JPH07306337A - 光半導体モジュール - Google Patents

光半導体モジュール

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JPH07306337A
JPH07306337A JP9895894A JP9895894A JPH07306337A JP H07306337 A JPH07306337 A JP H07306337A JP 9895894 A JP9895894 A JP 9895894A JP 9895894 A JP9895894 A JP 9895894A JP H07306337 A JPH07306337 A JP H07306337A
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仁 亀山
Yuichiro Moroto
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 光半導体におけるステムの面に対する光ビー
ムの角度が傾いていても十分な結合率に調整可能で、損
傷部品だけを容易に交換でき、ユーザの波長変更及び波
長追加、さらにはファイバ種類の変更要求にも容易に対
応できる。 【構成】 空胴穴8が形成された本体1の対向する一方
の壁面2bには、ファイバコリメータ4が着脱可能に取
付けられる。他方の壁面2aには、レンズ12と光半導
体9が一体化された光半導体コリメータ3を着脱可能に
保持するホルダ5がハンダ付けされる。光軸の調整を行
う際には、ファイバコリメータ4を本体1の一方の壁面
2bに固定し、光半導体コリメータ3をホルダ5に取付
けて本体1の他方の壁面2aに位置させた状態で、光半
導体9を発光させてファイバ18に結合する光量が最大
になる位置でホルダ5を本体1にハンダ付けする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、光通信用機器あるいは
光測定器等に用いる光半導体モジュールに関するもので
ある。
【0002】
【従来の技術】従来、光通信用機器や光測定器等に用い
られる光半導体モジュールには、共焦点レンズ系を用い
た光半導体モジュールとして、例えば特開平3−149
510号「半導体レーザ光ファイバ結合装置およびその
製造方法」(従来例1)や特開平5−121841号
「半導体レーザモジュール」(従来例2)がある。
【0003】従来例1の光半導体モジュールは、図8に
示すように、半導体レーザコリメータパッケージ70と
光ファイバコリメータ71とを備えて概略構成されてい
る。半導体レーザコリメータパッケージ70は、ステム
72、金属台座73、窓付キャップ74、半導体レーザ
(以下、LDという)75で構成される半導体レーザパ
ッケージ76と、半導体レーザ75に最も近接して固定
された第1のレンズ77を備えている。光ファイバコリ
メータ71は、入射平行光が単一モード光ファイバ端に
集光するような位置関係で単一モード光ファイバ78と
第2レンズ以降のレンズ系79とが同一の金属スリーブ
80内に保持されている。
【0004】この光半導体モジュールでは、半導体レー
ザ75からの出射光を平行ビームに変換するような位置
に接着剤により第1のレンズ77を固定し、半導体レー
ザパッケージ76あるいは光ファイバコリメータ71の
どちらか一方について、互いの光軸が一致するように、
その光軸に垂直な面内で直交する軸X,Y方向と光軸の
あおり角度θ,φとの4軸を同時に調整した後、半導体
レーザコリメータパッケージ70と光ファイバコリメー
タ71とを対向させて互いの光軸が一致した位置で金属
スリーブ80に対してステム72を直接ハンダ付け又は
YAGレーザ溶接によって固着している。
【0005】従来例2の光半導体モジュールは、図9に
示すように、半導体レーザ素子(LD)81が収容され
たステム82と、マイクロレンズ83が取り付けられた
厚肉キャップ84と、球レンズ85とファイバフェルー
ル86が保持された球レンズ保持鏡筒87とを備えて概
略構成されている。
【0006】この光半導体モジュールでは、鏡筒87と
厚肉キャップ84との間でX.Y軸調整し、鏡筒87と
フェルール86との間でZ軸調整して位置調整した後、
鏡筒87と厚肉キャップ84との間及び鏡筒87とフェ
ルール86との間の2箇所をスポット溶接により固定し
ている。
【0007】また、2つの光半導体素子からの出射光を
1本の光ファイバに結合させる2波長対応の光半導体モ
ジュールとしては、特開平3−129306号「光結合
器及びその作製方法」(従来例3)がある。
【0008】この従来例3の光半導体モジュールは、図
10に示すように、2組の素子パッケージ88,89
と、ケーシング90内に固定された1つの偏光素子91
と、偏光素子91の出射側面に対向するケーシング90
の壁面に固定された1本の光ファイバ92とを備えて概
略構成されている。各素子パッケージ88,89は、パ
ッケージ本体88a,89a内に1つのレンズ93と1
つのLD94が組み込まれたもので、偏光素子91の互
いに直交する2つの入射側面に対向するケーシング90
の外壁面に密着させた状態で、パッケージ本体88a,
