JPH07302949A - 波長安定化装置 - Google Patents
波長安定化装置Info
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- JPH07302949A JPH07302949A JP9323194A JP9323194A JPH07302949A JP H07302949 A JPH07302949 A JP H07302949A JP 9323194 A JP9323194 A JP 9323194A JP 9323194 A JP9323194 A JP 9323194A JP H07302949 A JPH07302949 A JP H07302949A
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Landscapes
- Lasers (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】環境温度の変化によるLDの温度変化を少なく
してLDの発振波長を安定化させることができ、小型な
波長安定化装置を提供する。 【構成】本発明の波長安定化装置は、半導体レーザ20
と、半導体レーザ20を保持する半導体レーザ保持部材
22と、半導体レーザ20のレーザ光を射出しない側に
配置され、温度センサ28を具備した温度センサホルダ
27と、温度センサホルダ27と半導体レーザ20との
間に両者を密着させるように介在された密着層29と、
温度センサホルダ27に接触し、温度センサ28からの
検知信号に基づいて半導体レーザ20を加熱または冷却
させる孔開きペルチェ26と、を備えている。前記温度
センサホルダ27と半導体レーザ20は、密着層29に
より熱的に近付いた状態で構成される。
してLDの発振波長を安定化させることができ、小型な
波長安定化装置を提供する。 【構成】本発明の波長安定化装置は、半導体レーザ20
と、半導体レーザ20を保持する半導体レーザ保持部材
22と、半導体レーザ20のレーザ光を射出しない側に
配置され、温度センサ28を具備した温度センサホルダ
27と、温度センサホルダ27と半導体レーザ20との
間に両者を密着させるように介在された密着層29と、
温度センサホルダ27に接触し、温度センサ28からの
検知信号に基づいて半導体レーザ20を加熱または冷却
させる孔開きペルチェ26と、を備えている。前記温度
センサホルダ27と半導体レーザ20は、密着層29に
より熱的に近付いた状態で構成される。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体レーザ光源から
射出されるレーザ光の波長を安定化させる、波長安定化
装置に関する。
射出されるレーザ光の波長を安定化させる、波長安定化
装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来から、半導体レーザ(以下、単にL
Dと称する)の発振波長は、僅かな温度変化によって大
きく変動することが知られている。このため、従来か
ら、図2に示すような、LDの温度を安定化することに
より、発振波長を安定させる波長安定化装置が知られて
いる。以下、従来の波長安定化装置について説明する。
Dと称する)の発振波長は、僅かな温度変化によって大
きく変動することが知られている。このため、従来か
ら、図2に示すような、LDの温度を安定化することに
より、発振波長を安定させる波長安定化装置が知られて
いる。以下、従来の波長安定化装置について説明する。
【0003】ペルチェ素子6が設けられたLD4を保持
するLD保持体2は、取付ねじ14によって取付部16
に固定されている。LD4の温度は、ペルチェ素子6に
駆動電流が供給されることによって所定温度に維持され
る。この場合、LD4の近傍には、LD4の温度を検知
する温度センサ8が設けられており、このLD温度セン
サ8から出力された温度検知信号に基づいて温度制御部
12がペルチェ素子6の駆動電流を制御し、これによっ
てLD4を所定温度に維持するように構成されている。
なお、ペルチェ素子6には、ペルチェ素子に発生する熱
を放出する放熱用のフィン10が取付けられている。ま
た、LD保持体2は、通常、熱伝導率の低い材料、例え
ば、高分子材料等からなり、周囲の環境温度の変化が伝
わりにくくなるように考慮されている。
するLD保持体2は、取付ねじ14によって取付部16
に固定されている。LD4の温度は、ペルチェ素子6に
駆動電流が供給されることによって所定温度に維持され
る。この場合、LD4の近傍には、LD4の温度を検知
