JPH07302966A - 配線基板修正装置、及び同装置を用いる配線基板修正方法 - Google Patents

配線基板修正装置、及び同装置を用いる配線基板修正方法

Info

Publication number
JPH07302966A
JPH07302966A JP9630494A JP9630494A JPH07302966A JP H07302966 A JPH07302966 A JP H07302966A JP 9630494 A JP9630494 A JP 9630494A JP 9630494 A JP9630494 A JP 9630494A JP H07302966 A JPH07302966 A JP H07302966A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wiring
wiring board
short
filter
photosensitive resin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP9630494A
Other languages
English (en)
Inventor
Nobuaki Oguri
宣明 大栗
Osamu Takamatsu
修 高松
Masato Niibe
正人 新部
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP9630494A priority Critical patent/JPH07302966A/ja
Publication of JPH07302966A publication Critical patent/JPH07302966A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02WCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO WASTEWATER TREATMENT OR WASTE MANAGEMENT
    • Y02W30/00Technologies for solid waste management
    • Y02W30/50Reuse, recycling or recovery technologies
    • Y02W30/82Recycling of waste of electrical or electronic equipment [WEEE]

Landscapes

  • Liquid Crystal (AREA)
  • Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
  • Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 基板の配線間の短絡を修繕する方法及び装置
を提供する。 【構成】 ハロゲンランプ11の紫外部をフィルタ13
でカットし、レジストを被覆した基板17上の短絡部分
を、接眼レンズ15、対物レンズ16を通して観察しな
がら照射する。次いでフィルタ13を除去して紫外線で
レジスト上に潜像を作り、これを現像してマスクとす
る。その後、マスクを介して欠陥部をエッチング除去す
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は配線等の短絡欠陥を修正
するための修正装置及び修正方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、情報機器や家庭用TV受像機の分
野において、薄型で視認性の良い画像表示装置が求めら
れている。従来、薄型の画像表示装置としては、例え
ば、液晶表示装置、EL表示装置、あるいはプラズマデ
ィスプレイ等が開発されているが、これらには視野角、
カラー化輝度等の問題があり、市場の要求する性能を十
分満足しているとはいえない状況である。
【0003】そこで、平面型画像表示装置として、電子
放出により蛍光体を発光させ画像を形成する蛍光体発光
型画像表示装置が期待されている。電子放出素子として
は電界放出型(以下FEと略す)、金属/絶縁層/金属
型(MIMと略す)や表面伝導型電子放出素子等があ
る。
【0004】FE型の例としてはW.P.Dyke &
W.W.Dolan,”field emissio
n” Advance in Electron Ph
ysics,8,89(1956)等が知られている。
【0005】MIMの例としてはC.A.Mead,”
The tunnel−emission ampli
fier”,J.Appl.Phys.,32,646