89aの一方端に形成された基準面95が溶接により固
着されている。また、各LD94は、それぞれの活性層
がレンズ93の光軸と一致するようにステム96を介し
てパッケージ本体88a,89aの他方端に溶接により
固着されている。
【0009】この光半導体モジュールでは、各素子パッ
ケージ88,89の基準面95をケーシング90に密着
させたまま素子パッケージ88,89を光軸と直交する
X.Y方向に移動することによりLD94と光ファイバ
92との光結合状態が最大になるように調整した後、素
子パッケージ88,89をケーシング90に対して溶接
により固着固定している。また、素子パッケージ88,
89と光ファイバ92との光軸方向(Z方向)に対する
位置調整は、各素子パッケージ88,89と偏光素子9
1との間に配置された透明部材のガラス板97の板厚を
変えて行っている。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】このように、コリメー
タ同士を固定するために、従来例1の構成では、レンズ
79と光ファイバ78が保持される金属スリーブ80に
LD75のステム72を直接ハンダ付け又はYAGレー
ザ溶接により固着し、従来例2の構成では、鏡筒87と
厚肉キャップ84との間及び鏡筒87とフェルール86
との間の2箇所を溶接している。また、従来例3の構成
においても、LD94を保持するステム96とパッケー
ジ本体88a,89aとの間及びパッケージ本体88
a,89aとケーシング90との間に溶接が用いられて
おり、いずれの従来の構成においても、LDの交換や追
加、ファイバの交換が非常に困難であった。
【0011】また、使用される素子パッケージは、通常
パッケージ毎にビームスポットの位置が異なりバラツキ
があるため、特に従来例3の構成では、LD94からの
光が斜めに出射された場合、ガラス板97の板厚を変え
てZ方向の位置調整を行うと、ビームスポットの位置が
X−Y平面上にずれ、再度X,Y方向の調整が必要にな
るという問題があった。
【0012】ところで、上述した光半導体モジュールを
光通信用機器に使用する場合、対象となる通信システム
によってその波長が例えば1.31μmのみ、あるいは
1.31μmと1.55μmの両方といったように波長
のバリエーションが要求される。これに加えて、光測定
器に使用される場合には、ユーザの要求により測定波長
の変更(例えば1.3,1.31μm等)あるいは追加
(例えば1.31+1.55μm等)、さらには光ファ
イバの種類(SMファイバではDSF,PANDA等、
GIファイバでは50/125,62.5/125等)
の変更など様々な改造が要求される。しかもその改造作
業そのものが非常に短納期で要求される。そして、この
短納期のためには、光半導体モジュールの貯蔵等の方法
が必要であった。
【0013】しかしながら、上述した従来例1及び従来
例2の光半導体モジュールの構成では、LDコリメータ
とファイバコリメータとの光軸調整の際、LDコリメー
タの固定をLD75,81のステム72,82の部分で
直接ハンダ付け又はYAG溶接により行っているので、
特殊な道具なしには分解が困難であり、再組立も非常に
困難であった。また、取り外した部品を再利用するに
は、ハンダをきれいに取り除くなどの修正が必要不可欠
であって、最悪の場合には、部品が損傷して使いものに
ならなくなる可能性があった。また、このことは、LD
94のステム96及び素子パッケージ88,89を溶接
により固定している従来例3の光半導体モジュールの構
成においても、同様に生ずる問題であった。
【0014】従って、上述した従来の光半導体モジュー
ルの構成では、各種類のモジュールを完成品として貯蔵
しておくか、あるいは注文が来てからモジュールを組み
立てなければならなかった。しかも、測定器が1波長と
2波長のバリエーションを持つ場合には、1波長モジュ
ールと2波長モジュールの貯蔵をどのような割合いで行
うかが非常に難しい問題となっていた。また、LDコリ
メータやファイバコリメータは高価なため、1つの部品
が損傷しても、他の部品をそのまま生かして損傷した部
品のみ交換することが望まれる。ところが、従来の光半
導体モジュールの構成では、極めて困難であった。
【0015】また、一般的に用いられるLDコリメータ
の光ビームは、LDチップの取付精度によりステムの鉛
直方向に対して±3°程度の傾きを持っている。このた
め、LDコリメータからは、光が光軸に対してある方向
に傾いて斜めに出射されることになる。そして、このよ
うなLDコリメータを備えた光半導体モジュールを入射
の許容NAが狭いSMファイバに使用すると、チップの
取付面でのずれやレンズとチップとの間の中心軸のずれ
によって結合率の低下を招くため、LDコリメータの角
度調整が必要であった。
【0016】ところが、従来例1のモジュールでは、光
軸の調整後にコリメータ同士がハンダにより固定される
ので、モジュールの組立前にLDコリメータの角度調整
が行えても、上述したLDやファイバの交換に関する問
題を解決することはできなかった。また、従来例2及び
従来例3のモジュールでは、コリメータ同士間の固定や
