影）が、こ
の側壁プロファイルが形状部の第１の側と交わる線と同
じでない場合、「テーパー付け」される。
状部のエッジの側壁プロファイルは、側壁プロファイル
が形状部の第２の側と交わる線の突出部（射影）が、こ
の側壁プロファイルが形状部の第１の側と交わる線と同
じでない場合、「テーパー付け」される。
【００２１】側壁プロファイルの「仰角」は、形状部の
下で延出する基板の表面と側壁プロファイルが形状部の
第２の側と交わる線へ延出する側壁の表面の間で、側壁
プロファイルが形状部の第１の側に交わる線で形成され
る角度である。側壁が平面でない場合、「仰角」は、側
壁の表面を、側壁プロファイルが形状部の第１と第２の
側に交わる局所線セグメントを有する平面として処理す
ることによって局所的に得られる近似であってもよい。
下で延出する基板の表面と側壁プロファイルが形状部の
第２の側と交わる線へ延出する側壁の表面の間で、側壁
プロファイルが形状部の第１の側に交わる線で形成され
る角度である。側壁が平面でない場合、「仰角」は、側
壁の表面を、側壁プロファイルが形状部の第１と第２の
側に交わる局所線セグメントを有する平面として処理す
ることによって局所的に得られる近似であってもよい。
【００２２】「合金」は、二つ又はそれより多くの金属
の肉眼で見て均質な混合物である材料である。
の肉眼で見て均質な混合物である材料である。
【００２３】二つ又はそれより多くの元素の合金又は混
合物において、これらの元素の原子の量の関係は、「原
子パーセント」、「原子比率」、又は「原子比」で表現
することができる。
合物において、これらの元素の原子の量の関係は、「原
子パーセント」、「原子比率」、又は「原子比」で表現
することができる。
【００２４】図１は、エッジにテーパー付き側壁プロフ
ァイルを有する形状部を含む薄膜構造体を示す。図２は
局所エッチング速度が層の厚さ方向でどのように連続的
に変化し得るかを示す。図３は局所エッチング速度が層
の二つの副層内ではどのように異なり得るかを示す。図
４は局所エッチング速度が層の交互の副層内ではどのよ
うに異なり得るかを示す。図５はテーパー付き側壁ファ
イルを有する形状部をエッジで生成する時の一般的な動
作を示す。
ァイルを有する形状部を含む薄膜構造体を示す。図２は
局所エッチング速度が層の厚さ方向でどのように連続的
に変化し得るかを示す。図３は局所エッチング速度が層
の二つの副層内ではどのように異なり得るかを示す。図
４は局所エッチング速度が層の交互の副層内ではどのよ
うに異なり得るかを示す。図５はテーパー付き側壁ファ
イルを有する形状部をエッジで生成する時の一般的な動
作を示す。
【００２５】図１において断面が示されているプロダク
ト（製品）１０は、表面１４を有する基板１２を含み、
この表面において薄膜構造体１６が形成される。薄膜構
造体１６は、表面１４方向の第１の側２０と、表面１４
から離れた第２の側２２と、第１の側２０と第２の側２
２の間に延出しているエッジ２４と、を有する形状部１
８を含む。形状部１８は、表面１４上にあってもよい
が、図１の省略記号（・・・）によって示されるよう
に、薄膜構造体１６は形状部１８と表面１４の間に一つ
又はそれより多くの層を有することもできる。薄膜構造
体１６はまた形状部１８の上に一つ又はそれより多くの
層を有することができる。
ト（製品）１０は、表面１４を有する基板１２を含み、
この表面において薄膜構造体１６が形成される。薄膜構
造体１６は、表面１４方向の第１の側２０と、表面１４
から離れた第２の側２２と、第１の側２０と第２の側２
２の間に延出しているエッジ２４と、を有する形状部１
８を含む。形状部１８は、表面１４上にあってもよい
が、図１の省略記号（・・・）によって示されるよう
に、薄膜構造体１６は形状部１８と表面１４の間に一つ
又はそれより多くの層を有することもできる。薄膜構造
体１６はまた形状部１８の上に一つ又はそれより多くの
層を有することができる。
【００２６】形状部１８はエッチング剤によってエッチ
ングされてもよいし、このエッチング剤に対する局所エ
ッチング速度は、厚さ方向即ちｚ方向の第１の側２０の
ｚ0から第２の側のｚ1 へ変化する。この変化する局所
エッチング速度の結果として、エッジ２４の側壁プロフ
ァイルは、エッチング剤を用いたエッチング作用によっ
てテーパー付けされ、９０°に等しくない仰角θを有す
る。
ングされてもよいし、このエッチング剤に対する局所エ
ッチング速度は、厚さ方向即ちｚ方向の第１の側２０の
ｚ0から第２の側のｚ1 へ変化する。この変化する局所
エッチング速度の結果として、エッジ２４の側壁プロフ
ァイルは、エッチング剤を用いたエッチング作用によっ
てテーパー付けされ、９０°に等しくない仰角θを有す
る。
【００２７】図２の曲線は、局所エッチング速度がｚ0
とｚ1 の間の関数ｚとして変化してもよい一つの方法を
示す。図２の局所エッチング速度曲線は、最小値ｚ0 か
ら始まり、最大値ｚ1 まで単調に上昇する。蒸着の条件
を変えたり又は層内の材料の比率を連続的に変えること
によって、図２に示したような連続的に変化する局所エ
ッチング速度曲線を得ることは可能な場合のあるが、連
続的に変化する局所エッチング速度曲線を実際に達成す
ることが困難なこともある。
とｚ1 の間の関数ｚとして変化してもよい一つの方法を
示す。図２の局所エッチング速度曲線は、最小値ｚ0 か
ら始まり、最大値ｚ1 まで単調に上昇する。蒸着の条件
を変えたり又は層内の材料の比率を連続的に変えること
によって、図２に示したような連続的に変化する局所エ
ッチング速度曲線を得ることは可能な場合のあるが、連
続的に変化する局所エッチング速度曲線を実際に達成す
ることが困難なこともある。
【００２８】図３の曲線は、局所エッチング速度がｚの
関数として変化することができる他の方法を示す。図２
におけるように、単調に上昇するのではなく、図３のエ
ッチング速度曲線は層間の境界ｚl で断続的に上昇す
る。以下に説明するように、ｚl の下にある副層は遅い
エッチング速度を有する厚い副層であるが、ｚl の上に
ある副層は速いエッチング速度を有する薄いキャッピン
グ副層である。
関数として変化することができる他の方法を示す。図２
におけるように、単調に上昇するのではなく、図３のエ
ッチング速度曲線は層間の境界ｚl で断続的に上昇す
る。以下に説明するように、ｚl の下にある副層は遅い
エッチング速度を有する厚い副層であるが、ｚl の上に
ある副層は速いエッチング速度を有する薄いキャッピン
グ副層である。
【００２９】図４の曲線は、局所エッチング速度が変化
し得る他の方法を示す。この場合、層が速い局所エッチ