(1961)や C.A.Spindt,”Physi
cal properties of thin−fi
lm field emission cathode
s weth molybdenum cones”,
J.Appl.Phys.,47,5248(197
6)等が知られている。
【0006】表面伝導型電子放出素子型の例としては
M.I.Elinson,Radio Eng.Ele
ctron Phys.,10,(1965)等があ
る。表面伝導型電子放出素子(SCE)は、基板上に形
成された小面積の薄膜に、膜面に平行に電流を流すこと
により、電子放出が生じる現象を利用するものである。
この表面伝導型電子放出素子としては前記エリンソン等
によるSnO2 薄膜を用いたもの、Au薄膜によるもの
[G.Dittmer:”Thin Solid Fi
lms”,9,317(1972)]、In23 /S
nO2 薄膜によるもの[M.Hartwell and
C.G.Fonstad:”IEEETrans.E
D Conf.”,519,(1975)]、カーボン
薄膜によるもの[荒木 久 他:真空,第26巻,第1
号,22頁(1983)]等が報告されている。
【0007】これら表面伝導型電子放出素子の典型的な
構成は、2つの素子電極を相対向させて間隔を有するよ
うに配置し、その電極間隔に渡って薄膜を形成してい
る。更にフォーミングとして薄膜に電界を印加し、薄膜
を局所的に破壊、変形もしくは変質せしめ、電気的に高
抵抗な状態にすることで、電子放出部を形成している。
このような電子放出素子と蛍光体とを組み合せ、描画す
ることにより、画像表示装置が作製できる。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】これら蛍光体発光型画
像表示装置は、画面サイズに対応した大きさの2枚のガ
ラス基板の一方の基板にマトリクス状に配置した電子放
出素子及び各電子放出素子を駆動するための行方向配
線、列方向配線などの画像表示装置構成要素を形成して
素子基板とし、他方の基板に蛍光体を形成してフェース
プレートとして対向させ、更に側壁等を組み合せてフリ
ットガラスで封止することにより形成されている[特願
平05−78165号]。
【0009】ここで電子放出素子を用いた画像表示装置
について簡単に説明する。図4は画像表示装置の一部等
価回路図である。複数本の列方向配線41及びこれらの
列方向配線41に直交する複数本の行方向配線42の各
交点に電子放出素子43が接続され、形成されている。
ここで図には示されていないが列方向配線41と行方向
配線42の交差部には層間絶縁膜が形成されており、列
方向配線41と行方向配線42とは絶縁されている。こ
こで列方向配線41と行方向配線42とを適当に選択
し、電界を印加することで、電子放出素子43から電子
を放出することができる。
【0010】尚、電子放出素子には比較的たくさんの電
流を流す必要があることから、これらの配線材料には、
エレクトロマイグレーションを生じにくいAu、Cu又
はAg等が用いられている。
【0011】これら平面型画像表示装置の製造方法は、
液晶表示装置の製造方法とほぼ同じ方法で作製されるた
め、高精細化、大面積化が進むにつれ、電極数が増大
し、基板あたりの配線間に発生する欠陥が増加するとい
う問題があった。しかし、これら素子基板は製造単価が
高いことから、欠陥基板を不良廃棄するよりは、少量の
欠陥ならば欠陥箇所の修正を行い、良品とするほうが望
ましい。
【0012】この欠陥の種類としては断線による欠陥及
び短絡による欠陥に大別できる。ここで断線による欠陥
については各配線の両端から駆動信号を供給することに
より救済できる可能性がある。これに対し水平方向、す
なわち同一面内に形成された隣り合う配線間の短絡欠陥
(隣接間ショート)及び垂直方向、すなわち絶縁層を介
して積層された2種類の配線間の交差部での短絡欠陥
(層間ショート)は線欠陥として表示されるため欠陥の
修正が必要である。
【0013】従来、液晶表示装置の製造ではこのような
欠陥箇所の修正にはレーザ光(YAG:波長=1.06
μm)が用いられ、図5に示すように行方向配線51と
列方向配線52との間に生じた層間短絡欠陥部53の配
線の両端を切断して切断部54を形成することで修正し
ていた。
【0014】しかしながら、従来例のレーザ光を用いた
配線の切断方法では、次の様な問題があった。すなわ
ち、 (1)装置の大型化、操作性及び汎用性。 (2)加工時の熱影響やスプラッシュ(飛び散り)。 (3)配線材料の限定。
【0015】(1)については、機能性向上のため操作
が複雑になり、且つ欠陥部の位置決定、及び修正に時間