LDステム及び素子パッケージの固定をYAG溶接で行
っているので、LDコリメータの角度調整を行うにして
も0.2°前後と極僅かであり、ステムの鉛直方向に対
する傾き±3°を含めた十分な調整を行うことができな
かった。従って、従来のいずれのモジュールも、上述し
たすべての問題を解決することができなかった。
【0017】そこで、本発明は上記問題点に鑑みてなさ
れたものであって、その目的は、光半導体におけるステ
ムの面に対する光ビームの角度が傾いていても十分な結
合率に調整可能で、LDやファイバが損傷した場合、損
傷した部品だけを容易に交換でき、ユーザの波長変更及
び波長追加要求、さらにはファイバ種類の変更要求にも
容易に対応できる光半導体モジュールを提供することに
ある。
【0018】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明による光半導体モジュールは、焦点位置に発
光面又は受光面が位置するように、レンズ12と、発光
素子又は受光素子からなる光半導体9とが一体化された
光半導体コリメータ3と、該光半導体コリメータが着脱
可能に取付けられるホルダ5と、レンズ19と、該レン
ズの焦点位置にファイバのコア中心の端面が位置するよ
うに配置されたファイバ18とが取付面21aを有する
ホルダ21に設けられたファイバコリメータ4と、対向
する壁面2a,2b間に貫通穴8が形成され、前記ファ
イバコリメータが取付面を介して前記貫通穴を望む一方
の壁面に着脱可能に取付けられる本体1と、該本体の前
記貫通穴を望む他方の壁面に前記ホルダ5を固定する固
定手段6とを備えたことを特徴としている。
【0019】また、上記の構成に加え、前記貫通穴8を
その中途位置より直交して他の壁面28に分岐して貫通
しており、該貫通穴が分岐された他の壁面には、前記ホ
ルダ5が前記固定手段6により固定されるとともに、該
ホルダには、前記レンズ12と光半導体9とが一体化さ
れた光半導体コリメータ30,38が着脱可能に取付け
られ、該光半導体コリメータと前記ファイバコリメータ
4とを結ぶ前記貫通穴の分岐部分には、合波器又は合分
波器からなる光結合部35,39が取付けられた構成と
してもよい。
【0020】さらに、前記光半導体9は、ホルダ5に対
して着脱可能に設けてもよい。
【0021】
【作用】請求項1の光半導体モジュールは、1波長モジ
ュールとして使用されるもので、貫通穴8が形成された
本体1の対向する一方の壁面2bには、ファイバコリメ
ータ4が着脱可能に取付けられる。また、他方の壁面2
aには、レンズ12と光半導体9とが一体化された光半
導体コリメータ3を着脱可能に保持するホルダ5が固定
手段6によって固定される。そして、例えば送信モジュ
ールを構成したときの光軸の調整を行う際には、ファイ
バコリメータ4を本体1の一方の壁面2bに固定し、光
半導体9が発光素子の光半導体コリメータ3をホルダ5
に取付けて本体1の他方の壁面2aに位置させる。この
状態で、光半導体9を発光させてファイバ18に結合す
る光量が最大になる位置でホルダ5を固定手段6によっ
て本体1に固定する。なお、光半導体9が発光素子の光
半導体コリメータ3をホルダ5から取り外し、光半導体
9が受光素子の光半導体コリメータに交換すれば、受信
モジュールを構成できる。
【0022】請求項2の光半導体モジュールは、1波長
又は多波長モジュールとして使用されるもので、貫通穴
8が形成された本体1の対向する壁面2a,2bに対
し、光半導体コリメータ3を着脱可能に保持するホルダ
5が固定されるとともに、ファイバコリメータ4が着脱
可能に取付けられる。貫通穴8は、中途位置より直交す
る他の壁面28に分岐して貫通しており、この分岐され
た貫通穴8を望む他の壁面28には、ホルダ5が固定手
段6により固定され、ホルダ5には、レンズ12と光半
導体9とが一体化された光半導体コリメータ30,38
が着脱可能に取付けられる。また、光半導体コリメータ
30,38とファイバコリメータ4とを結ぶ貫通穴8の
分岐部分には、合波器又は合分波器からなる光結合部3
5,39が取付けられる。そして、ホルダ5に着脱され
る光半導体コリメータとして、光半導体が発光素子の光
半導体コリメータと、光半導体が受光素子の光半導体コ
リメータとを組み合わせれば、送信モジュール、受信モ
ジュール、送受信モジュールのいずれかを構成できる。
【0023】また、上記の光半導体コリメータ3,3
0,38における光半導体9は、ホルダ5に対して着脱
可能とされ、ホルダ5が本体1に固定されている状態で
も、光半導体コリメータ3,30,38の交換により、
発光素子又は受光素子の選択や波長の変更が速やかに行
える。
【0024】
【実施例】以下に説明する各実施例の光半導体モジュー
ルは、特に、SMファイバ用のモジュールを対象として
使用されるものである。
【0025】図1(a)は本発明による光半導体モジュ
ールの第1実施例を示す一部断面の正面図、同図(b)
は同モジュールの左側面図、同図(c)は同モジュール
の右側面図である。
【0026】この第1実施例の光半導体モジュールは、
1波長用モジュールとして使用されるもので、箱型に形
成された本体1の長手方向の側壁面2に、光半導体コリ