ング速度と遅い局所エッチング速度が互い違いである副
層を含むので、局所エッチング速度曲線は、副層間のい
くつかの境界では上昇し、他の境界では下降する。この
局所エッチング速度曲線は、異なる副層におけるエッチ
ング時間の差によって、以下により詳細に示すように、
テーパー付き側壁プロファイルを形成する。
し得る他の方法を示す。この場合、層が速い局所エッチ
ング速度と遅い局所エッチング速度が互い違いである副
層を含むので、局所エッチング速度曲線は、副層間のい
くつかの境界では上昇し、他の境界では下降する。この
局所エッチング速度曲線は、異なる副層におけるエッチ
ング時間の差によって、以下により詳細に示すように、
テーパー付き側壁プロファイルを形成する。
【００３０】図５においては、ボックス３０における動
作が蒸着は行うことにより始まり、エッチング剤に対す
る局所エッチング速度を有する層を生成し、この局所エ
ッチング速度は層の厚さ方向即ちｚ方向で変化する。ボ
ックス３０における動作は図２乃至図４に示したように
局所エッチング速度曲線又は他のタイプの局所エッチン
グ速度曲線を有する層を生成することができる。ボック
ス３２における動作は、リトグラフィを実行して形状部
の形状を有する層の部分を被覆するマスク材料のパター
ンを生成する。次いで、ボックス３４における動作は、
エッチングしてボックス３２からのマスク材料のパター
ンにより被覆されなかった領域を除去する。ボックス３
４でエッチングした結果、層の被覆された部分がエッジ
を有する形状部を形成する。また、ボックス３４におけ
る動作は、エッジの側壁プロファイルがテーパー付けさ
れるように、エッジをエッチング剤によりエッチングす
る。ボックス３６における動作はマスク材料のパターン
を除去する。
作が蒸着は行うことにより始まり、エッチング剤に対す
る局所エッチング速度を有する層を生成し、この局所エ
ッチング速度は層の厚さ方向即ちｚ方向で変化する。ボ
ックス３０における動作は図２乃至図４に示したように
局所エッチング速度曲線又は他のタイプの局所エッチン
グ速度曲線を有する層を生成することができる。ボック
ス３２における動作は、リトグラフィを実行して形状部
の形状を有する層の部分を被覆するマスク材料のパター
ンを生成する。次いで、ボックス３４における動作は、
エッチングしてボックス３２からのマスク材料のパター
ンにより被覆されなかった領域を除去する。ボックス３
４でエッチングした結果、層の被覆された部分がエッジ
を有する形状部を形成する。また、ボックス３４におけ
る動作は、エッジの側壁プロファイルがテーパー付けさ
れるように、エッジをエッチング剤によりエッチングす
る。ボックス３６における動作はマスク材料のパターン
を除去する。
【００３１】上記の一般的な形状部は多数の方法におい
て実行されることができ、基板の表面にテーパー付けさ
れた形状部を有する薄膜構造体を提供する。
て実行されることができ、基板の表面にテーパー付けさ
れた形状部を有する薄膜構造体を提供する。
【００３２】図６はテーパー付けされた走査線を有する
配列の部分的なレイアウトを示す。図７は、図６の配列
における光制御ユニットのレイアウトを示す。
配列の部分的なレイアウトを示す。図７は、図６の配列
における光制御ユニットのレイアウトを示す。
【００３３】図６の配列７０は、走査線７２、７４乃至
７６及びデータ線８０、８２乃至８４を含む。走査線７
２、７４乃至７６はテーパー付けされた導電線であり、
走査線７４乃至７６がそれぞれ光制御ユニットの列と接
続され、この列内の光制御ユニットを選択する信号を提
供する。例えば、図示されている光制御ユニット９０は
走査線７４からその信号を受け取る。
７６及びデータ線８０、８２乃至８４を含む。走査線７
２、７４乃至７６はテーパー付けされた導電線であり、
走査線７４乃至７６がそれぞれ光制御ユニットの列と接
続され、この列内の光制御ユニットを選択する信号を提
供する。例えば、図示されている光制御ユニット９０は
走査線７４からその信号を受け取る。
【００３４】いくつかの実行において、配列７０内の各
光制御ユニットはその走査線から２値信号を受け取るこ
とができ、これにより光制御ユニットは完全にオン飽和
状態又は完全にオフ飽和状態に駆動される。或いは、各
光制御ユニットは三つ又はそれより多くのグレイレベル
を示すことができる多重レベルの信号を受け取ることが
できる。いづれの場合においても走査線の導電性は重要
である。導電性が低くなると、走査信号が減衰し、遅延
し、これにより２値信号の遅延又は不飽和グレイレベル
の減衰に伴う問題が生じる。テーパー付けされた導電線
は、これらの導電線が段形の側壁プロファイルを有する
エッジを持つ導電線より厚くなってもよいので、十分な
導電性を提供することができ、この問題を軽減する。
光制御ユニットはその走査線から２値信号を受け取るこ
とができ、これにより光制御ユニットは完全にオン飽和
状態又は完全にオフ飽和状態に駆動される。或いは、各
光制御ユニットは三つ又はそれより多くのグレイレベル
を示すことができる多重レベルの信号を受け取ることが
できる。いづれの場合においても走査線の導電性は重要
である。導電性が低くなると、走査信号が減衰し、遅延
し、これにより２値信号の遅延又は不飽和グレイレベル
の減衰に伴う問題が生じる。テーパー付けされた導電線
は、これらの導電線が段形の側壁プロファイルを有する
エッジを持つ導電線より厚くなってもよいので、十分な
導電性を提供することができ、この問題を軽減する。
【００３５】図７は光制御ユニットを示す。図７は薄膜
構造体のいくつかの層を示すが、基板の表面から最も遠
くに位置する上部層が下部層を覆い隠している。
構造体のいくつかの層を示すが、基板の表面から最も遠
くに位置する上部層が下部層を覆い隠している。
【００３６】図７に示した最上層は頂部金属層であり、
この頂部金属層は光制御ユニット内のトランジスタのチ
ャネルリードと接続されているデータ線１１０を形成
し、また、この頂部金属層は以下に説明する幾つかの他
の形状部も生成する。図示した次の層はインジウム−酸
化スズ（ＩＴＯ）の層であり、このＩＴＯ層は透明電極
１１２を形成する。次の層は頂部窒化層であり、この頂
部窒化層はトランジスタの部分であるアイランド１１４
を生成する。図示した最下部層は底部金属層であり、こ
の底部金属層はゲート線１１６とそれと接続され、トラ
ンジスタのゲートリードとして作用するゲートリード１
１８を形成する。
この頂部金属層は光制御ユニット内のトランジスタのチ
ャネルリードと接続されているデータ線１１０を形成
し、また、この頂部金属層は以下に説明する幾つかの他