する温度センサ8が設けられており、このLD温度セン
サ8から出力された温度検知信号に基づいて温度制御部
12がペルチェ素子6の駆動電流を制御し、これによっ
てLD4を所定温度に維持するように構成されている。
なお、ペルチェ素子6には、ペルチェ素子に発生する熱
を放出する放熱用のフィン10が取付けられている。ま
た、LD保持体2は、通常、熱伝導率の低い材料、例え
ば、高分子材料等からなり、周囲の環境温度の変化が伝
わりにくくなるように考慮されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図2に
示すように、LD温度センサ8は、その測定点をLD4
の発光点に一致させることができず、かつ、LD保持体
2に接触しているために、LD保持体2の周囲の環境温
度が変化した場合には、以下のような問題が発生してし
まう。
示すように、LD温度センサ8は、その測定点をLD4
の発光点に一致させることができず、かつ、LD保持体
2に接触しているために、LD保持体2の周囲の環境温
度が変化した場合には、以下のような問題が発生してし
まう。
【0005】図3は、温度制御に際して、LD温度セン
サ8の位置を基準として、熱抵抗値と温度との関係を示
したグラフである。上記したように、LD温度センサ8
は、その設置点がLD4の発光点に一致せず、かつ、L
D保持体2に接触しているために、これらの間には、あ
る程度の熱抵抗が存在する。また、LD4は、環境温度
が変化した場合に、取付部16あるいは取付ねじ14等
を介して、その熱変化が伝達されるので、環境温度の影
響を受ける位置(グラフの環境温度の位置)とLD温度
センサ8との間にも所定の熱抵抗が存在する。
サ8の位置を基準として、熱抵抗値と温度との関係を示
したグラフである。上記したように、LD温度センサ8
は、その設置点がLD4の発光点に一致せず、かつ、L
D保持体2に接触しているために、これらの間には、あ
る程度の熱抵抗が存在する。また、LD4は、環境温度
が変化した場合に、取付部16あるいは取付ねじ14等
を介して、その熱変化が伝達されるので、環境温度の影
響を受ける位置(グラフの環境温度の位置)とLD温度
センサ8との間にも所定の熱抵抗が存在する。
【0006】今、図3に示すように、LD温度センサ8
の温度(TA )は、設定温度(TA0)に温度安定化され
ており、そのときのLD4の温度(TL )及び環境温度
(TB )は、図中実線上にあるものと仮定する。この状
態で、環境温度(TB )が上記実線で示される温度より
も低い状態となった場合を考える。この状態で温度制御
を行うと、LD温度センサ8は、設定温度(TA0)に保
持されるが、図中点線で示すように、LD4は温度(T
L )よりもΔTL だけ上った温度に安定化されてしま
う。すなわち、LD温度センサ8の設定温度を一定に維
持するように制御しても、LD温度センサ8とLD4と
の間には、熱抵抗が存在するため、LD4は所定の温度
に制御されず、LD4から射出されるレーザ光の発振波
長が安定しないという問題が生じる。本発明は、環境温
度の変化によるLDの温度変化を少なくしてLDの発振
波長を安定化させることが可能な波長安定化装置を提供
することを目的とする。
の温度(TA )は、設定温度(TA0)に温度安定化され
ており、そのときのLD4の温度(TL )及び環境温度
(TB )は、図中実線上にあるものと仮定する。この状
態で、環境温度(TB )が上記実線で示される温度より
も低い状態となった場合を考える。この状態で温度制御
を行うと、LD温度センサ8は、設定温度(TA0)に保
持されるが、図中点線で示すように、LD4は温度(T
L )よりもΔTL だけ上った温度に安定化されてしま
う。すなわち、LD温度センサ8の設定温度を一定に維
持するように制御しても、LD温度センサ8とLD4と
の間には、熱抵抗が存在するため、LD4は所定の温度
に制御されず、LD4から射出されるレーザ光の発振波
長が安定しないという問題が生じる。本発明は、環境温
度の変化によるLDの温度変化を少なくしてLDの発振
波長を安定化させることが可能な波長安定化装置を提供
することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明の波長安定化装置は、半導体レーザと、この
半導体レーザを保持する半導体レーザ保持部材と、半導
体レーザのレーザ光を射出しない側に配置され、温度セ
ンサを具備した温度センサホルダと、この温度センサホ
ルダと半導体レーザとの間に両者を密着させるように介