を要するという問題がある。
【0016】(2)については、基板にレーザ照射した
際に発生する熱により素子特性に悪影響をおよぼした
り、レーザによって飛ばした欠陥部の再付着等の欠点が
ある。
【0017】(3)については、液晶表示装置等に用い
られる配線材料Al、Cr、ITO(Indium−T
in−Oxide)の切断には有効であるが、比較的電
流をたくさん流すことを必要とする表面伝導型電子放出
素子を用いた画像表示装置に用いられる配線材料Au、
Cu、Ag等の切断は困難であった。更に、従来のよう
に配線を切断し短絡欠陥部を修正する方法では、同一ラ
イン状に複数の欠陥が生じた場合には線欠陥となる欠点
があった。
【0018】そこで、本発明は、上記従来例の問題点に
鑑みなされたものであって、配線材料がAu、Cu、A
g等の場合でも短絡欠陥部の修正ができるようにしたも
のである。さらに配線を切断することなく、短絡欠陥部
付近のみを除去し修正することができるようにするもの
であり、これにより画像表示装置の歩留まりを大きく改
善するとともに、配線材料の限定も殆どない汎用性に優
れた修正装置及び修正方法を提供することを目的とす
る。
【0019】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、対物レンズ及び接眼レンズからなり試料を
観察する光学レンズ系と、前記対物レンズを通してかつ
前記光学レンズ系と光路を共有して試料を照射する光源
を有する露光系とからなる配線基板修正装置において、
前記光源と前記対物レンズとの間に光路の選択露光領域
を調整する絞りと、感光性樹脂の感光波長領域が透過し
ないフィルタを設けてなることを特徴とする配線基板修
正装置を提案するものである。
【0020】また本発明は、配線基板に感光性樹脂を塗
布し、請求項1に記載した修正装置を用いて前記感光性
樹脂を塗布した配線基板の配線の欠陥部をフィルタを透
過する光で検出すると共に、照射光を前記欠陥部領域を
照射するように選択領域を調整する絞りを調整し、次い
でフィルタを除去して欠陥部を照射後、感光性樹脂パタ
ーンを形成し、その後エッチングすることにより欠陥部
を除去することを特徴とする配線基板修正方法で、前記
配線基板は表面伝導型電子放出素子で構成された画像表
示装置用基板であり、配線材料にAu、Cu、又はAg
を含むことを含む。
【0021】
【実施例】以下、本発明の実施例につき図面を参照して
詳細に説明する。
【0022】実施例1 図1は本発明に基く修正装置の光学系の基本構成図であ
る。図1のように一般に用いられる光学顕微鏡とほぼ、
同等の構成となっている。
【0023】すなわち、ハロゲンランプ11より発生し
た照明光はコレクタレンズ12を通過して十分コリメー
トされた後、フィルタ13を通過する。ここでのフィル
タは紫外線域に吸収を持ち、このフィルタを透過した光
波(可視光)はレジストを感光しない。このフィルタを
脱着することによって紫外線のシャッタとすることがで
きる。更に、前記フィルタを透過した光波は照明光とし
て視野絞りを通過する。照明光は次いでハーフミラー1
9で方向を変えられ、視野絞りの開口像が対物レンズに
より、配線基板17上に作られ、同時に接眼レンズ15
を通して配線基板17上の像と共に、照明光による露光
領域として観察することができる。
【0024】従って、対物レンズ16、ミラー5、プリ
ズム6、接眼レンズ15等からなる光学レンズ系と、光
源としてのハロゲンランプ11、コレクタレンズ12、
フィルタ13、絞り14、ミラー5、対物レンズ16等
からなる露光系とは、ミラー5及び対物レンズ16を含
む光路部分を共有している。
【0025】ここで視野絞りの開口を調整して配線基板
17上の欠陥部と整合させ、その後、フィルタ13を外
すことにより欠陥部のみに照明光を照射することができ
る。このように、配線基板17上の欠陥部を実際に目で
観察しながら視野絞り14によって開口像の大きさを調
整し、露光することができる。対物レンズ16は4種類
取り付けられ、露光領域は対物レンズ16の倍率と視野
絞り14の開口径で調節することができる。
【0026】加えて、配線基板17をのせるX−Yテー
ブル18は最大6インチまでの基板をのせることがで
き、2.0μmピッチで位置決めできるステッピングモ
ータ駆動のテーブル仕様で、可動範囲は200×200
mmである。
【0027】光源としては配線基板のパターン、短絡欠
陥部の観察のために必要な波長領域と、感光性樹脂に所
定の潜像を形成するために必要な波長領域とを含む光を
放射するもので、具体的には可視光や紫外光を放射する
ものが好ましい。このような光源としてはハロゲンラン