の形状部も生成する。図示した次の層はインジウム−酸
化スズ（ＩＴＯ）の層であり、このＩＴＯ層は透明電極
１１２を形成する。次の層は頂部窒化層であり、この頂
部窒化層はトランジスタの部分であるアイランド１１４
を生成する。図示した最下部層は底部金属層であり、こ
の底部金属層はゲート線１１６とそれと接続され、トラ
ンジスタのゲートリードとして作用するゲートリード１
１８を形成する。
【００３７】データ線１１０は０．２Ω／平方インチの
抵抗率で実行されることができ、−８Ｖ、０Ｖ、及び＋
８Ｖで駆動される。データ線１１０は２値制御ユニット
のコラム（列）にデータ信号を提供し、これらの２値制
御ユニットの内の一つが図４に示される。ゲートリード
の上を延出しているデータ線１１０の部分がトランジス
タのソースリードと接続している。
抵抗率で実行されることができ、−８Ｖ、０Ｖ、及び＋
８Ｖで駆動される。データ線１１０は２値制御ユニット
のコラム（列）にデータ信号を提供し、これらの２値制
御ユニットの内の一つが図４に示される。ゲートリード
の上を延出しているデータ線１１０の部分がトランジス
タのソースリードと接続している。
【００３８】同様にゲート線１１６は走査信号を２値制
御ユニットのロー（行）へ送る。ゲート線１１６は１．
４Ω／平方インチの抵抗率で実行されることができ、＋
１５Ｖ及び−１５Ｖで駆動されることができる。
御ユニットのロー（行）へ送る。ゲート線１１６は１．
４Ω／平方インチの抵抗率で実行されることができ、＋
１５Ｖ及び−１５Ｖで駆動されることができる。
【００３９】データ線１１０とゲート線１１５は幅が各
々１０μｍである。データ線１１０は交差領域１２０で
ゲート線１１６と交差する。交差領域１２０は、頂部窒
化層によって生成された絶縁体と、これらの二つの線が
信号を適切に導電し、この二つの線における信号が干渉
しないことを確実とするのに必要な他の形状部を含むこ
とができる。
々１０μｍである。データ線１１０は交差領域１２０で
ゲート線１１６と交差する。交差領域１２０は、頂部窒
化層によって生成された絶縁体と、これらの二つの線が
信号を適切に導電し、この二つの線における信号が干渉
しないことを確実とするのに必要な他の形状部を含むこ
とができる。
【００４０】透明電極１１２は、頂部金属層によって生
成されたドレイン線１２２を介してトランジスタのドレ
インリードと接続する。従って、トランジスタがゲート
線１１６によってゲートリード１１８に提供された走査
信号により導電性である時、透明電極１１２はドレイン
線１１２を介してデータ線１１０から駆動信号を受け取
り、それを記憶する。
成されたドレイン線１２２を介してトランジスタのドレ
インリードと接続する。従って、トランジスタがゲート
線１１６によってゲートリード１１８に提供された走査
信号により導電性である時、透明電極１１２はドレイン
線１１２を介してデータ線１１０から駆動信号を受け取
り、それを記憶する。
【００４１】透明電極１１２は充電リード１２４とも接
続し、この充電リード１２４は充電コンデンサ（storag
e capacitor ）の一つの電極を実行し、頂部金属層によ
って形成される。底部金属層によって形成されるゲート
線１２６は充電コンデンサの他の電極を実行する。ゲー
ト線１２６はまた同じコラム内の先行の２値制御ユニッ
トへ走査信号を提供する。
続し、この充電リード１２４は充電コンデンサ（storag
e capacitor ）の一つの電極を実行し、頂部金属層によ
って形成される。底部金属層によって形成されるゲート
線１２６は充電コンデンサの他の電極を実行する。ゲー
ト線１２６はまた同じコラム内の先行の２値制御ユニッ
トへ走査信号を提供する。
【００４２】図８は、二つのスパッタリングターゲット
がどのように使用されて図３に示したような局所エッチ
ング速度を有する層を生成し得るかを示す。図９はモリ
ブデンとクロムの原子比率の関数としてのエッチング速
度を示す。図１０は図８に示したように二つのターゲッ
トを用いて層を生成するときの動作を示す。図１１は図
１０に示したように生成された層をエッチングする段階
を示す。図１２乃至１４は、図１０におけるような動作
により生成された、当該形状部のエッジでテーパー付き
側壁プロファイルを有する実際の形状部を示す。
がどのように使用されて図３に示したような局所エッチ
ング速度を有する層を生成し得るかを示す。図９はモリ
ブデンとクロムの原子比率の関数としてのエッチング速
度を示す。図１０は図８に示したように二つのターゲッ
トを用いて層を生成するときの動作を示す。図１１は図
１０に示したように生成された層をエッチングする段階
を示す。図１２乃至１４は、図１０におけるような動作
により生成された、当該形状部のエッジでテーパー付き
側壁プロファイルを有する実際の形状部を示す。
【００４３】図８のチャンバ１４０は、従来のマグネト
ロンスパッタリングマシンの真空チャンバであってもよ
い。チャンバ１４０には、第１合金ターゲットＭｏ（ｘ
1 ）Ｃｒ（ｙ1 ）であるターゲット１４２、第２合金タ
ーゲットＭｏ（ｘ2 ）Ｃｒ（ｙ2 ）であるターゲット１
４４があり、ここで、ｙn ＝（１−ｘn ）であり、（ｘ
n ／ｙn ）はモリブデン−クロム合金中のモリブデン対
クロムの原子比である。基板１４６はチャンバ１４０内
にあり、この基板１４６が第１の合金の蒸着用のターゲ
ット１４２に隣接した第１の位置と第２の合金の蒸着用
のターゲット１４４に隣接した第２の位置の間で前後に
移動され得るように取り付けられる。スパッタリングは
従来の技術を用いて行うことができる。
ロンスパッタリングマシンの真空チャンバであってもよ
い。チャンバ１４０には、第１合金ターゲットＭｏ（ｘ
1 ）Ｃｒ（ｙ1 ）であるターゲット１４２、第２合金タ
ーゲットＭｏ（ｘ2 ）Ｃｒ（ｙ2 ）であるターゲット１
４４があり、ここで、ｙn ＝（１−ｘn ）であり、（ｘ
n ／ｙn ）はモリブデン−クロム合金中のモリブデン対
クロムの原子比である。基板１４６はチャンバ１４０内
にあり、この基板１４６が第１の合金の蒸着用のターゲ
ット１４２に隣接した第１の位置と第２の合金の蒸着用
のターゲット１４４に隣接した第２の位置の間で前後に
移動され得るように取り付けられる。スパッタリングは
従来の技術を用いて行うことができる。
【００４４】図９は異なるエッチング温度においては、
異なるＭｏ（ｘ）Ｃｒ（ｙ）に対して１秒当たりのÅ
（オングストローム）で測定されたエッチング速度を示
し、二つの異なる合金がどのように使用されて異なる局
所エッチング速度を有する副層を生成し得るかを示す。
示したように、５０°Ｃのエッチング温度においては、