メータ3とファイバコリメータ4とが対向して設けられ
ている。さらに説明すると、光半導体コリメータ3は、
ホルダ5を介して本体1の左側壁面2aにハンダ、接着
剤、溶接(例えばYAG溶接など)の固定手段6により
固定されており、ファイバコリメータ4は、本体1の右
側壁面2bに着脱可能に取付けられている。この構成
は、後述する第3実施例及び第4実施例に適用すること
もできる。
【0027】図1(a)において、本体1の左側壁面2
aの中央には、開口部7aを有する固定突部7が側壁面
2aと直交する長手方向に所定長さ突出して形成されて
いる。固定突部7の開口部7aの端面には、光半導体コ
リメータ3とファイバコリメータ4との間で光軸調整し
た後に、光半導体コリメータ3の取付けられたホルダ5
が固定手段6により固定されている。また、開口部7a
には、開口部7aの径より小径の空胴穴8が右側壁面2
bに貫通して形成されている。本体1の右側壁面2bの
上下2箇所には、取付ネジ穴10が長手方向に所定長さ
形成されており、この取付ネジ穴10には、ファイバコ
リメータ4を本体1に対して着脱可能に固定するための
ネジ11が螺合される。
【0028】そして、後述する如く、光半導体コリメー
タ3の光半導体9がLDで構成される場合には、LDか
らの光が空胴穴8を介してファイバコリメータ4側に通
過し、光半導体9がPD又はAPDで構成される場合に
は、ファイバコリメータ4からの光が空胴穴8を通過し
てPD又はAPDに導かれるようになっている。
【0029】光半導体コリメータ3は、光半導体9とレ
ンズ12とが一体化して構成されている。光半導体9
は、送信モジュールとして使用する場合に発光素子であ
るLDで構成され、受信モジュールとして使用する場合
に受光素子であるPD(Photodiode)又はAPD(Aval
anche Photodiode)で構成される。この光半導体9の光
軸上で、キャップ9aの表面中央には、レンズ12の嵌
入されたスリーブ13が固設されている。
【0030】ホルダ5は、本体1の固定突部7と同一形
状に形成された内側開口部14を有している。この内側
開口部14は、中央に形成された光半導体9のステム9
aを保持するための段付の嵌合部15を介して内側開口
部14より小径に形成された外側開口部16に連通して
いる。外側開口部16の内壁面には、ネジ部17aが形
成されており、このネジ部17aには、光半導体9が嵌
合部15に嵌合する方向にステム9aの底面を押し付け
る押さえ部材17のネジ部17aが螺合している。これ
により、光半導体コリメータ3は、光半導体9のステム
9aの外周及び表面が嵌合部15に嵌合した状態で、ホ
ルダ5に対して位置決め固定される。また、ホルダ5
は、ファイバコリメータ4のファイバ18との間で光半
導体9の光軸方向(Z軸)及び光軸と直交する平面(X
−Y平面)の調整と、光軸に対する傾き方向の角度調整
とが行われた後、内側開口部14の端面が本体1におけ
る固定突部7の開口部7aの端面に固定手段6により固
定される。
【0031】ファイバコリメータ4は、ファイバ18の
光軸とロッドレンズ19の光軸とが一致し、かつロッド
レンズ19の焦点の位置にファイバ端面18aのコア中
心の端面が位置するように、スリーブ20内の一端側に
ロッドレンズ19が嵌挿され、他端側にファイバ端面1
8aが嵌挿されている。このファイバコリメータ4は、
スリーブ20が空胴穴8内に収容された状態で、本体1
に対して着脱可能に固定される四角板状のフランジ部
(ホルダ)21を有している。このフランジ部21の内
側面は、本体1の右側壁面2bと平行に接触する取付面
(基準面)21aを形成している。また、フランジ部2
1の上下2箇所には、本体1の取付ネジ穴10に螺合さ
れるネジ11よりも大径の遊挿穴22が穿設されてい
る。このファイバコリメータ4は、フランジ部21の取
付面21aが本体1の右側壁面2bに接触するまでネジ
11を本体1の取付ネジ穴10に螺合することで本体1
に固定される。
【0032】次に説明する図2(a)は本発明による光
半導体モジュールの第2実施例を示す一部断面の正面図
であり、同図(b)は同モジュールの左側面図、同図
(c)は同モジュールの右側面図である。なお、第1実
施例と同一の構成要素には、同一番号を付してその説明
を省略する。
【0033】この第2実施例の光半導体モジュールは、
第1実施例において、光半導体コリメータ3がホルダ5
に着脱可能に取付けられる構成に加え、本体1に着脱可
能な連結部材23にホルダ5が固定される構成とされて
いる。
【0034】すなわち、この実施例では、第1実施例に
おける本体1の固定突部7が省略され、本体1の左側壁
面2aの中央には、円筒形状の連結部材23を着脱可能
に固定するための固定用ネジ穴24が空胴穴8に連通し
て側壁面2aと直交する長手方向に所定長さ形成されて
いる。連結部材23は、軸方向に貫通して本体1の空胴
穴8に連通する小径の内側開口部25と、光半導体コリ
メータ3のスリーブ13が収容される大径の外側開口部
26とが形成されている。連結部材23の先端外周に
は、本体1の固定用ネジ穴24に螺合するネジ部23a
が形成されている。連結部材23の外周中央部には、ネ