プ、キセノンランプ、ハロゲン−キセノンランプ等が例
示される。
【0028】フィルタは後述する感光性樹脂の潜像を形
成する波長領域を透過させないが、観察に必要な波長領
域は透過させるもので、具体的には落射照明用フィルタ
である、G530 O560等が好ましい。
【0029】本発明の配線基板修正装置は従来の顕微鏡
の機能と、感光性樹脂の露光機能との両者を兼備するも
ので、従って従来の顕微鏡の構成の大部分を利用して構
成できる。
【0030】以上のような修正装置であれば、装置の大
型化も容易に行うことができ、汎用性に優れるという利
点を有している。
【0031】更に観察系と露光系の光軸が同一のため、
実パターンを観察しながら正確に露光することができ
る。また、露光領域を対物レンズ16及び視野絞り14
で調整し、欠陥部のみを選択的に何度でも露光すること
ができ、画像表示装置の製造歩留まりを著しく改善する
ことができる。
【0032】次に、上記修正装置を用いて、配線基板の
配線間の短絡欠陥部を修正する場合につき説明する。
【0033】図2は画像表示装置の配線基板の列方向配
線パターン25aと25bの隣接間に短絡欠陥部22が
発生している場合、その短絡欠陥部22を上記修正装置
を用いて修正する工程を示す工程断面図である。
【0034】図2(a)に示すように、清浄化した青板
ガラスからなる基板21上にフォトリソグラフィ法によ
りフォトレジストパターンを形成し、更に真空蒸着法に
より厚さ10nmのCr、600nmのAuを順次堆積
後、リフトオフ法により所望列方向配線のパターン25
a,bを形成した配線基板21を得た。続いて配線間の
短絡欠陥を検出し、短絡欠陥部22を検知した。この検
出方法はオープン・ショートチェック方式によった。
【0035】そこで感光性樹脂としてフォトレジスト2
3(商品名AZ1370:ヘキスト社製)を配線基板2
1の上面全体に塗布し、90℃で乾燥した。この時のフ
ォトレジストの厚さは1.0μm〜2.0μm程度であ
る(図2(a))。
【0036】続いて、実施例1で説明した修正装置20
を用いて短絡欠陥部22に視野を限定し、視野絞りによ
って開口像の大きさを調節した。フィルタを取り除くこ
とにより、短絡欠陥部22のみを選択的に露光した。こ
れにより、欠陥部22の上方のレジスト部分に潜像部2
8を形成した。この時の露光時間は3〜5secが適当
である(図2(b))。
【0037】次に現像液(商品名AZ−MIF312D
eveloper:ヘキスト社製)を用いて現像し、潜
像部28が除去されたエッチングマスク24を形成し
た。このようにして形成したエッチングマスク24は、
修正装置20の開口像の大きさ、つまり短絡欠陥部22
の上方近傍のフォトレジスト23だけが除去され、その
他の部分はフォトレジスト23がそのまま残存したもの
である(図2(c))。
【0038】続いて、配線材料Au用エッチング液であ
るヨウ素系のエッチング液を用いて短絡部分22のAu
をエッチングし、更に硝酸セリウム第2アンモニウム系
のエッチング液でCrを順次エッチングした。これによ
り、短絡部分22の除去が行なわれ、短絡欠陥が修正さ
れた(図2(d))。
【0039】最後に、マスク24の剥離液(商品名マイ
クロポジットリムーバ140:シプレイ社製)を用いて
エッチングマスク24を全面除去した。
【0040】これにより、短絡欠陥部の修正された列方
向配線パターン25a,25bが得られた(図2
(e))。
【0041】上記方法によれば、比較的電流を沢山流す
ことが必要な電子放出素子を用いた画像表示装置のAu
を用いた配線の修正を簡単に行う事ができる。更に、従
来のように配線を切断して短絡欠陥部を修正する方法と
は異なり、本方法は同一ライン上に複数の欠陥が生じた
場合に起こる線欠陥の問題も解決される。また、本実施
例で説明した修正装置及び修正方法は、簡単で、且つ高
価な装置や高度な技術を必要とせず、簡単な方法で修正
できるという利点を有している。
【0042】加えて、フォトリソグラフィ技術を用いて
いるため、従来のレーザ光による修正とは違い、加工時
の配線基板に対する熱影響やスプラッシュ(飛び散り)
の悪影響を受けることがない。更に、目で実際に観察
し、その観察部分をそのまま修正するものであるので、
欠陥部の修正精度も向上し、画像表示装置の歩留まりを
著しく改善することができる。
【0043】実施例2 以下、本発明の他の実施例を図面を用いて説明する。図
3は画像表示装置用配線基板30の列方向配線パターン
32と、行方向配線パターン35とからなるマトリクス
配線の両パターン間に、層間絶縁膜33を貫通して短絡
欠陥部34が発生している場合に、その配線基板30の