エッチング速度は約１５原子パーセントのモリブデンか
ら約３０原子パーセントのモリブデンへ線形に下降し、
次いでほぼ線形に上昇する。ほぼ室温（例えば、図示の
２２°Ｃ）のエッチング温度においては、エッチング速
度は約１５原子パーセントのモリブデンから約２５原子
パーセントのモリブデンへ下降し、次いでほぼ一定した
ままである。モリブデンの異なる原子比を有する二つの
副層間で３：１より大きなエッチング速度間の比率を得
ることが可能である。
異なるＭｏ（ｘ）Ｃｒ（ｙ）に対して１秒当たりのÅ
（オングストローム）で測定されたエッチング速度を示
し、二つの異なる合金がどのように使用されて異なる局
所エッチング速度を有する副層を生成し得るかを示す。
示したように、５０°Ｃのエッチング温度においては、
エッチング速度は約１５原子パーセントのモリブデンか
ら約３０原子パーセントのモリブデンへ線形に下降し、
次いでほぼ線形に上昇する。ほぼ室温（例えば、図示の
２２°Ｃ）のエッチング温度においては、エッチング速
度は約１５原子パーセントのモリブデンから約２５原子
パーセントのモリブデンへ下降し、次いでほぼ一定した
ままである。モリブデンの異なる原子比を有する二つの
副層間で３：１より大きなエッチング速度間の比率を得
ることが可能である。
【００４５】図１０のボックス１６０における動作は、
物理的蒸着（ＰＶＤ）を行うことによって開始し、Ｍｏ
（ｘ1 ）Ｃｒ（ｙ1 ）を含む第１の副層を製造する。ボ
ックス１６２の動作は次いで物理的蒸着（ＰＶＤ）を行
い、Ｍｏ（ｘ2 ）Ｃｒ（ｙ2）を含む第２の副層を生成
し、ここで、第２の副層の局所エッチング速度が第１の
副層の局所エッチング速度よりかなり速くなるように、
ｘ1 はｘ2 より大きい（ｘ1 ＞ｘ2 ）。第１の副層と第
２の副層は共にモリブデンとクロムを含む層を生成し、
各副層は、ＭｏＣｒ合金を含み、厚さ方向の位置に従っ
て変化する局所エッチング速度を有する。ボックス１６
０と１６２における動作は、図８の構成を用いて実行さ
れるが、最初にターゲット１４２からスパッタリングす
るために基板１４６を位置決めして第１の副層を生成
し、次いでターゲット１４４からスパッタリングする位
置へ基板１４６を移動して第２の副層を生成することに
よって実行され得る。
物理的蒸着（ＰＶＤ）を行うことによって開始し、Ｍｏ
（ｘ1 ）Ｃｒ（ｙ1 ）を含む第１の副層を製造する。ボ
ックス１６２の動作は次いで物理的蒸着（ＰＶＤ）を行
い、Ｍｏ（ｘ2 ）Ｃｒ（ｙ2）を含む第２の副層を生成
し、ここで、第２の副層の局所エッチング速度が第１の
副層の局所エッチング速度よりかなり速くなるように、
ｘ1 はｘ2 より大きい（ｘ1 ＞ｘ2 ）。第１の副層と第
２の副層は共にモリブデンとクロムを含む層を生成し、
各副層は、ＭｏＣｒ合金を含み、厚さ方向の位置に従っ
て変化する局所エッチング速度を有する。ボックス１６
０と１６２における動作は、図８の構成を用いて実行さ
れるが、最初にターゲット１４２からスパッタリングす
るために基板１４６を位置決めして第１の副層を生成
し、次いでターゲット１４４からスパッタリングする位
置へ基板１４６を移動して第２の副層を生成することに
よって実行され得る。
【００４６】ボックス１６４における動作は、リトグラ
フィを実行して、形状部の形状を有するモリブデンとク
ロムの層の部分を被覆するマスク材料のパターンを生成
する。次いでボックス１６６における動作は、エッチン
グして、ボックス１６４からのマスク材料のパターンに
より被覆されなかった領域を除去する。ボックス１６６
におけるエッチング作用の結果として、ＭｏＣｒ層の被
覆された部分は、モリブデンとクロムを含む形状部を形
成する。また、ボックス１６６における動作は、パター
ン境界の下で異なるようにエッチングして、テーパー付
き側壁プロファイルを有する形状部のエッジを生成す
る。次いで、ボックス１６８における動作は、形状部か
らマスク材料のパターンを除去する。
フィを実行して、形状部の形状を有するモリブデンとク
ロムの層の部分を被覆するマスク材料のパターンを生成
する。次いでボックス１６６における動作は、エッチン
グして、ボックス１６４からのマスク材料のパターンに
より被覆されなかった領域を除去する。ボックス１６６
におけるエッチング作用の結果として、ＭｏＣｒ層の被
覆された部分は、モリブデンとクロムを含む形状部を形
成する。また、ボックス１６６における動作は、パター
ン境界の下で異なるようにエッチングして、テーパー付
き側壁プロファイルを有する形状部のエッジを生成す
る。次いで、ボックス１６８における動作は、形状部か
らマスク材料のパターンを除去する。
【００４７】図１１は、図１０のボックス１６６の動作
における段階を示す。第１の段階において、エッチング
が始まる前に、層１８０が基板１４６上にあり、層１８
０は副層１８２と１８４を有する。層１８０は厚さが５
０００Åであってもよいし、例えば、副層１８２は厚さ
が４６００Åであり、８３原子パーセントのモリブデン
を含むが、副層１８４は厚さが４００Åの薄いキャッピ
ング副層であり、８７原子パーセントのモリブデンを含
む。図９に見られるように、これらの原子比によって、
室温で約２．５のエッチング比が得られる。レジスト１
８６は生成されるべき形状部の形状を有する層１８０の
部分を被覆する。
における段階を示す。第１の段階において、エッチング
が始まる前に、層１８０が基板１４６上にあり、層１８
０は副層１８２と１８４を有する。層１８０は厚さが５
０００Åであってもよいし、例えば、副層１８２は厚さ
が４６００Åであり、８３原子パーセントのモリブデン
を含むが、副層１８４は厚さが４００Åの薄いキャッピ
ング副層であり、８７原子パーセントのモリブデンを含
む。図９に見られるように、これらの原子比によって、
室温で約２．５のエッチング比が得られる。レジスト１
８６は生成されるべき形状部の形状を有する層１８０の
部分を被覆する。
【００４８】図１１における第２の段階において示され
ているように、エッチングが開始した後、副層１８４は
レジスト１８６に被覆されなかった領域内で迅速にエッ
チングされて取り去られ、次いで中間側壁１９０によっ
て図示したように、レジスト１８６の下でエッチングを
開始して除去する。副層１８４がエッチングされ除去さ
れたので、レジスト１８６の下の副層１８２の部分がエ
ッチング剤にさらされてエッチングされるが、このエッ
チング期間が短いので、レジスト１８６に被覆されなか
った領域ほど深くはエッチングされない。
ているように、エッチングが開始した後、副層１８４は
レジスト１８６に被覆されなかった領域内で迅速にエッ