ジ部23aより大径のフランジ部27が一体形成されて
おり、このフランジ部27の内側面は、本体1の左側壁
面2aと平行に接触する取付面(基準面)27aを形成
している。また、連結部材23の外側開口部26の端面
には、ファイバコリメータ4のファイバ18との間で光
半導体9の光軸方向(Z軸)及び光軸と直交する平面
(X−Y平面)の調整と、光軸に対する傾き方向の角度
調整とが行われたホルダ5の内側開口部14の端面が固
定手段6により固定される。
【0035】次に、図3(a)は本発明による光半導体
モジュールの第3実施例を示す一部断面の正面図、同図
(b)は同モジュールの左側面図、同図(c)は同モジ
ュールの右側面図である。なお、第2実施例と同一の構
成要素には、同一番号を付してその説明を省略する。
【0036】この第3実施例の光半導体モジュールは、
1波長又は2波長用モジュールとして使用されるもの
で、上述した第2実施例において、空胴穴8が中央で分
岐して底壁面28に貫通しており、ファイバコリメータ
4と同一光軸上に設けられた光半導体コリメータ3を第
1の光半導体コリメータとし、これに直交する底壁面2
8中央の空胴穴8に第2の連結部材29を着脱可能に取
付け、第2の連結部材29に固定されるホルダ5に対し
て第2の光半導体コリメータ30が着脱可能に取付けら
れている。
【0037】すなわち、この実施例において、本体1の
底壁面28中央には、第2の連結部材29を着脱可能に
固定するための固定用ネジ穴31が空胴穴8に連通して
側壁面2aと直交する長手方向に所定長さ形成されてい
る。
【0038】そして、第2の光半導体コリメータ30
は、光半導体9のステム9aの外周及び表面が嵌合部1
5に嵌合した状態で、押さえ部材17のネジ部17aを
外側開口部16のネジ部17aに螺合することにより、
ステム9aの底面が嵌合部15に押し付けられてホルダ
5に位置決め固定される。また、第2の連結部材29の
外側開口部26の端面には、ファイバコリメータ4のフ
ァイバ18との間で光半導体9の光軸方向(Z軸)及び
光軸と直交する平面(X−Z平面)の調整と、光軸に対
する傾き方向の角度調整とが行われたホルダ5の内側開
口部14の端面が固定手段6により固定される。
【0039】本体1の正面側には、カバー部材32が着
脱可能に取り付けられている。このカバー部材32は、
対称に位置する本体1の正面壁面33の斜め2箇所でネ
ジ34により取り付けられている。また、第2の連結部
材29が取付けられる空胴穴8の分岐部分、すなわち、
空胴穴8内の第1の光半導体コリメータ3と第2の光半
導体コリメータ30との軸交部分には、例えばダイクロ
イックミラー等の合波器やハーフミラー等の合分波器で
構成された光結合部35が着脱可能に設けられている。
この光結合部35は、カバー部材32が取り外されてい
る状態で、本体1の正面側より固定できる構成になって
おり、両光半導体コリメータ3,30とファイバコリメ
ータ4との間で光を合分波している。
【0040】なお、この実施例の光半導体モジュールを
1波長用モジュールとして使用する場合には、空胴穴8
を覆うように図示しないカバー部材が取付けられる。
【0041】この第3実施例の光半導体モジュールは、
例えば図4に示す構成の光パルス試験器の投受光モジュ
ールとして最適に使用される。この図における光パルス
試験器は、タイミング発生部50、発光部51、方向性
結合器52、受光部53、増幅部54、A/Dコンバー
タ55、波形処理部56、表示部57を備えて構成され
ている。この光パルス試験器では、タイミング発生部5
0で生成されるタイミング信号に基づいて発光部51よ
り光パルスを被測定ファイバ58に投光し、被測定ファ
イバ58から反射してくる後方散乱光及びフレネル反射
光を方向性結合器52を介して受光部53によって受光
し、この受光した光を増幅器54にて増幅した後にA/
Dコンバータ55において所定のサンプリング周期で測
定ポイント毎にサンプリングし、サンプリングした各デ
ータを波形処理部56で波形処理して表示部57に表示
し、被測定ファイバ58の損失測定、破断点探索等を行
っている。
【0042】そして、このように構成される光パルス試
験器に対し、発光部51をLDによる第1の光半導体コ
リメータ3とし、受光部53をPD又はAPDによる第
2の光半導体コリメータ30とし、方向性結合器52を
合分波器による光結合部35とすることで、図中の一点
鎖線で示す部分を1つのモジュールで構成することがで
きる。
【0043】次に、図5は本発明による光半導体モジュ
ールの第4実施例を示す一部断面の正面図である。な
お、第1実施例乃至第3実施例と同一の構成要素には、
同一番号を付してその説明を省略する。
【0044】この第4実施例の光半導体モジュールは、
上述した第3実施例において、本体1が長手方向に延長
され、空胴穴8が左右2箇所で分岐して底壁面28に貫
通している。右側の空胴穴8には、側壁面2aと直交す
る長手方向に固定用ネジ穴36が連通して所定長さ形成
されている。そして、本体1の底壁面28の左側の空胴
穴8に着脱可能に設けられた第2の連結部材29に平行
して、右側の空胴穴8に第3の連結部材37が着脱可能