在された密着層と、前記温度センサホルダに接触し、前
記温度センサからの検知信号に基づいて前記半導体レー
ザを加熱または冷却させる加熱冷却手段と、を備えたこ
とを特徴としている。
に、本発明の波長安定化装置は、半導体レーザと、この
半導体レーザを保持する半導体レーザ保持部材と、半導
体レーザのレーザ光を射出しない側に配置され、温度セ
ンサを具備した温度センサホルダと、この温度センサホ
ルダと半導体レーザとの間に両者を密着させるように介
在された密着層と、前記温度センサホルダに接触し、前
記温度センサからの検知信号に基づいて前記半導体レー
ザを加熱または冷却させる加熱冷却手段と、を備えたこ
とを特徴としている。
【0008】
【作用】本発明の波長安定化装置によれば、半導体レー
ザ保持部材に保持された半導体レーザの、レーザ光を射
出しない側には、温度センサを具備した温度センサホル
ダが密着層を介在させて配されている。この温度センサ
によって検出される温度が設定温度となるように、加熱
冷却手段であるペルチェ素子に制御電流が供給され、半
導体レーザは設定温度となるように制御される。温度セ
ンサホルダと密着層は、半導体レーザに対して熱的に近
付いた状態、すなわち、熱抵抗が非常に低い状態で構成
されており、半導体レーザと温度センサとの間には温度
差がほとんど生じない。
ザ保持部材に保持された半導体レーザの、レーザ光を射
出しない側には、温度センサを具備した温度センサホル
ダが密着層を介在させて配されている。この温度センサ
によって検出される温度が設定温度となるように、加熱
冷却手段であるペルチェ素子に制御電流が供給され、半
導体レーザは設定温度となるように制御される。温度セ
ンサホルダと密着層は、半導体レーザに対して熱的に近
付いた状態、すなわち、熱抵抗が非常に低い状態で構成
されており、半導体レーザと温度センサとの間には温度
差がほとんど生じない。
【0009】また、請求項2に記載された発明によれ
ば、温度センサとしてサーミスタを用いると、リード線
部分が温度変化を感知するため、このリード線部分も温
度センサホルダ内に内蔵することにより正確な温度制御
を行う。
ば、温度センサとしてサーミスタを用いると、リード線
部分が温度変化を感知するため、このリード線部分も温
度センサホルダ内に内蔵することにより正確な温度制御
を行う。
【0010】また、請求項3に記載された発明によれ
ば、加熱冷却手段として、孔開きペルチェを用い、波長
制御のためのリード線をこの孔を介して半導体レーザに
接続して高度な波長制御を行う。
ば、加熱冷却手段として、孔開きペルチェを用い、波長
制御のためのリード線をこの孔を介して半導体レーザに
接続して高度な波長制御を行う。
【0011】
【実施例】以下、本発明に係る波長安定化装置の一実施
例を図1を参照して説明する。LD20は、LD保持体
22に保持されており、ここから射出されたレーザ光
は、LD保持体22内に設けられた光アイソレータ2
3,コリメータレンズ24を介して、後述するハーフミ
ラー80に向けられる。LD20には、レーザ光を射出
しない側にLD温度センサ28が熱的に近付いた状態で
配置されている。具体的には、このLD温度センサ28
は、熱伝導率が非常に大きい(熱抵抗が小さい)材質、
例えば、アルミ、銅、金等によって構成された温度セン
サホルダ27に埋設されており、この温度センサホルダ
27の一端面は、LD20の端面と面接触によって密着
され、これらの間には、電気的に両者を絶縁し、接触熱
抵抗が小さい材質、例えば、シリコングリス等のゲル状
部材が密着層29として介在されている。なお、この密
着層29は、熱伝導率が高い接着剤を用いても良い。
例を図1を参照して説明する。LD20は、LD保持体
22に保持されており、ここから射出されたレーザ光
は、LD保持体22内に設けられた光アイソレータ2
3,コリメータレンズ24を介して、後述するハーフミ
ラー80に向けられる。LD20には、レーザ光を射出
しない側にLD温度センサ28が熱的に近付いた状態で
配置されている。具体的には、このLD温度センサ28
は、熱伝導率が非常に大きい(熱抵抗が小さい)材質、
例えば、アルミ、銅、金等によって構成された温度セン
サホルダ27に埋設されており、この温度センサホルダ
27の一端面は、LD20の端面と面接触によって密着
され、これらの間には、電気的に両者を絶縁し、接触熱
抵抗が小さい材質、例えば、シリコングリス等のゲル状
部材が密着層29として介在されている。なお、この密
着層29は、熱伝導率が高い接着剤を用いても良い。
【0012】温度センサホルダ27の他面には、中央部