チングされて取り去られ、次いで中間側壁１９０によっ
て図示したように、レジスト１８６の下でエッチングを
開始して除去する。副層１８４がエッチングされ除去さ
れたので、レジスト１８６の下の副層１８２の部分がエ
ッチング剤にさらされてエッチングされるが、このエッ
チング期間が短いので、レジスト１８６に被覆されなか
った領域ほど深くはエッチングされない。
【００４９】最後に、エッチング剤がレジスト１８６に
被覆されなかった領域内の副層を介してエッチングした
時、図１１の第３の段階に示したように、副層１８４の
テーパー無しの側壁１９２と副層１８２のテーパー付き
側壁１９４が共に、結果的に得られる形状部の側壁プロ
ファイルを形成する。
被覆されなかった領域内の副層を介してエッチングした
時、図１１の第３の段階に示したように、副層１８４の
テーパー無しの側壁１９２と副層１８２のテーパー付き
側壁１９４が共に、結果的に得られる形状部の側壁プロ
ファイルを形成する。
【００５０】図１１の第３の段階の後、レジスト１８６
は図１０のボックス１６８の動作によって除去され得
る。副層１８４はより均一なテーパー付き側壁プロファ
イルを得るために適切な作用によって除去される犠牲層
であってもよい。
は図１０のボックス１６８の動作によって除去され得
る。副層１８４はより均一なテーパー付き側壁プロファ
イルを得るために適切な作用によって除去される犠牲層
であってもよい。
【００５１】図１２は図１０におけるような動作によっ
て生成された導電線の断面の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）
画像を示す。第１の副層は厚さが４６００Åであり、７
５原子パーセントのモリブデンを有し、第２の副層が厚
さが４００Åであり、６０原子パーセントのモリブデン
を有する。この線は、幅が約１５μｍ、厚さが０．５μ
ｍである。示したように、導電線の各エッジで得られる
側壁プロファイルの仰角は約３０°である。
て生成された導電線の断面の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）
画像を示す。第１の副層は厚さが４６００Åであり、７
５原子パーセントのモリブデンを有し、第２の副層が厚
さが４００Åであり、６０原子パーセントのモリブデン
を有する。この線は、幅が約１５μｍ、厚さが０．５μ
ｍである。示したように、導電線の各エッジで得られる
側壁プロファイルの仰角は約３０°である。
【００５２】図１３は、図１０におけるような動作によ
って生成された他の導電線の断面のＳＥＭ画像を示す。
第１の副層は厚さが４６００Åであり、８５原子パーセ
ントのモリブデンを有し、第２の副層は厚さが４００Å
であり、６０原子パーセントのモリブデンを有する。こ
の線は幅が約１５μｍ、厚さが０．５μｍである。示し
たように、導電線の各エッジで得られる側壁プロファイ
ルの仰角は約６°である。
って生成された他の導電線の断面のＳＥＭ画像を示す。
第１の副層は厚さが４６００Åであり、８５原子パーセ
ントのモリブデンを有し、第２の副層は厚さが４００Å
であり、６０原子パーセントのモリブデンを有する。こ
の線は幅が約１５μｍ、厚さが０．５μｍである。示し
たように、導電線の各エッジで得られる側壁プロファイ
ルの仰角は約６°である。
【００５３】図１４は、図１０の動作によって生成され
た導電線の構成のＳＥＭ画像を示し、この画像は図１３
の同じ仰角を有する。テーパーは各線の周辺で見られ
る。
た導電線の構成のＳＥＭ画像を示し、この画像は図１３
の同じ仰角を有する。テーパーは各線の周辺で見られ
る。
【００５４】図１２乃至図１４は、テーパー付き側壁プ
ロファイルを有するエッジが上記の二つの副層の技術を
用いて首尾よく生成されたことを示す。また、図１２乃
至１４に示されるように、及び６０°の仰角を有する導
電線に対する窒化珪素の誘電体層の化学蒸着が、導電線
のエッジで何ら問題を生じないで相似被覆を示した。
ロファイルを有するエッジが上記の二つの副層の技術を
用いて首尾よく生成されたことを示す。また、図１２乃
至１４に示されるように、及び６０°の仰角を有する導
電線に対する窒化珪素の誘電体層の化学蒸着が、導電線
のエッジで何ら問題を生じないで相似被覆を示した。
【００５５】図１５は、二つのスパッタリングターゲッ
トがどのように使用され、図４に示したような局所エッ
チング速度を有する層を生成し得るかを示す。図１６
は、図１５の構成によって生成された層の断面を示す。
図１７は、アルミニウムとチタン−タングステンのエッ
チング速度を数段階の温度におけるエッチング剤比率の
関数として示す。図１８と図１９は、図１５における構
成によって生成された、当該形状部のエッジにおけるテ
ーパー付き側壁プロファイルを有する実際の形状部を示
す。
トがどのように使用され、図４に示したような局所エッ
チング速度を有する層を生成し得るかを示す。図１６
は、図１５の構成によって生成された層の断面を示す。
図１７は、アルミニウムとチタン−タングステンのエッ
チング速度を数段階の温度におけるエッチング剤比率の
関数として示す。図１８と図１９は、図１５における構
成によって生成された、当該形状部のエッジにおけるテ
ーパー付き側壁プロファイルを有する実際の形状部を示
す。
【００５６】図１５におけるチャンバ２１０は、図８の
チャンバと同じであってもよいが、アルミニウムのター
ゲット２１２と、チタン及びタングステンの合金ターゲ
ットであるターゲット２１４を有する。例えば、１０重
量パーセントのチタンような一般的に使用される割合を
有する合金ターゲットが使用されてもよい。基板２１６
はチャンバ２１０内にあり、アルミニウムの蒸着用のタ
ーゲット２１２に隣接する第１の位置とチタン−タング
ステンの蒸着用のターゲット２１４に隣接する第２の位
置の間で前後に移動することができるように取り付けら
れる。スパッタリングは、図１０と同じ動作に続いて、
従来の技術を用いて実行され得るが、一連の動作がボッ
クス１６０及び１６２の動作に取って代わり、この一連
の動作のそれぞれが多数の副層の内の一つを生成し、他
の副層がアルミニウムであり、このアルミニウムの副層
がチタン−タングステンの副層によって分離される。
チャンバと同じであってもよいが、アルミニウムのター
ゲット２１２と、チタン及びタングステンの合金ターゲ
ットであるターゲット２１４を有する。例えば、１０重
量パーセントのチタンような一般的に使用される割合を
有する合金ターゲットが使用されてもよい。基板２１６
はチャンバ２１０内にあり、アルミニウムの蒸着用のタ
ーゲット２１２に隣接する第１の位置とチタン−タング