に設けられている。この第3の連結部材37に固定され
たホルダ5には、第3の光半導体コリメータ38が着脱
可能に設けられている。
【0045】第3の光半導体コリメータ38は、第2の
光半導体コリメータ30と同様に、光半導体9のステム
9aの外周及び表面が嵌合部15に嵌合した状態で、押
さえ部材17のネジ部17aを外側開口部16のネジ部
17aに螺合することにより、ステム9aの底面が嵌合
部15に押し付けられてホルダ5に位置決め固定され
る。第3の連結部材37の外側開口部26の端面には、
ファイバコリメータ4のファイバ18との間で光半導体
9の光軸方向(Z軸)及び光軸と直交する平面(X−Z
平面)の調整と、光軸に対する傾き方向の角度調整とが
行われたホルダ5の内側開口部14の端面が固定手段6
により固定される。また、第3の光半導体コリメータ3
8が取付けられる空胴穴8の分岐部分には、例えばダイ
クロイックミラー等の合波器やハーフミラー等の合分波
器で構成された光結合部39が着脱可能に設けられてい
る。
【0046】この第4実施例の光半導体モジュールは、
例えば図6に示す構成の光パルス試験器の投受光モジュ
ールとして最適に使用される。すなわち、この図におけ
る光パルス試験器は、異なる2波長の光を被測定光ファ
イバ58に入射し、各波長毎の光の入射に伴って被測定
光ファイバ58から反射される光を受光している。この
ため、図4の光パルス試験器の構成に加え、第2の発光
部59と第2の方向性結合器60を備えている。
【0047】そして、このように構成される光パスル試
験器に対し、第1の発光部51及び第2の発光部59を
それぞれLDによる第1の光半導体コリメータ3及び第
2の光半導体コリメータ30とし、受光部53をPD又
はAPDによる第3の光半導体コリメータ38とし、第
1の方向性結合器52を合波器による光結合部35と
し、第2の方向性結合器60を分波器による光結合部3
9とするすることで、図中の一点鎖線で示す部分を1つ
のモジュールで構成することができる。
【0048】次に、上記のように構成される光半導体モ
ジュールの光軸調整方法について説明する。まず、1波
長モジュールの場合には、ファイバコリメータ4を本体
1に固定する(ST1)。また、光半導体9をLDとし
て光半導体コリメータ3をホルダ5に固定する(ST
2)。なお、図3又は図5の光半導体モジュールを使用
する場合には、不要な第2の光半導体コリメータ30及
び第3の光半導体コリメータ38をホルダ5を含めて本
体1から取り外すとともに、代わりにカバー部材を取り
付けておく。また、光結合部35,39を本体1から取
り外しておく。この状態で、図1の構成では、光半導体
9を発光させて光半導体コリメータ3が取付けられたホ
ルダ5をX−Y−Z軸及び光軸の傾き方向に微動させ、
ファイバ18に結合する光量が最大になる位置でホルダ
5を本体1に固定する(ST3)。また、図2に示すよ
うな連結部材22を用いた構成では、予め本体1に連結
部材22を取付けておき、上記光軸の調整を行った後、
連結部材22にホルダ5を固定する。
【0049】次に、2波長モジュールの場合には、図3
又は図5の光半導体モジュールが使用される。なお、図
5の光半導体モジュールを使用する場合には、不要な第
3の光半導体コリメータ38をホルダ5を含めて本体1
から連結部材37ごと取り外し、代わりにカバー部材を
取り付けておくとともに、光結合部39を本体1から取
り外しておく。まず、光結合部35として合波器を本体
1に固定し(ST4)、次に、ファイバコリメータ4を
本体1に固定する(ST5)。また、第1の光半導体コ
リメータ3及び第2の光半導体コリメータ30をそれぞ
れホルダ5に固定する(ST6)。この状態で、光半導
体9を発光させて第1の光半導体コリメータ3が取付け
られたホルダ5をX−Y−Z軸及び光軸の傾き方向に微
動させ、ファイバ15に結合する光量が最大になる位置
でホルダ5を本体1に固定する(ST7)。同様に、光
半導体9を発光させて第2の光半導体コリメータ30が
取付けられたホルダ5をX−Y−Z軸及び光軸の傾き方
向に微動させ、ファイバ15に結合する光量が最大にな
る位置でホルダ5を本体1に固定する(ST8)。ま
た、連結部材23,29を用いた構成では、予め本体1
に連結部材23,29を取付けておき、それぞれの光半
導体コリメータ3,30について上記光軸の調整を行っ
た後、対応する連結部材23,29にホルダ5を固定す
る。なお、波長変更する場合にも、上述した手順に従っ
て行う。
【0050】次に、波長追加を行う場合、本実施例の構
成では、光半導体コリメータ3,30,38がホルダ5
を介して本体1に固定されるか、又は本体1に着脱可能
な連結部材23,29,37にホルダ5を介して固定さ
れるので、光軸再調整が容易ではない。このため、波長
追加の可能性がある場合は、予め本体1に光結合部35
としての合波器を固定した状態で、1波長モジュールを
組立て、波長追加の際には、第1の光半導体コリメータ
3の再光軸調整が不要となるようにする。又は、最初か
ら2波長モジュールとして組立て、1波長モジュールと
する場合には、第2の光半導体コリメータ30を取り外