修正工程を示す工程断面図である。
【0044】図3(a)に示すように清浄化した青板ガ
ラスからなる基板31上に、フォトリソグラフィ法によ
りフォトレジストパターンを形成し、更に真空蒸着法に
より、厚さ10nmのCr、600nmのAuを順次堆
積後、リフトオフ法により所望の列方向配線パターン3
2を基板31上に形成した。続いて厚さ1000nmの
SiO2 からなる層間絶縁膜33をRFスパッタ法によ
り堆積し、フォトエッチング法により所望のパターンに
加工した。次に全面にフォトリソグラフィ法によりフォ
トレジストパターンを形成し、更に真空蒸着法により厚
さ5nmのTi、厚さ1000nmのAuを順次堆積
後、リフトオフ法により所望の行方向配線パターン35
を形成し、マトリクス配線基板30とした。
【0045】この配線基板30の製品検査をしたとこ
ろ、列方向配線と行方向配線の層間の短絡欠陥を検出
し、短絡欠陥部34を検知した。
【0046】そこで、図3(b)に示すようにフォトレ
ジスト層36(商品名AZ1370:ヘキスト社製)を
配線基板30の上面全面に塗布して形成し、90℃で乾
燥を行なった。この時のフォトレジスト層36の厚さは
1.0μm〜2.0μm程度であった。
【0047】次に図2(c)に示すように、実施例1で
説明した修正装置20を用いて短絡欠陥部34の上方の
フォトレジスト層を選択的に露光し、潜像部39を形成
した。この時の露光時間は3〜5secであった。
【0048】続いて図3(d)に示すように、現像液
(商品名AZ−MIF312Developer:ヘキ
スト社製)を用いて潜像部39を現像することにより、
欠陥部34上方に開口部38aを持つエッチングマスク
38を形成した。
【0049】次に図3(e)に示すように、配線材料A
u用のヨウ素系のエッチング液を用いて短絡欠陥部34
のAuをエッチングし、更にTiをフッ酸系のエッチン
グ液で順次エッチングすることにより短絡欠陥部34の
エッチング除去を行い、短絡欠陥を修正した。
【0050】最後に図3(f)に示すように、エッチン
グマスク38の剥離液(商品名マイクロポジットリムー
バ140:シプレイ社製)を用いてエッチングマスク3
8を全面除去した。これにより、行方向及び列方向配線
パターン35,32間に短絡欠陥のないマトリクス配線
基板を形成することができた。
【0051】更に、図示していないが、列方向配線32
と行方向配線35に接続して、表面伝導型電子放出素子
を形成した。
【0052】このように層間絶縁膜33を介して形成さ
れた列方向配線パターン32と行方向配線パターン35
からなるマトリクス配線は比較的、電流を沢山流すこと
が必要な電子放出素子を用いた画像表示装置用の基板と
して用いられるが、本発明によればAuを用いた配線基
板は配線の修正を簡単、且つ容易に行うことができる。
更に層間に生じた短絡欠陥も配線を断線させることなく
修正することができる。加えて本発明の修正装置及び修
正方法により配線間の短絡を修正することにより、欠陥
のない画像表示装置用の配線基板を形成することができ
る。
【0053】ところで、本発明は上記実施例のみに限定
されるものではなく、例えば上記実施例では青板ガラス
を用いたが、その他の絶縁性基板、例えば#7059ガ
ラス(コーニング社)、石英、また半導体基板、圧電性
基板等用いることができる。
【0054】更に上記実施例では列方向配線材料にCr
−Auを用いたが、例えばCr−Cu、Cr−Ag、T
i−Cu、Ti−Agでも良く、他の材料の組み合せで
も良い。更にこれらの合金を用いても構わない。また、
上記実施例では2層の積層配線を用いたが単層、3層、
もしくはそれ以上でも良く、仕様に応じて定めれば良
い。加えて上記配線材料、積層については、上記実施例
中の行方向配線についても同じことがいえる。また、上
記実施例では列方向、行方向配線の層間絶縁膜にシリコ
ン酸化膜を用いたが、他の酸化膜やシリコンナイトライ
ド等の窒化膜でも良い。更に、SOG、ポリイミド等の
塗布形成可能な絶縁膜を用いても構わない。
【0055】感光性樹脂としては市販されているポジ型
のレジストが一般的に好ましい。
【0056】また、上記実施例中、短絡部分の除去にウ
エットエッチングを用いたが、ドライエッチングでも良
く、材料の種類や目的とする素子の仕様やエッチングレ
ート等に応じて定めれば良い。更に上記実施例中、修正
装置の観察光学系として接眼レンズのみの観察であった
が、カラーモニタテレビを用いて双方同時の観察を行っ
ても良い。
【0057】また、上記実施例では本発明の修正装置及
び修正方法を表面伝導型電子放出素子を用いた画像形成
装置の配線基板の短絡欠陥の修正に用いたが、これに限