ステンの蒸着用のターゲット２１４に隣接する第２の位
置の間で前後に移動することができるように取り付けら
れる。スパッタリングは、図１０と同じ動作に続いて、
従来の技術を用いて実行され得るが、一連の動作がボッ
クス１６０及び１６２の動作に取って代わり、この一連
の動作のそれぞれが多数の副層の内の一つを生成し、他
の副層がアルミニウムであり、このアルミニウムの副層
がチタン−タングステンの副層によって分離される。
【００５７】図１６は表面に形成された層２３０を有す
る基板２１６を示す。層２３０は、チタン−タングステ
ンの副層２５０、２５２、２５４、及び２５６によって
分離されたアルミニウムの副層２３２、２３４、２３
６、２３８、及び２４０を含む。アルミニウムの副層２
３２、２３４、及び２３６はそれぞれ厚さが６００Åで
あってもよいが、アルミニウムの副層２３８の厚さは４
００Å、アルミニウムの副層２４０の厚さは２００Åで
あってもよい。チタン−タングステンの副層２５０、２
５２、２５４、及び２５６は厚さがそれぞれ１００Åで
あってもよい。
る基板２１６を示す。層２３０は、チタン−タングステ
ンの副層２５０、２５２、２５４、及び２５６によって
分離されたアルミニウムの副層２３２、２３４、２３
６、２３８、及び２４０を含む。アルミニウムの副層２
３２、２３４、及び２３６はそれぞれ厚さが６００Åで
あってもよいが、アルミニウムの副層２３８の厚さは４
００Å、アルミニウムの副層２４０の厚さは２００Åで
あってもよい。チタン−タングステンの副層２５０、２
５２、２５４、及び２５６は厚さがそれぞれ１００Åで
あってもよい。
【００５８】図１７は、異なるエッチング温度でエッチ
ング剤の異なる混合物に対してÅ／秒で測定されたエッ
チング速度を示し、異なるサブエッチング剤によってエ
ッチングされる材料がどのように使用され、異なる局所
エッチング速度を有する副層を生成し得るかを示す。チ
タン−タングステン用のサブエッチング剤はＨ2 Ｏ2で
あるが、アルミニウム用のサブエッチング剤はＨ3 ＰＯ
4 が主成分である標準アルミニウムエッチング剤であ
る。５０°Ｃのエッチング温度でのＨ2 Ｏ2 対アルミニ
ウムサブエッチング剤の低比率、例えば、１０−３０：
１はかなり異なるエッチング速度を生成する。
ング剤の異なる混合物に対してÅ／秒で測定されたエッ
チング速度を示し、異なるサブエッチング剤によってエ
ッチングされる材料がどのように使用され、異なる局所
エッチング速度を有する副層を生成し得るかを示す。チ
タン−タングステン用のサブエッチング剤はＨ2 Ｏ2で
あるが、アルミニウム用のサブエッチング剤はＨ3 ＰＯ
4 が主成分である標準アルミニウムエッチング剤であ
る。５０°Ｃのエッチング温度でのＨ2 Ｏ2 対アルミニ
ウムサブエッチング剤の低比率、例えば、１０−３０：
１はかなり異なるエッチング速度を生成する。
【００５９】図１８は、Ｈ2 Ｏ2 対アルミニウムサブエ
ッチング剤の３０：１の比率を用いて図１６における層
のような層をエッチングすることによって生成された形
状部の断面のＳＥＭ画像を示す。この形状部のエッジで
得られる仰角は約５２°である。
ッチング剤の３０：１の比率を用いて図１６における層
のような層をエッチングすることによって生成された形
状部の断面のＳＥＭ画像を示す。この形状部のエッジで
得られる仰角は約５２°である。
【００６０】図１９は、Ｈ2 Ｏ2 対アルミニウムサブエ
ッチング剤の１０：１の比率を用いて図１６における層
のような層をエッチングすることによって生成された他
の形状部のＳＥＭの平面図を示す。示されているよう
に、図１９における仰角は図１８の角度よりも相当に小
さい。
ッチング剤の１０：１の比率を用いて図１６における層
のような層をエッチングすることによって生成された他
の形状部のＳＥＭの平面図を示す。示されているよう
に、図１９における仰角は図１８の角度よりも相当に小
さい。
【００６１】図１７及び図１８は、テーパー付き側壁プ
ロファイルを有するエッジが上記の複数の副層の技術を
用いて首尾よく生成されたことを示す。
ロファイルを有するエッジが上記の複数の副層の技術を
用いて首尾よく生成されたことを示す。
【００６２】上記に示した実行は、スパッタリングを使
用して、材料、例えば、モリブデン−クロム、アルミニ
ウム、及びチタン−タングステンを蒸着する。他の物理
的蒸着技術、例えば、真空蒸着や電子ビーム蒸着も使用
され得る。
用して、材料、例えば、モリブデン−クロム、アルミニ
ウム、及びチタン−タングステンを蒸着する。他の物理
的蒸着技術、例えば、真空蒸着や電子ビーム蒸着も使用
され得る。
【００６３】上記に示した実行は、材料、例えば、モリ
ブデン−クロム、アルミニウム、及びチタン−タングス
テンと、これらの材料に合ったエッチング剤を使用す
る。他の材料とエッチング剤も使用できる。例えば、上
記の技術を用いてテーパー付けされた誘電体又はドープ
された半導体の形状部を得ることが可能であるかもしれ
ない。
ブデン−クロム、アルミニウム、及びチタン−タングス
テンと、これらの材料に合ったエッチング剤を使用す
る。他の材料とエッチング剤も使用できる。例えば、上
記の技術を用いてテーパー付けされた誘電体又はドープ
された半導体の形状部を得ることが可能であるかもしれ
ない。
【００６４】上記に示した実行は、層の特定の厚さと層
内の材料の原子比を使用するが、、他の厚さや原子比を
使用することができる。また、異なるエッチング速度を
有する層によるよりも連続的に変化するエッチング速度
によって本発明を実行することが可能であるかもしれな
い。
内の材料の原子比を使用するが、、他の厚さや原子比を
使用することができる。また、異なるエッチング速度を
有する層によるよりも連続的に変化するエッチング速度
によって本発明を実行することが可能であるかもしれな
い。
【００６５】上記の実行は湿式エッチング剤を使用する
が、乾式エッチング剤を使用してもよい。
が、乾式エッチング剤を使用してもよい。
【００６６】上記の実行は、合金中の金属の原子比の差
又はエッチング剤中のサブエッチング剤の割合の差から
得られるエッチング速度における差を使用する。図２０
はエッチング中のアルゴン圧力の関数としてのエッチン
グ速度を示し、蒸着条件の差が層の局所エッチング速度
にかなりの差を生成し得ることを示す。さらなる変形
は、エッチング速度に影響を与える不純物、例えば、ス
パッタリングガス中のＮ2 −Ａｒ混合物によって元素金
属フィルム（薄膜）をドープして、窒素をチタンのフィ
ルムへ混和することである。
又はエッチング剤中のサブエッチング剤の割合の差から
得られるエッチング速度における差を使用する。図２０