に孔26aが形成された孔開きペルチェ26が固定され
ている。すなわち、LD20は、熱伝導率が非常に大き
い温度センサホルダ27を介して孔開きペルチェ26に
熱的に接続されており、温度センサホルダ27内に埋設
されたLD温度センサ28から出力された温度検知信号
に基づいて、温度制御部32が孔開きペルチェ26の駆
動電流を制御し、LD20を設定温度に維持する。この
孔開きペルチェ26は、加熱冷却素子であり、片面が加
熱側の場合、他方は冷却面となる。このように孔開きペ
ルチェ26にはある程度の熱が蓄積するため、放熱用の
フィン30が取付けられている。
に孔26aが形成された孔開きペルチェ26が固定され
ている。すなわち、LD20は、熱伝導率が非常に大き
い温度センサホルダ27を介して孔開きペルチェ26に
熱的に接続されており、温度センサホルダ27内に埋設
されたLD温度センサ28から出力された温度検知信号
に基づいて、温度制御部32が孔開きペルチェ26の駆
動電流を制御し、LD20を設定温度に維持する。この
孔開きペルチェ26は、加熱冷却素子であり、片面が加
熱側の場合、他方は冷却面となる。このように孔開きペ
ルチェ26にはある程度の熱が蓄積するため、放熱用の
フィン30が取付けられている。
【0013】この放熱用のフィン30は、その構成から
環境温度の影響を受けやすくなっている。通常、放熱用
のフィン30は、LD保持体22に熱的に接続された状
態にあるため、LD20は、放熱用のフィン30からの
熱の影響を受けやすい。このため、放熱用のフィン30
は、所定間隔をおいて配され熱伝導率の小さい材質、例
えば樹脂で構成されたスペーサ39によってLD保持体
22に固定されている。このように、熱伝導率の低いス
ペーサ39を介して放熱用のフィン30を固定したた
め、LD20に、放熱用のフィン30からの温度変化の
影響が伝わりにくくなる。同様に、LD保持体22につ
いても、熱伝導率の低い材料、例えば高分子材料によっ
て構成されており、環境温度等の変化による温度変化を
LD20に伝えないように構成されている。
環境温度の影響を受けやすくなっている。通常、放熱用
のフィン30は、LD保持体22に熱的に接続された状
態にあるため、LD20は、放熱用のフィン30からの
熱の影響を受けやすい。このため、放熱用のフィン30
は、所定間隔をおいて配され熱伝導率の小さい材質、例
えば樹脂で構成されたスペーサ39によってLD保持体
22に固定されている。このように、熱伝導率の低いス
ペーサ39を介して放熱用のフィン30を固定したた
め、LD20に、放熱用のフィン30からの温度変化の
影響が伝わりにくくなる。同様に、LD保持体22につ
いても、熱伝導率の低い材料、例えば高分子材料によっ
て構成されており、環境温度等の変化による温度変化を
LD20に伝えないように構成されている。
【0014】このように、LD温度センサ28は、熱伝
導率が非常に高い手段によってLD20に接続されてい
るため、図3で示したLD温度センサ及びLD間の距離
(熱抵抗)が非常に小さくなり、点線で示すように環境
温度が変化しても、LDの温度変化(ΔTL )を少なく
することができ、LD20の発振波長を安定化すること
が可能になる。また、このように、LD温度センサを熱
伝導率が非常に高い温度センサホルダ27に埋設し、こ
の温度センサホルダ27をLD20に密着させただけで
あるため、装置全体を大型化すること無く、簡単な構成
で発振波長を安定させることができる。さらに、温度セ
ンサとして、サーミスタを用いた場合、サーミスタは、
感温部だけでなく、リード線部分も温度変化を感知する
ことが実験により明かになっている。従って、リード線
も温度センサホルダ27内に固定すれば、さらにLD2
0の発振波長を安定化することが可能になる。
導率が非常に高い手段によってLD20に接続されてい
るため、図3で示したLD温度センサ及びLD間の距離
(熱抵抗)が非常に小さくなり、点線で示すように環境
温度が変化しても、LDの温度変化(ΔTL )を少なく
することができ、LD20の発振波長を安定化すること
が可能になる。また、このように、LD温度センサを熱
伝導率が非常に高い温度センサホルダ27に埋設し、こ
の温度センサホルダ27をLD20に密着させただけで
あるため、装置全体を大型化すること無く、簡単な構成
で発振波長を安定させることができる。さらに、温度セ
ンサとして、サーミスタを用いた場合、サーミスタは、
感温部だけでなく、リード線部分も温度変化を感知する
ことが実験により明かになっている。従って、リード線
も温度センサホルダ27内に固定すれば、さらにLD2