すことで対応してもよい。この場合、取り外した光半導
体コリメータ30は再利用することができる。
【0051】さらに、上記の波長追加を行った上で送受
信モジュールを構成する場合には、図5の光半導体モジ
ュールが使用され、本体1からカバー部材を取り外し、
光結合部39として合分波器を本体1に固定する(ST
9)。この状態で、合分波器の板厚分ずれる光の再調整
を行うために、光半導体コリメータ3,30の光半導体
9を発光させて第1及び第2の光半導体コリメータ3,
30が取付けられたホルダ5をX−Y−Z軸及び光軸の
傾き方向に微動させ、ファイバ18に結合する光量が最
大になる位置でホルダ5を本体1にそれぞれ固定する
(ST10)。なお、連結部材23,29,37を用い
た構成では、予め本体1に連結部材23,29,37を
取付けておき、上記光軸の調整を行った後、連結部材2
3,29,37にホルダ5を固定する。
【0052】従って、上述した各実施例によれば、光半
導体コリメータ3,30,38及びファイバコリメータ
4がそれぞれモジュール化され、光半導体コリメータ
3,30,38が本体1に固定されるホルダ5又は本体
1に着脱可能な連結部材23,29,37に固定される
ホルダ5に対して着脱可能であり、ファイバコリメータ
4が本体1に着脱可能な構成なので、ファイバが折れた
り、LDに発光異常が生じたりしても、光半導体やファ
イバの交換が容易に行え、交換部品の無駄を防ぐことが
できる。
【0053】また、各実施例では、光半導体コリメータ
3,30,38の光軸の傾き方向の角度調整が本体1と
ホルダ5との間又は本体1に着脱可能な連結部材23,
29,37とホルダ5との間で行えるので、光半導体コ
リメータ3、30、38における光半導体9の発光面又
は受光面がステムの面に対して鉛直方向に傾いていて
も、高精度に光軸調整して十分な結合率を得ることがで
きる。
【0054】そして、第1実施例及び第2実施例の光半
導体モジュールによれば、本体1とファイバコリメータ
4の形状が同一でも、光半導体9をLDにすれば、送信
モジュールとなり、光半導体9をPDやAPDにすれ
ば、受信モジュールに構成することができる。
【0055】また、第3実施例及び第4実施例の光半導
体モジュールによれば、本体1に第2の光半導体コリメ
ータ30と光結合部35,39を取り付けることによ
り、1波長の光半導体モジュールから容易に2波長の光
半導体モジュールに変更することができる。また、第1
及び第2の光半導体コリメータ3,30の光半導体9と
して、LDとPD(又はAPD)を各1個使用し、光結
合部35として合波器の代えて合分波器を用いれば、送
受信モジュールを簡単に構成することができ、光パルス
試験器に代表される各種測定器や通信機器など種々の用
途に対応することができる。
【0056】さらに、第2実施例乃至第4実施例の光半
導体モジュールによれば、光半導体コリメータ3,3
0,38が本体1に固定手段6を介して固定されるホル
ダ5に着脱できるので、ホルダ5が本体1に取り付けら
れている状態でも、コリメータのみの交換により、発光
素子又は受光素子の選択や波長の変更を速やかに行うこ
とができる。
【0057】ところで、上述した実施例では、1つのフ
ァイバコリメータ4と最大3つの光半導体コリメータ
3,30,38を備えた構成について説明したが、3つ
に限らず複数の光半導体コリメータが本体1に着脱可能
な連結部材23,29,37にホルダ5を介して取付け
られる構成としてもよい。この場合、ファイバコリメー
タ4と同一光軸上の本体1の空胴穴8に設けられ、空胴
穴8を残りの光半導体コリメータの数だけ分岐させて本
体1の壁面より貫通させ、各空胴穴8の分岐部分に合波
器又は合分波器が着脱可能に取付けられる。
【0058】また、上述した各実施例では、光半導体コ
リメータ3,30,38がホルダ5を介して本体1に固
定されるか、又は本体1に着脱可能な連結部材23,2
9,37にホルダ5を介して固定される構成としたが、
この構成をファイバコリメータ4に適用し、例えば光半
導体コリメータ3を本体1に対してその光軸方向と直交
する平面(X−Y平面)上で微動可能に着脱できるよう
にしてもよい。この場合の光軸調整時には、光半導体コ
リメータ3を本体1に固定した状態で光半導体9を発光
させ、ファイバコリメータ4が取付けられたホルダ5を
X−Y−Z軸及び光軸の傾き方向に微動させ、ファイバ
18に結合する光量が最大になる位置でホルダ5を本体
1の壁面に固定手段6により固定する。
【0059】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の請求項1
乃至3の光半導体モジュールによれば、光半導体コリメ
ータ及びファイバコリメータがそれぞれモジュール化さ
れ、光半導体コリメータが本体に固定手段を介して固定
されるホルダに対して着脱可能であり、ファイバコリメ
ータが本体に着脱可能な構成なので、ファイバが折れた
り、発光素子や受光素子に異常が生じたりしても、光半
導体やファイバの交換が容易に行え、交換部品の無駄を
防ぐことができる。しかも、光半導体コリメータの光軸
の傾き方向の角度調整が本体又は締結部材とホルダとの
間で行えるので、光半導体コリメータにおける光半導体