はエッチング中のアルゴン圧力の関数としてのエッチン
グ速度を示し、蒸着条件の差が層の局所エッチング速度
にかなりの差を生成し得ることを示す。さらなる変形
は、エッチング速度に影響を与える不純物、例えば、ス
パッタリングガス中のＮ2 −Ａｒ混合物によって元素金
属フィルム（薄膜）をドープして、窒素をチタンのフィ
ルムへ混和することである。
【００６７】上記の二つの層の実行は、原子比における
差を使用するが、エッチング剤中のサブエッチング剤の
比率の差から得られるエッチング速度を代わりに使用す
ることもできる。例えば、アルミニウム導電線における
チタン−タングステンキャッピング層は、Ｈ3 ＰＯ4 と
Ｈ2 Ｏ2 の混合物を用いてエッチングされ、テーパー付
き側壁プロファイルを得ることができる。
差を使用するが、エッチング剤中のサブエッチング剤の
比率の差から得られるエッチング速度を代わりに使用す
ることもできる。例えば、アルミニウム導電線における
チタン−タングステンキャッピング層は、Ｈ3 ＰＯ4 と
Ｈ2 Ｏ2 の混合物を用いてエッチングされ、テーパー付
き側壁プロファイルを得ることができる。
【００６８】上記の実行は導電線及び同様の形状部を生
成するが、本発明は、種々の形状及びタイプのテーパー
付き側壁プロファイルを有する他の形状部を生成するの
に使用されることができ、これらの他の形状部にはリフ
トオフ技術に適した逆テーパー付き形状部が含まれる。
成するが、本発明は、種々の形状及びタイプのテーパー
付き側壁プロファイルを有する他の形状部を生成するの
に使用されることができ、これらの他の形状部にはリフ
トオフ技術に適した逆テーパー付き形状部が含まれる。
【００６９】上記の実行はガラスのような絶縁基板に適
しているが、本発明は、他のタイプの基板、例えば、ポ
リシリコンにおける薄膜構造体において実行されてもよ
い。
しているが、本発明は、他のタイプの基板、例えば、ポ
リシリコンにおける薄膜構造体において実行されてもよ
い。
【００７０】上記の実行は指定された順序において特定
の処理段階を用いる。異なる順序における段階によって
又は他の工程段階によって、本発明を実行することが可
能であるかもしれない。
の処理段階を用いる。異なる順序における段階によって
又は他の工程段階によって、本発明を実行することが可
能であるかもしれない。
【００７１】本発明は、アクティブマトリックス液晶デ
ィスプレイ（ＡＭＬＣＤ）用の配列の生成を含む多くの
方法に適用され得る。例えば、本発明を、構成部品のリ
ードを接続する導電線を有する薄膜構造体又は他の構造
体をもつ走査配列を生成する為に使用することが可能で
ある。
ィスプレイ（ＡＭＬＣＤ）用の配列の生成を含む多くの
方法に適用され得る。例えば、本発明を、構成部品のリ
ードを接続する導電線を有する薄膜構造体又は他の構造
体をもつ走査配列を生成する為に使用することが可能で
ある。
【００７２】本発明はまた、ディスプレイ用の配列の製
造や他の目的のみならず、集積回路を製造するためのあ
らゆる従来の工程に適用され得る。
造や他の目的のみならず、集積回路を製造するためのあ
らゆる従来の工程に適用され得る。
【００７３】
【発明の効果】本発明は、局所エッチング速度が変化す
る層を異なるようにエッチングすることによって達成さ
れるテーパー付き形状部を有する薄膜構造体を提供す
る。
る層を異なるようにエッチングすることによって達成さ
れるテーパー付き形状部を有する薄膜構造体を提供す
る。
【図１】局所エッチング速度が厚さ方向で変化するテー
パー付けされた形状部を含む薄膜構造体を示す略断面図
である。
パー付けされた形状部を含む薄膜構造体を示す略断面図
である。
【図２】局所エッチング速度が連続的に変化する層内の
厚さ方向の位置の関数として局所エッチング速度を示す
グラフである。
厚さ方向の位置の関数として局所エッチング速度を示す
グラフである。
【図３】異なる局所エッチング速度を有する二つの副層
を含む層内の厚さ方向の位置の関数として局所エッチン
グ速度を示す他のグラフである。
を含む層内の厚さ方向の位置の関数として局所エッチン
グ速度を示す他のグラフである。
【図４】異なる局所エッチング速度を有する交互の副層
を含む層内の厚さ方向の位置の関数として局所エッチン
グ速度を示す他のグラフである。
を含む層内の厚さ方向の位置の関数として局所エッチン
グ速度を示す他のグラフである。
【図５】局所エッチング速度が変化するテーパー付けさ
れた形状部を有する薄膜構造体を生成するときの一般的
な動作を示すフローチャートである。
れた形状部を有する薄膜構造体を生成するときの一般的
な動作を示すフローチャートである。
【図６】テーパー付けされた導電線を有する光制御ユニ
ットの配列のレイアウトを示す略平面図である。
ットの配列のレイアウトを示す略平面図である。
【図７】図３の配列の実行における光制御ユニットのレ
イアウトを示す平面図である。
イアウトを示す平面図である。
【図８】モリブデン−クロムターゲットによるスパッタ
リングチャンバを示す略図である。
リングチャンバを示す略図である。
【図９】モリブデン及びクロムの原子比とエッチング温
度の原子比の関数としてエッチング速度を示すグラフで
ある。
度の原子比の関数としてエッチング速度を示すグラフで
ある。
【図１０】モリブデン及びクロムを含むテーパー付けさ
れた導電線を生成する時の動作を示すフローチャートで
ある。
れた導電線を生成する時の動作を示すフローチャートで
ある。
【図１１】図１０に示したようにテーパー付けされた導
電線を生成する時の段階を示すフローチャートである。
電線を生成する時の段階を示すフローチャートである。
【図１２】図１０に示したように生成されたテーパー付
き線の断面の走査電子顕微鏡写真である。
き線の断面の走査電子顕微鏡写真である。
【図１３】図１０に示したように生成された他のテーパ
ー付き線の断面の走査電子顕微鏡写真である。
ー付き線の断面の走査電子顕微鏡写真である。
【図１４】図１０に示したように生成されたテーパー付
で線の断面の走査電子顕微鏡写真である。
で線の断面の走査電子顕微鏡写真である。
【図１５】アルミニウムターゲットとチタン−タングス
テンターゲットによるスパッタリングチャンバを示す略
図である。
テンターゲットによるスパッタリングチャンバを示す略
図である。
【図１６】図１５のチャンバ内で生成された複数の副層
を有する層の断面図を概略的に示す図である。
を有する層の断面図を概略的に示す図である。
【図１７】混合物中のエッチング剤とエッチング温度の
比率の関数としてエッチング速度を示すグラフである。