0の発振波長を安定化することが可能になる。
【0015】上述したLD20から射出されたレーザ光
は、その光路の途中に配されたハーフミラー80によっ
て分割され、一方がそのレーザ光を用いるユニットに向
けられ、他方がエタロン保持体42に保持された波長弁
別器であるエタロン44に入射するように向けられる。
このエタロン44は、周期的なスペクトル特性を有す
る。従って、光検出器60を配して、エタロン44の透
過光量をモニタして波長制御手段90を介してLD20
への注入電流の制御を行い、エタロン44の目標モード
に安定化すれば、さらに波長変動を生じないレーザ光を
射出することが可能となる。この場合、前記孔開きペル
チェ26は、回転対象である中央部分に孔26aを有し
ており、この孔26aを介してリード線をLD20に接
続したため、高度な制御を行うことが可能になる。
は、その光路の途中に配されたハーフミラー80によっ
て分割され、一方がそのレーザ光を用いるユニットに向
けられ、他方がエタロン保持体42に保持された波長弁
別器であるエタロン44に入射するように向けられる。
このエタロン44は、周期的なスペクトル特性を有す
る。従って、光検出器60を配して、エタロン44の透
過光量をモニタして波長制御手段90を介してLD20
への注入電流の制御を行い、エタロン44の目標モード
に安定化すれば、さらに波長変動を生じないレーザ光を
射出することが可能となる。この場合、前記孔開きペル
チェ26は、回転対象である中央部分に孔26aを有し
ており、この孔26aを介してリード線をLD20に接
続したため、高度な制御を行うことが可能になる。
【0016】前記エタロン44は、環境温度の変化によ
って屈折率及び熱膨張が変化し、周期的なスペクトル特
性が変化するため、温度を安定化させないと、正確なモ
ニタができず、LD20の発振波長が変動する。このた
め、エタロン44についても放熱用のフィン50が取付
けられた孔開きペルチェ46が設けられ、エタロン44
の温度を一定に維持するように構成されている。エタロ
ン44には、その温度を検知するエタロン温度センサ4
8が固定されており、このエタロン温度センサ48から
出力された温度検知信号は、温度制御部52に入力さ
れ、この検知信号に基づいて温度制御部52は、孔開き
ペルチェ46への駆動電流を制御しエタロン44の温度
を所定の温度に維持させる。エタロン温度センサ48
は、エタロン44に直接固定されているため、エタロン
44の正確な温度の検出が可能になる。この場合、エタ
ロン温度センサ48にサーミスタを用いる場合は、前記
同様、リード線もエタロンの外周に直接固定しておくの
が好ましい。
って屈折率及び熱膨張が変化し、周期的なスペクトル特
性が変化するため、温度を安定化させないと、正確なモ
ニタができず、LD20の発振波長が変動する。このた
め、エタロン44についても放熱用のフィン50が取付
けられた孔開きペルチェ46が設けられ、エタロン44
の温度を一定に維持するように構成されている。エタロ
ン44には、その温度を検知するエタロン温度センサ4
8が固定されており、このエタロン温度センサ48から
出力された温度検知信号は、温度制御部52に入力さ
れ、この検知信号に基づいて温度制御部52は、孔開き
ペルチェ46への駆動電流を制御しエタロン44の温度
を所定の温度に維持させる。エタロン温度センサ48
は、エタロン44に直接固定されているため、エタロン
44の正確な温度の検出が可能になる。この場合、エタ
ロン温度センサ48にサーミスタを用いる場合は、前記
同様、リード線もエタロンの外周に直接固定しておくの
が好ましい。
【0017】また、エタロン保持体42は、熱伝導率の
低い材料、例えば高分子材料によって構成されており、
環境温度等の変化による温度変化をエタロン44に伝え
ないように構成されている。さらに、放熱用のフィン5
0についても、前記同様、所定間隔をおいて配される熱
伝導率の小さい材質、例えば樹脂で構成されたスペーサ
59によって、エタロン保持体42に固定している。こ
のように、熱伝導率の低いスペーサ59を介して放熱用
のフィン50を固定したため、エタロン44に環境温度
変化の影響が伝わりにくくなる。また、前述した光検出
器60は、装置全体の小型化が図れるように、放熱用の
フィン50内に固定しておくのが好ましい。
低い材料、例えば高分子材料によって構成されており、
環境温度等の変化による温度変化をエタロン44に伝え
ないように構成されている。さらに、放熱用のフィン5
0についても、前記同様、所定間隔をおいて配される熱
伝導率の小さい材質、例えば樹脂で構成されたスペーサ