定されるものではなく、他の画像形成装置、例えば液晶
ディスプレイの配線基板の修正にも用いることができ
る。加えてフォトマスクの欠陥修正やその他の半導体装
置、光半導体装置等の電極欠陥の修正や配線欠陥の修正
にも適用できることは云うまでもない。
【0058】
【発明の効果】以上説明したように本発明による修正装
置及び修正方法によれば、 (1)汎用性に優れた安価な装置で高度な技術を必要と
せず、簡単な工程で信頼性の高い欠陥修正が行える。 (2)修正時に素子にダメージを与えることなく修正す
ることができる。 (3)配線材料の限定がなく、エッチングすることので
きる材料であれば欠陥修正を行うことができる。 (4)欠陥箇所の修正精度が著しく向上する。 (5)観察光学系と修正露光系が同一なので容易に修正
できる。
【0059】加えて本発明をマトリクス配線を用いた画
像表示装置に適用した場合、マトリクス配線構造におい
て信頼性の高い層間絶縁を得る事ができ、高歩留まり、
且つ高信頼性の画像表示装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る修正装置の一例を示す基本構成図
である。
【図2】本発明の一実施例を示す配線の修正工程図であ
る。
【図3】本発明の他の実施例を示す配線の修正工程図で
ある。
【図4】画像表示装置の配線基板の一部等価回路図であ
る。
【図5】従来の修正方法を示す平面説明図である。
【符号の説明】
5 ミラー 6 プリズム 11 ハロゲンランプ 12 コレクタレンズ 13 フィルタ 14 視野絞り 15 接眼レンズ 16 対物レンズ 17 配線基板 18 X−Yテーブル 20 修正装置 21 配線基板 22 短絡部分 23 フォトレジスト 24 エッチングマスク 25 列方向配線パターン 31 マトリクス配線基板 32 列方向配線パターン 33 層間絶縁膜 34 短絡欠陥部 35 行方向配線パターン 36 フォトレジスト層 38 エッチングマスク 41 列方向配線 42 行方向配線 43 電子放出素子 51 行方向配線 52 列方向配線 53 短絡欠陥部 54 切断部

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 対物レンズ及び接眼レンズからなり試料
    を観察する光学レンズ系と、前記対物レンズを通してか
    つ前記光学レンズ系と光路を共有して試料を照射する光
    源を有する露光系とからなる配線基板修正装置におい
    て、前記光源と前記対物レンズとの間に光路の選択露光
    領域を調整する絞りと、感光性樹脂の感光波長領域が透
    過しないフィルタを設けてなることを特徴とする配線基
    板修正装置。
  2. 【請求項2】 配線基板に感光性樹脂を塗布し、請求項
    1に記載した修正装置を用いて前記感光性樹脂を塗布し
    た配線基板の配線の欠陥部をフィルタを透過する光で検
    出すると共に、照射光を前記欠陥部領域を照射するよう
    に選択領域を調整する絞りを調整し、次いでフィルタを
    除去して欠陥部を照射後、感光性樹脂パターンを形成
    し、その後エッチングすることにより欠陥部を除去する
    ことを特徴とする配線基板修正方法。
  3. 【請求項3】 前記配線基板は表面伝導型電子放出素子
    で構成された画像表示装置用基板であり、配線材料にA
    u、Cu、又はAgを含む請求項2記載の修正方法。
JP9630494A 1994-05-10 1994-05-10 配線基板修正装置、及び同装置を用いる配線基板修正方法 Pending JPH07302966A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9630494A JPH07302966A (ja) 1994-05-10 1994-05-10 配線基板修正装置、及び同装置を用いる配線基板修正方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9630494A JPH07302966A (ja) 1994-05-10 1994-05-10 配線基板修正装置、及び同装置を用いる配線基板修正方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH07302966A true JPH07302966A (ja) 1995-11-14

Family

ID=14161298