の発光面又は受光面がステムの面に対して鉛直方向に傾
いていても、高精度に光軸調整して十分な結合率を得る
ことができる。また、本体とファイバコリメータの形状
が同一の構成でも、光半導体を発光素子にすれば、送信
モジュールとなり、光半導体を受光素子にすれば、受信
モジュールを構成することができる。
【0060】請求項2の光半導体モジュールによれば、
1波長の光半導体モジュールから容易に2波長の光半導
体モジュールに変更することができる。また、光半導体
コリメータの光半導体として、発光素子と受光素子を各
1個使用し、光結合部として合分波器を用いれば、送受
信モジュールを簡単に構成することができるから、光パ
ルス試験器に代表される各種測定器や通信機器など種々
の用途に対応することができる。
【0061】請求項3の光半導体モジュールによれば、
本体に取り付けられたホルダに対して光半導体コリメー
タを着脱できるので、コリメータのみの交換により、発
光素子又は受光素子の選択や波長の変更を速やかに行う
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)本発明の光半導体モジュールの第1実施
例を示す一部断面の正面図 (b)同モジュールの右側面図 (c)同モジュールの左側面図
【図2】(a)光半導体モジュールの第2実施例を示す
一部断面の正面図 (b)同モジュールの右側面図 (c)同モジュールの左側面図
【図3】(a)光半導体モジュールの第3実施例を示す
一部断面の正面図 (b)同モジュールの右側面図 (c)同モジュールの左側面図
【図4】第3実施例の光半導体モジュールが適用される
光パルス試験器の一構成例を示すブロック図
【図5】光半導体モジュールの第4実施例を示す平断面
【図6】第4実施例の光半導体モジュールが適用される
光パルス試験器の一構成例を示すブロック図
【図7】従来の光半導体モジュールの構成を示す図
【図8】従来の光半導体モジュールの構成を示す図
【図9】従来の光半導体モジュールの構成を示す図
【符号の説明】
1…本体、2…側壁面、3,30,38…光半導体コリ
メータ、4…ファイバコリメータ、5…ホルダ、6…固
定手段、9…光半導体、12…レンズ、28…底壁面、
35,39…光結合部。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 焦点位置に発光面又は受光面が位置する
    ように、レンズ(12)と、発光素子又は受光素子から
    なる光半導体(9)とが一体化された光半導体コリメー
    タ(3)と、 該光半導体コリメータが着脱可能に取付けられるホルダ
    (5)と、 レンズ(19)と、該レンズの焦点位置にファイバのコ
    ア中心の端面が位置するように配置されたファイバ(1
    8)とが取付面(21a)を有するホルダ(21)に設
    けられたファイバコリメータ(4)と、 対向する壁面(2a,2b)間に貫通穴(8)が形成さ
    れ、前記ファイバコリメータが取付面を介して前記貫通
    穴を望む一方の壁面に着脱可能に取付けられる本体
    (1)と、 該本体の前記貫通穴を望む他方の壁面に前記ホルダ
    (5)を固定する固定手段(6)とを備えたことを特徴
    とする光半導体モジュール。
  2. 【請求項2】 前記貫通穴(8)は、その中途位置より
    直交して他の壁面(28)に分岐して貫通しており、 該貫通穴が分岐された他の壁面には、前記ホルダ(5)
    が前記固定手段(6)により固定されるとともに、該ホ
    ルダには、前記レンズ(12)と光半導体(9)とが一
    体化された光半導体コリメータ(30,38)が着脱可
    能に取付けられ、 該光半導体コリメータと前記ファイバコリメータ(4)
    とを結ぶ前記貫通穴の分岐部分には、合波器又は合分波
    器からなる光結合部(35,39)が取付けられる請求
    項1記載の光半導体モジュール。
  3. 【請求項3】 前記光半導体(9)は、前記ホルダ
    (5)に対して着脱可能に設けられた請求項1又は2記
    載の光半導体モジュール。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100385166B1 (ko) * 2000-10-09 2003-05-22 삼성테크윈 주식회사 레이저 다이오드를 채용한 광학계
JP2009055556A (ja) * 2007-08-29 2009-03-12 Anritsu Corp 光モジュール及び光パルス試験器
JP2011008177A (ja) * 2009-06-29 2011-01-13 Mitsubishi Electric Corp 光モジュール
WO2011151903A1 (ja) * 2010-06-02 2011-12-08 三菱電機株式会社 光モジュール
WO2015133165A1 (ja) * 2014-03-06 2015-09-11 ソニー株式会社 光コネクタとケーブルおよび光通信装置

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