59によって、エタロン保持体42に固定している。こ
のように、熱伝導率の低いスペーサ59を介して放熱用
のフィン50を固定したため、エタロン44に環境温度
変化の影響が伝わりにくくなる。また、前述した光検出
器60は、装置全体の小型化が図れるように、放熱用の
フィン50内に固定しておくのが好ましい。
【0018】このように、レーザ光の波長を弁別するエ
タロン44にエタロン温度センサ48を直接固定して、
エタロン44とエタロン温度センサ48との間の熱抵抗
を小さくし、また、放熱用のフィン50を熱伝導率の小
さい材質である樹脂で構成されたスペーサ59によって
エタロン保持部材42に固定して両者の間の熱抵抗を大
きくしたため、エタロン44は、正確な温度制御が行わ
れる。この結果、エタロン44のスペクトル特性が安定
し、LD20への注入電流の制御が正確に行える。すな
わち、LD20の発振波長をより安定化することができ
る。
タロン44にエタロン温度センサ48を直接固定して、
エタロン44とエタロン温度センサ48との間の熱抵抗
を小さくし、また、放熱用のフィン50を熱伝導率の小
さい材質である樹脂で構成されたスペーサ59によって
エタロン保持部材42に固定して両者の間の熱抵抗を大
きくしたため、エタロン44は、正確な温度制御が行わ
れる。この結果、エタロン44のスペクトル特性が安定
し、LD20への注入電流の制御が正確に行える。すな
わち、LD20の発振波長をより安定化することができ
る。
【0019】以上、本発明に係る波長安定化装置の好ま
しい実施例について説明したが、本発明は上述した実施
例に限らず、種々変形することが可能である。本発明
は、温度センサとLD(エタロン)とを熱的に近付ける
ことを特徴としており、その実際の両者の距離に関係は
ない。また、前述した実施例の材質以外に好ましい材質
があれば利用することができる。
しい実施例について説明したが、本発明は上述した実施
例に限らず、種々変形することが可能である。本発明
は、温度センサとLD(エタロン)とを熱的に近付ける
ことを特徴としており、その実際の両者の距離に関係は
ない。また、前述した実施例の材質以外に好ましい材質
があれば利用することができる。
【0020】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の波長安定
化装置によれば、装置を大型化することなく、簡単な構
造で、環境温度が変化してもLDから射出されるレーザ
光の発振波長を安定化することが可能となる。
化装置によれば、装置を大型化することなく、簡単な構
造で、環境温度が変化してもLDから射出されるレーザ
光の発振波長を安定化することが可能となる。
【図1】本発明の波長安定化装置の一実施例を示す図。
【図2】従来の波長安定化装置の構成を示す図。
【図3】温度制御に際して、LD温度センサの位置を基
準として、熱抵抗値と温度との関係を示すグラフ。
準として、熱抵抗値と温度との関係を示すグラフ。
24…半導体レーザ、22…半導体レーザ保持部材、2
6,46…孔開きペルチェ、27…温度センサホルダ、
28,48…温度センサ、29…密着層、30,50…
放熱用のフィン、39,59…スペーサ、42…エタロ
ン保持部材、44…エタロン。
6,46…孔開きペルチェ、27…温度センサホルダ、
28,48…温度センサ、29…密着層、30,50…
放熱用のフィン、39,59…スペーサ、42…エタロ
ン保持部材、44…エタロン。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 藤本 洋久 東京都渋谷区幡ヶ谷2丁目43番2号 オリ ンパス光学工業株式会社内
Claims (3)
- 【請求項1】 半導体レーザと、 この半導体レーザを保持する半導体レーザ保持部材と、 前記半導体レーザのレーザ光を射出しない側に配置さ
れ、温度センサを具備した温度センサホルダと、 この温度センサホルダと半導体レーザとの間に両者を密
着させるように介在された密着層と、 前記温度センサホルダに接触し、前記温度センサからの
検知信号に基づいて前記半導体レーザを加熱または冷却
させる加熱冷却手段と、 を有することを特徴とする波長安定化装置。 - 【請求項2】 前記温度センサにサーミスタを用い、こ
のサーミスタの感温度部と共にサーミスタリード線を、
前記温度センサホルダに内蔵したことを特徴とする請求
項1に記載の波長安定化装置。 - 【請求項3】 前記加熱冷却手段は、孔開きペルチェで
あることを特徴とする請求項1または2に記載の波長安