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9630494A Pending JPH07302966A (ja) 1994-05-10 1994-05-10 配線基板修正装置、及び同装置を用いる配線基板修正方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH07302966A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6313815B1 (en) Electron source and production thereof and image-forming apparatus and production thereof
US6699642B2 (en) Method of manufacturing triode carbon nanotube field emitter array
US20030141495A1 (en) Triode structure field emission display device using carbon nanotubes and method of fabricating the same
AU674171B2 (en) Electron source and manufacture method of same, and image forming device and manufacture method of same
CA2137721C (en) Electron source and production thereof, and image-forming apparatus and production thereof
US6653232B2 (en) Method of manufacturing member pattern and method of manufacturing wiring, circuit substrate, electron source, and image-forming apparatus
US6387600B1 (en) Protective layer during lithography and etch
EP1302968A2 (en) Methods of manufacturing electron-emitting device, electron source, and image forming apparatus
US5542866A (en) Field emission display provided with repair capability of defects
US6194308B1 (en) Method of forming wire line
JP2003257306A (ja) 電子源の製造方法
JP2002245927A (ja) 細線を有する基板及び電子源及び画像表示装置
KR20040093491A (ko) 후막페이스트 재료층의 패터닝 방법, 냉음극 전계 전자방출 소자의 제조방법, 및 냉음극 전계 전자 방출표시장치의 제조방법
JP2000031013A (ja) 回路パターンの修復方法及び装置、並びに、回路パターン修復用転写板
US7485410B2 (en) Method of manufacturing thick dielectric pattern and method of manufacturing image displaying apparatus
JP2004221084A (ja) 二重ゲート構造を有する電界放出素子及びその製造方法
JPH0773800A (ja) 電界放出カソード素子
JPH07273430A (ja) 電気配線基板の製造方法
JP4519236B2 (ja) プラズマディスプレイ用部材の製造方法およびプラズマディスプレイ用部材ならびにそれを用いたプラズマディスプレイ。
JP3397414B2 (ja) 電子源とその製造方法、及び、画像形成装置とその製造方法
JPH0765708A (ja) 電子放出素子並びに画像形成装置の製造方法
US20050136787A1 (en) Method of forming carbon nanotube emitter and method of manufacturing field emission display using the same
JPH07273206A (ja) 電気配線基板の修繕方法
KR20040010224A (ko) 부재패턴의 제조방법, 배선구조체의 제조방법, 전자원의제조방법 및 화상표지장치의 제조방법
US6475050B1 (en) Manufacturing method of image-forming apparatus