比率の関数としてエッチング速度を示すグラフである。
【図１８】図１６に示したように層から生成されたテー
パー付き形状部の断面の走査電子顕微鏡写真である。
パー付き形状部の断面の走査電子顕微鏡写真である。
【図１９】図１６に示したように層から生成されるが、
図１８とは異なる比率のエッチング剤を有する他のテー
パー付き形状部の平面の走査電子顕微鏡写真である。
図１８とは異なる比率のエッチング剤を有する他のテー
パー付き形状部の平面の走査電子顕微鏡写真である。
【図２０】蒸着中のガス圧力の関数としてエッチング速
度を示すグラフである。
度を示すグラフである。
１０ 製品 １２ 基板 １４ 表面 １６ 薄膜構造体 １８ 形状部 ２０ 第１の側 ２２ 第２の側 ２４ エッジ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ロバート アール．アレン アメリカ合衆国 カリフォルニア州 94109 サンフランシスコ オ’ファレル ストリート 888 アパートメント ナ ンバー 202 (72)発明者 ツ−チン チュアング アメリカ合衆国 カリフォルニア州 95070 サラトガ アロウヘッド レーン 21451
Claims (3)
- 【請求項１】 表面を有する基板と、 前記基板の表面に形成された薄膜構造体と、 を有する製品であって、 前記薄膜構造体が、前記基板近くの第１の側と前記基板
の表面から離れた第２の側とを有する形状部を備え、前
記形状部が前記第１の側から前記第２の側へ厚さ方向へ
延出しているエッジを有し、前記形状部が前記厚さ方向
の位置に従って変化するエッチング剤に対する局所エッ
チング速度を有し、前記エッジが前記エッチング剤を用
いてエッチング作用によってテーパー付けされた側壁プ
ロファイルを有する、 ことよりなる薄膜構造体を有する製品。 - 【請求項２】 表面を有する絶縁基板と、 前記絶縁基板の前記表面で形成された薄膜構造体と、 を有する製品であって、 前記薄膜構造体が、画像の表示を行わせる光制御ユニッ
トの配列を備え、各光制御ユニットがユニット信号を受
け取るリードを有し、各光制御ユニットが前記配列によ
って表示された画像のセグメントの表示を行わせること
によってそのユニット信号に応答し、 二つ又はそれより多くの導電線を備え、各導電線が第１
と第２の金属を有し、各導電線が前記光制御ユニットの
セットの各々のリード線に接続されて前記セット内の前
記光制御ユニットへユニット信号を提供し、各導電線が
前記基板近くの第１の側と前記基板の表面から離れた第
２の側を有し、各導電線が前記第１の側から前記第２の
側へ厚さ方向へ延出しているエッジを有し、各導電線が
前記厚さ方向の位置に従って変化するエッチング剤に対
する局所エッチング速度を有し、且つ各導電線の前記エ
ッジが前記エッチング剤を用いてエッチング作用によっ
てテーパー付けされた側壁プロファイルを有する、 ことよりなる薄膜構造体を有する製品。 - 【請求項３】 基板の表面に薄膜構造体を形成する方法
であって、 前記基板近くの第１の側と前記基板の表面から離れた第
２の側を有する第１の層を生成する為に蒸着を行い、前
記第１の層が前記第１の側から前記第２の側へ厚さ方向
へ延出しており、前記第１の層が前記厚さ方向の位置に
従って変化するエッチング剤に対する局所エッチング速
度を有しているステップと、 マスク材料のパターンを生成する為にリトグラフィを行
い、前記パターンが前記第１の層の部分を被覆する部分
を含み、前記第１の層の前記被覆された部分が形状部の
形状を有するステップと、 エッチングして、マスク材料の前記パターンに被覆され
なかった領域を除去し、これにより前記第１の層の前記
被覆された部分が前記第１の層の前記第１の側と前記第
２の側の間に延出するエッジを有する形状部を形成し、
このエッチングの作用が、前記エッチング剤を用いて前
記形状部のエッジをさらにエッチングして、これにより
前記エッジがテーパー付けされた側壁プロファイルを有
するステップと、 を備える薄膜構造体形成方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/235,010 US5528082A (en) | 1994-04-28 | 1994-04-28 | Thin-film structure with tapered feature |
| US235010 | 1994-04-28 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07302784A true JPH07302784A (ja) | 1995-11-14 |
Family
ID=22883685
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7124287A Pending JPH07302784A (ja) | 1994-04-28 | 1995-04-24 | 薄膜構造体を有する製品及び薄膜構造体形成方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5528082A (ja) |
| EP (1) | EP0680079A3 (ja) |
| JP (1) | JPH07302784A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100643960B1 (ko) * | 1997-06-12 | 2007-03-02 | 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 | 액정표시장치와 그 제조방법 |
| CN100409457C (zh) * | 2003-09-03 | 2008-08-06 | 三星Sdi株式会社 | 薄膜晶体管和利用该薄膜晶体管的有源矩阵平板显示器 |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5693983A (en) * | 1994-04-28 | 1997-12-02 | Xerox Corporation | Thin-film structure with conductive molybdenum-chromium line |
| JP3132310B2 (ja) * | 1994-11-18 | 2001-02-05 | 株式会社日立製作所 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
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