定化装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9323194A JPH07302949A (ja) | 1994-05-02 | 1994-05-02 | 波長安定化装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9323194A JPH07302949A (ja) | 1994-05-02 | 1994-05-02 | 波長安定化装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07302949A true JPH07302949A (ja) | 1995-11-14 |
Family
ID=14076776
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9323194A Pending JPH07302949A (ja) | 1994-05-02 | 1994-05-02 | 波長安定化装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07302949A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002043686A (ja) * | 2000-05-16 | 2002-02-08 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体レーザ装置、半導体レーザモジュール及び光送信器 |
| JP2004296877A (ja) * | 2003-03-27 | 2004-10-21 | Olympus Corp | 半導体レーザ装置 |
| JP2007194671A (ja) * | 2007-04-23 | 2007-08-02 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 波長ロッカー |
| US7599415B2 (en) | 2007-02-06 | 2009-10-06 | Seiko Epson Corporation | Light source device, lighting device, monitor device, and projector |
| JP2015022129A (ja) * | 2013-07-18 | 2015-02-02 | 富士通コンポーネント株式会社 | 光モジュール |
| WO2023097497A1 (zh) * | 2021-11-30 | 2023-06-08 | 华为技术有限公司 | 一种光源模组、探测设备及终端设备 |
-
1994
- 1994-05-02 JP JP9323194A patent/JPH07302949A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002043686A (ja) * | 2000-05-16 | 2002-02-08 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体レーザ装置、半導体レーザモジュール及び光送信器 |
| JP2004296877A (ja) * | 2003-03-27 | 2004-10-21 | Olympus Corp | 半導体レーザ装置 |
| US7599415B2 (en) | 2007-02-06 | 2009-10-06 | Seiko Epson Corporation | Light source device, lighting device, monitor device, and projector |
| JP2007194671A (ja) * | 2007-04-23 | 2007-08-02 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 波長ロッカー |
| JP2015022129A (ja) * | 2013-07-18 | 2015-02-02 | 富士通コンポーネント株式会社 | 光モジュール |
| WO2023097497A1 (zh) * | 2021-11-30 | 2023-06-08 | 华为技术有限公司 | 一种光源模组、探测设备及终端设备 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20040608 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |